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650V耐壓IGBT RGTV/RGW系列介紹

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新品EVAL-IHW65R62EDS06J這塊感應(yīng)加熱半橋評估板采用新一代650V逆導(dǎo)型R6系列IGBT和SOI技術(shù)的EiceDRIVERIGBT驅(qū)動器,產(chǎn)品針對100kHz的諧振開關(guān)應(yīng)用感應(yīng)
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2023-07-12 17:06:272049

SGTP40V65SDB1P7 650V新能源IGBT

供應(yīng)40A、650V新能源絕緣柵雙極型晶體管SGTP40V65SDB1P7,提供SGTP40V65SDB1P7關(guān)鍵參數(shù),更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向士蘭微mos代理驪微電子申請。>>
2022-08-01 16:18:473

SGTP75V65SDS1P7 650V光伏逆變器igbt

供應(yīng)SGTP75V65SDS1P775A、650V光伏逆變器igbt-三相igbt逆變電源,提供SGTP75V65SDS1P7關(guān)鍵參數(shù),更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向士蘭微mos代理驪微電子申請。>>
2022-08-02 17:12:198

650V高壓低功耗非隔離電源芯片eNJ8665

650V高壓低功耗非隔離電源芯片,默認輸出12V,最大電流2A,具有輸出可設(shè)置3-24V
2023-12-01 19:19:030

瑞能650V IGBT的結(jié)構(gòu)解析

IGBT 作為一種功率半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于工業(yè)節(jié)能、電動汽車和新能源裝備等領(lǐng)域。IGBT 具有節(jié)能、安裝方便、維護方便、散熱穩(wěn)定等特點,是能量轉(zhuǎn)換和傳輸?shù)暮诵难b置。瑞能的650V IGBT產(chǎn)品在電性能和可靠性等方面具備諸多優(yōu)勢,在行業(yè)內(nèi)也處于領(lǐng)先地位。
2023-12-26 13:31:351604

介紹一款用于光伏儲能充電樁的50A 650V TO-247封裝IGBT單管

本次推出的產(chǎn)品主要為50A 650V TO-247封裝IGBT單管;
2024-03-15 14:26:0746430

揚杰科技推出50A 650V TO-247封裝IGBT單管

近日,國內(nèi)半導(dǎo)體功率器件領(lǐng)軍企業(yè)揚州揚杰電子科技股份有限公司(以下簡稱“揚杰科技”)再度刷新業(yè)界認知,推出了一款專為光伏儲能充電樁等高頻應(yīng)用而設(shè)計的50A 650V TO-247封裝IGBT單管產(chǎn)品
2024-03-16 10:48:192224

650V 6A溝槽和場阻IGBT JJT6N65ST數(shù)據(jù)表

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2024-04-08 16:35:253

650V 10A溝槽和場阻IGBT JJT10N65SC資料文檔

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650V 10A溝槽和場阻IGBT JJT10N65SS文檔

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650V 15A溝槽和場阻IGBT JJT15N65SC數(shù)據(jù)手冊

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2024-04-10 15:20:030

650V 15A溝槽和場阻IGBT JJT15N65SY數(shù)據(jù)手冊

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650V 20A溝槽和場阻IGBT JJT20N65SC數(shù)據(jù)手冊

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650V 20A溝槽和場阻IGBT JJT20N65SE數(shù)據(jù)手冊

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650V 20A溝槽和場阻IGBT JJT20N65SS數(shù)據(jù)手冊

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650V 30A溝槽和場阻IGBT JJT30N65SE數(shù)據(jù)手冊

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650V 40A溝槽和場阻IGBT JJT40N65HE數(shù)據(jù)手冊

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650V 40A溝槽和場阻IGBT JJT40N65UE數(shù)據(jù)手冊

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2024-04-10 17:09:161

650V 40A溝槽和場阻IGBT JJT40N65UH數(shù)據(jù)手冊

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2024-04-10 17:10:360

650V 50A溝槽和場阻IGBT JJT50N65HE數(shù)據(jù)手冊

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650V 50A溝槽和場阻IGBT JJT50N65UE數(shù)據(jù)手冊

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2024-04-10 17:52:381

650V 50A溝槽和場阻IGBT JJT50N65UH數(shù)據(jù)手冊

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650V 60A溝槽和場阻IGBT JJT60N65HE數(shù)據(jù)手冊

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2024-04-10 17:56:151

650V 60A溝槽和場阻IGBT JJT60N65UH數(shù)據(jù)手冊

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2024-04-10 17:57:221

650V 75A溝槽和場阻IGBT JJT75N65HCN數(shù)據(jù)手冊

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2024-04-10 17:58:320

650V 75A溝槽和場阻IGBT JJT75N65HE數(shù)據(jù)手冊

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2024-04-10 18:01:090

650V 300mA/1000mA電機驅(qū)動應(yīng)用電源ic U5402應(yīng)用說明

650V?300mA/1000mA電機驅(qū)動應(yīng)用電源ic U5402? ? 電源ic U5402典型應(yīng)用在功率MOSFET / IGBT驅(qū)動器、家電電機驅(qū)動應(yīng)用、LED照明電源、感應(yīng)加熱、DC-AC
2024-07-24 16:49:381232

新品 | 650V高速半橋柵極驅(qū)動器2ED2388S06F

新品650V高速半橋柵極驅(qū)動器2ED2388S06F650V高速半橋柵極驅(qū)動器,具有典型的0.29A源電流和0.7A灌電流,采用DSO-8封裝,用于驅(qū)動功率MOSFET和IGBT。產(chǎn)品型號
2024-07-27 08:14:36869

新潔能650V Gen.7 IGBT系列產(chǎn)品介紹

新潔能650V Gen.7系列IGBT產(chǎn)品,基于微溝槽場截止技術(shù),可大幅提高器件的元胞結(jié)構(gòu)密度。采用載流子存儲設(shè)計、多梯度緩沖層設(shè)計、超薄漂移區(qū)設(shè)計,大幅度提升器件的電流密度。同時優(yōu)化了器件的開關(guān)特性,為系統(tǒng)設(shè)計提供更大的余量。
2024-08-15 16:34:221808

森國科推出650V/60A IGBT

森國科近期推出的650V/60A IGBT(型號:KG060N065LD-R),憑借其業(yè)界領(lǐng)先的低傳導(dǎo)損耗和高速開關(guān)性能,在電力電子領(lǐng)域引起了廣泛關(guān)注。
2024-10-17 15:41:59898

森國科650V/6A IGBT的性能特點

森國科推出的650V/6A IGBT(型號:KG006N065SD-B)在風(fēng)扇、泵和吸塵器等家電領(lǐng)域的應(yīng)用上做到了高效電機驅(qū)動和精準控制。
2024-11-13 16:36:131162

NSG6000 650V單通道半橋柵極驅(qū)動芯片介紹

NSG6000是650V電壓功率MOSFET和IGBT半橋柵驅(qū)動器。自帶死區(qū)保護、高低側(cè)互鎖功能,防止高低側(cè)直通。具有較強的VS負偏壓、負過沖耐受能力。輸入電平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL邏輯輸出電平。具有寬VCC范圍、帶滯后的欠壓鎖定。
2025-01-07 10:58:261547

高電流密度IGBT模塊LE2 200A/650V介紹

JL3I200V65RE2PN為650V /200A INPC三電平逆變模塊,采用溝槽柵場終止技術(shù)IGBT7芯片,帶熱敏電阻(NTC)和可選 PressFIT壓接針腳技術(shù)。
2025-01-16 14:16:081125

為什么650V SiC碳化硅MOSFET全面取代超結(jié)MOSFET和高壓GaN氮化鎵器件?

650V SiC碳化硅MOSFET全面取代超結(jié)MOSFET和高壓GaN氮化鎵器件
2025-01-23 16:27:431780

ROHM攜手ATX量產(chǎn)650V耐壓GaN HEMT

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM近日宣布,其采用TOLL(TO-LeadLess)封裝的650V耐壓GaN HEMT(高電子遷移率晶體管)“GNP2070TD-Z”已成功投入量產(chǎn)。這一里程碑式的進展
2025-02-18 10:03:531194

超結(jié)MOSFET升級至650V碳化硅MOSFET的根本驅(qū)動力分析

隨著BASiC基本半導(dǎo)體等企業(yè)的650V碳化硅MOSFET技術(shù)升級疊加價格低于進口超結(jié)MOSFET,不少客戶已經(jīng)開始動手用國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET全面取代超結(jié)MOSFET,電源客戶從超結(jié)MOSFET升級至650V碳化硅MOSFET的根本驅(qū)動力分析。
2025-03-01 08:53:441054

內(nèi)置650V MOSFET的高可靠性PSR AC-DC轉(zhuǎn)換器CN1812

內(nèi)置650V MOSFET的高可靠性PSR AC-DC轉(zhuǎn)換器CN1812
2025-03-05 10:09:23890

GNP1070TC-Z 650V GaN HEMT 數(shù)據(jù)手冊

GNP1070TC-Z是一款650V GaN HEMT,實現(xiàn)了業(yè)內(nèi)出色的FOM 。該產(chǎn)品屬于EcoGaN?系列產(chǎn)品,利用該系列產(chǎn)品低導(dǎo)通電阻和高速開關(guān)的特性,有助于提高功率轉(zhuǎn)換效率并減小產(chǎn)品尺寸
2025-03-07 15:46:54909

微源半導(dǎo)體推出650V半橋柵極驅(qū)動芯片LPD2106

輸入邏輯電平。LPD2106具有高可靠性和抗干擾能力,高壓耐壓650V,開關(guān)節(jié)點動態(tài)能力支持達50V/ns,瞬態(tài)耐壓能力達-60V (100ns)。LPD2106集成了完善的保護功能,集成了輸入最小
2025-03-08 10:11:281252

新品 | 650V CoolMOS? 8超結(jié) (SJ) MOSFET

新品650VCoolMOS8超結(jié)(SJ)MOSFET英飛凌推出全新650VCoolMOS8引領(lǐng)全球高壓超結(jié)SJMOSFET技術(shù),為行業(yè)技術(shù)和性價比樹立了全球標準。該系列為高功率應(yīng)用提供了額外的50V
2025-07-04 17:09:031017

英飛凌CoolGaN BDS 650V G5雙向開關(guān)產(chǎn)品介紹

CoolGaN BDS 650V G5雙向開關(guān)。這款基于氮化鎵(GaN)技術(shù)的單片雙向開關(guān),憑借其卓越的性能和創(chuàng)新的設(shè)計,正在成為高效電力轉(zhuǎn)換領(lǐng)域的明星產(chǎn)品。
2025-08-28 13:52:113435

龍騰半導(dǎo)體推出四款650V F系列IGBT新品

隨著便攜儲能、新能源及工業(yè)電源應(yīng)用對高效率、高功率密度需求的不斷提升,IGBT作為電力電子系統(tǒng)的核心開關(guān)器件,其性能已成為決定整機效能與可靠性的關(guān)鍵因素。為應(yīng)對市場對高性能功率器件的迫切需求,龍騰半導(dǎo)體正式推出四款650V F系列IGBT新品,致力于為高頻、高效應(yīng)用提供更優(yōu)異的解決方案。
2025-10-24 14:03:301877

合科泰650V高壓MOS管HKTD7N65的特性和應(yīng)用

在工業(yè)電源、電機驅(qū)動及照明系統(tǒng)等高壓應(yīng)用場景中,功率MOS管的可靠性、能效與成本控制直接決定了終端產(chǎn)品的市場競爭力。合科泰電子推出的高壓MOS管 HKTD7N65,憑借650V耐壓、7A電流與低至1.08Ω的導(dǎo)通電阻,為工程師提供了一款兼具高性能與高可靠性的國產(chǎn)功率器件新選擇。
2025-11-07 17:46:101418

深入解析 FGHL50T65MQDTL4:650V、50A 場截止溝槽 IGBT

在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域,IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)一直扮演著至關(guān)重要的角色。今天要給大家詳細介紹的是安森美(onsemi)的一款 650V、50A 的場截止溝槽 IGBT
2025-12-08 11:35:351611

深挖1ED21x7x系列650V高端柵極驅(qū)動器的卓越性能與應(yīng)用解析

深挖1ED21x7x系列650V高端柵極驅(qū)動器的卓越性能與應(yīng)用解析 在電力電子領(lǐng)域,柵極驅(qū)動器的性能對于功率器件的高效、穩(wěn)定運行起著關(guān)鍵作用。今天我們就來深入探討英飛凌(Infineon
2025-12-18 16:10:12227

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