瑞薩電新發(fā)表13款具備高效能之第7代絕緣閘雙極性電晶體（IGBT）系列新產(chǎn)品。新款IGBT包括650V的RJH/RJP65S系列與1250V的RJP1CS系列。新款IGBT是將系統(tǒng)中的直流電轉(zhuǎn)換為交流電的功率半導(dǎo)體裝
2012-07-31 11:34:28
2027 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 （International Rectifier，簡(jiǎn)稱 IR） 推出 IRGR4045DPbF 和 IRGS4045DPbF，以此拓展絕緣柵雙極型晶體管 （IGBT） 系列。全新 600V 超高速溝道
2012-10-17 09:27:031238 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 （International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR） 推出IR4311M 和IR4312M，以擴(kuò)充PowIRaudio? 集成式功率模塊系列。
2013-01-14 11:38:242616 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 （International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR） 推出堅(jiān)固可靠的全新1200V超高速絕緣柵雙極晶體管 （IGBT） 系列，針對(duì)工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)及不間斷電源 （UPS） 應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。
2013-06-14 15:22:001842 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM新開發(fā)出兼?zhèn)錁I(yè)界頂級(jí)低傳導(dǎo)損耗※1和高速開關(guān)特性的650V耐壓IGBT※2“RGTV系列（短路耐受能力※3保持版）”和“RGW系列（高速開關(guān)版）”，共21種機(jī)型。這些產(chǎn)品
2018-04-17 12:38:468645 
與600V IGBT3一樣，新的650V IGBT4也是采用了溝槽的MOS-top-cell薄片技術(shù)和場(chǎng)截止的概念（如圖1 所示），但與600V IGBT3相比，芯片厚度增加了大約15%，并且MOS
2018-10-26 09:17:008908 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出新系列600V和650V n溝道功率MOSFET---E系列器件。新產(chǎn)品在10V下具有64mΩ～190mΩ的超低最大導(dǎo)通電阻，以及22A～47A的額定電流范圍
2011-10-13 09:09:311541 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商國際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 近日擴(kuò)充堅(jiān)固耐用、可靠的超高速 600 V 溝道絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 系列，為不間斷電源 (UPS) 、太陽能
2011-11-16 08:54:111267 Nexperia今天推出650V的功率器件GAN063-650WSA，宣布其進(jìn)入氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)管（GaN）市場(chǎng)。
2019-11-22 15:16:322459 新款 CoolSiC Hybrid產(chǎn)品系列結(jié)合了650 V TRENCHSTOP? 5 IGBT技術(shù)和碳化硅肖特基二極管的主要優(yōu)點(diǎn)，具備出色的開關(guān)速度和更低的開關(guān)損耗，特別適用于 DC-DC 功率變換器和PFC電路。
2021-08-06 15:40:472291 
英飛凌最近推出了系列650V混合SiC單管（TO247-3pin和TO-247-4pin）。用最新的650V/SiC/G6/SBD續(xù)流二極管，取代了傳統(tǒng)Si的Rapid1快速續(xù)流二極管，配合650V/TS5的IGBT芯片（S5/H5），進(jìn)一步優(yōu)化了系統(tǒng)效率、性能與成本之間的微妙平衡。
2021-08-31 10:38:422572 
40 A 650V IGBT，它與IGBT相同額定電流的二極管組合封裝到表面貼裝TO-263-3（亦稱D2PAK）封裝中。全新D2PAK封裝TRENCHSTOP 5 IGBT可滿足電源設(shè)備對(duì)功率密度
2018-10-23 16:21:49
0前言家用逆變焊機(jī)因其體較小，操作方便，市場(chǎng)接受度逐步提高。因市電220V輸入的特點(diǎn)，一般采用600V/650V規(guī)格的IGBT作為逆變主功率器件。IGBT (Insulated Gate
2014-08-13 09:25:59
/小型及通用變頻器等電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用的單相高壓IC (HVIC) 系列 IRS260xD。 IRS260xD系列高速功率MOSFET和IGBT驅(qū)動(dòng)器可以10V 至20V的柵極驅(qū)動(dòng)電源電壓提供可選的依賴或
2008-11-13 20:40:15
MIC5190的典型應(yīng)用：超高速，大電流有源濾波器/ LDO控制器。 MIC5190提供超高速，可滿足微處理器內(nèi)核，ASIC和其他高速器件的快速負(fù)載需求
2020-03-19 10:12:51
超高速10萬轉(zhuǎn)電機(jī)（1對(duì)極）控制方式討論
2021-08-27 08:22:31
在超高速數(shù)據(jù)采集方面，F(xiàn)PGA（現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列）有著單片機(jī)和DSP所無法比擬的優(yōu)勢(shì)。FPGA時(shí)鐘頻率高，內(nèi)部時(shí)延小，目前器件的最高工作頻率可達(dá)300MHz；硬件資源豐富，單片集成的可用門數(shù)達(dá)1000萬門；全部控制邏輯由硬件資源完成，速度快，效率高；組成形式靈活，可以集成外圍控制、譯碼和接口電路。
2019-08-02 06:51:33
MAX14978 超高速USB模擬開關(guān)
2019-05-27 10:03:33
`深圳市三佛科技有限公司 供應(yīng) ITA07N65650V 7A N溝道 MOS管 7N65，原裝，庫存現(xiàn)貨熱銷ITA07N657A 650V TO-220FN溝道 MOS管 /場(chǎng)效應(yīng)管
2021-03-24 10:35:56
MIC23201的典型應(yīng)用：具有超高速控制的2MHz PWM 2A降壓穩(wěn)壓器。 MIC23201是一款高效率2MHz，2A同步降壓穩(wěn)壓器，具有超高速控制功能。超高速控制提供超快速瞬態(tài)響應(yīng)，非常適合
2020-08-10 09:40:04
求大佬分享一款不錯(cuò)的基于FPGA超高速雷達(dá)住處實(shí)時(shí)采集存儲(chǔ)系統(tǒng)
2021-04-15 06:56:25
基于FPGA的超高速FFT硬件實(shí)現(xiàn)介紹了頻域抽取基二快速傅里葉運(yùn)算的基本原理；討論了基于FPGA達(dá)4 096點(diǎn)的大點(diǎn)數(shù)超高速FFT硬件系統(tǒng)設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)方法，當(dāng)多組大點(diǎn)數(shù)進(jìn)行FFT運(yùn)算時(shí)，利用FPGA
2009-06-14 00:19:55
本文給出了使用CMOS工藝設(shè)計(jì)的單片集成超高速4：1復(fù)接器。
2021-04-12 06:55:55
與普通的ADC相比，超高速的ADC有哪些性能？超高速ADC的主要應(yīng)用領(lǐng)域是什么？如何去挑選一個(gè)超高速的ADC？
2021-06-22 06:19:40
單電源9V超高速比較器，有推薦的朋友嗎？
2020-06-18 22:46:24
650V耐壓的buck電路夠不夠用
2023-08-01 14:38:42
組式超高速多功能貼片機(jī)由那幾部分構(gòu)成？
2021-04-25 08:38:33
請(qǐng)問超高速SerDes在芯片設(shè)計(jì)中的挑戰(zhàn)是什么？
2021-06-17 08:49:37
可以提供更大的熱預(yù)算。 另外，溝道寬度的減小降低了短路電流的水平，這種效應(yīng)反之亦然 [5]?？傊?b class="flag-6" style="color: red">650V IGBT4 可以抵抗更高的短路能量，從而使器件能夠耐受更長(zhǎng)的短路脈沖時(shí)間而不會(huì)損壞。圖5中所
2018-12-07 10:16:11
咨詢熱線***-同步微信，高價(jià)回收KV-7500系列基恩士KEYENCE超高速CPU可編程主機(jī)模塊，，東莞回收500萬像素相機(jī)的控制器 基恩士XG-X2500，虎門回收基恩士KEYENCE高速相機(jī)
2020-11-09 09:52:50
從高速微控制器系列向超高速閃存微控制器的升級(jí)
摘要：多種原
2008-08-13 13:29:32898 超高速雷達(dá)數(shù)字信號(hào)處理技術(shù)
綜述了超高速雷達(dá)數(shù)字信號(hào)處理技術(shù)的應(yīng)用背景、研究?jī)?nèi)容、關(guān)鍵技術(shù)及解決方法.采用超高速數(shù)字信號(hào)處理技術(shù)實(shí)現(xiàn)
2009-10-21 15:43:362078 
超高速充電電池
超高速充電電池 “十
2009-11-28 17:25:44928 思科推出新一代超高速路由器
3月10日消息，據(jù)國外媒體報(bào)道，思科星期二推出了超高速互聯(lián)網(wǎng)硬件并且許諾說這種產(chǎn)品將通過以驚人的速度傳送海量數(shù)據(jù)提高美國的競(jìng)
2010-03-10 09:02:38764 Maxim推出雙通道與四通道超高速DisplayPort無源開關(guān)
Maxim推出具有獨(dú)立AUX和HPD控制的雙通道(MAX4998)和四通道(MAX14998*)超高速DisplayPort 無源開關(guān)。器件
2010-04-09 12:19:21752 
安森美推出帶集成肖特基二極管的30V 擴(kuò)充N溝道功率MOSFET
安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)擴(kuò)充N溝道功率MOSFET器件陣容，新推出帶集成肖特基二極管的30V產(chǎn)品。
NTMFS4897
2010-04-12 10:23:161310 英飛凌科技股份公司近日推出全新的650V CoolMOS C6/E6高性能功率MOSFET系列。該產(chǎn)品系列將現(xiàn)代超級(jí)結(jié)（SJ）器件的優(yōu)勢(shì)（如低導(dǎo)通電阻和低容性開關(guān)損耗）與輕松控制的開關(guān)行為、及
2010-07-05 08:48:262309 國際整流器公司(International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 推出新系列-30 V器件，采用IR最新的SO-8封裝,P溝道MOSFET硅組件，適用于電池充電和放電開關(guān)，以及直流應(yīng)用的系統(tǒng)/負(fù)載開
2010-09-20 08:59:091459 Cree 公司日前宣布推出最新Z-Rec 650V 結(jié)型肖特基勢(shì)壘 (JBS) 二極管系列，以滿足最新數(shù)據(jù)中心電源系統(tǒng)要求。新型 JBS
2010-12-23 08:49:371526 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商國際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 近日推出針對(duì)感應(yīng)加熱、不間斷電源(UPS)太陽能和焊接應(yīng)用而設(shè)計(jì)的可靠、高效 1200V 絕緣柵雙極晶體管
2011-09-07 17:59:471672 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商國際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 近日推出一對(duì)高效、可靠的超高速溝道絕緣柵雙極晶體管 (IGBTs) ，該產(chǎn)品為焊接、高功率整流等感應(yīng)加熱
2011-09-28 09:08:051197 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商國際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 近日新推出600V車用IGBT系列，專門針對(duì)電動(dòng)汽車和混合動(dòng)力汽車中的變速電機(jī)控制和電源應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化
2011-10-13 09:03:461170 國際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 今天宣布擴(kuò)充其 PowIRstage 集成式器件系列，推出專為下一代服務(wù)器、消費(fèi)者及通信系統(tǒng)優(yōu)化的 40A IR3553。
2011-12-06 16:06:313021 國際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 推出IR3551以擴(kuò)充PowIRstage 集成式器件系列，新器件特別適合下一代服務(wù)器、臺(tái)式電腦、顯卡及通信系統(tǒng)應(yīng)用。
2012-02-17 09:37:092818 英飛凌科技股份有限公司擴(kuò)展其車用功率半導(dǎo)體系列產(chǎn)品，推出全新 650V CoolMOS CFDA。這是業(yè)界首創(chuàng)整合高速本體二極體技術(shù)的超接面 MOSFET 解決方案，符合最高的汽車認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn) AEC-Q101。
2012-04-05 09:31:021772 英特爾低調(diào)推出其SSD313系列，該系列的特點(diǎn)是內(nèi)置超高速緩存，SSD313推出的目的是為了替代英特爾公司之前的SSD311系列，該系列有2.5英寸，采用MSATA，已升級(jí)到英特爾最新的25nm SLC NAND快
2012-04-05 10:25:551124 
國際整流器公司 （International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR） 近日擴(kuò)充600V絕緣柵雙極晶體管 （IGBT） 系列，這些經(jīng)過優(yōu)化的新器件尤為適合不間斷電源 （UPS）、太陽能、感應(yīng)加熱、工業(yè)電機(jī)和焊接應(yīng)用。
2013-02-19 10:58:471416 美高森美公司宣布提供下一代650V非穿通型（NPT）絕緣柵雙極晶體管（IGBT）產(chǎn)品，備有45A、70A和95A額定電流型款。美高森美全新NPTIGBT產(chǎn)品系列專為嚴(yán)苛環(huán)境工作而設(shè)計(jì)，尤其適用于太陽能逆變器、焊接機(jī)和開關(guān)電源等工業(yè)產(chǎn)品。
2013-08-19 16:08:181200 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 （International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR） 宣布推出堅(jiān)固可靠的超高速1400V溝道絕緣柵雙極晶體管 （IGBT） IRG7PK35UD1PbF，新器件為電磁爐和微波爐等軟開關(guān)應(yīng)用作出了優(yōu)化。
2014-03-10 09:50:221976 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商——國際整流器公司 （International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR） 宣布擴(kuò)充節(jié)能的600V絕緣柵雙極晶體管 （IGBT） 系列，并提供多種封裝選擇。
2014-05-14 13:58:421778 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 （International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR） 推出高性能600V超高速溝道場(chǎng)截止絕緣柵雙極晶體管 （IGBT） IR66xx系列。堅(jiān)固可靠的新系列器件提供極低的導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗，旨在為焊接應(yīng)用做出優(yōu)化。
2014-08-19 16:31:533856 2015年3月2日，德國慕尼黑——英飛凌科技股份公司（FSE： IFX / OTCQX： IFNNY）發(fā)布了能夠讓應(yīng)用于汽車中的高速開關(guān)實(shí)現(xiàn)最高效率的高堅(jiān)固性650V IGBT系列。
2015-03-04 10:00:291759 賓夕法尼亞、MALVERN — 2016 年 5 月12 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出新的650V EF系列器件
2016-05-12 14:01:14924 意法半導(dǎo)體推出新款M系列650V IGBT，為電源設(shè)計(jì)人員提供一個(gè)更快捷經(jīng)濟(jì)的能效解決方案,新款M系列650V IGBT，為電源設(shè)計(jì)人員提供一個(gè)更快捷經(jīng)濟(jì)的能效解決方案，適用于暖通空調(diào)系統(tǒng)（HVAC
2016-11-02 17:19:432436 超高速采樣技術(shù)及其在遠(yuǎn)程超寬帶雷達(dá)信號(hào)處理中的應(yīng)用研究
2016-12-28 10:16:43
12 意法半導(dǎo)體的HB2 650V IGBT系列采用最新的第三代溝柵場(chǎng)截止（TFS）技術(shù)，可提高PFC轉(zhuǎn)換器、電焊機(jī)、不間斷電源（UPS）、太陽能逆變器等中高速應(yīng)用設(shè)計(jì)的能效和性能。該系列還包括符合AEC-Q101 Rev. D標(biāo)準(zhǔn)的汽車級(jí)產(chǎn)品。
2019-05-14 11:38:534151 英飛凌宣布推出650V SiC MOSFET，標(biāo)志著公司進(jìn)一步增強(qiáng)了在低壓SiC領(lǐng)域的布局，650V CoolSiC MOSFET系列。
2020-05-09 15:07:505544 前言背景： 英飛凌最近推出了系列650V混合SiC單管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD續(xù)流二極管，取代了傳統(tǒng)Si的Rapid1快速續(xù)流二極管
2021-03-26 16:40:203459 
東芝拓展650V超結(jié)結(jié)構(gòu)N溝道功率MOSFET新品 景嘉微發(fā)布JH920 東芝拓展新一代超級(jí)結(jié)結(jié)構(gòu)N溝道功率MOSFET“DTMOSVI系列”的產(chǎn)品線 東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社 （“東芝
2022-03-18 17:35:265832 英飛凌最近推出了系列650V混合SiC單管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD續(xù)流二極管，取代了傳統(tǒng)Si的Rapid1快速續(xù)流二極管，配合650V/TS5的IGBT芯片(S5/H5)，進(jìn)一步優(yōu)化了系統(tǒng)效率、性能與成本之間的微妙平衡。
2022-08-01 10:11:291160 
200 V、4 A 超高速開關(guān)恢復(fù)整流器-PNE20040EP
2023-02-07 20:15:390 ROHM最近新推出650V耐壓IGBT“RGTV系列（短路耐受能力保持型）”和“RGW系列（高速開關(guān)型）”共21種機(jī)型，該系列產(chǎn)品同時(shí)實(shí)現(xiàn)了業(yè)界頂級(jí)的低傳導(dǎo)損耗和高速開關(guān)特性，并大大減少了開關(guān)時(shí)的過沖。
2023-02-09 10:19:251901 
新品EVAL-IHW65R62EDS06J這塊感應(yīng)加熱半橋評(píng)估板采用新一代650V逆導(dǎo)型R6系列IGBT和SOI技術(shù)的EiceDRIVERIGBT驅(qū)動(dòng)器，產(chǎn)品針對(duì)100kHz的諧振開關(guān)應(yīng)用感應(yīng)
2022-03-01 09:32:401608 
如何檢測(cè)復(fù)雜的超高速調(diào)制光信號(hào)？ 1. 背景介紹 隨著通信技術(shù)的不斷發(fā)展，越來越多的通信系統(tǒng)采用了超高速調(diào)制光信號(hào)傳輸數(shù)據(jù)。超高速調(diào)制光信號(hào)的傳輸速度非?？?，可以達(dá)到每秒數(shù)十億次甚至數(shù)百億次。然而
2023-10-30 11:01:091090 供應(yīng)SGTP75V65SDS1P775A、650V光伏逆變器igbt-三相igbt逆變電源，提供SGTP75V65SDS1P7關(guān)鍵參數(shù)，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向士蘭微mos代理驪微電子申請(qǐng)。>>
2022-08-02 17:12:198 IGBT 作為一種功率半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于工業(yè)節(jié)能、電動(dòng)汽車和新能源裝備等領(lǐng)域。IGBT 具有節(jié)能、安裝方便、維護(hù)方便、散熱穩(wěn)定等特點(diǎn)，是能量轉(zhuǎn)換和傳輸?shù)暮诵难b置。瑞能的650V IGBT產(chǎn)品在電性能和可靠性等方面具備諸多優(yōu)勢(shì)，在行業(yè)內(nèi)也處于領(lǐng)先地位。
2023-12-26 13:31:351604 
本次推出的產(chǎn)品主要為50A 650V TO-247封裝IGBT單管；
2024-03-15 14:26:0746430 
近日，國內(nèi)半導(dǎo)體功率器件領(lǐng)軍企業(yè)揚(yáng)州揚(yáng)杰電子科技股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱“揚(yáng)杰科技”）再度刷新業(yè)界認(rèn)知，推出了一款專為光伏儲(chǔ)能充電樁等高頻應(yīng)用而設(shè)計(jì)的50A 650V TO-247封裝IGBT單管產(chǎn)品
2024-03-16 10:48:192224 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《650V 6A溝槽和場(chǎng)阻IGBT JJT6N65ST數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-04-08 16:35:253 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《650V 10A溝槽和場(chǎng)阻IGBT JJT10N65SC資料文檔.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-04-08 17:15:311 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《650V 10A溝槽和場(chǎng)阻IGBT JJT10N65SS文檔.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-04-09 16:22:112 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《650V 15A溝槽和場(chǎng)阻IGBT JJT15N65SC數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf》資料免費(fèi)下載
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2024-04-10 17:58:320 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《650V 75A溝槽和場(chǎng)阻IGBT JJT75N65HE數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf》資料免費(fèi)下載
2024-04-10 18:01:090 新品650V高速半橋柵極驅(qū)動(dòng)器2ED2388S06F650V高速半橋柵極驅(qū)動(dòng)器，具有典型的0.29A源電流和0.7A灌電流，采用DSO-8封裝，用于驅(qū)動(dòng)功率MOSFET和IGBT。產(chǎn)品型號(hào)
2024-07-27 08:14:36869 
新潔能650V Gen.7系列IGBT產(chǎn)品，基于微溝槽場(chǎng)截止技術(shù)，可大幅提高器件的元胞結(jié)構(gòu)密度。采用載流子存儲(chǔ)設(shè)計(jì)、多梯度緩沖層設(shè)計(jì)、超薄漂移區(qū)設(shè)計(jì)，大幅度提升器件的電流密度。同時(shí)優(yōu)化了器件的開關(guān)特性，為系統(tǒng)設(shè)計(jì)提供更大的余量。
2024-08-15 16:34:221808 
森國科近期推出的650V/60A IGBT（型號(hào)：KG060N065LD-R），憑借其業(yè)界領(lǐng)先的低傳導(dǎo)損耗和高速開關(guān)性能，在電力電子領(lǐng)域引起了廣泛關(guān)注。
2024-10-17 15:41:59898 森國科推出的650V/6A IGBT（型號(hào)：KG006N065SD-B）在風(fēng)扇、泵和吸塵器等家電領(lǐng)域的應(yīng)用上做到了高效電機(jī)驅(qū)動(dòng)和精準(zhǔn)控制。
2024-11-13 16:36:131162 
JL3I200V65RE2PN為650V /200A INPC三電平逆變模塊，采用溝槽柵場(chǎng)終止技術(shù)IGBT7芯片，帶熱敏電阻（NTC）和可選 PressFIT壓接針腳技術(shù)。
2025-01-16 14:16:081127 650V SiC碳化硅MOSFET全面取代超結(jié)MOSFET和高壓GaN氮化鎵器件
2025-01-23 16:27:431780 
超高速工業(yè)相機(jī)的采集速率通常大于50Gb/s，能夠捕捉和處理極高速運(yùn)動(dòng)的物體圖像，幀率遠(yuǎn)高于普通相機(jī)，這使得它能夠捕捉到更多細(xì)節(jié)和動(dòng)態(tài)變化。
2025-02-24 17:27:241539 
在金屬加工日益追求極致效率的今天，真正的“快”不僅是速度的突破，更是系統(tǒng)級(jí)協(xié)同優(yōu)化的巔峰體現(xiàn)。迅鐳激光全新一代GI系列超高速激光切割機(jī)，以3.0g超高加速度、卓越精度和智能設(shè)計(jì)，攻克超高速切割技術(shù)難題，為金屬加工、汽車制造等行業(yè)帶來效率與品質(zhì)的雙重飛躍!
2025-06-06 16:50:461151 隨著便攜儲(chǔ)能、新能源及工業(yè)電源應(yīng)用對(duì)高效率、高功率密度需求的不斷提升，IGBT作為電力電子系統(tǒng)的核心開關(guān)器件，其性能已成為決定整機(jī)效能與可靠性的關(guān)鍵因素。為應(yīng)對(duì)市場(chǎng)對(duì)高性能功率器件的迫切需求，龍騰半導(dǎo)體正式推出四款650V F系列IGBT新品，致力于為高頻、高效應(yīng)用提供更優(yōu)異的解決方案。
2025-10-24 14:03:301877 
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