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電子發(fā)燒友網(wǎng)>電源/新能源>功率器件>ROHM開(kāi)發(fā)出兼具出色的降噪和低損耗特性的600V耐壓IGBT IPM“BM6437x系列”

ROHM開(kāi)發(fā)出兼具出色的降噪和低損耗特性的600V耐壓IGBT IPM“BM6437x系列”

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2024-04-03 14:12:332008

R系列IGBT-IPM的內(nèi)部結(jié)構(gòu)電路

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瑞薩600V耐壓超結(jié)MOSFET 導(dǎo)通電阻僅為150mΩ

瑞薩電子宣布開(kāi)發(fā)出了導(dǎo)通電阻僅為150mΩ(柵源間電壓為10V時(shí)的標(biāo)稱(chēng)值)的600V耐壓超結(jié)(SJ:Super Junction)型功率MOSFET“RJL60S5系列”,將從2012年9月開(kāi)始樣品供貨。超結(jié)是可在不犧牲耐壓
2012-06-26 11:01:021660

IR推出600V絕緣柵雙極晶體管(IGBT)系列IRG7RC10FD

國(guó)際整流器公司(International Rectifier,簡(jiǎn)稱(chēng)IR)推出600V絕緣柵雙極晶體管(IGBT)系列,適合在10kHz以下工作的電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用,包括冰箱和空調(diào)的壓縮機(jī)。
2012-09-05 11:09:191327

IR全新600V IGBT為馬達(dá)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用 提升功率密度及效率

國(guó)際整流器公司 (International Rectifier,簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 推出600V絕緣閘雙極電晶體 (IGBT系列,藉以?xún)?yōu)化在10kHz以下操作的馬達(dá)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用,包括冰箱及空調(diào)的壓縮機(jī)。
2012-09-06 09:51:002108

ROHM開(kāi)發(fā)出80V級(jí)高耐壓DC/DC轉(zhuǎn)換器“BD9G341AEFJ”

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM面向需要大功率(高電壓×大電流)的通信基站和工業(yè)設(shè)備領(lǐng)域,開(kāi)發(fā)出耐壓高達(dá)80V的MOSFET內(nèi)置型DC/DC轉(zhuǎn)換器 “BD9G341AEFJ”。
2015-10-28 14:09:034409

業(yè)界首家!ROHM 600V耐壓高效風(fēng)扇電機(jī)驅(qū)動(dòng)器“BM620xFS”陣容齊全

 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM開(kāi)發(fā)出耐壓風(fēng)扇電機(jī)驅(qū)動(dòng)器“BM620xFS 系列”,用于實(shí)現(xiàn)未來(lái)在全球市場(chǎng)擁有巨大需求的家用空調(diào)等家電產(chǎn)品的變頻化。
2015-12-10 09:44:471664

ROHM開(kāi)發(fā)出業(yè)界頂級(jí)高效率與軟開(kāi)關(guān)兼?zhèn)涞?50V耐壓IGBT “RGTV/RGW系列

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM開(kāi)發(fā)出兼?zhèn)錁I(yè)界頂級(jí)低傳導(dǎo)損耗※1和高速開(kāi)關(guān)特性的650V耐壓IGBT※2“RGTV系列(短路耐受能力※3保持版)”和“RGW系列(高速開(kāi)關(guān)版)”,共21種機(jī)型。這些產(chǎn)品
2018-04-17 12:38:468644

ROHM新增高效MOS智能功率模塊,助于應(yīng)用整體實(shí)現(xiàn)節(jié)能

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM開(kāi)發(fā)出滿(mǎn)足家電產(chǎn)品和工業(yè)設(shè)備等的小容量電機(jī)低功耗化需求的高效MOS-IPM(Intelligent Power Module)“BM65364S-VA/-VC(額定電流15A、耐壓600V)”,產(chǎn)品陣容更加豐富。
2018-09-19 08:32:005652

耐壓600V半橋柵極驅(qū)動(dòng)器WD0412引腳參數(shù)與電路應(yīng)用

WD0412 是一款基于懸浮襯底和 P_EPI 工藝的600V 高壓高低邊驅(qū)動(dòng)器,具有高低邊兩路輸出,可以單獨(dú)驅(qū)動(dòng)兩個(gè)高壓大功率 MOSFET 或 IGBT。WD0412 的輸入信號(hào)兼容 CMOS
2022-04-28 08:22:452723

ROHM面向車(chē)載系統(tǒng)開(kāi)發(fā)出200V耐壓肖特基勢(shì)壘二極管“RBxx8BM/NS200”

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都),面向包括xEV在內(nèi)的動(dòng)力傳動(dòng)系統(tǒng)等車(chē)載系統(tǒng),開(kāi)發(fā)出200V耐壓的超低IR※1肖特基勢(shì)壘二極管※2(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“SBD”)“RBxx8BM200”“RBxx8NS200”。
2019-08-27 14:36:101631

ROHM推出內(nèi)置1700V SiC MOSFET的小型表貼封裝AC/DC轉(zhuǎn)換器IC“BM2SC12xFP2-LBZ”

ROHM針對(duì)這些挑戰(zhàn),于2019年開(kāi)始開(kāi)發(fā)內(nèi)置高耐壓、低損耗SiC MOSFET的插裝型AC/DC轉(zhuǎn)換器IC,并一直致力于開(kāi)發(fā)出能夠更大程度地發(fā)揮SiC功率半導(dǎo)體性能的IC,在行業(yè)中處于先進(jìn)地位。
2021-06-20 10:58:481452

ROHM開(kāi)發(fā)出實(shí)現(xiàn)了低損耗性能和超低噪聲特性的第4代快速恢復(fù)二極管“RFL/RFS系列

低VF和高速trr特性*1以及超低噪聲特性的第4代快速恢復(fù)二極管(以下稱(chēng)“FRD”)650V耐壓“RFL/RFS系列”。 ? 近年來(lái),隨著全球電力消耗量的增加,如何有效利用電力已成為亟待解決的課題。其中,高功耗的白色家電和電動(dòng)汽車(chē)充電樁等工業(yè)設(shè)備
2022-06-27 09:45:401637

ROHM開(kāi)發(fā)出EcoGaN? Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB”, 助力減少服務(wù)器和AC適配器等的損耗和體積!

*1,開(kāi)發(fā)出集650V GaN HEMT*2和柵極驅(qū)動(dòng)用驅(qū)動(dòng)器等于一體的Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB”(BM3G015MUV-LB、BM3G007MUV-LB)。 近年來(lái)
2023-07-24 11:47:02877

1200V耐壓400A/600A產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)更低損耗與小型化

ROHM面向工業(yè)設(shè)備用電源、太陽(yáng)能發(fā)電功率調(diào)節(jié)器及UPS等的逆變器、轉(zhuǎn)換器,開(kāi)發(fā)出1200V耐壓的400A/600A的全SiC功率模塊“BSM400D12P3G002
2018-12-04 10:20:43

IGBTIPM及其應(yīng)用電路教程pdf

、設(shè)計(jì)和應(yīng)用的工程技術(shù)人員和高等院校相關(guān)專(zhuān)業(yè)師生閱讀參考?! ”緯?shū)在介紹IGBTIPM結(jié)構(gòu)與特性的基礎(chǔ)上,結(jié)合國(guó)內(nèi)外電力電子器件的應(yīng)用和發(fā)展趨勢(shì),全面系統(tǒng)、深入淺出地闡述了IGBTIPM的典型電路和應(yīng)用技術(shù),突出
2011-11-25 15:46:48

IGBT損耗理論計(jì)算說(shuō)明

的交疊損耗一致,導(dǎo)通損耗一致。 特性二:由于一般情況下IGBT的規(guī)格書(shū)給出是一個(gè)額定電流的能量損耗,例如600V/600A條件下損耗為Eon和Eoff,但是由于實(shí)際工作點(diǎn)在700V,一般默認(rèn)“電壓
2023-02-24 16:47:34

ROHM BM6202FS無(wú)刷風(fēng)扇電機(jī)驅(qū)動(dòng)器IC

相結(jié)合,可實(shí)現(xiàn)電機(jī)設(shè)備標(biāo)準(zhǔn)化。推薦產(chǎn)品:BM6202FS-E2;ROHM其它相關(guān)產(chǎn)品請(qǐng) 點(diǎn)擊此處 了解特性參數(shù):輸出MOSFET電壓:600V驅(qū)動(dòng)器輸出電流(DC):±1.5A(最大)驅(qū)動(dòng)器輸出電流
2019-12-28 09:47:29

ROHM新品 | 適用于工業(yè)設(shè)備和基站電機(jī)的新一代雙極MOSFET

`全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)開(kāi)發(fā)出內(nèi)置有2枚耐壓±40V和±60V的MOSFET且支持24V輸入的雙極MOSFET*1“QH8Mx5/SH8Mx5系列(Nch+Pch*2
2021-07-14 15:17:34

低損耗電源芯片有推薦嗎?

,也就是說(shuō)將近5mA的電流損耗在7805里了。有沒(méi)有低損耗的電源芯片,可以最大限度的降低損耗呢?哪位神哥給推薦一個(gè)啊!
2019-10-25 03:59:57

SLM2101S兼容NCP5106 高低邊欠壓保護(hù)600V IGBT/MOS驅(qū)動(dòng)芯片 電風(fēng)扇解決方案

具有高脈沖電流緩沖級(jí)的設(shè)計(jì)最小驅(qū)動(dòng)器交叉?zhèn)鲗?dǎo)。漂浮的通道可用于驅(qū)動(dòng)N通道電源高壓側(cè)配置的MOSFET或IGBT工作電壓高達(dá)600V。特性:欠壓鎖定,電壓高達(dá)600V耐負(fù)瞬態(tài)電壓,dV/dt柵極驅(qū)動(dòng)電源
2021-05-11 19:40:19

SLM21814CJ-DG 600V高低邊門(mén)極驅(qū)動(dòng)器解析與應(yīng)用探討

一、概述:SLM21814CJ-DG是一款高壓高速高低邊門(mén)極驅(qū)動(dòng)器,專(zhuān)為驅(qū)動(dòng)MOSFET和IGBT設(shè)計(jì)。其核心優(yōu)勢(shì)在于600V耐壓能力、2.5A/3.5A非對(duì)稱(chēng)驅(qū)動(dòng)電流以及全電壓范圍內(nèi)的浮動(dòng)通道
2025-11-20 08:47:23

SLM2181CA-DG解析600V高低邊門(mén)極驅(qū)動(dòng)器的核心優(yōu)勢(shì)

一、概述:高性能半橋驅(qū)動(dòng)SLM2181CA-DG是一款高壓、高速的功率MOSFET和IGBT驅(qū)動(dòng)器,具備獨(dú)立的高邊和低邊參考輸出通道。核心優(yōu)勢(shì)在于600V的高耐壓能力、450mA/950mA的非對(duì)稱(chēng)
2025-11-21 08:35:25

SiC SBD的正向特性

1. 器件結(jié)構(gòu)和特征SiC能夠以高頻器件結(jié)構(gòu)的SBD(肖特基勢(shì)壘二極管)結(jié)構(gòu)得到600V以上的高耐壓二極管(Si的SBD最高耐壓為200V左右)。因此,如果用SiC-SBD替換現(xiàn)在主流產(chǎn)品快速PN結(jié)
2019-04-22 06:20:22

SiLM22868穩(wěn)定驅(qū)動(dòng)600V高壓系統(tǒng)的半橋門(mén)極驅(qū)動(dòng)器

、4A輸出的半橋門(mén)極驅(qū)動(dòng)器,旨在通過(guò)增強(qiáng)抗擾性、提升驅(qū)動(dòng)效率并簡(jiǎn)化設(shè)計(jì),幫助工程師更穩(wěn)妥地駕馭MOSFET和IGBT,確保系統(tǒng)在高功率場(chǎng)景下穩(wěn)定運(yùn)行。產(chǎn)品主要特性: 寬工作電壓范圍:可承受高達(dá)600V
2025-12-23 08:36:15

【好書(shū)分享】IGBTIPM及其應(yīng)用電路

`本書(shū)在介紹IGBTIPM結(jié)構(gòu)與特性的基礎(chǔ)上,結(jié)合國(guó)內(nèi)外電力電子器件的應(yīng)用和發(fā)展趨勢(shì),全面系統(tǒng)、深入淺出地闡述了IGBTIPM的典型電路和應(yīng)用技術(shù),突出實(shí)用性。全書(shū)共7章,分別介紹了電力電子器件
2015-05-29 10:47:00

全SiC功率模塊介紹

。目前,ROHM正在量產(chǎn)的全SiC功率模塊是二合一型模塊,包括半橋型和升壓斬波型兩種。另外產(chǎn)品陣容中還有搭載NTC熱敏電阻的產(chǎn)品類(lèi)型。以下整理了現(xiàn)有機(jī)型產(chǎn)品陣容和主要規(guī)格。1200 V耐壓80A~600
2018-11-27 16:38:04

內(nèi)置SiC SBD的Hybrid IGBT 在FRD+IGBT的車(chē)載充電器案例中 開(kāi)關(guān)損耗降低67%

SBD)* ? Hybrid型的IGBT* ? 顯著降低損耗* ? RGWxx65C系列* ? 650V耐壓* ? 與使用Si快速恢復(fù)二極管(Si FRD)的IGBT相比,開(kāi)通損耗顯著降低
2022-07-27 10:27:04

同時(shí)具備MOSFET和IGBT優(yōu)勢(shì)的HybridMOS

系列Hybrid MOS是同時(shí)具備超級(jí)結(jié)MOSFET(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“SJ MOSFET”)的高速開(kāi)關(guān)和低電流時(shí)的低導(dǎo)通電阻、IGBT的高耐壓和大電流時(shí)的低導(dǎo)通電阻這些優(yōu)異特性的新結(jié)構(gòu)MOSFET。下面為
2018-11-28 14:25:36

基于SLLIMM第二系列模塊STGIB10CH60TS-L IGBT IPM的電機(jī)控制電源板

STEVAL-IPM10B,基于SLLIMM第二系列IGBT IPM的電機(jī)控制電源板。 STEVAL-IPM10B是一款基于SLLIMM(小型低損耗智能模塊)第二系列模塊
2019-07-01 14:23:46

基于SLLIMM第二系列模塊STGIB15CH60TS-L IGBT IPM的電機(jī)控制電源板

STEVAL-IPM15B,基于SLLIMM第二系列IGBT IPM的電機(jī)控制電源板。 STEVAL-IPM15B是一款基于SLLIMM(小型低損耗智能模塊)第二系列模塊
2019-07-02 09:47:51

基于SLLIMM第二系列模塊STGIF10CH60TS-L IGBT IPM的電機(jī)控制電源板

STEVAL-IPM10F,基于SLLIMM第二系列IGBT IPM的電機(jī)控制電源板。 STEVAL-IPM10F是一款基于SLLIMM(小型低損耗智能模塊)第二系列模塊
2019-06-28 08:36:40

基于SLLIMM第二系列模塊STGIF5CH60TS-L IGBT IPM的電機(jī)控制電源板

STEVAL-IPM05F,基于SLLIMM第二系列IGBT IPM的電機(jī)控制電源板。 STEVAL-IPM05F是基于SLLIMM(小型低損耗智能模塑模塊)第二系列產(chǎn)品STGIF5CH60TS-L
2019-07-01 12:01:49

基于SLLIMM第二系列模塊STGIF7CH60TS-L IGBT IPM的電機(jī)控制電源板

STEVAL-IPM07F,基于SLLIMM第二系列IGBT IPM的電機(jī)控制電源板。 STEVAL-IPM07F是一款緊湊型電機(jī)驅(qū)動(dòng)電源板,基于小型低損耗智能模塊SLLIMM第二系列
2019-07-01 14:19:33

如何優(yōu)化硅IGBT的頻率特性?

的電壓為 15 V;- IGBT導(dǎo)通損耗Eon的能量,IGBT關(guān)斷損耗Eoff的能量。測(cè)量條件:溫度25和150°C;集電極-發(fā)射極電壓600V;柵極-發(fā)射極電壓±15V;柵極電路中的電阻 2.2
2023-02-22 16:53:33

實(shí)現(xiàn)工業(yè)設(shè)備的輔助電源應(yīng)用要求的高耐壓低損耗

1700V耐壓,還是充分發(fā)揮SiC的特性使導(dǎo)通電阻大幅降低的MOSFET。此外,與SiC-MOSFET用的反激式轉(zhuǎn)換器控制IC組合,還可大幅改善效率。ROHM不僅開(kāi)發(fā)最尖端的功率元器件,還促進(jìn)充分發(fā)揮
2018-12-05 10:01:25

羅姆新品|低噪聲,低導(dǎo)通電阻,600V 超級(jí)結(jié)MOSFET PrestoMOS “R60xxJNx系列

<概要>全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都)推出600V耐壓超級(jí)結(jié) MOSFET“PrestoMOS”系列產(chǎn)品,在保持極快反向恢復(fù)時(shí)間(trr※1))的同時(shí),提高設(shè)計(jì)靈活度,非常適用于
2020-03-12 10:08:31

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2020-03-12 10:08:47

特性650V IGBT降低電磁干擾和電壓尖峰的優(yōu)化器件

時(shí)間內(nèi)(由600V IGBT3的6微秒增至650V IGBT4的10微秒),該器件具備出類(lèi)拔萃的開(kāi)關(guān)性能和短路魯棒性。結(jié)論利用英飛凌新型650V IGBT4可開(kāi)發(fā)出專(zhuān)用于大電流應(yīng)用的逆變器設(shè)計(jì),以部署
2018-12-07 10:16:11

耐壓超級(jí)結(jié)MOSFET的種類(lèi)與特征

加深理解,最好還是參閱技術(shù)規(guī)格的標(biāo)準(zhǔn)值和特性圖表。【標(biāo)準(zhǔn)SJ MOSFET:AN系列】R50xxANx(500V)R52xxANx系列(520V)R60xxANx系列600V)R80xxANx系列
2018-12-03 14:27:05

新一代600V IGBT在UPS的應(yīng)用

本文將介紹英飛凌的第三代采用溝槽柵場(chǎng)終止技術(shù)的 600V IGBT,即IGBT3在UPS中的應(yīng)用。在介紹最新溝槽柵場(chǎng)終止技術(shù)的背景后,本文探討如何充分利用IGBT靜態(tài)與動(dòng)態(tài)性能改進(jìn)和175℃的
2009-11-20 14:30:2789

低損耗超柔射同軸電纜AMR系列

低損耗超柔射同軸電纜AMR系列 應(yīng)用環(huán)境 特性分析
2010-09-12 16:46:590

IGBT在客車(chē)DC 600V系統(tǒng)逆變器中的應(yīng)用與保護(hù)

IGBT在客車(chē)DC 600V系統(tǒng)逆變器中的應(yīng)用與保護(hù) 1.1 IGBT的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)   IGBT是大功率、集成化的“絕緣柵雙極晶體管”(Insulated Gate Bipolar Transistor)。它是80年代初集合
2009-11-05 10:15:211691

IR上市600V耐壓的車(chē)載設(shè)備用柵極驅(qū)動(dòng)IC

IR上市600V耐壓的車(chē)載設(shè)備用柵極驅(qū)動(dòng)IC    美國(guó)國(guó)際整流器公司(IR)上市了+600V耐壓的車(chē)載設(shè)備用柵極驅(qū)動(dòng)IC"AUIRS2301S"。主要用
2010-04-09 10:10:321234

IR推出優(yōu)化的600V車(chē)用IGBT系列

全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠(chǎng)商國(guó)際整流器公司 (International Rectifier,簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 近日新推出600V車(chē)用IGBT系列,專(zhuān)門(mén)針對(duì)電動(dòng)汽車(chē)和混合動(dòng)力汽車(chē)中的變速電機(jī)控制和電源應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化
2011-10-13 09:03:461170

Transphorm發(fā)布耐壓600V的GaN類(lèi)功率元件

美國(guó)Transphorm公司發(fā)布了耐壓600V的GaN類(lèi)功率元件。該公司是以美國(guó)加州大學(xué)圣塔巴巴拉分校(UCSB)的GaN元器件研究人員為核心創(chuàng)建的風(fēng)險(xiǎn)企業(yè),因美國(guó)谷歌向其出資而備受功率半導(dǎo)體
2012-05-18 11:43:442262

華潤(rùn)上華成功開(kāi)發(fā)600V和1700V IGBT工藝平臺(tái)

華潤(rùn)微電子有限公司旗下的華潤(rùn)上華科技有限公司(后簡(jiǎn)稱(chēng)“華潤(rùn)上華”)宣布已開(kāi)發(fā)完成600V和1700V Planar NPT IGBT(平面非穿通型絕緣柵雙極晶體管)以及600V Trench PT IGBT(溝槽穿通型絕緣
2012-05-29 08:47:482638

瑞薩推出導(dǎo)通電阻僅為150mΩ的600V耐壓超結(jié)MOSFET

瑞薩電子宣布開(kāi)發(fā)出了導(dǎo)通電阻僅為150m(柵源間電壓為10V時(shí)的標(biāo)稱(chēng)值)的600V耐壓超結(jié)(SJ:Super Junction)型功率MOSFETRJL60S5系列,將從2012年9月開(kāi)始樣品供貨。超結(jié)是可在不犧牲耐壓的情
2012-06-26 11:03:401004

IR擴(kuò)充堅(jiān)固可靠的600V溝道超高速IGBT系列

國(guó)際整流器公司 (International Rectifier,簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 近日擴(kuò)充600V絕緣柵雙極晶體管 (IGBT系列,這些經(jīng)過(guò)優(yōu)化的新器件尤為適合不間斷電源 (UPS)、太陽(yáng)能、感應(yīng)加熱、工業(yè)電機(jī)和焊接應(yīng)用。
2013-02-19 10:58:471416

IR擴(kuò)充堅(jiān)固可靠的600V節(jié)能溝道IGBT系列

全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠(chǎng)商——國(guó)際整流器公司 (International Rectifier,簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 宣布擴(kuò)充節(jié)能的600V絕緣柵雙極晶體管 (IGBT系列,并提供多種封裝選擇。
2014-05-14 13:58:421778

IR推出高性能600V超高速溝道IGBT IR66xx系列

全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠(chǎng)商 – 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier,簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 推出高性能600V超高速溝道場(chǎng)截止絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) IR66xx系列。堅(jiān)固可靠的新系列器件提供極低的導(dǎo)通損耗和開(kāi)關(guān)損耗,旨在為焊接應(yīng)用做出優(yōu)化。
2014-08-19 16:31:533853

IR為混合動(dòng)力汽車(chē)和電動(dòng)車(chē)推出600V車(chē)用IGBT

全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠(chǎng)商 – 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier,簡(jiǎn)稱(chēng)IR)近日發(fā)布600V車(chē)用IGBT產(chǎn)品AUIRGP66524D0和 AUIRGF66524D0,針對(duì)混合動(dòng)力汽車(chē)和電動(dòng)車(chē)中的小型輔助電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用而優(yōu)化,包括空調(diào)壓縮機(jī)應(yīng)用等。
2014-12-11 11:48:093378

英飛凌推出面向18?40kHz開(kāi)關(guān)用途的低損耗IGBT

英飛凌科技于2016年10月17日推出了支持18kHz?40kHz開(kāi)關(guān)頻率的低損耗1200V耐壓IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)“RC-E系列”(英文發(fā)布資料)。新產(chǎn)品在IGBT上集成續(xù)流用體二極管
2016-11-14 14:51:361744

Vishay推出最新第4代600V E系列功率MOSFET

賓夕法尼亞、MALVERN — 2017 年 2 月10 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布,推出第四代600V E系列功率
2017-02-10 15:10:112189

ROHM開(kāi)發(fā)出車(chē)輛檢測(cè)領(lǐng)域性能最好的地磁傳感器(MI傳感器)“BM1422AGMV”

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM面向停車(chē)場(chǎng)車(chē)輛管理系統(tǒng)的車(chē)輛檢測(cè)領(lǐng)域,開(kāi)發(fā)出檢測(cè)地磁的MI傳感器*1“BM1422AGMV”。
2017-09-05 15:48:278709

ROHM新推基于AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的四款車(chē)載用1200V耐壓IGBT“RGS系列

ROHM新推出四款支持汽車(chē)電子產(chǎn)品可靠性標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101※1)的1200V耐壓IGBT“RGS系列”產(chǎn)品。
2019-05-13 18:30:571897

滿(mǎn)足AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的車(chē)載用1200V耐壓IGBT“RGS系列

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都)新推出四款支持汽車(chē)電子產(chǎn)品可靠性標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101※1)的1200V耐壓IGBT“RGS系列”產(chǎn)品。
2019-05-29 15:15:505922

ROHM開(kāi)發(fā)出采用4引腳封裝的SiC MOSFET “SCT3xxx xR”系列

 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都),開(kāi)發(fā)出6款溝槽柵結(jié)構(gòu)※1)SiC MOSFET “SCT3xxx xR系列”產(chǎn)品(650V/1200V耐壓),非常適用于要求高效率的服務(wù)器用電源、太陽(yáng)能逆變器及電動(dòng)汽車(chē)的充電站等。
2019-09-24 14:39:282466

如何設(shè)計(jì)600V FS結(jié)構(gòu)的IGBT

商業(yè)化正處于起步階段,F(xiàn)S技術(shù)更是遠(yuǎn)遠(yuǎn)落后于發(fā)達(dá)國(guó)家。本論文提出一種600V平面柵FS-IGBT器件的設(shè)計(jì)與制造方法,并通過(guò)
2019-12-19 17:59:0025

ROHM開(kāi)發(fā)出實(shí)現(xiàn)超低導(dǎo)通電阻的新一代雙極MOSFET

ROHM繼2020年年底發(fā)布的新一代Pch MOSFET*2之后,此次又開(kāi)發(fā)出在Nch中融入新微細(xì)工藝的第6代40V和60V耐壓的MOSFET。
2021-11-30 14:48:021117

ROHM開(kāi)發(fā)出45W輸出、內(nèi)置FET的小型表貼封裝AC/DC轉(zhuǎn)換器IC“BM2P06xMF-Z”

羅姆(總部位于日本京都市)面向空調(diào)、白色家電、FA設(shè)備等配備交流電源的家電和工業(yè)設(shè)備領(lǐng)域,開(kāi)發(fā)出內(nèi)置730V耐壓MOSFET*1的AC/DC轉(zhuǎn)換器*2IC“BM2P06xMF-Z系列BM2P060MF-Z、BM2P061MF-Z、BM2P063MF-Z)”。
2021-12-21 15:52:071492

Vishay推出四款新型TO-244封裝第5代FRED Pt 600V Ultrafast整流器

Vishay 推出四款新型 TO-244 封裝第 5 代 FRED Pt 600V Ultrafast 整流器。 Vishay Semiconductors 整流器新款 240A、300A、480A 和 600A 具有出色導(dǎo)通和開(kāi)關(guān)損耗特性,能有效提高中頻功率轉(zhuǎn)換器以及軟硬開(kāi)關(guān)或諧振電路的效率。
2022-08-25 17:33:112026

600V SPM? 2 系列熱性能(通過(guò)安裝扭矩)

600V SPM? 2 系列熱性能(通過(guò)安裝扭矩)
2022-11-15 20:04:030

內(nèi)置730V耐壓MOSFET的AC-DC轉(zhuǎn)換器IC:BM2P06xMF-Z系列

ROHM面向空調(diào)、白色家電、FA設(shè)備等配備交流電源的家電和工業(yè)設(shè)備領(lǐng)域,開(kāi)發(fā)出內(nèi)置730V耐壓MOSFET的AC-DC轉(zhuǎn)換器IC “ BM2P06xMF-Z系列BM2P060MF-Z、BM2P061MF-Z、BM2P063MF-Z)”。
2023-02-08 13:43:171748

600V耐壓IGBT IPM BM6337x系列介紹

關(guān)鍵詞 兼具業(yè)內(nèi)優(yōu)異的降噪低損耗特性 600V耐壓IGBT IPM/li> 各種變頻器的功率轉(zhuǎn)換用 BM6337x系列 無(wú)需自舉二極管和限流電阻 當(dāng)保護(hù)電路被激活時(shí),警報(bào)輸出(...
2023-02-08 13:43:211572

600V耐壓IGBT IPMBM6337x系列兼具業(yè)內(nèi)出優(yōu)異的降噪低損耗特性

600V耐壓IGBT IPMBM6337x系列?關(guān)鍵詞 兼具業(yè)內(nèi)優(yōu)異的降噪低損耗特性 600V耐壓IGBT IPM 各種變頻器的功率轉(zhuǎn)換用 BM6337x系列 優(yōu)化內(nèi)置...
2023-02-08 13:43:212074

RGS系列:支持AEC-Q101的車(chē)載用1200V耐壓IGBT

ROHM開(kāi)發(fā)的“RGS系列”是滿(mǎn)足汽車(chē)電子產(chǎn)品可靠性標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101的1200V耐壓IGBT。此次推出的4款型號(hào),傳導(dǎo)損耗非常低,非常有助于應(yīng)用的小型化與高效化。
2023-02-09 10:19:231199

650V耐壓IGBT RGTV/RGW系列介紹

ROHM最近新推出650V耐壓IGBT“RGTV系列(短路耐受能力保持型)”和“RGW系列(高速開(kāi)關(guān)型)”共21種機(jī)型,該系列產(chǎn)品同時(shí)實(shí)現(xiàn)了業(yè)界頂級(jí)的低傳導(dǎo)損耗和高速開(kāi)關(guān)特性,并大大減少了開(kāi)關(guān)時(shí)的過(guò)沖。
2023-02-09 10:19:251901

實(shí)現(xiàn)工業(yè)設(shè)備的輔助電源應(yīng)用要求的高耐壓低損耗

ROHM一直專(zhuān)注于功率元器件的開(kāi)發(fā)。最近推出并已投入量產(chǎn)的“SCT2H12NZ”,是實(shí)現(xiàn)1700V耐壓的SiC-MOSFET。是在現(xiàn)有650V與1200V的產(chǎn)品陣容中新增的更高耐壓版本。
2023-02-13 09:30:051192

RJP60V0DPM 數(shù)據(jù)表(600V-22A-IGBT / Application: Inverter)

RJP60V0DPM 數(shù)據(jù)表 (600V - 22A - IGBT / Application: Inverter)
2023-03-30 18:46:340

RJP60V0DPM-80 數(shù)據(jù)表(600V-22A-IGBT / Application: Inverter)

RJP60V0DPM-80 數(shù)據(jù)表 (600V - 22A - IGBT / Application: Inverter)
2023-03-30 18:46:470

R課堂 | 內(nèi)置730V耐壓MOSFET的AC-DC轉(zhuǎn)換器IC:BM2P06xMF-Z系列

采用表貼型封裝,輸出可達(dá)45W,待機(jī)功耗顯著降低,支持自動(dòng)貼裝 ROHM面向空調(diào)、白色家電、FA設(shè)備等配備交流電源的家電和工業(yè)設(shè)備領(lǐng)域,開(kāi)發(fā)出內(nèi)置730V耐壓MOSFET的AC-DC轉(zhuǎn)換器IC
2023-04-04 12:40:051590

新聞|同時(shí)實(shí)現(xiàn)業(yè)內(nèi)出色低噪聲特性和超快反向恢復(fù)時(shí)間的600V耐壓Super Junction MOSFET-R60xxRNx系列

有助于配備小型電機(jī)的設(shè)備減少抗噪聲設(shè)計(jì)工時(shí)和部件數(shù)量,并降低功率損耗 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)在其600V耐壓Super Junction MOSFET *1
2023-04-19 17:50:021093

新品 | CIPOS? Tiny 600V 15A三相IPM

:IM323系列的新成員是專(zhuān)門(mén)為家用空調(diào)和家用電器應(yīng)用設(shè)計(jì)的CIPOSTiny600V,15A的三相IGBT智能功率模塊具有優(yōu)化的性能和緊湊的封裝,可用于額定功率達(dá)1
2022-04-24 14:39:001593

R課堂 | 600V耐壓Super Junction MOSFET PrestoMOS?產(chǎn)品陣容又增新品

同時(shí)實(shí)現(xiàn)業(yè)界超快反向恢復(fù)時(shí)間和業(yè)界超低導(dǎo)通電阻,可進(jìn)一步降低工業(yè)設(shè)備和白色家電的損耗 ROHM600V耐壓Super Junction MOSFET PrestoMOS 產(chǎn)品陣容中又新增了
2023-07-12 12:10:081617

RJP60V0DPM 數(shù)據(jù)表(600V-22A-IGBT / Application: Inverter)

RJP60V0DPM 數(shù)據(jù)表 (600V - 22A - IGBT / Application: Inverter)
2023-07-12 20:21:320

RJP60V0DPM-80 數(shù)據(jù)表(600V-22A-IGBT / Application: Inverter)

RJP60V0DPM-80 數(shù)據(jù)表 (600V - 22A - IGBT / Application: Inverter)
2023-07-12 20:21:430

ROHM開(kāi)發(fā)出EcoGaN Power Stage IC

*1,開(kāi)發(fā)出集650V GaN HEMT*2和柵極驅(qū)動(dòng)用驅(qū)動(dòng)器等于一體的Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB”(BM3G015MUV-LB、BM3G007MUV-LB)。 近年來(lái)
2023-07-19 14:58:551485

ROHM開(kāi)發(fā)出EcoGaN? Power Stage IC BM3G0xxMUV-LB,助力減少服務(wù)器和AC適配器等的損耗和體積

*1 ,開(kāi)發(fā)出集650V GaN HEMT *2 和柵極驅(qū)動(dòng)用驅(qū)動(dòng)器等于一體的Power Stage IC“ BM3G0xxMUV-LB ” ( BM
2023-07-19 17:10:04960

600V三相MOSFET/IGBT驅(qū)動(dòng)器

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《600V三相MOSFET/IGBT驅(qū)動(dòng)器.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-09-25 11:27:500

5a 600v耐壓igbt SGTP5T60SD1D/F/S可代換AOD5B65M1規(guī)格書(shū)參數(shù)

供應(yīng)5a、600v耐壓igbt SGTP5T60SD1DFS可代換AOD5B65M1 ,提供SGTP5T60SD1DFS規(guī)格書(shū)參數(shù) ,可應(yīng)用于光伏,變頻器,UPS,SMPS以及PFC等領(lǐng)域,更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向士蘭微IGBT代理商驪微電子申請(qǐng)。>>
2023-04-03 14:48:132

全橋逆變IGBT耐壓600V、20A SGT20T60SDM1P7規(guī)格書(shū)參數(shù)

供應(yīng)全橋逆變IGBT耐壓600V、20A SGT20T60SDM1P7,提供SGT20T60SDM1P7關(guān)鍵參數(shù) ,更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向士蘭微IGBT代理驪微電子申請(qǐng)。>>
2023-04-03 16:02:491

電機(jī)常用igbt管SGTP50V60FD2PU耐壓600V 50A規(guī)格書(shū)參數(shù)

供應(yīng)電機(jī)常用igbt管SGTP50V60FD2PU耐壓600V 50A,提供SGTP50V60FD2PU關(guān)鍵參數(shù) ,更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向士蘭微IGBT代理驪微 電子申請(qǐng)。>>
2023-04-03 17:24:106

R課堂 | IGBT IPM實(shí)例:封裝

3代IGBT IPMBM6337xS-xx/BM6357x-xx系列”為例進(jìn)行介紹。 點(diǎn)擊下載 成功實(shí)現(xiàn)功率器件熱設(shè)計(jì)的4大步驟 IGBT IPM實(shí)例:封裝?? ? BM
2023-12-07 09:30:022565

羅姆ROHM開(kāi)發(fā)出采用SOT-223-3小型封裝的600V耐壓Super Junction MOSFET

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)開(kāi)發(fā)出采用SOT-223-3小型封裝(6.50mm×7.00mm×1.66mm)的600V耐壓Super Junction MOSFET*1
2023-12-08 17:38:081200

新聞 | 采用SOT-223-3小型封裝的600V耐壓Super Junction MOSFET

小型封裝(6.50mm×7.00mm×1.66mm)的600V耐壓Super Junction MOSFET *1 ,新產(chǎn)品非常適用于照明用小型電源、電泵和電機(jī)等應(yīng)用。 R6004END4
2023-12-12 12:10:011409

IGBT IPM的優(yōu)點(diǎn)有哪些

IGBT IPM結(jié)合了IGBT的高效能和高電流承載能力以及IPM的智能化控制與保護(hù)特性,其優(yōu)點(diǎn)可以總結(jié)如下: 集成度高: IGBT IPM將多個(gè)IGBT器件與驅(qū)動(dòng)、保護(hù)等電路集成在一個(gè)模塊中,減少
2024-02-23 10:50:101518

ROHM開(kāi)發(fā)出一款采用高速負(fù)載響應(yīng)技術(shù)QuiCur?的45V耐壓LDO穩(wěn)壓器

近日ROHM開(kāi)發(fā)出車(chē)載一次側(cè)LDO“BD9xxM5-C”,是采用了ROHM高速負(fù)載響應(yīng)技術(shù)“QuiCur”的45V耐壓LDO穩(wěn)壓器,
2024-03-06 13:50:211223

為什么逆變器這個(gè)應(yīng)用領(lǐng)域?qū)?b class="flag-6" style="color: red">IGBT IPM的需求很大?

ROHM于2021年4月宣布推出600V耐壓IGBT IPM(Intelligent Power Module)新產(chǎn)品“BM6337x系列”,隨后又新增了“BM6357x系列”。
2024-03-27 14:10:221587

ROHM推出第四代1200V IGBT

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)面向車(chē)載電動(dòng)壓縮機(jī)、HV加熱器、工業(yè)設(shè)備用逆變器等應(yīng)用,開(kāi)發(fā)出符合汽車(chē)電子產(chǎn)品可靠性標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101*1、1200V耐壓、實(shí)現(xiàn)了業(yè)界超低損耗和超高短路耐受能力*2的第4代IGBT*3。
2024-11-13 13:55:451374

新品 | CIPOS? Mini IPM 600V 15A 20A 30A TRENCHSTOP? IGBT 7

新品CIPOSMiniIPM600V15A20A30ATRENCHSTOPIGBT7CIPOSMiniIPMIM06BxxAC1系列600V等級(jí)中提供15A、20A和30A三個(gè)型號(hào),額定功率高達(dá)
2025-04-01 17:34:231257

HPD2606X 600V半橋柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)手冊(cè):高壓高速M(fèi)OSFET和IGBT驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)

內(nèi)容概要:HPD2606X是一款600V半橋柵極驅(qū)動(dòng)器,采用專(zhuān)有的HVIC和閂鎖免疫CMOS技術(shù),能夠穩(wěn)定驅(qū)動(dòng)高壓MOSFET和IGBT。其主要特性包括懸浮通道設(shè)計(jì)、抗dV/dt瞬態(tài)負(fù)電壓能力、寬門(mén)
2025-05-19 11:33:300

ROHM開(kāi)發(fā)出適用于AI服務(wù)器48V電源熱插拔電路的100V功率MOSFET

~兼具更寬SOA范圍和更低導(dǎo)通電阻,被全球知名云平臺(tái)企業(yè)認(rèn)證為推薦器件~ 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)于6月3日宣布,開(kāi)發(fā)出100V耐壓的功率MOSFET*1
2025-06-05 13:15:05711

三環(huán)薄膜電容高耐壓低損耗特性分析

三方面展開(kāi)分析: 一、高耐壓特性:材料與結(jié)構(gòu)的雙重保障 1、核心材料選擇 采用聚丙烯(PP)薄膜作為介質(zhì),其分子結(jié)構(gòu)穩(wěn)定,介電常數(shù)低(約2.2),但耐壓強(qiáng)度高(可達(dá)600V/μm以上)。PP薄膜的熱穩(wěn)定性?xún)?yōu)異,可在-55℃至+125℃環(huán)境下長(zhǎng)期工作,且
2025-09-04 14:32:12590

ROHM BM63574S-VC智能功率模塊文檔介紹

ROHM BM63574S-VC 是專(zhuān)為三相電機(jī)控制設(shè)計(jì)的智能功率模塊(IPM),集成 600V/15A IGBT、柵極驅(qū)動(dòng)器、自舉二極管、續(xù)流二極管及完整保護(hù)電路,核心優(yōu)勢(shì)在于高集成度、強(qiáng)保護(hù)能力
2025-10-05 15:11:001306

BM63377S-VA智能電源模塊IPM文檔介紹

BM63377S-VA是將柵極驅(qū)動(dòng)器、自舉二極管、IGBT、再生用快速反向恢復(fù)二極管一體化封裝的智能電源模塊(IPM)。集成 600V/30AIGBT、柵極驅(qū)動(dòng)器(HVIC/LVIC)、自舉二極管
2025-10-05 15:47:001271

BM64378S-VA智能電源模塊IPM文檔介紹

BM64378S-VA是將柵極驅(qū)動(dòng)器、自舉二極管、IGBT、再生用快速反向恢復(fù)二極管一體化封裝的智能電源模塊(IPM),集成 600V/35AIGBT、柵極驅(qū)動(dòng)器(HVIC/LVIC)、自舉二極管
2025-10-05 16:14:001257

BM63373S-VC智能電源模塊IPM文檔總結(jié)

BM63373S-VC是將柵極驅(qū)動(dòng)器、自舉二極管、IGBT、再生用快速反向恢復(fù)二極管一體化封裝的智能電源模塊(IPM)。集成 600V/10AIGBT、柵極驅(qū)動(dòng)器(HVIC/LVIC)、自舉二極管
2025-10-05 16:52:001328

高壓濾波車(chē)規(guī)電容 600V 耐壓 換電站接口電壓穩(wěn)定保障

直接影響著整個(gè)系統(tǒng)的電壓穩(wěn)定性和電能質(zhì)量。本文將深入探討600V耐壓等級(jí)車(chē)規(guī)電容的技術(shù)特點(diǎn)及其在換電站接口電壓穩(wěn)定中的保障機(jī)制。 一、高壓濾波電容的技術(shù)特性 1. 材料與結(jié)構(gòu)創(chuàng)新 現(xiàn)代高壓濾波電容采用金屬化聚丙烯薄膜作為介質(zhì)
2025-12-05 15:11:03270

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