揚(yáng)杰科技||P-100V SGT MOSFET新品發(fā)布

產(chǎn)品介紹

揚(yáng)杰科技針對(duì)負(fù)載開關(guān)，DCDC，電機(jī)驅(qū)動(dòng)領(lǐng)域，推出全新的SGT P-100V產(chǎn)品：

1、和N Channel MOSFET產(chǎn)品相比，P Channel MOSFET產(chǎn)品需求遠(yuǎn)小。但在某些應(yīng)用領(lǐng)域， P Channel MOSFET因其本身的電性特點(diǎn)，有其不可替代性；

2、目前可以提供-15 ~ -100V，-1.5~-55A的P Channel MOSFET解決方案，封裝主要有：SOT系列，DFN系列，SOP系列，TO系列；

3、推出了國(guó)內(nèi)首款采用SGT工藝的P-100V產(chǎn)品，目前推出的產(chǎn)品封裝外形主要有DFN5060，TO-252，TO-263，TO-220。

特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)

1、國(guó)內(nèi)第一顆采用SGT技術(shù)的P-100V的MOSFET產(chǎn)品；

2、P Channel產(chǎn)品在負(fù)載開關(guān)應(yīng)用中，電路更簡(jiǎn)潔，高效；

3、采用SGT工藝的P Channel產(chǎn)品在開關(guān)應(yīng)用中，據(jù)有更好的電容特性，表現(xiàn)出更優(yōu)異的開關(guān)特性；

4、高功率，小型化封裝（PDFN5060）。

推薦產(chǎn)品

訂購(gòu)信息

應(yīng)用領(lǐng)域

電機(jī)驅(qū)動(dòng)（無人機(jī)，電動(dòng)工具，散熱風(fēng)機(jī)等）

DCDC電路

無線充電

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MOSFET(230967) MOSFET(230967)
負(fù)載開關(guān)(20450) 負(fù)載開關(guān)(20450)
電機(jī)驅(qū)動(dòng)(89196) 電機(jī)驅(qū)動(dòng)(89196)
DCDC(75427) DCDC(75427)
揚(yáng)杰科技(12110) 揚(yáng)杰科技(12110)

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NP2P10MR(100V P溝道增強(qiáng)模式MOSFET)

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供應(yīng)SGT20T60SD1F(S)(P7)(FD)(PN)(T) 20A600V單管igbt，提供SGT20T60SD1F(S)(P7)(FD)(PN)(T)關(guān)鍵參數(shù) ，可應(yīng)用于光伏，變頻器，UPS,SMPS以及PFC等領(lǐng)域，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向士蘭微IGBT代理商驪微電子申請(qǐng)。>>

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供應(yīng)全橋逆變IGBT耐壓600V、20A SGT20T60SDM1P7，提供SGT20T60SDM1P7關(guān)鍵參數(shù) ，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向士蘭微IGBT代理驪微電子申請(qǐng)。>>

2023-04-03 16:02:49

ups逆變器igbt單管SGT60N60FD1P7 600v 60a規(guī)格書參數(shù)

供應(yīng)ups逆變器igbt單管SGT60N60FD1P7 ，提供SGT60N60FD1P7 600v 60a規(guī)格書參數(shù) ，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向驪微電子申請(qǐng)。>>

2023-04-04 10:39:34

揚(yáng)杰科技又新增5億元車用IGBT、SiC模塊封裝項(xiàng)目

近日，據(jù)邗江發(fā)布消息，在維揚(yáng)經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)先進(jìn)制造業(yè)項(xiàng)目新春集中簽約儀式上，揚(yáng)州揚(yáng)杰電子科技股份有限公司副董事長(zhǎng)梁瑤信心滿滿地告訴記者，“去年揚(yáng)杰電子實(shí)現(xiàn)開票銷售60億元，今年有望取得更大突破?！?/div>

2024-02-20 09:34:58

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揚(yáng)杰科技推出50A 650V TO-247封裝IGBT單管

近日，國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體功率器件領(lǐng)軍企業(yè)揚(yáng)州揚(yáng)杰電子科技股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱“揚(yáng)杰科技”）再度刷新業(yè)界認(rèn)知，推出了一款專為光伏儲(chǔ)能充電樁等高頻應(yīng)用而設(shè)計(jì)的50A 650V TO-247封裝IGBT單管產(chǎn)品

2024-03-16 10:48:19

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揚(yáng)杰科技發(fā)布高效SJ MOSFET，賦能新能源市場(chǎng)

在新能源市場(chǎng)迅猛發(fā)展的浪潮中，功率器件作為電力電子變換系統(tǒng)的核心部件，其能效和封裝性能的提升顯得尤為重要。為了滿足市場(chǎng)對(duì)高性能功率器件的迫切需求，揚(yáng)杰科技近日隆重推出了一系列新型SJ MOSFET產(chǎn)品，特別針對(duì)光伏微逆變、工業(yè)電源和服務(wù)器電源等應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化設(shè)計(jì)。

2024-06-28 09:53:25

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揚(yáng)杰科技在上海慕展精彩回顧

2024年7月8-10日，為期三天的慕尼黑上海電子展圓滿落幕，揚(yáng)杰科技憑借卓越先進(jìn)的展品、行業(yè)應(yīng)用解決方案、獨(dú)具一格的展臺(tái)設(shè)計(jì)，現(xiàn)場(chǎng)銷售人員、FAE、PM、行業(yè)經(jīng)理等進(jìn)行專業(yè)接待交流，吸引大量新老客戶來現(xiàn)場(chǎng)進(jìn)行互相交流探討，展會(huì)現(xiàn)場(chǎng)人流如織，使得揚(yáng)杰科技成為本次展會(huì)一大亮點(diǎn)。

2024-07-14 10:06:43

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揚(yáng)杰科技發(fā)布用于PC主板的PDFN5060 N30V Mosfets

近日，揚(yáng)杰科技推出了專為PC主板應(yīng)用設(shè)計(jì)的High-side+Low-side PDFN5060 N30V Mosfets。該產(chǎn)品采用了先進(jìn)的SGT技術(shù)，具有出色的電氣性能。

2024-10-12 15:59:23

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一文看懂SGT MOSFET的市場(chǎng)前景

uSGT MOSFET的市場(chǎng)前景 SGT-MOS的全稱是“Split Gate Trench-MOSFET”，中文叫屏蔽柵溝槽型功率 MOSFET。SGT-MOS嚴(yán)格意義上來說，在工藝上并沒有

2024-11-08 10:36:34

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揚(yáng)杰科技推出全新SiC MOSFET產(chǎn)品

揚(yáng)杰科技近日推出了一系列TO-263-7L、TOLL、T2PAK產(chǎn)品，產(chǎn)品均采用開爾文接觸，明顯減少了開關(guān)時(shí)間，降低了開關(guān)損耗，支持更高頻率的應(yīng)用與動(dòng)態(tài)響應(yīng)；同時(shí)相比插腳器件降低了電路板空間，增加了電路板的集成化，非常適合應(yīng)用于高功率密度和高效率電力電子變換系統(tǒng)

2024-11-27 14:15:38

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新潔能30-250V N-Channel SGT-I MOSFET產(chǎn)品列表

新潔能30-250V N-Channel SGT-I MOSFET產(chǎn)品是基于傳統(tǒng)溝槽式MOSFET的改進(jìn)版本，其出色的導(dǎo)通電阻、品質(zhì)因子和快速硬開關(guān)能力，為電源設(shè)計(jì)人員提供了解決提高系統(tǒng)效率

2024-11-30 09:18:33

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揚(yáng)杰科技全資子公司MCC（越南）工廠正式通線

近日，喜訊傳來，揚(yáng)杰科技全資子公司MCC（越南）工廠正式步入通線階段。這一里程碑式的成就標(biāo)志著揚(yáng)杰科技在積極開拓國(guó)際市場(chǎng)、加速全球化進(jìn)程上邁出了堅(jiān)實(shí)的一步。

2024-12-16 11:29:21

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揚(yáng)杰科技登榜“2024中國(guó)半導(dǎo)體企業(yè)TOP100”

風(fēng)云榜頒獎(jiǎng)典禮”在上海·上海中心成功舉辦。會(huì)上，主辦方重磅發(fā)布了《2024中國(guó)半導(dǎo)體企業(yè)TOP100》榜單，揚(yáng)杰科技位居第16位。據(jù)了解，“中國(guó)半導(dǎo)體企業(yè)TOP100”進(jìn)入門檻需要營(yíng)業(yè)收入3億元以上。TOP50的營(yíng)收門檻已經(jīng)超過10億元，基于中國(guó)資本市場(chǎng)對(duì)半導(dǎo)體企業(yè)的估值，基本上也對(duì)應(yīng)了

2024-12-21 10:27:04

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上海貝嶺150V SGT MOSFET系列產(chǎn)品介紹

上海貝嶺推出150V SGT MOSFET系列產(chǎn)品。貝嶺150V SGT系列產(chǎn)品采用業(yè)界先進(jìn)工藝，使得器件具有良好的柵極漏電流IGSS性能；采用深溝槽、多層外延襯底以及多重浮空環(huán)終端結(jié)構(gòu)，使得器件

2025-01-03 10:19:16

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SGT MOSFET的優(yōu)勢(shì)解析

SGT MOSFET，即屏蔽柵溝槽MOSFET，是一種先進(jìn)的功率半導(dǎo)體器件。這種技術(shù)改變了MOSFET內(nèi)部電場(chǎng)的形態(tài)，將傳統(tǒng)的三角形電場(chǎng)進(jìn)一步的變更為類似壓縮的梯形電場(chǎng)，可以進(jìn)一步減小EPI層的厚度，降低導(dǎo)通電阻Rds(on)。

2025-01-22 13:55:54

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SemiQ發(fā)布1700V SiC MOSFET新品

近日，全球碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的知名制造商SemiQ，正式推出了一款專為中壓大功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用而設(shè)計(jì)的1700V SiC MOSFET系列新品。此次發(fā)布的QSiC? 1700V高速平面

2025-01-23 15:46:58

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揚(yáng)杰科技N60V SGT MOSFET產(chǎn)品介紹

揚(yáng)杰科技于2024年推出了一系列用于汽車電子的N60V SGT MOSFET，產(chǎn)品采用特殊優(yōu)化的SGT技術(shù)，具有較低的導(dǎo)通電阻Rdson和柵極電荷Qg，明顯降低導(dǎo)通和開關(guān)損耗，可以支持更高頻率與動(dòng)態(tài)響應(yīng)。

2025-04-01 10:39:53

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揚(yáng)杰科技亮相PCIM Europe 2025 以硬核技術(shù)驅(qū)動(dòng)能源變革

Mosfet新品與微溝槽IGBT單管，前者采用高密度溝槽設(shè)計(jì)，導(dǎo)通電阻降低20%，適用于服務(wù)器電源與消費(fèi)電子快充；后者通過背面加工工藝優(yōu)化，飽和壓降與關(guān)斷損耗雙降，可提升變頻器能效5%以上。二技術(shù)論壇共探發(fā)展 ? ? ? ? 展會(huì)現(xiàn)場(chǎng)，揚(yáng)杰科技的技術(shù)專家也帶來了兩場(chǎng)關(guān)于SiC、IGBT的專業(yè)

2025-05-09 10:11:56

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博世集團(tuán)蒞臨揚(yáng)杰科技參觀交流

近日，全球第一大汽車零部件技術(shù)供應(yīng)商博世集團(tuán)（BOSCH）全球電子和軟件采購(gòu)高級(jí)副總裁Gohlicke Bernd、全球電子和軟件采購(gòu)副總裁Sbanski Oliver率隊(duì)蒞臨揚(yáng)杰科技。揚(yáng)杰

2025-05-19 09:27:42

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MDD辰達(dá)半導(dǎo)體推出全新SGT系列MOSFET

在服務(wù)器電源、工業(yè)驅(qū)動(dòng)及新能源領(lǐng)域，MOSFET的性能直接決定系統(tǒng)的能效與可靠性。為滿足高密度、高效率需求，MDD辰達(dá)半導(dǎo)體推出全新SGT系列MOSFET，其中MDDG03R04Q(30V N溝道增強(qiáng)型MOS)憑借3.5mΩ低導(dǎo)通電阻與屏蔽柵優(yōu)化技術(shù)，為同步整流、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等場(chǎng)景提供高效解決方案。

2025-05-21 14:04:38

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揚(yáng)杰科技拜訪維揚(yáng)經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)管委會(huì)

近日，揚(yáng)杰科技副董事長(zhǎng)劉從寧率項(xiàng)目團(tuán)隊(duì)專程前往維揚(yáng)經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)管委會(huì)拜訪，代表企業(yè)向管委會(huì)主任仇震及領(lǐng)導(dǎo)班子鄭重遞交送上印有 “政企聯(lián)動(dòng)創(chuàng)效率，高效服務(wù)助發(fā)展” 的鮮紅錦旗，致謝管委會(huì)在揚(yáng)杰科技7號(hào)廠

2025-05-30 16:22:54

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新潔能推出第三代40V Gen.3 SGT MOSFET系列產(chǎn)品

作為國(guó)內(nèi)MOSFET功率器件研發(fā)的先行者之一，新潔能始終致力于功率半導(dǎo)體核心技術(shù)的突破，其研發(fā)團(tuán)隊(duì)持續(xù)創(chuàng)新，正式推出第三代SGT產(chǎn)品Gen.3 SGT MOSFET，電壓涵蓋25-150V系列產(chǎn)品

2025-06-11 08:59:59

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揚(yáng)杰電子MG35P12E1A IGBT模塊：高效能電力電子解決方案

極型晶體管（IGBT）和快速恢復(fù)二極管（FWD），適用于多種高功率應(yīng)用場(chǎng)景，展現(xiàn)了揚(yáng)杰電子在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的技術(shù)實(shí)力。產(chǎn)品概述 MG35P12E1A是一款電壓等級(jí)為1200V、額定電流35A的IGBT模塊，其設(shè)計(jì)兼顧了高效能與可靠性。模塊采用低電感封裝技術(shù)，具有低

2025-06-18 17:52:14

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揚(yáng)杰科技推出用于清潔能源的N60V MOSFET產(chǎn)品

揚(yáng)杰科技最新推出了一系列用于清潔能源的N60V MOSFET產(chǎn)品，產(chǎn)品采用特殊優(yōu)化的SGT技術(shù)，具有較低的導(dǎo)通電阻Rdson和柵極電荷Qg，明顯降低導(dǎo)通和開關(guān)損耗，同時(shí)提升了MOSFET抗沖擊電流能力，非常適合應(yīng)用于高功率密度和高效率電力電子變換系統(tǒng)。

2025-06-27 09:43:53

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揚(yáng)杰科技推出SOD-323HE封裝TVS新品

揚(yáng)杰科技近日推出SOD-323HE封裝TVS新品，產(chǎn)品散熱性能優(yōu)，背部Pad面積大，對(duì)比SOD-123FL散熱路徑更改，由原來的引腳散熱更改為背部金屬板Pad散熱，金屬散熱面積增大89% 。同時(shí)封裝外形小，比SOD-123HE封裝長(zhǎng)度降低56%，寬度降低56%，滿足封裝小型化的發(fā)展趨勢(shì)。

2025-07-21 11:43:01

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揚(yáng)杰科技推出用于汽車電子的P60V MOSFET產(chǎn)品

揚(yáng)杰科技近日推出了一系列用于汽車電子的P60V MOSFET產(chǎn)品，產(chǎn)品具有較低的導(dǎo)通電阻Rdson和柵極電荷Qg，明顯降低導(dǎo)通和開關(guān)損耗，可以支持更高頻率與動(dòng)態(tài)響應(yīng)，同時(shí)優(yōu)化MOS產(chǎn)品EAS能力

2025-08-13 17:57:01

2747

揚(yáng)杰科技與北京一高科技達(dá)成合作

2025年8月8日上午，揚(yáng)杰科技與北京一高科技控股集團(tuán)（簡(jiǎn)稱“北京一高科技”）聯(lián)合辦學(xué)簽約儀式在揚(yáng)杰科技順利舉行。

2025-08-13 18:02:16

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揚(yáng)杰科技推出用于PD電源的N100V MOSFET產(chǎn)品

N100V MOSFET產(chǎn)品采用特殊優(yōu)化的SGT技術(shù)，具有較低的導(dǎo)通電阻Rdson和柵極電荷Qg，明顯降低導(dǎo)通和開關(guān)損耗，同時(shí)提升了MOSFET抗雪崩沖擊能力。

2025-09-15 09:57:56

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中科微電ZK100G200P：100V大電流MOS管的性能突破與場(chǎng)景革命

在功率半導(dǎo)體國(guó)產(chǎn)化浪潮中，ZK100G200P憑借“性能對(duì)標(biāo)進(jìn)口、成本更具優(yōu)勢(shì)”的特點(diǎn)，成為打破國(guó)際品牌壟斷的關(guān)鍵力量。其100V/205A參數(shù)組合、SGT工藝帶來的高頻低損耗特性。

2025-10-15 11:20:36

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ZK100G08T：SGT工藝加持的緊湊型MOSFET，賦能中小型功率設(shè)備高效運(yùn)行

在中小型功率電子設(shè)備朝著“小型化、低功耗、高可靠性”升級(jí)的進(jìn)程中，MOSFET作為電能控制的核心器件，其性能與尺寸的平衡成為設(shè)計(jì)關(guān)鍵。中科微電推出的ZK100G08TN溝道MOSFET，以100V

2025-10-21 10:54:37

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ZK100G08P應(yīng)用全景：TO-220封裝與SGT工藝驅(qū)動(dòng)多場(chǎng)景功率控制升級(jí)

在功率電子領(lǐng)域，“適配性”與“可靠性”是器件立足市場(chǎng)的核心。中科微電推出的ZK100G08PN溝道MOSFET，以100V耐壓、88A連續(xù)漏極電流為性能基底，融合SGT（超結(jié)溝槽柵）先進(jìn)工藝與經(jīng)典

2025-10-21 11:38:20

301

ZK100G325P深度應(yīng)用解析：SGT工藝賦能的中低壓MOS管大功率場(chǎng)景革新

中科微電ZK100G325P作為N溝道功率MOS管，以100V耐壓、超300A持續(xù)電流的硬核參數(shù)，融合SGT（屏蔽柵晶體管）工藝與高適配封裝，不僅精準(zhǔn)破解這一行業(yè)痛點(diǎn)，更在工業(yè)驅(qū)動(dòng)、新能源儲(chǔ)能、消費(fèi)電子三大領(lǐng)域構(gòu)建起“高效能-高可靠-低成本”的應(yīng)用生態(tài)，成為國(guó)產(chǎn)中低壓大功率器件的標(biāo)桿選擇。

2025-10-24 17:53:57

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揚(yáng)杰科技先進(jìn)封裝項(xiàng)目一期正式開工

2025年10月28日上午8時(shí)56分，揚(yáng)杰科技先進(jìn)封裝項(xiàng)目（一期）開工儀式在五號(hào)廠區(qū)舉行。揚(yáng)州維揚(yáng)經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)黨工委副書記、管委會(huì)主任仇震，管委會(huì)副主任潘健年，揚(yáng)杰科技董事長(zhǎng)梁勤等領(lǐng)導(dǎo)及參建單位、企業(yè)員工代表出席，共同見證這一重要時(shí)刻。

2025-10-31 16:11:29

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揚(yáng)杰科技參加2025“裝備強(qiáng)國(guó)”系列之走進(jìn)東風(fēng)汽車

? 揚(yáng)杰科技 2025? “裝備系列”之東風(fēng)汽車產(chǎn)業(yè)鏈供需對(duì)接交流活動(dòng) —會(huì)議回顧— ? ? 11月28日，“2025《裝備強(qiáng)國(guó)》系列之東風(fēng)汽車產(chǎn)業(yè)鏈供需對(duì)接交流活動(dòng)”在東風(fēng)汽車集團(tuán)有限公司研發(fā)

2025-12-02 11:03:36

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揚(yáng)杰科技與奔馳達(dá)成長(zhǎng)期戰(zhàn)略合作

2025年12月2日，揚(yáng)杰科技與奔馳正式簽訂長(zhǎng)期合作協(xié)議。此次合作歷經(jīng)近兩年的深度對(duì)接，標(biāo)志著揚(yáng)杰科技在核心產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力與全球市場(chǎng)拓展方面取得積極進(jìn)展，為公司優(yōu)化高端客戶網(wǎng)絡(luò)、穩(wěn)固行業(yè)市場(chǎng)地位奠定了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。

2025-12-10 18:01:43

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江蘇省領(lǐng)導(dǎo)蒞臨揚(yáng)杰科技調(diào)研指導(dǎo)

12月6日下午，江蘇省委副書記、省長(zhǎng)劉小濤一行蒞臨揚(yáng)杰科技調(diào)研，揚(yáng)州市委書記王進(jìn)健，揚(yáng)州市委副書記、秘書長(zhǎng)焦慶標(biāo)，邗江區(qū)委書記張新鋼等陪同，揚(yáng)杰科技董事長(zhǎng)梁勤、副董事長(zhǎng)梁瑤熱情接待。

2025-12-10 18:04:04

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