電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）剛剛過去的2024年里，第三代半導(dǎo)體迎來了更大規(guī)模的應(yīng)用，在清潔能源、新能源汽車市場進(jìn)一步滲透的同時(shí)，數(shù)據(jù)中心電源、機(jī)器人、低空經(jīng)濟(jì)等應(yīng)用的火爆，也給第三代半導(dǎo)體行業(yè)
2025-01-05 05:53:00
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關(guān)鍵詞： 常溫鍵合；第三代半導(dǎo)體；異質(zhì)集成；半導(dǎo)體設(shè)備；青禾晶元；半導(dǎo)體技術(shù)突破；碳化硅(SiC)；氮化鎵(GaN)；超高真空鍵合；先進(jìn)封裝；摩爾定律 隨著5G/6G通信、新能源汽車與人工智能對芯片
2025-12-29 11:24:17132 
從L2+級的ADAS到L4級的自動(dòng)駕駛系統(tǒng)，4D成像雷達(dá)正不斷拓展汽車安全與自動(dòng)駕駛的邊界。新一代的成像雷達(dá)解決方案，通過在性能、成本、能效和安全等方面的迭代優(yōu)化，正在引領(lǐng)智能出行邁入新紀(jì)元。
2025-12-28 09:42:34371 為推動(dòng)小芯片創(chuàng)新的下一波浪潮，Cadence 成功流片其第三代通用小芯片互連技術(shù)（UCIe）IP 解決方案，在臺(tái)積電先進(jìn)的 N3P 工藝上實(shí)現(xiàn)了業(yè)界領(lǐng)先的每通道 64Gbps 速率。隨著行業(yè)向日
2025-12-26 09:59:44161 
Neway第三代GaN系列模塊的生產(chǎn)成本Neway第三代GaN系列模塊的生產(chǎn)成本受材料、工藝、規(guī)模、封裝設(shè)計(jì)及市場定位等多重因素影響，整體呈現(xiàn)“高技術(shù)投入與規(guī)模化降本并存”的特征。一、成本構(gòu)成：核心
2025-12-25 09:12:32
2025年12月4日，深圳高光時(shí)刻！由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)標(biāo)桿機(jī)構(gòu)「行家說三代半」主辦的「2025行家極光獎(jiǎng)」頒獎(jiǎng)晚宴盛大啟幕，數(shù)百家SiC&GaN領(lǐng)域精英企業(yè)齊聚一堂，共襄產(chǎn)業(yè)盛事。
2025-12-13 10:56:01899 
“溫度保險(xiǎn)絲”和“溫度開關(guān)”之后推出的第三代保護(hù)器件。
1 應(yīng)用領(lǐng)域
智能電度表、萬用表、充電器、小型變壓器、數(shù)字萬用表、微電機(jī)、小型電子儀器等
2 產(chǎn)品優(yōu)點(diǎn)
型號齊全，各種體積大小、電流大小
2025-12-12 09:13:49
2025年行至尾聲，智融科技憑借領(lǐng)先的數(shù)模混合設(shè)計(jì)實(shí)力、卓越的消費(fèi)級電源管理方案，以及在第三代半導(dǎo)體驅(qū)動(dòng)技術(shù)的前瞻布局，一舉攬獲多項(xiàng)行業(yè)大獎(jiǎng)，成為國產(chǎn)數(shù)?；旌螴C與GaN/SiC第三代半導(dǎo)體驅(qū)動(dòng)賽道的“雙料”先鋒！
2025-12-11 15:20:51377 近日，在深圳舉辦的“2025行家極光獎(jiǎng)”頒獎(jiǎng)典禮上，士蘭微電子憑借在碳化硅（SiC）領(lǐng)域的持續(xù)創(chuàng)新與深厚積累，一舉斬獲三大獎(jiǎng)項(xiàng)：“中國SiC器件IDM十強(qiáng)企業(yè)”、“中國SiC模塊十強(qiáng)企業(yè)”以及“第三代半導(dǎo)體年度創(chuàng)新產(chǎn)品”。
2025-12-10 17:43:35614 
與之匹配的被動(dòng)元件協(xié)同進(jìn)化。 當(dāng)第三代半導(dǎo)體器件以其高頻、高效、耐高溫高壓的優(yōu)勢，在新能源汽車電驅(qū)系統(tǒng)、光伏儲(chǔ)能逆變器、工業(yè)伺服電源、AI服務(wù)器電源及數(shù)據(jù)中心供電等場景中加速普及時(shí)，供電系統(tǒng)中的電容正面臨前所未有的挑戰(zhàn)：高頻開關(guān)噪聲加劇、高溫容值
2025-12-04 15:34:17217 如有雷同或是不當(dāng)之處，還請大家海涵。當(dāng)前在各網(wǎng)絡(luò)平臺(tái)上均以此昵稱為ID跟大家一起交流學(xué)習(xí)！ 碳化硅（SiC）功率器件作為第三代半導(dǎo)體的核心代表，憑借其高頻、高效、耐高溫、耐高壓等特性，正在新能源汽車、光伏儲(chǔ)能、工業(yè)電源
2025-12-04 08:21:12699 
如有雷同或是不當(dāng)之處，還請大家海涵。當(dāng)前在各網(wǎng)絡(luò)平臺(tái)上均以此昵稱為ID跟大家一起交流學(xué)習(xí)！ 碳化硅是第三代半導(dǎo)體材料的代表；而半導(dǎo)體這個(gè)行業(yè)又過于學(xué)術(shù)，為方便閱讀，以下這篇文章的部分章節(jié)會(huì)以要點(diǎn)列示為主，如果遺漏
2025-12-03 08:33:44349 
在第三代半導(dǎo)體器件的研發(fā)與性能評估中，對半橋電路上管進(jìn)行精確的電壓與電流參數(shù)測試，是優(yōu)化電路設(shè)計(jì)、驗(yàn)證器件特性的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。一套科學(xué)、可靠的測試方案可為技術(shù)開發(fā)提供堅(jiān)實(shí)的數(shù)據(jù)支撐，加速技術(shù)迭代與產(chǎn)業(yè)化
2025-11-19 11:01:05129 
引言1.1研究背景與意義碳化硅（SiC）作為第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料，相比傳統(tǒng)硅基材料具有顯著的技術(shù)優(yōu)勢。SiC材料的禁帶寬度為3.26eV，是硅的近3倍；擊穿場強(qiáng)達(dá)3MV/cm，是硅的10倍；熱導(dǎo)率
2025-11-19 07:30:471489 
在全球追求更高能源效率和更小巧電力電子系統(tǒng)的浪潮中，以碳化硅（SiC）為代表的第三代寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)正扮演著至關(guān)重要的角色。憑借其在高電壓、高頻率和高溫應(yīng)用中的卓越性能，SiC器件正在逐步取代傳統(tǒng)
2025-11-17 09:16:42186 2025年11月11-14日，第十一屆國際第三代半導(dǎo)體論壇&第二十二屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇（IFWS&SSLCHINA 2025）在廈門盛大召開。作為覆蓋90余個(gè)國家及地區(qū)、匯聚
2025-11-14 17:53:472410 如有雷同或是不當(dāng)之處，還請大家海涵。當(dāng)前在各網(wǎng)絡(luò)平臺(tái)上均以此昵稱為ID跟大家一起交流學(xué)習(xí)！ 碳化硅（Silicon Carbide, SiC）作為第三代半導(dǎo)體材料的代表，以其優(yōu)異的物理和化學(xué)特性，在電力電子、光電子、射頻器件等領(lǐng)域展現(xiàn)出了巨
2025-11-11 08:13:37872 
的飛躍？歡迎觀看虹科「CAN總線專題」直播第8期，虹科資深技術(shù)工程為您帶來CANXL總線技術(shù)的全面解析。Introduction第三代CAN總線技術(shù)——CANXLC
2025-11-04 17:34:451159 
在半導(dǎo)體材料的研究領(lǐng)域中，透射電子顯微鏡（TEM）已成為一種不可或缺的分析工具。它能夠讓我們直接觀察到氮化鎵（GaN）外延片中原子級別的排列細(xì)節(jié)——這種第三代半導(dǎo)體材料，正是現(xiàn)代快充設(shè)備、5G通信
2025-10-31 12:00:073843 
NIST在2012年評選出了最終的算法并確定了新的哈希函數(shù)標(biāo)準(zhǔn)。Keccak算法由于其較強(qiáng)的安全性和優(yōu)秀的軟硬件實(shí)現(xiàn)性能，最終成為最新一代的哈希函數(shù)標(biāo)準(zhǔn)。2015年8月NIST發(fā)布了最終的SHA-3
2025-10-28 07:13:32
10月25日，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)合作大會(huì)在鹽城高新區(qū)召開。省工業(yè)和信息化廳二級巡視員余雷、副市長祁從峰出席會(huì)議并致辭。鹽都區(qū)委書記馬正華出席，鹽都區(qū)委副書記、區(qū)長臧沖主持會(huì)議。
2025-10-27 18:05:001276 OPPO Find X9 系列搭載天璣 9500 旗艦芯，該芯片采用第三代全大核架構(gòu)設(shè)計(jì)，憑借其先進(jìn)的第三代 3 納米制程，在端側(cè) AI、專業(yè)影像、主機(jī)級游戲體驗(yàn)以及網(wǎng)絡(luò)通信等方面提供強(qiáng)大的算力支持
2025-10-23 11:35:231114 在新能源汽車、5G通信和人工智能的推動(dòng)下，功率半導(dǎo)體正經(jīng)歷前所未有的技術(shù)變革。SiC和GaN等第三代半導(dǎo)體器件的高頻、高壓特性，對封裝基板提出了更嚴(yán)苛的要求——既要承受超高功率密度，又要確保信號
2025-10-22 18:13:11243 
10月14日，一加攜手京東方正式發(fā)布第三代東方屏。作為全球首塊165Hz超高刷高分辨率屏幕，第三代東方屏以8項(xiàng)技術(shù)突破刷新9項(xiàng)世界紀(jì)錄，在流暢度、顯示素質(zhì)、暗光顯示、護(hù)眼能力四大維度帶來引領(lǐng)行業(yè)
2025-10-15 09:15:02691 
以氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）為代表的第三代半導(dǎo)體材料，正加速替代傳統(tǒng)硅基材料，在新能源汽車、工業(yè)控制等領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)規(guī)?；瘧?yīng)用。GaN 憑借更高的電子遷移率和禁帶寬度，成為高頻通信、快充設(shè)備的核心
2025-10-13 18:29:43402 10月11日，一加宣布將與京東方聯(lián)合推出「第三代東方屏」。作為全球首塊165Hz超高刷高分辨率屏幕，第三代東方屏將為用戶帶來更流暢絲滑的游戲體驗(yàn)，并在顯示素質(zhì)、暗光顯示及護(hù)眼方面實(shí)現(xiàn)突破。第三代東方
2025-10-11 15:56:32740 
搭載第三代無線SoC中的Secure Vault安全技術(shù)率先通過PSA 4級認(rèn)證
2025-10-09 15:57:3042379 基本半導(dǎo)體B3M平臺(tái)深度解析：第三代SiC碳化硅MOSFET技術(shù)與應(yīng)用 第一章：B3M技術(shù)平臺(tái)架構(gòu)前沿 本章旨在奠定對基本半導(dǎo)體（BASIC Semiconductor）B3M系列的技術(shù)認(rèn)知
2025-10-08 13:12:22499 
近日，先臨三維作為三維掃描行業(yè)內(nèi)的領(lǐng)軍企業(yè)，憑借深厚的技術(shù)積累與持續(xù)的創(chuàng)新精神，成功推出了具有劃時(shí)代意義的FreeScan Omni無線一體式手持三維掃描測量儀，引領(lǐng)了第三代無線掃描技術(shù)的新高度
2025-09-26 11:26:46407 
傾佳電子行業(yè)洞察：基本半導(dǎo)體第三代G3碳化硅MOSFET助力高效電源設(shè)計(jì) 傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務(wù)于中國工業(yè)電源、電力電子設(shè)備
2025-09-21 16:12:351740 
XM3半橋電源模塊系列是 Wolfspeed（原CREE）推出的高功率碳化硅（SiC）電源模塊平臺(tái)，專為電動(dòng)汽車、工業(yè)電源和牽引驅(qū)動(dòng)等高要求應(yīng)用設(shè)計(jì)。XM3半橋電源模塊系列采用第三代 SiC
2025-09-11 09:48:08
1200V SiC MOSFET是派恩杰推出的一系列高性能碳化硅功率器件，具有卓越的柵氧層可靠性和優(yōu)異的高溫特性，專為高壓、高頻、高溫應(yīng)用設(shè)計(jì)。相比傳統(tǒng)硅基MOSFET，SiC MOSFET提供更低的導(dǎo)通電阻和更高的開關(guān)頻率，能夠有效提高功率密度、減小系統(tǒng)體積提升整體效率，并有助于降低系統(tǒng)散熱與成本。
2025-09-03 11:29:401034 碳化硅（SiC）作為第三代半導(dǎo)體材料的杰出代表，其物理特性，如寬禁帶、高臨界電場和高熱導(dǎo)率，從根本上超越了傳統(tǒng)硅（Si）基功率器件的性能極限。這些本征優(yōu)勢為電力電子系統(tǒng)的革新提供了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)，尤其是在高壓、大功率和高頻應(yīng)用中。
2025-08-30 10:03:114774 
RISC-V CPU，集成自主研發(fā)的第三代 KPU，內(nèi)置 128MB LPDDR4 內(nèi)存，提供了高性能的本地推理運(yùn)算支持。Canmv K230D Zero 的設(shè)計(jì)旨在支持各種 DIY 項(xiàng)目、物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備和嵌入式
2025-08-25 22:49:21
蘿麗三代12通遙控器原理圖
2025-08-25 15:45:17
0 8月21日，第三代全新蔚來ES8閃亮登場，歷經(jīng)7年積累進(jìn)化，以“王者歸來”之勢，引領(lǐng)豪華大三排SUV進(jìn)入純電時(shí)代。
2025-08-22 16:45:371287 AEM作為第三代電解水制氫技術(shù)的核心組件，正成為全球綠氫產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要突破口。
2025-08-08 14:36:10792 近日，在第五屆全國新型儲(chǔ)能技術(shù)及工程應(yīng)用大會(huì)現(xiàn)場，廣州智光儲(chǔ)能科技有限公司（簡稱 “智光儲(chǔ)能”）與海辰儲(chǔ)能聯(lián)合發(fā)布基于∞Cell 587Ah 大容量電池的第三代級聯(lián)型高壓大容量儲(chǔ)能系統(tǒng)。這一突破性成果標(biāo)志著全球首個(gè)大容量儲(chǔ)能電池從技術(shù)發(fā)布到閉環(huán)應(yīng)用的完整落地，為儲(chǔ)能產(chǎn)業(yè)安全與高效發(fā)展注入新動(dòng)能。
2025-07-30 16:56:141230 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/黃晶晶）日前，芯科科技發(fā)布了其第三代無線開發(fā)平臺(tái)，以及基于此的無線SoC新品。邊緣智能正在對無線SoC提出新的需求，芯科科技洞察到這一轉(zhuǎn)變，在AI加速器、內(nèi)存、能源效率、新興
2025-07-23 09:23:006096 近日，總投資超200億元的長飛先進(jìn)半導(dǎo)體基地項(xiàng)目正式運(yùn)營投產(chǎn)。該項(xiàng)目是目前國內(nèi)規(guī)模最大的碳化硅半導(dǎo)體基地，年產(chǎn)36萬片6英寸碳化硅晶圓，可滿足144萬輛新能源汽車制造需求，推動(dòng)我國第三代半導(dǎo)體實(shí)現(xiàn)
2025-07-22 07:33:221042 
近日，索尼(中國)有限公司發(fā)布備受期待的黑卡系列全畫幅旗艦RX1R 系列第三代產(chǎn)品 —— RX1R III (型號名：DSC-RX1RM3)
2025-07-21 14:26:211082 BLR3XX系列是上海貝嶺推出的第三代高精度基準(zhǔn)電壓源。具有高輸出精度、低功耗、低噪聲以及低溫度系數(shù)的特性。
2025-07-10 17:48:14954 
高頻噪聲和干擾，在新能源汽車電驅(qū)、第三代半導(dǎo)體等高頻高壓場景中，為工程師提供更具效率的測量方案。
一、核心參數(shù)
帶寬：100MHz-500MHz
差分電壓：高達(dá)7000Vpk
精度：±2
2025-07-07 20:45:43
于是，ATL在這場充電寶危機(jī)中直接躺贏，“天降”大單，成為最大贏家。而ATL背后，就是日本全球著名電子元件廠商、傳感器巨頭——TDK。此外，ATL的創(chuàng)始人就是如今中國新能源巨頭寧德時(shí)代CATL的曾毓群。
2025-07-04 20:34:407628 
此前，6.20~22日，為期三天的2025南京世界半導(dǎo)體博覽會(huì)圓滿落幕，本次大會(huì)集聚優(yōu)勢資源，聚焦人工智能技術(shù)、第三代半導(dǎo)體、汽車半導(dǎo)體、先進(jìn)封裝等熱點(diǎn)領(lǐng)域，聯(lián)合權(quán)威產(chǎn)業(yè)專家、行業(yè)優(yōu)秀公司及政府相關(guān)部門，共繪產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展藍(lán)圖。
2025-06-24 17:59:231317 電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道，消息人士稱，英偉達(dá)計(jì)劃于 7 月推出第三代 “閹割芯片”。此次推出的 B20 和 B40/B30 芯片將替代 H20 芯片，試圖重新奪回市場份額。 ? B20 芯片
2025-06-21 00:03:003666 第三代半導(dǎo)體材料，以碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）為代表，因其在高頻、高效率、耐高溫和耐高壓等性能上的卓越表現(xiàn)，正在成為半導(dǎo)體領(lǐng)域的重要發(fā)展方向。在這些材料的制程中，電鏡技術(shù)發(fā)揮著不可或缺的作用
2025-06-19 14:21:46551 
評審工具演進(jìn)與ReviewHub優(yōu)勢第三代：ReviewHub平臺(tái)——特點(diǎn)：質(zhì)量部門通過輕量級Booster工具評審，設(shè)計(jì)部門通過設(shè)計(jì)工具端接收反饋。優(yōu)勢：1.評審
2025-06-17 11:33:16510 
第三代“快速”碳化硅MOSFET將助力Brightloop打造重型農(nóng)業(yè)運(yùn)輸設(shè)備專用的氫燃料電池充電器。 BrightLoop所提供的領(lǐng)先高性能解決方案， 功率轉(zhuǎn)換效率超過98%，功率密度高達(dá)35kW
2025-06-16 10:01:2346460 
發(fā)展最成熟的第三代半導(dǎo)體材料，可謂是近年來最火熱的半導(dǎo)體材料。尤其是在“雙碳”戰(zhàn)略背景下，碳化硅被深度綁定新能源汽車、光伏、儲(chǔ)能等節(jié)能減碳行業(yè)，萬眾矚目。陶瓷方面，
2025-06-15 07:30:57968 尋跡智行第三代自研移動(dòng)機(jī)器人控制器BR-300G獲歐盟CE認(rèn)證
2025-06-12 13:47:53497 
作為國內(nèi)MOSFET功率器件研發(fā)的先行者之一，新潔能始終致力于功率半導(dǎo)體核心技術(shù)的突破，其研發(fā)團(tuán)隊(duì)持續(xù)創(chuàng)新，正式推出第三代SGT產(chǎn)品Gen.3 SGT MOSFET，電壓涵蓋25-150V系列產(chǎn)品
2025-06-11 08:59:592500 
繼X60和X100之后，進(jìn)迭時(shí)空正在基于開源香山昆明湖架構(gòu)研發(fā)第三代高性能處理器核X200。與進(jìn)迭時(shí)空的第二代高性能核X100相比，X200的單位性能提升75%以上，達(dá)到了16SpecInt2006
2025-06-06 16:56:071230 
半導(dǎo)體器件作為現(xiàn)代電子技術(shù)的核心元件，廣泛應(yīng)用于集成電路、消費(fèi)電子及工業(yè)設(shè)備等場景，其性能直接影響智能終端與裝備的運(yùn)行效能。以氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）為代表的第三代寬禁帶半導(dǎo)體，憑借高功率密度與能效優(yōu)勢，正推動(dòng)電子設(shè)備技術(shù)革新。
2025-06-05 10:33:562488 
Silicon Labs（芯科科技）第三代無線開發(fā)平臺(tái)SoC代表了下一代物聯(lián)網(wǎng)無線產(chǎn)品開發(fā)趨勢，該系列產(chǎn)品升級了三大功能特性：可擴(kuò)展性、輕松升級、頂尖性能，因而得以全面滿足未來物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用不斷擴(kuò)增
2025-06-04 10:07:39926 GaN FET支持MHz級開關(guān)頻率，顯著高于傳統(tǒng)硅基器件，通過減小無源元件體積實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)小型化，使開關(guān)損耗降低20%-30%。深圳銀聯(lián)寶快充電源ic U8609合封第三代半導(dǎo)體GaN FET，最高工作頻率130kHz，采用原邊反饋控制，可節(jié)省光耦和TL431，簡化電源BOM，有利于降低電源尺寸！
2025-05-30 15:43:48798 的設(shè)計(jì)中，最常見的集成方式是將 IGBT、MOSFET 與驅(qū)動(dòng)、保護(hù)電路整合，這一設(shè)計(jì)能顯著提升系統(tǒng)效率并降低損耗。隨著第三代半導(dǎo)體材料（SiC、GaN）的技術(shù)突破，在新能源汽車電驅(qū)系統(tǒng)、光伏逆變器、數(shù)據(jù)中心等高壓高頻應(yīng)用場景中，集成第三代
2025-05-29 01:01:009042 
SiXG301和SiXG302是芯科科技采用22納米工藝節(jié)點(diǎn)推出的首批無線SoC系列產(chǎn)品，在計(jì)算能力、功效、集成度和安全性方面實(shí)現(xiàn)突破性進(jìn)展
2025-05-26 14:27:43577 
隨著電子技術(shù)的快速發(fā)展，半導(dǎo)體材料的研究與應(yīng)用不斷演進(jìn)。傳統(tǒng)的硅（Si）半導(dǎo)體已無法滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對高效能和高頻性能的需求，因此，第三代半導(dǎo)體材料應(yīng)運(yùn)而生。第三代半導(dǎo)體主要包括氮化鎵（GaN
2025-05-22 15:04:051951 瑞能G3 超結(jié)MOSFET Analyzation 瑞能超結(jié)MOSFET “表現(xiàn)力”十足 可靠性表現(xiàn) ? ? 可靠性保障 ?瑞能嚴(yán)謹(jǐn)執(zhí)行三批次可靠性測試，確保產(chǎn)品品質(zhì)。? ?瑞能超級結(jié) MOSFET
2025-05-22 13:59:30490 
隨著AI技術(shù)井噴式快速發(fā)展，進(jìn)一步推動(dòng)算力需求，服務(wù)器電源效率需達(dá)97.5%-98%，通過降低能量損耗，來支撐高功率的GPU。為了抓住市場機(jī)遇，瑞能半導(dǎo)體先發(fā)制人，推出的第三代超結(jié)MOSFET，能全面滿足高效能需求。
2025-05-22 13:58:35726 
近日，英飛凌的磁傳感器門類再添新兵，第三代3D霍爾傳感器TLE493D-x3系列在經(jīng)歷兩代產(chǎn)品的迭代之后應(yīng)運(yùn)而生。
2025-05-22 10:33:421346 
://bbs.elecfans.com/collection_485_1.html芯品速遞1.天璣9400e--臺(tái)積電第三代4nm制程全大核CPU架構(gòu)天璣9400e采用高能效的臺(tái)積電第三代
2025-05-20 08:07:59878 
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道?消息人士指出，日本 TDK 公司正加速推進(jìn)第三代硅陽極電池的量產(chǎn)進(jìn)程，將出貨時(shí)間從原計(jì)劃的第三季度提前至 6 月底。 ? 這款電池的核心技術(shù)在于將負(fù)極材料由傳統(tǒng)石墨替換為硅材料
2025-05-19 03:02:002928 恩智浦半導(dǎo)體發(fā)布采用16納米FinFET技術(shù)的新一代S32R47成像雷達(dá)處理器，進(jìn)一步鞏固公司在成像雷達(dá)領(lǐng)域的專業(yè)實(shí)力。S32R47系列是第三代成像雷達(dá)處理器，性能比前代產(chǎn)品提升高達(dá)兩倍，同時(shí)改進(jìn)
2025-05-12 15:06:4353512 板卡使用Xilinx最新的第三代RFSOC系列，單顆芯片包含8路ADC和DAC，64-bit Cortex A53系列4核CPU，Cortex-R5F實(shí)時(shí)處理核，以及大容量FPGA。
2025-05-10 11:54:18927 
制造與封測領(lǐng)域優(yōu)質(zhì)供應(yīng)商榜單。本屆大會(huì)以\"新能源芯時(shí)代\"為主題，匯集了來自功率半導(dǎo)體、第三代材料應(yīng)用等領(lǐng)域的行業(yè)專家與企業(yè)代表。
作為專注電子測試測量領(lǐng)域的高新技術(shù)企業(yè)，麥科
2025-05-09 16:10:01
1550nm遠(yuǎn)距激光雷達(dá)帶到量產(chǎn)車型上；第二代獵鷹K2優(yōu)化高性能激光雷達(dá)綜合實(shí)力，內(nèi)嵌ASIC芯片，實(shí)現(xiàn)功耗大幅度降低。 獵鷹K3是圖達(dá)通第三代超遠(yuǎn)距激光雷達(dá)，通過第三代激光發(fā)射及接收技術(shù)應(yīng)用，實(shí)現(xiàn)了性能的全面升級：標(biāo)準(zhǔn)探測距離提升至350米，最遠(yuǎn)測距提升至600米，最高
2025-05-08 18:32:545186 日前，集設(shè)計(jì)研發(fā)、生產(chǎn)和全球銷售為一體的著名功率半導(dǎo)體及芯片解決方案供應(yīng)商 Alpha and Omega Semiconductor Limited（AOS, 納斯達(dá)克代碼:AOSL）推出其新一代
2025-05-07 10:56:10728 
碳化硅（SiC）作為第三代半導(dǎo)體的核心材料，憑借其高功率密度、優(yōu)異的耐高溫性能和高效的功率轉(zhuǎn)換能力，在新能源汽車、5G通信、數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用潛力。然而，先進(jìn)封裝的SiC功率模組在失效
2025-04-25 13:41:41746 
近日，半導(dǎo)體技術(shù)公司SemiQ宣布推出基于第三代碳化硅(SiC)技術(shù)的1200VSOT-227MOSFET模塊系列。該系列產(chǎn)品采用先進(jìn)的共封裝設(shè)計(jì)，具備更快的開關(guān)速度、更低的導(dǎo)通與開關(guān)損耗，適用于
2025-04-25 11:39:28987 
第三代半導(dǎo)體材料SiC（碳化硅）憑借其高擊穿電壓、低導(dǎo)通電阻、耐高溫等特性，在新能源汽車、工業(yè)電源、軌道交通等領(lǐng)域展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢。然而，SiC器件的高頻開關(guān)特性也帶來了動(dòng)態(tài)測試的挑戰(zhàn)：開關(guān)速度可達(dá)納
2025-04-22 18:25:42683 
SMT FUJI NXT三代CPU卡 2EGTBC0302**/ 2EGTBC049700, PDS-BX01E0906
2025-04-22 14:32:21
DDR3 SDRAM(Double-Data-Rate ThreeSynchronous Dynamic Random Access Memory)是DDR SDRAM的第三代產(chǎn)品，相較于DDR2，DDR3有更高的運(yùn)行性能與更低的電壓。
2025-04-10 09:42:533930 
新的機(jī)遇和挑戰(zhàn)。為了更好地解讀產(chǎn)業(yè)格局，探索未來的前進(jìn)方向，行家說三代半與行家極光獎(jiǎng)聯(lián)合策劃了 《第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)-行家瞭望2025》 專題報(bào)道。 ? ? 日前， 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體中國區(qū)-功率分立和模擬產(chǎn)品器件部-市場及應(yīng)用副總裁Francesco MUGGERI 接受
2025-04-10 09:18:413662 隨著新能源電動(dòng)汽車行業(yè)的蓬勃發(fā)展，其動(dòng)力系統(tǒng)的關(guān)鍵組件：IGBT及SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)件需求量十分可觀;為更好地迎合上述市場的需求，金升陽推出了高性能的第三代插件式單路驅(qū)動(dòng)電源QA_(T)-R3S系列(“T”為貼片式封裝)。
2025-04-09 17:25:26985 
AD97481 是 TxDAC 系列高性能、低功耗 CMOS 數(shù)模轉(zhuǎn)換器 （DAC） 的第三代 8 位分辨率寬帶產(chǎn)品。TxDAC 系列由引腳兼容的 8 位、10 位、12 位和 14 位 DAC
2025-03-25 13:51:09
要點(diǎn) ??全新一代驍龍G系列平臺(tái)包括第三代驍龍G3、第二代驍龍G2和第二代驍龍G1，帶來定制化的卓越性能和沉浸式游戲體驗(yàn)。 ??驍龍G系列平臺(tái)支持玩家隨時(shí)隨地暢玩云端、主機(jī)、Android或PC游戲
2025-03-18 09:15:202363 
? 日前，廣東領(lǐng)益智造股份有限公司（簡稱“領(lǐng)益智造”）2025年供應(yīng)商大會(huì)于廣東深圳領(lǐng)益大廈成功召開。納微達(dá)斯（無錫）半導(dǎo)體有限公司（簡稱“納微半導(dǎo)體”）憑借領(lǐng)先的第三代功率半導(dǎo)體技術(shù)，與領(lǐng)益智造
2025-03-14 11:51:043890 AD97421 是 TxDAC 系列高性能、低功耗 CMOS 數(shù)模轉(zhuǎn)換器 （DAC） 的第三代 12 位分辨率寬帶產(chǎn)品。TxDAC 系列由引腳兼容的 8 位、10 位、12 位和 14 位 DAC
2025-03-14 11:10:01
AD9740 是 TxDAC 系列高性能、低功耗 CMOS 數(shù)模轉(zhuǎn)換器 （DAC） 的第三代 10 位分辨率、寬帶產(chǎn)品。TxDAC 系列由引腳兼容的 8 位、10 位、12 位和 14 位 DAC
2025-03-14 10:58:20
AD97441 是 TxDAC 系列高性能、低功耗 CMOS 數(shù)模轉(zhuǎn)換器 （DAC） 的第三代 14 位分辨率寬帶產(chǎn)品。TxDAC 系列由引腳兼容的 8 位、10 位、12 位和 14 位 DAC
2025-03-14 10:35:34
一談起低軌衛(wèi)星，大家勢必會(huì)說起馬斯克的星鏈。一談起相控陣天線，大家還是繞不開馬斯克的星鏈。星鏈給大家打了個(gè)樣，一眾企業(yè)在模仿，試圖實(shí)現(xiàn)超越和跟隨。最近，拆了一臺(tái)第三代星鏈終端。但是，看不懂，完全
2025-03-05 17:34:166273 
SemiQ最新發(fā)布的QSiC1200V第三代碳化硅(SiC)MOSFET在前代產(chǎn)品基礎(chǔ)上實(shí)現(xiàn)突破性升級，芯片面積縮小20%，開關(guān)損耗更低，能效表現(xiàn)更優(yōu)。該產(chǎn)品專為電動(dòng)汽車充電樁、可再生能源系統(tǒng)、工業(yè)
2025-03-03 11:43:431484 
。MP2643規(guī)避了通過被動(dòng)均衡來耗散能量的方案，有效地在電芯之間移動(dòng)電荷，最大限度地縮短均衡時(shí)間并減少熱量的產(chǎn)生。MP2643還可以補(bǔ)償電芯容量的不匹配，以延長電池運(yùn)行時(shí)間。 *附件：MP2643數(shù)據(jù)手冊.pdf 通過組合多個(gè) MP2643 器件，主動(dòng)均衡可擴(kuò)展至任意數(shù)量的串聯(lián)電芯，實(shí)現(xiàn)電
2025-03-01 16:29:152751 
（SoC）作為 BLDC 電機(jī)的 “智慧大腦”，其技術(shù)演進(jìn)直接關(guān)乎電機(jī)性能的提升與應(yīng)用領(lǐng)域的拓展。近年來，第三代半導(dǎo)體氮化鎵（GaN）與人工智能（AI）技術(shù)的強(qiáng)勢融入，為 BLDC SoC 帶來了前所未有
2025-02-26 18:04:534047 一、引言隨著科技的不斷發(fā)展，功率半導(dǎo)體器件在電力電子系統(tǒng)、電動(dòng)汽車、智能電網(wǎng)、新能源并網(wǎng)等領(lǐng)域發(fā)揮著越來越重要的作用。近年來，第三代寬禁帶功率半導(dǎo)體器件以其獨(dú)特的高溫、高頻、高耐壓等特性，逐漸
2025-02-15 11:15:301609 
近日，在深圳舉辦的行家說第三代半導(dǎo)體年會(huì)——碳化硅&氮化鎵產(chǎn)業(yè)高峰論壇上，聞泰科技半導(dǎo)體業(yè)務(wù)憑借其領(lǐng)先產(chǎn)品“針對工業(yè)和可再生能源應(yīng)用的CCPAK封裝GaN FET”榮獲「GaN年度優(yōu)秀產(chǎn)品獎(jiǎng)」。這一榮譽(yù)不僅是對聞泰科技半導(dǎo)體業(yè)務(wù)技術(shù)創(chuàng)新的認(rèn)可，更是對其在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域深耕細(xì)作成果的肯定。
2025-02-14 17:24:301020 近日，中國在太空成功驗(yàn)證了首款國產(chǎn)碳化硅（SiC）功率器件，這一突破性進(jìn)展標(biāo)志著第三代半導(dǎo)體材料有望牽引中國航天電源系統(tǒng)升級換代，為中國航天事業(yè)以及相關(guān)制造業(yè)的轉(zhuǎn)型升級注入強(qiáng)大動(dòng)力。 2024年11
2025-02-11 10:30:061341 近日，百度智能云宣布了一項(xiàng)重大技術(shù)突破：成功點(diǎn)亮了國內(nèi)首個(gè)自研的昆侖芯三代萬卡集群。這一里程碑式的成就標(biāo)志著百度在AI芯片領(lǐng)域取得了顯著進(jìn)展。
2025-02-06 17:52:221460 近日，百度智能云宣布成功點(diǎn)亮昆侖芯三代萬卡集群，這一成就不僅在國內(nèi)尚屬首次，也標(biāo)志著百度在人工智能算力領(lǐng)域取得了重大突破。據(jù)了解，百度智能云計(jì)劃進(jìn)一步擴(kuò)大規(guī)模，進(jìn)一步點(diǎn)亮3萬卡集群，以滿足日益增長
2025-02-05 14:58:141032 來源：新華網(wǎng) 我國在太空成功驗(yàn)證第三代半導(dǎo)體材料制造的功率器件 ? 以碳化硅（SiC）為代表的第三代半導(dǎo)體材料是我國制造業(yè)轉(zhuǎn)型升級的驅(qū)動(dòng)因素和重要保證。記者從中國科學(xué)院微電子研究所獲悉，我國在太空
2025-02-05 10:56:13517 本文介紹第三代寬禁帶功率半導(dǎo)體的應(yīng)用 在電動(dòng)汽車的核心部件中，車用功率模塊（當(dāng)前主流技術(shù)為IGBT）占據(jù)著舉足輕重的地位，它不僅決定了電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的關(guān)鍵性能，還占據(jù)了電機(jī)逆變器成本的40%以上。鑒于
2025-01-15 10:55:571150 
全球第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展迅速，成為半導(dǎo)體技術(shù)研究的前沿和產(chǎn)業(yè)競爭的焦點(diǎn)。在新能源汽車等應(yīng)用市場快速發(fā)展的推動(dòng)下，國內(nèi)外廠商正在積極布局碳化硅業(yè)務(wù)，發(fā)展前景究竟如何？ 隨著全球科技的飛速發(fā)展，半導(dǎo)體
2025-01-08 17:23:51801 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《EE-230：第三代SHARC系列處理器上的代碼疊加.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-01-08 14:43:010 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《EE-220：將外部存儲(chǔ)器與第三代SHARC處理器和并行端口配合使用.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-01-06 16:12:110
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