MRAM，即磁阻式隨機(jī)訪問(wèn)存儲(chǔ)器的簡(jiǎn)稱，兼?zhèn)銼RAM的高速讀寫性能與閃存存儲(chǔ)器的非易失性。STT-MRAM是通過(guò)自旋電流實(shí)現(xiàn)信息寫入的一種新型MARM，屬于MRAM的二代產(chǎn)品，解決了MRAM寫入信息
2021-07-26 08:30:00
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三星電子（Samsung Electronics）與IBM攜手研發(fā)出11納米制程的次世代存儲(chǔ)器自旋傳輸（Spin Transfer Torque）磁性存儲(chǔ)器（STT-MRAM）。兩家公司也表示，預(yù)計(jì)
2016-08-01 11:04:32953 引人注目的新存儲(chǔ)器包括：相變存儲(chǔ)器（PCM）、鐵電存儲(chǔ)器（FeRAM）、磁阻RAM（MRAM）、電阻RAM（RRAM或 ReRAM）、自旋轉(zhuǎn)移力矩RAM（STT-RAM）、導(dǎo)電橋RAM（CBRAM
2017-02-21 11:05:472282 
MRAM在讀寫方面可以實(shí)現(xiàn)高速化，這一點(diǎn)與靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM)類似。由于磁體本質(zhì)上是抗輻射的﹐MRAM芯片本身還具有極高的可靠性，即MRAM本身可以免受軟錯(cuò)誤之害。MRAM可以做到與動(dòng)態(tài)隨機(jī)
2020-11-26 16:23:24
自旋注入MRAM在功能方面兼具了DRAM及NAND閃存等現(xiàn)有存儲(chǔ)器的優(yōu)點(diǎn)，同時(shí)在性能方面又超過(guò)了現(xiàn)有幾乎所有的存儲(chǔ)器，因此有可能會(huì)贏得巨大的市場(chǎng)(見(jiàn)表1)。具體在功能方面，自旋注入MRAM與閃存一
2022-02-11 07:23:03
的可擦寫次數(shù)多，并且性能有所提高。如果這兩種存儲(chǔ)器的成本一樣，肯定會(huì)選擇MRAM。當(dāng)采用65nm工藝的自旋注入MRAM量產(chǎn)時(shí),將有可能實(shí)現(xiàn)對(duì)車載MCU中嵌入式存儲(chǔ)器的取代。原作者：宇芯電子
2023-04-07 16:41:05
中之外，與其他半導(dǎo)體制造工藝一樣，質(zhì)量控制和良率提高將是一個(gè)持續(xù)的挑戰(zhàn)和機(jī)遇，而且事實(shí)是所有大型半導(dǎo)體代工廠都已將MRAM存儲(chǔ)器作為一種選擇。嵌入式產(chǎn)品意義重大。通過(guò)將MRAM集成到其嵌入式產(chǎn)品中
2020-08-12 17:42:01
磁阻式隨機(jī)存儲(chǔ)器(MRAM)是一種新型存儲(chǔ)器,其優(yōu)點(diǎn)有讀取速度快和集成度高及非揮發(fā)性等。目前許多研究主要是致力于將MRAM存儲(chǔ)器運(yùn)用于計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)系統(tǒng)中。MRAM因具有許多優(yōu)點(diǎn),有取代SRAM
2020-11-06 14:17:54
求大神詳細(xì)介紹一下STT-MRAM的存儲(chǔ)技術(shù)
2021-04-20 06:49:29
STT-MRAM萬(wàn)能存儲(chǔ)器芯片
2021-01-06 06:31:10
STT-MRAM技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)
2020-12-16 06:17:44
MRAM，即磁阻式隨機(jī)訪問(wèn)存儲(chǔ)器的簡(jiǎn)稱，兼?zhèn)銼RAM的高速讀寫性能與閃存存儲(chǔ)器的非易失性。STT-MRAM是通過(guò)自旋電流實(shí)現(xiàn)信息寫入的一種新型MARM，屬于MRAM的二代產(chǎn)品，解決了MRAM寫入信息
2021-12-10 07:06:51
Eversipn STT-MRAM的MJT細(xì)胞
2021-02-24 07:28:54
、everspin代理、來(lái)?xiàng)頛yontek、ISSI、CYPRESS等多個(gè)品牌總代理資質(zhì)，主要產(chǎn)品線為sram、mram、psram等其他存儲(chǔ)器芯片，致力于為客戶提供具有競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)的產(chǎn)品，是一家專業(yè)提供存儲(chǔ)方案解決商。
2020-08-31 13:59:46
自旋轉(zhuǎn)移扭矩磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（STT-MRAM）是一種持久性存儲(chǔ)技術(shù)，可利用各種工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)接口提供性能，持久性和耐用性。 Everspin推出了STT-MRAM產(chǎn)品，該產(chǎn)品利用稱為JE-DDR4
2021-01-15 06:08:20
開啟下一波儲(chǔ)存浪潮STT-MRAM（又稱自旋轉(zhuǎn)移轉(zhuǎn)矩MRAM技術(shù)）具有在單一元件中，結(jié)合數(shù)種常規(guī)存儲(chǔ)器的特性而獲得市場(chǎng)重視。在多年來(lái)的發(fā)展中發(fā)現(xiàn)，STT-MRAM具備了SRAM的速度與快閃存儲(chǔ)器的穩(wěn)定性與耐久性。STT-MRAM是透過(guò)電子自旋的磁性特性，在芯片中提供非揮發(fā)性儲(chǔ)存的功能。
2019-10-02 07:00:00
本文主要介紹描述了圖1所示的具有28nm CMOS的1Gb 1.2V DDR4 STT-MRAM的產(chǎn)品化和優(yōu)異的性能，是產(chǎn)品其能夠在-35C至110C的工業(yè)溫度范圍內(nèi)使用。
2020-12-28 06:16:06
的測(cè)試系統(tǒng)應(yīng)運(yùn)而生。本文提出了一種多功能存儲(chǔ)器芯片的測(cè)試系統(tǒng)硬件設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)，對(duì)各種數(shù)據(jù)位寬的多種存儲(chǔ)器芯片（SRAM、MRAM、NOR FALSH、NAND FLASH、EEPROM等）進(jìn)行了詳細(xì)的結(jié)口
2019-07-26 06:53:39
使嵌入式 STT MRAM 磁隧道結(jié)陣列的加工成為可能
2021-02-01 06:55:12
作者 MahendraPakala半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正在迎來(lái)下一代存儲(chǔ)器技術(shù)的新紀(jì)元，幾大主要變化趨勢(shì)正在成形。這其中包括磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器(MRAM) 的出現(xiàn)。我將在幾篇相關(guān)文章中介紹推動(dòng)MRAM 得以采用的背景，重點(diǎn)說(shuō)明初始階段面臨的一些挑戰(zhàn)，并探討實(shí)現(xiàn) STT MRAM 商業(yè)可行性的進(jìn)展。
2019-07-16 08:46:10
新興存儲(chǔ)器MRAM與ReRAM嵌入式市場(chǎng)
2020-12-17 06:13:02
磁阻式隨機(jī)存儲(chǔ)器MRAM的基本原理是什么？
2021-06-08 06:33:01
萌新求助，求一個(gè)基于嵌入式STT-MRAM的架構(gòu)方案
2021-10-25 07:33:36
怎么設(shè)計(jì)一種面向嵌入式存儲(chǔ)器測(cè)試和修復(fù)的IIP？如何解決設(shè)計(jì)和制造過(guò)程各個(gè)階段的良品率問(wèn)題？嵌入式存儲(chǔ)器測(cè)試和修復(fù)技術(shù)的未來(lái)趨勢(shì)是什么？STAR存儲(chǔ)器系統(tǒng)的功能是什么？
2021-04-15 06:05:51
網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)器技術(shù)是如何產(chǎn)生的？怎樣去設(shè)計(jì)一種網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)器？
2021-05-26 07:00:22
MRAM具有成為通用存儲(chǔ)器的潛力-能夠?qū)?b class="flag-6" style="color: red">存儲(chǔ)存儲(chǔ)器的密度與SRAM的速度結(jié)合在一起，同時(shí)始終保持非易失性和高能效。MRAM可以抵抗高輻射，可以在極端溫度條件下運(yùn)行，并且可以防篡改。MRAM技術(shù)仍遠(yuǎn)未
2020-04-15 14:26:57
MRAM是一種非易失性的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM)的高速讀取寫入能力;以及動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)的高集成度，而且基本上可以無(wú)限次地重復(fù)寫入。
2020-12-16 07:21:39
MRAM是一種非易失性的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM)的高速讀取寫入能力;以及動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)的高集成度，而且基本上可以無(wú)限次地重復(fù)寫入。
2020-12-10 07:20:20
知名品牌的半導(dǎo)體元器件，代理品牌有NETSOL、JSC、everspin代理、來(lái)?xiàng)頛yontek、ISSI、CYPRESS等多個(gè)品牌總代理資質(zhì)，主要產(chǎn)品線為sram、mram、psram等其他存儲(chǔ)器芯片，致力于為客戶提供具有競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)的產(chǎn)品，是一家專業(yè)提供存儲(chǔ)方案解決商。
2020-07-02 16:33:58
The PM004M is Mbit of SPI/QPI (serial/quad parallel interface) MRAM device. This device
2022-07-05 16:48:31
近日，北京航空航天大學(xué)與微電子所聯(lián)合成功制備國(guó)內(nèi)首個(gè)80納米自旋轉(zhuǎn)移矩磁隨機(jī)存儲(chǔ)器芯片(STT-MRAM)器件。STT-MRAM是一種極具應(yīng)用潛力的下一代新型存儲(chǔ)器解決方案。
2017-05-09 01:07:311346 
半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正在迎來(lái)下一代存儲(chǔ)器技術(shù)的新紀(jì)元，幾大主要變化趨勢(shì)正在成形。這其中包括磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器 （MRAM） 的出現(xiàn)。我將在幾篇相關(guān)文章中介紹推動(dòng)MRAM 得以采用的背景，重點(diǎn)說(shuō)明初始階段面臨的一些挑戰(zhàn)，并探討實(shí)現(xiàn) STT MRAM 商業(yè)可行性的進(jìn)展。
2018-05-29 15:42:002282 
在此演示中，Everspin演示了基于STT-MRAM的NVMe存儲(chǔ)加速器提供了卓越的延遲確定性，可為Apache Log4J等應(yīng)用程序啟用低延遲寫入緩沖區(qū)。
2018-11-23 05:55:003220 次地重復(fù)寫入。 英特爾 (Intel) 在其 22 FFL 工藝中描述了 STT-MRAM (基于 MRAM 的自旋轉(zhuǎn)移力矩) 非易失性存儲(chǔ)器的關(guān)鍵特性。英
2018-12-17 16:09:01147 IMEC進(jìn)行了設(shè)計(jì)技術(shù)協(xié)同優(yōu)化（DTCO），以確定5nm節(jié)點(diǎn)上STT-MRAM單元的要求和規(guī)格，并得出了一個(gè)結(jié)論，高性能STT-MRAM位單元的MRAM間距是45nm接觸柵極間距的兩倍，是5nm最后
2018-12-18 15:33:543981 
研究機(jī)構(gòu)IMEC已經(jīng)發(fā)表了一篇論文，該研究表明，在5nm節(jié)點(diǎn)上，STT-MRAM與SRAM相比可以為緩存提供節(jié)能效果。這種優(yōu)勢(shì)比非易失性和較小的空間占用更重要。 半導(dǎo)體行業(yè)著名機(jī)構(gòu)IMEC
2019-04-22 15:51:321089 
Everspin 近日宣布，其已開始試生產(chǎn)最新的 1Gb STT-MRAM（自旋轉(zhuǎn)移力矩磁阻）非易失性隨機(jī)存取器。
2019-06-27 08:59:439837 與過(guò)去相比，研究人員現(xiàn)在已經(jīng)將EUVL作為存儲(chǔ)器關(guān)鍵結(jié)構(gòu)的圖形化工藝的一個(gè)選項(xiàng)，例如DRAM的柱體結(jié)構(gòu)及STT-MRAM的MTJ。在本文的第二部分，IMEC的研發(fā)工程師Murat Pak提出了幾種STT-MRAM關(guān)鍵結(jié)構(gòu)的圖形化方案。
2019-09-05 11:45:007207 MRAM)在新興非揮發(fā)存儲(chǔ)器中發(fā)展較為成熟，2018年主要供應(yīng)商Everspin營(yíng)收可望年增36%，2019~2020年以后，隨GlobalFoundries、臺(tái)積電、三星、聯(lián)電等晶圓代工廠商逐步
2019-09-11 17:33:293274 GlobalFoundries、Everspin聯(lián)合宣布，雙方已經(jīng)達(dá)成新的合作，將利用GF 12LP(12nm FinFET)工藝來(lái)制造新一代STT-MRAM(自旋轉(zhuǎn)移矩磁阻內(nèi)存)，包括獨(dú)立的MRAM芯片和嵌入式的eMRAM。
2020-03-15 23:52:532162 GlobalFoundries、Everspin聯(lián)合宣布，雙方已經(jīng)達(dá)成新的合作，將利用GF 12LP（12nm FinFET）工藝來(lái)制造新一代STT-MRAM（自旋轉(zhuǎn)移矩磁阻內(nèi)存），包括獨(dú)立的MRAM芯片和嵌入式的eMRAM。
2020-03-16 08:42:26497 GlobalFoundries、Everspin聯(lián)合宣布，雙方已經(jīng)達(dá)成新的合作，將利用GF 12LP（12nm FinFET）工藝來(lái)制造新一代STT-MRAM（自旋轉(zhuǎn)移矩磁阻內(nèi)存），包括獨(dú)立的MRAM芯片和嵌入式的eMRAM。
2020-03-20 16:59:562516 ST-MRAM有潛力成為領(lǐng)先的存儲(chǔ)技術(shù)，因?yàn)樗?b class="flag-6" style="color: red">一種高性能存儲(chǔ)器（可以挑戰(zhàn)DRAM和SRAM），可擴(kuò)展至10nm以下，并挑戰(zhàn)了閃存的低成本。STT代表旋轉(zhuǎn)傳遞扭矩。在ST-MRAM器件中，電子的自旋
2020-04-03 16:35:181119 Everspin在磁存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)，MRAM,STT-MRAM的制造和交付到相關(guān)應(yīng)用中的知識(shí)和經(jīng)驗(yàn)在半導(dǎo)體行業(yè)中是獨(dú)一無(wú)二的。擁有超過(guò)600多項(xiàng)有效專利和申請(qǐng)的知識(shí)產(chǎn)權(quán)產(chǎn)品組合，在平面內(nèi)和垂直磁隧道
2020-04-15 17:27:05844 目前新型存儲(chǔ)器上受到廣泛關(guān)注的新型存儲(chǔ)器主要有相變存儲(chǔ)器(PCM)，其中有以英特爾與美光聯(lián)合研發(fā)的3D Xpoint為代表;MRAM以美國(guó)Everspin公司推出的STT-MRAM為代表;阻變存儲(chǔ)器
2020-04-25 11:05:572584 
隨著制程邁向5nm甚至3nm，半導(dǎo)體工藝復(fù)雜性劇增導(dǎo)致高密度SRAM在先進(jìn)技術(shù)節(jié)點(diǎn)處的縮小變得更為有限。為減少面積和能耗，STT-MRAM存儲(chǔ)器已成為替代基于SRAM的最后一級(jí)高速緩存存儲(chǔ)器的有希望
2020-05-26 11:13:341202 
MRAM內(nèi)存的Everspin開始向STT-MRAM發(fā)運(yùn)最高1Gb的芯片容量，這種內(nèi)存密度使這些設(shè)備在許多應(yīng)用中更受關(guān)注。Everspin代理商英尚微電子提供產(chǎn)品技術(shù)支持及解決方案。 主要的嵌入式半導(dǎo)體制造商為工業(yè)和消費(fèi)應(yīng)用中使用的嵌入式產(chǎn)品提供MRAM非易失性存儲(chǔ)器選項(xiàng)。這些鑄造廠包括全球
2020-06-23 15:31:031004 （STT-MRAM）。這些技術(shù)提供了密集的位單元（“1T1R”），并通過(guò)改變單元的靜態(tài)電阻來(lái)操作，這種電阻是通過(guò)材料的“Write1”和“Write0”脈沖電流和大小引起。當(dāng)單元被訪問(wèn)時(shí)，讀操作感知電阻大小，大大降低單元電流。理想情況下，兩個(gè)電阻之間的比率非常高，以加速讀取操作。
2020-06-30 11:01:334470 存儲(chǔ)器芯片。Everspin總代理宇芯電子可提供技術(shù)支持和產(chǎn)品解決方案。 MRAM可能是當(dāng)今最有前途的下一代非易失性存儲(chǔ)技術(shù)。Toggle MRAM和STT-MRAM已經(jīng)進(jìn)入市場(chǎng)，在許多應(yīng)用中獲得了
2020-07-13 11:25:581037 Everspin在磁存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)，制造和交付到相關(guān)應(yīng)用中的知識(shí)和經(jīng)驗(yàn)在半導(dǎo)體行業(yè)中是獨(dú)一無(wú)二的。Everspin擁有600多項(xiàng)有效專利和申請(qǐng)的知識(shí)產(chǎn)權(quán)，在平面和垂直磁隧道結(jié)（MTJ）STT-MRAM
2020-08-03 16:26:49511 的領(lǐng)先趨勢(shì)來(lái)增強(qiáng)動(dòng)力。 什么是STT-MRAM？ 嵌入式存儲(chǔ)器IP選項(xiàng)包括STT-MRAM，相變存儲(chǔ)器（PCM），電阻RAM（ReRAM）和鐵電RAM（FRAM）。每種新興的內(nèi)存技術(shù)都不同，適合特定的應(yīng)用，但STT-MRAM似乎已成為主流。 STT-MRAM是一種電阻存儲(chǔ)技術(shù)，其中材料中電子的磁性自旋變
2020-08-04 17:24:263389 ）STT-MRAM位單元的開發(fā)方面均處于市場(chǎng)領(lǐng)先地位。本篇文章everspin代理宇芯電子要介紹的是如何最大限度提高STT-MRAM IP的制造產(chǎn)量。 鑄造廠需要傳統(tǒng)的CMOS制造中不使用的新設(shè)備，例如離子束蝕刻，同時(shí)提高M(jìn)TJ位單元的可靠性，以支持某些應(yīng)用所需的大（1Mbit?256Mbit）存儲(chǔ)器陣列密度
2020-08-05 14:50:52389 MRAM（磁性RAM）是一種使用電子自旋來(lái)存儲(chǔ)信息的存儲(chǔ)技術(shù)（MRAM設(shè)備是Spintronics設(shè)備）。MRAM具有成為通用存儲(chǔ)器的潛力，能夠?qū)?b class="flag-6" style="color: red">存儲(chǔ)存儲(chǔ)器的密度與SRAM的速度結(jié)合在一起，同時(shí)
2020-08-07 17:06:122003 但以目前的容量而言，STT－MRAM容量仍小，離取代一般存儲(chǔ)器還有一段路要走，另一種比較可行的應(yīng)用，是把STT－MRAM嵌入其他系統(tǒng)芯片，目前已有SRAM嵌入邏輯芯片的技術(shù)，而STT－MRAM記憶密度比SRAM更高，有助于提高邏輯芯片內(nèi)的記憶容量。
2020-08-21 14:18:00593 自旋轉(zhuǎn)移扭矩隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（STT-RAM）技術(shù)希望用其下一代MRAM取代DRAM，最終取代NAND。它結(jié)合了DRAM的成本優(yōu)勢(shì)，SRAM的快速讀寫性能以及閃存的非易失性。據(jù)說(shuō)STT
2020-08-10 15:30:20832 Everspin主要是設(shè)計(jì)制造和商業(yè)銷售MRAM和STT-MRAM的領(lǐng)先者，其市場(chǎng)和應(yīng)用領(lǐng)域涉及數(shù)據(jù)持久性和完整性，低延遲和安全性至關(guān)重要。Everspin MRAM產(chǎn)品應(yīng)用在數(shù)據(jù)中心，云存儲(chǔ)，能源
2020-08-17 14:42:142309 Everspin是設(shè)計(jì)制造MRAM、STT-MRAM的翹楚，其市場(chǎng)和應(yīng)用涉及數(shù)據(jù)持久性和完整性，低延遲和安全性至關(guān)重要。 在磁存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)，制造和交付給相關(guān)應(yīng)用方面的知識(shí)和經(jīng)驗(yàn)以及在平面內(nèi)和垂直磁隧道
2020-08-28 14:19:13434 Everspin MRAM存儲(chǔ)芯片如何用MRAM這類非易失性存儲(chǔ)和NVMe SSD構(gòu)建未來(lái)的云存儲(chǔ)的解決方案。 首先STT-MRAM作為異常掉電數(shù)據(jù)緩存的介質(zhì)有以下幾大優(yōu)勢(shì)： 1. 非易失性存儲(chǔ)器
2020-09-19 11:38:322609 MRAM是一種非易失性的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器。它擁有SRAM的高速讀取寫入能力，以及DRAM的高集成度，基本上可以無(wú)限次地重復(fù)寫入。專注于代理銷售MRAM芯片等存儲(chǔ)芯片供應(yīng)商英尚微電子詳細(xì)介紹關(guān)于MRAM
2020-10-21 14:32:591451 
磁阻式隨機(jī)存儲(chǔ)器MRAM是一種新型存儲(chǔ)器，其優(yōu)點(diǎn)有讀取速度快和集成度高及非揮發(fā)性等。目前許多研究主要是致力于將MRAM運(yùn)用于計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)系統(tǒng)中。同時(shí)非易失性MRAM存儲(chǔ)器也應(yīng)用于各級(jí)高速緩存
2020-11-09 16:46:48628 本文由everspin代理宇芯電子介紹關(guān)于新型的芯片架構(gòu)，將嵌入式磁存儲(chǔ)芯片STT-MRAM應(yīng)用于芯片架構(gòu)設(shè)計(jì)中，與傳統(tǒng)芯片架構(gòu)相比較，能夠降低芯片漏電流，減少芯片靜態(tài)功耗，延長(zhǎng)手持設(shè)備的在線工作
2020-11-20 15:20:24512 
來(lái)極化電流的技術(shù)。通過(guò)使用自旋極化電流來(lái)改變磁取向來(lái)執(zhí)行數(shù)據(jù)寫入MTJelement中信息存儲(chǔ)層的位置。MTJ元件的合成電阻差用于信息讀取。 STT-MRAM是一種適用于未來(lái)使用超精細(xì)工藝生產(chǎn)的MRAM的技術(shù)，可以有效地嵌入到隨后的諸如FPGA和微處理器，微控制器和片上
2020-11-20 15:23:46791 在ISSCC 2020上臺(tái)積電呈現(xiàn)了其基于ULL 22nm CMOS工藝的32Mb嵌入式STT－MRAM。該MRAM具有10ns的讀取速度，1M個(gè)循環(huán)的寫入耐久性，在150度下10年以上的數(shù)據(jù)保持能力和高抗磁場(chǎng)干擾能力。
2020-12-24 15:51:14614 Everspin Technologies，Inc是設(shè)計(jì)制造MRAM和STT-MRAM的全球領(lǐng)導(dǎo)者其市場(chǎng)和應(yīng)用領(lǐng)域涉及數(shù)據(jù)持久性和完整性，低延遲和安全性至關(guān)重要。Everspin MRAM產(chǎn)品
2021-01-16 11:28:23531 MRAM是一種使用電子自旋來(lái)存儲(chǔ)信息的存儲(chǔ)技術(shù)。MRAM具有成為通用存儲(chǔ)器的潛力-能夠?qū)?b class="flag-6" style="color: red">存儲(chǔ)存儲(chǔ)器的密度與SRAM的速度結(jié)合在一起，同時(shí)始終保持非易失性和高能效。MRAM可以抵抗高輻射，可以在極端
2021-03-03 16:40:05955 ，能源，工業(yè)，汽車和運(yùn)輸市場(chǎng)中部署了超過(guò)1.2億個(gè)MRAM和STT-MRAM產(chǎn)品。擁有超過(guò)600項(xiàng)有效專利和申請(qǐng)的知識(shí)產(chǎn)權(quán)組合，在平面內(nèi)和垂直磁隧道結(jié)（MTJ）STT-MRAM位單元的開發(fā)方面處于市場(chǎng)
2021-06-08 16:37:17575 Everspin公司生產(chǎn)的MRAM用于數(shù)據(jù)持久性和應(yīng)用的市場(chǎng)和應(yīng)用。Everspin MRAM應(yīng)用在數(shù)據(jù)中心和云存儲(chǔ)、汽車和運(yùn)輸市場(chǎng)。MRAM是一種利用電子自旋來(lái)存儲(chǔ)信息的存儲(chǔ)技術(shù)。MRAM具有成為通用存儲(chǔ)器的潛力——能夠?qū)?b class="flag-6" style="color: red">存儲(chǔ)存儲(chǔ)器的密度與 SRAM 的速度相結(jié)合，同時(shí)具有非易失性和節(jié)能性。
2021-08-17 16:26:191926 仍讓它無(wú)法滿足高速RAM應(yīng)用必須兼具高速寫入、無(wú)限耐久性，以及可接受的數(shù)據(jù)保存能力之需求。 ? STT-MRAM（也稱為STT-RAM或有時(shí)稱為ST-MRAM和ST-RAM）是一種高級(jí)類型的MRAM設(shè)備。與常規(guī)設(shè)備相比，STT-MRAM可實(shí)現(xiàn)更高的密度、低功耗和更低的成本。 STT-MRAM 相對(duì)于
2021-12-11 14:47:44519 Everspin Technologies，Inc是設(shè)計(jì)制造MRAM和STT-MRAM的全球領(lǐng)導(dǎo)者其市場(chǎng)和應(yīng)用領(lǐng)域涉及數(shù)據(jù)持久性和完整性，低延遲和安全性至關(guān)重要。E...
2022-01-25 19:29:14
3 本文由everspin代理宇芯電子介紹關(guān)于新型的芯片架構(gòu),將嵌入式磁存儲(chǔ)芯片STT-MRAM應(yīng)用于芯片架構(gòu)設(shè)計(jì)中,與傳統(tǒng)芯片架構(gòu)相比較,能夠降低芯...
2022-01-25 20:15:003 Everspin是設(shè)計(jì)制造MRAM、STT-MRAM的翹楚，其市場(chǎng)和應(yīng)用涉及數(shù)據(jù)持久性和完整性，低延遲和安全性至關(guān)重要。在磁存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)，制造和交付...
2022-01-26 18:14:019 近日中科院微電子所集成電路先導(dǎo)工藝研發(fā)中心在STT-MRAM器件與集成技術(shù)研究領(lǐng)域取得了階段性進(jìn)展。
2022-01-26 19:41:352 STT-MRAM是通過(guò)自旋電流實(shí)現(xiàn)信息寫入的一種新型非易失性磁隨機(jī)存儲(chǔ)器，是磁性存儲(chǔ)器MRAM的二代產(chǎn)品。STT-MRAM存儲(chǔ)的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，它省略了...
2022-02-07 12:36:256 MRAM可能是非易失性存儲(chǔ)技術(shù)的下一個(gè)大事件。該技術(shù)利用了磁性材料的相對(duì)極性和電阻之間的關(guān)系。本質(zhì)上，當(dāng)兩個(gè)磁鐵靠近時(shí)，它們的電阻會(huì)發(fā)生變化，這取決于它們的磁極相對(duì)于另一個(gè)磁極的位置。
2022-07-25 16:04:33836 everspin在磁存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)，制造和交付給相關(guān)應(yīng)用方面的知識(shí)和經(jīng)驗(yàn)在半導(dǎo)體行業(yè)中是獨(dú)一無(wú)二的。Everspin擁有超過(guò)600項(xiàng)有效專利和申請(qǐng)的知識(shí)產(chǎn)權(quán)組合，在平面內(nèi)和垂直磁隧道結(jié)（MTJ）STT-MRAM位單元的開發(fā)方面處于市場(chǎng)領(lǐng)先地位。
2022-11-17 14:23:282461 
反鐵磁性材料在微觀尺度上有磁性，但在宏觀尺度上卻沒(méi)有。這意味著用這些材料制成的MRAM單元的相鄰位之間沒(méi)有磁力-這意味著您可以將它們非常緊密地包裝在一起。
2022-11-17 14:58:46921 
STT-MRAM非易失性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器是一款像SRAM一樣 高速、高耐久性、單字節(jié)訪問(wèn)的工作，也可以像ROM/Flash一樣非揮發(fā)性，保留時(shí)間長(zhǎng)的存儲(chǔ)。MRAM供應(yīng)商英尚微支持提供相關(guān)技術(shù)支持。
2022-11-29 15:57:581325 Netsol是一家成立于2010年的無(wú)晶圓廠IC設(shè)計(jì)和營(yíng)銷公司。在下一代存儲(chǔ)器解決方案方面處于世界領(lǐng)先地位，特別是在STT-MRAM方面。憑借強(qiáng)大的開發(fā)能力，為廣泛的應(yīng)用程序提供定制/優(yōu)化的內(nèi)存
2023-01-31 15:53:37226 Netsol的SPI STT-MRAM具有非易失特性和幾乎無(wú)限耐用性。醫(yī)療器械理想的存儲(chǔ)器用于快速存儲(chǔ)、檢索數(shù)據(jù)和程序的應(yīng)用程序，至少應(yīng)用于數(shù)量引腳。它具有優(yōu)異的性能和非易失特性。詳情請(qǐng)洽英尚微。
2023-02-23 14:49:59136 英尚微提供的Netsol的Parallel MRAM具有非易失特性和幾乎無(wú)限的耐用性。對(duì)于需要快速存儲(chǔ)和搜索數(shù)據(jù)和程序的應(yīng)用程序來(lái)說(shuō)，這是最理想的內(nèi)存。適用于工業(yè)設(shè)備中的代碼存儲(chǔ)、數(shù)據(jù)記錄、備份和工作存儲(chǔ)器?？商娲鶱OR?Flash、FeRAM、nvSRAM等，具有卓越的性能和非易失特性。
2023-02-23 14:52:55163 安全地獲得備份。能夠充分執(zhí)行該作用的存儲(chǔ)器，在工業(yè)設(shè)備中至關(guān)重要。Netsol的Parallel STT-MRAM 具有非易失特性和幾乎無(wú)限的耐用性。對(duì)于需要快速存儲(chǔ)和搜索數(shù)據(jù)和程序的應(yīng)用程序來(lái)說(shuō)，這是合適的內(nèi)存。適用于工業(yè)設(shè)備中的PC、PLC、HM
2023-02-27 15:48:17136 MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory)是一種新型的非揮發(fā)性的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM)的高速讀取寫入能力，以及動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器
2023-04-19 17:45:462548 其數(shù)據(jù)始終是非易失性的，可以取代具有相同功能的FRAM、低功耗SRAM或nvSRAM，并有助于簡(jiǎn)化系統(tǒng)設(shè)計(jì)。由于STT-MRAM的非易失性和幾乎無(wú)限的續(xù)航特性，它適用于工業(yè)設(shè)計(jì)中的代碼存儲(chǔ)、數(shù)據(jù)記錄、備份存儲(chǔ)器和工作存儲(chǔ)器。
2023-05-12 16:31:39268 Spin-transferTorqueMagnetoresistiveRandomAccessMemory（STT-MRAM）審稿人：北京大學(xué)蔡一茂陳青鈺https://www.pku.edu.cn
2022-03-25 10:48:47318 
（電阻式存儲(chǔ)器）、MRAM（磁阻式存儲(chǔ)器）、STT-MRAM（自旋轉(zhuǎn)移力矩磁阻存儲(chǔ)器）和PCM（相變存儲(chǔ)器）。這些類型的存儲(chǔ)器基于不同的物理原理改變材料的電導(dǎo)率，例
2022-11-11 17:11:29363 
Netsol的MRAM具有非易失特性和幾乎無(wú)限的耐用性。對(duì)于需要使用最少數(shù)量的引腳來(lái)快速存儲(chǔ)、檢索數(shù)據(jù)和程序的應(yīng)用程序而言，是最為理想的存儲(chǔ)器。適用于工業(yè)設(shè)備中的代碼存儲(chǔ)、數(shù)據(jù)記錄、備份和工作存儲(chǔ)器?？商娲鶩lash、FeRAM、nvSRAM等，具有卓越的性能和非易失特性。
2023-07-07 17:06:59262 目前三星仍然是全球?qū)＠谝唬?002年三星宣布研發(fā)MRAM，2005年三星率先研究STT-MRAM，但是此后的十年間，三星對(duì)MRAM的研發(fā)一直不溫不火，成本和工藝的限制，讓三星的MRAM研發(fā)逐漸走向低調(diào)。
2023-11-22 14:43:53213 
MRAM的基本結(jié)構(gòu)是磁性隧道結(jié)，研發(fā)難度高，目前主要分為兩大類：傳統(tǒng)MRAM和STT-MRAM，前者以磁場(chǎng)驅(qū)動(dòng)，后者則采用自旋極化電流驅(qū)動(dòng)。
2024-01-22 10:50:50123 
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