SK海力士開發(fā)的HBM2E DRAM產(chǎn)品具有業(yè)界最高的帶寬。與之前的HBM2相比，新款HBM2E擁有大約50％的帶寬和100％的額外容量。 該公司透露，SK Hynix的HBM2E支持超過每秒
2019-08-13 09:28:41
6585 ，2019年12月提升為開發(fā)制造總裁。 DRAM和NAND Flash市場密不可分，SK海力士相關(guān)人士表示：SK海力士首席執(zhí)
2019-12-07 00:53:004759 最新消息，SK海力士將在2020年消費電子展（CES）上推出兩款消費類PCIe NVMe SSD Gold P31和 Platinum P31。值得注意的是，新款SSD將首次搭載SK海力士128層
2019-12-30 15:57:394178 美國對中國的科技封鎖進一步加強。5月23日凌晨，美國商務部工業(yè)和安全局突然宣布，將東方網(wǎng)力等33家中國公司及機構(gòu)列為“實體清單”。5月24日晚間，東方網(wǎng)力、華孚時尚等上市公司相繼發(fā)布公告稱，不會對公司的日常經(jīng)營產(chǎn)生實質(zhì)性影響。
2020-05-25 09:17:1213919 ，隨即開始加強在中國晶圓代工事業(yè)的布局。而其中的重點，就是將 SK 海力士旗下負責晶圓代工的子公司 SK Hynix System IC，其為在南韓清州的代工廠設備出售給 SK 海力士與中國企業(yè)合資的公司，以持續(xù)進行該公司部屬中國的計劃。
2020-11-11 10:12:403651 據(jù)韓媒報導，SK海力士將向德國汽車零部件巨頭博世（Bosch）提供汽車存儲芯片。知情人士表示，SK海力士目前正在草擬獨家供應合同的草案。 ? 博世公司相關(guān)負責人去年曾參觀了SK海力士在韓國的工廠，并
2021-04-06 10:25:017590 4月16日消息 據(jù)悉，SK海力士正在與德國汽車巨頭博世公司（Bosch）洽談為其提供汽車存儲芯片的事宜。 ? 據(jù)稱，SK海力士已完成了符合博世要求規(guī)格的內(nèi)存芯片的開發(fā)。與消費類設備中使用的DRAM
2021-04-16 12:37:472906 近日，SK海力士官網(wǎng)發(fā)布新聞消息稱，公司已于7月初開始量產(chǎn)適用第四代10nm（1a）級工藝的8Gb LPDDR4 移動端DRAM產(chǎn)品。值得注意的是，這是SK海力士首次采用EUV技術(shù)進行DRAM量產(chǎn)
2021-07-13 06:36:583394 
SK海力士（或“公司”，www.skhynix.com） 宣布業(yè)界首次成功開發(fā)現(xiàn)有最佳規(guī)格的HBM3 DRAM。
2021-10-20 10:07:472160 
SK海力士（或‘公司’）今日宣布，公司已開發(fā)出具備計算功能的下一代內(nèi)存半導體技術(shù)“PIM（processing-in-memory，內(nèi)存中處理）”1）。
2022-02-16 11:04:511957 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/黃晶晶） SK海力士近日發(fā)布全球首次實現(xiàn)垂直堆疊12個單品DRAM芯片，成功開發(fā)出最高容量24GB的HBM3 DRAM新產(chǎn)品。
2023-04-23 00:01:004812 
1. 韓國：三星、SK 海力士中國工廠獲得美國無限期許可，無需單獨批準即可獲取芯片制造設備 ? 據(jù)報道，韓國總統(tǒng)辦公室周一宣布，美國政府決定無限期延長對三星電子和 SK 海力士公司在華工廠進口美國
2023-10-10 10:59:131480 
五代產(chǎn)品。對于HBM3E，SK海力士預計2023年底前供應HBM3E樣品，2024年開始量產(chǎn)。8層堆疊，容量達24GB，帶寬為1.15TB/s。 ? 近日，三星電子也更新了HBM3E的進展。據(jù)韓媒報道
2023-10-25 18:25:244379 
將于3月28日生效。 ? 在其中的一份文件中，美國商務部將一系列與中國AI大模型開發(fā)、服務器以及超級計算機產(chǎn)業(yè)的12家公司列入“實體清單”，包括北京智源人工智能研究院、寧暢信息產(chǎn)業(yè)、中科可控旗下的服務器品牌Suma，以及浪潮信息在中國內(nèi)地以及港臺
2025-03-26 11:15:391285 電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道，據(jù)韓媒報道，存儲行業(yè)巨頭SK海力士正全力攻克一項全新的性能瓶頸技術(shù)高帶寬存儲HBS。 ? SK海力士研發(fā)的這項HBS技術(shù)采用了創(chuàng)新的芯片堆疊方案。根據(jù)規(guī)劃，該技術(shù)將通過一種名為
2025-11-14 09:11:212450 
SK海力士也宣布，2018年下半將投資重心集中于NAND Flash，NAND Flash新廠投資進度正在加速，DRAM只會進行小規(guī)模補強與轉(zhuǎn)換投資。如何看待這兩則新聞？筆者認為這屬于意料之中的事
2018-10-12 14:46:09
最新Gartner的統(tǒng)計顯示，有4家中國公司躋身全球十大芯片采購商之列，分別是華為、聯(lián)想、小米、步步高(Vivo和OPPO)。其中華為2018年半導體采購支出超過210億美元，全球排名冠亞季軍分別為
2021-07-29 08:17:54
SK 海力士周一發(fā)布全球最高密度、低耗能移動 DRAM，將應用于未來智能手機上。 海力士運用雙通道 16 Gigabit 雙通道芯片打造出低耗電 DDR4X 移動 DRAM，容量達 8GB。以 LPDDR4X 標準而言，SK 海力士新內(nèi)存芯片密度是全球最高，功效則較現(xiàn)有 LPDDR4 提高兩成。
2017-01-10 11:55:12941 據(jù)市場分析，GPU業(yè)者對繪圖DRAM需求料將有增無減，2018年繪圖DRAM銷量會持續(xù)上揚，三星、SK海力士相繼量產(chǎn)HBM2，價格比一般DRAM貴5倍。
2018-02-07 14:47:531952 據(jù)路透社報道，韓國SK海力士今日表示，將投資1070億美元建設四家工廠。報道稱，SK海力士此舉是要在中國力圖成為芯片制造領先國家的背景下，繼續(xù)保持競爭力。
2019-02-22 14:24:444580 SK海力士宣布，已經(jīng)全球第一家研發(fā)成功，并批量生產(chǎn)128層堆疊的4D NAND閃存芯片，此時距離去年量產(chǎn)96層4D閃存只過去了八個月。
2019-06-27 15:23:283820 海力士則是宣布成功開發(fā)出128 層堆疊的4D NAND Flash，并已經(jīng)進入量產(chǎn)階段。不過，雖然兩家廠商競相推出NAND Flash 的新產(chǎn)品，但是堆疊技術(shù)的發(fā)展至今仍未到達極限。所以，SK
2019-08-15 09:05:123089 雖然封裝不易，但 HBM 存儲器依舊會被 AMD 或者是 NVIDIA 導入。SK海力士宣布推出 HBM2E 標準存儲器，而這也是接續(xù) Samsung 之后的第二家。
2019-09-09 16:02:491322 SK海力士的HBM2E以每個pin 3.6Gbps的處理速度，通過1，024個I/Os（Inputs/Outputs， 輸入/輸出）能夠每秒處理460GB的數(shù)據(jù)。這速度相當于能夠在一秒內(nèi)傳輸124部
2020-07-03 08:42:19870 據(jù)路透社消息，美國宣布對11家外國公司以及3名個人實施制裁，指控他們違反美國對伊制裁，幫助伊朗出口石油、石油產(chǎn)品及石化產(chǎn)品，其中涉及6家中國公司（5家為香港注冊公司，1家為內(nèi)地公司）以及2名中國個人。
2020-11-05 10:14:093210 達到 415 萬平方米，計劃主要生產(chǎn) DRAM 芯片，定于 2021 年第四季度開工，2025 年建成投產(chǎn)。這一大型工廠將包含四個晶圓加工廠，每個月產(chǎn)量為 80 萬片。 IT之家此前報道，SK 海力士近日表示，將在未來 10 年內(nèi)開發(fā) 10nm 以下制程工藝的 DRAM 芯片，以及 600 層堆疊的
2021-04-13 11:29:492778 韓國SK海力士公司剛剛正式宣布已經(jīng)成功開發(fā)出業(yè)界第一款HBM3 DRAM內(nèi)存芯片，可以實現(xiàn)24GB的業(yè)界最大的容量。HBM3 DRAM內(nèi)存芯片帶來了更高的帶寬，每秒處理819GB的數(shù)據(jù)，相比上一代速度提高了78%。
2021-10-20 16:22:142676 SK海力士在美國圣克拉拉舉行的2022閃存峰會（Flash Memory Summit 2022）上首次亮相了238層NAND閃存新產(chǎn)品。
2022-08-04 15:53:4915867 SK海力士在業(yè)界率先開發(fā)出最新高帶寬存儲器（HBM， High Bandwidth Memory）產(chǎn)品HBM31，公司不僅又一次創(chuàng)造歷史，更進一步鞏固了SK海力士在DRAM市場上的領先地位。
2022-09-08 09:28:252219 2022年12月8日 /美通社/ -- SK海力士(或‘公司'， www.skhynix.com )今日宣布成功開發(fā)出DDR5多路合并陣列雙列直插內(nèi)存模組(MCR DIMM, Multiplexer
2022-12-09 20:40:312118 熱點新聞 1、三星、SK海力士在華晶圓廠將獲美國延長“豁免期” 據(jù)最新報道，美國拜登政府已經(jīng)向韓國領先的芯片公司發(fā)出信號，表示將延長允許它們將美國芯片制造設備運往中國的許可，稱這是對盟友的讓步，也是
2023-05-11 20:16:371376 
Corp. 周四的數(shù)據(jù)，美光科技在 1 月至 3 月期間獲得了了 27.2 億美元的 DRAM 銷售額，比上一季度的 28.3 億美元下降了 8%。這家美國芯片制造商擊敗了 SK 海力士，后者的銷售額
2023-06-01 08:46:061184 sk海力士表示：“以238段nand閃存為基礎，開發(fā)了智能手機和pc用客戶端ssd （client ssd）解決方案產(chǎn)品，并于5月開始批量生產(chǎn)。該公司通過176層、238層的產(chǎn)品，在成本、性能、品質(zhì)等方面確保了世界最高的競爭力。
2023-06-08 10:31:532449 SK海力士正忙于處理來自客戶的大量HBM3E樣品請求。英偉達首先要求提供樣品，這次的出貨量幾乎是千鈞一發(fā)。這些索取樣品的客戶公司可能會在今年年底收到樣品。全球領先的GPU公司Nvidia此前曾向SK海力士供應HBM3，并已索取HBM3E樣品。各大科技公司都在熱切地等待 SK 海力士的樣品。
2023-07-12 14:34:391894 
Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司，納斯達克股票代碼：MU）今日宣布，公司已開始出樣業(yè)界首款 8 層堆疊的 24GB 容量第二代 HBM3 內(nèi)存，其帶寬超過
2023-07-28 11:36:401471 據(jù)業(yè)界透露，三星電子、sk海力士等存儲半導體企業(yè)正在推進hbm生產(chǎn)線的擴張。兩家公司計劃到明年年底為止投資2萬億韓元以上，將目前hbm生產(chǎn)線的生產(chǎn)能力增加兩倍以上。sk海力士計劃在利川現(xiàn)有的hbm生產(chǎn)基地后，利用清州工廠的閑置空間。
2023-08-01 11:47:021511 SK海力士宣布將首次展示全球首款321層NAND閃存，成為業(yè)界首家開發(fā)出300層以上NAND閃存的公司。他們展示了321層1Tb TLC 4D NAND閃存的樣品，并介紹了開發(fā)進展情況。
2023-08-10 16:01:471994 sk海力士表示：“以唯一批量生產(chǎn)hbm3的經(jīng)驗為基礎，成功開發(fā)出了世界最高性能的擴展版hbm3e。“將以業(yè)界最大規(guī)模的hbm供應經(jīng)驗和量產(chǎn)成熟度為基礎，從明年上半年開始批量生產(chǎn)hbm3e，鞏固在針對ai的存儲器市場上的獨一無二的地位。”
2023-08-21 09:21:491810 該公司表示，HBM3E（HBM3的擴展版本）的成功開發(fā)得益于其作為業(yè)界唯一的HBM3大規(guī)模供應商的經(jīng)驗。憑借作為業(yè)界最大HBM產(chǎn)品供應商的經(jīng)驗和量產(chǎn)準備水平，SK海力士計劃在明年上半年量產(chǎn)HBM3E，鞏固其在AI內(nèi)存市場無與倫比的領導地位。
2023-08-22 16:24:411676 與此同時，SK海力士技術(shù)團隊在該產(chǎn)品上采用了Advanced MR-MUF*最新技術(shù)，其散熱性能與上一代相比提高10%。HBM3E還具備了向后兼容性（Backward compatibility）**，因此客戶在基于HBM3組成的系統(tǒng)中，無需修改其設計或結(jié)構(gòu)也可以直接采用新產(chǎn)品。
2023-08-23 15:13:131515 隨著ai產(chǎn)業(yè)的增長，hbm需求劇增，sk海力士不得不增加人力和生產(chǎn)。hbm存儲器是將多個dram芯片垂直堆疊起來，因此封裝技術(shù)的防熱性能也是重要因素。
2023-09-01 14:27:551039 SK海力士稱，由于高性能半導體存儲器產(chǎn)品的市場需求增加，公司業(yè)績開始持續(xù)改善。尤其是面向人工智能的存儲器產(chǎn)品，如HBM3、高容量DDR5 DRAM和高性能移動DRAM等，銷售表現(xiàn)良好。因此與上一季度相比，營業(yè)收入增長了24%，營業(yè)虧損減少了38%。
2023-10-31 17:02:281270 SK海力士明年計劃的設施投資為10萬億韓元（76.2億美元），超出了市場預期。證券界最初預測“SK海力士明年的投資額將與今年類似，約為6萬億至7萬億韓元”。鑒于經(jīng)濟挑戰(zhàn)，觀察人士預計嚴格的管理措施將延續(xù)到明年。由于存儲半導體價格大幅下跌，SK海力士預計今年赤字將超過8萬億韓元。
2023-11-22 17:28:051540 數(shù)據(jù)顯示，首爾半導體操作 DRAM晶圓及HBM相關(guān)設備的定單數(shù)量有所上升。其中三星電子已開始擴大其HBM生產(chǎn)能力，并啟動大規(guī)模HBM設備采購；此外，三星和SK海力士計劃加強DRAM技術(shù)轉(zhuǎn)移，進一步加大對DRAM的投資力度。
2024-01-08 10:25:221580 無錫工廠是SK海力士的核心生產(chǎn)基地，其產(chǎn)量約占公司DRAM總產(chǎn)量的40%。目前，無錫工廠正在生產(chǎn)兩款較舊的10納米DRAM。
2024-01-16 10:45:25865 韓國存儲芯片巨頭SK海力士在2023年12月31日公布的第四季度財報中，展現(xiàn)出強大的增長勢頭。數(shù)據(jù)顯示，公司的主力產(chǎn)品DDR5 DRAM和HBM3的營收較2022年分別增長了4倍和5倍以上，成為推動公司營收增長的主要力量。
2024-01-26 16:32:241697 無錫工廠是SK海力士的核心生產(chǎn)基地，其產(chǎn)量約占公司DRAM總產(chǎn)量的40%。目前，無錫工廠正在生產(chǎn)兩款較舊的10nm制程DRAM。
2024-01-31 11:23:051539 韓國存儲芯片巨頭SK海力士計劃在美國印第安納州投資興建一座先進封裝工廠，專注于生產(chǎn)高帶寬內(nèi)存（HBM）芯片。這一舉措旨在與英偉達（NVIDIA）的AI GPU進行深度整合，共同推動美國本土的AI芯片制造能力。
2024-02-06 16:10:291946 在全球存儲半導體市場的激烈競爭中，SK海力士已正式結(jié)束了第五代高帶寬存儲器器（HBM3E）的開發(fā)工作，并成功通過了Nvidia長達半年的性能評估。這一里程碑的達成標志著SK海力士即將在今年3月開始量產(chǎn)這款革命性的存儲器產(chǎn)品，并計劃在下個月內(nèi)向其重要合作伙伴Nvidia供應首批產(chǎn)品。
2024-02-21 11:14:081739 SK 海力士副總裁 Kim Ki-Tae 對此表示，作為 HBM 行業(yè)翹楚，海力士洞察到市場對 HBM 存儲的巨大需求，現(xiàn)已提前調(diào)整產(chǎn)量，以期更好地滿足市場需求，保護其市場占有率。
2024-02-23 14:12:001306 近日，全球存儲解決方案領導者SK海力士宣布，他們已成功完成了高性能HBM3E（High-Bandwidth Memory 3rd Generation Enhanced）的開發(fā)，并且已經(jīng)通過了英偉達
2024-02-25 11:22:211656 2024年2月27日 - 三星電子今日宣布，公司成功發(fā)布其首款12層堆疊HBM3E DRAM——HBM3E 12H，這是三星目前為止容量最大的HBM產(chǎn)品。
2024-02-27 11:07:001583 近日，三星電子宣布，已成功發(fā)布其首款12層堆疊的高帶寬內(nèi)存（HBM3E）產(chǎn)品——HBM3E 12H，再次鞏固了其在半導體技術(shù)領域的領先地位。據(jù)了解，HBM3E 12H不僅是三星迄今為止容量最大的HBM產(chǎn)品，其性能也實現(xiàn)了質(zhì)的飛躍。
2024-02-27 14:28:211820 SK海力士正積極應對AI開發(fā)中關(guān)鍵組件HBM（高帶寬存儲器）日益增長的需求，為此公司正加大在先進芯片封裝方面的投入。SK海力士負責封裝開發(fā)的李康旭副社長明確指出，公司正在韓國投入超過10億美元，以擴大和改進其芯片封裝技術(shù)。
2024-03-08 10:53:441799 SK海力士作為HBM3E的首發(fā)玩家，預計這款最新產(chǎn)品的大批量投產(chǎn)及其作為業(yè)內(nèi)首家供應HBM3制造商所累積的經(jīng)驗，將進一步強化公司在AI存儲器市場的領導者地位。
2024-03-19 15:18:211675 SK海力士，作為全球知名的半導體公司，近期在中國業(yè)務方面進行了重大的戰(zhàn)略調(diào)整。據(jù)相關(guān)報道，SK海力士正在全面重組其在中國的業(yè)務布局，計劃關(guān)閉運營了長達17年的上海銷售公司，并將其業(yè)務重心全面轉(zhuǎn)移到無錫。這一決策的背后，反映了SK海力士對于中國市場發(fā)展的深刻洞察和前瞻布局。
2024-03-20 10:42:252164 HBM3E的推出，標志著SK海力士在高性能存儲器領域取得了重大突破，將現(xiàn)有DRAM技術(shù)推向了新的高度。
2024-03-20 15:23:531844 在基礎晶圓上通過硅通孔（TSV）連接多層DRAM，首批HBM3E產(chǎn)品均采用8層堆疊，容量為24GB。SK海力士和三星分別在去年8月和10月向英偉達發(fā)送了樣品。此前有消息稱，英偉達已經(jīng)向SK海力士支付了約合5.4億至7.7億美元的預付款，供應下一代HBM3E。 SK海力士和三星都在推進12層
2024-03-27 09:12:081225 SK海力士表示，憑借其在AI應用領域存儲器發(fā)展的領先地位，以及與臺積電在全球頂尖邏輯代工領域的深厚合作基礎，該公司有信心持續(xù)引領HBM技術(shù)創(chuàng)新。通過整合IC設計廠、晶圓代工廠及存儲器廠的技術(shù)資源，SK海力士將進一步提升存儲器產(chǎn)品性能，實現(xiàn)新的突破。
2024-04-19 09:28:041159 自 HBM3E（第五代 HBM 產(chǎn)品）起，SK海力士的 HBM 產(chǎn)品基礎裸片均采用自家工藝生產(chǎn)；然而，從 HMB4（第六代 HBM 產(chǎn)品）開始，該公司將轉(zhuǎn)用臺積電的先進邏輯工藝。
2024-04-19 10:32:071379 4 月 19 日消息，SK 海力士宣布和臺積電簽署諒解備忘錄（MOU），推進 HBM4 研發(fā)和下一代封裝技術(shù)，目標在 2026 年投產(chǎn) HBM4。 根據(jù)雙方簽署的諒解備忘錄，兩家公司初期目標是改善
2024-04-20 08:36:51492 HBM內(nèi)存基礎裸片即DRAM堆疊基座，兼具與處理器通信的控制功能。SK海力士近期與臺積電簽訂HBM內(nèi)存合作協(xié)議，首要任務便是提升HBM基礎邏輯芯片性能。
2024-04-23 16:41:191395 韓國 SK海力士于 4 月 25 日透露在季度財報電話會議上，他們承諾第三季度能夠成功研發(fā)出 12 層堆疊的 HBM3E 系列芯片，然而由于供應壓力，可能在下半年出現(xiàn)短缺現(xiàn)象。
2024-04-25 14:45:071054 SK海力士最近透露，預計其HBM銷售額今年將“占其DRAM芯片銷售額的兩位數(shù)百分比”。
2024-04-29 10:50:411195 
SK海力士，作為全球領先的內(nèi)存芯片制造商，正在積極考慮建設一家新的DRAM工廠。這一決策源于其現(xiàn)有的龍仁芯片集群投產(chǎn)計劃的推遲，以及對今年內(nèi)存芯片需求大幅增長的預測。
2024-05-06 10:52:02982 SK海力士宣布，計劃于2025年下半年推出首款采用12層DRAM堆疊的HBM4產(chǎn)品，而16層堆疊版本的推出將會稍后。根據(jù)該公司上月與臺積電簽署的HBM基礎裸片合作協(xié)議，原本預計HBM4內(nèi)存要等到2026年才會問世。
2024-05-06 15:10:211338 SK海力士近日宣布，其高帶寬內(nèi)存（HBM）芯片在2025年的產(chǎn)能已經(jīng)基本售罄。這一成績主要歸功于人工智能（AI）技術(shù)的蓬勃發(fā)展，極大地推動了市場對HBM芯片的需
2024-05-07 09:48:39927 據(jù)業(yè)內(nèi)人士預計，HBM4E的堆疊層數(shù)將增加到16~20層，而SK海力士原本計劃在2026年量產(chǎn)16層的HBM4產(chǎn)品。此外，該公司還暗示，有可能從HBM4開始采用“混合鍵合”技術(shù)以實現(xiàn)更高的堆疊層數(shù)。
2024-05-15 09:45:351030 SK海力士公司近日在首爾舉辦的IEEE 2024國際存儲研討會上，由先進HBM技術(shù)團隊負責人Kim Kwi-wook宣布了一項重要進展。SK海力士計劃從2026年開始，提前一年量產(chǎn)其第七代高帶寬存儲器HBM4E。這一消息表明，SK海力士在HBM技術(shù)領域的研發(fā)速度正在加快。
2024-05-15 11:32:131484 近日，SK海力士與臺積電宣布達成合作，計劃量產(chǎn)下一代HBM（高帶寬內(nèi)存）。在這項合作中，臺積電將主導基礎芯片的前端工藝（FEOL）和后續(xù)布線工藝（BEOL），確?；A芯片的質(zhì)量與性能。而SK海力士則負責晶圓測試和HBM的堆疊工作，確保產(chǎn)品的最終品質(zhì)與可靠性。
2024-05-20 09:18:461055 據(jù)報道，SK海力士宣布第五代高帶寬存儲（HBM）—HBM3E的良率已接近80%。
2024-05-27 14:38:171890 然而，全球HBM產(chǎn)能幾乎被SK海力士、三星和美光壟斷，其中SK海力士占據(jù)AI GPU市場80%份額，是Nvidia HBM3內(nèi)存獨家供應商，且已于今年3月啟動HBM3E量產(chǎn)。
2024-05-28 09:40:311726 SK海力士正全力開發(fā)HBM4E存儲設備，意欲打造集計算、緩存和網(wǎng)絡存儲于一身的新型HBM產(chǎn)品，進而提升性能與數(shù)據(jù)傳輸速率。
2024-05-29 16:41:271061 瑞銀集團最新報告指出，SK海力士的HBM4芯片預計從2026年起，每年將貢獻6至15億美元的營收。作為高帶寬內(nèi)存（HBM）市場的領軍企業(yè)，SK海力士已在今年2月宣布其HBM產(chǎn)能已全部售罄，顯示其產(chǎn)品的強勁需求。
2024-05-30 10:27:221513 在全球半導體產(chǎn)業(yè)風起云涌的當下，SK海力士再次展現(xiàn)出其前瞻性和決斷力。據(jù)行業(yè)內(nèi)部消息透露，該公司正積極擴大其第5代1b DRAM的生產(chǎn)規(guī)模，以應對當前市場對HBM（高帶寬內(nèi)存）及DDR5 DRAM不斷增長的需求。
2024-06-17 16:30:501183 ）提交了一份關(guān)于3D DRAM（三維動態(tài)隨機存取存儲器）的詳細研究論文。該論文不僅揭示了SK海力士在3D DRAM領域取得的顯著進展，更向世界展示了其在這一未來存儲技術(shù)上的堅定決心與卓越實力。
2024-06-24 15:35:291747 在全球半導體技術(shù)的激烈競爭中，SK海力士再次展示了其卓越的研發(fā)實力與創(chuàng)新能力。近日，在美國夏威夷舉行的VLSI 2024峰會上，SK海力士宣布了其在3D DRAM技術(shù)領域的最新研究成果，其中5層堆疊的3D DRAM良品率已高達56.1%，這一突破性的進展引起了業(yè)界的廣泛關(guān)注。
2024-06-27 10:50:221479 雄心勃勃的宣言無疑給當前HBM市場的兩大主要競爭對手——SK海力士和三星帶來了不小的競爭壓力，尤其是SK海力士，作為韓國DRAM行業(yè)的領軍企業(yè)，正嚴陣以待，積極調(diào)整策略以應對美光的挑戰(zhàn)。
2024-07-03 09:28:591061 在半導體行業(yè)日益激烈的競爭中，SK海力士再次展現(xiàn)其前瞻布局與技術(shù)創(chuàng)新的決心。近日，有消息稱SK海力士正與全球知名的封裝測試外包服務（OSAT）大廠Amkor就硅中介層（Si Interposer
2024-07-18 09:42:511224 近日，據(jù)外媒報道，SK海力士已宣布將其DDR5 DRAM芯片價格上調(diào)15%至20%，這一舉動在業(yè)界引起了廣泛關(guān)注。供應鏈內(nèi)部人士透露，此次漲價的主要原因在于HBM3/3E產(chǎn)能的大幅擴張，對DDR5的生產(chǎn)資源造成了明顯擠占。
2024-08-14 15:40:461519 SK海力士近日宣布了一項重要計劃，即開發(fā)采用4F2結(jié)構(gòu)（垂直柵）的DRAM。這一決策緊跟其競爭對手三星的步伐，標志著SK海力士在DRAM制造領域的新探索。SK海力士研究員表示，隨著極紫外（EUV
2024-08-14 17:06:431670 SK 海力士，作為全球知名的半導體巨頭，近期宣布了一項重要的擴產(chǎn)計劃，旨在通過擴大M16晶圓廠的生產(chǎn)規(guī)模，顯著提升其DRAM內(nèi)存產(chǎn)能。據(jù)韓媒報道，SK 海力士已積極與上游設備供應商合作，訂購了關(guān)鍵生產(chǎn)設備，以加速提升M16晶圓廠在HBM（高帶寬內(nèi)存）及通用DRAM內(nèi)存方面的生產(chǎn)能力。
2024-08-16 17:32:241924 SK海力士宣布了一項重大技術(shù)突破，成功開發(fā)出全球首款采用第六代10納米級（1c）工藝的16Gb DDR5 DRAM。這一里程碑式的成就標志著SK海力士在半導體存儲技術(shù)領域的領先地位。
2024-08-29 16:39:151255 自豪地宣布，SK 海力士當前市場上的旗艦產(chǎn)品——8層HBM3E，已穩(wěn)坐行業(yè)領導地位，而更進一步的是，公司即將在本月底邁入一個新的里程碑，正式啟動12層HBM3E的量產(chǎn)。這一舉措不僅鞏固了SK 海力士在
2024-09-05 16:31:361646 SK海力士宣布，公司已正式踏入人工智能芯片生產(chǎn)的新階段，批量生產(chǎn)業(yè)界領先的12層HBM3E芯片。這款芯片不僅代表了SK海力士在內(nèi)存技術(shù)上的重大突破，更以36GB的超大容量刷新了現(xiàn)有HBM產(chǎn)品的記錄，為全球人工智能領域的發(fā)展注入了強勁動力。
2024-09-26 14:24:41878 今日，半導體巨頭SK海力士震撼宣布了一項業(yè)界矚目的技術(shù)里程碑，該公司已成功在全球范圍內(nèi)率先實現(xiàn)12層HBM3E芯片的規(guī)?；a(chǎn)，此舉不僅將HBM存儲器的最大容量推升至史無前例的36GB新高度，更進一步鞏固了SK海力士在AI應用存儲器市場的領軍地位。
2024-09-26 16:30:311992 SK海力士近日宣布了一項重大突破，公司已成功在全球范圍內(nèi)率先實現(xiàn)12層堆疊HBM3E的量產(chǎn)，這一里程碑式的成就標志著其在高端存儲技術(shù)領域的持續(xù)領先地位。這款新品不僅將HBM產(chǎn)品的容量提升至前所未有的36GB，更是在AI應用所需的速度、容量及穩(wěn)定性等方面均達到了全球頂尖水平。
2024-09-27 16:49:171177 在9月25日（當?shù)貢r間）于美國加利福尼亞州圣克拉拉會議中心舉行的一場半導體行業(yè)盛會上，SK海力士發(fā)布的一項關(guān)于其高帶寬內(nèi)存（HBM）的驚人數(shù)據(jù)——“TAT 8.8:1”引起了廣泛關(guān)注。這一數(shù)據(jù)揭示了SK海力士在HBM生產(chǎn)效率上的巨大優(yōu)勢。
2024-10-08 16:19:321679 和卓越的研發(fā)能力，已經(jīng)提前開發(fā)出48GB 16層HBM3E產(chǎn)品。這一舉措不僅展現(xiàn)了SK海力士的技術(shù)實力，更凸顯了其對市場趨
2024-11-05 15:01:201233 限的產(chǎn)能轉(zhuǎn)向更高端的產(chǎn)品線，如人工智能用存儲器及先進DRAM產(chǎn)品。 SK海力士的這一決策可能與其重點發(fā)展高端存儲技術(shù)研發(fā)和生產(chǎn)有關(guān)。近日，該公司對外展示了全球首款48GB 16層HBM3E產(chǎn)品，該產(chǎn)品在容量和層數(shù)上均達到了業(yè)界最高水平。這一成果不僅彰顯了SK海力士
2024-11-07 11:37:181277 在近日舉行的SK AI峰會上，韓國存儲巨頭SK海力士向全球展示了其創(chuàng)新成果——全球首款48GB 16層HBM3E產(chǎn)品。這一產(chǎn)品的推出，標志著SK海力士在高端存儲技術(shù)領域的又一次重大突破。
2024-11-13 14:35:051189 在近日舉辦的SK AI Summit 2024活動中，SK hynix（SK海力士）透露了一項令人矚目的新產(chǎn)品計劃。據(jù)悉，該公司正在積極開發(fā)HBM3e 16hi產(chǎn)品，這款產(chǎn)品的每顆HBM芯片容量高達48GB，將為用戶帶來前所未有的存儲體驗。
2024-11-14 18:20:201364 存儲芯片，并將其應用到一家大型科技公司的 AI 計算芯片上。SK 海力士預計將在明年下半年供應該芯片。 ? 由于需要同時向英偉達和博通供應 HBM，SK 海力士肯定會調(diào)整其 DRAM 產(chǎn)能預測。這家公司計劃
2024-12-21 15:16:46915 
近日，SK海力士正全力加速其全球首創(chuàng)的16層堆疊(16Hi)HBM3E內(nèi)存的量產(chǎn)準備工作。這一創(chuàng)新產(chǎn)品的全面生產(chǎn)測試已經(jīng)正式啟動，為明年初的樣品出樣乃至2025年上半年的大規(guī)模量產(chǎn)與供應奠定了
2024-12-26 14:46:241050 SK海力士今年計劃大幅提升其高帶寬內(nèi)存（HBM）的DRAM產(chǎn)能，目標是將每月產(chǎn)能從去年的10萬片增加至17萬片，這一增幅達到了70%。此舉被視為該公司對除最大客戶英偉達外，其他領先人工智能（AI）芯片公司需求激增的積極回應。
2025-01-07 16:39:091310 列入貿(mào)易限制名單，也對SK海力士的決策產(chǎn)生了影響。業(yè)內(nèi)普遍預測，SK海力士將全面停止使用中國的EDA軟件，而三星電子也可能緊隨其后，做出類似決定。 若SK海力士與三星電子真的停用中國EDA軟件，它們對美國EDA軟件的依賴程度將顯著增強，這將
2025-02-18 10:51:541081 SK海力士在鞏固其面向AI的存儲器領域領導地位方面，HBM1無疑發(fā)揮了決定性作用。無論是率先開發(fā)出全球首款最高性能的HBM，還是確立并保持其在面向AI的存儲器市場的領先地位，這些成就的背后皆源于SK海力士秉持的“一個團隊”協(xié)作精神（One Team Spirit）。
2025-06-18 15:31:021667 AMD、微軟和亞馬遜等。 ? HBM（高帶寬存儲器），是由AMD和SK海力士發(fā)起的基于3D堆棧工藝的高性能DRAM，適用于高存儲器帶寬需求的應用場合。如今HBM已經(jīng)發(fā)展出HBM2、HBM2e以及HBM3。HBM3E是HBM3的下一代產(chǎn)品，SK海力士目前是唯一能量產(chǎn)HBM3的廠商。 ? HBM 成為
2023-07-06 09:06:313696 
海力士宣布公司已開始量產(chǎn)12H HBM3E芯片，實現(xiàn)了現(xiàn)有HBM產(chǎn)品中最大的36GB容量。該產(chǎn)品堆疊12顆3GB DRAM芯片，實現(xiàn)與現(xiàn)有的8層產(chǎn)品相同的厚度，同時容量提升50%。運行速度提高至
2024-10-06 01:03:005496 
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