Analog Devices(ADI)推出業(yè)界首款片內(nèi)集成數(shù)字I/Q解調(diào)器和抽取濾波器的8通道超聲接收器AD9670
2012-07-27 09:25:07
4699 前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新款通過AEC-Q101認(rèn)證并具有ESD保護(hù)的600V標(biāo)準(zhǔn)整流器---SE20AFJ和SE30AFJ。對于空間有限的應(yīng)用，新器件可提供2A和3A的正向電流和高
2012-11-22 09:11:461355 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出業(yè)界首款采用3.3mm x 3.3mm封裝以實現(xiàn)在4.5V柵極驅(qū)動下4.8mΩ最大導(dǎo)通電阻的20V P溝道MOSFET---Si7655DN。
2012-11-28 21:17:403499 Vishay推出新款通過AEC-Q101認(rèn)證的40V N溝道TrenchFET功率MOSFET---SQM200N04-1m1L。
2012-12-07 14:08:383289 Vishay 宣布，推出2顆通過AEC-Q101認(rèn)證的透射式光傳感器---TCUT1630X01和TCUT1800X01，可用于汽車和工業(yè)領(lǐng)域。Vishay Semiconductors
2018-04-20 14:35:498647 Vishay提供PLCC-2和超小尺寸MiniLED封裝版本，器件通過AEC-Q101認(rèn)證并具有1400 mcd的發(fā)光強度。
2018-07-25 11:29:0512447 業(yè)內(nèi)最受歡迎的適用于AEC-Q101高溫應(yīng)用的BAS16 / 21二極管和BC807 / 817晶體管。
2019-07-07 10:33:181396 Vishay推出采用小型熱增強型PowerPAK? 1212-8SCD封裝新款共漏極雙N溝道60 V MOSFET---SiSF20DN。
2019-12-13 15:54:001878 器件適用于小信號探測，符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)，不透明封裝信噪比優(yōu)異，幾乎無段間公差。
2020-12-18 15:23:291178 Vishay宣布，推出經(jīng)過AEC-Q200認(rèn)證、業(yè)界先進(jìn)的采用混合繞線技術(shù)、標(biāo)準(zhǔn)封裝尺寸的新型充電電阻--- HRHA。
2022-03-16 11:21:341110 
意法半導(dǎo)體最先進(jìn)的40V功率MOSFET可以完全滿足EPS (電動助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng))和EPB (電子駐車制動系統(tǒng)) 等汽車安全系統(tǒng)的機(jī)械、環(huán)境和電氣要求。 這些機(jī)電系統(tǒng)必須符合汽車AEC Q101規(guī)范，具體而言，低壓MOSFET必須耐受高溫和高尖峰電流。
2019-08-09 07:28:08
`Vishay SQ2361MOSFET 符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn)并經(jīng) 100% Rg 和 UIS 測試。SQ2361 汽車用 P 溝道 60V 功率 MOSFET 的 ESD 保護(hù)典型值達(dá)
2019-07-09 17:30:39
Bourns CDSOT23-T24CAN-Q CANbus保護(hù)器是符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的浪涌保護(hù)器，適用于汽車應(yīng)用的CAN接口。CDSOT23-T24CAN-Q采用SOT23-3封裝，設(shè)有雙路
2021-01-27 10:11:12
`NPN中功率晶體管系列，采用表面貼裝器件（SMD）塑料封裝，具有大電流，高功耗，出色的導(dǎo)熱性和導(dǎo)電性等優(yōu)勢。n具有中等功率能力的無鉛超小型SMD塑料封裝（SOT1061）。符合AEC-Q101
2020-03-11 17:20:01
`Nexperia汽車用MOSFET包括一系列符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的器件，符合汽車行業(yè)制定的嚴(yán)格標(biāo)準(zhǔn)。這些Nexperia汽車器件設(shè)計用于比家用和便攜式應(yīng)用中使用的功率MOSFET更惡劣
2021-01-23 11:20:27
AEC-Q101認(rèn)證的車規(guī)級TVS管SM8ZXXA/CA系列，產(chǎn)品系列齊全，以滿足不同標(biāo)準(zhǔn)要求的客戶需求。特性：[size=14.0000pt]1、高可靠性、符合汽車標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101認(rèn)證；[size
2019-03-28 10:45:32
新品發(fā)布|業(yè)界首款！潤開鴻最新推出RISC-V 高性能芯片? OpenHarmony標(biāo)準(zhǔn)系統(tǒng)的智能硬件開發(fā)平臺HH-SCDAYU800
2023-01-13 17:43:15
40V的MOSFET的通態(tài)電阻降低了40%，而阻斷電壓為60V的MOSFET的通態(tài)電阻降幅甚至達(dá)到48%以上。 迄今為止，英飛凌是全球首家推出采用SuperSO8封裝、最大通態(tài)電阻不足1毫歐的40V
2018-12-06 09:46:29
日前，Vishay Intertechnology, Inc.）宣布，推出通過AEC-Q101認(rèn)證的TCPT1300X01和TCUT1300X01表面貼裝透射式(斷續(xù)式)光電傳感器，可用于汽車市場
2019-09-02 07:02:22
)、AEC-Q101(離散組件)、AEC-Q102(離散光電LED)、AEC-Q104(多芯片組件)、AEC-Q200(被動組件)可靠性標(biāo)準(zhǔn)；第二張門票，則要符合零失效(Zero Defect)的供應(yīng)鏈質(zhì)量管理
2018-09-06 17:05:17
AEC-Q101認(rèn)證試驗廣電計量在SiC第三代半導(dǎo)體器件的AEC-Q認(rèn)證上具有豐富的實戰(zhàn)經(jīng)驗，為您提供專業(yè)可靠的AEC-Q101認(rèn)證服務(wù)，同時，我們也開展了間歇工作壽命（IOL）、HAST
2024-01-29 21:35:04
Vishay推出第三代TrenchFET功率MOSFET，采用TurboFET技術(shù)
日前，Vishay Intertechnology推出兩款 20V 和兩款 30V n 通道器件，從而擴(kuò)展其第三代 TrenchFET 功率MOSFET 系列。這些器件首次采用 T
2008-12-08 11:55:09883 
ADI與凌訊科技推出業(yè)界首款符合DMB-TH標(biāo)準(zhǔn)的接收機(jī)解決方案
ADI全球領(lǐng)先的高
2009-07-01 08:39:361241 
小信號應(yīng)用60V功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出采用SOT-923封裝的60V N溝道功率MOSFET --- SiM400。該器件為業(yè)界最小的60V功率MOSFET，比SC-70和SC-90等封裝能節(jié)約更多
2009-12-31 09:59:442304 Vishay推出4款MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出4款新的600V FET">MOSFET --- SiHP22N60
2010-01-27 09:31:291768 Vishay推出500V N溝道功率MOSFET：SiHF8N50L-E3
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款500V N溝道功率MOSFET——SiHF8N50L-E3。與前一代器件相比，該器件的
2010-04-07 10:52:521104 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布， Vishay Siliconix推出新款n溝道功率MOSFET通過JAN認(rèn)證的，分別是60V 2N6660JANTX/JANTXV和90V 2N6661JANTX/JANTXV
2011-11-01 09:26:351925 安捷倫科技公司(NYSE：A)日前宣布推出業(yè)界首款 8 通道 12 位的高速 M9703A 數(shù)字化儀，符合 AXIe 開放標(biāo)準(zhǔn)。AXIe 數(shù)字化儀專為應(yīng)用物理學(xué)的大規(guī)模應(yīng)用而設(shè)計。
2011-11-23 09:02:032532 英飛凌科技股份有限公司擴(kuò)展其車用功率半導(dǎo)體系列產(chǎn)品，推出全新 650V CoolMOS CFDA。這是業(yè)界首創(chuàng)整合高速本體二極體技術(shù)的超接面 MOSFET 解決方案，符合最高的汽車認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn) AEC-Q101。
2012-04-05 09:31:021772 的采用非對稱PowerPAK? SO-8L封裝的新款40V雙芯片N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SQJ940EP和SQJ942EP。Vishay Siliconix 的這兩款器件可用于車載
2013-12-13 15:07:131158 賓夕法尼亞、MALVERN — 2014 年 10 月9 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新的500V家族里首款
2014-10-09 12:59:191841 
賓夕法尼亞、MALVERN — 2015 年 2 月10 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出三款通過AEC-Q101認(rèn)證
2015-02-11 11:59:291340 賓夕法尼亞、MALVERN — 2016 年 4 月13 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出兩顆用于汽車和工業(yè)應(yīng)用的經(jīng)AEC-Q101認(rèn)證的表面貼裝光傳感器---TCPT1600X01和TCUT1600X01。
2016-04-13 14:20:02935 Vishay宣布，推出業(yè)內(nèi)首批通過AEC-Q101認(rèn)證的采用雙片不對稱功率封裝的12V MOSFET---SQJ202EP和20V MOSFET---SQJ200EP，可在汽車應(yīng)用的高效同步降壓
2016-07-11 14:33:171295 系列現(xiàn)已符合AEC-Q101資格，證明這些電子組件符合用于汽車市場的主要標(biāo)準(zhǔn)。美高森美的DQ二極管取得AEC-Q101資格，意味著汽車原始設(shè)備制造商（OEM）以及一級和其他供應(yīng)商能夠在各種車載應(yīng)用中使用這款產(chǎn)品。
2017-06-19 10:20:29980 Littelfuse公司，近日宣布推出兩個符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的瞬態(tài)抑制二極管陣列（SPA?二極管）系列。 AQHV和AQHV-C系列旨在提供特快熔斷、高性能過電壓保護(hù)器件，最適合用于電源接口、乘客充電接口以及LED照明模塊和低速I/O。
2018-05-09 17:15:001442 本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是AEC-Q101基于離散半導(dǎo)體元件應(yīng)力測試認(rèn)證的失效機(jī)理中文標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范。
2018-10-25 08:00:00
39 ROHM新推出四款支持汽車電子產(chǎn)品可靠性標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101※1）的1200V耐壓IGBT“RGS系列”產(chǎn)品。
2019-05-13 18:30:571897 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都）新推出四款支持汽車電子產(chǎn)品可靠性標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101※1）的1200V耐壓IGBT“RGS系列”產(chǎn)品。
2019-05-29 15:15:505922 AECQ101主要對汽車分立器件，元器件標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范要求，AECQ101認(rèn)證將會是汽車級半導(dǎo)體企業(yè)的首選。AEC-Q101認(rèn)證包含了離散半導(dǎo)體元件（如晶體管，二極管等）最低應(yīng)力測試要求的定義和參考測試條件，目的是要確定一種器件在應(yīng)用中能夠通過應(yīng)力測試以及被認(rèn)為能夠提供某種級別的品質(zhì)和可靠性。
2021-05-20 11:50:386819 200CQ – 現(xiàn)已通過AEC-Q101汽車級認(rèn)證。Qspeed硅二極管采用混合PIN技術(shù)，可在軟開關(guān)和低反向恢復(fù)電荷（Qrr）之間提供獨特的平衡。該特性有助于降低EMI和輸出噪聲，這對于車載音響系統(tǒng)特別重要。
2019-09-16 10:23:003616 日前，Vishay Intertechnology， Inc.宣布，推出了一款符合AEC-Q101要求的N通道60 V MOSFET--- SQJ264EP，這是采用PowerPAK? SO-8L
2020-12-15 16:09:502091 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出最新第四代600 V EF系列快速體二極管MOSFET 器件---SiHH070N60EF。
2020-12-23 14:24:542339 Vishay/Siliconix SiR186LDP N溝道60V （D-S） MOSFET采用TrenchFET? Gen IV功率MOSFET技術(shù)。
2021-04-21 17:50:211914 
Vishay DFN1006-2A 封裝二極管 40 V 和 100 V 器件通過 AEC-Q101 認(rèn)證 與傳統(tǒng) SOD/T 封裝二極管相比節(jié)省空間并提高了散熱性能 Vishay 推出超小型可潤濕
2021-10-19 16:57:522959 
Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出兩款n溝道TrenchFET? MOSFET---60 V SiJH600E和80 V SiJH800E，以提高通信和工業(yè)應(yīng)用功率密度、能效和板級可靠性。
2022-02-07 15:37:081785 
100標(biāo)準(zhǔn)、額定電壓1700V的IC。這些新器件是業(yè)界首款采用碳化硅(SiC)初級開關(guān)MOSFET的汽車級開關(guān)電源IC。新IC可提供高達(dá)70W的輸出功率，主要用于600V和800V純電池和燃料電池乘用車，以及電動巴士、卡車和各種工業(yè)電源應(yīng)用。
2022-02-15 11:45:531476 Power Integrations今日發(fā)布兩款新器件，為InnoSwitch3-AQ產(chǎn)品系列新添兩款符合AEC-Q100標(biāo)準(zhǔn)、額定電壓1700V的IC。這些新器件是業(yè)界首款采用碳化硅(SiC)初級
2022-02-16 14:10:122674 Vishay 推出首款 19.0 mm x 17.1 mm x 7.0 mm 6767 外形尺寸，額定電流達(dá) 155A、符合 AEC-Q200 標(biāo)準(zhǔn)的 IHSR 高溫電感器。 Vishay
2022-09-02 15:36:55834 9月20日，廣州廣電計量檢測股份有限公司（簡稱：廣電計量）聯(lián)袂上海陸芯電子科技有限公司（簡稱：上海陸芯），于廣州順利舉行“廣電計量與上海陸芯合作交流會暨上海陸芯IGBT汽車級AEC-Q101驗證報告頒發(fā)儀式”。
2022-09-22 14:54:252260 ROHM新開發(fā)的“RGS系列”是滿足汽車電子產(chǎn)品可靠性標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101的1200V耐壓IGBT。此次推出的4款型號，傳導(dǎo)損耗非常低，非常有助于應(yīng)用的小型化與高效化。
2023-02-09 10:19:231199 
ROHM面向xEV車載充電器和DC/DC轉(zhuǎn)換器，又推出10款SCT3xxxxxHR系列的SiC MOSFET，該系列產(chǎn)品“支持汽車電子產(chǎn)品可靠性標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101”，而且共有13款型號，擁有業(yè)界豐富的產(chǎn)品陣容。
2023-02-09 10:19:241522 
白皮書：GaN FET 技術(shù)和 AEC-Q101 認(rèn)證所需的穩(wěn)健性 – 中文（650 V GaN FET 技術(shù)可提供出色效率，以及 AEC-Q101 認(rèn)證所需的耐久性）-nexperia_whitepaper_...
2023-02-17 19:53:033 白皮書：GaN FET 技術(shù)和 AEC-Q101 認(rèn)證所需的穩(wěn)健性-nexperia_whitepaper_...
2023-02-17 20:08:503 60V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMV230ENEA
2023-03-03 19:34:480 60V、3A N 通道熱 FET 電源開關(guān)
2023-03-17 19:41:550 ℃ AEC-Q101認(rèn)證對象： 晶體管：BJT、MOSFET、IGBT、二極管、Diodes、Rectifier、Zeners、PIN、Varactors 光器件：LEDs、Optocoupler
2023-05-16 15:17:012335 
元件最低應(yīng)力測試要求的定義和參考測試條件，目的是要確定一種器件在應(yīng)用中能夠通過應(yīng)力測試以及被認(rèn)為能夠提供某種級別的品質(zhì)和可靠性。 ? AEC-Q101按Wafer Fab晶圓制
2023-05-31 17:09:086305 
Semiware推出符合AEC-Q101認(rèn)證的車規(guī)級TVS管TPSMAJ/SMBJ/SMCJ/SMDJ/5.0SMDJ系列，防護(hù)產(chǎn)品系列齊全，以滿足高標(biāo)準(zhǔn)的客戶需求.
2021-12-08 11:41:131464 
3月11日，國際獨立第三方檢測檢驗和認(rèn)證機(jī)構(gòu)德國萊茵TV（以下簡稱“TV萊茵”）向上海陸芯電子科技有限公司（以下簡稱“上海陸芯”）的第三代IGBT產(chǎn)品頒發(fā)了AEC-Q101認(rèn)證證書。這是上海陸芯汽車
2022-06-21 09:18:392222 
是FAILUREMECHANISMBASEDSTRESSTESTQUALIFICATIONFORDISCRETESEMICONDUCTORSINAUTOMOTIVEAPPLICATIONS翻譯過來是基于失效機(jī)制對汽車領(lǐng)域應(yīng)用中分立半導(dǎo)體器件的認(rèn)證測試AEC-Q101最新的版本是Rev_E，發(fā)布于2021年3月
2023-01-13 10:00:294640 
USAEC-Q101認(rèn)證的概念AEC-Q101：車用分立半導(dǎo)體元器件的基于失效機(jī)理的應(yīng)力測試驗證。半導(dǎo)體分立器件被廣泛應(yīng)用到消費電子、計算機(jī)及外設(shè)、網(wǎng)絡(luò)通信、汽車電子、LED顯示屏等領(lǐng)域，而汽車領(lǐng)域
2023-01-13 10:02:032195 VS-2EAH02xM3、3 A VS-3EAH02xM3 和 5 A VS-5EAH02xM3 為商業(yè)、工業(yè)和車載應(yīng)用提供節(jié)省空間的高效解決方案，每種產(chǎn)品都有 Vishay 汽車級 AEC-Q101 認(rèn)證版本。
2023-06-21 17:25:002266 
Vishay 推出五款新系列 60V、100V 和 150V 表面貼裝溝槽式 MOS 勢壘肖特基（TMBS）整流器，這些器件采用薄型易于吸附焊錫的側(cè)邊焊盤 DFN3820A 封裝。VxNL63
2023-07-07 10:24:591885 
60V、3A N 通道熱 FET 電源開關(guān)
2023-07-07 18:32:580 AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)之TC解讀TC(TemperatureCycling)高溫循環(huán)測試意義在于證實極高溫度，極低溫度和高溫與低溫交替作用時，機(jī)械應(yīng)力對于器件焊接性能的作用，標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101-E中
2023-08-30 08:27:504162 安建半導(dǎo)體40V SGT MOSFET產(chǎn)品已經(jīng)通過AEC-Q101車規(guī)認(rèn)證的全部測試。
2023-09-06 17:48:451376 功率循環(huán)測試-簡介功率循環(huán)測試是一種功率半導(dǎo)體器件的可靠性測試方法，被列為AEC-Q101與AQG-324等車規(guī)級測試標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)的必測項目。相對于溫度循環(huán)測試，功率循環(huán)通過在器件內(nèi)運行的芯片發(fā)熱使器件
2023-09-10 08:27:592842 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《MOSFET符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn) 采用小型有引腳和無引腳DFN的SMD封裝.pdf》資料免費下載
2023-09-26 15:36:081 繼1200V/10A SiC-SBD（碳化硅-肖特基二極管）器件獲AEC-Q101車規(guī)級認(rèn)證后，近日，國星光電開發(fā)的1200V/80mΩ SiC-MOSFET（碳化硅-場效應(yīng)管）器件也成功獲得了
2023-10-24 15:52:321851 繼1200V/10A SiC-SBD（碳化硅-肖特基二極管）器件獲AEC-Q101車規(guī)級認(rèn)證后
2023-10-25 18:28:101484 
11月27日，瞻芯電子開發(fā)的首款1700V碳化硅(SiC)MOSFET產(chǎn)品(IV2Q171R0D7Z)通過了車規(guī)級可靠性認(rèn)證(AEC-Q101), 導(dǎo)通電阻標(biāo)稱1Ω，
2023-11-30 09:39:183075 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《60 V，N溝道溝槽MOSFET BXK9Q29-60A英文資料.pdf》資料免費下載
2024-01-04 14:22:260 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《60 V，N溝道溝槽MOSFET 2N7002AKW-Q數(shù)據(jù)手冊.pdf》資料免費下載
2024-01-14 10:35:550 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《60 V，N溝道溝槽MOSFET 2N7002AK-Q數(shù)據(jù)手冊.pdf》資料免費下載
2024-01-14 10:27:310 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《60 V，雙N溝道溝槽MOSFET 2N7002AKS-Q數(shù)據(jù)手冊.pdf》資料免費下載
2024-02-21 13:57:091 3月8日，瞻芯電子開發(fā)的3款第二代650V SiC MOSFET產(chǎn)品通過了嚴(yán)格的車規(guī)級可靠性認(rèn)證（AEC-Q101 Qualified）。
2024-03-11 09:24:381471 
近日，全球知名的半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商Vishay宣布推出新型80V對稱雙通道N溝道功率MOSFET，型號為SiZF4800LDT。這款新產(chǎn)品將高邊和低邊TrenchFET? Gen IV
2024-03-12 10:32:021364 蓉矽半導(dǎo)體自主研發(fā)的1200V 40mΩ SiC MOSFET NC1M120C40HT順利通過AEC-Q101車規(guī)級測試和HV-H3TRB加嚴(yán)可靠性考核，同時通過了新能源行業(yè)頭部廠商的導(dǎo)入測試并量產(chǎn)交付。
2024-03-12 17:18:212547 
瞻芯電子近日宣布成功推出三款第二代650V SiC MOSFET產(chǎn)品，這些產(chǎn)品不僅通過了嚴(yán)格的車規(guī)級可靠性認(rèn)證（AEC-Q101 Qualified），還具備業(yè)界領(lǐng)先的低損耗水平。這些新型MOSFET的推出，標(biāo)志著瞻芯電子在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域的又一重要突破。
2024-03-13 09:24:131665 近日，國際公認(rèn)的測試、檢驗和認(rèn)證機(jī)構(gòu)SGS（以下簡稱為“SGS”）為吉林華微電子股份有限公司（以下簡稱為“華微電子”）頒發(fā)AEC-Q101認(rèn)證證書。
2024-03-22 18:25:561834 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《60V N 溝道 FemtoFET? MOSFET CSD18541F5數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
2024-03-27 13:49:350 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《雙通道 60V N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD88539ND數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
2024-04-07 14:49:200 強茂推出最新的60V、100V和150V車規(guī)級MOSFET，此系列專為汽車和工業(yè)電力系統(tǒng)設(shè)計提供優(yōu)異性能和效率。
2024-05-23 11:42:492165 
雷卯解析AEC-Q101與AEC-Q200
2024-06-12 08:02:582259 
電子設(shè)計中具有廣泛的應(yīng)用潛力。高達(dá)2 kV的ESD保護(hù)能力和AEC-Q101認(rèn)證的高可靠性設(shè)計，確保了在汽車電子和其他高要求應(yīng)用中的優(yōu)異表現(xiàn)。（買電子元器件上安瑪芯城） 中文參數(shù)資料 ? ? 參數(shù) 規(guī)格
2024-07-01 11:50:242442 
SCT3xxxxxHR系列的SiC MOSFET，該系列產(chǎn)品“ 支持汽車電子產(chǎn)品可靠性標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101 ”，而且共有13款型號，擁有業(yè)界豐富的產(chǎn)品陣容。 為了延長xEV的續(xù)航距離，要求車載充
2024-08-25 23:30:22762 
近日，基本半導(dǎo)體自主研發(fā)的1200V 80mΩ碳化硅MOSFETAB2M080120H順利通過AEC-Q101車規(guī)級可靠性認(rèn)證，產(chǎn)品性能和可靠性滿足汽車電子元器件在極端環(huán)境下的嚴(yán)苛要求，至此公司獲車規(guī)級認(rèn)證的碳化硅功率器件產(chǎn)品家族再添一員。
2024-09-13 10:20:191574 
C-Q101-2021標(biāo)準(zhǔn)在汽車行業(yè)中，電子器件的可靠性直接關(guān)系到車輛的性能和乘客的安全。隨著汽車電子化程度的不斷提高，對電子器件的質(zhì)量和可靠性要求也越來越高。AEC-Q101-2021標(biāo)準(zhǔn)應(yīng)運而生
2025-01-09 11:04:301469 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《BSS138AKM-Q 60V N溝道溝槽MOSFET規(guī)格書.pdf》資料免費下載
2025-02-09 11:28:350 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《2N7002AKM-Q 60V、N溝道溝槽MOSFET規(guī)格書.pdf》資料免費下載
2025-02-09 11:29:170 這款 60V、8.1mΩ、SON 3.3mm × 3.3mm NexFET? 功率 MOSFET 旨在最大限度地降低功率轉(zhuǎn)換中的損耗 應(yīng)用。 *附件：CSD18543Q3A 60V N 溝道
2025-04-16 10:35:32787 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《ZSKY-CCS6081EP N溝道60V快速開關(guān)MOSFETs規(guī)格書.pdf》資料免費下載
2025-05-14 17:26:440 Nexperia(安世半導(dǎo)體)近日宣布推出符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的新款100 V MOSFET，采用緊湊型CCPAK1212(12 x 12毫米)銅夾封裝。此款器件具有超低導(dǎo)通損耗，導(dǎo)通電
2025-09-18 18:19:141118 大電流能力。NVD5867NL N通道MOSFET符合雪崩能量規(guī)格要求，通過AEC-Q101認(rèn)證，并支持PPAP。這款N通道MOSFET無鉛、無鹵/無BFR，符合RoHS指令。典型應(yīng)用包括汽車電磁閥/繼電器驅(qū)動器、汽車燈驅(qū)動器、汽車電機(jī)驅(qū)動器、汽車DC-DC轉(zhuǎn)換器輸出驅(qū)動器以及汽車信息娛樂系統(tǒng)。
2025-11-21 11:45:25366 
安森美NVBLS1D2N08X MOSFET具有~低QRR~ 、~RDS(on)~ 和 ~QG~ ，可最大限度降低驅(qū)動器損耗和導(dǎo)通損耗。MOSFET符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)，適用于汽車48V系統(tǒng)
2025-11-24 09:29:21325 
安森美 (onsemi) NVTFWS002N04XM MOSFET具有低R~DS(on)~ 和低電容，采用符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的封裝。該MOSFET具有40V漏極-源極電壓、114A連續(xù)漏極
2025-11-24 09:56:46275 
Diodes 公司（Diodes）（納斯達(dá)克代碼：DIOD）推出AL3069Q，一款符合汽車標(biāo)準(zhǔn)的高效率 60V 升壓控制器，適用于背光應(yīng)用。該器件包含四個80V高精度灌電流（Current
2025-12-01 16:15:311028
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