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      電子發(fā)燒友網(wǎng)>新品快訊>Toshiba推出高性能功率MOSFET TK系列

      Toshiba推出高性能功率MOSFET TK系列

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      Vishay SiRS5700DP N溝道MOSFET技術(shù)深度解析：性能優(yōu)勢(shì)與應(yīng)用實(shí)踐

      SiRS5700DP優(yōu)化了功率效率，器件的R~DS(on)~ 可最大限度地降低導(dǎo)通期間的功率損耗，確保高效運(yùn)行。該MOSFET經(jīng)過100% R~g~ 和UIS測(cè)試，確?？煽啃浴Ｔ撈骷€可增強(qiáng)功率耗散并降低熱阻（R ~thJC~ ），因此非常適用于高性能應(yīng)用。
      2025-11-13 11:21:53430

      【道生物聯(lián)TKB-623評(píng)估板試用】TK8620 模組實(shí)現(xiàn)高性能 RTK 組網(wǎng)

      設(shè)計(jì)，可基于 TK8620 模組實(shí)現(xiàn)高性能 RTK 基站與流動(dòng)站系統(tǒng)，核心在于平衡大功率通信的覆蓋能力與 RTK 算法的解算精度，同時(shí)針對(duì)實(shí)際場(chǎng)景優(yōu)化抗干擾和動(dòng)態(tài)適應(yīng)性。
      2025-11-06 22:05:50

      ?SL1590Q 24V/8A高效同步降壓轉(zhuǎn)換器：高性能電源方案

      ?，為現(xiàn)代電子設(shè)備提供了卓越的電源轉(zhuǎn)換方案。 ?核心技術(shù)創(chuàng)新? ?1. 高效集成與功率優(yōu)化? 內(nèi)置?20mΩ和10mΩ低阻抗MOSFET?，支持?最大8A輸出電流? ?4.5V至24V寬輸入電壓范圍
      2025-11-04 16:43:14

      N溝道功率MOSFET 美容儀加濕器專用HC3400Y 高性能30V5.7AMOS管

      N溝道功率MOSFET 美容儀加濕器專用HC3400Y 高性能30V5.7AMOS管
      2025-10-31 09:35:26

      選型手冊(cè)：MOT7N70D 系列 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

      仁懋電子（MOT）推出的MOT7N70D是一款面向高壓開關(guān)場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借700V耐壓、低導(dǎo)通損耗及高速開關(guān)特性，廣泛適用于高效開關(guān)電源、電子鎮(zhèn)流器、LED電源等領(lǐng)域。以下從
      2025-10-27 17:19:00190

      圣邦微電子推出高性能N溝道MOSFET SGMNQ12340

      圣邦微電子推出 SGMNQ12340，一款 40V 耐壓、低導(dǎo)通電阻、輸入電容低、切換速度快、高性能的 N 溝道 MOSFET。該器件可應(yīng)用于 VBUS 過壓保護(hù)開關(guān)、AMOLED 顯示控制器、電池充放電開關(guān)及 DC/DC 轉(zhuǎn)換器。
      2025-10-14 17:34:482209

      Schurter碩特FPR系列高性能保險(xiǎn)絲座介紹

      FPR系列高性能保險(xiǎn)絲座：現(xiàn)代電子設(shè)計(jì)需要在減小空間占用的同時(shí)實(shí)現(xiàn)更高功率密度，且必須確保安全性與可靠性。FPR保險(xiǎn)絲座正是為滿足這些需求而研發(fā)——在與經(jīng)典FPG4系列相同的安裝尺寸下，接受功率顯著提升30%，這意味著無需增加PCB布局空間即可獲得更強(qiáng)的熱負(fù)載能力。
      2025-10-14 09:21:42513

      Nexperia推出高功率工業(yè)應(yīng)用專用MOSFET

      Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日宣布，為旗下不斷擴(kuò)充的應(yīng)用專用MOSFET (ASFET)產(chǎn)品組合再添新產(chǎn)品。ASFET系列的產(chǎn)品特性經(jīng)優(yōu)化調(diào)校，可滿足特定終端應(yīng)用的嚴(yán)苛需求。其中，80 V
      2025-10-10 11:22:27700

      Toshiba推出采用最新一代工藝技術(shù)[1]的100V N溝道功率MOSFET，以提升工業(yè)設(shè)備開關(guān)電源效率

      Toshiba推出了“TPH2R70AR5”——一款采用Toshiba最新一代工藝U-MOS11-H[1]制造的100V N溝道功率MOSFET。該MOSFET的目標(biāo)應(yīng)用包括數(shù)據(jù)中心和通信基站所用
      2025-09-28 15:17:14499

      納芯微與得鐠電子合作推出高性能燒錄方案

      隨著納芯微 NovoGenius 系列 SoC的持續(xù)量產(chǎn)，客戶對(duì)穩(wěn)定可靠的燒錄解決方案需求不斷提升。為了確?？蛻裟軌蝽樌瓿僧a(chǎn)品導(dǎo)入，納芯微與得鐠電子科技(上海)有限公司(DediProg，下文簡(jiǎn)稱得鐠)達(dá)成合作，共同推出經(jīng)過驗(yàn)證的高性能燒錄方案。
      2025-09-24 09:18:49832

      BSRD-2503驅(qū)動(dòng)板解鎖62mm SiC碳化硅MOSFET功率模塊的極致性能

      在追求高效、高功率密度與可靠性的電力電子領(lǐng)域，碳化硅（SiC）MOSFET憑借其卓越的開關(guān)性能和耐高溫特性，正迅速成為工業(yè)電源、新能源及高端制造的核心動(dòng)力。傾佳電子作為行業(yè)領(lǐng)先的電子元器件代理與技術(shù)
      2025-09-18 18:27:33678

      Bourns推出全新Riedon PF2472系列功率電阻

      Bourns 推出全新 Riedon 系列功率電阻。此系列采用緊湊型 TO-247 封裝，具備堅(jiān)固耐用、高功率的厚膜電阻特性，能在搭配散熱器時(shí)提供高達(dá) 100 W 的輸出功率，并可承受最高 700
      2025-09-17 14:37:11678

      上海貝嶺IGBT與MOSFET高效能功率器件產(chǎn)品介紹

      ，持續(xù)迭代升級(jí)IGBT和MOSFET技術(shù)平臺(tái)，通過精密的芯片結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、優(yōu)化的制造工藝和先進(jìn)的封裝方案，打造了一系列高性能、高可靠性的功率器件產(chǎn)品。這些產(chǎn)品旨在滿足嚴(yán)苛
      2025-09-16 14:56:051645

      TDK推出全新SmartMotion ICM-536xx系列高性能六軸IMU

      TDK株式會(huì)社(東京證券交易所代碼：6762)重磅推出全新的SmartMotion? ICM-536xx系列高性能六軸IMU，并向特定客戶開放供貨。
      2025-09-05 09:15:35895

      派恩杰第三代1200V SiC MOSFET產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)

      1200V SiC MOSFET是派恩杰推出的一系列高性能碳化硅功率器件，具有卓越的柵氧層可靠性和優(yōu)異的高溫特性，專為高壓、高頻、高溫應(yīng)用設(shè)計(jì)。相比傳統(tǒng)硅基MOSFET，SiC MOSFET提供更低
      2025-09-03 11:29:401034

      新潔能推出增強(qiáng)型N溝道MOSFET系列產(chǎn)品

      新潔能研發(fā)團(tuán)隊(duì)溝槽型工藝平臺(tái)推出耐壓30V 1mΩ級(jí)別增強(qiáng)型N溝道MOSFET 系列產(chǎn)品。
      2025-08-22 18:02:351527

      納芯微推出NS800RT737x系列高性能實(shí)時(shí)控制MCU

      在實(shí)時(shí)性要求極高的電力電子與電力拖動(dòng)領(lǐng)域，如新能源逆變器、工業(yè)伺服控制及車載電機(jī)驅(qū)動(dòng)中，系統(tǒng)必須在毫秒甚至微秒級(jí)完成數(shù)據(jù)處理與響應(yīng)。納芯微全新推出的NS800RT737x系列MCU（DSP
      2025-08-22 11:28:401652

      Wolfspeed推出第四代高性能碳化硅MOSFET

      Wolfspeed 推出第四代 (Gen 4) 1200 V 車規(guī)級(jí)碳化硅 (SiC) 裸芯片 MOSFET 系列，專為嚴(yán)苛的汽車環(huán)境設(shè)計(jì)。Wolfspeed 第四代高性能碳化硅 MOSFET，可在 185°C 下持續(xù)工作，助力動(dòng)力總成系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)最大性能。
      2025-08-11 16:54:232327

      深愛半導(dǎo)體 代理 SIC213XBER / SIC214XBER 高性能單相IPM模塊

      SIC213XBER / SIC214XBER 全新高性能單相IPM模塊系列！我們以全新ESOP-9封裝與新一代技術(shù)，賦能客戶在三大核心維度實(shí)現(xiàn)飛躍性提升：效率躍升、空間減負(fù)、成本優(yōu)化與可靠性保障
      2025-07-23 14:36:03

      高性能M3 系列 MCU，靈活對(duì)應(yīng)多元應(yīng)用，高效賦能未來

      高性能M3 系列 MCU，靈活對(duì)應(yīng)多元應(yīng)用，高效賦能未來 高性能M3系列 隨著消費(fèi)電子等產(chǎn)業(yè)升級(jí)，產(chǎn)品功能越發(fā)先進(jìn)，對(duì)MCU的性能要求在不斷提升，比如新能源應(yīng)用中的充電樁產(chǎn)品，會(huì)需要MCU帶有
      2025-07-21 19:10:03

      博世推出首款高性能六軸慣性傳感器

      博世即將推出全新一代MEMS慣性傳感器——SMI980與SMU300，這是公司首次發(fā)布高性能六軸慣性傳感器系列。該產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于輔助駕駛系統(tǒng)、高精定位、車載導(dǎo)航等場(chǎng)景，為車輛提供更加穩(wěn)定、連續(xù)的運(yùn)動(dòng)感知能力。
      2025-07-17 17:03:051279

      圣邦微電子推出單N溝道功率MOSFET SGMNL12330

      圣邦微電子推出 SGMNL12330，一款 30V、TDFN 封裝、單 N 溝道功率 MOSFET。該器件可應(yīng)用于 PWM 應(yīng)用、電源負(fù)載開關(guān)、電池管理和無線充電器。
      2025-07-10 17:21:522287

      揚(yáng)杰科技推出200V MOSFET Gen2.0系列

      面對(duì)工業(yè)電源、BLDC電機(jī)驅(qū)動(dòng)、新能源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)對(duì)功率密度的極致追求，我們正式推出200V MOSFET Gen2.0全系列解決方案。賦能設(shè)備向小型化、高頻化、高可靠進(jìn)化!
      2025-07-03 18:03:351094

      高性能交流源的選型推薦：PSA6000系列

      在民航零部件測(cè)試、汽車電子等高可靠性要求領(lǐng)域，測(cè)試設(shè)備的動(dòng)態(tài)響應(yīng)和紋波特性直接影響測(cè)試結(jié)果的準(zhǔn)確性。PSA6000系列作為國(guó)產(chǎn)高性能方案，在多項(xiàng)行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試中表現(xiàn)優(yōu)異。在民航零部件測(cè)試、汽車電子等
      2025-07-02 11:39:39588

      特克股份TTESEMI接口芯片TK3232及TK1040前景簡(jiǎn)介

      TK1040兼容替代TAJ1040T， TK3232完全替代MAX3232，歡迎工程師試用。免費(fèi)試樣和技術(shù)支持
      2025-07-02 11:14:091080

      更低Rdson，更強(qiáng)動(dòng)力！捷捷微電MOSFET讓您的UPS甩開能效焦慮！

      的效率、可靠性與成本。捷捷微電深耕功率半導(dǎo)體，推出多款高性能MOSFET產(chǎn)品，為各類UPS系統(tǒng)提供強(qiáng)勁“芯”動(dòng)力！Part.01UPS系統(tǒng)的“心臟”守護(hù)者UPS系統(tǒng)的
      2025-07-01 17:41:351173

      揚(yáng)杰科技推出用于清潔能源的N60V MOSFET產(chǎn)品

      揚(yáng)杰科技最新推出了一系列用于清潔能源的N60V MOSFET產(chǎn)品，產(chǎn)品采用特殊優(yōu)化的SGT技術(shù)，具有較低的導(dǎo)通電阻Rdson和柵極電荷Qg，明顯降低導(dǎo)通和開關(guān)損耗，同時(shí)提升了MOSFET抗沖擊電流能力，非常適合應(yīng)用于高功率密度和高效率電力電子變換系統(tǒng)。
      2025-06-27 09:43:531352

      BASiC基本公司SiC MOSFET碳化硅功率模塊在商空熱泵中的技術(shù)應(yīng)用

      隨著全球?qū)δ茉葱逝c低碳技術(shù)的需求日益增長(zhǎng)，商空熱泵(Commercial HVAC)作為大型建筑供暖、通風(fēng)與空調(diào)系統(tǒng)的核心設(shè)備，亟需更高性能的功率器件以提升能效與可靠性。BASiC
      2025-06-19 16:44:44676

      290-00G發(fā)射配件連接器現(xiàn)貨庫(kù)存：高性能射頻解決方案

      290-00G發(fā)射配件連接器是SOUTHWEST西南微波推出的一款用作微波和射頻技術(shù)應(yīng)用的高性能連接器，主要用于射頻微波元器件等領(lǐng)域，與同系列其他產(chǎn)品型號(hào)（如 290-01G、290-02G 等
      2025-06-12 08:51:03

      突破性能邊界！捷捷微電車規(guī)MOSFET大揭秘！

      引言隨著汽車電子技術(shù)的飛速發(fā)展，捷捷微電推出了第二代車規(guī)MOSFET產(chǎn)品，致力于為汽車電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、鋰電池管理等領(lǐng)域提供高性能解決方案。本文將帶您深入了解捷捷微電車規(guī)MOSFET的技術(shù)優(yōu)勢(shì)、產(chǎn)品系列
      2025-06-11 14:20:15823

      新潔能推出第三代40V Gen.3 SGT MOSFET系列產(chǎn)品

      作為國(guó)內(nèi)MOSFET功率器件研發(fā)的先行者之一，新潔能始終致力于功率半導(dǎo)體核心技術(shù)的突破，其研發(fā)團(tuán)隊(duì)持續(xù)創(chuàng)新，正式推出第三代SGT產(chǎn)品Gen.3 SGT MOSFET，電壓涵蓋25-150V系列
      2025-06-11 08:59:592500

      高性能隔離型門極驅(qū)動(dòng)器 BTD5350x：開啟高效功率控制新維度

      高性能隔離型門極驅(qū)動(dòng)器 BTD5350x：開啟高效功率控制新維度 在新能源與電力電子領(lǐng)域快速發(fā)展的今天，功率器件的高效驅(qū)動(dòng)與可靠隔離成為系統(tǒng)設(shè)計(jì)的核心挑戰(zhàn)?；景雽?dǎo)體推出的BTD5350x 單通道
      2025-06-10 09:00:57628

      新品 | 采用高性能DCB的Easy B系列CoolSiC? 2kV SiC MOSFET模塊

      新品采用高性能DCB的EasyB系列CoolSiC2kVSiCMOSFET模塊英飛凌EasyDUAL和EasyPACK2B2kV、6mΩ半橋和三電平模塊采用CoolSiCSiCMOSFET增強(qiáng)型1代
      2025-06-03 17:34:31906

      使用 N-MOSFET 作為功率吸收路徑有哪些優(yōu)點(diǎn)？

      CCG8 使用 GPIO 來控制 FET 柵極驅(qū)動(dòng)器的功率吸收路徑， 我可以使用 P-MOSFET 作為電源接收路徑嗎？ 使用 N-MOSFET 作為功率吸收路徑有哪些優(yōu)點(diǎn)？
      2025-05-28 06:51:33

      MDD辰達(dá)半導(dǎo)體推出全新SGT系列MOSFET

      在服務(wù)器電源、工業(yè)驅(qū)動(dòng)及新能源領(lǐng)域，MOSFET的性能直接決定系統(tǒng)的能效與可靠性。為滿足高密度、高效率需求，MDD辰達(dá)半導(dǎo)體推出全新SGT系列MOSFET，其中MDDG03R04Q(30V N溝道增強(qiáng)型MOS)憑借3.5mΩ低導(dǎo)通電阻與屏蔽柵優(yōu)化技術(shù)，為同步整流、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等場(chǎng)景提供高效解決方案。
      2025-05-21 14:04:381100

      圣邦微電子推出30V單N溝道功率MOSFET SGMNQ36430

      圣邦微電子推出 SGMNQ36430，一款 30V 單 N 溝道功率 MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）。該器件可應(yīng)用于 CPU 電源傳輸、DC/DC 轉(zhuǎn)換器、功率負(fù)載開關(guān)以及筆記本電池管理等領(lǐng)域。
      2025-05-09 16:57:26971

      基本半導(dǎo)體推出新一代碳化硅MOSFET

      近日，基本半導(dǎo)體正式推出新一代碳化硅MOSFET系列新品，產(chǎn)品性能進(jìn)一步提升，封裝形式更加豐富。首發(fā)規(guī)格包括面向車用主驅(qū)等領(lǐng)域的1200V/13.5mΩ、750V/10.5mΩ系列，面向光伏、儲(chǔ)能等
      2025-05-09 11:45:401018

      TurMass? TK8620 開發(fā)平臺(tái)使用體驗(yàn)報(bào)告

      TurMass? TK8620 開發(fā)平臺(tái)使用體驗(yàn)報(bào)告 ?一、引言****? TurMass? TK8620開發(fā)平臺(tái)是上海道生物聯(lián)技術(shù)有限公司推出的物聯(lián)網(wǎng)無線通信解決方案，基于TK8620終端芯片
      2025-04-24 02:18:57

      TPA3255高性能D類功率放大器英文手冊(cè)

      電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《TPA3255高性能D類功率放大器英文手冊(cè).pdf》資料免費(fèi)下載
      2025-04-16 17:20:011

      金升陽推出高性能第三代插件式單路驅(qū)動(dòng)電源

      隨著新能源電動(dòng)汽車行業(yè)的蓬勃發(fā)展，其動(dòng)力系統(tǒng)的關(guān)鍵組件：IGBT及SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)件需求量十分可觀;為更好地迎合上述市場(chǎng)的需求，金升陽推出了高性能的第三代插件式單路驅(qū)動(dòng)電源QA_(T)-R3S系列(“T”為貼片式封裝)。
      2025-04-09 17:25:26985

      ZS616AL高性能PWM+MOSFET控制器中文手冊(cè)

      ZS616AL內(nèi)置專用電流模式脈寬調(diào)制（PWM）控制器與高電壓功率管（MOSFET）。它針對(duì)27W以下的高性能。低待機(jī)功率以及經(jīng)濟(jì)高效的反激式轉(zhuǎn)換器應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。提供全面的的保護(hù)覆蓋。包括
      2025-04-08 15:19:011

      ZS614XL高性能PWM+MOSFET控制器中文手冊(cè)

      ZS614SL內(nèi)置專用電流模式脈寬調(diào)制（PWM）控制器與高電壓功率管（MOSFET）。它針對(duì)27W以下的高性能。低待機(jī)功率以及經(jīng)濟(jì)高效的反激式轉(zhuǎn)換器應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。提供全面的的保護(hù)覆蓋。包括
      2025-04-08 15:17:560

      Vishay推出第4.5代650V E系列高效能電源MOSFET

      VishayIntertechnology,Inc.近日宣布推出其最新的電源半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新——第4.5代650VE系列電源MOSFET，型號(hào)為SiHK050N65E。該產(chǎn)品的推出旨在提升電信、工業(yè)
      2025-03-27 11:49:46945

      MOSFET與IGBT的區(qū)別

      的主要因素，討論二極管恢復(fù)性能對(duì)于硬開關(guān)拓?fù)涞挠绊憽?SMPS的進(jìn)展一直以來，離線式SMPS產(chǎn)業(yè)由功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的功率元件發(fā)展所推動(dòng)。作為主要的功率開關(guān)器件IGBT、功率MOSFET和功率二極管正不斷
      2025-03-25 13:43:17

      LTS7428TE/LTS7428TK N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET規(guī)格書

      電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LTS7428TE/LTS7428TK N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載
      2025-03-24 11:17:550

      Nexperia推出采用X.PAK封裝的1200V SiC MOSFET

      Nexperia（安世半導(dǎo)體）正式推出一系列性能高效、穩(wěn)定可靠的工業(yè)級(jí)1200 V碳化硅(SiC) MOSFET。
      2025-03-21 10:11:001232

      TK1040高速低功率CAN總線收發(fā)器性能簡(jiǎn)介

      TK1040高速低功耗CAN總線收發(fā)器，性能卓越，12KV ESD保護(hù)，完美替代TJA1040
      2025-03-20 15:48:24795

      ROHM推出超低導(dǎo)通電阻和超寬SOA范圍的Nch功率MOSFET

      全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）面向企業(yè)級(jí)高性能服務(wù)器和AI服務(wù)器電源，開發(fā)出實(shí)現(xiàn)了業(yè)界超低導(dǎo)通電阻*1和超寬SOA范圍*2的Nch功率MOSFET*3。
      2025-03-13 15:08:041206

      DP2701德普高性能恒流恒壓原邊控制功率開關(guān)

      DP2701X 是一款高性能、低成本的原邊控制功率開關(guān)，內(nèi)置高壓功率三極管，可提供高精度恒壓和恒流輸出性能，尤其適合于小功率離線式充電器應(yīng)用。采用 DP2701X 可以工作無異音，同時(shí)可保證優(yōu)異
      2025-03-10 09:28:253

      EVASH推出高性能Ultra EEPROM芯片，助力智能設(shè)備創(chuàng)新

      EVASH推出高性能Ultra EEPROM芯片，助力智能設(shè)備創(chuàng)新
      2025-03-09 15:30:46976

      新潔能推出HO系列MOSFET產(chǎn)品

      隨著市場(chǎng)對(duì)高性能功率半導(dǎo)體器件寬SOA MOSFET需求的日益增長(zhǎng)，新潔能（NCE）產(chǎn)品研發(fā)部門推出HO系列MOSFET產(chǎn)品，優(yōu)化了SOA工作區(qū)間，可滿足熱插拔、緩啟動(dòng)、電子保險(xiǎn)絲、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、BMS
      2025-03-04 14:40:341237

      LTS4008TE/LTS4008TK N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET數(shù)據(jù)表

      電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LTS4008TE/LTS4008TK N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
      2025-03-01 17:13:190

      英飛凌發(fā)布全新高性能PSOC Control微控制器系列

      英飛凌推出基于Arm Cortex-M33的最新高性能微控制器(MCU)系列PSOC Control。在ModusToolbox系統(tǒng)設(shè)計(jì)工具和軟件的支持下，這款綜合全面的解決方案使開發(fā)人員能夠輕松創(chuàng)建高性能、高效率且安全的電機(jī)控制和功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)。
      2025-02-20 09:22:201192

      矽磊芯品SV17功率放大器系列新增8款高性能芯片

      近期，矽磊芯品在功率放大器領(lǐng)域取得了重要進(jìn)展，其SV17功率放大器系列產(chǎn)品迎來了全新升級(jí)。此次更新，公司一次性推出了8款全新高性能芯片，以滿足市場(chǎng)對(duì)高性能、多頻段功率放大器的迫切需求。 這8款全新
      2025-02-12 10:28:58624

      康佳特推出高性能COM-HPC模塊conga-HPC/cBLS

      德國(guó)康佳特，作為嵌入式和邊緣計(jì)算技術(shù)的領(lǐng)先供應(yīng)商，近日宣布擴(kuò)展其高性能COM-HPC計(jì)算機(jī)模塊產(chǎn)品線，推出了全新的conga-HPC/cBLS模塊。這款模塊專為需要強(qiáng)大計(jì)算性能的邊緣與基礎(chǔ)設(shè)施
      2025-02-08 16:49:16951

      英飛凌推出PSOC? Control MCU，提升電機(jī)控制與功率轉(zhuǎn)換效能

      全球功率系統(tǒng)及物聯(lián)網(wǎng)半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司，近期推出了基于Arm?Cortex?-M33的高性能微控制器(MCU)系列——PSOC? Control。這款MCU系列專為電機(jī)控制和功率轉(zhuǎn)換
      2025-02-06 11:16:381238

      高壓護(hù)航，性能領(lǐng)先！納芯微推出智能隔離驅(qū)動(dòng)NSI67X0系列

      納芯微正式推出具有隔離模擬采樣功能的智能隔離驅(qū)動(dòng) NSI67X0 系列，該系列適用于驅(qū)動(dòng) SiC、IGBT 和 MOSFET 等功率器件，兼具車規(guī)等級(jí)（滿足 AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn)）和工規(guī)等級(jí)，可廣泛適用于新能源汽車、空調(diào)、電源、光伏等應(yīng)用場(chǎng)景。
      2025-01-24 15:44:06867

      先楫半導(dǎo)體發(fā)布高性能HPM6E8Y系列MCU

      近日，上海先楫半導(dǎo)體科技有限公司，國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的高性能微控制器及嵌入式解決方案提供商，推出了專為機(jī)器人運(yùn)動(dòng)與控制設(shè)計(jì)的高性能MCU產(chǎn)品——HPM6E8Y系列。這一創(chuàng)新產(chǎn)品為當(dāng)前蓬勃發(fā)展的機(jī)器人市場(chǎng)帶來了全新的活力。
      2025-01-23 15:40:561277

      瑞薩電子推出全新100V大功率MOSFET

      全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案提供商瑞薩電子，近日宣布了一項(xiàng)重要技術(shù)創(chuàng)新——基于其全新的MOSFET晶圓制造工藝REXFET-1，成功推出了兩款100V大功率N溝道MOSFET：RBA300N10EANS
      2025-01-22 17:04:06991

      SemiQ推出1700 V SiC MOSFET系列，助力中壓大功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域

      近日，全球知名碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體制造商SemiQ正式發(fā)布了一款1700 V SiC MOSFET系列新品，專為中壓大功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用設(shè)計(jì)。
      2025-01-22 11:03:221221

      瑞薩電子推出新型 100V 高功率 MOSFET，助力多領(lǐng)域應(yīng)用

      近日，瑞薩電子公司宣布推出新型100V高功率N溝道MOSFET。這款產(chǎn)品專為電機(jī)控制、電池管理系統(tǒng)、電源管理及充電應(yīng)用而設(shè)計(jì)，以其卓越的高電流開關(guān)性能和行業(yè)領(lǐng)先的技術(shù)表現(xiàn)成為市場(chǎng)焦點(diǎn)。新型
      2025-01-13 11:41:38957

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