年終干貨來(lái)啦！回顧這一年，安森美（onsemi）收到超多工程師小伙伴的技術(shù)問(wèn)詢(xún)，從新品選型到散熱優(yōu)化、從替代型號(hào)查找到手冊(cè)工具獲取，大家的困惑我們都記在心里。
2026-01-05 13:47:45
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安森美 (onsemi) 的垂直氮化鎵 (vGaN) 晶體管是新一代功率器件，能夠以高頻率處理極高電壓， 效率顯著優(yōu)于傳統(tǒng)的硅芯片。 這項(xiàng)技術(shù)在行業(yè)內(nèi)處于領(lǐng)先水平。 安森美的這個(gè)先進(jìn)設(shè)施占地
2025-12-17 15:45:50286 安森美今日宣布，公司與佛瑞亞海拉（FORVIA HELLA）深化長(zhǎng)期戰(zhàn)略合作，將在其先進(jìn)汽車(chē)平臺(tái)全面采用安森美的PowerTrench T10 MOSFET技術(shù)。這項(xiàng)新簽訂的長(zhǎng)期協(xié)議將強(qiáng)化雙方合作，助力企業(yè)在未來(lái)十年汽車(chē)產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型浪潮中持續(xù)提供創(chuàng)新解決方案。
2025-12-17 15:43:281489 在電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)中，框圖是理解方案全貌、展示模塊之間關(guān)聯(lián)邏輯和對(duì)應(yīng)功能的的關(guān)鍵工具。本文精選安森美（onsemi）十大熱門(mén)應(yīng)用框圖，涵蓋汽車(chē)LED前照燈、48V-12V DC-DC轉(zhuǎn)換器、智能移動(dòng)機(jī)器人及AI數(shù)據(jù)中心等熱門(mén)應(yīng)用，直觀展現(xiàn)安森美技術(shù)布局與解決方案。
2025-12-17 15:41:15272 
安森美(onsemi，美國(guó)納斯達(dá)克股票代號(hào)：ON)宣布推出采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)T2PAK頂部冷卻封裝的EliteSiC MOSFET，為汽車(chē)和工業(yè)應(yīng)用的電源封裝技術(shù)帶來(lái)突破。這款新品為電動(dòng)汽車(chē)、太陽(yáng)能基礎(chǔ)設(shè)施及儲(chǔ)能系統(tǒng)等市場(chǎng)的高功率、高電壓應(yīng)用提供增強(qiáng)的散熱性能、可靠性和設(shè)計(jì)靈活性。
2025-12-11 17:48:49736 安森美（onsemi）宣布已與英諾賽科（Innoscience）簽署諒解備忘錄，雙方將探索利用英諾賽科成熟的200毫米氮化鎵（GaN）硅基工藝，以擴(kuò)大 GaN 功率器件的生產(chǎn)規(guī)模。該合作將整合安森美
2025-12-11 17:47:04652 在電力電子領(lǐng)域，IGBT和MOSFET作為關(guān)鍵的功率開(kāi)關(guān)器件，其驅(qū)動(dòng)電路的性能對(duì)整個(gè)系統(tǒng)的效率和可靠性起著至關(guān)重要的作用。今天，我們就來(lái)詳細(xì)探討一下安森美（onsemi）推出的NCx57090y, NCx57091y系列高電流單通道IGBT/MOSFET門(mén)驅(qū)動(dòng)器。
2025-12-09 09:37:551510 
在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，功率MOSFET是不可或缺的關(guān)鍵元件，它廣泛應(yīng)用于電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等眾多領(lǐng)域。今天就來(lái)詳細(xì)探討安森美（onsemi）推出的一款單通道N溝道功率MOSFET——NTMFS002N10MCL。
2025-12-08 14:53:47334 
作為電子工程師，我們?cè)谠O(shè)計(jì)中常常追求高性能、高可靠性的電子元件。今天，我將為大家詳細(xì)介紹安森美（onsemi）的一款碳化硅（SiC）MOSFET——NTBG025N065SC1，它在開(kāi)關(guān)電源、太陽(yáng)能逆變器等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。
2025-12-05 16:35:35633 
在電子工程師的設(shè)計(jì)世界里，一款優(yōu)秀的控制器就像是一位得力助手，能夠?yàn)殡娫崔D(zhuǎn)換設(shè)計(jì)帶來(lái)諸多便利和高性能表現(xiàn)。今天，我們就來(lái)深入剖析安森美（onsemi）的NCP13994，一款專(zhuān)為半橋諧振轉(zhuǎn)換器打造的高性能電流模式控制器。
2025-12-05 11:27:46480 
在電力電子領(lǐng)域，碳化硅（SiC）MOSFET憑借其卓越的性能，正逐漸成為眾多應(yīng)用的首選功率器件。今天，我們就來(lái)深入探討安森美（onsemi）推出的一款1200V碳化硅MOSFET——NTH4L013N120M3S。
2025-12-04 15:19:05412 
在電力電子領(lǐng)域，碳化硅（SiC）MOSFET憑借其卓越的性能正逐漸成為眾多應(yīng)用的首選功率器件。安森美（onsemi）推出的NTH4L028N170M1碳化硅MOSFET，更是在性能和可靠性方面表現(xiàn)出色。今天，我們就來(lái)詳細(xì)解析這款器件。
2025-12-04 14:44:57263 
在當(dāng)今電子技術(shù)飛速發(fā)展的時(shí)代，碳化硅（SiC）MOSFET憑借其卓越的性能，在眾多領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。今天，我們就來(lái)深入了解一下安森美（onsemi）推出的一款SiC MOSFET——NVBG025N065SC1，看看它有哪些獨(dú)特之處，又能為我們的設(shè)計(jì)帶來(lái)怎樣的優(yōu)勢(shì)。
2025-12-04 13:34:18370 
在電力電子領(lǐng)域，碳化硅（SiC）MOSFET以其卓越的性能逐漸成為眾多應(yīng)用的首選功率器件。今天我們來(lái)詳細(xì)探討安森美（onsemi）的一款SiC MOSFET——NVBG070N120M3S，它在汽車(chē)和工業(yè)應(yīng)用中展現(xiàn)出了強(qiáng)大的競(jìng)爭(zhēng)力。
2025-12-03 15:30:19349 
在電源模塊領(lǐng)域，碳化硅（SiC）技術(shù)憑借其出色的性能逐漸嶄露頭角。安森美（onsemi）推出的NXH008T120M3F2PTHG碳化硅模塊，為太陽(yáng)能逆變器、不間斷電源、電動(dòng)汽車(chē)充電站和工業(yè)電源等應(yīng)用提供了強(qiáng)大的支持。今天，我們就來(lái)深入了解一下這款產(chǎn)品。
2025-12-03 14:49:16278 
BP1048B2是一款高性能的藍(lán)牙音頻應(yīng)用處理器，集32位RISC內(nèi)核、藍(lán)牙5.0雙模通信與專(zhuān)業(yè)級(jí)音頻處理能力于一體的高性能芯片，集成音頻編解碼技術(shù)和藍(lán)牙通信技術(shù)，擁有出色的音頻處理能力；能夠?qū)崟r(shí)處理各種音頻信號(hào)，包括高保真音樂(lè)、語(yǔ)音通話(huà)等。
2025-12-03 10:06:19529 
在電子設(shè)備設(shè)計(jì)中，MOSFET作為關(guān)鍵的功率開(kāi)關(guān)元件，其性能直接影響著整個(gè)系統(tǒng)的效率和穩(wěn)定性。今天我們要深入探討的是安森美（onsemi）推出的NVMJS3D0N06C單通道N溝道MOSFET，看看它在實(shí)際應(yīng)用中能為我們帶來(lái)哪些優(yōu)勢(shì)。
2025-12-02 09:23:56514 
在電子設(shè)備設(shè)計(jì)中，整流器是不可或缺的元件，它的性能直接影響到整個(gè)系統(tǒng)的效率和穩(wěn)定性。今天我們要探討的是安森美（ON Semiconductor）推出的NRVTS560ETFS、NRVTS560ETFSWF這兩款溝槽式肖特基整流器，它們?cè)谥T多方面展現(xiàn)出了卓越的性能。
2025-12-01 15:01:15254 
在電力電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，IGBT和MOSFET作為關(guān)鍵的功率開(kāi)關(guān)器件，其驅(qū)動(dòng)電路的性能直接影響著整個(gè)系統(tǒng)的效率和可靠性。今天，我們就來(lái)深入探討一下安森美（onsemi）推出的NCx57080y和NCx57081y系列高電流單通道IGBT/MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器。
2025-12-01 14:29:16466 
在電力電子領(lǐng)域，IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）作為關(guān)鍵的功率開(kāi)關(guān)器件，被廣泛應(yīng)用于各種高功率場(chǎng)景。而IGBT門(mén)極驅(qū)動(dòng)器的性能，直接影響著IGBT的開(kāi)關(guān)特性和系統(tǒng)的整體性能。今天，我們就來(lái)深入探討安森美（onsemi）推出的NCx5710y系列高電流單通道IGBT驅(qū)動(dòng)器。
2025-12-01 14:24:47452 
在電子工程領(lǐng)域，IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）一直是功率電子應(yīng)用中的關(guān)鍵器件。今天，我們要深入探討安森美（onsemi）推出的一款專(zhuān)為汽車(chē)應(yīng)用設(shè)計(jì)的IGBT——AFGHL50T65RQDN，看看它究竟有哪些獨(dú)特之處。
2025-11-28 16:25:38903 
作為電子工程師，我們?cè)谠O(shè)計(jì)電路時(shí)，常常需要精心挑選合適的電子元件，以確保系統(tǒng)的高效穩(wěn)定運(yùn)行。今天，我要和大家分享一款來(lái)自安森美半導(dǎo)體（onsemi）的高性能P溝道MOSFET——NTMFS005P03P8Z，深入探討它的特性、參數(shù)以及應(yīng)用場(chǎng)景。
2025-11-28 15:13:25308 在混合動(dòng)力（HEV）和電動(dòng)汽車(chē)（EV）的牽引逆變器應(yīng)用領(lǐng)域，功率模塊的性能和可靠性至關(guān)重要。今天我們要深入探討的是安森美（onsemi）的NVH950S75L4SPC功率模塊，它來(lái)自VE - Trac Direct系列，具有高度集成和行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的封裝尺寸，能為汽車(chē)應(yīng)用帶來(lái)出色的性能表現(xiàn)。
2025-11-28 11:34:10706 
在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，選擇一款合適的緩沖器對(duì)于系統(tǒng)的性能和穩(wěn)定性至關(guān)重要。安森美（onsemi）的NL27WZ16雙緩沖器憑借其卓越的性能和豐富的特性，成為眾多工程師的理想之選。今天，我們就來(lái)深入了解一下這款產(chǎn)品。
2025-11-28 10:57:34269 安森美(onsemi，美國(guó)納斯達(dá)克股票代號(hào)：ON)宣布其董事會(huì)已授權(quán)在未來(lái)三年內(nèi)實(shí)施達(dá)60億美元的新股票回購(gòu)計(jì)劃，自2026年1月1日起生效，原30億美元的授權(quán)將于2025年12月31日到期。根據(jù)
2025-11-27 13:47:45256 在電子電路設(shè)計(jì)中，如何簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)、降低成本并節(jié)省電路板空間一直是工程師們關(guān)注的重點(diǎn)。安森美（onsemi）推出的MUN5213DW1、NSBC144EDXV6和NSBC144EDP6系列雙NPN偏置電阻晶體管（BRT），為解決這些問(wèn)題提供了有效的解決方案。
2025-11-27 11:25:00289 
安森美 NL37WZ16三路緩沖器是高性能緩沖器，輸入工作電壓范圍為1.65V至5.5V，具有-55°C至+125°C的寬工作溫度范圍。安森美NL37WZ16器件可用作線(xiàn)路接收器接收慢速輸入信號(hào)。這些器件具有驅(qū)動(dòng)能力強(qiáng)、功耗低、信號(hào)完整性好的特點(diǎn)，使NL37WZ16在諸多數(shù)字設(shè)計(jì)中發(fā)揮了價(jià)值。
2025-11-25 15:15:58339 
安森美 EVBUM2878G-EVB評(píng)估板設(shè)計(jì)用于評(píng)估采用F2封裝的1200VM3S全橋4-PACK模塊。安森美 EVBUM2878G-EVB板支持針對(duì)全橋模塊的雙脈沖開(kāi)關(guān)測(cè)試和開(kāi)環(huán)功率測(cè)試
2025-11-24 14:38:47318 
安森美 NCx703x單向電流檢測(cè)放大器是高壓電流檢測(cè)放大器，設(shè)計(jì)用于在各種應(yīng)用中進(jìn)行精確電流測(cè)量。安森美 NCx703x包括NCS7030、NCS7031、NCV7030和NCV7031器件。這些
2025-11-24 10:25:41344 
在電氣化、可再生能源和人工智能數(shù)據(jù)中心的推動(dòng)下，電力電子領(lǐng)域正經(jīng)歷一場(chǎng)變革。安森美(onsemi)憑借創(chuàng)新的垂直氮化鎵 (vGaN) 技術(shù)引領(lǐng)這一浪潮，推出的高能效系統(tǒng)重新定義了性能與可靠性的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。本文將解答關(guān)于 vGaN 的核心疑問(wèn)，并闡釋該技術(shù)對(duì)能源與電源解決方案未來(lái)發(fā)展的影響。
2025-11-20 14:57:242050 智能穿戴、物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備和端側(cè)AI應(yīng)用快速發(fā)展，PSRAM偽靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器，正成為越來(lái)越多嵌入式系統(tǒng)的優(yōu)選方案，如何選擇一個(gè)高性能、小尺寸與低功耗的psram芯片是一個(gè)值得思考的問(wèn)題。由EMI自主研發(fā)
2025-11-18 17:24:35255 2025年 11月 17 日 ?–?專(zhuān)注于引入新品的全球電子元器件和工業(yè)自動(dòng)化產(chǎn)品授權(quán)代理商貿(mào)澤電子?(Mouser Electronics) 即日起開(kāi)售安森美?(onsemi) 的最新授權(quán)產(chǎn)品
2025-11-17 16:02:07350 
一、突破性音量調(diào)節(jié)技術(shù)1.1技術(shù)規(guī)格概述作為語(yǔ)音芯片領(lǐng)域的技術(shù)領(lǐng)先者，廣州唯創(chuàng)電子推出的WT2605C聲音播放芯片集成了32級(jí)精確音量控制功能。這一創(chuàng)新設(shè)計(jì)突破了傳統(tǒng)語(yǔ)音播放IC僅有3-5級(jí)音量調(diào)節(jié)
2025-11-10 13:00:43540 
安森美(onsemi，美國(guó)納斯達(dá)克股票代號(hào)：ON)宣布已與奧拉半導(dǎo)體（Aura Semiconductor）完成Vcore電源技術(shù)及相關(guān)知識(shí)產(chǎn)權(quán)（IP）的授權(quán)交易。此項(xiàng)戰(zhàn)略交易增強(qiáng)了安森美的電源管理產(chǎn)品組合與路線(xiàn)圖，加速實(shí)現(xiàn)公司在人工智能（AI）數(shù)據(jù)中心應(yīng)用中覆蓋從電網(wǎng)到核心的完整電源樹(shù)的愿景。
2025-11-06 10:50:23646 
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