半導(dǎo)體刻蝕工藝之濕法腐蝕工藝課堂4（中）

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腐蝕(9471) 腐蝕(9471)
刻蝕(12476) 刻蝕(12476)

什么是BCD工藝？BCD工藝與CMOS工藝對比

BCD（Bipolar-CMOS-DMOS）工藝技術(shù)是將雙極型晶體管、CMOS（互補金屬氧化物半導(dǎo)體）和DMOS（雙擴散金屬氧化物半導(dǎo)體）晶體管技術(shù)組合在單個芯片上的高級制造工藝。

2024-03-18 09:47:41

178

半導(dǎo)體發(fā)展的四個時代

等公司是這一歷史階段的先驅(qū)?，F(xiàn)在，ASIC 供應(yīng)商向所有人提供了設(shè)計基礎(chǔ)設(shè)施、芯片實施和工藝技術(shù)。在這個階段，半導(dǎo)體行業(yè)開始出現(xiàn)分化。有了設(shè)計限制，出現(xiàn)了一個更廣泛的工程師社區(qū)，它們可以設(shè)計和構(gòu)建定制

2024-03-13 16:52:37

半導(dǎo)體封裝工藝面臨的挑戰(zhàn)

半導(dǎo)體工藝主要是應(yīng)用微細加工技術(shù)、膜技術(shù)，把芯片及其他要素在各個區(qū)域中充分連接，如：基板、框架等區(qū)域中，有利于引出接線端子，通過可塑性絕緣介質(zhì)后灌封固定，使其形成一個整體，以立體結(jié)構(gòu)方式呈現(xiàn)，最終形成半導(dǎo)體封裝工藝。

2024-03-01 10:30:17

130

半導(dǎo)體封裝工藝的研究分析

共讀好書張鎏苑明星楊小渝（重慶市聲光電有限公司）摘要：對半導(dǎo)體封裝工藝的研究，先探析半導(dǎo)體工藝概述，能對其工作原理有一定的了解與掌握；再考慮半導(dǎo)體封裝工藝流程，目的是在作業(yè)階段嚴謹

2024-02-25 11:58:10

275

晶圓表面金屬污染：半導(dǎo)體工藝中的隱形威脅

晶圓表面的潔凈度對于后續(xù)半導(dǎo)體工藝以及產(chǎn)品合格率會造成一定程度的影響，最常見的主要污染包括金屬、有機物及顆粒狀粒子的殘留，而污染分析的結(jié)果可用以反應(yīng)某一工藝步驟、特定機臺或是整體工藝中所遭遇的污染程度與種類。

2024-02-23 17:34:23

323

半導(dǎo)體后端工藝：封裝設(shè)計與分析

圖1顯示了半導(dǎo)體封裝設(shè)計工藝的各項工作內(nèi)容。首先，封裝設(shè)計需要芯片設(shè)計部門提供關(guān)鍵信息，包括芯片焊盤（Chip Pad）坐標(biāo)、芯片布局和封裝互連數(shù)據(jù)。

2024-02-22 14:18:53

400

邑文科技完成超5億元D輪融資，專注半導(dǎo)體前道工藝設(shè)備研發(fā)

作為一家專注于半導(dǎo)體設(shè)備研發(fā)的高新技術(shù)企業(yè)，邑文科技創(chuàng)立于2011年，其核心業(yè)務(wù)包括半導(dǎo)體前道工藝設(shè)備的各項研究與生產(chǎn)。重點作品包括用于半導(dǎo)體上下游產(chǎn)業(yè)（IC和OSD）前端制作過程中的各類設(shè)備，特別是在化合物半導(dǎo)體及MEMS等特定工藝領(lǐng)域有深厚造詣。

2024-01-30 14:26:27

497

什么是刻蝕呢？干法刻蝕與濕法刻蝕又有何區(qū)別和聯(lián)系呢？

在半導(dǎo)體加工工藝中，常聽到的兩個詞就是光刻(Lithography)和刻蝕(Etching)，它們像倆兄弟一樣，一前一后的出現(xiàn)，有著千絲萬縷的聯(lián)系，這一節(jié)介紹半導(dǎo)體刻蝕工藝。

2024-01-26 10:01:58

548

晶圓級封裝的五項基本工藝

在本文中，我們將重點介紹半導(dǎo)體封裝的另一種主要方法——晶圓級封裝（WLP）。本文將探討晶圓級封裝的五項基本工藝，包括：光刻（Photolithography）工藝、濺射（Sputtering）工藝

2024-01-24 09:39:09

335

為刻蝕終點探測進行原位測量

使用SEMulator3D?工藝步驟進行刻蝕終點探測作者：泛林集團 Semiverse Solutions 部門軟件應(yīng)用工程師 Pradeep Nanja 介紹 半導(dǎo)體行業(yè)一直專注于使用先進的刻蝕

2024-01-19 16:02:42

128

半導(dǎo)體芯片封裝工藝介紹

半導(dǎo)體芯片在作為產(chǎn)品發(fā)布之前要經(jīng)過測試以篩選出有缺陷的產(chǎn)品。每個芯片必須通過的 “封裝”工藝才能成為完美的半導(dǎo)體產(chǎn)品。封裝主要作用是電氣連接和保護半導(dǎo)體芯片免受元件影響。

2024-01-17 10:28:47

250

半導(dǎo)體工藝的發(fā)展史

半導(dǎo)體工藝的歷史可以追溯到20世紀40年代末至50年代初，當(dāng)時的科學(xué)家們開始使用鍺（Ge）和硅（Si）這類半導(dǎo)體材料來制造晶體管。1947年，貝爾實驗室的威廉·肖克利、約翰·巴丁和沃爾特·布拉頓發(fā)明

2024-01-15 14:02:37

204

半導(dǎo)體工藝的發(fā)展史

半導(dǎo)體工藝是當(dāng)今世界中不可或缺的一項技術(shù)，它影響著我們生活的各個方面。它的重要性源于其能夠制造出微小而精密的電子器件，這些器件能夠在電子級別控制電流和信息流動。這種控制能力使得我們可以創(chuàng)造出計算速度極快的處理器、儲存大量數(shù)據(jù)的芯片、實現(xiàn)高速通信的設(shè)備，甚至是探索未知領(lǐng)域的科學(xué)工具。

2024-01-15 09:55:26

316

半導(dǎo)體清洗工藝介紹

根據(jù)清洗介質(zhì)的不同，目前半導(dǎo)體清洗技術(shù)主要分為濕法清洗和干法清洗兩種工藝路線

2024-01-12 23:14:23

769

智程半導(dǎo)體完成股權(quán)融資，專注半導(dǎo)體濕法工藝設(shè)備研發(fā)

智程半導(dǎo)體自2009年起致力于半導(dǎo)體濕法工藝設(shè)備研究、生產(chǎn)與銷售事業(yè)，10余載研發(fā)歷程，使得其已成為全球頂尖的半導(dǎo)體濕法設(shè)備供應(yīng)商。業(yè)務(wù)范圍包括清洗、去膠、濕法刻蝕、電鍍、涂膠顯影、金屬剝離等多種設(shè)備，廣泛應(yīng)用于各種高尖端產(chǎn)品領(lǐng)域。

2024-01-12 14:55:23

636

詳解硅的晶面及應(yīng)用

研究人員利用硅(100)、(110)和(111)晶面的不同特性對其進行各向異性濕法腐蝕，從而制備出不同的結(jié)構(gòu)，這是半導(dǎo)體工藝中常用的加工方法。

2024-01-11 10:16:30

3206

靶材的種類及制備工藝靶材在半導(dǎo)體領(lǐng)域的應(yīng)用

選擇合適的靶材在半導(dǎo)體工藝中十分重要。

2023-12-28 16:03:14

315

使用壓力傳感器優(yōu)化半導(dǎo)體制造工藝

如今，半導(dǎo)體制造工藝快速發(fā)展，每一代新技術(shù)都在減小集成電路(IC)上各層特征的間距和尺寸。晶圓上高密度的電路需要更高的精度以及高度脆弱的先進制造工藝。

2023-12-25 14:50:47

174

國調(diào)基金助力潤鵬半導(dǎo)體半導(dǎo)體特色工藝升級

據(jù)悉，潤鵬半導(dǎo)體是華潤微電子與深圳市合力推出的精于半導(dǎo)體特色工藝的12英寸晶圓制造項目。主要研發(fā)方向包括CMOS、BCD、e-Flash等工藝

2023-12-20 14:13:25

214

北方華創(chuàng)公開“刻蝕方法和半導(dǎo)體工藝設(shè)備”相關(guān)專利

該專利詳細闡述了一種針對含硅有機介電層的高效刻蝕方法及相應(yīng)的半導(dǎo)體工藝設(shè)備。它主要涉及到通過交替運用至少兩個刻蝕步驟來刻蝕含硅有機介電層。這兩個步驟分別為第一刻蝕步驟和第二刻蝕步驟。

2023-12-06 11:58:16

370

半導(dǎo)體制造技術(shù)之刻蝕工藝

W刻蝕工藝中使用SF6作為主刻步氣體，并通過加入N2以增加對光刻膠的選擇比，加入O2減少碳沉積。在W回刻工藝中分為兩步，第一步是快速均勻地刻掉大部分W，第二步則降低刻蝕速率減弱負載效應(yīng)，避免產(chǎn)生凹坑，并使用對TiN有高選擇比的化學(xué)氣體進行刻蝕。

2023-12-06 09:38:53

1536

半導(dǎo)體制造之薄膜工藝講解

薄膜沉積技術(shù)主要分為CVD和PVD兩個方向。 PVD主要用來沉積金屬及金屬化合物薄膜,分為蒸鍍和濺射兩大類，目前的主流工藝為濺射。CVD主要用于介質(zhì)/半導(dǎo)體薄膜，廣泛用于層間介質(zhì)層、柵氧化層、鈍化層等工藝。

2023-12-05 10:25:18

994

半導(dǎo)體封裝的作用、工藝和演變

在郵寄易碎物品時，使用合適的包裝材料尤為重要，因為它確保包裹能夠完好無損地到達目的地。泡沫塑料、氣泡膜和堅固的盒子都可以有效地保護包裹內(nèi)的物品。同樣地，封裝是半導(dǎo)體制造工藝的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，可以保護芯片

2023-12-02 08:10:57

347

[半導(dǎo)體前端工藝：第一篇] 計算機、晶體管的問世與半導(dǎo)體

[半導(dǎo)體前端工藝：第一篇] 計算機、晶體管的問世與半導(dǎo)體

2023-11-29 16:24:59

193

[半導(dǎo)體前端工藝：第二篇] 半導(dǎo)體制程工藝概覽與氧化

[半導(dǎo)體前端工藝：第二篇] 半導(dǎo)體制程工藝概覽與氧化

2023-11-29 15:14:34

541

[半導(dǎo)體前端工藝：第三篇] 光刻——半導(dǎo)體電路的繪制

[半導(dǎo)體前端工藝：第三篇] 光刻——半導(dǎo)體電路的繪制

2023-11-29 11:25:52

242

半導(dǎo)體前端工藝（第四篇）：刻蝕——有選擇性地刻蝕材料，以創(chuàng)建所需圖形

半導(dǎo)體前端工藝（第四篇）：刻蝕——有選擇性地刻蝕材料，以創(chuàng)建所需圖形

2023-11-27 16:54:26

256

半導(dǎo)體前端工藝（第五篇）：沉積——“更小、更多”，微細化的關(guān)鍵

半導(dǎo)體前端工藝（第五篇）：沉積——“更小、更多”，微細化的關(guān)鍵

2023-11-27 16:48:42

217

半導(dǎo)體前端工藝：第六篇（完結(jié)篇）：金屬布線 —— 為半導(dǎo)體注入生命的連接

半導(dǎo)體前端工藝：第六篇（完結(jié)篇）：金屬布線 —— 為半導(dǎo)體注入生命的連接

2023-11-27 16:11:35

254

濕法刻蝕液的種類與用途有哪些呢？濕法刻蝕用在哪些芯片制程中？

濕法刻蝕由于成本低、操作簡單和一些特殊應(yīng)用，所以它依舊普遍。

2023-11-27 10:20:17

452

【半導(dǎo)體后端工藝：】第一篇了解半導(dǎo)體測試

【半導(dǎo)體后端工藝：】第一篇了解半導(dǎo)體測試

2023-11-24 16:11:50

484

脊型GaAs基LD激光芯片工藝過程簡述

但是里面也有幾個關(guān)鍵的工藝參數(shù)需要控制的。同樣Etch GaAs也可以用ICP干法刻蝕的工藝，比濕法工藝效果要好些，側(cè)壁也垂直很多。

2023-11-14 09:31:29

406

華林科納PFA管在半導(dǎo)體清洗工藝中的卓越應(yīng)用

重要的角色。在半導(dǎo)體清洗工藝中，PFA管的主要作用是用于傳輸、儲存和排放各種化學(xué)液體。這些化學(xué)液體可能是用于清洗半導(dǎo)體的試劑，也可能是用于腐蝕去除半導(dǎo)體表面的各種薄膜和污垢。在這個過程中，PFA管需要承受各種化學(xué)物質(zhì)的侵

2023-10-16 15:34:34

258

半導(dǎo)體封裝工藝的四個等級

半導(dǎo)體封裝技術(shù)的發(fā)展一直都是電子行業(yè)持續(xù)創(chuàng)新的重要驅(qū)動力。隨著集成電路技術(shù)的發(fā)展，半導(dǎo)體封裝技術(shù)也經(jīng)歷了從基礎(chǔ)的封裝到高密度、高性能的封裝的演變。本文將介紹半導(dǎo)體封裝工藝的四個等級，以助讀者更好地理解這一關(guān)鍵技術(shù)。

2023-10-09 09:31:55

933

干法刻蝕與濕法刻蝕各有什么利弊？

在半導(dǎo)體制造中，刻蝕工序是必不可少的環(huán)節(jié)。而刻蝕又可以分為干法刻蝕與濕法刻蝕，這兩種技術(shù)各有優(yōu)勢，也各有一定的局限性，理解它們之間的差異是至關(guān)重要的。

2023-09-26 18:21:00

3305

芯片制造的刻蝕工藝科普

在半導(dǎo)體制程工藝中，有很多不同名稱的用于移除多余材料的工藝，如“清洗”、“刻蝕”等。如果說“清洗”工藝是把整張晶圓上多余的不純物去除掉，“刻蝕”工藝則是在光刻膠的幫助下有選擇性地移除不需要的材料，從而創(chuàng)建所需的微細圖案。半導(dǎo)體“刻蝕”工藝所采用的氣體和設(shè)備，在其他類似工藝中也很常見。

2023-09-24 17:42:03

996

半導(dǎo)體劃片機工藝應(yīng)用

半導(dǎo)體劃片工藝是半導(dǎo)體制造過程中的重要步驟之一，主要用于將大尺寸的晶圓切割成小片，以便進行后續(xù)的制造和封裝過程。以下是一些半導(dǎo)體劃片工藝的應(yīng)用：晶圓劃片：在半導(dǎo)體制造過程中，需要將大尺寸的晶圓切割成

2023-09-18 17:06:19

394

用于高密度和高效率電源設(shè)計的意法半導(dǎo)體WBG解決方案

意法半導(dǎo)體擁有最先進的平面工藝，并且會隨著G4不斷改進：? 導(dǎo)通電阻約比G3低15%? 工作頻率接近1 MHz? 成熟且穩(wěn)健的工藝? 吞吐量、設(shè)計簡單性、可靠性、經(jīng)驗…? 適用于汽車的高生產(chǎn)率

2023-09-08 06:33:00

半導(dǎo)體封裝設(shè)計工藝的各個階段闡述

近年來，半導(dǎo)體封裝變得越發(fā)復(fù)雜，更加強調(diào)設(shè)計的重要性。半導(dǎo)體封裝設(shè)計工藝需要各類工程師和業(yè)內(nèi)人士的共同參與，以共享材料信息、開展可行性測試、并優(yōu)化封裝特性。

2023-09-01 10:38:39

274

半導(dǎo)體工藝里的濕法化學(xué)腐蝕

濕法腐蝕在半導(dǎo)體工藝里面占有很重要的一塊。不懂化學(xué)的芯片工程師是做不好芯片工藝的。

2023-08-30 10:09:04

1705

干法刻蝕在工藝制程中的分類介紹（干法刻蝕關(guān)鍵因素研究）

濕法刻蝕由于精度較差，只適用于很粗糙的制程，但它還是有優(yōu)點的，比如價格便宜，適合批量處理，酸槽里可以一次浸泡25張硅片，所以有些高校和實驗室，還在用濕法做器件，芯片廠里也會用濕法刻蝕來顯露表面缺陷（defect），腐蝕背面多晶硅。

2023-08-28 09:47:44

890

基于干法刻蝕工藝路線和濕法腐蝕工藝路線研究

雙色紅外探測器具有抗干擾能力強、探測波段范圍廣、目標(biāo)特征信息豐富等優(yōu)點，因此被廣泛應(yīng)用于導(dǎo)彈預(yù)警、氣象服務(wù)、精確制導(dǎo)、光電對抗和遙感衛(wèi)星等領(lǐng)域。雙色紅外探測技術(shù)可降低虛警率，實現(xiàn)復(fù)雜背景下的目標(biāo)識別，從而顯著提高系統(tǒng)性能。碲鎘汞材料、量子阱材料和銻化物Ⅱ類超晶格材料均可用于制備雙色紅外探測器。其中，InAs/GaSb Ⅱ類超晶格材料因其帶隙靈活可調(diào)、電子有效質(zhì)量更大、大面積均勻性高等特點以及成本優(yōu)勢，成為制備雙色

2023-08-25 09:16:42

886

半導(dǎo)體制造工藝之光刻工藝詳解

半導(dǎo)體制造工藝之光刻工藝詳解

2023-08-24 10:38:54

1221

可持續(xù)濕法工藝解決方案

來源：《半導(dǎo)體芯科技》雜志綠色目標(biāo)。黃色解決方案。憑借二十年在批量噴涂及其硬件方面的經(jīng)驗，Siconnex已成長為可持續(xù)濕法工藝設(shè)備的領(lǐng)先供應(yīng)商?？沙掷m(xù)發(fā)展和環(huán)境健康是我們的基因

2023-08-18 17:56:34

320

刻蝕工藝主要分為哪幾種類型刻蝕的目的是什么？

PVP可以在刻蝕過程中形成一層保護性的膜，降低刻蝕劑對所需刻蝕材料的腐蝕作用。它可以填充材料表面的裂縫、孔洞和微小空隙，并防止刻蝕劑侵入。這樣可以減少不需要的蝕刻或損傷，提高刻蝕的選擇性。

2023-08-17 15:39:39

2855

半導(dǎo)體前端工藝：沉積——“更小、更多”，微細化的關(guān)鍵

在半導(dǎo)體制程中，移除殘余材料的“減法工藝”不止“刻蝕”一種，引入其他材料的“加法工藝”也非“沉積”一種。比如，光刻工藝中的光刻膠涂敷，其實也是在基底上形成各種薄膜；又如氧化工藝中晶圓（硅）氧化，也需要在基底表面添加各種新材料。那為什么唯獨要強調(diào)“沉積”工藝呢？

2023-08-17 15:33:27

370

半導(dǎo)體前端工藝之刻蝕工藝

在半導(dǎo)體前端工藝第三篇中，我們了解了如何制作“餅干模具”。本期，我們就來講講如何采用這個“餅干模具”印出我們想要的“餅干”。這一步驟的重點，在于如何移除不需要的材料，即“刻蝕（Etching）工藝”。

2023-08-10 15:06:10

506

半導(dǎo)體封裝的作用、工藝和演變

電子封裝技術(shù)與器件的硬件結(jié)構(gòu)有關(guān)。這些硬件結(jié)構(gòu)包括有源元件1（如半導(dǎo)體）和無源元件2（如電阻器和電容器3）。因此，電子封裝技術(shù)涵蓋的范圍較廣，可分為0級封裝到3級封裝等四個不同等級。圖1展示了半導(dǎo)體封裝工藝的整個流程。

2023-08-01 16:45:03

576

半導(dǎo)體制造中的清洗工藝技術(shù)改進方法

隨著晶體管尺寸的不斷微縮，晶圓制造工藝日益復(fù)雜，對半導(dǎo)體濕法清洗技術(shù)的要求也越來越高。

2023-08-01 10:01:56

1644

比肩國際大廠，刻蝕設(shè)備會是率先實現(xiàn)國產(chǎn)替代的嗎？

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/周凱揚）在半導(dǎo)體制造的各路工序中，尤其是前道工序中，技術(shù)難度最大的主要三大流程當(dāng)屬光刻、刻蝕和薄膜沉積了。這三大工藝的先進程度直接決定了晶圓廠所能實現(xiàn)的最高工藝節(jié)點，所用產(chǎn)品

2023-07-30 03:24:48

1556

刻蝕工藝流程和步驟酸性蝕刻和堿性蝕刻的區(qū)別

刻蝕和蝕刻實質(zhì)上是同一過程的不同稱呼，常常用來描述在材料表面上進行化學(xué)或物理腐蝕以去除或改變材料的特定部分的過程。在半導(dǎo)體制造中，這個過程常常用于雕刻芯片上的細微結(jié)構(gòu)。

2023-07-28 15:16:59

4140

半導(dǎo)體激光焊接技術(shù)的工藝應(yīng)用

半導(dǎo)體激光焊接機通過光纖輸出焊接，實現(xiàn)非接觸遠距離操作，方便與自動化生產(chǎn)線集成；激光器有電流反饋閉環(huán)控制，實時監(jiān)測調(diào)節(jié)輸出激光，保證輸出激光的穩(wěn)定；光束能量分布均勻，光斑較大，焊接金屬時，焊縫表面光滑美觀。下面來看看半導(dǎo)體激光焊接技術(shù)的工藝應(yīng)用。

2023-07-26 16:08:24

319

半導(dǎo)體后端工藝：了解半導(dǎo)體測試（上）

半導(dǎo)體制作工藝可分為前端和后端：前端主要是晶圓制作和光刻（在晶圓上繪制電路）；后端主要是芯片的封裝。

2023-07-24 15:46:05

905

一個晶圓被分割成多個半導(dǎo)體芯片的工藝

“晶片切割（Die Sawing）”。近來，隨著半導(dǎo)體集成度的提高，晶圓厚度變得越來越薄，這當(dāng)然給“切單”工藝也帶來了不少難度。

2023-07-14 11:20:35

840

干法刻蝕工藝介紹硅的深溝槽干法刻蝕工藝方法

第一種是間歇式刻蝕方法(BOSCH)，即多次交替循環(huán)刻蝕和淀積工藝，刻蝕工藝使用的是SF6氣體，淀積工藝使用的是C4F8氣體

2023-07-14 09:54:46

3214

半導(dǎo)體后封裝工藝及設(shè)備

半導(dǎo)體后封裝工藝及設(shè)備介紹

2023-07-13 11:43:20

ALD是什么？半導(dǎo)體制造的基本流程

在半導(dǎo)體制造過程中，每個半導(dǎo)體元件的產(chǎn)品都需要經(jīng)過數(shù)百道工序。這些工序包括前道工藝和后道工藝，前道工藝是整個制造過程中最為重要的部分，它關(guān)系到半導(dǎo)體芯片的基本結(jié)構(gòu)和特性的形成，涉及晶圓制造、沉積、光刻、刻蝕等步驟，技術(shù)難點多，操作復(fù)雜。

2023-07-11 11:25:55

2897

半導(dǎo)體工藝之金屬互連工藝

半導(dǎo)體同時具有“導(dǎo)體”的特性，因此允許電流通過，而絕緣體則不允許電流通過。離子注入工藝將雜質(zhì)添加到純硅中，使其具有導(dǎo)電性能。我們可以根據(jù)實際需要使半導(dǎo)體導(dǎo)電或絕緣。重復(fù)光刻、刻蝕和離子注入步驟會在

2023-07-03 10:21:57

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詳解半導(dǎo)體前端工藝之沉積工藝

和在刻蝕工藝中一樣，半導(dǎo)體制造商在沉積過程中也會通過控制溫度、壓力等不同條件來把控膜層沉積的質(zhì)量。例如，降低壓強，沉積速率就會放慢，但可以提高垂直方向的沉積質(zhì)量。因為，壓強低表明設(shè)備內(nèi)反應(yīng)氣體粒子

2023-07-02 11:36:40

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半導(dǎo)體前端工藝：沉積——“更小、更多”，微細化的關(guān)鍵（上）

2023-06-29 16:58:37

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半導(dǎo)體前端工藝之沉積工藝

在前幾篇文章（點擊查看），我們一直在借用餅干烘焙過程來形象地說明半導(dǎo)體制程。在上一篇我們說到，為制作巧克力夾心，需通過“刻蝕工藝”挖出餅干的中間部分，然后倒入巧克力糖漿，再蓋上一層餅干層?！暗谷肭煽肆μ菨{”和“蓋上餅干層”的過程在半導(dǎo)體制程中就相當(dāng)于“沉積工藝”。

2023-06-29 16:56:17

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半導(dǎo)體行業(yè)關(guān)鍵技術(shù)ALD：這家公司是龍頭！

2023-06-28 16:54:06

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淺談半導(dǎo)體制造中的刻蝕工藝

在上一篇文章，我們介紹了光刻工藝，即利用光罩(掩膜)把設(shè)計好的電路圖形繪制在涂覆了光刻膠的晶圓表面上。下一步，將在晶圓上進行刻蝕工藝，以去除不必要的材料，只保留所需的圖形。

2023-06-28 10:04:58

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晶圓臨時鍵合及解鍵合工藝技術(shù)介紹

InP 材料在力學(xué)方面具有軟脆的特性，導(dǎo)致100 mm（4 英寸）InP 晶圓在化合物半導(dǎo)體工藝中有顯著的形變和碎裂的風(fēng)險；同時，InP 基化合物半導(dǎo)體光電子器件芯片大部分采用雙面工藝，在晶圓的雙面進行半導(dǎo)體工藝。

2023-06-27 11:29:32

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半導(dǎo)體芯片封裝工藝流程，芯片定制封裝技術(shù)

當(dāng)我們購買電子產(chǎn)品時，比如手機、電視或計算機，這些設(shè)備內(nèi)部都有一個重要的組成部分，那就是半導(dǎo)體芯片。半導(dǎo)體芯片是由許多微小的電子元件組成的，為了保護和使用這些芯片，它們需要經(jīng)過一個被稱為封裝的工藝流程。下面是半導(dǎo)體芯片封裝的通俗易懂的工藝流程。

2023-06-26 13:50:43

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半導(dǎo)體封裝工藝之模塑工藝類型

“封裝工藝(Encapsulation Process)”用于進行包裝密封，是指用某種材料包裹半導(dǎo)體芯片以保護其免受外部環(huán)境影響，這一步驟同時也是為保護物件所具有的“輕、薄、短、小”特征而設(shè)計。封裝工藝

2023-06-26 09:24:36

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半導(dǎo)體圖案化工藝流程之刻蝕(一)

Dimension, CD)小型化(2D視角)，刻蝕工藝從濕法刻蝕轉(zhuǎn)為干法刻蝕，因此所需的設(shè)備和工藝更加復(fù)雜。由于積極采用3D單元堆疊方法，刻蝕工藝的核心性能指數(shù)出現(xiàn)波動，從而刻蝕工藝與光刻工藝成為半導(dǎo)體制造的重要工藝流程之一。

2023-06-26 09:20:10

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半導(dǎo)體八大工藝之刻蝕工藝-干法刻蝕

離子束蝕刻 (Ion beam etch) 是一種物理干法蝕刻工藝。由此，氬離子以約1至3keV的離子束輻射到表面上。由于離子的能量，它們會撞擊表面的材料。晶圓垂直或傾斜入離子束，蝕刻過程是絕對

2023-06-20 09:48:56

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半導(dǎo)體前端工藝：刻蝕——有選擇性地刻蝕材料，以創(chuàng)建所需圖形

2023-06-15 17:51:57

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博捷芯劃片機半導(dǎo)體封裝的作用、工藝及演變

物的裝置，是半導(dǎo)體后道封測中晶圓切割和WLP切割環(huán)節(jié)的關(guān)鍵設(shè)備。劃片工藝有兩種主要方法：劃片分離和鋸片分離。劃片分離使用刀片對晶圓進行切割，而鋸片分離則使用鋸片對晶圓

2023-06-09 15:03:24

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重點闡述濕法刻蝕

光刻工藝后，在硅片或晶圓上形成了光刻膠的圖形，下一步就是刻蝕。

2023-06-08 10:52:35

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揭秘半導(dǎo)體制程：8寸晶圓與5nm工藝的魅力與挑戰(zhàn)

在探討半導(dǎo)體行業(yè)時，我們經(jīng)常會聽到兩個概念：晶圓尺寸和工藝節(jié)點。本文將為您解析8寸晶圓以及5nm工藝這兩個重要的概念。

2023-06-06 10:44:00

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博捷芯:晶圓切割提升晶圓工藝制程，國產(chǎn)半導(dǎo)體劃片機解決方案

晶圓切割是半導(dǎo)體制造中的關(guān)鍵環(huán)節(jié)之一。提升晶圓工藝制程需要綜合考慮多個方面，包括切割效率、切割質(zhì)量、設(shè)備性能等。針對這些問題，國產(chǎn)半導(dǎo)體劃片機解決方案可以提供一些幫助。首先，在切割效率方面，國產(chǎn)

2023-06-05 15:30:44

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晶片濕法刻蝕方法

硅的堿性刻蝕液：氫氧化鉀、氫氧化氨或四甲基羥胺（TMAH）溶液，晶片加工中，會用到強堿作表面腐蝕或減薄，器件生產(chǎn)中，則傾向于弱堿，如SC1清洗晶片或多晶硅表面顆粒，一部分機理是SC1中的NH4OH

2023-06-05 15:10:01

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詳解半導(dǎo)體封裝測試工藝

詳解半導(dǎo)體封裝測試工藝

2023-05-31 09:42:18

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半導(dǎo)體工藝裝備現(xiàn)狀及發(fā)展趨勢

集成電路前道工藝及對應(yīng)設(shè)備主要分八大類，包括光刻（光刻機）、刻蝕（刻蝕機）、薄膜生長（PVD-物理氣相沉積、CVD-化學(xué)氣相沉積等薄膜設(shè)備）、擴散（擴散爐）、離子注入（離子注入機）、平坦化（CMP設(shè)備）、金屬化（ECD設(shè)備）、濕法工藝（濕法工藝設(shè)備）等。

2023-05-30 10:47:12

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半導(dǎo)體行業(yè)芯片封裝與測試的工藝流程

半導(dǎo)體芯片的封裝與測試是整個芯片生產(chǎn)過程中非常重要的環(huán)節(jié)，它涉及到多種工藝流程。

2023-05-29 14:15:25

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2023年中國半導(dǎo)體分立器件銷售將達到4,428億元?

器件銷售 2,772.30 億元，2020 年中國半導(dǎo)體分立器件銷售 2,966.30 億元，預(yù)計 2023 年分立器件銷售將達到 4,428 億元。分立器件部分細分市場情況之場效應(yīng)管市場情況

2023-05-26 14:24:29

石墨烯/硅異質(zhì)結(jié)光電探測器的制備工藝與其伏安特性的關(guān)系

通過濕法轉(zhuǎn)移二維材料與半導(dǎo)體襯底形成異質(zhì)結(jié)是一種常見的制備異質(zhì)結(jié)光電探測器的方法。在濕法轉(zhuǎn)移制備異質(zhì)結(jié)的過程中，不同的制備工藝細節(jié)對二維材料與半導(dǎo)體形成的異質(zhì)結(jié)的性能有顯著影響。

2023-05-26 10:57:21

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半導(dǎo)體工藝與制造裝備技術(shù)發(fā)展趨勢

摘要：針對半導(dǎo)體工藝與制造裝備的發(fā)展趨勢進行了綜述和展望。首先從支撐電子信息技術(shù)發(fā)展的角度，分析半導(dǎo)體工藝與制造裝備的總體發(fā)展趨勢，重點介紹集成電路工藝設(shè)備、分立器件工藝設(shè)備等細分領(lǐng)域的技術(shù)發(fā)展態(tài)勢和主要技術(shù)挑戰(zhàn)。

2023-05-23 15:23:47

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SiC賦能更為智能的半導(dǎo)體制造/工藝電源

半導(dǎo)體器件的制造流程包含數(shù)個截然不同的精密步驟。無論是前道工藝還是后道工藝，半導(dǎo)體制造設(shè)備的電源都非常重要。

2023-05-19 15:39:04

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采用光刻膠犧牲層技術(shù)改善薄膜電路制備工藝

改善之后的工藝與之前最大的區(qū)別在于使用光刻膠充當(dāng)濺射的掩膜，在電鍍之前將電路圖形高精度的制備出來，不再進行濕法刻蝕，避免了側(cè)腐蝕對線條精度和膜基結(jié)合力的影響，同時，基板只浸入丙酮中一次以去除光刻膠，避免了大量溶液的使用

2023-05-16 09:40:35

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半導(dǎo)體圖案化工藝流程之刻蝕簡析

圖案化工藝包括曝光(Exposure)、顯影(Develope)、刻蝕(Etching)和離子注入等流程。

2023-04-28 11:24:27

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金屬布線的工藝為半導(dǎo)體注入生命的連接

經(jīng)過氧化、光刻、刻蝕、沉積等工藝，晶圓表面會形成各種半導(dǎo)體元件。半導(dǎo)體制造商會讓晶圓表面布滿晶體管和電容（Capacitor）；

2023-04-28 10:04:52

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半導(dǎo)體工藝之金屬布線工藝介紹

本篇要講的金屬布線工藝，與前面提到的光刻、刻蝕、沉積等獨立的工藝不同。在半導(dǎo)體制程中，光刻、刻蝕等工藝，其實是為了金屬布線才進行的。在金屬布線過程中，會采用很多與之前的電子元器件層性質(zhì)不同的配線材料（金屬）。

2023-04-25 10:38:49

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虹科技術(shù)|半導(dǎo)體制造工藝中的UV-LED光源

半導(dǎo)體行業(yè)借助紫外光譜范圍（i 線：365 nm、h線：405 nm和g線：436 nm）中的高功率輻射在各種光刻、曝光和顯影工藝中創(chuàng)建復(fù)雜的微觀結(jié)構(gòu)

2023-04-24 11:23:28

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《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》單晶的濕法蝕刻和紅外吸收

書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：單晶的濕法蝕刻和紅外吸收編號：JFKJ-21-206 作者：炬豐科技摘要采用濕法腐蝕、x射線衍射和紅外吸收等方法研究了物理氣相色譜法生長AlN單晶的缺陷

2023-04-23 11:15:00

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PCB制程中的COB工藝是什么呢？

2023-04-23 10:46:59

半導(dǎo)體刻蝕工藝簡述

等離子體均勻性和等離子體位置的控制在未來更加重要。對于成熟的技術(shù)節(jié)點，高的產(chǎn)量、低的成本是與現(xiàn)有生產(chǎn)系統(tǒng)競爭的關(guān)鍵因素。如果可以制造低成本的可靠的刻蝕系統(tǒng)，從長遠來看，可以為客戶節(jié)省大量費用，有可能

2023-04-21 09:20:22

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