SOI晶圓片結(jié)構(gòu)特性由硅層厚度、BOX層厚度、Si-SiO?界面狀態(tài)及薄膜缺陷與應力分布共同決定,其厚度調(diào)控范圍覆蓋MEMS應用的微米級至先進CMOS的納米級。
2025-12-26 15:21:23
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格羅方德(GlobalFoundries,納斯達克代碼:GFS)宣布收購總部位于新加坡的硅光晶圓代工廠Advanced Micro Foundry(AMF),此舉標志著格羅方德在推進硅光技術創(chuàng)新
2025-11-19 10:54:53
430 在半導體芯片的精密制造流程中,晶圓從一片薄薄的硅片成長為百億晶體管的載體,需要經(jīng)歷數(shù)百道工序。在半導體芯片的微米級制造流程中,晶圓的每一次轉(zhuǎn)移和清洗都可能影響最終產(chǎn)品良率。特氟龍(聚四氟乙烯)材質(zhì)
2025-11-18 15:22:31
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:利用高頻聲波在液體中產(chǎn)生空化效應,形成微小氣泡并破裂時釋放沖擊力,剝離附著在晶圓表面的顆粒污染物。例如,40kHz低頻超聲波適用于去除微米級顆粒,而1MHz以上兆聲波可清除納米級顆粒且避免損傷表面。 機械力輔助 :采用旋轉(zhuǎn)噴
2025-11-18 11:06:19
200 兆聲波清洗通過高頻振動(通常0.8–1MHz)在清洗液中產(chǎn)生均勻空化效應,對晶圓表面顆粒具有高效去除能力。然而,其潛在損傷風險需結(jié)合工藝參數(shù)與材料特性綜合評估:表面微結(jié)構(gòu)機械損傷納米級劃痕與凹坑:兆
2025-11-04 16:13:22
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再生晶圓與普通晶圓在半導體產(chǎn)業(yè)鏈中扮演著不同角色,二者的核心區(qū)別體現(xiàn)在來源、制造工藝、性能指標及應用場景等方面。以下是具體分析:定義與來源差異普通晶圓:指全新生產(chǎn)的硅基材料,由高純度多晶硅經(jīng)拉單晶
2025-09-23 11:14:55
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MEMS晶圓級電鍍是一種在微機電系統(tǒng)制造過程中,整個硅晶圓表面通過電化學方法選擇性沉積金屬微結(jié)構(gòu)的關鍵工藝。該技術的核心在于其晶圓級和圖形化特性:它能在同一時間對晶圓上的成千上萬個器件結(jié)構(gòu)進行批量加工,極大地提高了生產(chǎn)效率和一致性,是實現(xiàn)MEMS器件低成本、批量化制造的核心技術之一。
2025-09-01 16:07:28
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WD4000晶圓厚度翹曲度測量系統(tǒng)兼容不同材質(zhì)不同粗糙度、可測量大翹曲wafer、測量晶圓雙面數(shù)據(jù)更準確。它通過非接觸測量,將晶圓的三維形貌進行重建,強大的測量分析軟件穩(wěn)定計算晶圓厚度,TTV
2025-08-25 11:29:30
WD4000晶圓顯微形貌測量系統(tǒng)通過非接觸測量,將晶圓的三維形貌進行重建,強大的測量分析軟件穩(wěn)定計算晶圓厚度,TTV,BOW、WARP、在高效測量測同時有效防止晶圓產(chǎn)生劃痕缺陷。WD4000晶圓顯微
2025-08-20 11:26:59
WD4000晶圓膜厚測量系統(tǒng)通過非接觸測量,將晶圓的三維形貌進行重建,強大的測量分析軟件穩(wěn)定計算晶圓厚度,TTV,BOW、WARP、在高效測量測同時有效防止晶圓產(chǎn)生劃痕缺陷。WD4000晶圓膜厚測量
2025-08-12 15:47:19
流轉(zhuǎn)。這家全球第三大晶圓代工廠,正以每月 3 萬片的產(chǎn)能推進 7 納米工藝客戶驗證,標志著中國大陸在先進制程領域的實質(zhì)性突破。 技術突圍的底層邏輯 中芯國際的 7 納米工藝采用自主研發(fā)的 FinFET 架構(gòu),通過引入高介電常數(shù)金屬柵極(HKMG)和極紫外光刻(EUV)預研技術,將晶體管密
2025-08-04 15:22:21
10986 退火工藝是晶圓制造中的關鍵步驟,通過控制加熱和冷卻過程,退火能夠緩解應力、修復晶格缺陷、激活摻雜原子,并改善材料的電學和機械性質(zhì)。這些改進對于確保晶圓在后續(xù)加工和最終應用中的性能和可靠性至關重要。退火工藝在晶圓制造過程中扮演著至關重要的角色。
2025-08-01 09:35:23
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格羅方德(GlobalFoundries)推出GlobalShuttle多項目晶圓(multi-project wafer, MPW),計劃通過將多個芯片設計項目集成于同一片晶圓上,助力客戶將差異化芯片設計轉(zhuǎn)化為實際產(chǎn)品,同時無需承擔測試硅片的成本限制。
2025-07-26 15:27:04
945 摘要:本文圍繞基于納米流體強化的切割液性能提升及對晶圓 TTV 均勻性的控制展開研究。探討納米流體強化切割液在冷卻、潤滑、排屑等性能方面的提升機制,分析其對晶圓 TTV 均勻性的影響路徑,以及優(yōu)化
2025-07-25 10:12:24
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晶圓清洗工藝是半導體制造中的關鍵步驟,用于去除晶圓表面的污染物(如顆粒、有機物、金屬離子和氧化物),確保后續(xù)工藝(如光刻、沉積、刻蝕)的良率和器件性能。根據(jù)清洗介質(zhì)、工藝原理和設備類型的不同,晶圓
2025-07-23 14:32:16
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晶圓清洗機中的晶圓夾持是確保晶圓在清洗過程中保持穩(wěn)定、避免污染或損傷的關鍵環(huán)節(jié)。以下是晶圓夾持的設計原理、技術要點及實現(xiàn)方式: 1. 夾持方式分類 根據(jù)晶圓尺寸(如2英寸到12英寸)和工藝需求,夾持
2025-07-23 14:25:43
928 不同晶圓尺寸的清洗工藝存在顯著差異,主要源于其表面積、厚度、機械強度、污染特性及應用場景的不同。以下是針對不同晶圓尺寸(如2英寸、4英寸、6英寸、8英寸、12英寸等)的清洗區(qū)別及關鍵要點:一、晶圓
2025-07-22 16:51:19
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楷登電子(美國 Cadence 公司,NASDAQ:CDNS)近日宣布擴大與三星晶圓代工廠的合作,包括簽署一項新的多年期 IP 協(xié)議,在三星晶圓代工廠的 SF4X、SF5A 和 SF2P 先進節(jié)點
2025-07-10 16:44:04
918 WD4000晶圓厚度THK幾何量測系統(tǒng)兼容不同材質(zhì)不同粗糙度、可測量大翹曲wafer、測量晶圓雙面數(shù)據(jù)更準確。它通過非接觸測量,將晶圓的三維形貌進行重建,強大的測量分析軟件穩(wěn)定計算晶圓厚度,TTV
2025-07-10 13:42:33
超薄晶圓因其厚度極薄,在切割時對振動更為敏感,易影響厚度均勻性。我將從分析振動對超薄晶圓切割的影響出發(fā),探討針對性的振動控制技術和厚度均勻性保障策略。
超薄晶圓(
2025-07-09 09:52:03
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On Wafer WLS無線晶圓測溫系統(tǒng)通過自主研發(fā)的核心技術將傳感器嵌入晶圓集成,實時監(jiān)控和記錄晶圓在制程過程中的溫度變化數(shù)據(jù),為半導體制造過程提供一種高效可靠的方式來監(jiān)測和優(yōu)化關鍵
2025-06-27 10:37:30
在半導體制造的精密流程中,晶圓載具清洗機是確保芯片良率與性能的關鍵設備。它專門用于清潔承載晶圓的載具(如載具、花籃、托盤等),避免污染物通過載具轉(zhuǎn)移至晶圓表面,從而保障芯片制造的潔凈度與穩(wěn)定性。本文
2025-06-25 10:47:33
WD4000晶圓厚度測量設備兼容不同材質(zhì)不同粗糙度、可測量大翹曲wafer、測量晶圓雙面數(shù)據(jù)更準確。它通過非接觸測量,將晶圓的三維形貌進行重建,強大的測量分析軟件穩(wěn)定計算晶圓厚度,TTV,BOW
2025-06-18 15:40:06
摘要:本文探討晶圓邊緣 TTV 測量在半導體制造中的重要意義,分析其對芯片制造工藝、器件性能和生產(chǎn)良品率的影響,同時研究測量方法、測量設備精度等因素對測量結(jié)果的作用,為提升半導體制造質(zhì)量提供理論依據(jù)
2025-06-14 09:42:58
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晶圓檢測是指在晶圓制造完成后,對晶圓進行的一系列物理和電學性能的測試與分析,以確保其質(zhì)量和性能符合設計要求。這一過程是半導體制造中的關鍵環(huán)節(jié),直接影響后續(xù)封裝和芯片的良品率。 隨著圖形化和幾何結(jié)構(gòu)
2025-06-06 17:15:28
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貼膜是指將一片經(jīng)過減薄處理的晶圓(Wafer)固定在一層特殊的膠膜上,這層膜通常為藍色,業(yè)內(nèi)常稱為“ 藍膜 ”。貼膜的目的是為后續(xù)的晶圓切割(劃片)工藝做準備。
2025-06-03 18:20:59
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晶圓是半導體制造的核心基材,所有集成電路(IC)均構(gòu)建于晶圓之上,其質(zhì)量直接決定芯片性能、功耗和可靠性,是摩爾定律持續(xù)推進的物質(zhì)基礎。其中晶圓的厚度(THK)、翹曲度(Warp) 和彎曲度(Bow
2025-05-28 16:12:46
關鍵詞:鍵合晶圓;TTV 質(zhì)量;晶圓預處理;鍵合工藝;檢測機制 一、引言 在半導體制造領域,鍵合晶圓技術廣泛應用于三維集成、傳感器制造等領域。然而,鍵合過程中諸多因素會導致晶圓總厚度偏差(TTV
2025-05-26 09:24:36
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摘要:本文針對激光退火后晶圓總厚度偏差(TTV)變化的問題,深入探討從工藝參數(shù)優(yōu)化、設備改進、晶圓預處理以及檢測反饋機制等方面,提出一系列有效管控 TTV 變化的方法,為提升激光退火后晶圓質(zhì)量提供
2025-05-23 09:42:45
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摘要:本文針對濕法腐蝕工藝后晶圓總厚度偏差(TTV)的管控問題,探討從工藝參數(shù)優(yōu)化、設備改進及檢測反饋機制完善等方面入手,提出一系列優(yōu)化方法,以有效降低濕法腐蝕后晶圓 TTV,提升晶圓制造質(zhì)量
2025-05-22 10:05:57
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摘要:本文聚焦于降低晶圓 TTV(總厚度偏差)的磨片加工方法,通過對磨片設備、工藝參數(shù)的優(yōu)化以及研磨拋光流程的改進,有效控制晶圓 TTV 值,提升晶圓質(zhì)量,為半導體制造提供實用技術參考。 關鍵詞:晶
2025-05-20 17:51:39
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WD4000晶圓Warp翹曲度量測系統(tǒng)采用高精度光譜共焦傳感技術、光干涉雙向掃描技術,完成非接觸式掃描并建立3D Mapping圖,實現(xiàn)晶圓厚度、TTV、LTV、Bow、Warp、TIR、SORI
2025-05-20 14:02:17
前言在半導體制造的前段制程中,晶圓需要具備足夠的厚度,以確保其在流片過程中的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性。盡管芯片功能層的制備僅涉及晶圓表面幾微米范圍,但完整厚度的晶圓更有利于保障復雜工藝的順利進行,直至芯片前制程
2025-05-16 16:58:44
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在半導體制造流程中,晶圓在前端工藝階段需保持一定厚度,以確保其在流片過程中的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性,避免彎曲變形,并為芯片制造工藝提供操作便利。不同規(guī)格晶圓的原始厚度存在差異:4英寸晶圓厚度約為520微米,6
2025-05-09 13:55:51
1975 晶圓制備是材料科學、熱力學與精密控制的綜合體現(xiàn),每一環(huán)節(jié)均凝聚著工程技術的極致追求。而晶圓清洗本質(zhì)是半導體工業(yè)與污染物持續(xù)博弈的縮影,每一次工藝革新都在突破物理極限。
2025-05-07 15:12:30
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本文介紹了半導體集成電路制造中的晶圓制備、晶圓制造和晶圓測試三個關鍵環(huán)節(jié)。
2025-04-15 17:14:37
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晶圓浸泡式清洗方法是半導體制造過程中的一種重要清洗技術,它旨在通過將晶圓浸泡在特定的化學溶液中,去除晶圓表面的雜質(zhì)、顆粒和污染物,以確保晶圓的清潔度和后續(xù)加工的質(zhì)量。以下是對晶圓浸泡式清洗方法的詳細
2025-04-14 15:18:54
766 WD4000晶圓表面形貌量測系統(tǒng)通過非接觸測量,將晶圓的三維形貌進行重建,強大的測量分析軟件穩(wěn)定計算晶圓厚度,TTV,BOW、WARP、在高效測量測同時有效防止晶圓產(chǎn)生劃痕缺陷。 
2025-04-11 11:11:00
在半導體制造過程中,晶圓甩干機發(fā)揮著至關重要的作用。然而,晶圓甩干過程中的碎片問題一直是影響生產(chǎn)效率和產(chǎn)品質(zhì)量的關鍵因素之一。晶圓作為半導體器件的載體,其完整性對于后續(xù)的制造工藝至關重要。即使是極小
2025-03-25 10:49:12
766 WD4000系列晶圓微觀幾何輪廓測量系統(tǒng)采用高精度光譜共焦傳感技術、光干涉雙向掃描技術,完成非接觸式掃描并建立3D Mapping圖,實現(xiàn)晶圓厚度、TTV、LTV、Bow、Warp、TIR、SORI
2025-03-19 17:36:45
本文介紹了晶圓清洗的污染源來源、清洗技術和優(yōu)化。
2025-03-18 16:43:05
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MEMS傳感器晶圓劃片機技術特點與應用分析MEMS(微機電系統(tǒng))傳感器晶圓劃片機是用于切割MEMS傳感器晶圓的關鍵設備,需滿足高精度、低損傷及工藝適配性等要求。以下是相關技術特點、工藝難點及國產(chǎn)化
2025-03-13 16:17:45
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,在特定場景中展現(xiàn)出獨特的優(yōu)勢。讓我們走進濕法刻蝕的世界,探索這場在納米尺度上上演的微觀雕刻。 濕法刻蝕的魔法:化學的力量 濕法刻蝕利用化學溶液的腐蝕性,選擇性地去除晶圓表面的材料。它的工作原理簡單而高效:將晶圓浸入特定的
2025-03-12 13:59:11
983 通過獨立雙軸運行,適配12寸晶圓,切割效率較單軸提升50%以上,定位精度達±1μm?。采用進口直線電機與光柵尺閉環(huán)系統(tǒng),結(jié)合實時反饋算法,確保切割路徑的納米級重復精
2025-03-11 17:27:52
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芯片制造的畫布 芯片制造的畫布:晶圓的奧秘與使命 在芯片制造的宏大舞臺上,晶圓(Wafer)扮演著至關重要的角色。它如同一張潔白的畫布,承載著無數(shù)工程師的智慧與夢想,見證著從砂礫到智能的奇跡之旅。晶
2025-03-10 17:04:25
1542 WD4000晶圓翹曲度幾何量測系統(tǒng)兼容不同材質(zhì)不同粗糙度、可測量大翹曲wafer、測量晶圓雙面數(shù)據(jù)更準確。儀器通過非接觸測量,將晶圓的三維形貌進行重建,強大的測量分析軟件穩(wěn)定計算晶圓厚度,TTV
2025-03-07 16:19:24
WD4000晶圓幾何形貌量測機通過非接觸測量,自動測量 Wafer 厚度、表面粗糙度、三維形貌、單層膜厚、多層膜厚。將晶圓的三維形貌進行重建,強大的測量分析軟件穩(wěn)定計算晶圓厚度,TTV,BOW
2025-02-21 14:09:42
日本硅晶圓制造商Sumco宣布,將在2026年底前停止宮崎工廠的硅晶圓生產(chǎn)。 Sumco報告稱,主要用于消費、工業(yè)和汽車應用的小直徑晶圓需求仍然疲軟。具體而言,隨著客戶要么轉(zhuǎn)向200毫米晶圓,要么在
2025-02-20 16:36:31
815 眾所周知,幾乎所有 SiC 器件都是在 150 毫米晶圓上制造的,使用更大的晶圓存在重大挑戰(zhàn)。從 200 毫米晶圓出貨器件是降低 SiC 器件成本的關鍵一步,其他公司也在開發(fā) 200 毫米技術
2025-02-19 11:16:55
811 近日,日本知名硅晶圓制造商Sumco宣布了一項重要戰(zhàn)略決策,計劃于2026年底前停止其宮崎工廠的硅晶圓生產(chǎn)。這一舉措是Sumco為優(yōu)化產(chǎn)品組合、提高盈利能力而采取的關鍵步驟。
2025-02-13 16:46:52
1215 據(jù)SEMI(國際半導體材料產(chǎn)業(yè)協(xié)會)近日發(fā)布的硅片行業(yè)年終分析報告顯示,2024年全球硅晶圓出貨量預計將出現(xiàn)2.7%的同比下降,總量達到122.66億平方英寸(MSI)。與此同時,硅晶圓的銷售額也呈現(xiàn)出下滑趨勢,同比下降6.5%,預計總額約為115億美元。
2025-02-12 17:16:27
890 Dicing 是指將制造完成的晶圓(Wafer)切割成單個 Die 的工藝步驟,是從晶圓到獨立芯片生產(chǎn)的重要環(huán)節(jié)之一。每個 Die 都是一個功能單元,Dicing 的精準性直接影響芯片的良率和性能。
2025-02-11 14:28:49
2943 在半導體制造的復雜流程中,晶圓歷經(jīng)前道工序完成芯片制備后,劃片工藝成為將芯片從晶圓上分離的關鍵環(huán)節(jié),為后續(xù)封裝奠定基礎。由于不同厚度的晶圓具有各異的物理特性,因此需匹配不同的切割工藝,以確保切割效果與芯片質(zhì)量。
2025-02-07 09:41:00
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近日,臺灣半導體制造業(yè)巨頭臺積電遭遇了一次突發(fā)事件。據(jù)臺灣媒體報道,臺積電位于臺南的Fab14和Fab18工廠在近期發(fā)生的地震中受損,初步估計將有1至2萬片晶圓報廢。本月21日零時17分,臺灣嘉義縣
2025-01-24 11:27:29
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在半導體制造領域,晶圓作為芯片的基礎母材,其質(zhì)量把控的關鍵環(huán)節(jié)之一便是對 BOW(彎曲度)的精確測量。而在測量過程中,特氟龍夾具的晶圓夾持方式與傳統(tǒng)的真空吸附方式有著截然不同的特性,這些差異深刻影響
2025-01-21 09:36:24
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???? 本文主要介紹功率器件晶圓測試及封裝成品測試。?????? ? 晶圓測試(CP)???? 如圖所示為典型的碳化硅晶圓和分立器件電學測試的系統(tǒng),主要由三部分組成,左邊為電學檢測探針臺阿波羅
2025-01-14 09:29:13
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不同的真空吸附方式,作為晶圓測量環(huán)節(jié)中的關鍵支撐技術,對 BOW 測量結(jié)果有著千差萬別的影響。
一、全表面真空吸附方式
全表面真空吸附是最為傳統(tǒng)且應用廣泛的一種方式。其原
2025-01-10 10:30:46
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都說晶圓清洗機是用于晶圓清洗的,既然說是全自動的。我們更加好奇的點一定是如何自動實現(xiàn)晶圓清洗呢?效果怎么樣呢?好多疑問。我們先來給大家介紹這個根本問題,就是全自動晶圓清洗機的工作是如何實現(xiàn)
2025-01-10 10:09:19
1113 在半導體制造領域,晶圓的加工精度和質(zhì)量控制至關重要,其中對晶圓 BOW(彎曲度)和 WARP(翹曲度)的精確測量更是關鍵環(huán)節(jié)。不同的吸附方案被應用于晶圓測量過程中,而晶圓的環(huán)吸方案因其獨特
2025-01-09 17:00:10
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晶圓是集成電路、功率器件及半導體分立器件的核心原材料,超過90%的集成電路均在高純度、高品質(zhì)的晶圓上制造而成。晶圓的質(zhì)量及其產(chǎn)業(yè)鏈供應能力,直接關乎集成電路的整體性能和競爭力。今天我們將詳細介紹
2025-01-09 09:59:26
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。在此之前,皖芯集成的注冊資本僅為5000.01萬元。 本次增資完成后,晶合集成持有皖芯集成的股權(quán)比例變更為43.75%,仍為第一大股東。 據(jù)TrendForce公布的24Q1全球晶圓代工廠商營收排名,晶合集成位居全球前九,是中國大陸本土第三的晶圓代工廠商。
2025-01-07 17:33:09
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