三星電子（Samsung Electronics）和英特爾（Intel）將大幅拓展晶圓代工事業(yè)領(lǐng)域。過去掌握晶圓代工市場的臺(tái)積電、格羅方德（Global Foundries）等單純晶圓代工業(yè)者，和三星、英特爾等綜合半導(dǎo)體企業(yè)（IDM）憑藉各自的優(yōu)勢，形成競爭版圖。

　　據(jù)韓國朝鮮日?qǐng)?bào)報(bào)導(dǎo)，三星在大陸上海舉辦三星晶圓代工論壇（Samsung Foundry Forum），以海思半導(dǎo)體、展訊、聯(lián)發(fā)科等IC設(shè)計(jì)業(yè)者為對(duì)象進(jìn)行技術(shù)說明會(huì)。三星大陸負(fù)責(zé)人崔哲（音譯）在100多名業(yè)界與會(huì)人士面前公開三星最尖端的10納米、14納米制程，并介紹8吋制程等可提升成本效益。

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　　韓國業(yè)界認(rèn)為，三星將以本次活動(dòng)為起點(diǎn)，積極在大陸確保晶圓代工客戶。三星自數(shù)年前開始逐漸降低對(duì)最大客戶蘋果（Apple）的依賴，為吸引新客戶，扶植晶圓代工技術(shù)。2014年三星也與意法半導(dǎo)體（ST Microelectronics）合作，開始研發(fā)28納米完全空乏式（depletion-type）絕緣上覆硅（FD-SOI）技術(shù)。

　　FD-SOI制程是在硅晶圓上制造輕薄絕緣氧化膜，再形成平面型電晶體電極的半導(dǎo)體制程。因外泄電流量少，用電效率最高提升近2倍，且可大幅縮減生產(chǎn)成本。2015年3月三星完成FD-SOI產(chǎn)品測試階段，目前也完成商用化生產(chǎn)準(zhǔn)備。

　　韓國半導(dǎo)體業(yè)界人士表示，移動(dòng)應(yīng)用處理器（AP）等高集成芯片一般會(huì)使用傳統(tǒng)3D FinFET制成，結(jié)合類比電路的無線通訊（RF）芯片等，仍最適用FD-SOI制程。三星為生產(chǎn)處理器之外的芯片，一定會(huì)使用FD-SOI制程。

　　全球半導(dǎo)體龍頭英特爾也宣布在晶圓代工市場上拓展領(lǐng)域。韓國業(yè)界先前預(yù)測英特爾2011年進(jìn)軍晶圓代工市場，而英特爾也透過與樂金電子（LG Electronics）、展訊、拓朗半導(dǎo)體（Altera）等大客戶合作，正式跨足市場。近來英特爾獲得ARM設(shè)計(jì)授權(quán)，2017年下半將運(yùn)用10納米制程，生產(chǎn)樂金手機(jī)AP產(chǎn)品。

　　三星、英特爾等IDM大廠加強(qiáng)對(duì)晶圓代工市場攻略的理由，是因相關(guān)市場獲利性將持續(xù)成長。半導(dǎo)體微細(xì)制程轉(zhuǎn)換逐漸進(jìn)入瓶頸，IC設(shè)計(jì)業(yè)者委托生產(chǎn)具一定水準(zhǔn)的芯片的成本也逐漸攀升。

　　外電引用市調(diào)機(jī)構(gòu)IC Insights資料指出，2016年半導(dǎo)體整體市場將出現(xiàn)2%負(fù)成長，但晶圓代工領(lǐng)域的成長率預(yù)估有9%。

　　另一方面，臺(tái)積電獨(dú)吞逾5成市占率的晶圓代工市場版圖，是否會(huì)因三星和英特爾的攻勢出現(xiàn)變化，受到市場關(guān)注。韓國業(yè)界認(rèn)為在生產(chǎn)效益方面，臺(tái)積電、格羅方德等專門晶圓代工業(yè)者握有優(yōu)勢，但在微細(xì)制程、封裝等高難度制程方面，三星和英特爾則較為領(lǐng)先。

　　英特爾EUV微影傳延遲　營收與技術(shù)領(lǐng)先首當(dāng)其沖

　　英特爾（Intel）日前傳出將延遲2年部署極紫外光（EUV）微影技術(shù)消息，對(duì)此，評(píng)論認(rèn)為，此舉將讓該公司出現(xiàn)非現(xiàn)金折舊支出而拖累營收，也可能讓三星電子（Samsung Electronics）、GlobalFoundries與臺(tái)積電等對(duì)手趁勢坐大。該消息從技術(shù)上或財(cái)務(wù)上來看，對(duì)英特爾皆不利。

　　據(jù)AmigoBulls報(bào)導(dǎo)，英特爾過去幾年來，持續(xù)透過投入數(shù)十億美元資本支出，希望能領(lǐng)先其他晶圓代工業(yè)者，日前也積極部署資本密集的EUV微影技術(shù)，以便能在2017年生產(chǎn)10納米芯片，希望更提高其領(lǐng)先優(yōu)勢。

　　不過，由于翻新設(shè)備時(shí)程延遲以及可能出現(xiàn)良率問題，英特爾傳出將延至2019年才會(huì)在7納米引進(jìn)EUV微影，評(píng)論認(rèn)為，此舉等于可能讓三星、GlobalFoundries與臺(tái)積電有機(jī)會(huì)趕上。

　　過去10年來，隨著技術(shù)節(jié)點(diǎn)出現(xiàn)多次進(jìn)展，在效能、效率與功耗上都取得進(jìn)步，但進(jìn)入更細(xì)微節(jié)點(diǎn)后，便得面臨物理定律問題。如今已出現(xiàn)進(jìn)入10納米以下，即使芯片廠投入鉅資但相對(duì)取得性能進(jìn)展已不多的窘境，所幸這時(shí)EUV救兵出現(xiàn)。

　　目前業(yè)界是采用深紫外線（Deep Ultraviolet）微影技術(shù)來制造芯片，其原理類似相機(jī)技術(shù)，是透過鏡頭將光聚焦并在晶圓上蝕刻電路，但目前業(yè)者也面臨在追求精準(zhǔn)光束與盡量微小上遭遇受限的問題，且與物理定律脫離不了關(guān)系。

　　所幸EUV微影更小的波長可輕易在更小規(guī)模下聚焦與控制EUV雷射，讓晶圓廠能在晶圓上刻下更小電路，理論上可一路順利進(jìn)展至5納米。

　　過去少數(shù)報(bào)告也曾指出，使用EUV制造芯片的速度比傳統(tǒng)方式生產(chǎn)芯片快100倍，姑且不論是否屬實(shí)，EUV微影在持續(xù)微縮上確實(shí)有助益。

　　評(píng)論指出，英特爾曾率先表示，期望能在2017年開始使用EUV生產(chǎn)10納米芯片，換言之，EUV能投片（ramp）被視為英特爾領(lǐng)先對(duì)手的因素，但該公司目前改為在2019~2020年在7納米才引進(jìn)EUV微影，而且前提是假設(shè)10納米沒有投片問題。

　　另外，值得注意的是，英特爾對(duì)手三星、臺(tái)積電與GlobalFoundries也計(jì)劃屆時(shí)將推出EUV微影，如此對(duì)英特爾自然不是好消息。

　　評(píng)論認(rèn)為，上述4家公司預(yù)計(jì)在2018~2019年前都會(huì)進(jìn)入相同制程節(jié)點(diǎn)，英特爾若缺少EUV加持，就芯片制造技術(shù)上已與其他對(duì)手無異，其制程領(lǐng)先優(yōu)勢也將化為無形。

　　另外，從財(cái)務(wù)角度來看，延遲EUV技術(shù)同樣不利英特爾。首先，部署EUV所費(fèi)不貲，初期單項(xiàng)工具高達(dá)1億美元，據(jù)估計(jì)該公司截至2015年4月投入10億美元，目前該金額勢必早已增加。

　　除此之外，當(dāng)初英特爾增加采購工具是為了在2017年讓下一代技術(shù)商用，如今延后2年后，該段期間英特爾等于無法利用上述昂貴設(shè)備獲利，未來2年非現(xiàn)金折舊費(fèi)用持續(xù)增加后，將無形中影響英特爾營收。

　　再者，隨著英特爾未來幾年制程領(lǐng)先縮小，以安謀（ARM）為主的伺服器產(chǎn)品也將快速出現(xiàn)。

　　因?yàn)轭A(yù)計(jì)2019年，高通（Qualcomm）、超微（AMD）與Cavium將取得相同EUV微影與相同節(jié)點(diǎn)，理論上，上述公司芯片性能將可接近英特爾Xeon芯片，等于讓英特爾在伺服器市場上將更難遏止ARM為主產(chǎn)品出現(xiàn)斬獲。