該DRV8428是一款適用于工業(yè)和消費類應(yīng)用的步進電機驅(qū)動器。該器件完全集成了兩個N溝道功率MOSFET H橋驅(qū)動器、一個微步進索引器和集成電流檢測。該DRV8428能夠驅(qū)動高達1A的滿量程輸出電流(取決于PCB設(shè)計)。
該DRV8428采用內(nèi)部電流檢測架構(gòu),無需兩個外部功率檢測電阻,從而節(jié)省PCB面積和系統(tǒng)成本。該器件采用內(nèi)部PWM電流調(diào)節(jié)方案,可在智能調(diào)諧和混合衰減選項之間進行選擇。智能調(diào)諧可自動調(diào)整以實現(xiàn)最佳電流調(diào)節(jié),補償電機變化和老化效應(yīng),并降低電機發(fā)出的可聽噪聲。
*附件:drv8428.pdf
簡單的STEP/DIR接口允許外部控制器管理步進電機的方向和步進率。該器件可以配置為從全步到1/256微步進的不同步進模式。使用專用的nSLEEP引腳提供低功耗睡眠模式,以實現(xiàn)非常低的待機靜態(tài)待機電流。為電源欠壓、過流、短路和過熱提供保護功能。故障情況由EN/nFAULT引腳指示。
特性
- PWM微步進步進電機驅(qū)動器
- 簡單的 STEP/DIR 接口
- 高達 1/256 微步進分度器
- 集成電流檢測功能
- 無需檢測電阻
- ±6% 滿量程電流精度
- 智能調(diào)諧衰減技術(shù)和混合衰減選項
- 4.2V至33V工作電源電壓范圍
- R
DS(開):1500 mΩ HS + LS,24 V,25°C - 每橋電流容量:1.7A 峰值、1A 滿量程、0.7A rms
- 可配置的關(guān)斷時間PWM斬波
- 7 微秒、16 微秒或 32 微秒。
- 支持1.8V、3.3V、5.0V邏輯輸入
- 低電流睡眠模式 (2 μA)
- 用于低電磁干擾 (EMI) 的擴頻時鐘
- 小封裝和封裝
- 保護功能
- VM 欠壓鎖定 (UVLO)
- 過流保護 (OCP)
- 熱關(guān)斷 (OTSD)
- 故障條件輸出 (EN/nFAULT)
參數(shù)
方框圖
?1. 核心特性?
- ?集成電流檢測?:無需外部檢測電阻,全量程電流精度±6%,節(jié)省PCB空間和系統(tǒng)成本。
- ?高精度微步進?:支持1/256微步進,通過STEP/DIR接口控制,減少電機振動和噪聲。
- ?智能調(diào)節(jié)技術(shù)?(Smart Tune):支持動態(tài)衰減、混合衰減模式,自動優(yōu)化電流調(diào)節(jié),適應(yīng)電機老化及負(fù)載變化。
- ?寬電壓范圍?:工作電壓4.2V至33V,峰值電流1.7A(全量程1A,RMS 0.7A)。
- ?低導(dǎo)通電阻?:1500mΩ(HS+LS,24V/25°C)。
- ?多重保護?:包括欠壓鎖定(UVLO)、過流保護(OCP)、熱關(guān)斷(OTSD)及故障輸出(EN/nFAULT)。
?2. 關(guān)鍵參數(shù)?
- ?控制接口?:STEP/DIR(步進/方向)接口,支持1.8V/3.3V/5V邏輯輸入。
- ?PWM關(guān)斷時間?:可配置為7μs、16μs或32μs。
- ?休眠模式?:靜態(tài)電流低至2μA。
- ?熱性能?:HTSSOP封裝RθJA為46.4°C/W,WQFN封裝為47°C/W。
?3. 功能模塊?
- ?電流調(diào)節(jié)?:通過VREF引腳電壓設(shè)定全量程電流(IFS = VREF / 3 V/A)。
- ?衰減模式?:
- ?Smart Tune動態(tài)衰減?:自動調(diào)整衰減比例,優(yōu)化電流紋波。
- ?混合衰減?:30%快衰減+70%慢衰減。
- ?微步進配置?:通過M0/M1引腳設(shè)置步進模式(全步至1/256微步)。
?4. 應(yīng)用領(lǐng)域?
?5. 封裝選項?
- ? HTSSOP-16(PWP) ?:5mm×4.4mm,帶散熱焊盤
- ? WQFN-16(RTE) ?:3mm×3mm
?6. 設(shè)計支持?
- ?典型電路?:提供HTSSOP和WQFN封裝的參考布局及散熱設(shè)計建議。
- ?熱管理?:需根據(jù)PCB散熱能力調(diào)整輸出電流,避免結(jié)溫超過150°C。
?7. 文檔結(jié)構(gòu)?
- 包含特性、引腳定義、電氣參數(shù)、功能描述及布局指南,完整覆蓋硬件設(shè)計需求。
-
MOSFET
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