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英飛凌OptiMOS? TOLx系列推出全新封裝

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2011-12-08 10:42:451485

英飛凌推出全新XMC4000 32位單片機(jī)

英飛凌科技今日推出全新的XMC4000 32位單片機(jī)產(chǎn)品家族,它們選用ARM?的Cortex?-M4處理器。英飛凌利用自身在開發(fā)針對應(yīng)用而優(yōu)化的外設(shè),并具備出色的實時功能的單片機(jī)方面的30多年的豐
2012-02-22 09:22:593222

英飛凌推出車用全新650V CoolMOS CFDA整合高速本體二極體

英飛凌科技股份有限公司擴(kuò)展其車用功率半導(dǎo)體系列產(chǎn)品,推出全新 650V CoolMOS CFDA。這是業(yè)界首創(chuàng)整合高速本體二極體技術(shù)的超接面 MOSFET 解決方案,符合最高的汽車認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn) AEC-Q101。
2012-04-05 09:31:021772

e絡(luò)盟進(jìn)一步擴(kuò)充英飛凌CoolMOS與OptiMOS系列功率MOSFET

e絡(luò)盟日前宣布新增來自全球半導(dǎo)體和系統(tǒng)解決方案領(lǐng)先提供商英飛凌的CoolMOS?與OptiMOS?系列產(chǎn)品,進(jìn)一步擴(kuò)充其功率MOSFET產(chǎn)品組合。
2015-03-02 17:37:381775

英飛凌推出OptiMOS 5 25V和30V產(chǎn)品家族,能效高達(dá)95%以上

2015年3月24日,德國慕尼黑訊——英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)今日推出OptiMOS? 5 25V和30V產(chǎn)品家族,它們是采用標(biāo)準(zhǔn)分立式封裝的新一代功率MOSFET。
2015-04-01 14:06:081666

英飛凌推出全新可控逆導(dǎo)型IGBT芯片

英飛凌推出全新可控逆導(dǎo)型IGBT芯片,可提高牽引和工業(yè)傳動等高性能設(shè)備的可靠性
2015-06-24 18:33:292863

英飛凌推出全新TO-220 FullPAK Wide Creepage封裝

  2016年5月3日,德國慕尼黑訊——英飛凌科技股份公司(FSE:IFX/OTCQX:IFNNY)近日推出了TO-220 FullPAK Wide Creepage封裝。全新封裝適用于瞄準(zhǔn)眾多低
2016-05-03 09:57:422389

英飛凌推出HiRel HTB28系列

2015年7月14日,德國慕尼黑訊—英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)旗下美國國際整流器公司(簡稱:IR HiRel)今日宣布推出HiRel HTB28系列
2018-04-25 16:03:001928

關(guān)于英飛凌OptiMOS實現(xiàn)這款90W車載充電器方案介紹

英飛凌革命性OptiMOS產(chǎn)品的P溝道功率MOSFET之一,在導(dǎo)通電阻的開關(guān)系統(tǒng)設(shè)計中,能經(jīng)受極高的質(zhì)量考驗以滿足高性能的需求;加入增強(qiáng)模式,可根據(jù)不同應(yīng)用場景選擇Normal Level
2019-09-24 11:37:513853

英飛凌OptiMOS? 6 100 V系列通過技術(shù)革新,為高開關(guān)頻率應(yīng)用樹立全新行業(yè)標(biāo)桿

OptiMOS 6 100 V 系列 MOSFET采用新穎的設(shè)計理念, 具有更低的導(dǎo)通電阻和同類產(chǎn)品中更佳的優(yōu)值系數(shù) (FOM)。
2021-12-03 10:50:381562

英飛凌推出全新OptiMOS?源極底置功率MOSFET

英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)推出了新一代OptiMOS? 源極底置(Source-Down,簡稱SD)功率MOSFET,為解決終端應(yīng)用中的設(shè)計挑戰(zhàn)提供切實可行的解決方案。
2022-02-15 13:51:382670

英飛凌推出采用PQFN 2x2封裝的OptiMOSTM 5 25V和30V功率MOSFET,樹立技術(shù)新標(biāo)準(zhǔn)

英飛凌科技近日推出全新的采用PQFN 2 x 2 mm2 封裝的OptiMOSTM 5 25 V和30 V功率MOSFET產(chǎn)品系列,旨在為分立功率MOSFET技術(shù)樹立全新的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。
2022-03-14 17:39:162199

英飛凌CoolGaN技術(shù)開啟電力電子新時代?

英飛凌的總體戰(zhàn)略是將當(dāng)今的每一項尖端硅技術(shù)與寬帶對應(yīng)技術(shù)相結(jié)合。基于市場上已經(jīng)推出的 CoolSiC? 技術(shù),英飛凌推出全新的 CoolGaN? 解決方案,這些解決方案完善了 CoolMOS
2022-08-09 09:45:111675

什么是OptiMOS MOSFET?

OptiMOS 已經(jīng)成為采用英飛凌獨(dú)特技術(shù)的中低耐壓 MOSFET 的商標(biāo),有多種耐壓、RDS(on)、封裝,適用于汽車和消費(fèi)類應(yīng)用。英飛凌在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的市場占有率位居全球第一,特別是在汽車
2022-08-19 15:05:056087

英飛凌推出車用全新XENSIV? TLE4971系列傳感器

英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)近日宣布推出全新的XENSIV TLE4971系列傳感器,進(jìn)一步豐富其車用傳感器組合產(chǎn)品陣容。這款3.3V的 XENSIV
2022-12-13 16:31:551066

使用 OptiMOS? 6 MOSFET 優(yōu)化電源設(shè)計

使用 OptiMOS? 6 MOSFET 優(yōu)化電源設(shè)計
2022-12-29 10:02:531669

英飛凌推出PQFN封裝、雙面散熱、25-150V OptiMOS?源極底置功率MOSFET

未來電力電子系統(tǒng)的設(shè)計將持續(xù)推進(jìn),以實現(xiàn)最高水平的性能和功率密度。為順應(yīng)這一發(fā)展趨勢,英飛凌科技有限公司推出全新的3.3 x 3.3 mm2 PQFN 封裝的源極底置功率MOSFET,電壓范圍涵蓋
2023-02-16 16:27:221708

英飛凌推出采用小型封裝且超低功耗的全新PDM麥克風(fēng)

英飛凌的MEMS麥克風(fēng)開發(fā)戰(zhàn)略涵蓋了主要的構(gòu)建模塊MEMS、ASIC和該傳感器系列封裝。因此,英飛凌完全掌握著其產(chǎn)品的性能、質(zhì)量和技術(shù)創(chuàng)新。如今,英飛凌在自主技術(shù)的基礎(chǔ)上推出了最新XENSIV? MEMS麥克風(fēng)產(chǎn)品,一款超低功耗的數(shù)字麥克風(fēng)IM69D128S。
2023-03-07 13:47:041745

學(xué)技術(shù) |英飛凌推出支持第五代CAPSENSE?技術(shù)的PSoC? 4100S Max,更優(yōu)性能、更低的功耗與成本滿足人機(jī)交互需求

英飛凌科技近日宣布推出全新PSoC4100SMax系列:該產(chǎn)品帶有擴(kuò)展的閃存器件與通用輸入/輸出接
2022-11-24 17:04:281078

英飛凌推出OptiMOS 7技術(shù)的40V車規(guī)MOSFET產(chǎn)品系列

采用OptiMOS 7 技術(shù)的40V車規(guī)MOSFET產(chǎn)品系列,進(jìn)一步提升比導(dǎo)通電阻,減小RDSON*A,即在同樣的晶圓面積下實現(xiàn)更低的RDSON,或者說在更小的晶圓面積下實現(xiàn)相同的RDSON。
2023-07-03 16:11:121765

英飛凌推出先進(jìn)的OptiMOS?功率MOSFET,進(jìn)一步擴(kuò)大采用PQFN 2x2 mm2封裝的MOSFET器件的產(chǎn)品陣容

全新OptiMOS6 40V功率MOSFET以及OptiMOS5 25V和30V 功率MOSFET進(jìn)一步優(yōu)化了用于高性能設(shè)計的成熟OptiMOS技術(shù)。新產(chǎn)品采用超小型PQFN 2x2 mm2封裝,具備先進(jìn)的硅技術(shù)、穩(wěn)定可靠的封裝與極低的熱阻(RthJC最大值為3.2 K/W)。
2023-10-13 16:25:121705

英飛凌推出全新62mm封裝CoolSiC產(chǎn)品組合,助力實現(xiàn)更高效率和功率密度

英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX/OTCQX代碼:IFNNY)近日宣布其CoolSiC1200V和2000VMOSFET模塊系列新添全新工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝產(chǎn)品。其采用新推出的增強(qiáng)型M1H碳化硅
2023-12-02 08:14:011647

英飛凌推出首款采用OptiMOS 7技術(shù)的15 V溝槽功率MOSFET

英飛凌推出業(yè)內(nèi)首款采用全新 OptiMOS 7 技術(shù)的 15 V 溝槽功率 MOSFET。這項技術(shù)經(jīng)過系統(tǒng)和應(yīng)用優(yōu)化,主要應(yīng)用于服務(wù)器和計算應(yīng)用中的低輸出電壓 DC-DC 轉(zhuǎn)換。英飛凌是首家推出15
2023-12-29 12:30:491820

英飛凌全新推出PSoC Edge產(chǎn)品系列

MCU作為電子產(chǎn)品的核心部件之一,在半導(dǎo)體市場中逐漸占據(jù)重要地位。英飛凌MCU產(chǎn)品覆蓋從簡單低成本到高性能專用全系列的各種組合,集成了出色的性能、連接能力和安全功能,能夠被廣泛應(yīng)用于物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域,消費(fèi)電子產(chǎn)品及工業(yè)設(shè)備應(yīng)用等多種場合。
2024-01-19 12:38:271334

英飛凌推出全新TDA388xx系列同步降壓穩(wěn)壓器

隨著現(xiàn)代功率系統(tǒng)的日益復(fù)雜和高密度化,對高效且設(shè)計緊湊的穩(wěn)壓器的需求也日益迫切。英飛凌科技股份公司深知這一挑戰(zhàn),并針對服務(wù)器、AI、數(shù)據(jù)通信、電信和存儲市場推出全新的TDA388xx系列同步降壓穩(wěn)壓器。
2024-01-25 16:10:522717

英飛凌推出全新CoolSiC MOSFET 2000V產(chǎn)品

英飛凌科技股份公司,作為全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司,近日推出全新的CoolSiC? 2000V SiC MOSFET系列,這一創(chuàng)新產(chǎn)品采用TO-247PLUS-4-HCC封裝,為設(shè)計人員提供了滿足更高功率密度需求的解決方案。
2024-03-20 10:27:291466

英飛凌推出全新固態(tài)隔離器產(chǎn)品系列

英飛凌科技股份公司在美國國際電力電子應(yīng)用展覽會(APEC)上,榮耀發(fā)布了一系列創(chuàng)新的固態(tài)隔離器產(chǎn)品。該系列產(chǎn)品憑借其卓越的性能和獨(dú)特的功能,引發(fā)了業(yè)界的廣泛關(guān)注。
2024-03-28 10:39:521215

英飛凌推出新一代OptiMOS? MOSFET技術(shù)封裝

全球半導(dǎo)體行業(yè)的領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司宣布推出一款新型封裝——SSO10T TSC,該封裝基于其先進(jìn)的OptiMOS? MOSFET技術(shù),專為滿足汽車電子產(chǎn)品中對熱效率和空間利用有嚴(yán)苛要求的場合設(shè)計。
2024-04-15 15:49:331566

英飛凌推出80 V MOSFET OptiMOS 7

英飛凌科技近日推出了其最新的OptiMOS? 7 80 V系列首款產(chǎn)品——IAUCN08S7N013。這款MOSFET技術(shù)不僅顯著提升了功率密度,還采用了通用且堅固的SSO8 5x6mm2 SMD封裝。
2024-05-07 15:08:071440

英飛凌推出新型SSO10T TSC頂部冷卻封裝

英飛凌科技近日發(fā)布了一款采用OptiMOS? MOSFET技術(shù)的SSO10T TSC封裝。這款封裝憑借其獨(dú)特的頂部直接冷卻技術(shù),為汽車電子控制單元提供了卓越的散熱性能,有效防止熱量傳遞至印刷電路板(PCB)。
2024-05-07 15:10:031273

英飛凌推出全新SSI系列固態(tài)隔離器

英飛凌科技發(fā)布了其全新SSI系列固態(tài)隔離器,這是一款集成了隔離型柵極驅(qū)動電源的革命性產(chǎn)品。SSI系列固態(tài)隔離器旨在驅(qū)動MOS電壓驅(qū)動型功率晶體管,如CoolMOS?、OptiMOS?、TRENCHSTOP? IGBT或CoolSiC?,無需額外的專用電源來驅(qū)動功率晶體管的柵極。
2024-05-11 11:35:171228

英飛凌推出全新CoolSiC? 400V MOSFET系列,滿足AI服務(wù)器需求

擴(kuò)展至400V領(lǐng)域,并推出全新的CoolSiC?400VMOSFET系列。這一創(chuàng)新產(chǎn)品不僅滿足了AI服務(wù)器電源(PSU)日益增長的功率需求,同時保持了服務(wù)器機(jī)架規(guī)
2024-05-29 11:36:221603

英飛凌發(fā)布全新PSOC Edge微控制器系列

英飛凌科技股份公司近日發(fā)布了全新的PSOC? Edge微控制器(MCU)系列,特別針對機(jī)器學(xué)習(xí)(ML)應(yīng)用進(jìn)行了精心優(yōu)化。新系列包括E81、E83和E84三個型號,這些產(chǎn)品在性能、功能和內(nèi)存選項上展現(xiàn)出高度的可擴(kuò)展性和兼容性。
2024-06-04 10:56:111576

英飛凌發(fā)布全新XENSIV TLE49SR角度傳感器系列

在全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域占據(jù)領(lǐng)導(dǎo)地位的英飛凌科技股份公司,近日宣布推出了一款全新的角度傳感器系列——XENSIV? TLE49SR。這款傳感器系列以其卓越的性能和高度適應(yīng)性,在汽車底盤系統(tǒng)應(yīng)用中展現(xiàn)了強(qiáng)大的潛力。
2024-06-15 16:21:221704

英飛凌推出全新600 V CoolMOS? 8 SJ MOSFET系列, 適用于高成本效益的先進(jìn)電源應(yīng)用

【 2024 年 6 月 26 日 , 德國慕尼黑 訊 】 英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)推出600 V CoolMOS? 8 高壓超結(jié)(SJ)MOSFET
2024-06-26 18:12:00939

英飛凌推出600V CoolMOS 8 SJ MOSFET系列

英飛凌再次引領(lǐng)行業(yè)潮流,最新推出的600V CoolMOS? 8 SJ MOSFET系列,以其卓越的技術(shù)創(chuàng)新和卓越性價比,在全球范圍內(nèi)樹立了高壓超級結(jié)MOSFET技術(shù)的新標(biāo)桿。作為英飛凌新一代硅基
2024-09-03 14:50:451266

英飛凌推出PSOC? Control MCU系列,用于工業(yè)和消費(fèi)應(yīng)用的電機(jī)控制與功率轉(zhuǎn)換

英飛凌科技股份公司近日推出全新PSOC? Control微控制器(MCU)系列。該系列適用于新一代工業(yè)和消費(fèi)電機(jī)控制以及功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)應(yīng)用,包括家用電器、電動工具、可再生能源產(chǎn)品、工業(yè)驅(qū)動器,以及照明
2024-09-25 10:32:151166

英飛凌發(fā)布新型模塊化半橋功率板

近日,英飛凌正式發(fā)布了采用OptiMOS? 6功率MOSFET的模塊化半橋功率板。這款功率板模塊采用了OptiMOS? 6功率MOSFET 135V,并配備了D2PAK 7引腳封裝,是LVD可擴(kuò)展功率演示板平臺的功率部分。
2024-10-23 17:27:101206

英飛凌推出EiceDRIVER? Power 2EP1xxR全橋變壓器驅(qū)動器系列

英飛凌科技股份公司近日宣布推出全新的EiceDRIVER? Power 2EP1xxR全橋變壓器驅(qū)動器系列,該系列專為IGBT、SiC和GaN柵極驅(qū)動器電源設(shè)計。此次推出的2EP1xxR系列進(jìn)一步
2024-12-11 10:48:101062

英飛凌推出新型MOTIX BTM90xx系列全橋IC

英飛凌科技股份公司近期推出了專為有刷直流電機(jī)應(yīng)用設(shè)計的全新全橋/H橋集成電路(IC)產(chǎn)品系列——MOTIX? Bridge BTM90xx。這一創(chuàng)新產(chǎn)品的問世,不僅進(jìn)一步豐富了英飛凌的產(chǎn)品陣容,還完善了其從驅(qū)動器IC到高度集成化系統(tǒng)級芯片(SoC)的MOTIX?低壓電機(jī)控制IC產(chǎn)品組合。
2025-01-22 17:07:061019

英飛凌推出采用Q-DPAK和TOLL封裝全新工業(yè)CoolSiC MOSFET 650 V G2

公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)正在擴(kuò)展其CoolSiC MOSFET 650 V單管產(chǎn)品組合,推出了采用Q-DPAK和TOLL封裝的兩個全新產(chǎn)品系列。 CoolSiC MOSFET
2025-02-21 16:38:52758

TOLL/TOLT 封裝系列:區(qū)別有哪些?

TOLL(Transistor Outline Leadless)封裝和TOLT(Transistor Outline Leaded Topside)封裝均屬于TOLx封裝家族,兩者在多個方面存在顯著差異。
2025-05-13 17:28:592470

仁懋TOLL/TOLT封裝系列區(qū)別在哪?

在工業(yè)應(yīng)用對MOSFET需求日益攀升的當(dāng)下,半導(dǎo)體封裝技術(shù)的革新成為關(guān)鍵。仁懋的TOLL和TOLT封裝系列作為TOLx封裝家族的重要成員,各自憑借獨(dú)特優(yōu)勢,在不同領(lǐng)域大放異彩。今天,我們就來深入探究
2025-06-04 17:22:421170

探索英飛凌OptiMOS? 7 40V N溝道MOSFET:電機(jī)驅(qū)動的新突破

探索英飛凌OptiMOS? 7 40V N溝道MOSFET:電機(jī)驅(qū)動的新突破 在電子工程師的日常工作中,為電機(jī)驅(qū)動系統(tǒng)挑選合適的MOSFET至關(guān)重要。英飛凌最新推出OptiMOS? 7 40V N
2025-12-18 14:30:06188

探索英飛凌最新120V溝槽功率MOSFET技術(shù):從原理到應(yīng)用

,近期推出全新OptiMOS? 6 120 V功率MOSFET技術(shù),為我們帶來了諸多驚喜。今天,我們就來深入探討這一技術(shù)及其在三相功率逆變器板上的應(yīng)用。 文件下載: Infineon
2025-12-20 10:35:06518

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