提供的HBM2E內(nèi)存達到了3.6Gbps的數(shù)據(jù)傳輸速率，而在和他們的合作過程中我們將速率進一步地推進到了4.0 Gbps?！?Rambus IP核產(chǎn)品營銷高級總監(jiān)Frank Ferro分享說，“此次
2020-10-23 09:38:09
8976 12月9日，Rambus線上設(shè)計峰會召開，針對數(shù)據(jù)中心的存儲挑戰(zhàn)、5G邊緣計算，以及內(nèi)存接口方案如何提高人工智能和訓(xùn)練推理應(yīng)用程序的性能，Rambus中國區(qū)總經(jīng)理蘇雷和Rambus高速接口資深應(yīng)用工程師曹汪洋，數(shù)據(jù)安全資深應(yīng)用工程師張巖帶來最新的產(chǎn)業(yè)觀察和技術(shù)分享。
2020-12-21 22:15:277695 的2Gbps，HBM2E將這一速度提升到了3.2Gbps，并且單堆棧12 Die能夠達到24GB的容量，理論最大帶寬410GB/s。同時，按照設(shè)計規(guī)范，對于支持四堆棧的圖形芯片來說，總帶寬高達1.64TB/s
2021-08-23 10:03:282441 近年來，隨著內(nèi)存帶寬逐漸成為影響人工智能持續(xù)增長的關(guān)鍵焦點領(lǐng)域之一，以高帶寬內(nèi)存(HBM、HBM2、HBM2E)和GDDR開始逐漸顯露頭角，成為搭配新一代AI/ML加速器和專用芯片的新型內(nèi)存解決方案
2020-10-23 15:20:176429 
HBM作為基于3D堆棧工藝的高性能DRAM，打破內(nèi)存帶寬及功耗瓶頸。HBM(High Bandwidth Memory)即高帶寬存儲器，通過使用先進封裝(如TSV硅通孔、微凸塊)將多個DRAM芯片進行堆疊，并與GPU一同進行封裝，形成大容量、高帶寬的DDR組合陣列。
2024-01-02 09:59:1311509 
三星電子宣布推出了業(yè)界首款符合HBM2E規(guī)范的內(nèi)存。它是第二代Aquabolt的后繼產(chǎn)品，具有16GB的兩倍容量和3.2Gbps的更高穩(wěn)定傳輸速度。
2020-02-05 13:40:231654 出貨將會專供于人工智能領(lǐng)域。在AI/ML當(dāng)中，內(nèi)存和I/O帶寬是影響系統(tǒng)性能至關(guān)重要的因素，這又促進業(yè)界不斷提供最新的技術(shù)，去滿足內(nèi)存和I/O的帶寬性能需求。 ? 在英偉達、AMD的GPU/CPU芯片封裝中，已經(jīng)應(yīng)用到了HBM內(nèi)存技術(shù)，通過在一個2.5D封裝中將
2021-09-01 15:59:415404 帶寬上的限制，主打大帶寬的HBM也就順勢成了數(shù)據(jù)中心、HPC等高性能芯片中首選的DRAM方案。 ? 當(dāng)下JEDEC還沒有給出HBM3標準的最終定稿，但參與了標準制定工作的IP廠商們已經(jīng)紛紛做好了準備工作。不久前，Rambus就率先公布了支持HBM3的內(nèi)存子系統(tǒng)，近日，新思科
2021-10-12 09:33:074576 SK海力士（或“公司”，www.skhynix.com） 宣布業(yè)界首次成功開發(fā)現(xiàn)有最佳規(guī)格的HBM3 DRAM。
2021-10-20 10:07:472155 
了。與此同時，在我們報道的不少AI芯片、HPC系統(tǒng)中，HBM或類似的高帶寬內(nèi)存越來越普遍，為數(shù)據(jù)密集型應(yīng)用提供了支持。 ? 提及HBM，不少人都會想到成本高、良率低等缺陷，然而這并沒有影響業(yè)內(nèi)對HBM的青睞，諸如AMD的Radeon?Pro?5600M、英偉達的A100?等消費級
2022-03-29 07:35:004629 將高性能工作負載的數(shù)據(jù)傳輸速率提升至最高64 GT/s 支持PCIe 6.0的全功能，提供對CXL 3.0的PHY支持 對延遲、功耗和面積進行優(yōu)化，提供完整的IP解決方案 提供最先進的安全性，保護
2022-12-01 13:39:25832 
為由，將4家中國公司加入SDN名單。 ? 2. SK 海力士開發(fā)出世界首款12 層堆疊HBM3 DRAM ，已向客戶提供樣品 ? SK海力士20日宣布，再次超越了現(xiàn)有最高性能DRAM（內(nèi)存
2023-04-20 10:22:191910 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/黃晶晶） SK海力士近日發(fā)布全球首次實現(xiàn)垂直堆疊12個單品DRAM芯片，成功開發(fā)出最高容量24GB的HBM3 DRAM新產(chǎn)品。
2023-04-23 00:01:004808 
內(nèi)存接口性能。Rambus GDDR6 PHY提供市場領(lǐng)先的數(shù)據(jù)傳輸速率，最高可達24 Gb/s，能夠為每個GDDR6內(nèi)存設(shè)備帶來96 GB/s的帶寬。作為系統(tǒng)級解決方案的一部分，Rambus
2023-05-17 13:47:04732 電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/黃晶晶）新型存儲HBM隨著AI訓(xùn)練需求的攀升顯示出越來越重要的地位。從2013年SK海力士推出第一代HBM來看，HBM歷經(jīng)HBM1、HBM2、HBM2E、HBM3、HBM3E共
2023-10-25 18:25:244378 
通過豐富的服務(wù)器內(nèi)存專業(yè)知識滿足臺式和筆記本PC日益增長的AI、游戲和內(nèi)容創(chuàng)作需求 新推出的客戶端產(chǎn)品，包括 DDR5客戶端時鐘驅(qū)動器和 SPD Hub 支持先進的DDR5客戶端 DIMM，最高運行速率
2024-08-29 10:45:511443 
基于一百多項HBM成功設(shè)計案例，確保芯片一次流片成功 在低延遲下提供超過HBM3兩倍的吞吐量，滿足生成式AI和高性能計算（HPC）工作負載的需求 擴展了業(yè)界領(lǐng)先的高性能內(nèi)存解決方案的半導(dǎo)體IP
2024-11-13 15:36:401109 
倍。但我們看到，在相同時間內(nèi)硬件內(nèi)存的規(guī)模僅增長了兩倍。 ? 那么要完成這些AI模型的任務(wù)，就必須投入額外數(shù)量的GPU和AI加速器，才能滿足對內(nèi)存容量和帶寬的需求。同時內(nèi)存系統(tǒng)也必須不斷升級。Rambus在內(nèi)存系統(tǒng)領(lǐng)域擁有超過30年的高性能內(nèi)存系統(tǒng)開發(fā)和研究經(jīng)驗，一
2024-11-19 16:41:102291 
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道，NEO Semiconductor宣布推出全球首款用于AI芯片的超高帶寬內(nèi)存 (X-HBM) 架構(gòu)。該架構(gòu)旨在滿足生成式AI和高性能計算日益增長的需求，其32Kbit數(shù)據(jù)總線
2025-08-16 07:51:004697 
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道 11月10日，瀾起科技正式推出新一代DDR5時鐘驅(qū)動器(CKD)芯片，該芯片最高支持9200 MT/s的數(shù)據(jù)傳輸速率，可有效優(yōu)化客戶端內(nèi)存子系統(tǒng)性能，為下一代高性能PC
2025-11-12 08:50:007613 
Soo-Kyoum Kim表示：“DDR5大幅提升了計算系統(tǒng)的性能。隨著數(shù)據(jù)中心應(yīng)用更加頻繁地要求越來越高的內(nèi)存帶寬，DDR5生態(tài)系統(tǒng)將成為提升下一代數(shù)據(jù)中心性能提升這一基本需求的關(guān)鍵。”Rambus
2023-02-22 10:50:46
的計算圖表示。ARM專用AI引擎 Tengine支持了Firefly平臺，可以輕松搭建AI計算框架，性能大幅度提升，助力AI開發(fā)。在Firefly-RK3399平臺上，安裝Tengine后，可以運行
2018-08-13 15:58:50
，還是智能家居系統(tǒng)對環(huán)境數(shù)據(jù)的智能響應(yīng)，nRF54H20 都能憑借其出色性能，為未來高級終端產(chǎn)品提供強有力的支持。?
nRF54L 系列：物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用的革新者?
去年，Nordic 推出的 nRF54L
2025-04-01 00:18:48
的方式不再受限于芯片引腳，突破了IO帶寬的瓶頸。另外DRAM和CPU/GPU物理位置的接近使得速度進一步提升。在尺寸上，HBM也使整個系統(tǒng)的設(shè)計大大縮小成為可能。目前，HBM2在很大程度上是GDDR6的競爭對手。不過從長遠看，因為2D在制造上接近天花板，DRAM仍有很強的3D化趨勢。原作者：L晨光 馭勢資本
2022-10-26 16:37:40
。內(nèi)置雙核 Vision Q6 DSP，智能計算加速引擎，矩陣計算加速單元，雙目深度加速單元，進一步提升視覺與AI性能，功耗更低，有利于移動設(shè)備、智能駕駛、監(jiān)控攝像頭、AR/VR等終端應(yīng)用。多路視頻處理
2022-06-07 15:12:36
傳輸子系統(tǒng)極簡解決方案，可支持100G CFP2 DCO和200G CFP2 DCO光模塊。 整個相干傳輸子系統(tǒng)配置和方案特點說明：高集成：電層和光層功能高度集成在1RU；大容量：400G/1RU相干
2021-06-04 16:38:39
可能大家覺得AI離我們很遠，但是小智AI可以把這個距離拉得很近。正點原子ESP32S3系列開發(fā)板全面支持小智AI，助力AI硬件發(fā)展。 ESP32S3開發(fā)板ESP32S3 BOX硬件介紹正點原子
2025-02-14 17:01:30
18%。
智算中心建設(shè)：與國內(nèi)AI獨角獸合作，提供支持液冷散熱的800G模塊集群，助力其大模型訓(xùn)練效率提升30%。
邊緣計算網(wǎng)絡(luò)：在北美某5G運營商邊緣節(jié)點中，基于DML方案的SR8模塊實現(xiàn)90%空間
2025-08-13 19:05:00
季度內(nèi)?！ PGA芯片這兩年大熱，廠商對性能的追求也提升了，繼Altera之后賽靈思（Xilinx）公司現(xiàn)在也宣布推出基于HBM 2顯存的Virtex UltraScale+系列FPGA芯片，該芯片
2016-12-07 15:54:22
下降。
InfiniBand助力AI性能提升
在AI工廠中，InfiniBand網(wǎng)絡(luò)技術(shù)因其超低延遲和高帶寬，成為大規(guī)模模型訓(xùn)練的主流選擇。其優(yōu)勢包括：
網(wǎng)絡(luò)計算卸載：InfiniBand
2025-03-25 17:35:05
隨著網(wǎng)絡(luò)和數(shù)據(jù)中心帶寬需求的日益提升，針對高性能內(nèi)存解決方案的需求也是水漲船高。對于超過 400 Gbps 的系統(tǒng)開發(fā)，以經(jīng)濟高效的方式實現(xiàn)內(nèi)存方案的性能和效率已經(jīng)成為項目中的重要挑戰(zhàn)之一。
2020-12-03 07:14:31
????Rambus公司日前發(fā)布一款運用高帶寬內(nèi)存接口技術(shù)的新一代XDR內(nèi)存——XDR2。這款XDR2的運行時鐘可達8GHz，遠高于以前XDR的4.8GHz。其XDR主要通過降低內(nèi)存回
2006-03-13 13:09:451024 Rambus首次公布HBM3/DDR5內(nèi)存技術(shù)參數(shù)，最大的關(guān)注點在于都是由7nm工藝制造。7nm工藝被認為是極限，因為到了7nm節(jié)點即使是finfet也不足以在保證性能的同時抑制漏電。所以工業(yè)界用砷化銦鎵取代了單晶硅溝道來提高器件性能，7nm是一項非常復(fù)雜的技術(shù)。
2017-12-07 15:00:002315 鯤鵬920主頻可達2.6GHz、單芯片可支持64核。該芯片集成8通道DDR4，內(nèi)存帶寬超出業(yè)界主流46%。芯片集成100G RoCE以太網(wǎng)卡功能，大幅提高系統(tǒng)集成度。鯤鵬920支持PCIe4.0
2019-01-08 09:12:246125 華為5G CPE Pro采用業(yè)內(nèi)首款基于3GPP R15標準的多模芯片——華為巴龍5000。該芯片支持Sub6G全頻段覆蓋，5G網(wǎng)絡(luò)下理論峰值速率可達4.6Gbps、現(xiàn)網(wǎng)實測速率高達3.2Gbps。
2019-02-25 09:56:193148 硅IP和芯片提供商Rambus 31日宣布其Rambus GDDR6 PHY 內(nèi)存已達到行業(yè)領(lǐng)先的18 Gbps性能。Rambus GDDR6 PHY IP以業(yè)界最快的18 Gbps數(shù)據(jù)速率運行，提供比當(dāng)前DDR4解決方案快四到五倍的峰值性能，延續(xù)了公司長期開發(fā)領(lǐng)先產(chǎn)品的傳統(tǒng)。
2019-11-15 16:07:031208 16GB/stack的容量。 HBM2E對HBM2標準型進行了一些更新來提升性能，作為中代產(chǎn)品，能提供更高的時鐘速度，更高的密度（12層，最高可達24GB）。三星是第一個將16GB/satck
2020-09-10 14:39:012830 三星昨日宣布了一項新的突破，面向 AI 人工智能市場首次推出了 HBM-PIM 技術(shù)，據(jù)介紹，新架構(gòu)可提供兩倍多的系統(tǒng)性能，并將功耗降低 71%。 在此前，行業(yè)內(nèi)性能最強運用最廣泛的是 HBM
2021-02-18 09:12:322714 三星宣布新的HBM2內(nèi)存集成了AI處理器，最高可提供1.2 TFLOPS嵌入式計算能力，使內(nèi)存芯片本身可以執(zhí)行CPU、GPU、ASIC或FPGA的操作。
2021-02-20 16:35:462591 三星電子設(shè)計平臺開發(fā)副總裁Jongshin Shin說：“我們與Rambus的合作將業(yè)界領(lǐng)先的內(nèi)存接口設(shè)計專業(yè)知識與三星最尖端的工藝和封裝技術(shù)結(jié)合在一起。
2021-05-25 10:12:593004 出貨將會專供于人工智能領(lǐng)域。在AI/ML當(dāng)中，內(nèi)存和I/O帶寬是影響系統(tǒng)性能至關(guān)重要的因素，這又促進業(yè)界不斷提供最新的技術(shù)，去滿足內(nèi)存和I/O的帶寬性能需求。 在英偉達、AMD的GPU/CPU芯片封裝中，已經(jīng)應(yīng)用到了HBM內(nèi)存技術(shù)，通過在一個2.5D封裝中將
2021-09-06 10:41:375224 算法和神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)上，卻屢屢遇上內(nèi)存帶寬上的限制，主打大帶寬的HBM也就順勢成了數(shù)據(jù)中心、HPC等高性能芯片中首選的DRAM方案。 當(dāng)下JEDEC還沒有給出HBM3標準的最終定稿，但參與了標準制定工作的IP廠商們已經(jīng)紛紛做好了準備工作。不久前，Rambus就率先公布了支持
2021-10-12 14:54:341959 韓國SK海力士公司剛剛正式宣布已經(jīng)成功開發(fā)出業(yè)界第一款HBM3 DRAM內(nèi)存芯片，可以實現(xiàn)24GB的業(yè)界最大的容量。HBM3 DRAM內(nèi)存芯片帶來了更高的帶寬，每秒處理819GB的數(shù)據(jù)，相比上一代速度提高了78%。
2021-10-20 16:22:142672 HBM3 IP解決方案可為高性能計算、AI和圖形SoC提供高達921GB/s的內(nèi)存帶寬。
2021-10-22 09:46:363848 點擊藍字關(guān)注我們 從高性能計算到人工智能訓(xùn)練、游戲和汽車應(yīng)用，對帶寬的需求正在推動下一代高帶寬內(nèi)存的發(fā)展。 HBM3將帶來2X的帶寬和容量，除此之外還有其他一些好處。雖然它曾經(jīng)被認為是一種“慢而寬
2021-11-01 14:30:509532 
隨著數(shù)據(jù)中心對人工智能和機器學(xué)習(xí)（AI/ML）的利用率越來越高，大量數(shù)據(jù)不斷被產(chǎn)生和消耗，這給數(shù)據(jù)中心快速而高效地存儲、移動和分析數(shù)據(jù)提出了巨大挑戰(zhàn)。
2021-12-22 10:20:191413 
不太能滿足日益增加的帶寬了。與此同時，在我們報道的不少AI芯片、HPC系統(tǒng)中，HBM或類似的高帶寬內(nèi)存越來越普遍，為數(shù)據(jù)密集型應(yīng)用提供了支持。
2022-03-31 11:42:233592 盡管業(yè)界對包括摩爾定律、內(nèi)存墻差異等傳統(tǒng)原則的有效性爭議不斷，但半導(dǎo)體領(lǐng)域仍普遍認為，多年來內(nèi)存行業(yè)的價值主張在很大程度上始終以系統(tǒng)級需求為導(dǎo)向，已經(jīng)突破了系統(tǒng)性能的當(dāng)前極限。
2022-08-04 15:19:431103 在超級計算機以令人驚訝的速度不斷超越，實現(xiàn)升級的背后，存儲芯片的性能持續(xù)提升，不斷突破閾值，為其提供了有力支持。越來越多的超級計算機也在服務(wù)器上使用高帶寬存儲器（HBM，High Bandwidth Memory），通過堆疊內(nèi)存芯片。
2022-09-01 15:12:54949 10月25日，大名鼎鼎的Rambus宣布，推出全球首個PCIe 6.0接口子系統(tǒng)，主要面向高性能數(shù)據(jù)中心、AI SoC等領(lǐng)域。 Rambus的這套方案包括完整的PHY物理層、控制器IP，完整符合
2022-10-27 10:06:231355 
Houghton表示：“人工智能/機器學(xué)習(xí)（AI/ML）和數(shù)據(jù)密集型工作負載的快速發(fā)展正在推動數(shù)據(jù)中心架構(gòu)的持續(xù)演進，并要求更高的性能水平。Rambus PCIe 6.0接口子系統(tǒng)可通過一
2022-12-01 16:32:111619 憑借Rambus GDDR6 PHY所實現(xiàn)的新一級性能，設(shè)計人員可以為帶寬要求極為苛刻的工作負載提供所需的帶寬。和我們領(lǐng)先的HBM3內(nèi)存接口一樣，這項最新成就表明了我們不斷致力于開發(fā)最先進的內(nèi)存性能，以滿足生成式AI等先進計算應(yīng)用的需求。
2023-05-17 14:22:361488 在這個技術(shù)革命的時代，人工智能應(yīng)用程序、高端服務(wù)器和圖形等領(lǐng)域都在不斷發(fā)展。這些應(yīng)用需要快速處理和高密度來存儲數(shù)據(jù)，其中高帶寬內(nèi)存 （HBM） 提供了最可行的內(nèi)存技術(shù)解決方案。
2023-05-25 16:39:337121 
HBM2E（高帶寬內(nèi)存）是一種高性能 3D 堆疊 DRAM，用于高性能計算和圖形加速器。它使用更少的功率，但比依賴DDR4或GDDR5內(nèi)存的顯卡提供更高的帶寬。由于 SoC 及其附屬子系統(tǒng)（如內(nèi)存子系統(tǒng)、互連總線和處理器）結(jié)構(gòu)復(fù)雜，驗證內(nèi)存的性能和利用率對用戶來說是一個巨大的挑戰(zhàn)。
2023-05-26 10:24:381416 
HBM（高帶寬內(nèi)存）于 2013 年推出，是一種高性能 3D 堆疊 SDRAM架構(gòu)。如其名稱所述，HBM最重要的是帶寬更高，盡管HBM的內(nèi)存都以相對較低的數(shù)據(jù)速率運行，但其通道數(shù)更多。例如，以3.6
2023-05-29 09:34:571276 
SK海力士正忙于處理來自客戶的大量HBM3E樣品請求。英偉達首先要求提供樣品，這次的出貨量幾乎是千鈞一發(fā)。這些索取樣品的客戶公司可能會在今年年底收到樣品。全球領(lǐng)先的GPU公司Nvidia此前曾向SK海力士供應(yīng)HBM3，并已索取HBM3E樣品。各大科技公司都在熱切地等待 SK 海力士的樣品。
2023-07-12 14:34:391894 
熱點新聞 1、三星計劃為英偉達AI GPU提供HBM3和2.5D封裝服務(wù) 據(jù)報道，英偉達正在努力實現(xiàn)數(shù)據(jù)中心AI GPU中使用的HBM3和2.5D封裝的采購多元化。消息人士稱，這家美國芯片巨頭正在
2023-07-20 17:00:021360 
1.2TB/s，引腳速率超過 9.2Gb/s，比當(dāng)前市面上現(xiàn)有的 HBM3 解決方案性能可提升最高 50%。美光第二代 HBM3 產(chǎn)品與前一代產(chǎn)品相比，每瓦性能提高 2.5 倍，創(chuàng)下了關(guān)鍵型人工智能（AI
2023-07-28 11:36:401471 性能可提升最高50%。美光第二代HBM3產(chǎn)品與前一代產(chǎn)品相比，每瓦性能提高2.5倍，創(chuàng)下了關(guān)鍵型人工智能（AI）數(shù)據(jù)中心性能、
2023-08-01 15:38:211539 
在此之前，英偉達將大部分gpu的高級成套產(chǎn)品委托給tsmc。半導(dǎo)體方面，將sk海力士的hbm3安裝在自主制造的單一gpu芯片上，生產(chǎn)英偉達h100。但是最近隨著生成型人工智能的普及，h100的需求劇增，在處理nvidia的所有訂單上遇到了困難。
2023-08-02 11:54:181663 容量HBM3 Gen2內(nèi)存樣品，其帶寬超過1.2TB/s，引腳速度超過9.2Gb/s，相比目前出貨的HBM3解決方案提高了50%。美光的HBM3 Gen2產(chǎn)品的每瓦性能是前幾代產(chǎn)品的2.5倍，據(jù)稱
2023-08-07 17:38:071470 sk海力士表示：“以唯一批量生產(chǎn)
hbm3的經(jīng)驗為基礎(chǔ)，成功開發(fā)出了世界最高
性能的擴展版
hbm3e?！皩⒁詷I(yè)界最大規(guī)模的
hbm供應(yīng)經(jīng)驗和量產(chǎn)成熟度為基礎(chǔ)，從明年上半年開始批量生產(chǎn)
hbm3e，鞏固在針對
ai的存儲器市場上的獨一無二的地位?！?/div>
2023-08-21 09:21:491808 該公司表示，HBM3E（HBM3的擴展版本）的成功開發(fā)得益于其作為業(yè)界唯一的HBM3大規(guī)模供應(yīng)商的經(jīng)驗。憑借作為業(yè)界最大HBM產(chǎn)品供應(yīng)商的經(jīng)驗和量產(chǎn)準備水平，SK海力士計劃在明年上半年量產(chǎn)HBM3E，鞏固其在AI內(nèi)存市場無與倫比的領(lǐng)導(dǎo)地位。
2023-08-22 16:24:411676 HBM3E內(nèi)存（也可以說是顯存）主要面向AI應(yīng)用，是HBM3規(guī)范的擴展，它有著當(dāng)前最好的性能，而且在容量、散熱及用戶友好性上全面針對AI優(yōu)化。
2023-08-22 16:28:071670 與此同時，SK海力士技術(shù)團隊在該產(chǎn)品上采用了Advanced MR-MUF*最新技術(shù)，其散熱性能與上一代相比提高10%。HBM3E還具備了向后兼容性（Backward compatibility）**，因此客戶在基于HBM3組成的系統(tǒng)中，無需修改其設(shè)計或結(jié)構(gòu)也可以直接采用新產(chǎn)品。
2023-08-23 15:13:131515 有分析師爆料稱三星將成為英偉達的HBM3存儲芯片關(guān)鍵供應(yīng)商，三星或?qū)牡谒募径乳_始向英偉達供應(yīng)HBM3。
2023-09-01 09:46:5141378 來源：EE Times 先進ASIC領(lǐng)導(dǎo)廠商創(chuàng)意電子（GUC）宣布，公司HBM3解決方案已通過8.4 Gbps硅驗證，該方案采用臺積電5納米工藝技術(shù)。該平臺在臺積電2023北美技術(shù)研討會合作伙伴展示
2023-09-07 17:37:501188 
，skjmnft同時已經(jīng)向英偉達等用戶ERP交付樣品。 該公司的HBM3E內(nèi)存采用 eight-tier 布局，每個堆棧為24 GB，采用1β 技術(shù)生產(chǎn)，具備出色的性能。Multiable萬達寶ERP具備數(shù)字化管理各個業(yè)務(wù)板塊,提升
2023-10-10 10:25:461636 為增強AI/ML及其他高級數(shù)據(jù)中心工作負載打造的 Rambus 高性能內(nèi)存 IP產(chǎn)品組合 高達9.6 Gbps的數(shù)據(jù)速率，支持HBM3內(nèi)存標準的未來演進 實現(xiàn)業(yè)界領(lǐng)先的1.2 TB/s以上內(nèi)存吞吐量
2023-12-07 11:01:13579 
Gbps 的性能，可支持 HBM3 標準的持續(xù)演進。相比 HBM3 Gen1 6.4 Gbps 的數(shù)據(jù)速率，Rambus HBM3 內(nèi)存控制器的數(shù)據(jù)速率提高了 50%，總內(nèi)存吞吐量超過 1.2 TB/s，適用于推薦系統(tǒng)的訓(xùn)練、生成式 AI 以及其他要求苛刻的數(shù)據(jù)中心工作負載。
2023-12-07 14:16:061362 數(shù)據(jù)量、復(fù)雜度在增加，HBM內(nèi)存被徹底帶火。這種高帶寬高速的內(nèi)存十分適合于AI訓(xùn)練場景。最近，內(nèi)存芯片廠商已經(jīng)不約而同地切入HBM3E競爭當(dāng)中。內(nèi)存控制器IP廠商Rambus也率先發(fā)布HBM3內(nèi)存
2023-12-13 15:33:482458 
人工智能（AI）無疑是近幾年最火的技術(shù)。從開發(fā)到部署AI技術(shù)主要可分為兩大步驟，即AI訓(xùn)練和AI推理。
2023-12-22 13:50:331569 年第四季度開始向主要 DDR5 內(nèi)存模塊 (RDIMM) 制造商提供樣品。Rambus 第四代 RCD 將數(shù)據(jù)傳輸速率提高到 7200 MT/s，設(shè)立了新的性能標桿，相比目前的 4800 MT/s
2023-12-28 11:21:571133 據(jù)最新傳聞，英偉達正在籌劃發(fā)布兩款搭載HBM3E內(nèi)存的新品——包括141GB HBM3E的H200 GPU及GH200超級芯片，這也進一步說明了對于HBM內(nèi)存的大量需求。
2024-01-02 09:27:041445 在人工智能大模型浪潮的推動下，AI訓(xùn)練數(shù)據(jù)集正極速擴增。以ChatGPT為例，去年11月發(fā)布的GPT-3，使用1750億個參數(shù)構(gòu)建，今年3月發(fā)布的GPT-4使用超過1.5萬億個參數(shù)。海量的數(shù)據(jù)訓(xùn)練，這對算力提出了高需求。
2024-01-23 11:19:091868 
AMD于去年宣布旗下兩款I(lǐng)nstinct MI300加速器，包括基于GPU的MI300X以及基于APU架構(gòu)的MI300A， both配備192GB/128GB的HBM3內(nèi)存，還流傳著一款純粹的CPU架構(gòu)產(chǎn)品MI300C。
2024-02-23 14:36:351826 目前，只有英偉達的Hopper GH200芯片配備了HBM3e內(nèi)存。與現(xiàn)有的HBM3相比，HBM3e的速度提升了50%，單個平臺可以達到10TB/s的帶寬，單顆芯片能夠?qū)崿F(xiàn)5TB/s的傳輸速率，內(nèi)存容量高達141GB。
2024-02-25 11:22:421391 據(jù)手機資訊網(wǎng)站IT之家了解，MI300加速器配備了HBM3內(nèi)存模塊，并面向HBM3E進行了重新設(shè)計。另外，該公司在供應(yīng)鏈交付合作方面頗為深入，不僅與主要的存儲器供應(yīng)商建立了穩(wěn)固的聯(lián)系，同時也與如臺積電等重要的基板供應(yīng)商以及OSAT社區(qū)保持著緊密的合作關(guān)系。
2024-02-27 15:45:051327 AI服務(wù)器出貨量增長催化HBM需求爆發(fā)，且伴隨服務(wù)器平均HBM容量增加，經(jīng)測算，預(yù)期25年市場規(guī)模約150億美元，增速超過50%。
2024-03-01 11:02:536003 
同日，SK海力士宣布啟動 HBM3E 內(nèi)存的量產(chǎn)工作，并在本月下旬開始供貨。自去年宣布研發(fā)僅過了七個月。據(jù)稱，該公司成為全球首家量產(chǎn)出貨HBM3E 的廠商，每秒鐘能處理高達 1.18TB 的數(shù)據(jù)。此項數(shù)據(jù)處理能力足以支持在一小時內(nèi)處理多達約 33，800 部全高清電影。
2024-03-19 09:57:442225 SK海力士作為HBM3E的首發(fā)玩家，預(yù)計這款最新產(chǎn)品的大批量投產(chǎn)及其作為業(yè)內(nèi)首家供應(yīng)HBM3制造商所累積的經(jīng)驗，將進一步強化公司在AI存儲器市場的領(lǐng)導(dǎo)者地位。
2024-03-19 15:18:211675 Rambus HBM3E/3 內(nèi)存控制器內(nèi)核針對高帶寬和低延遲進行了優(yōu)化，以緊湊的外形和高能效的封裝為人工智能訓(xùn)練提供了最大的性能和靈活性。
2024-03-20 14:12:374681 
提及此前有人預(yù)測英偉達可能向三星購買HBM3或HBM3E等內(nèi)存，黃仁勛在會上直接認可三星實力，稱其為“極具價值的公司”。他透露目前已對三星HBM內(nèi)存進行測試，未來可能增加采購量。
2024-03-20 16:17:241406 據(jù)悉，HBM3E 12H內(nèi)存具備高達1280GB/s的寬帶速率以及36GB的超大存儲容量，較8層堆疊的HBM3 8H，分別提升了50%以上的帶寬及容量。
2024-03-25 15:36:11989 HBM3自2022年1月誕生，便憑借其獨特的2.5D/3D內(nèi)存架構(gòu)，迅速成為高性能計算領(lǐng)域的翹楚。HBM3不僅繼承了前代產(chǎn)品的優(yōu)秀特性，更在技術(shù)上取得了顯著的突破。它采用了高達1024位的數(shù)據(jù)路徑，并以驚人的6.4 Gb/s的速率運行，實現(xiàn)了高達819 Gb/s的帶寬，為高性能計算提供了強大的支持。
2024-03-30 14:34:103381 
TC鍵合機作為一種應(yīng)用熱壓技術(shù)將芯片與電路板連接的設(shè)備，近年來廣泛應(yīng)用于HBM3E和HBM3的垂直堆疊工藝中，提升了生產(chǎn)效率和精度。
2024-04-12 09:44:462069 慶桂顯此行主要推廣三星的HBM內(nèi)存，并探索AI合作可能性。然而，由于此前在HBM策略上出現(xiàn)失誤，三星已被競爭對手SK海力士超越；位于第三位的美光近年來也在HBM3芯片上取得突破，成功獲得英偉達H200訂單。
2024-04-16 16:46:051044 值得注意的是，此前市場上其他品牌的LPDDR5X DRAM內(nèi)存最高速度僅為9.6Gbps。三星表示，新款10.7Gbps LPDDR5X內(nèi)存采用12納米級制程工藝，相較前代產(chǎn)品性能提升超過25%，容量增加30%。
2024-04-17 16:29:161383 HBM內(nèi)存基礎(chǔ)裸片即DRAM堆疊基座，兼具與處理器通信的控制功能。SK海力士近期與臺積電簽訂HBM內(nèi)存合作協(xié)議，首要任務(wù)便是提升HBM基礎(chǔ)邏輯芯片性能。
2024-04-23 16:41:191392 近日，三星電子最新的高帶寬內(nèi)存（HBM）芯片在英偉達測試中遭遇挫折。據(jù)知情人士透露，芯片因發(fā)熱和功耗問題未能達標，影響到了其HBM3及下一代HBM3E芯片。
2024-05-24 14:10:011108 然而，全球HBM產(chǎn)能幾乎被SK海力士、三星和美光壟斷，其中SK海力士占據(jù)AI GPU市場80%份額，是Nvidia HBM3內(nèi)存獨家供應(yīng)商，且已于今年3月啟動HBM3E量產(chǎn)。
2024-05-28 09:40:311726 美光近期發(fā)布的內(nèi)存和存儲產(chǎn)品組合創(chuàng)新備受矚目，這些成就加速了 AI 的發(fā)展。美光 8 層堆疊和 12 層堆疊 HBM3E 解決方案提供業(yè)界前沿性能，功耗比競品1低 30%。
2024-05-28 14:08:131659 美光科技近期宣布，其“生產(chǎn)可用”的12層堆疊HBM3E 36GB內(nèi)存已成功啟動交付，標志著AI計算領(lǐng)域的一大飛躍。這款先進內(nèi)存正陸續(xù)送達主要行業(yè)合作伙伴手中，以全面融入并驗證其在整個AI生態(tài)系統(tǒng)中的效能。
2024-09-09 17:42:371553 Rambus Inc.，業(yè)界知名的芯片和半導(dǎo)體IP供應(yīng)商，近日宣布了一項重大突破：推出業(yè)界首款HBM4（High Bandwidth Memory 4，高帶寬內(nèi)存4代）內(nèi)存控制器IP。這一創(chuàng)新成果
2024-11-14 16:33:041413 在高性能圖形處理領(lǐng)域，內(nèi)存技術(shù)起著至關(guān)重要的作用。本文介紹兩種主要的圖形內(nèi)存技術(shù)：高帶寬內(nèi)存（HBM）和圖形雙倍數(shù)據(jù)速率（GDDR），它們在架構(gòu)、性能特性和應(yīng)用場景上各有千秋。通過對比分析，本文旨在為讀者提供對這兩種技術(shù)的深入理解，幫助在不同的應(yīng)用需求中做出更明智的選擇。
2024-11-15 10:47:596059 
的。該子系統(tǒng)采用了臺積電先進的3nm工藝，并成功完成了流片驗證，充分展示了其在高性能、低功耗方面的卓越表現(xiàn)。 這一64Gbps UCIe D2D互聯(lián)IP子系統(tǒng)不僅適
2024-12-25 14:49:581163 近日，Cadence（NASDAQ：CDNS）近日宣布推出業(yè)界速度最快的 HBM4 12.8Gbps 內(nèi)存 IP 解決方案，以滿足新一代 AI 訓(xùn)練和 HPC 硬件系統(tǒng)對 SoC 日益增長的內(nèi)存帶寬
2025-05-26 10:45:261307 直接串斗時鐘發(fā)生器 （DRCG） 提供必要的時鐘信號以支持 直接串斗 內(nèi)存子系統(tǒng)。它包括將直接 Rambus 通道時鐘同步到外部系統(tǒng)的信號，或者 處理器時鐘。它旨在支持臺式機、工作站、服務(wù)器和移動
2025-09-19 15:22:20698 
AMD、微軟和亞馬遜等。 ? HBM（高帶寬存儲器），是由AMD和SK海力士發(fā)起的基于3D堆棧工藝的高性能DRAM，適用于高存儲器帶寬需求的應(yīng)用場合。如今HBM已經(jīng)發(fā)展出HBM2、HBM2e以及HBM3。HBM3E是HBM3的下一代產(chǎn)品，SK海力士目前是唯一能量產(chǎn)HBM3的廠商。 ? HBM 成為
2023-07-06 09:06:313695 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/吳子鵬）根據(jù)韓媒sedaily 的最新報道，三星華城17號產(chǎn)線已開始量產(chǎn)并向英偉達供應(yīng)HBM3內(nèi)存。同時，美光已經(jīng)為英偉達供應(yīng)HBM3E。至此，高端HBM內(nèi)存的供應(yīng)由SK海力士
2024-07-23 00:04:005534 已全部加載完成
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