美國SemiSouth Laboratories公司發(fā)布了耐壓為650V和耐壓為1700V的SiC制JFET產(chǎn)品,均為常開型功率元件。耐壓為650V的產(chǎn)品名稱為“SJDA065R055”,導(dǎo)通電阻為55mΩ,漏電流在室溫時(25℃)為30A,在
2012-05-21 10:31:01
2900 瑞薩電新發(fā)表13款具備高效能之第7代絕緣閘雙極性電晶體(IGBT)系列新產(chǎn)品。新款IGBT包括650V的RJH/RJP65S系列與1250V的RJP1CS系列。新款IGBT是將系統(tǒng)中的直流電轉(zhuǎn)換為交流電的功率半導(dǎo)體裝
2012-07-31 11:34:28
2027 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM新開發(fā)出兼?zhèn)錁I(yè)界頂級低傳導(dǎo)損耗※1和高速開關(guān)特性的650V耐壓IGBT※2“RGTV系列(短路耐受能力※3保持版)”和“RGW系列(高速開關(guān)版)”,共21種機型。這些產(chǎn)品
2018-04-17 12:38:46
8644 
與600V IGBT3一樣,新的650V IGBT4也是采用了溝槽的MOS-top-cell薄片技術(shù)和場截止的概念(如圖1 所示),但與600V IGBT3相比,芯片厚度增加了大約15%,并且MOS
2018-10-26 09:17:00
8908 為滿足電動汽車市場的需求,英飛凌推出了全新的650V CoolMOS? SJ功率 MOSFET CFD7A系列。這一產(chǎn)品經(jīng)過專門優(yōu)化,可以滿足電動汽車應(yīng)用 (如車載充電器、HV-LV DC-DC 轉(zhuǎn)換器和輔助電源)的要求。
2020-05-31 09:15:36
1998 Nexperia今天推出650V的功率器件GAN063-650WSA,宣布其進入氮化鎵場效應(yīng)管(GaN)市場。
2019-11-22 15:16:32
2459 隨著新產(chǎn)品的發(fā)布,英飛凌完善了其600V/650V細分領(lǐng)域的硅基、碳化硅以及氮化鎵功率半導(dǎo)體產(chǎn)品組合
2020-02-26 08:26:00
1692 新款 CoolSiC Hybrid產(chǎn)品系列結(jié)合了650 V TRENCHSTOP? 5 IGBT技術(shù)和碳化硅肖特基二極管的主要優(yōu)點,具備出色的開關(guān)速度和更低的開關(guān)損耗,特別適用于 DC-DC 功率變換器和PFC電路。
2021-08-06 15:40:47
2291 
英飛凌最近推出了系列650V混合SiC單管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD續(xù)流二極管,取代了傳統(tǒng)Si的Rapid1快速續(xù)流二極管,配合650V/TS5的IGBT芯片(S5/H5),進一步優(yōu)化了系統(tǒng)效率、性能與成本之間的微妙平衡。
2021-08-31 10:38:42
2572 
3AC400V變頻異步電機,連續(xù)工作的允許耐壓值是多少呢?
比如說,變頻器的直流母線電壓是650V的狀態(tài)下,3AC400V的電機能受得了嗎?
2024-01-09 07:20:21
BASiC基本半導(dǎo)體40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET,替代30mR 超結(jié)MOSFET或者20-30mR的GaN!
BASiC基本半導(dǎo)體40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET
2025-01-22 10:43:28
40 A 650V IGBT,它與IGBT相同額定電流的二極管組合封裝到表面貼裝TO-263-3(亦稱D2PAK)封裝中。全新D2PAK封裝TRENCHSTOP 5 IGBT可滿足電源設(shè)備對功率密度
2018-10-23 16:21:49
逆變器等中高功率領(lǐng)域,可顯著的減少電路的損耗,提高電路的工作頻率。 關(guān)斷波形圖(650V/10A產(chǎn)品) 650V/1200V碳化硅肖特基二極管選型
2020-09-24 16:22:14
0前言家用逆變焊機因其體較小,操作方便,市場接受度逐步提高。因市電220V輸入的特點,一般采用600V/650V規(guī)格的IGBT作為逆變主功率器件。IGBT (Insulated Gate
2014-08-13 09:25:59
;TSD5N60MTruesemi 其它相關(guān)產(chǎn)品請 點擊此處 了解特性:3.0A,650V,最大RDS(on)= 3.0Ω@ VGS = 10V低柵極電荷(典型值為16nC)快速切換經(jīng)過100%雪崩測試改進的dv/dt功能主要參數(shù):應(yīng)用:高效開關(guān)模式電源,基于半橋拓撲的有源功率因數(shù)校正`
2020-04-30 15:13:55
SBD)* ? Hybrid型的IGBT* ? 顯著降低損耗* ? RGWxx65C系列* ? 650V耐壓* ? 與使用Si快速恢復(fù)二極管(Si FRD)的IGBT相比,開通損耗顯著降低
2022-07-27 10:27:04
。 BM1Pxxx支持隔離和非隔離器件,可以更簡單地設(shè)計各種類型的低功耗電氣轉(zhuǎn)換器。 BM1Pxxx內(nèi)置高壓啟動電路,可承受650V電壓,有助于降低功耗
2020-08-14 06:52:48
650V耐壓的buck電路夠不夠用
2023-08-01 14:38:42
用于AC/DC變換器應(yīng)用的新型650V GaNFast半橋IC(氮化鎵)
2023-06-19 07:57:31
XD080H065AY1S3應(yīng)用:電源(UPS/移動儲能/光伏逆變)80A 650V TO-247-3L
國產(chǎn)IGBT+SBD:
XD075C065CX1S3應(yīng)用:電源(UPS/移動儲能/光伏逆變)75A 650V
2024-12-19 15:03:24
650V IGBT4,旨在提供更大的設(shè)計自由度。這款全新的IGBT4器件具備更好的關(guān)斷軟度,并且由于關(guān)斷電流變化率di/dt的降低,帶來了更低的關(guān)斷電壓尖峰。該器件專門設(shè)計用于中高電流應(yīng)用。相對于
2018-12-07 10:16:11
英飛凌科技股份公司近日推出全新的650V CoolMOS C6/E6高性能功率MOSFET系列。該產(chǎn)品系列將現(xiàn)代超級結(jié)(SJ)器件的優(yōu)勢(如低導(dǎo)通電阻和低容性開關(guān)損耗)與輕松控制的開關(guān)行為、及
2010-07-05 08:48:26
2309 Cree 公司日前宣布推出最新Z-Rec 650V 結(jié)型肖特基勢壘 (JBS) 二極管系列,以滿足最新數(shù)據(jù)中心電源系統(tǒng)要求。新型 JBS
2010-12-23 08:49:37
1525 英飛凌目前正推出另一項重要的創(chuàng)新型高壓CoolMOS MOSFET。這種全新的650V CoolMOS CFD2是全球首款具備650V漏源電壓并集成快速體二極管的高壓晶體管。
2011-02-16 09:11:17
2280 美高森美公司宣布提供下一代650V非穿通型(NPT)絕緣柵雙極晶體管(IGBT)產(chǎn)品,備有45A、70A和95A額定電流型款。美高森美全新NPTIGBT產(chǎn)品系列專為嚴苛環(huán)境工作而設(shè)計,尤其適用于太陽能逆變器、焊接機和開關(guān)電源等工業(yè)產(chǎn)品。
2013-08-19 16:08:18
1199 2014年10月21日,北京——全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出多款堅固可靠的650V IRGP47xx器件,藉以擴充絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 系列。
2014-10-21 15:27:42
2388 2015年3月2日,德國慕尼黑——英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)發(fā)布了能夠讓應(yīng)用于汽車中的高速開關(guān)實現(xiàn)最高效率的高堅固性650V IGBT系列。
2015-03-04 10:00:29
1759 意法半導(dǎo)體推出新款M系列650V IGBT,為電源設(shè)計人員提供一個更快捷經(jīng)濟的能效解決方案,新款M系列650V IGBT,為電源設(shè)計人員提供一個更快捷經(jīng)濟的能效解決方案,適用于暖通空調(diào)系統(tǒng)(HVAC
2016-11-02 17:19:43
2436 ROHM第三代碳化硅MOSFET特點(相比第二代)ROHM第三代設(shè)計應(yīng)用于650V和1200V產(chǎn)品之中,包括分立或模組封裝。本報告深入分析了650V和1200V第三代溝槽MOSFET,并利用光學(xué)顯微鏡和掃描電鏡研究復(fù)雜的碳化硅溝槽結(jié)構(gòu)。
2018-08-20 17:26:29
10826 意法半導(dǎo)體的HB2 650V IGBT系列采用最新的第三代溝柵場截止(TFS)技術(shù),可提高PFC轉(zhuǎn)換器、電焊機、不間斷電源(UPS)、太陽能逆變器等中高速應(yīng)用設(shè)計的能效和性能。該系列還包括符合AEC-Q101 Rev. D標準的汽車級產(chǎn)品。
2019-05-14 11:38:53
4151 碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體制造商UnitedSiC/美商聯(lián)合碳化硅股份有限公司 宣布,已經(jīng)為UJ3C(通用型)和UF3C(硬開關(guān)型)系列650V SiC FET新增加了7種新的TO220-3L和D2PAK-3L器件/封裝組合產(chǎn)品。
2019-05-08 09:04:02
2246 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都)新推出四款支持汽車電子產(chǎn)品可靠性標準AEC-Q101※1)的1200V耐壓IGBT“RGS系列”產(chǎn)品。
2019-05-29 15:15:50
5922 英飛凌宣布推出650V SiC MOSFET,標志著公司進一步增強了在低壓SiC領(lǐng)域的布局,650V CoolSiC MOSFET系列。
2020-05-09 15:07:50
5544 ROHM的RGS系列是符合AEC-Q101標準、且具有1200V和650V寬耐壓范圍的IGBT產(chǎn)品。該系列具有更低的傳導(dǎo)損耗,有助于提高應(yīng)用產(chǎn)品的效率并實現(xiàn)小型化,是電動壓縮機的逆變器和高壓加熱器的更佳選擇。
2020-10-02 17:34:00
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650 V 場截止 IGBT 如何幫助將廚房烹飪提升到一個全新的水平。 電磁爐制造商正在努力增加最大功率并減少烹飪時間,同時實現(xiàn)高系統(tǒng)效率以滿足嚴格的能源之星標準。 這些趨勢對選擇合適的 IGBT 提出了新的要求,這些 IGBT 是感應(yīng)加熱系統(tǒng)中的關(guān)鍵
2021-06-01 14:56:25
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東芝電子元件及存儲裝置株式會社(東芝)宣布,在其TOLL(TO-無引線)封裝的DTMOSVI系列中推出650V超級結(jié)功率MOSFET-
2021-03-15 15:44:23
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前言背景: 英飛凌最近推出了系列650V混合SiC單管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD續(xù)流二極管,取代了傳統(tǒng)Si的Rapid1快速續(xù)流二極管
2021-03-26 16:40:20
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英飛凌最近推出了系列650V混合SiC單管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD續(xù)流二極管,取代了傳統(tǒng)Si的Rapid1快速續(xù)流二極管,配合650V/TS5的IGBT芯片(S5/H5),進一步優(yōu)化了系統(tǒng)效率、性能與成本之間的微妙平衡。
2022-08-01 10:11:29
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現(xiàn)在主流400V架構(gòu)中,電驅(qū)動的功率管主要采用IGBT器件,但IGBT耐壓值通常不高于650V,基本不能用于800V架構(gòu)。即便采用超級結(jié)工藝的高耐壓IGBT,工作電壓也不超過900V,而且成本高不說,其體積也要比普通IGBT大很多,這無疑為車內(nèi)空間布置及散熱設(shè)計帶來困難。
2022-08-17 11:12:30
6430 650V 快速恢復(fù) SuperFET? II MOSFET 在諧振拓撲中實現(xiàn)高系統(tǒng)效率和可靠性
2022-11-14 21:08:36
0 關(guān)鍵詞 兼具業(yè)內(nèi)優(yōu)異的降噪和低損耗特性 600V耐壓IGBT IPM/li> 各種變頻器的功率轉(zhuǎn)換用 BM6337x系列 無需自舉二極管和限流電阻 當保護電路被激活時,警報輸出(...
2023-02-08 13:43:21
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600V耐壓IGBT IPM:BM6337x系列?關(guān)鍵詞 兼具業(yè)內(nèi)優(yōu)異的降噪和低損耗特性 600V耐壓IGBT IPM 各種變頻器的功率轉(zhuǎn)換用 BM6337x系列 優(yōu)化內(nèi)置...
2023-02-08 13:43:21
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RJP65T43DPQ-A0 數(shù)據(jù)表 (650V - 30A - IGBT, Application: Power Factor Correction circuit)
2023-03-22 18:36:59
0 RJP65T54DPM-A0 數(shù)據(jù)表 (650V - 30A - IGBT Application: Partial switching circuit)
2023-03-23 19:10:10
0 RJH65D27BDPQ-A0 數(shù)據(jù)表 (650V - 50A - IGBT Application: Inverter)
2023-03-24 18:53:25
0 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(以下簡稱“ROHM”)將650V耐壓的GaN(Gallium Nitride:氮化鎵)HEMT*1“GNP1070TC-Z”、“GNP1150TCA-Z”投入量產(chǎn),這
2023-05-18 16:34:23
1263 Nexperia | 用于汽車和工業(yè)的650V超快恢復(fù)整流管
2023-05-24 12:16:57
1193 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(以下簡稱“ROHM”)將650V耐壓的GaN(Gallium Nitride:氮化鎵)HEMT*1“GNP1070TC-Z”、“GNP1150TCA-Z”投入量產(chǎn),這兩款產(chǎn)品非常適用于服務(wù)器和AC適配器等各種電源系統(tǒng)。
2023-05-24 15:19:34
1314 
潤新微電子(Runxin Microelectronics)榮幸推出了最新一代的650V GaN功率晶體管(FET),該產(chǎn)品具備卓越的性能和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域。 產(chǎn)品特點: 易于使用:650V GaN
2023-06-12 16:38:34
2033 上海陸芯電子科技有限公司擁有最新一代TrenchField-Stop技術(shù)的400V200A~400A系列IGBT、650V5A~200A系列IGBT、1200V&1350V10A~100A
2022-05-19 09:54:26
2109 
新品EVAL-IHW65R62EDS06J這塊感應(yīng)加熱半橋評估板采用新一代650V逆導(dǎo)型R6系列IGBT和SOI技術(shù)的EiceDRIVERIGBT驅(qū)動器,產(chǎn)品針對100kHz的諧振開關(guān)應(yīng)用感應(yīng)
2022-03-01 09:32:40
1608 
RJP65T43DPQ-A0 數(shù)據(jù)表 (650V - 30A - IGBT, Application: Power Factor Correction circuit)
2023-07-07 20:26:12
0 RJP65T54DPM-A0 數(shù)據(jù)表 (650V - 30A - IGBT Application: Partial switching circuit)
2023-07-10 19:00:43
0 RJH65D27BDPQ-A0 數(shù)據(jù)表 (650V - 50A - IGBT Application: Inverter)
2023-07-10 20:42:51
0 圳市森國科科技股份有限公司日前發(fā)布了第五代Thinned MPS SiC二極管KS04065(650V/4A)、KS06065(650V/6A)
2023-07-12 17:06:27
2049 
供應(yīng)40A、650V新能源絕緣柵雙極型晶體管SGTP40V65SDB1P7,提供SGTP40V65SDB1P7關(guān)鍵參數(shù),更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向士蘭微mos代理驪微電子申請。>>
2022-08-01 16:18:47
3 供應(yīng)SGTP75V65SDS1P775A、650V光伏逆變器igbt-三相igbt逆變電源,提供SGTP75V65SDS1P7關(guān)鍵參數(shù),更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向士蘭微mos代理驪微電子申請。>>
2022-08-02 17:12:19
8 650V高壓低功耗非隔離電源芯片,默認輸出12V,最大電流2A,具有輸出可設(shè)置3-24V
2023-12-01 19:19:03
0 IGBT 作為一種功率半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于工業(yè)節(jié)能、電動汽車和新能源裝備等領(lǐng)域。IGBT 具有節(jié)能、安裝方便、維護方便、散熱穩(wěn)定等特點,是能量轉(zhuǎn)換和傳輸?shù)暮诵难b置。瑞能的650V IGBT產(chǎn)品在電性能和可靠性等方面具備諸多優(yōu)勢,在行業(yè)內(nèi)也處于領(lǐng)先地位。
2023-12-26 13:31:35
1604 
本次推出的產(chǎn)品主要為50A 650V TO-247封裝IGBT單管;
2024-03-15 14:26:07
46430 
近日,國內(nèi)半導(dǎo)體功率器件領(lǐng)軍企業(yè)揚州揚杰電子科技股份有限公司(以下簡稱“揚杰科技”)再度刷新業(yè)界認知,推出了一款專為光伏儲能充電樁等高頻應(yīng)用而設(shè)計的50A 650V TO-247封裝IGBT單管產(chǎn)品
2024-03-16 10:48:19
2224 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《650V 6A溝槽和場阻IGBT JJT6N65ST數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
2024-04-08 16:35:25
3 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《650V 10A溝槽和場阻IGBT JJT10N65SC資料文檔.pdf》資料免費下載
2024-04-08 17:15:31
1 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《650V 10A溝槽和場阻IGBT JJT10N65SS文檔.pdf》資料免費下載
2024-04-09 16:22:11
2 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《650V 15A溝槽和場阻IGBT JJT15N65SC數(shù)據(jù)手冊.pdf》資料免費下載
2024-04-10 15:20:03
0 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《650V 15A溝槽和場阻IGBT JJT15N65SY數(shù)據(jù)手冊.pdf》資料免費下載
2024-04-10 15:22:42
0 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《650V 20A溝槽和場阻IGBT JJT20N65SC數(shù)據(jù)手冊.pdf》資料免費下載
2024-04-10 15:25:13
0 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《650V 20A溝槽和場阻IGBT JJT20N65SE數(shù)據(jù)手冊.pdf》資料免費下載
2024-04-10 15:41:33
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2024-04-10 16:56:38
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2024-04-10 17:03:02
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2024-04-10 17:08:18
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2024-04-10 17:09:16
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2024-04-10 17:49:43
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2024-04-10 17:53:39
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2024-04-10 17:56:15
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2024-04-10 17:57:22
1 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《650V 75A溝槽和場阻IGBT JJT75N65HCN數(shù)據(jù)手冊.pdf》資料免費下載
2024-04-10 17:58:32
0 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《650V 75A溝槽和場阻IGBT JJT75N65HE數(shù)據(jù)手冊.pdf》資料免費下載
2024-04-10 18:01:09
0 650V?300mA/1000mA電機驅(qū)動應(yīng)用電源ic U5402? ? 電源ic U5402典型應(yīng)用在功率MOSFET / IGBT驅(qū)動器、家電電機驅(qū)動應(yīng)用、LED照明電源、感應(yīng)加熱、DC-AC
2024-07-24 16:49:38
1232 新品650V高速半橋柵極驅(qū)動器2ED2388S06F650V高速半橋柵極驅(qū)動器,具有典型的0.29A源電流和0.7A灌電流,采用DSO-8封裝,用于驅(qū)動功率MOSFET和IGBT。產(chǎn)品型號
2024-07-27 08:14:36
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新潔能650V Gen.7系列IGBT產(chǎn)品,基于微溝槽場截止技術(shù),可大幅提高器件的元胞結(jié)構(gòu)密度。采用載流子存儲設(shè)計、多梯度緩沖層設(shè)計、超薄漂移區(qū)設(shè)計,大幅度提升器件的電流密度。同時優(yōu)化了器件的開關(guān)特性,為系統(tǒng)設(shè)計提供更大的余量。
2024-08-15 16:34:22
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森國科近期推出的650V/60A IGBT(型號:KG060N065LD-R),憑借其業(yè)界領(lǐng)先的低傳導(dǎo)損耗和高速開關(guān)性能,在電力電子領(lǐng)域引起了廣泛關(guān)注。
2024-10-17 15:41:59
898 森國科推出的650V/6A IGBT(型號:KG006N065SD-B)在風(fēng)扇、泵和吸塵器等家電領(lǐng)域的應(yīng)用上做到了高效電機驅(qū)動和精準控制。
2024-11-13 16:36:13
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NSG6000是650V電壓功率MOSFET和IGBT半橋柵驅(qū)動器。自帶死區(qū)保護、高低側(cè)互鎖功能,防止高低側(cè)直通。具有較強的VS負偏壓、負過沖耐受能力。輸入電平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL邏輯輸出電平。具有寬VCC范圍、帶滯后的欠壓鎖定。
2025-01-07 10:58:26
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JL3I200V65RE2PN為650V /200A INPC三電平逆變模塊,采用溝槽柵場終止技術(shù)IGBT7芯片,帶熱敏電阻(NTC)和可選 PressFIT壓接針腳技術(shù)。
2025-01-16 14:16:08
1125 650V SiC碳化硅MOSFET全面取代超結(jié)MOSFET和高壓GaN氮化鎵器件
2025-01-23 16:27:43
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全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM近日宣布,其采用TOLL(TO-LeadLess)封裝的650V耐壓GaN HEMT(高電子遷移率晶體管)“GNP2070TD-Z”已成功投入量產(chǎn)。這一里程碑式的進展
2025-02-18 10:03:53
1194 隨著BASiC基本半導(dǎo)體等企業(yè)的650V碳化硅MOSFET技術(shù)升級疊加價格低于進口超結(jié)MOSFET,不少客戶已經(jīng)開始動手用國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET全面取代超結(jié)MOSFET,電源客戶從超結(jié)MOSFET升級至650V碳化硅MOSFET的根本驅(qū)動力分析。
2025-03-01 08:53:44
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內(nèi)置650V MOSFET的高可靠性PSR AC-DC轉(zhuǎn)換器CN1812
2025-03-05 10:09:23
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GNP1070TC-Z是一款650V GaN HEMT,實現(xiàn)了業(yè)內(nèi)出色的FOM 。該產(chǎn)品屬于EcoGaN?系列產(chǎn)品,利用該系列產(chǎn)品低導(dǎo)通電阻和高速開關(guān)的特性,有助于提高功率轉(zhuǎn)換效率并減小產(chǎn)品尺寸
2025-03-07 15:46:54
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輸入邏輯電平。LPD2106具有高可靠性和抗干擾能力,高壓耐壓達650V,開關(guān)節(jié)點動態(tài)能力支持達50V/ns,瞬態(tài)耐壓能力達-60V (100ns)。LPD2106集成了完善的保護功能,集成了輸入最小
2025-03-08 10:11:28
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新品650VCoolMOS8超結(jié)(SJ)MOSFET英飛凌推出全新650VCoolMOS8引領(lǐng)全球高壓超結(jié)SJMOSFET技術(shù),為行業(yè)技術(shù)和性價比樹立了全球標準。該系列為高功率應(yīng)用提供了額外的50V
2025-07-04 17:09:03
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CoolGaN BDS 650V G5雙向開關(guān)。這款基于氮化鎵(GaN)技術(shù)的單片雙向開關(guān),憑借其卓越的性能和創(chuàng)新的設(shè)計,正在成為高效電力轉(zhuǎn)換領(lǐng)域的明星產(chǎn)品。
2025-08-28 13:52:11
3435 隨著便攜儲能、新能源及工業(yè)電源應(yīng)用對高效率、高功率密度需求的不斷提升,IGBT作為電力電子系統(tǒng)的核心開關(guān)器件,其性能已成為決定整機效能與可靠性的關(guān)鍵因素。為應(yīng)對市場對高性能功率器件的迫切需求,龍騰半導(dǎo)體正式推出四款650V F系列IGBT新品,致力于為高頻、高效應(yīng)用提供更優(yōu)異的解決方案。
2025-10-24 14:03:30
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在工業(yè)電源、電機驅(qū)動及照明系統(tǒng)等高壓應(yīng)用場景中,功率MOS管的可靠性、能效與成本控制直接決定了終端產(chǎn)品的市場競爭力。合科泰電子推出的高壓MOS管 HKTD7N65,憑借650V耐壓、7A電流與低至1.08Ω的導(dǎo)通電阻,為工程師提供了一款兼具高性能與高可靠性的國產(chǎn)功率器件新選擇。
2025-11-07 17:46:10
1418 在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域,IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)一直扮演著至關(guān)重要的角色。今天要給大家詳細介紹的是安森美(onsemi)的一款 650V、50A 的場截止溝槽 IGBT
2025-12-08 11:35:35
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深挖1ED21x7x系列:650V高端柵極驅(qū)動器的卓越性能與應(yīng)用解析 在電力電子領(lǐng)域,柵極驅(qū)動器的性能對于功率器件的高效、穩(wěn)定運行起著關(guān)鍵作用。今天我們就來深入探討英飛凌(Infineon
2025-12-18 16:10:12
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