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電子發(fā)燒友網(wǎng)>嵌入式技術>嵌入式操作系統(tǒng)>海力士反行業(yè)主流看法:今年DRAM芯片恐將過剩

海力士反行業(yè)主流看法:今年DRAM芯片恐將過剩

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SK海力士推出新款DRAM 將實現(xiàn)單一芯片標準內(nèi)世界最大容量

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據(jù)韓聯(lián)社報道,投資機構Eugene預測,由于受到新冠肺炎的影響,DRAM價格將在今年下半年下跌,且下修了SK海力士的目標股價。
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DRAM價格今年下半年將下跌,SK海力士營業(yè)利潤預測下調(diào)至4.5萬億韓元

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三星與SK海力士同步看好DRAM后市 預測后期不排除出現(xiàn)短缺

韓國記憶體兩大廠三星(Samsung)與SK海力士(Hynix)同步看好動態(tài)隨機存取記憶體(DRAM)后市,激勵DRAM制造廠南亞科(2408)與華邦電(2344)股價走揚。 三星預期,受惠5G需求
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2020-10-29 12:11:472793

SK海力士已開始安裝EUV光刻機,以量產(chǎn)10nm 1a DRAM

據(jù)etnews報道,SK海力士已開始在其位于韓國利川的M16工廠安裝EUV光刻機,以量產(chǎn)10nm 1a DRAM。 此前SK海力士宣布將在今年年內(nèi)在M16廠建設產(chǎn)線以生產(chǎn)下一代DRAM,不過并未透露
2021-01-20 18:19:202943

SK海力士預計今年內(nèi)存芯片需求強勁

1月31日消息,據(jù)國外媒體報道,周五,芯片制造商SK海力士表示,由于服務器和移動行業(yè)的增長,預計今年內(nèi)存芯片需求強勁。
2021-02-01 09:13:331826

SK海力士將首次使用EUV光刻機生產(chǎn)芯片

存儲芯片廠商SK海力士今天宣布,其公司位于韓國首爾南部利川市的M16新廠已經(jīng)竣工,SK海力士將首次使用極紫外輻射(EUV)光刻機在生產(chǎn)存儲芯片。SK海力士經(jīng)過兩年的時間,花費了3.5萬億韓元(約合
2021-02-02 15:00:152767

SK海力士成功開發(fā)出業(yè)界第一款HBM3 DRAM 內(nèi)存芯片

韓國SK海力士公司剛剛正式宣布已經(jīng)成功開發(fā)出業(yè)界第一款HBM3 DRAM內(nèi)存芯片,可以實現(xiàn)24GB的業(yè)界最大的容量。HBM3 DRAM內(nèi)存芯片帶來了更高的帶寬,每秒處理819GB的數(shù)據(jù),相比上一代速度提高了78%。
2021-10-20 16:22:142672

三星/SK海力士提交芯片業(yè)務信息,中國客戶信息將泄露

為解決全球芯片荒,美國政府要求芯片制造商自愿分享商業(yè)資料,引發(fā)業(yè)者擔憂,此舉泄漏商業(yè)機密。 不過,原持猶豫態(tài)度的韓國芯片巨頭三星電子(Samsung Electronics)和SK海力士(SK
2021-11-08 17:16:28643

SK海力士季度虧損創(chuàng)紀錄 sk海力士2022年財報難看

被壓制,消費電子市場更是暴雷不斷,SK 海力士的大部分利潤來自于銷售內(nèi)存芯片。對于虧損SK海力士稱第四季度虧損主要原因是電腦和智能手機的需求低迷導致存儲芯片需求減少;疊加芯片價格大幅下滑導致。 內(nèi)存芯片行業(yè)面臨著嚴重供需失衡,而鑒
2023-02-01 16:52:123954

超SK海力士,美光躍居第二大DRAM供應商

芯片行業(yè)持續(xù)衰退的情況下,美國芯片制造商美光科技公司九年來首次超越韓國 SK 海力士公司成為全球動態(tài)隨機存取存儲器 (DRAM) 市場的第二大廠商。 根據(jù)臺灣市場研究公司 TrendForce
2023-06-01 08:46:061184

SK海力士宣布今年加薪4.5%

sk海力士27日表示,勞資雙方在前一天的工資談判中就上述內(nèi)容暫時達成了協(xié)議。政府決定將上調(diào)4.5%,但今年1月以后上調(diào)的部分,如果季度營業(yè)利潤轉為順差,就追溯支付。如果今年季度不能實現(xiàn)營業(yè)利潤,就不上調(diào)今年的工資,并追溯適用勞資雙方在確認明年盈利時達成協(xié)議的2023年的工資上調(diào)。
2023-06-28 11:14:522031

SK海力士將為蘋果Vision Pro MR設備提供專用DRAM

為了實現(xiàn)這一功能,還必須適合用于輔助計算的dram。現(xiàn)有智能手機使用的移動dram的速度是有限的。sk海力士根據(jù)蘋果公司的要求,提供了最適合操作r1芯片dram。大幅增加了輸入/輸出(i/o)頻道的數(shù)量,可以將數(shù)據(jù)迅速傳送到存儲器內(nèi)外。
2023-07-12 09:39:561019

Meta、英偉達相繼拜訪SK海力士,要求額外供應DDR5/HBM

meta是SK海力士的主要顧客之一,正在購買為構建和擴張數(shù)據(jù)中心的企業(yè)用ssd (ssd)和服務器dram。據(jù)悉,對ai服務器投入大量資金的meta還要求sk海力士追加提供高性能、高效率的ddr5服務器dram
2023-08-30 10:03:331393

DRAM ,終于迎來了春天

芯片供應過剩、需求低迷的情況下,DRAM芯片現(xiàn)貨價格自2022年2月以來一直處于下跌狀態(tài)。三星和SK海力士自去年底開始大幅削減芯片產(chǎn)量,導致芯片庫存資產(chǎn)觸底反彈,芯片價格持續(xù)走低。價格依次回升。
2023-10-09 16:35:591336

SK海力士資本支出大增,HBM是重點

SK海力士明年計劃的設施投資為10萬億韓元(76.2億美元),超出了市場預期。證券界最初預測“SK海力士明年的投資額將與今年類似,約為6萬億至7萬億韓元”。鑒于經(jīng)濟挑戰(zhàn),觀察人士預計嚴格的管理措施將延續(xù)到明年。由于存儲半導體價格大幅下跌,SK海力士預計今年赤字將超過8萬億韓元。
2023-11-22 17:28:051540

傳三星/SK海力士已開始訂購DRAM機群工藝和HBM相關設備

數(shù)據(jù)顯示,首爾半導體操作 DRAM晶圓及HBM相關設備的定單數(shù)量有所上升。其中三星電子已開始擴大其HBM生產(chǎn)能力,并啟動大規(guī)模HBM設備采購;此外,三星和SK海力士計劃加強DRAM技術轉移,進一步加大對DRAM的投資力度。
2024-01-08 10:25:221580

SK海力士持續(xù)投資無錫的原因

無錫工廠是SK海力士的核心生產(chǎn)基地,其產(chǎn)量約占公司DRAM總產(chǎn)量的40%。目前,無錫工廠正在生產(chǎn)兩款較舊的10nm制程DRAM。
2024-01-31 11:23:051539

SK海力士擴大對芯片投資

SK海力士正積極應對AI開發(fā)中關鍵組件HBM(高帶寬存儲器)日益增長的需求,為此公司正加大在先進芯片封裝方面的投入。SK海力士負責封裝開發(fā)的李康旭副社長明確指出,公司正在韓國投入超過10億美元,以擴大和改進其芯片封裝技術。
2024-03-08 10:53:441798

為什么碳化硅芯片能夠成為行業(yè)主流

適合高頻應用。現(xiàn)如今,SiC芯片已經(jīng)成為了行業(yè)的新寵。今天我們就來詳細聊聊,為什么碳化硅芯片能夠成為主流。01碳化硅芯片之所以能夠成為行業(yè)主流,最重要的因素是其擁有
2024-03-25 15:52:321679

剛剛!SK海力士出局!

在基礎晶圓上通過硅通孔(TSV)連接多層DRAM,首批HBM3E產(chǎn)品均采用8層堆疊,容量為24GB。SK海力士和三星分別在去年8月和10月向英偉達發(fā)送了樣品。此前有消息稱,英偉達已經(jīng)向SK海力士支付了約合5.4億至7.7億美元的預付款,供應下一代HBM3E。 SK海力士和三星都在推進12層
2024-03-27 09:12:081225

SK海力士、三星電子年內(nèi)啟動1c納米DRAM內(nèi)存量產(chǎn)

三星近期在Memcon 2024行業(yè)會議中聲稱,計劃于今年底以前實現(xiàn)1c nm工藝的量產(chǎn)。另據(jù)行業(yè)消息人士透露,SK海力士已確定在第三季度實現(xiàn)1c納米DRAM內(nèi)存的商業(yè)化生產(chǎn)。
2024-04-09 16:53:051425

SK海力士:預計其HBM銷售額今年有望超過20億美元!

SK海力士最近透露,預計其HBM銷售額今年將“占其DRAM芯片銷售額的兩位數(shù)百分比”。
2024-04-29 10:50:411195

SK海力士考慮新建DRAM工廠

SK海力士,作為全球領先的內(nèi)存芯片制造商,正在積極考慮建設一家新的DRAM工廠。這一決策源于其現(xiàn)有的龍仁芯片集群投產(chǎn)計劃的推遲,以及對今年內(nèi)存芯片需求大幅增長的預測。
2024-05-06 10:52:02982

漲價20%!三星、 SK 海力士將停止供貨這類芯片

業(yè)界傳出,全球前二大DRAM供貨商三星、SK海力士全力沖刺高帶寬內(nèi)存(HBM)與主流DDR5規(guī)格內(nèi)存,下半年起將停止供應DDR3利基型DRAM,引起市場搶貨潮,導致近期DDR3價格飆漲,最高漲幅達二成,且下半年報價還會再上揚。
2024-05-14 10:31:58877

三星電子與SK海力士預測存儲芯片市場需求強烈,HBM產(chǎn)能售罄

全球知名存儲芯片制造巨頭三星及SK海力士預判,今年DRAM和高帶寬存儲器(HBM)價格將持續(xù)攀升,受益于市場對于高端芯片,尤其是人工智能相關芯片的強大需求。
2024-05-15 09:23:52983

三星和SK海力士未恢復增產(chǎn)并計劃限制DRAM產(chǎn)量

 根據(jù)行業(yè)預估,三星和SK海力士有望在今年擴展產(chǎn)量以應對逐步好轉的半導體市場環(huán)境。然而,他們在今年一季度財政報告會上均表示,DRAM產(chǎn)量可能會受到制約。
2024-05-22 14:49:59971

三星、SK海力士DRAM和NAND產(chǎn)量持保守態(tài)度

DRAM和NAND芯片的生產(chǎn)上,三星和SK海力士兩大巨頭依然保持謹慎態(tài)度。盡管四月份8Gb DDR4 DRAM通用內(nèi)存的合約價環(huán)比上漲,這一上漲主要歸因于地震影響美光內(nèi)存產(chǎn)能,進而推動了通用內(nèi)存需求的短暫上升。
2024-05-22 14:54:491035

SK海力士HBM4芯片前景看好

瑞銀集團最新報告指出,SK海力士的HBM4芯片預計從2026年起,每年將貢獻6至15億美元的營收。作為高帶寬內(nèi)存(HBM)市場的領軍企業(yè),SK海力士已在今年2月宣布其HBM產(chǎn)能已全部售罄,顯示其產(chǎn)品的強勁需求。
2024-05-30 10:27:221511

SK海力士引入創(chuàng)新MOR技術于DRAM生產(chǎn)

SK海力士在半導體領域再次邁出創(chuàng)新步伐,計劃在其第6代(1c工藝,約10nm)DRAM的生產(chǎn)中,首次采用Inpria的下一代金屬氧化物光刻膠(MOR)。這一突破性的應用標志著MOR技術正式進入DRAM量產(chǎn)工藝。
2024-05-30 11:02:581506

SK海力士加大1b DRAM產(chǎn)能以滿足市場需求

在全球半導體產(chǎn)業(yè)風起云涌的當下,SK海力士再次展現(xiàn)出其前瞻性和決斷力。據(jù)行業(yè)內(nèi)部消息透露,該公司正積極擴大其第5代1b DRAM的生產(chǎn)規(guī)模,以應對當前市場對HBM(高帶寬內(nèi)存)及DDR5 DRAM不斷增長的需求。
2024-06-17 16:30:501183

SK海力士擴產(chǎn)1b DRAM,引領存儲行業(yè)新熱潮

在6月17日傳來的最新消息中,全球知名的半導體制造商SK海力士正積極布局,大力擴展其第5代1b DRAM的生產(chǎn)規(guī)模。這一舉措旨在應對日益增長的高帶寬內(nèi)存(HBM)和DDR5 DRAM的市場需求,進一步鞏固其在存儲領域的領先地位。
2024-06-17 16:50:021580

SK海力士五層堆疊的3D DRAM生產(chǎn)良率達到56.1%

近日,半導體行業(yè)迎來了一項重大技術突破。據(jù)BUSINESSKOREA報道,在6月16日至6月20日于美國夏威夷舉行的半導體盛會“VLSI 2024”上,韓國半導體巨頭SK hynix(SK海力士
2024-06-24 15:35:291745

三星與海力士引領DRAM革新:新一代HBM采用混合鍵合技術

在科技日新月異的今天,DRAM(動態(tài)隨機存取存儲器)作為計算機系統(tǒng)中的關鍵組件,其技術革新一直備受矚目。近日,據(jù)業(yè)界權威消息源透露,韓國兩大DRAM芯片巨頭——三星和SK海力士,都將在新一代高帶寬
2024-06-25 10:01:361486

SK海力士5層堆疊3D DRAM制造良率已達56.1%

在全球半導體技術的激烈競爭中,SK海力士再次展示了其卓越的研發(fā)實力與創(chuàng)新能力。近日,在美國夏威夷舉行的VLSI 2024峰會上,SK海力士宣布了其在3D DRAM技術領域的最新研究成果,其中5層堆疊的3D DRAM良品率已高達56.1%,這一突破性的進展引起了業(yè)界的廣泛關注。
2024-06-27 10:50:221473

美光HBM市場雄心勃勃,SK海力士加速應對挑戰(zhàn)

雄心勃勃的宣言無疑給當前HBM市場的兩大主要競爭對手——SK海力士和三星帶來了不小的競爭壓力,尤其是SK海力士,作為韓國DRAM行業(yè)的領軍企業(yè),正嚴陣以待,積極調(diào)整策略以應對美光的挑戰(zhàn)。
2024-07-03 09:28:591061

SK海力士轉向4F2 DRAM以降低成本

SK海力士近日宣布了一項重要計劃,即開發(fā)采用4F2結構(垂直柵)的DRAM。這一決策緊跟其競爭對手三星的步伐,標志著SK海力士DRAM制造領域的新探索。SK海力士研究員表示,隨著極紫外(EUV
2024-08-14 17:06:431670

SK海力士M16晶圓廠擴產(chǎn),DRAM產(chǎn)能將增18%

SK 海力士,作為全球知名的半導體巨頭,近期宣布了一項重要的擴產(chǎn)計劃,旨在通過擴大M16晶圓廠的生產(chǎn)規(guī)模,顯著提升其DRAM內(nèi)存產(chǎn)能。據(jù)韓媒報道,SK 海力士已積極與上游設備供應商合作,訂購了關鍵生產(chǎn)設備,以加速提升M16晶圓廠在HBM(高帶寬內(nèi)存)及通用DRAM內(nèi)存方面的生產(chǎn)能力。
2024-08-16 17:32:241920

SK海力士開發(fā)出第六代10納米級DDR5 DRAM

SK海力士宣布了一項重大技術突破,成功開發(fā)出全球首款采用第六代10納米級(1c)工藝的16Gb DDR5 DRAM。這一里程碑式的成就標志著SK海力士在半導體存儲技術領域的領先地位。
2024-08-29 16:39:151255

SK海力士開始先進人工智能芯片生產(chǎn)

SK海力士宣布,公司已正式踏入人工智能芯片生產(chǎn)的新階段,批量生產(chǎn)業(yè)界領先的12層HBM3E芯片。這款芯片不僅代表了SK海力士在內(nèi)存技術上的重大突破,更以36GB的超大容量刷新了現(xiàn)有HBM產(chǎn)品的記錄,為全球人工智能領域的發(fā)展注入了強勁動力。
2024-09-26 14:24:41876

SK海力士調(diào)整生產(chǎn)策略,聚焦高端存儲技術

近日,SK海力士正逐步調(diào)整其生產(chǎn)策略,降低DDR4的生產(chǎn)比重。在今年第三季度,DDR4的生產(chǎn)比重已從第二季度的40%降至30%,并計劃在第四季度進一步降至20%。這一調(diào)整或將意味著SK海力士將有
2024-11-07 11:37:181276

SK海力士被曝贏得博通 HBM 訂單,預計明年 1b DRAM 產(chǎn)能將擴大到 16~17 萬片

存儲芯片,并將其應用到一家大型科技公司的 AI 計算芯片上。SK 海力士預計將在明年下半年供應該芯片。 ? 由于需要同時向英偉達和博通供應 HBM,SK 海力士肯定會調(diào)整其 DRAM 產(chǎn)能預測。這家公司計劃
2024-12-21 15:16:46915

SK海力士增產(chǎn)HBM DRAM,應對AI芯片市場旺盛需求

SK海力士今年計劃大幅提升其高帶寬內(nèi)存(HBM)的DRAM產(chǎn)能,目標是將每月產(chǎn)能從去年的10萬片增加至17萬片,這一增幅達到了70%。此舉被視為該公司對除最大客戶英偉達外,其他領先人工智能(AI)芯片公司需求激增的積極回應。
2025-01-07 16:39:091308

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