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電子發(fā)燒友網(wǎng)>電源/新能源>電源新聞>CISSOID 推出 60A /1200V 高溫電源模塊 PLUTO

CISSOID 推出 60A /1200V 高溫電源模塊 PLUTO

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IR為UPS推出1200V絕緣柵雙極晶體管系列

近日全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商國(guó)際整流器公司(簡(jiǎn)稱IR)推出針對(duì)感應(yīng)加熱、不間斷電源(UPS)太陽(yáng)能和焊接應(yīng)用而設(shè)計(jì)的可靠、高效 1200V 絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 系列。
2011-09-07 09:24:542184

美高森美推出新一代1200V非穿通型IGBT

美高森美公司(Microsemi Corporation,紐約納斯達(dá)克交易所代號(hào):MSCC) 推出新一代1200V非穿通型(non-punch through,NPT) IGBT系列中的首款產(chǎn)品。
2012-05-18 09:25:341103

IR公司推出全新1200V超高速絕緣柵雙極晶體管

 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier,簡(jiǎn)稱IR) 推出堅(jiān)固可靠的全新1200V超高速絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 系列,針對(duì)工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)及不間斷電源 (UPS) 應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。
2013-06-14 15:22:001842

三菱電機(jī)1200V級(jí)SiC MOSFET技術(shù)解析

1200V級(jí)SiC MOSFET是一種能充分發(fā)揮SiC優(yōu)勢(shì)的器件,廣泛應(yīng)用于工業(yè)、汽車等領(lǐng)域。目前,1200V級(jí)SiC MOSFET被多家器件廠商定位為主力產(chǎn)品,本文主要介紹三菱電機(jī)1200V級(jí)SiC MOSFET的技術(shù)開發(fā)概要。
2024-12-04 10:50:432592

Intersil推出電源模塊新成員ZL9117M

Intersil公司(納斯達(dá)克全球交易代碼:ISIL)今天推出電源模塊家族的最新成員ZL9117M。ZL9117M是一款可提供17A輸出電流的全封閉式數(shù)字電源模塊
2011-09-30 09:13:061289

1200V GaN又有新玩家入場(chǎng),已進(jìn)入量產(chǎn)

量產(chǎn)階段并通過(guò)可靠性測(cè)試。 ? 1200V 藍(lán)寶石基GaN 器件 ? 據(jù)介紹,目前宇騰科技的1200V GaN功率器件已量產(chǎn)四種規(guī)格的型號(hào),包括150mΩ/12A、100mΩ/15A、75mΩ/22A
2024-07-31 01:06:005182

10V至14V輸入和1V 60A輸出的雙相PMBus同步降壓轉(zhuǎn)換器

輸出電壓紋波總電源面積為 624mm2輸出功率為 60W 時(shí)功率損耗小于 10W在輸入電壓為 12V、輸出電壓為 1V/60A 時(shí)效率達(dá) 86%
2018-12-20 14:25:16

200~1200V電源炸機(jī),求助

測(cè)試1200V輸入時(shí),加十多分鐘后就炸機(jī)了,不是一開始就炸,MOS管那一串都炸了,變壓器沒(méi)燒毀。大神幫我看一下電路和波形,600V以后的CS波形感覺(jué)就不太好看了,不知道是什么導(dǎo)致的。示波器通道2壞了,沒(méi)法雙通道,只能這樣了。
2017-12-13 08:56:00

650V/1200V碳化硅肖特基二極管如何選型

逆變器等中高功率領(lǐng)域,可顯著的減少電路的損耗,提高電路的工作頻率。    關(guān)斷波形圖(650V/10A產(chǎn)品)  650V/1200V碳化硅肖特基二極管選型  
2020-09-24 16:22:14

1200V/10A碳化硅肖特基二極管

Nov. 2019IV1D12010T2 – 1200V 10A 碳化硅肖特基二極管特性 封裝外形?最大結(jié)溫為 175°C?高浪涌電流容量?零反向恢復(fù)電流?零正向恢復(fù)電壓?高頻工作?開關(guān)特性不受溫度
2020-03-13 13:42:49

1200V碳化硅MOSFET系列選型

。尤其在高壓工作環(huán)境下,依然體現(xiàn)優(yōu)異的電氣特性,其高溫工作特性,大大提高了高溫穩(wěn)定性,也大幅度提高電氣設(shè)備的整體效率。  產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于太陽(yáng)能逆變器、車載電源、新能源汽車電機(jī)控制器、UPS、充電樁、功率電源等領(lǐng)域。    1200V碳化硅MOSFET系列選型    
2020-09-24 16:23:17

1200V耐壓400A/600A產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)更低損耗與小型化

ROHM面向工業(yè)設(shè)備用電源、太陽(yáng)能發(fā)電功率調(diào)節(jié)器及UPS等的逆變器、轉(zhuǎn)換器,開發(fā)出1200V耐壓的400A/600A的全SiC功率模塊“BSM400D12P3G002
2018-12-04 10:20:43

60A 雙相 PMBus 同步降壓轉(zhuǎn)換器參考設(shè)計(jì)

輸出電壓紋波總電源面積為 624mm2輸出功率為 60W 時(shí)功率損耗小于 10W在輸入電壓為 12V、輸出電壓為 1V/60A 時(shí)效率達(dá) 86%`
2015-03-12 11:24:50

Flex電源模塊宣布推出其DC-DC轉(zhuǎn)換器系列

Flex電源模塊(Flex Power Modules)宣布推出其DC-DC轉(zhuǎn)換器系列中的最新型號(hào)PKB4216HDPI,旨在用于電信市場(chǎng)領(lǐng)域的射頻功率放大器(RFPA)應(yīng)用。繼最近推出的750W
2020-10-30 06:17:55

RD-354,參考設(shè)計(jì)使用FNA22512A 25A / 1200V,三相逆變器

RD-354,參考設(shè)計(jì)使用FNA22512A 25A / 1200V,3.7 kW三相逆變器。該參考設(shè)計(jì)支持1200 V Motion SPM 2系列的設(shè)計(jì)
2020-07-18 12:23:30

RD-354,參考設(shè)計(jì)使用FNA23512A 35A / 1200V,5.5 kW三相逆變器

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RD-408之參考設(shè)計(jì)使用FSB43004A 60A / 40V Motion SPM 45 LV系列用于電源應(yīng)用

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XM3半橋電源模塊系列CREE

1200V 耐壓與 450A 額定電流滿足高壓快充需求,縮短充電時(shí)間。l 牽引驅(qū)動(dòng)系統(tǒng):低電感與高開關(guān)頻率特性優(yōu)化電機(jī)控制,提升動(dòng)力系統(tǒng)效率。工業(yè)與能源領(lǐng)域l 不間斷電源(UPS):高功率密度與低損耗
2025-09-11 09:48:08

關(guān)于48v轉(zhuǎn)12V電源模塊

有沒(méi)有懂電源模塊的大佬,急需一個(gè)DC-DC的模塊原理圖。48V轉(zhuǎn)12v電源模塊。輸出電流在1A左右就可以了。
2021-03-16 13:59:41

尋求工頻變壓器的48V,60A充電機(jī)原理圖

各位朋友好:本人尋求:工頻變壓器的48V,60A充電機(jī)原理圖,哪位朋友有?微信***
2018-08-31 15:12:17

用于1200V PrimePACK的評(píng)估驅(qū)動(dòng)板

2ED250E12-F_EVAL,2ED250E12-F評(píng)估驅(qū)動(dòng)板的開發(fā)是為了在客戶使用1200V PrimePACK IGBT模塊進(jìn)行首次設(shè)計(jì)時(shí)為其提供支持。評(píng)估驅(qū)動(dòng)板是一個(gè)功能齊全的IGBT模塊驅(qū)動(dòng)器,其中兩個(gè)1ED020I12-F驅(qū)動(dòng)器IC過(guò)程控制和反饋信號(hào)并提供電流絕緣
2020-04-14 09:54:37

直接電源模塊實(shí)現(xiàn)+12V轉(zhuǎn)+-12V,用什么電源模塊?

項(xiàng)目需要給運(yùn)放供+-12V,目前通過(guò)AC-DC電源模塊(115W)將市電轉(zhuǎn)成+12V,方案一:直接電源模塊實(shí)現(xiàn)+12V轉(zhuǎn)+-12V,用什么電源模塊?方案二:通過(guò)芯片將+12V轉(zhuǎn)-12V,用什么芯片?方案一和方案二哪個(gè)好,具體怎么選型?
2019-05-29 01:06:38

行業(yè)首創(chuàng)輸入100-1000V高壓電源模塊

`l 直流寬輸入電壓100-1000VDC(1200V可定制)l 優(yōu)異的輸出短路、過(guò)溫保護(hù)功能l 工業(yè)級(jí)產(chǎn)品技術(shù)設(shè)計(jì),國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)體積l 效率可達(dá)84%,功率5W-25Wl 高可靠性,長(zhǎng)壽命,二年質(zhì)保www.020power.net 廣州能達(dá)電源模塊 高壓電源 升壓電源 高隔離電源 非隔離電源 380V三相四線制電源模塊`
2012-05-20 21:57:56

隔離電源模塊方案

求助大佬,有沒(méi)有那種簡(jiǎn)單的電源模塊DCDC的隔離電源模塊,輸入48-72V,輸出12V,電流在1A就行了。哪位大佬有這種方案呢?現(xiàn)在能找到的都不是隔離的方案,頭大了!不要推薦集成的模塊。
2021-09-06 10:46:29

24V60A多重?zé)o線電站用無(wú)停電電源

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輸出1200V,800W,輸出脈寬可調(diào)的電源電路:由芯片SG3525A組成。
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IR全新堅(jiān)固耐用的1200V控制集成電路     電源管理技術(shù)領(lǐng)先供應(yīng)商國(guó)際整流器公司(International Rectifier,簡(jiǎn)稱IR)推出用于工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制的額定1200VIR2214和
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2010-02-23 10:42:591969

電源模塊,電源模塊是什么意思

電源模塊,電源模塊是什么意思 背景知識(shí): 電源是一切電子設(shè)備的心臟,一切電子設(shè)備都離不開電源提供能
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基于EconoDUAL 3設(shè)計(jì)的600A/1200V汽車驅(qū)動(dòng)

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  CISSOID,在高溫半導(dǎo)體方案的領(lǐng)導(dǎo)者推出了一個(gè)行星家族(高溫度晶體管及開關(guān))的新成員.火星是一個(gè)高溫度30V小訊號(hào)P-FET
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美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體公司(National Semiconductor Corp.)宣布推出12款全新的 SIMPLE SWITCHERò 易電源電源模塊,這些模塊是市場(chǎng)上首批可輸出高達(dá)10A的輸出電流
2011-04-13 09:30:122054

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高溫半導(dǎo)體供貨商 CISSOID 稍早前推出一款高電壓225℃碳化硅電源開關(guān) JUPITER ,據(jù)稱是首款以簡(jiǎn)單0/5V邏輯電平無(wú)縫閘極控制的高溫碳化硅高電壓開關(guān)
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CISSOID 向 Thales 交付首個(gè)碳化硅( SiC )智能功率模塊

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2016-04-15 17:23:472287

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驅(qū)動(dòng)IGBT 1200V模塊的輔助電源(3 W反激式),感興趣的可以看看。
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英飛凌推出1200V SiC MOSFET 將提高可靠性和降低系統(tǒng)成本

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淺析引起電源模塊發(fā)熱的原因

一摸電源模塊的表面,熱乎乎的,模塊壞了?且慢,有一點(diǎn)發(fā)熱,僅僅只是因?yàn)樗Φ毓ぷ髦?。?b class="flag-6" style="color: red">高溫對(duì)電源模塊的可靠性影響極其大!基于電源模塊熱設(shè)計(jì)的知識(shí),這一次,我們扒一扒引起電源模塊發(fā)熱的原因。
2018-11-27 16:45:277185

全新的Q0和Q2系列功率模塊的特點(diǎn)及應(yīng)用

視頻簡(jiǎn)介:這視頻介紹我們?nèi)碌腝0和Q2系列功率模塊,應(yīng)用于太陽(yáng)能逆變器,額定功率超過(guò)100kVA。Q0PACK模塊包括一個(gè)T-NPC拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),具有65A / 1200V IGBT、60A
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Flex電源模塊推出PKE-A系列DC-DC電源模塊 進(jìn)而擴(kuò)大其產(chǎn)品范圍

Flex電源模塊(Flex Power Modules)現(xiàn)面向工業(yè)和鐵路行業(yè)推出PKE-A系列DC-DC電源模塊,進(jìn)而擴(kuò)大其產(chǎn)品范圍,以便滿足這些行業(yè)不斷增長(zhǎng)的需求。該模塊采用密封和包封封裝,可確保其在遭受灰塵、潮濕、劇烈振動(dòng)和其他惡劣條件時(shí)可靠地工作。
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Wolfspeed推出適用于電動(dòng)車充電器的1200V 450A全碳化硅半橋模塊

日前,Wolfspeed宣布推出1200V 450A全碳化硅半橋模塊CAB450M12XM3,該產(chǎn)品可最大限度地提高功率密度,同時(shí)最大限度地降低環(huán)路電感并實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)單的功率總線。XM3適用于電動(dòng)車充電器,牽引驅(qū)動(dòng)器和不間斷電源(UPS)等應(yīng)用。
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Intersil推出業(yè)內(nèi)首款15A、42V模擬電源模塊

全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子株式會(huì)社子公司Intersil今天宣布,推出業(yè)內(nèi)首款42V單通道DC/DC步降電源模塊ISL8215M,可提供高達(dá)15A的持續(xù)電流。
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各行業(yè)所需高溫半導(dǎo)體解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者CISSOID近日宣布,將繼續(xù)致力于應(yīng)對(duì)汽車和工業(yè)市場(chǎng)的挑戰(zhàn),并推出用于電動(dòng)汽車的三相碳化硅(SiC)MOSFET智能功率模塊(IPM)平臺(tái)。
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如何有效解決電源模塊之間的發(fā)熱散熱問(wèn)題

電源模塊發(fā)熱問(wèn)題會(huì)嚴(yán)重危害模塊的可靠性,使產(chǎn)品的失效率將呈指數(shù)規(guī)律增加,電源模塊發(fā)熱嚴(yán)重該怎么辦呢?高溫對(duì)功率密度高的電源模塊的可靠性影響比較大,高溫會(huì)導(dǎo)致電解電容的壽命降低、變壓器漆包線的絕緣特性
2020-06-01 16:08:063413

DSEP60-12A/STTH6012快恢復(fù)二極管的基礎(chǔ)資料

DSEP60-12A/STTH6012快恢復(fù)二極管,電流60A,電壓1200V。具有開關(guān)特性好,反向恢復(fù)時(shí)間短、正向電流大、安裝簡(jiǎn)便、高可靠性等優(yōu)點(diǎn)。
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DC2380A-B LTC7851EUHH演示板 | 雙路輸出、4相電壓模式降壓控制器,7VV ≤ 14V;V = 1.8V (60A),V = 1.2V (60A)

演示電路DC2380A內(nèi)置LTC7851,一款高性能4相降壓型電壓模式控制器。DC2380A-B采用7V至14V輸入電源電壓工作,提供以下兩個(gè)高電流輸出:1.8V (60A)和1.2V (60A
2021-06-01 08:04:082

LTC3875演示電路-采用超低電感DCR傳感的雙相1.0V60A電源系統(tǒng)(4.5-14V至1V@60A)

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2021-06-09 12:59:292

Part14--電源模塊設(shè)計(jì)集合

文章目錄1 5V電源模塊2 3.3V電源模塊3 5v&3A電源模塊4 1.9V電源模塊5 5V電源模塊參考1 5V電源模塊參考電路:電路說(shuō)明:本電路采用常見的穩(wěn)壓芯片LM7805,采用直插式
2021-11-06 12:51:017

供應(yīng)高溫電源產(chǎn)品且定制各種特殊高溫電源模塊—武漢泰科道軟件

高溫電源—武漢泰科道軟件技術(shù)有限公司最新上線的高溫電源產(chǎn)品,另外公司還可根據(jù)客戶需求定制各種特殊高溫電源模塊,目前的產(chǎn)品包括高溫DC-DC電源模塊系列、高溫AC-DC電源模塊系列、高溫DC-DC
2022-01-11 10:53:2110

東芝新推出1200V和1700V碳化硅MOSFET模塊

?東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(“東芝”)已推出兩款碳化硅(SiC) MOSFET雙模塊:額定電壓為1200V、額定漏極電流為600A的“MG600Q2YMS3”;額定電壓為1700V、額定漏極
2022-02-01 20:22:025818

比亞迪半導(dǎo)體全新推出1200V 1040A SiC功率模塊

作為國(guó)內(nèi)首批自主研發(fā)并量產(chǎn)應(yīng)用SiC器件的公司,在SiC功率器件領(lǐng)域,比亞迪半導(dǎo)體于2020年取得重大技術(shù)突破,重磅推出首款1200V 840A/700A三相全橋SiC功率模塊,并已實(shí)現(xiàn)在新能源汽車高端車型電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制器中的規(guī)模化應(yīng)用。
2022-06-21 14:40:572382

采用TI 1.4代NexFET的12V輸出60A熱插拔控制器

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《采用TI 1.4代NexFET的12V輸出60A熱插拔控制器.zip》資料免費(fèi)下載
2022-09-07 11:08:501

FTCO3V455A1 三相逆變汽車電源模塊

FTCO3V455A1 三相逆變汽車電源模塊
2022-11-14 21:08:3310

汽車智能電源模塊,1200 V ASPM34 系列,應(yīng)用說(shuō)明

汽車智能電源模塊,1200 V ASPM34 系列,應(yīng)用說(shuō)明
2022-11-14 21:08:410

H5N5005PL-E0-E 數(shù)據(jù)表(500V - 60A - MOS FET / 高速電源開關(guān))

H5N5005PL-E0-E 數(shù)據(jù)表(500V - 60A - MOS FET / 高速電源開關(guān))
2023-01-13 19:12:580

1200V SiC MOSFET模塊ASC800N1200DCS12手冊(cè)

國(guó)產(chǎn)碳化硅SiC模塊(丹弗斯DCM1200V800A)ASC800N1200DCS12/https://pan.baidu.com/s/1EwhD3deePtU2v4w8rgmlsg提取碼eizx
2023-02-13 17:02:3212

15A電源模塊可以有多小?

-第67期-電源模塊電源模塊因其小型化、高效率、高功率密度、易于系統(tǒng)設(shè)計(jì)和生產(chǎn)等特點(diǎn),在電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)中獲得越來(lái)越廣泛的應(yīng)用。矽力杰基于業(yè)界領(lǐng)先的3D封裝技術(shù)和單芯片技術(shù),推出了新一代12V15A工業(yè)
2022-04-16 15:50:303367

士蘭微電子推出高性能汽車驅(qū)動(dòng)模塊—600A/1200V IGBT模塊

的汽車驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品來(lái)實(shí)現(xiàn)“充電五分鐘續(xù)航百公里”的效果。 ? 針對(duì)這一需求,士蘭微電子近期推出了一款高性能的汽車驅(qū)動(dòng)模塊——600A/1200V IGBT模塊(B3模塊), 它能夠提升新能源汽車充電速度和行駛動(dòng)力,為用戶帶來(lái)更高的效率和更好
2023-06-20 11:36:482063

DC電源模塊高溫試驗(yàn)檢測(cè)詳細(xì)流程分析

DC電源模塊在工業(yè)自動(dòng)化、通信、醫(yī)療等領(lǐng)域應(yīng)用廣泛,尤其是在工業(yè)控制領(lǐng)域,DC電源模塊的穩(wěn)定性和高可靠性顯得尤為重要。高溫試驗(yàn)是DC電源模塊在生產(chǎn)和使用過(guò)程中必不可少的環(huán)節(jié),其對(duì)于電源模塊的性能穩(wěn)定起著至關(guān)重要的作用。
2023-06-28 10:57:291111

如何看電源模塊型號(hào)參數(shù),電源模塊選型指南

電源模塊根據(jù)用途和性能特點(diǎn)可以分為多種不同的類型,常見的有交流電源模塊、直流電源模塊、開關(guān)電源模塊、線性電源模塊等。按照應(yīng)用領(lǐng)域和電學(xué)特性的分類,電源模塊還可以分為通信電源模塊、醫(yī)療電源模塊、工業(yè)電源模塊、軍用電源模塊等。
2023-07-14 14:37:357376

用于高速開關(guān)應(yīng)用的1200V EasyDUAL? CoolSiC? MOSFET

增強(qiáng)型1代1200V CoolSiC? MOSFET的EasyDUAL? 1B半橋模塊,采用PressFIT壓接式安裝技術(shù)和溫度檢測(cè)NTC,并有使用預(yù)涂的熱界面材料(TIM)版本。
2023-07-28 14:22:44707

新品 | 用于高速開關(guān)應(yīng)用的1200V EasyDUAL? CoolSiC? MOSFET

NTC,并有使用預(yù)涂的熱界面材料(TIM)版本。產(chǎn)品型號(hào):FF17MR12W1M1H_B1117mΩ1200VFF17MR12W1M1H_B7017mΩ1200V
2023-07-31 16:57:591729

電源高溫測(cè)試方法是什么?電源模塊測(cè)試系統(tǒng)功能怎么助力?

可靠性測(cè)試是電源模塊測(cè)試的重要項(xiàng)目之一,以檢測(cè)電源模塊的、質(zhì)量性能以及長(zhǎng)期使用的穩(wěn)定性。高溫操作測(cè)試是可靠性測(cè)試的常用方法之一,通過(guò)電源模塊測(cè)試系統(tǒng)模擬實(shí)際高溫工作環(huán)境,來(lái)檢測(cè)其工作狀態(tài)是否正常。
2023-11-27 14:51:441511

JSAB正式推出1200V-900A模塊

JSAB正式推出兼容國(guó)外一流品牌的EconoDual3和62mm封裝的1200V-900A模塊,產(chǎn)品型號(hào)為 JGAQ900F120DM和JG1G900F120DM。
2023-12-05 10:46:162089

安森美推出第7代絕緣柵雙極晶體管技術(shù)的1200V SPM31智能功率模塊

智能電源和智能感知技術(shù)的領(lǐng)先企業(yè)安森美(onsemi,美國(guó)納斯達(dá)克股票代號(hào):ON),宣布推出采用了新的場(chǎng)截止第 7 代 (FS7) 絕緣柵雙極晶體管(IGBT) 技術(shù)的1200V SPM31智能功率模塊 (IPM)。
2024-02-27 11:38:591748

Qorvo發(fā)布緊湊型E1B封裝的1200V碳化硅(SiC)模塊

全球知名的連接和電源解決方案供應(yīng)商Qorvo近日發(fā)布了四款采用緊湊型E1B封裝的1200V碳化硅(SiC)模塊。這些模塊包括兩款半橋配置和兩款全橋配置,其導(dǎo)通電阻RDS(on)最低可達(dá)9.4mΩ。
2024-03-03 16:02:351504

Qorvo發(fā)布1200V碳化硅模塊

全球知名的連接和電源解決方案供應(yīng)商Qorvo近日宣布,推出四款采用E1B封裝的1200V碳化硅(SiC)模塊。這些模塊包括兩款半橋配置和兩款全橋配置,其導(dǎo)通電阻RDS(on)最低可達(dá)9.4mΩ。這一創(chuàng)新產(chǎn)品系列專為電動(dòng)汽車充電站、儲(chǔ)能系統(tǒng)、工業(yè)電源和太陽(yáng)能應(yīng)用而設(shè)計(jì)。
2024-03-06 11:43:191402

瞻芯電子推出一款車規(guī)級(jí)1200V SiC三相全橋塑封模塊IVTM12080TA1Z

近日,瞻芯電子正式推出一款車規(guī)級(jí)1200V 碳化硅(SiC)三相全橋塑封模塊IVTM12080TA1Z,該模塊產(chǎn)品及其采用的1200V 80mΩ SiC MOSFET分別獲得了AQG324與AEC-Q101車規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證。
2024-04-07 11:37:323562

1200V 15A溝槽和場(chǎng)阻IGBT JJT15N120SE數(shù)據(jù)手冊(cè)

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2024-04-10 15:23:450

1200V 40A溝槽和場(chǎng)阻IGBT JJT40N120HE數(shù)據(jù)手冊(cè)

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2024-04-10 17:11:310

1200V 40A溝槽和場(chǎng)阻IGBT JJT40N120SE數(shù)據(jù)手冊(cè)

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2024-04-10 17:14:080

1200V 40A溝槽和場(chǎng)阻IGBT JJT40N120UE數(shù)據(jù)手冊(cè)

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2024-04-10 17:16:100

650V 60A溝槽和場(chǎng)阻IGBT JJT60N65HE數(shù)據(jù)手冊(cè)

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2024-04-10 17:56:151

650V 60A溝槽和場(chǎng)阻IGBT JJT60N65UH數(shù)據(jù)手冊(cè)

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2024-04-10 17:57:221

1200V 75A溝槽和場(chǎng)阻IGBT JJT75N120HA數(shù)據(jù)手冊(cè)

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2024-04-10 18:02:380

基本半導(dǎo)體推出一款1200V 240A大功率碳化硅MOSFET半橋模塊

BMF240R12E2G3是基本半導(dǎo)體為更好滿足工業(yè)客戶對(duì)高效和高功率密度需求而開發(fā)的一款1200V 240A大功率碳化硅MOSFET半橋模塊,
2024-04-11 09:22:271998

納芯微推出1200V首款SiC MOSFET NPC060N120A系列產(chǎn)品

納芯微推出1200V首款SiC MOSFET NPC060N120A系列產(chǎn)品,該產(chǎn)品RDSon為60mΩ,具有通孔式TO-247-4L與表面貼裝TO-263-7L兩種封裝形式,可提供車規(guī)與工規(guī)兩種等級(jí)。
2024-04-17 14:02:491619

先導(dǎo)中心推出1200V 100A三電平全碳化硅模塊新品

在成功發(fā)布首款1200V 100A H橋全碳化硅模塊后,先導(dǎo)中心再度展現(xiàn)了其技術(shù)實(shí)力,推出了全新的1200V 100A 三電平全碳化硅模塊。
2024-05-09 14:25:261354

Nexperia發(fā)布新款1200V碳化硅MOSFET

Nexperia(安世半導(dǎo)體)近日宣布,公司推出了業(yè)界領(lǐng)先的1200V碳化硅(SiC)MOSFET,標(biāo)志著其在高功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的又一重要突破。
2024-05-23 11:34:581695

2.5nH超低電感的1200V SiC MOSFET三相全橋模塊

1200V三相全橋碳化硅功率模塊,雜散電感低至2.5nH,工作安全穩(wěn)定。工作電源電壓可達(dá)900V-1000V,工作頻率可達(dá)30kHz,輸出功率可達(dá)300kW。LPD模塊具有耐久、安全的性能優(yōu)勢(shì),性價(jià)比超國(guó)外產(chǎn)品,適用于電動(dòng)汽車、氫能源汽車、高速電機(jī)驅(qū)動(dòng)、光伏風(fēng)能發(fā)電等領(lǐng)域。
2024-09-18 17:18:171723

森國(guó)科推出650V/60A IGBT

森國(guó)科近期推出的650V/60A IGBT(型號(hào):KG060N065LD-R),憑借其業(yè)界領(lǐng)先的低傳導(dǎo)損耗和高速開關(guān)性能,在電力電子領(lǐng)域引起了廣泛關(guān)注。
2024-10-17 15:41:59898

深度了解第8代1800A/1200V IGBT功率模塊

本文介紹了為工業(yè)應(yīng)用設(shè)計(jì)的第8代1800A/1200V IGBT功率模塊,該功率模塊采用了先進(jìn)的第8代IGBT和二極管。與傳統(tǒng)功率模塊相比,該模塊采用了分段式柵極溝槽(SDA)結(jié)構(gòu),并通過(guò)可以控制
2024-11-14 14:59:192864

MBR6060PT肖特基二極管60V電壓60A電流規(guī)格介紹

MBR6060PT肖特基二極管60V電壓60A電流規(guī)格介紹
2024-11-25 17:05:471849

瞻芯電子推出車規(guī)級(jí)1200V 60A SiC 肖特基二極管(SBD)產(chǎn)品,助力高效大功率應(yīng)用

為了滿足高效、大功率變換系統(tǒng)應(yīng)用需要,瞻芯電子開發(fā)了4款1200V 60A SiC肖特基二極管(SBD)產(chǎn)品,其中TO247-2封裝器件產(chǎn)品IV2D12060T2Z滿足車規(guī)級(jí)可靠性標(biāo)準(zhǔn)
2024-12-02 09:07:342155

森國(guó)科推出全新1200V/25A IGBT

森國(guó)科推出1200V/25A IGBT(選型:KG025N120LD-R)適用于逆變焊機(jī)、不間斷電源和電磁加熱器等方面。新款I(lǐng)GBT的魯棒性和耐用性極強(qiáng),當(dāng)實(shí)際電流是標(biāo)準(zhǔn)電流的四倍時(shí)無(wú)閂鎖效應(yīng),短路時(shí)間極短,僅5μs,最大工作結(jié)溫?cái)U(kuò)大到175℃,有助于延長(zhǎng)產(chǎn)品的使用壽命。
2024-12-04 16:16:281122

PTH04040W 60 A、3.3/5V 輸入非隔離寬輸出調(diào)節(jié)電源模塊數(shù)據(jù)手冊(cè)

PTH04040W 是一款高性能 60A 額定電流非隔離式電源模塊,采用最新的 多相開關(guān)模式拓?fù)?。這提供了一個(gè)小型的即用型模塊,可以為大多數(shù) 密集的多處理器系統(tǒng)。
2025-04-23 10:20:34592

龍騰半導(dǎo)體推出1200V 50A IGBT

在功率器件快速發(fā)展的當(dāng)下,如何實(shí)現(xiàn)更低的損耗、更強(qiáng)的可靠性與更寬的應(yīng)用覆蓋,成為行業(yè)關(guān)注焦點(diǎn)。龍騰半導(dǎo)體推出**1200V 50A Field Stop Trench IGBT**新品,專為高頻應(yīng)用場(chǎng)景設(shè)計(jì)。依托先進(jìn)工藝平臺(tái)與系統(tǒng)化設(shè)計(jì)能力,為工業(yè)逆變、UPS、新能源等場(chǎng)景注入高效驅(qū)動(dòng)力。
2025-04-29 14:43:471042

新品 | EasyDUAL? 1B和2B,1200V共發(fā)射極IGBT模塊

新品EasyDUAL1B和2B,1200V共發(fā)射極IGBT模塊EasyDUAL1B,2B1200V共發(fā)射極模塊采用成熟的TRENCHSTOPIGBTT7和Emcon7芯片技術(shù),電流等級(jí)涵蓋75A
2025-05-13 17:04:461315

聞泰科技推出車規(guī)級(jí)1200V SiC MOSFET

,聞泰科技半導(dǎo)體業(yè)務(wù)近期推出領(lǐng)先行業(yè)的D2PAK-7封裝車規(guī)級(jí)1200V SiC MOSFET,為電動(dòng)汽車行業(yè)注入強(qiáng)勁新動(dòng)能。
2025-05-14 17:55:021063

如何選擇 1200V SiC(碳化硅)TO-247 單管的耐高溫絕緣導(dǎo)熱墊片?

近期,華為旗下海思技術(shù)有限公司正式進(jìn)軍碳化硅功率器件領(lǐng)域,推出了兩款1200V工規(guī)SiC單管產(chǎn)品——ASO1K2H035M1T4和ASO1K2H020M1T4,專門面向工業(yè)高溫、高壓場(chǎng)景場(chǎng)景。圖片
2025-07-29 06:21:51680

新品 | 針對(duì)車載充電和電動(dòng)汽車應(yīng)用的EasyPACK? CoolSiC? 1200V和硅基模塊

CoolSiCMOSFET技術(shù)1200V、17mΩ,配備NTC和PressFIT壓接技術(shù)。另一個(gè)模塊基于TRENCHSTOPIGBT7技術(shù)1200V、100A,配備
2025-07-31 17:04:34835

基本半導(dǎo)體1200V工業(yè)級(jí)碳化硅MOSFET半橋模塊Pcore 2系列介紹

基本半導(dǎo)體推出62mm封裝的1200V工業(yè)級(jí)碳化硅MOSFET半橋模塊,產(chǎn)品采用新一代碳化硅MOSFET芯片技術(shù),在保持傳統(tǒng)62mm封裝尺寸優(yōu)勢(shì)的基礎(chǔ)上,通過(guò)創(chuàng)新的模塊設(shè)計(jì)顯著降低了模塊雜散電感,使碳化硅MOSFET的高頻性能得到更充分發(fā)揮。
2025-09-15 16:53:03981

Microchip推出全新DualPack 3 IGBT7電源模塊 提供高功率密度并簡(jiǎn)化系統(tǒng)集成

推出全新DualPack 3(DP3)系列電源模塊。該系列模塊采用先進(jìn)IGBT7技術(shù),提供1200V和1700V兩種電壓等級(jí)的六款產(chǎn)品,額定電流范圍300–900A,旨在滿足市場(chǎng)對(duì)緊湊、經(jīng)濟(jì)高效且簡(jiǎn)化的電源轉(zhuǎn)換器解決方案的日益增長(zhǎng)需求。
2025-09-17 15:45:45914

高溫200℃的DC/DC開關(guān)電源模塊應(yīng)用與技術(shù)解析

200℃高溫環(huán)境的DC/DC電源模塊是專門為極端惡劣工況設(shè)計(jì)的特種電源,其應(yīng)用、技術(shù)和挑戰(zhàn)都與常規(guī)商業(yè)級(jí)或工業(yè)級(jí)產(chǎn)品有顯著不同。 下面詳細(xì)闡述200℃高溫DC/DC電源模塊的應(yīng)用及相關(guān)內(nèi)容。
2025-11-18 13:45:24317

探索POWERZ EXTREME STRIP/Ten6060A高功率系統(tǒng)的卓越之選

產(chǎn)品特性與優(yōu)勢(shì) 強(qiáng)大的功率輸出 該系統(tǒng)每個(gè)電源刀片最高可提供60A的電流,并且采用雙刀片供電設(shè)計(jì)。同時(shí),它還具備分功率選項(xiàng),可實(shí)現(xiàn)30A/30A的分配,總電
2025-12-18 11:25:09210

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