SK海力士開發(fā)的HBM2E DRAM產(chǎn)品具有業(yè)界最高的帶寬。與之前的HBM2相比，新款HBM2E擁有大約50％的帶寬和100％的額外容量。 該公司透露，SK Hynix的HBM2E支持超過每秒
2019-08-13 09:28:41
6584 ，2019年12月提升為開發(fā)制造總裁。 DRAM和NAND Flash市場密不可分，SK海力士相關(guān)人士表示：SK海力士首席執(zhí)
2019-12-07 00:53:004758 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)歷經(jīng)過去一年多低迷期后，近日芯片價格終于出現(xiàn)反彈跡象，令券商看好三星電子及SK海力士（SK Hynix）兩大韓國芯片業(yè)者今年獲利好轉(zhuǎn)。 券商分析預(yù)計，今年第一季DRAM及NAND
2020-01-05 00:15:004400 2020年2月，固態(tài)存儲協(xié)會(JEDEC)對外發(fā)布了第三版HBM2存儲標準JESD235C，隨后三星和SK海力士等廠商將其命名為HBM2E。 ? 相較于第一版（JESD235A）HBM2引腳
2021-08-23 10:03:282441 三星電子和SK海力士在2012年第四季度繼續(xù)引領(lǐng)全球DRAM市場，它們兩家公司在該領(lǐng)域的市場份額之和達到67%。
2013-02-20 18:11:02947 為突破半導(dǎo)體市場的不景氣，三星電子（Samsung Electronics）致力升級微細制程技術(shù)；SK海力士（SK Hynix）則準備以史上最大規(guī)模的投資計劃應(yīng)戰(zhàn)。
2016-01-26 08:19:58849 全球三大DRAM廠三星、SK海力士（SK Hynix）及美光，近期不約不同相繼寄出存證信函給跳槽到大陸合肥長鑫、及為福建晉華負責(zé)研發(fā)的聯(lián)電核心成員，全力防堵DRAM技術(shù)流入中國大陸。據(jù)了解，合肥長鑫開出現(xiàn)有華亞科三倍的高薪進行挖角，且鎖定人數(shù)高達兩百人，遠高于紫光集團出的雙倍薪，已有不少人決定投效。
2016-12-26 10:12:562894 
根據(jù)2016年第三季度的統(tǒng)計，三星電子在DRAM存儲器領(lǐng)域已拿下半壁江山，達到驚人的50.2%，而另一家韓國大廠SK海力士則占了24.8%的市場份額。而在NAND FLASH這一塊，三星電子占全球市占率的36.6%，SK海力士則占了10.4%。
2016-12-29 10:09:074436 
因為DRAM價格因供給短缺而以高角度上揚之賜，韓國兩大存儲器廠三星與SK海力士，今年半導(dǎo)體營業(yè)利潤年增五成，來到史無前例的25兆韓圜。
2017-02-13 08:30:09753 Gartner發(fā)布的2018全球半導(dǎo)體市場營收報告顯示，按全年營收計算，三星、英特爾、SK海力士是當今全球三大半導(dǎo)體巨頭，高通則排名第六。 三星電子得益于DRAM內(nèi)存芯片市場的發(fā)展，繼續(xù)穩(wěn)固了全球
2019-01-20 11:41:401914 而對于來勢洶洶的英特爾，三星與 SK 海力士隨即表示，將推出相類似的產(chǎn)品以抗衡英特爾。
2019-05-06 15:03:497726 日前，據(jù)韓國媒體報道，三星電子和SK海力士都將在DRAM生產(chǎn)中導(dǎo)入EUV技術(shù)，以建立更高的技術(shù)壁壘。對此，美光（Micron）企業(yè)副總裁、中國臺灣美光董事長徐國晉表示，美光不打算跟進，目前并無采用 EUV 計劃。
2020-10-09 10:34:452742 。 ? 圖源：SK海力士官網(wǎng) ? SK海力士將這一進展定義為：意義非凡。 ? 激進的三星和SK海力士 在談?wù)揈UV DRAM是否非凡之前，我們先了解一些關(guān)聯(lián)技術(shù)。從原理上說，光刻技術(shù)就是利用光化學(xué)反應(yīng)原理和化學(xué)、物理刻蝕方法將掩模板上的圖案傳遞到晶圓的工藝技術(shù)。近半個多世紀，半導(dǎo)
2021-07-13 06:36:583394 
SK海力士（或“公司”，www.skhynix.com） 宣布業(yè)界首次成功開發(fā)現(xiàn)有最佳規(guī)格的HBM3 DRAM。
2021-10-20 10:07:472155 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/黃晶晶）新型存儲HBM隨著AI訓(xùn)練需求的攀升顯示出越來越重要的地位。從2013年SK海力士推出第一代HBM來看，HBM歷經(jīng)HBM1、HBM2、HBM2E、HBM3、HBM3E共
2023-10-25 18:25:244378 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/吳子鵬）根據(jù)市場調(diào)研機構(gòu)Omdia的研究報告，隨著全球需求復(fù)蘇，韓國內(nèi)存芯片制造商三星電子和SK海力士今年第二季度加大DRAM晶圓投入，有效結(jié)束減產(chǎn)。 ? Omdia在報告中指
2024-04-12 00:05:006369 
步伐。據(jù)韓媒Kinews等報導(dǎo)，三星2018年下半原計劃對DRAM及NAND Flash進行新投資，傳出將延至2019年，取而代之的是對現(xiàn)有產(chǎn)線進行補強投資，期望獲利維持一定水平。同時，另一家半導(dǎo)體大廠
2018-10-12 14:46:09
三星電子在 HBM3 時期遭遇了重大挫折，將 70% 的 HBM 內(nèi)存市場份額拱手送給主要競爭對手 SK 海力士，更是近年來首度讓出了第一大 DRAM 原廠的寶座。這迫使三星在 HBM4 上采用
2025-04-18 10:52:53
研發(fā)總投資為359.21億美元，成長6%，平均占營收比重13%。相較之下，三星獲利豐厚，但研發(fā)投資卻顯得相對保守。SK海力士對2019年的展望SK海力士認為2019年存儲器市場變動不大，由于半導(dǎo)體市場
2018-12-25 14:31:36
價格迅速下跌。IC Insights預(yù)測，隨著更多的產(chǎn)能上線，供應(yīng)限制開始緩解，DRAM市場增長將會降溫。值得一提的是，據(jù)報道，三星和SK海力士已推遲了部分擴張計劃，原因是預(yù)計客戶需求將出現(xiàn)疲軟，更有
2018-10-18 17:05:17
原裝海力士三星存儲芯片，香港出貨，原包原盒。K4B2G1646F-BCNBK4B2
2020-02-13 14:35:59
與DDR2供給吃緊帶動整體平均售價上揚。而在整體DRAM廠DRAM營收排行中(包含代工)，2006年第二季仍以三星(Samsung)居首，市占率高達24.8%，其次為由英飛凌(Infineon)所獨立出來
2008-05-26 14:43:30
歐電子長期全國回收品原裝存儲芯片：三星samsung，海力士SK hynix，現(xiàn)代hyniy，展訊SPREADTRUM，微芯MICROCHIP，閃迪SANDISK芯片,東芝 TOSHIBA芯片,南亞
2021-08-20 19:11:25
。韓媒分析，一旦中國決定對DRAM三巨頭開罰，韓國產(chǎn)業(yè)將受到巨大的影響，或成中美貿(mào)易摩擦的受害者之一。2018年11月16日，中國國家市場監(jiān)督管理總局反壟斷局局長吳振國表示，對三星、海力士、鎂光三
2018-11-22 14:49:22
大幅成長，而SK海力士、美光(Micron)則是積極回應(yīng)市場的需求。目前三星以64層NAND為主力，2018年下半推進到96層，2019年初便會進展到128層。另外，英特爾(Intel)與美光也在
2018-12-24 14:28:00
，鎂光，南亞，爾必達，華邦，三星samsung，海力士SK hynix，現(xiàn)代hyniy，飛索 Spansion芯片，展訊SPREADTRUM，愛特梅爾ATMEL，英特爾intel等系列芯片...長期專業(yè)回收手機指紋、指紋芯片、定制指紋模組！
2021-08-02 17:44:42
全球三大DRAM廠三星、SK海力士（SK Hynix）及美光，近期不約而同相繼寄出存證信函給跳槽到大陸合肥長鑫、及為福建晉華負責(zé)研發(fā)的聯(lián)電核心成員，全力防堵DRAM技術(shù)流入中國大陸，讓全力發(fā)展自主DRAM研發(fā)的中國大陸踢到鐵板，也讓近期有意跳槽到大陸的華亞科核心技術(shù)人員，遭到空前恫嚇。
2016-12-26 09:44:481040 
AMD則是已經(jīng)在不斷宣揚HBM2的優(yōu)勢，并且專門為其設(shè)置HBCC主控，具備更加強大內(nèi)存尋址性能。AMD已經(jīng)完全押寶在HBM2上了，HBM3的應(yīng)用估計也在路上了。不過AMD的HBM2顯存則是由韓國另一家半導(dǎo)體巨頭SK海力士提供，即將發(fā)布的RX Vega顯卡也是采用了2顆8GB HBM2顯存
2017-07-19 09:52:511840 前不久我們曾報道，市面上目前幾乎所有的HBM2顯存顯卡（NVIDIA Tesla P100、AMD MI25、Vega FE等）采用的都是三星的顆粒，而非SK海力士。
2017-08-05 11:24:272175 據(jù)悉，在今年上半年DRAM價格恐怕很難減下來，還會繼續(xù)保持上漲趨勢。到2018下半年是否增長具體還的看三星、sk海力士的實際增產(chǎn)情況。
2018-01-18 15:24:451011 三星今天宣布，開始生產(chǎn)針腳帶寬2．4Gbps的HBM2顯存，封裝容量8GB，其中，HBM是High Bandwidth Memory高帶寬存儲芯片的簡寫。
2018-07-02 10:23:002585 DRAM價格飆漲帶動2017年全球半導(dǎo)體產(chǎn)值沖破4000億美元，國際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會SEMI預(yù)估，在三星電子、SK海力士（SK Hynix）持續(xù)擴展DRAM產(chǎn)能下，2018年DRAM供給端產(chǎn)能可能再
2018-08-27 17:05:532149 全球DRAM價格在2017、2018年連兩年大幅上揚，對DRAM買方市場形成不少采購壓力，但如今在三星電子（Samsung Electronics）、美光（Micron）及SK海力士（SK
2018-09-10 16:30:321724 就在臺積電與三星在邏輯芯片制程技術(shù)逐漸導(dǎo)入EUV技術(shù)之后，存儲器產(chǎn)業(yè)也將追隨。也就是全球存儲器龍頭三星在未來1Y納米制程的DRAM存儲器芯片生產(chǎn)上，也在研究導(dǎo)入EUV技術(shù)。而除了三星之外，韓國另一家
2018-10-29 17:03:244026 逐漸升溫，三星電子在2017年率先宣布量產(chǎn)第二代10納米(1y)制程DRAM，目前傳出進入第三代10納米(1z)制程開發(fā)。SK海力士(SK Hynix)和美光(Micron)也在不斷加速先進制
2018-11-12 18:04:02533 中國政府2018年5月31日正式發(fā)起了對三星，SK海力士及鎂光的反壟斷調(diào)查，若指控成立，根據(jù)三家企業(yè)自2016年至今在中國市場的銷售行為，最高將面臨80億美元罰款。
2018-11-19 14:13:454220 為了在低迷的環(huán)境中實現(xiàn)逆勢增長，SK海力士未來將持續(xù)專注于高附加值產(chǎn)品和技術(shù)，以應(yīng)對瞬息萬變的市場環(huán)境。比如，擴大16Gb DDR4產(chǎn)品的客戶應(yīng)用，以增加服務(wù)器客戶對高密度DRAM模塊的采用。同時
2019-01-29 14:32:258442 
7月15日業(yè)界資訊，三星電子和SK海力士已完成針對本土氟化氫的可靠性和整合性測試，近日已投入到DRAM生產(chǎn)。
2019-07-17 10:03:303501 韓國存儲器大廠SK海力士25日公布2019年第2季的獲利狀況，因為受到存儲器價格持續(xù)低迷，以及日韓貿(mào)易摩擦等因素的沖擊，凈獲利較2018年同期大降了88%之多，使得SK海力士不得不繼三星傳出要延后平澤P2存儲器產(chǎn)線的投資之后，也宣布該公司的生產(chǎn)調(diào)整計劃。
2019-07-26 16:56:103275 
雖然封裝不易，但 HBM 存儲器依舊會被 AMD 或者是 NVIDIA 導(dǎo)入。SK海力士宣布推出 HBM2E 標準存儲器，而這也是接續(xù) Samsung 之后的第二家。
2019-09-09 16:02:491322 在推進DRAM的制造技術(shù)上，三星、SK海力士和美光這三大玩家從來沒有停止過前進的步伐。
2019-10-24 17:09:541739 本月DRAM現(xiàn)貨價格急漲，以DRAM為主力商品的三星電子、SK海力士等半導(dǎo)體企業(yè)有望改善營收。
2019-12-18 16:36:543205 日前，三星正式宣布推出名為Flashbolt的第三代HBM2(HBM2E)存儲芯片。
2020-02-05 13:49:114064 最近幾周由于三星與LG不少DRAM工廠處于停工或者半停工狀態(tài)，極大影響了市場的供需狀態(tài)。相比2個月前，內(nèi)存的價格幾乎上漲了6成，SSD的價格也同樣水漲船高。不過目前韓國另外一家半導(dǎo)體工廠SK海力士并未打算下調(diào)產(chǎn)能。
2020-03-04 16:12:14897 最近幾周由于三星與LG不少DRAM工廠處于停工或者半停工狀態(tài)，極大影響了市場的供需狀態(tài)。相比2個月前，內(nèi)存的價格幾乎上漲了6成，SSD的價格也同樣水漲船高。不過目前韓國另外一家半導(dǎo)體工廠SK海力士并未打算下調(diào)產(chǎn)能。
2020-03-05 08:51:192548 SK海力士的HBM2E以每個pin 3.6Gbps的處理速度，通過1，024個I/Os（Inputs/Outputs， 輸入/輸出）能夠每秒處理460GB的數(shù)據(jù)。這速度相當于能夠在一秒內(nèi)傳輸124部
2020-07-03 08:42:19870 最新消息，據(jù)韓媒報道，由于美國禁令，三星電子和SK海力士將從下周二（9月15日）開始停止向華為出售芯片！ 雖然三星和SK海力士是韓企，但問題在于，美方禁令要求非美國公司不能向華為出售含有美國設(shè)備或
2020-09-11 15:54:1718654 隨著特朗普政府加強對華為的制裁，三星和 SK 海力士將停止向華為出售零部件。華為真正的危機，來了！ 三星、SK 海力士將斷供華為 近日，根據(jù)朝鮮日報和其他韓國新聞媒體的報道，三星和 SK 海力士
2020-09-15 16:41:402822 目前，三星電子和SK海力士已停止對華為出貨芯片產(chǎn)品。據(jù)報道，SK海力士大約有10%的銷售額來自華為，而華為同樣是三星重要的客戶之一。
2020-09-23 10:20:342432 及資料中心對伺服器記憶體需求升溫，DRAM市場可望在上半年復(fù)甦。 三星并指出，目前晶圓代工廠急于滿足汽車制造商需求，很多代工廠都呈現(xiàn)產(chǎn)能滿載情況，影響代工廠對DRAM及NAND生產(chǎn)進度，反而衝擊智慧手機及平板的出貨速度。 SK海力士并預(yù)期，隨著資料中心伺服器及5G智慧手機增加使
2021-02-01 12:43:001296 韓國半導(dǎo)體已經(jīng)在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈當中占據(jù)了重要的地位。在IC Insights所公布的2020年上半年（1H20）全球十大半導(dǎo)體銷售排名中，韓國廠商就占了兩個名額，分別是排名第二的三星和排名第四的SK海力士。
2020-11-19 15:53:5010094 內(nèi)存價格還在繼續(xù)下降，對于三星、SK海力士等廠商來說，這也刺激了相應(yīng)的出貨量。 TrendForce集邦咨詢公布了2020年第三季度全球DRAM內(nèi)存營收情況，第三季度DRAM總產(chǎn)值174．6億美元
2020-11-23 14:30:431837 11月23日消息，據(jù)國外媒體報道，受三星電子和SK海力士上漲拉動，韓國股市周一收盤創(chuàng)新高。
2020-11-23 16:26:372512 三星宣布新的HBM2內(nèi)存集成了AI處理器，最高可提供1.2 TFLOPS嵌入式計算能力，使內(nèi)存芯片本身可以執(zhí)行CPU、GPU、ASIC或FPGA的操作。
2021-02-20 16:35:462591 數(shù)據(jù)顯示，四季度全球DRAM銷售額同比增長1.1%，達176.5億美元。其中，三星電子市占率為42.1%，銷售額環(huán)比增長3.1%至74.4億美元。SK海力士市場份額為29.5%，銷售額環(huán)比增長5.6%至52億美元。
2021-03-12 09:45:342045 SK海力士在業(yè)界率先開發(fā)出最新高帶寬存儲器（HBM， High Bandwidth Memory）產(chǎn)品HBM31，公司不僅又一次創(chuàng)造歷史，更進一步鞏固了SK海力士在DRAM市場上的領(lǐng)先地位。
2022-09-08 09:28:252219 據(jù)業(yè)界透露，三星電子、sk海力士等存儲半導(dǎo)體企業(yè)正在推進hbm生產(chǎn)線的擴張。兩家公司計劃到明年年底為止投資2萬億韓元以上，將目前hbm生產(chǎn)線的生產(chǎn)能力增加兩倍以上。sk海力士計劃在利川現(xiàn)有的hbm生產(chǎn)基地后，利用清州工廠的閑置空間。
2023-08-01 11:47:021508 據(jù)dram領(lǐng)域的調(diào)查企業(yè)trend force稱，去年第四季度在dram領(lǐng)域，三星以45.1%的世界市場占有率居首位，sk海力士以27.7%位居第二。在nand閃存領(lǐng)域，三星以世界第1位占據(jù)了第4季度的世界市場占有率33.8%，sk海力士（包括solidm）以17.1%占據(jù)了第3位。
2023-08-17 09:38:581100 meta是SK海力士的主要顧客之一，正在購買為構(gòu)建和擴張數(shù)據(jù)中心的企業(yè)用ssd （ssd）和服務(wù)器dram。據(jù)悉，對ai服務(wù)器投入大量資金的meta還要求sk海力士追加提供高性能、高效率的ddr5服務(wù)器dram。
2023-08-30 10:03:331393 sk海力士負責(zé)市場營銷的管理人員表示：“一臺ai服務(wù)器至少需要500gb的hbm高帶寬內(nèi)存和2tb的ddr5內(nèi)存。人工智能是拉動內(nèi)存需求的強大力量?！?b class="flag-6" style="color: red">sk海力士預(yù)測，到2027年，隨著人工智能的發(fā)達，hbm市場將綜合年均增長82%。
2023-09-12 11:32:591493 12月18日，傳聞三星及SK海力士正籌劃于來年加大芯片制造設(shè)備的投入，如三星電子預(yù)計投注27萬億韓元，SK海力士則計劃注入5.3萬億韓元，增幅分別達25%與100%。
2023-12-19 09:20:35974 數(shù)據(jù)顯示，首爾半導(dǎo)體操作 DRAM晶圓及HBM相關(guān)設(shè)備的定單數(shù)量有所上升。其中三星電子已開始擴大其HBM生產(chǎn)能力，并啟動大規(guī)模HBM設(shè)備采購；此外，三星和SK海力士計劃加強DRAM技術(shù)轉(zhuǎn)移，進一步加大對DRAM的投資力度。
2024-01-08 10:25:221580 盡管在2023年面臨存儲芯片市場下滑和價格下跌，SK海力士因應(yīng)人工智能芯片需求的增長，尤其是高帶寬內(nèi)存（HBM）的激增，于去年12月成功超越競爭對手三星電子，躍居韓國第二大市值的位置。
2024-01-12 15:37:251221 三星電子和SK海力士將聯(lián)合投資622萬億韓元，推進“超級集群”計劃。
2024-01-23 11:35:481199 近日，據(jù)報道，三星電子正計劃大規(guī)模擴大其HBM（高帶寬內(nèi)存）產(chǎn)能，以滿足不斷增長的市場需求。這一舉措將進一步加劇與SK海力士的競爭。
2024-01-26 15:33:091210 SK 海力士副總裁 Kim Ki-Tae 對此表示，作為 HBM 行業(yè)翹楚，海力士洞察到市場對 HBM 存儲的巨大需求，現(xiàn)已提前調(diào)整產(chǎn)量，以期更好地滿足市場需求，保護其市場占有率。
2024-02-23 14:12:001306 趨勢，半導(dǎo)體巨頭三星電子和SK海力士正考慮增加工廠的半導(dǎo)體晶圓投入量，以加速向更先進的10納米第四代（1a）和第五代（1b）版本的過渡。
2024-03-06 10:49:491263 三星必須采取一些措施來提高其HBM產(chǎn)量......采用MUF技術(shù)對三星來說有點不得已而為之，因為它最終遵循了SK海力士首次使用的技術(shù)。
2024-03-14 11:00:141518 實現(xiàn)HBM的關(guān)鍵所在為多層DRAM堆疊，市場主要采用兩種鍵合作程： SK海力士旗下的MR-RUF與三星的TC-NCF方案。前者為反流焊接粘附DRAM，后填塑模具填充間隙；后者則為熱壓粘連NCF（非導(dǎo)電薄膜）至各DRAM層之間。
2024-03-14 16:31:211394 HBM3E的推出，標志著SK海力士在高性能存儲器領(lǐng)域取得了重大突破，將現(xiàn)有DRAM技術(shù)推向了新的高度。
2024-03-20 15:23:531844 現(xiàn)如今，SK海力士為英偉達AI半導(dǎo)體提供主要HBM產(chǎn)品，同時自去年起，美光公司也加入了該供應(yīng)陣營。據(jù)悉，相比其他競爭對手，三星電子在HBM授權(quán)上大約晚了一年有余。
2024-03-22 09:53:231383 在基礎(chǔ)晶圓上通過硅通孔（TSV）連接多層DRAM，首批HBM3E產(chǎn)品均采用8層堆疊，容量為24GB。SK海力士和三星分別在去年8月和10月向英偉達發(fā)送了樣品。此前有消息稱，英偉達已經(jīng)向SK海力士支付了約合5.4億至7.7億美元的預(yù)付款，供應(yīng)下一代HBM3E。 SK海力士和三星都在推進12層
2024-03-27 09:12:081225 三星近期在Memcon 2024行業(yè)會議中聲稱，計劃于今年底以前實現(xiàn)1c nm工藝的量產(chǎn)。另據(jù)行業(yè)消息人士透露，SK海力士已確定在第三季度實現(xiàn)1c納米DRAM內(nèi)存的商業(yè)化生產(chǎn)。
2024-04-09 16:53:051425 SK海力士宣布，計劃于2025年下半年推出首款采用12層DRAM堆疊的HBM4產(chǎn)品，而16層堆疊版本的推出將會稍后。根據(jù)該公司上月與臺積電簽署的HBM基礎(chǔ)裸片合作協(xié)議，原本預(yù)計HBM4內(nèi)存要等到2026年才會問世。
2024-05-06 15:10:211338 SK海力士近日宣布，其高帶寬內(nèi)存（HBM）芯片在2025年的產(chǎn)能已經(jīng)基本售罄。這一成績主要歸功于人工智能（AI）技術(shù)的蓬勃發(fā)展，極大地推動了市場對HBM芯片的需
2024-05-07 09:48:39927 HBM 制造商 Kim Gwi-wook 宣布，由于市場需求，SK海力士將提速研發(fā)進程，預(yù)計最快在 2026 年推出 HBM4E 內(nèi)存在內(nèi)存帶寬上比 HBM4 提升 1.4 倍。
2024-05-14 10:23:09978 業(yè)界傳出，全球前二大DRAM供貨商三星、SK海力士全力沖刺高帶寬內(nèi)存（HBM）與主流DDR5規(guī)格內(nèi)存，下半年起將停止供應(yīng)DDR3利基型DRAM，引起市場搶貨潮，導(dǎo)致近期DDR3價格飆漲，最高漲幅達二成，且下半年報價還會再上揚。
2024-05-14 10:31:58877 全球知名存儲芯片制造巨頭三星及SK海力士預(yù)判，今年DRAM和高帶寬存儲器（HBM）價格將持續(xù)攀升，受益于市場對于高端芯片，尤其是人工智能相關(guān)芯片的強大需求。
2024-05-15 09:23:52983 SK海力士公司近日在首爾舉辦的IEEE 2024國際存儲研討會上，由先進HBM技術(shù)團隊負責(zé)人Kim Kwi-wook宣布了一項重要進展。SK海力士計劃從2026年開始，提前一年量產(chǎn)其第七代高帶寬存儲器HBM4E。這一消息表明，SK海力士在HBM技術(shù)領(lǐng)域的研發(fā)速度正在加快。
2024-05-15 11:32:131484 業(yè)內(nèi)評論指出，三星HBM之所以出現(xiàn)問題，主要原因在于負責(zé)英偉達GPU制造的臺積電在驗證過程中采用了SK海力士的標準。由于SK海力士8層HBM3E的生產(chǎn)方式與三星有所差異，導(dǎo)致三星產(chǎn)品未能順利通過驗證。
2024-05-16 17:56:201863 近日，三星和SK海力士宣布，將于下半年停止生產(chǎn)并供應(yīng)DDR3內(nèi)存，轉(zhuǎn)向利潤更高的DDR5內(nèi)存和HBM系列高帶寬內(nèi)存。此舉標志著內(nèi)存行業(yè)的一次重要轉(zhuǎn)型。
2024-05-17 10:12:211563 根據(jù)行業(yè)預(yù)估，三星和SK海力士有望在今年擴展產(chǎn)量以應(yīng)對逐步好轉(zhuǎn)的半導(dǎo)體市場環(huán)境。然而，他們在今年一季度財政報告會上均表示，DRAM產(chǎn)量可能會受到制約。
2024-05-22 14:49:59971 在DRAM和NAND芯片的生產(chǎn)上，三星和SK海力士兩大巨頭依然保持謹慎態(tài)度。盡管四月份8Gb DDR4 DRAM通用內(nèi)存的合約價環(huán)比上漲，這一上漲主要歸因于地震影響美光內(nèi)存產(chǎn)能，進而推動了通用內(nèi)存需求的短暫上升。
2024-05-22 14:54:491035 值得注意的是，早年對HBM技術(shù)表現(xiàn)出濃厚興趣的三星，與英偉達共同研發(fā)了HBM及HBM2系列產(chǎn)品，然而銷售初期市場反應(yīng)冷淡，導(dǎo)致持續(xù)虧損。
2024-05-29 15:50:00932 瑞銀集團最新報告指出，SK海力士的HBM4芯片預(yù)計從2026年起，每年將貢獻6至15億美元的營收。作為高帶寬內(nèi)存（HBM）市場的領(lǐng)軍企業(yè)，SK海力士已在今年2月宣布其HBM產(chǎn)能已全部售罄，顯示其產(chǎn)品的強勁需求。
2024-05-30 10:27:221511 在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)風(fēng)起云涌的當下，SK海力士再次展現(xiàn)出其前瞻性和決斷力。據(jù)行業(yè)內(nèi)部消息透露，該公司正積極擴大其第5代1b DRAM的生產(chǎn)規(guī)模，以應(yīng)對當前市場對HBM（高帶寬內(nèi)存）及DDR5 DRAM不斷增長的需求。
2024-06-17 16:30:501183 在半導(dǎo)體存儲行業(yè)，三星電子和SK海力士兩大韓國巨頭一直以其卓越的技術(shù)和產(chǎn)能占據(jù)市場的重要地位。然而，近期韓媒援引業(yè)內(nèi)人士的消息稱，這兩大巨頭的通用DRAM（動態(tài)隨機存取存儲器）產(chǎn)線開工率目前維持在80%~90%的水平，顯示出市場供需之間的微妙平衡。
2024-06-24 11:26:301244 在科技日新月異的今天，DRAM（動態(tài)隨機存取存儲器）作為計算機系統(tǒng)中的關(guān)鍵組件，其技術(shù)革新一直備受矚目。近日，據(jù)業(yè)界權(quán)威消息源透露，韓國兩大DRAM芯片巨頭——三星和SK海力士，都將在新一代高帶寬
2024-06-25 10:01:361486 雄心勃勃的宣言無疑給當前HBM市場的兩大主要競爭對手——SK海力士和三星帶來了不小的競爭壓力，尤其是SK海力士，作為韓國DRAM行業(yè)的領(lǐng)軍企業(yè)，正嚴陣以待，積極調(diào)整策略以應(yīng)對美光的挑戰(zhàn)。
2024-07-03 09:28:591061 在全球人工智能（AI）技術(shù)持續(xù)升溫的背景下，韓國兩大存儲芯片巨頭——三星電子與SK海力士正積極調(diào)整生產(chǎn)策略，以應(yīng)對日益增長且多樣化的存儲需求。據(jù)韓國媒體最新報道，這兩家公司正分別在其位于平澤和無錫
2024-07-08 12:54:091248 在半導(dǎo)體技術(shù)的浩瀚星空中，三星電子與SK海力士正攜手點亮一顆璀璨的新星——高帶寬存儲器（HBM）晶圓工藝技術(shù)的重大革新。據(jù)韓媒最新報道，這兩家行業(yè)巨頭已正式邁入下一代HBM的技術(shù)探索之旅，其核心在于引入一種旨在防止晶圓翹曲的新技術(shù)，這一變革預(yù)示著HBM制造領(lǐng)域的新篇章。
2024-07-12 09:29:561545 SK海力士近日宣布了一項重要計劃，即開發(fā)采用4F2結(jié)構(gòu)（垂直柵）的DRAM。這一決策緊跟其競爭對手三星的步伐，標志著SK海力士在DRAM制造領(lǐng)域的新探索。SK海力士研究員表示，隨著極紫外（EUV
2024-08-14 17:06:431670 近期，科技界傳來重要消息，三星、SK海力士及美光三大半導(dǎo)體巨頭正全力推進高帶寬內(nèi)存（HBM）的產(chǎn)能擴張計劃。據(jù)預(yù)測，至2025年，這一領(lǐng)域的新增產(chǎn)量將激增至27.6萬個單位，推動年度總產(chǎn)量翻番至54萬個單位，實現(xiàn)驚人的105%年增長率，標志著HBM產(chǎn)能的顯著飛躍。
2024-08-29 16:43:251771 隨著三星電子定于10月8日發(fā)布第三季度初步財務(wù)報告，市場焦點轉(zhuǎn)向了其與SK海力士之間營業(yè)利潤的預(yù)期差距如何進一步拉大。
SK海力士因在高帶寬內(nèi)存（HBM）領(lǐng)域的強勁表現(xiàn)，預(yù)計將迎來歷史最佳
2024-10-08 15:58:351552 韓國交易所近日發(fā)布的數(shù)據(jù)顯示，三星電子與SK海力士的市值份額差距已經(jīng)縮小至近13年來的最低水平。
2024-10-28 15:44:591992 的領(lǐng)先地位，更為未來的高性能計算市場帶來了全新的可能性。 SK海力士CEO郭魯正(Kwak Noh-Jung)表示，盡管業(yè)界普遍認為16層HBM市場將從HBM4時代開始興起，但SK海力士憑借前瞻性的技術(shù)布局
2024-11-05 15:01:201231 SK海力士今年計劃大幅提升其高帶寬內(nèi)存（HBM）的DRAM產(chǎn)能，目標是將每月產(chǎn)能從去年的10萬片增加至17萬片，這一增幅達到了70%。此舉被視為該公司對除最大客戶英偉達外，其他領(lǐng)先人工智能（AI）芯片公司需求激增的積極回應(yīng)。
2025-01-07 16:39:091310 增長42.5%至267.29億美元，環(huán)比減少8.5%。 ? 然而不可忽視的是，在2025年一季度，SK海力士憑借在HBM領(lǐng)域的絕對優(yōu)勢，終結(jié)三星長達四十多年的市場統(tǒng)治地位，以36.7%的市場份額首度登頂全球DRAM市場第一。 ? ? 其實從2024年SK海力士與三星在DRAM上的差距就已經(jīng)開始
2025-05-06 15:50:231221 
SK海力士在鞏固其面向AI的存儲器領(lǐng)域領(lǐng)導(dǎo)地位方面，HBM1無疑發(fā)揮了決定性作用。無論是率先開發(fā)出全球首款最高性能的HBM，還是確立并保持其在面向AI的存儲器市場的領(lǐng)先地位，這些成就的背后皆源于SK海力士秉持的“一個團隊”協(xié)作精神（One Team Spirit）。
2025-06-18 15:31:021667 AMD、微軟和亞馬遜等。 ? HBM（高帶寬存儲器），是由AMD和SK海力士發(fā)起的基于3D堆棧工藝的高性能DRAM，適用于高存儲器帶寬需求的應(yīng)用場合。如今HBM已經(jīng)發(fā)展出HBM2、HBM2e以及HBM3。HBM3E是HBM3的下一代產(chǎn)品，SK海力士目前是唯一能量產(chǎn)HBM3的廠商。 ? HBM 成為
2023-07-06 09:06:313695 
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