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電子發(fā)燒友網(wǎng)>今日頭條>什么是功率半導(dǎo)體器件,功率半導(dǎo)體器件的功能是什么

什么是功率半導(dǎo)體器件,功率半導(dǎo)體器件的功能是什么

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FOSAN富捷科技:多元場(chǎng)景深度賦能,釋放半導(dǎo)體器件核心價(jià)值

作為 FOSAN 富捷科技集團(tuán)旗下專注半導(dǎo)體領(lǐng)域的核心企業(yè),安徽富信半導(dǎo)體科技有限公司憑借豐富的半導(dǎo)體分立器件產(chǎn)品線與場(chǎng)景化解決方案能力,深度滲透 BMS 電池管理、儲(chǔ)能電源、智能裝備、消費(fèi)
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2025-09-04 14:34:44990

半導(dǎo)體器件CV特性/CV特性測(cè)試的定義、測(cè)試分析和應(yīng)用場(chǎng)景

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一文了解功率半導(dǎo)體的可靠性測(cè)試

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芯片收縮對(duì)功率半導(dǎo)體器件封裝領(lǐng)域發(fā)展的影響

功率半導(dǎo)體邁向180-250 nm先進(jìn)節(jié)點(diǎn)、SoC與SiP并行演進(jìn)、扇入/扇出晶圓級(jí)封裝加速分化之際,芯片持續(xù)收縮已從單純的尺寸微縮演變?yōu)橐粓?chǎng)跨材料-工藝-封裝-系統(tǒng)的革命:銅-釕-鉬多元金屬化
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新潔能榮獲2024年中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)功率器件十強(qiáng)企業(yè)

近日,在中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)分立器件年會(huì)上,新潔能憑借在半導(dǎo)體功率器件領(lǐng)域的卓越表現(xiàn)和行業(yè)貢獻(xiàn),再次成功入選 “中國(guó)半導(dǎo)體功率器件十強(qiáng)企業(yè)”!自2016年以來(lái),這已經(jīng)是新潔能第八次獲此殊榮,不僅是對(duì)企業(yè)技術(shù)實(shí)力與市場(chǎng)地位的認(rèn)可,更是對(duì)企業(yè)持續(xù)創(chuàng)新、追求卓越的肯定!
2025-08-05 17:58:091699

如何正確選購(gòu)功率半導(dǎo)體器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試機(jī)?

主要的功率半導(dǎo)體器件特性分為靜態(tài)特性、動(dòng)態(tài)特性、開(kāi)關(guān)特性。這些測(cè)試中最基本的測(cè)試就是靜態(tài)參數(shù)測(cè)試。靜態(tài)參數(shù)主要是指本身固有的,與其工作條件無(wú)關(guān)的相關(guān)參數(shù)。主要包括:柵極開(kāi)啟電壓、柵極擊穿電壓、源極漏
2025-08-05 16:06:15648

長(zhǎng)晶科技榮膺2024年中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)功率器件十強(qiáng)企業(yè)

7月26日-27日,第十九屆中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)半導(dǎo)體分立器件年會(huì)在江蘇南京召開(kāi)。會(huì)議期間,中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)正式發(fā)布了“2024年中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)功率器件十強(qiáng)企業(yè)”名單。
2025-08-01 17:58:191757

聞泰科技榮獲2024年中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)功率器件十強(qiáng)企業(yè)

的技術(shù)積累,成功蟬聯(lián)“2024年中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)功率器件十強(qiáng)企業(yè)”稱號(hào)。這一殊榮不僅是對(duì)聞泰科技在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域卓越貢獻(xiàn)的權(quán)威認(rèn)證,更是對(duì)其市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)地位與技術(shù)引領(lǐng)作用的高度肯定。
2025-07-30 17:50:241182

A22: 分立半導(dǎo)體器件知識(shí)與應(yīng)用專題--MOS管知識(shí)及應(yīng)用案例

A22-3分立半導(dǎo)體器件(MOS管)知識(shí)與應(yīng)用專題
2025-07-30 09:57:0118529

功率器件測(cè)量系統(tǒng)參數(shù)明細(xì)

半導(dǎo)體功率器件(如IGBT、SiC MOSFET、GaN HEMT)的研發(fā)、生產(chǎn)與品控中,精準(zhǔn)、高效、可靠的測(cè)量系統(tǒng)是確保器件性能達(dá)標(biāo)、加速產(chǎn)品上市的關(guān)鍵。天恒科儀功率器件測(cè)量系統(tǒng)集尖端硬件與智能
2025-07-29 16:21:17

RIGOL功率半導(dǎo)體動(dòng)態(tài)性能測(cè)試解決方案

功率變換器是電能利用的重要裝置,其性能主要取決于其核心—功率半導(dǎo)體器件,常見(jiàn)類型有 MOSFET、IGBT 和二極管。傳統(tǒng) Si 器件已逼近材料極限,成為進(jìn)一步提升效率和功率密度的瓶頸。
2025-07-29 11:15:202250

揚(yáng)杰科技連續(xù)十年蟬聯(lián)中國(guó)半導(dǎo)體功率器件十強(qiáng)企業(yè)前三

分立器件分會(huì)主辦,匯聚了半導(dǎo)體行業(yè)眾多企業(yè)精英、權(quán)威專家與知名學(xué)者,共同聚焦行業(yè)創(chuàng)新突破路徑,研判未來(lái)發(fā)展新趨勢(shì)。 在這場(chǎng)備受行業(yè)矚目的盛會(huì)上,揚(yáng)杰科技憑借亮眼的市場(chǎng)表現(xiàn)與深厚的技術(shù)積淀,成功斬獲 “2024年中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)功率器件
2025-07-28 18:30:071315

是德示波器在半導(dǎo)體器件測(cè)試中的應(yīng)用

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)作為現(xiàn)代科技的基石,其技術(shù)的發(fā)展日新月異。半導(dǎo)體器件從設(shè)計(jì)到生產(chǎn),每個(gè)環(huán)節(jié)都對(duì)測(cè)試設(shè)備的精度、效率提出了嚴(yán)苛要求。示波器作為關(guān)鍵的測(cè)試測(cè)量?jī)x器,在半導(dǎo)體器件測(cè)試中發(fā)揮著不可或缺的作用。是德
2025-07-25 17:34:52652

深愛(ài)半導(dǎo)體 代理 SIC213XBER / SIC214XBER 高性能單相IPM模塊

深愛(ài)半導(dǎo)體推出新品IPM模塊 IPM(Intelligent Power Module,智能功率模塊) 是集成了功率器件、驅(qū)動(dòng)電路、保護(hù)功能的“系統(tǒng)級(jí)”功率半導(dǎo)體方案。其高度集成方案可縮減 PCB
2025-07-23 14:36:03

半導(dǎo)體分立器件測(cè)試的對(duì)象與分類、測(cè)試參數(shù),測(cè)試設(shè)備的分類與測(cè)試能力

半導(dǎo)體分立器件測(cè)試是對(duì)二極管、晶體管、晶閘管等獨(dú)立功能半導(dǎo)體器件的性能參數(shù)進(jìn)行系統(tǒng)性檢測(cè)的過(guò)程,旨在評(píng)估其電氣特性、可靠性和適用性。以下是主要測(cè)試內(nèi)容與方法的總結(jié): 1. ? 測(cè)試對(duì)象與分類
2025-07-22 17:46:32825

突圍進(jìn)行時(shí):功率半導(dǎo)體國(guó)產(chǎn)化進(jìn)行到哪了?

隨著全球能源結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)型加速,新能源汽車、人形機(jī)器人等產(chǎn)業(yè)爆發(fā)式增長(zhǎng),功率半導(dǎo)體市場(chǎng)需求呈指數(shù)級(jí)攀升。 中國(guó)作為全球最大的功率半導(dǎo)體市場(chǎng),發(fā)展前景十分廣闊。然而功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)繁榮背后暗藏隱憂。 國(guó)內(nèi)功率
2025-07-18 14:51:45823

現(xiàn)代集成電路半導(dǎo)體器件

目錄 第1章?半導(dǎo)體中的電子和空穴第2章?電子和空穴的運(yùn)動(dòng)與復(fù)合 第3章?器件制造技術(shù) 第4章?PN結(jié)和金屬半導(dǎo)體結(jié) 第5章?MOS電容 第6章?MOSFET晶體管 第7章?IC中的MOSFET
2025-07-12 16:18:42

功率半導(dǎo)體器件——理論及應(yīng)用

功率半導(dǎo)體器件的使用者能夠很好地理解重要功率器件(分立的和集成的)的結(jié)構(gòu)、功能、特性和特征。另外,書中還介紹了功率器件的封裝、冷卻、可靠性工作條件以及未來(lái)的材料和器件的相關(guān)內(nèi)容。 本書可作為微電子
2025-07-11 14:49:36

大模型在半導(dǎo)體行業(yè)的應(yīng)用可行性分析

有沒(méi)有這樣的半導(dǎo)體專用大模型,能縮短芯片設(shè)計(jì)時(shí)間,提高成功率,還能幫助新工程師更快上手?;蛘哕浻布梢栽谠O(shè)計(jì)和制造環(huán)節(jié)確實(shí)有實(shí)際應(yīng)用。會(huì)不會(huì)存在AI缺陷檢測(cè)。 能否應(yīng)用在工藝優(yōu)化和預(yù)測(cè)性維護(hù)中
2025-06-24 15:10:04

宏微科技攜風(fēng)光儲(chǔ)功率半導(dǎo)體器件及解決方案亮相SNEC 2025

此前,6月11日至13日,第十八屆國(guó)際太陽(yáng)能光伏與智慧能源大會(huì)暨展覽會(huì)(SNEC 2025)在上海國(guó)家會(huì)展中心隆重舉辦。宏微科技攜風(fēng)光儲(chǔ)功率半導(dǎo)體器件及解決方案精彩亮相,吸引了眾多國(guó)內(nèi)外客戶駐足、觀看和交流。
2025-06-18 10:29:141068

SGS亮相第四屆功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)論壇

近日,第四屆功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)論壇在蘇州召開(kāi),作為國(guó)際公認(rèn)的測(cè)試、檢驗(yàn)和認(rèn)證機(jī)構(gòu),SGS受邀出席并發(fā)表《車規(guī)功率器件可靠性認(rèn)證與SiC適用性探討》主題演講,為車用功率半導(dǎo)體的可靠性驗(yàn)證提供系統(tǒng)性解決方案。
2025-06-17 18:08:451039

【案例集錦】功率放大器在半導(dǎo)體光電子器件測(cè)試領(lǐng)域研究中的應(yīng)用

在5G通信、智能駕駛、物聯(lián)網(wǎng)飛速發(fā)展的今天,半導(dǎo)體光電器件是實(shí)現(xiàn)光電信號(hào)轉(zhuǎn)換與信息傳遞的核心元件,其性能優(yōu)劣直接決定設(shè)備的功能與可靠性。正因如此,半導(dǎo)體光電器件測(cè)試成為貫穿研發(fā)、生產(chǎn)與質(zhì)檢全流程
2025-06-12 19:17:281516

防護(hù)器件產(chǎn)品線一期培訓(xùn) | 功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的璀璨之星

捷捷微電你知道嗎?在功率半導(dǎo)體的世界里,有一顆耀眼的明星——捷捷微電。今天,就帶大家深入了解一下這家實(shí)力超群的企業(yè)。01企業(yè)輝煌歷程捷捷微電于1995年成立,歷經(jīng)行業(yè)風(fēng)雨洗禮,2017年成功在深交所
2025-06-09 15:59:56921

國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)引領(lǐng)全球市場(chǎng)格局重構(gòu)

SiC碳化硅MOSFET國(guó)產(chǎn)化替代浪潮:國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)引領(lǐng)全球市場(chǎng)格局重構(gòu) 1 國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)的崛起與技術(shù)突破 1.1 國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)從Fabless
2025-06-07 06:17:30911

揚(yáng)杰科技出席2025功率半導(dǎo)體器件與集成電路會(huì)議

此前,5月22日至24日,“2025功率半導(dǎo)體器件與集成電路會(huì)議”在南京熹禾涵田酒店順利召開(kāi)。揚(yáng)杰科技受邀參加,董事長(zhǎng)梁勤女士親自參加會(huì)議,功率器件事業(yè)部副總經(jīng)理施俊先生作為技術(shù)領(lǐng)隊(duì)全程參與研討
2025-05-26 18:07:031482

半導(dǎo)體分立器件分類有哪些?有哪些特性?

型晶體管(BJT)、達(dá)林頓管等。 ?功率器件? ?MOSFET?(金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管):適用于高頻開(kāi)關(guān)場(chǎng)景。 ?IGBT?(絕緣柵雙極型晶體管):結(jié)合MOSFET和BJT特性,用于高壓大電流場(chǎng)景。 ?晶閘管(可控硅)?:包括單向/雙向可控硅(SCR/Tria
2025-05-19 15:28:061310

從清華大學(xué)到鎵未來(lái)科技,張大江先生在半導(dǎo)體功率器件十八年的堅(jiān)守!

從清華大學(xué)到鎵未來(lái)科技,張大江先生在半導(dǎo)體功率器件十八年的堅(jiān)守!近年來(lái),珠海市鎵未來(lái)科技有限公司(以下簡(jiǎn)稱“鎵未來(lái)”)在第三代半導(dǎo)體行業(yè)異軍突起,憑借領(lǐng)先的氮化鎵(GaN)技術(shù)儲(chǔ)備和不斷推出的新產(chǎn)品
2025-05-19 10:16:02

比亞迪半導(dǎo)體亮相PCIM Europe 2025

近日,全球功率電子行業(yè)盛會(huì)PCIM Europe 2025在德國(guó)紐倫堡開(kāi)幕。作為中國(guó)功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè),比亞迪半導(dǎo)體攜多款功率半導(dǎo)體元件及模塊、傳感器產(chǎn)品及系統(tǒng)解決方案亮相,產(chǎn)品覆蓋汽車、工業(yè)、新能源等應(yīng)用領(lǐng)域。
2025-05-14 17:09:291455

基本半導(dǎo)體攜碳化硅功率器件亮相PCIM Europe 2025

近日,全球電力電子領(lǐng)域的“頂流”盛會(huì)——PCIM Europe 2025在德國(guó)紐倫堡會(huì)展中心盛大開(kāi)幕?;?b class="flag-6" style="color: red">半導(dǎo)體攜全系列碳化硅功率器件及門極驅(qū)動(dòng)解決方案盛裝亮相,并隆重發(fā)布新一代碳化硅MOSFET
2025-05-09 09:19:101116

半導(dǎo)體器件中微量摻雜元素的EDS表征

微量摻雜元素在半導(dǎo)體器件的發(fā)展中起著至關(guān)重要的作用,可以精準(zhǔn)調(diào)控半導(dǎo)體的電學(xué)、光學(xué)性能。對(duì)器件中微量摻雜元素的準(zhǔn)確表征和分析是深入理解半導(dǎo)體器件特性、優(yōu)化器件性能的關(guān)鍵步驟,然而由于微量摻雜元素含量極低,對(duì)它的檢測(cè)和表征也面臨很多挑戰(zhàn)。
2025-04-25 14:29:531707

上汽英飛凌無(wú)錫擴(kuò)建功率半導(dǎo)體項(xiàng)目 投資3.1億元提升產(chǎn)能!

近日,上汽英飛凌汽車功率半導(dǎo)體(上海)有限公司發(fā)布了關(guān)于其無(wú)錫擴(kuò)建功率半導(dǎo)體模塊產(chǎn)線項(xiàng)目的環(huán)境影響評(píng)價(jià)(環(huán)評(píng))公告。該項(xiàng)目的總投資額達(dá)到3.1億元人民幣,計(jì)劃選址于無(wú)錫分公司,旨在進(jìn)一步提升其生
2025-04-21 11:57:13787

瑞能半導(dǎo)體攜多款高性能功率器件解決方案亮相2025慕尼黑上海電子展

日前,瑞能半導(dǎo)體攜多款高性能功率器件解決方案亮相2025慕尼黑上海電子展(Electronica China 2025),全方位展示了在碳化硅、IGBT、MOSFET等領(lǐng)域的最新突破成果。本次展會(huì)
2025-04-17 19:38:50938

會(huì)展動(dòng)態(tài)|TMC2025車規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體論壇「初步日程+展覽」首發(fā)

將聚焦車規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體前沿技術(shù),匯聚全球頂尖企業(yè)與行業(yè)領(lǐng)袖。兩天議程覆蓋四大核心板塊: >第三、四代車規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體全球發(fā)展趨勢(shì) >主驅(qū)功率半導(dǎo)體應(yīng)用需求 >SiC/GaN模塊封裝技術(shù)革命 >SiC器件創(chuàng)新設(shè)計(jì)與制造創(chuàng)新 比亞迪、吉利、匯川、舍弗勒、采埃孚、
2025-04-17 13:50:46826

功率半導(dǎo)體器件IGBT模塊:PPS注塑加工案例

IGBT模塊是一種重要的功率半導(dǎo)體器件,具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、容量大、損耗低等優(yōu)點(diǎn),被廣泛應(yīng)用于各種高功率電子設(shè)備中。絕緣柵極雙極晶體管(IGBT)功率模塊將MOSFET的高效和快速開(kāi)關(guān)能力與雙極晶體管
2025-04-16 08:06:431298

最全最詳盡的半導(dǎo)體制造技術(shù)資料,涵蓋晶圓工藝到后端封測(cè)

。 第1章 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)介紹 第2章 半導(dǎo)體材料特性 第3章 器件技術(shù) 第4章 硅和硅片制備 第5章 半導(dǎo)體制造中的化學(xué)品 第6章 硅片制造中的沾污控制 第7章 測(cè)量學(xué)和缺陷檢查 第8章 工藝腔內(nèi)的氣體控制
2025-04-15 13:52:11

碳化硅功率器件的種類和優(yōu)勢(shì)

在現(xiàn)代電子技術(shù)飛速發(fā)展的背景下,功率器件的性能和效率面臨著越來(lái)越高的要求。碳化硅(SiC)作為一種新興的寬禁帶半導(dǎo)體材料,憑借其優(yōu)異的電氣特性和熱性能,逐漸成為功率電子器件領(lǐng)域的熱門選擇。本文將探討碳化硅功率器件的基本概念、工作原理、主要應(yīng)用領(lǐng)域以及未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)。
2025-04-09 18:02:041275

功率半導(dǎo)體國(guó)產(chǎn)化先鋒:長(zhǎng)晶科技的創(chuàng)新與崛起

場(chǎng)浪潮中,長(zhǎng)晶科技憑借其在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的技術(shù)突破與全產(chǎn)業(yè)鏈布局,成為國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程中的標(biāo)桿企業(yè)。 技術(shù)創(chuàng)新:突破高端功率器件壁壘 長(zhǎng)晶科技聚焦功率半導(dǎo)體核心器件,在MOSFET和IGBT兩大領(lǐng)域取得顯著成果。在消費(fèi)電子領(lǐng)域
2025-04-09 17:25:321180

功率半導(dǎo)體與集成技術(shù):開(kāi)啟能源與智能新紀(jì)元

本文深入探討了功率半導(dǎo)體器件功率集成技術(shù)的發(fā)展現(xiàn)狀,分析了其面臨的挑戰(zhàn)與機(jī)遇,并對(duì)未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)進(jìn)行了展望。功率半導(dǎo)體器件作為電能轉(zhuǎn)換與電路控制的核心,在新能源、工業(yè)控制、消費(fèi)電子等領(lǐng)域發(fā)揮
2025-04-09 13:35:401445

先進(jìn)碳化硅功率半導(dǎo)體封裝:技術(shù)突破與行業(yè)變革

本文聚焦于先進(jìn)碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體封裝技術(shù),闡述其基本概念、關(guān)鍵技術(shù)、面臨挑戰(zhàn)及未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)。碳化硅功率半導(dǎo)體憑借低內(nèi)阻、高耐壓、高頻率和高結(jié)溫等優(yōu)異特性,在移動(dòng)應(yīng)用功率密度提升的背景下
2025-04-08 11:40:331493

碳化硅VS硅基IGBT:誰(shuí)才是功率半導(dǎo)體之王?

半導(dǎo)體技術(shù)的不斷演進(jìn)中,功率半導(dǎo)體器件作為電力電子系統(tǒng)的核心組件,其性能與成本直接影響著整個(gè)系統(tǒng)的效率與可靠性。碳化硅(SiC)功率模塊與硅基絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)功率模塊作為當(dāng)前市場(chǎng)上
2025-04-02 10:59:415532

東芝功率半導(dǎo)體后道生產(chǎn)新廠房竣工

東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(東芝)近日在其位于日本西部兵庫(kù)縣姬路半導(dǎo)體工廠的車載功率半導(dǎo)體后道生產(chǎn)新廠房舉辦了竣工慶祝儀式。新廠房的產(chǎn)能將比2022財(cái)年的水平增加一倍以上,并將于2025財(cái)年上半年開(kāi)始全面生產(chǎn)。
2025-03-13 18:08:161279

GaN驅(qū)動(dòng)技術(shù)手冊(cè)免費(fèi)下載 氮化鎵半導(dǎo)體功率器件門極驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)方案

GaN驅(qū)動(dòng)技術(shù)手冊(cè)免費(fèi)下載 氮化鎵半導(dǎo)體功率器件門極驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)方案
2025-03-13 18:06:0046942

全球功率半導(dǎo)體變革:SiC碳化硅功率器件中國(guó)龍崛起

功率器件變革中SiC碳化硅中國(guó)龍的崛起:從技術(shù)受制到全球引領(lǐng)的歷程與未來(lái)趨勢(shì) 當(dāng)前功率器件正在經(jīng)歷從傳統(tǒng)的硅基功率器件持續(xù)躍升到SiC碳化硅材料功率半導(dǎo)體的歷史變革: 傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)國(guó)產(chǎn)
2025-03-13 00:27:37767

AEC-Q102:汽車電子分立光電半導(dǎo)體器件的測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)

AEC-Q102是汽車電子領(lǐng)域針對(duì)分立光電半導(dǎo)體器件的應(yīng)力測(cè)試標(biāo)準(zhǔn),由汽車電子委員會(huì)(AEC)制定。該標(biāo)準(zhǔn)于2017年3月首次發(fā)布,隨后在2020年4月更新為AEC-Q102REVA版本,成為目前
2025-03-07 15:35:151610

2025年功率半導(dǎo)體的五大發(fā)展趨勢(shì)

2025 功率半導(dǎo)體的五大發(fā)展趨勢(shì):功率半導(dǎo)體在AI數(shù)據(jù)中心應(yīng)用的增長(zhǎng),SiC在非汽車領(lǐng)域應(yīng)用的增長(zhǎng),GaN導(dǎo)入到快速充電器之外的應(yīng)用領(lǐng)域, 中國(guó)功率半導(dǎo)體生態(tài)系統(tǒng)的壯大以及晶圓尺寸的顯著升級(jí)。
2025-03-04 09:33:412258

華大半導(dǎo)體與湖南大學(xué)成功舉辦SiC功率半導(dǎo)體技術(shù)研討會(huì)

近日,華大半導(dǎo)體與湖南大學(xué)在上海舉辦SiC功率半導(dǎo)體技術(shù)研討會(huì),共同探討SiC功率半導(dǎo)體在設(shè)計(jì)、制造、材料等領(lǐng)域的最新進(jìn)展及挑戰(zhàn)。
2025-02-28 17:33:531172

納微半導(dǎo)體將于下月發(fā)布全新功率轉(zhuǎn)換技術(shù)

GaNFast氮化鎵功率芯片和GeneSiC碳化硅功率器件的行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體(納斯達(dá)克股票代碼:NVTS)今日宣布于下月發(fā)布全新的功率轉(zhuǎn)換技術(shù),將觸發(fā)多個(gè)行業(yè)領(lǐng)域的顛覆性變革。該創(chuàng)新涵蓋半導(dǎo)體與系統(tǒng)級(jí)解決方案,預(yù)計(jì)將顯著提升能效與功率密度,加速氮化鎵和碳化硅技術(shù)對(duì)傳統(tǒng)硅基器件的替代進(jìn)程。
2025-02-21 16:41:10867

走進(jìn)半導(dǎo)體塑封世界:探索工藝奧秘

半導(dǎo)體塑封工藝是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中不可或缺的一環(huán),它通過(guò)將芯片、焊線、框架等封裝在塑料外殼中,實(shí)現(xiàn)對(duì)半導(dǎo)體器件的保護(hù)、固定、連接和散熱等功能。隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷發(fā)展,塑封工藝也在不斷演進(jìn),以適應(yīng)更高性能、更小尺寸、更高可靠性的半導(dǎo)體器件的需求。
2025-02-20 10:54:412565

第三代半導(dǎo)體器件封裝:挑戰(zhàn)與機(jī)遇并存

一、引言隨著科技的不斷發(fā)展,功率半導(dǎo)體器件在電力電子系統(tǒng)、電動(dòng)汽車、智能電網(wǎng)、新能源并網(wǎng)等領(lǐng)域發(fā)揮著越來(lái)越重要的作用。近年來(lái),第三代寬禁帶功率半導(dǎo)體器件以其獨(dú)特的高溫、高頻、高耐壓等特性,逐漸
2025-02-15 11:15:301611

功率半導(dǎo)體展 聚焦 APSME 2025,共探功率半導(dǎo)體發(fā)展新征程

2025 亞洲國(guó)際功率半導(dǎo)體、材料及裝備技術(shù)展覽會(huì)將于2025年11月20-22日在廣州保利世貿(mào)博覽館舉辦;展會(huì)將匯聚全球優(yōu)質(zhì)品牌廠商齊聚現(xiàn)場(chǎng),打造功率半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈創(chuàng)新展示、一站式采購(gòu)及技術(shù)交流平臺(tái),集中展示半導(dǎo)體器件、功率模塊、第三代半導(dǎo)體、材料、封裝技術(shù)、測(cè)試技術(shù)、生產(chǎn)設(shè)備、散熱管理等熱門產(chǎn)品
2025-02-13 11:49:01742

中國(guó)成功在太空驗(yàn)證第三代半導(dǎo)體材料功率器件

近日,中國(guó)在太空成功驗(yàn)證了首款國(guó)產(chǎn)碳化硅(SiC)功率器件,這一突破性進(jìn)展標(biāo)志著第三代半導(dǎo)體材料有望牽引中國(guó)航天電源系統(tǒng)升級(jí)換代,為中國(guó)航天事業(yè)以及相關(guān)制造業(yè)的轉(zhuǎn)型升級(jí)注入強(qiáng)大動(dòng)力。 2024年11
2025-02-11 10:30:061341

半導(dǎo)體常用器件

半導(dǎo)體常用器件的介紹
2025-02-07 15:27:210

濕度大揭秘!如何影響功率半導(dǎo)體器件芯片焊料熱阻?

近年來(lái),隨著電力電子技術(shù)的快速發(fā)展,功率半導(dǎo)體器件在風(fēng)力發(fā)電、光伏發(fā)電、電動(dòng)汽車等戶外工況中的應(yīng)用日益廣泛。然而,這些戶外環(huán)境往往伴隨著較高的濕度,這對(duì)功率半導(dǎo)體器件的運(yùn)行可靠性構(gòu)成了嚴(yán)峻挑戰(zhàn)
2025-02-07 11:32:251527

意法半導(dǎo)體新能源功率器件解決方案

在《意法半導(dǎo)體新能源功率解決方案:從產(chǎn)品到應(yīng)用,一文讀懂(上篇)》文章中,我們著重介紹了ST新能源功率器件中的傳統(tǒng)IGBT和高壓MOSFET器件,讓大家對(duì)其在相關(guān)領(lǐng)域的應(yīng)用有了一定了解。接下來(lái),本文將聚焦于ST的SiC、GaN等第三代半導(dǎo)體產(chǎn)品以及其新能源功率解決方案。
2025-02-07 10:38:501640

功率半導(dǎo)體的成長(zhǎng)之路

在日常生活中,我們對(duì)手機(jī)、電腦、電視等電子設(shè)備習(xí)以為常,享受著它們帶來(lái)的便利與娛樂(lè)。但你是否想過(guò),這些設(shè)備正常運(yùn)行的背后,是什么在默默發(fā)揮關(guān)鍵作用?答案就是功率半導(dǎo)體器件。雖然它不像處理器、顯示屏那樣被大眾熟知,卻如同電子設(shè)備的 “心臟”,掌控著電能的轉(zhuǎn)換與電路的控制 ,是電子設(shè)備穩(wěn)定運(yùn)行的核心。
2025-02-06 15:28:241369

功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)

功率器件熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC等高功率密度器件可靠運(yùn)行的基礎(chǔ)。掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí),不僅有助于提高功率器件的利用率和系統(tǒng)可靠性,還能有效降低系統(tǒng)成本。本文將從熱設(shè)計(jì)的基本概念、散熱形式、熱阻與導(dǎo)熱系數(shù)、功率模塊的結(jié)構(gòu)和熱阻分析等方面,對(duì)功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)進(jìn)行詳細(xì)講解。
2025-02-03 14:17:001354

使用 SiC 功率半導(dǎo)體提升高性能開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換器的效率

作者: Jens Wallmann 盡管硅 (Si) 器件相對(duì)成熟,但碳化硅 (SiC) 功率器件仍有望降低產(chǎn)品成本并提高效率。然而,有些設(shè)計(jì)人員可能仍然認(rèn)為 SiC 半導(dǎo)體相當(dāng)昂貴且難以控制
2025-01-26 22:10:001253

GaNSafe–世界上最安全的GaN功率半導(dǎo)體

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《GaNSafe–世界上最安全的GaN功率半導(dǎo)體.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-01-24 13:50:270

碳化硅在半導(dǎo)體中的作用

電導(dǎo)率、高熱導(dǎo)率、高抗輻射能力、高擊穿電場(chǎng)和高飽和電子漂移速度等物理特性。這些特性使得碳化硅能夠承受高溫、高壓、高頻等苛刻環(huán)境,同時(shí)保持較高的電學(xué)性能。 二、碳化硅在半導(dǎo)體器件中的應(yīng)用 功率器件 : 碳化硅功率器件
2025-01-23 17:09:352664

TOLL封裝功率器件的優(yōu)勢(shì)

隨著半導(dǎo)體功率器件的使用環(huán)境和性能要求越來(lái)越高,器件散熱能力要求也隨之提高。器件散熱問(wèn)題導(dǎo)致的失效占了總失效的一半以上,而通過(guò)封裝技術(shù)升級(jí),是提高器件散熱能力的有效途徑之一。
2025-01-23 11:13:441955

功率半導(dǎo)體器件的雙脈沖測(cè)試方案

我們將高功率SiC器件定義為處理1kV和100A范圍內(nèi)的器件,這相當(dāng)于100kW的功率。SiC晶體管處理和服務(wù)的高電壓、高電流和快速開(kāi)關(guān)系統(tǒng)的性質(zhì)帶來(lái)了許多在普通5V或12V系統(tǒng)中不會(huì)出現(xiàn)的挑戰(zhàn)。
2025-01-22 17:30:263078

功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(十三)——使用熱系數(shù)Ψth(j-top)獲取結(jié)溫信息

/前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí),才能完成精確熱設(shè)計(jì),提高功率器件的利用率,降低系統(tǒng)成本,并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件
2025-01-20 17:33:501975

瑤華半導(dǎo)體:引領(lǐng)大功率射頻封測(cè)技術(shù),助力5G與能源應(yīng)用

無(wú)線通信的有效傳輸。作為大功率射頻功放器件封測(cè)的領(lǐng)先企業(yè), 瑤華半導(dǎo)體 憑借強(qiáng)大的技術(shù)實(shí)力與創(chuàng)新能力,已在行業(yè)中獲得廣泛認(rèn)可,成為通信與能源應(yīng)用領(lǐng)域的重要合作伙伴。 01 關(guān)于瑤華半導(dǎo)體 瑤華半導(dǎo)體專注于LDMOS、GaN等大功率射頻空腔器件以及IGBT、
2025-01-14 09:22:181813

功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(十二)——功率半導(dǎo)體器件的PCB設(shè)計(jì)

/前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí),才能完成精確熱設(shè)計(jì),提高功率器件的利用率,降低系統(tǒng)成本,并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件
2025-01-13 17:36:111819

炬光科技發(fā)布LCS系列高功率半導(dǎo)體激光器

近日,全球領(lǐng)先的高功率半導(dǎo)體激光元器件及原材料、激光光學(xué)元器件、光子技術(shù)應(yīng)用解決方案供應(yīng)商炬光科技,正式發(fā)布了LCS系列980/1470nm高功率低熱阻低Smile傳導(dǎo)冷卻半導(dǎo)體激光器。 這款LCS
2025-01-09 17:07:531225

銀燒結(jié)技術(shù)助力功率半導(dǎo)體器件邁向高效率時(shí)代

隨著新能源汽車、5G通信、高端裝備制造等領(lǐng)域的蓬勃發(fā)展,功率半導(dǎo)體器件作為其核心組件,正面臨著前所未有的挑戰(zhàn)與機(jī)遇。在這些領(lǐng)域中,功率半導(dǎo)體器件不僅需要有更高的效率和可靠性,還要滿足壽命長(zhǎng)、制造步驟
2025-01-08 13:06:132115

功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(十一)——功率半導(dǎo)體器件功率端子

/前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí),才能完成精確熱設(shè)計(jì),提高功率器件的利用率,降低系統(tǒng)成本,并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件
2025-01-06 17:05:481328

半導(dǎo)體在熱測(cè)試中遇到的問(wèn)題

半導(dǎo)體器件的實(shí)際部署中,它們會(huì)因功率耗散及周圍環(huán)境溫度而發(fā)熱,過(guò)高的溫度會(huì)削弱甚至損害器件性能。因此,熱測(cè)試對(duì)于驗(yàn)證半導(dǎo)體組件的性能及評(píng)估其可靠性至關(guān)重要。然而,半導(dǎo)體熱測(cè)試過(guò)程中常面臨諸多挑戰(zhàn)
2025-01-06 11:44:391580

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