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電子發(fā)燒友網(wǎng)>今日頭條>MR1A16A是一款具有2097152位的非易失性存儲器

MR1A16A是一款具有2097152位的非易失性存儲器

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2025-06-13 11:13:11577

LMR51610 具有 4.5V 至 65V 1A 同步降壓和 25μA 靜態(tài)電流的 SIMPLE SWITCHER? 電源轉(zhuǎn)換數(shù)據(jù)手冊

LMR516xx 是一款寬 V 輸入、易于使用的同步降壓轉(zhuǎn)換,能夠驅(qū)動高達(dá) 0.6A1A 的負(fù)載電流。該器件具有 4 V 至 65 V 的寬輸入范圍,專為各種工業(yè)應(yīng)用而設(shè)計(jì),適用于來自非穩(wěn)壓電源的電源調(diào)節(jié)。
2025-06-05 11:40:24812

TPS25865-Q1 具有減載功能的雙 2.4A USB Type-A 充電端口控制數(shù)據(jù)手冊

TPS2586x-Q1一款集成式 USB 充電端口解決方案,其中包括個(gè)同步、高效直流/直流轉(zhuǎn)換以及用于在雙 Type-A 端口中實(shí)現(xiàn) USB 電池充電 1.2 的集成檢測和控制。 TPS2586x-Q1一款高度集成的 USB Type-A 充電控制,適用于雙 USB 端口應(yīng)用。
2025-05-22 17:45:59645

TPS25864-Q1 具有減載功能的汽車雙通道 2.4A USB Type-A 充電端口控制數(shù)據(jù)手冊

TPS2586x-Q1一款集成式 USB 充電端口解決方案,其中包括個(gè)同步、高效直流/直流轉(zhuǎn)換以及用于在雙 Type-A 端口中實(shí)現(xiàn) USB 電池充電 1.2 的集成檢測和控制。 TPS2586x-Q1一款高度集成的 USB Type-A 充電控制,適用于雙 USB 端口應(yīng)用。
2025-05-22 17:37:51703

UCC27524A-Q1 具有 5V UVLO 和負(fù)輸入電壓處理能力的汽車類 5A/5A 雙通道柵極驅(qū)動數(shù)據(jù)手冊

UCC27524A-Q1 器件是一款雙通道、高速、低側(cè)、柵極驅(qū)動器件,能夠有效驅(qū)動 MOSFET 和 IGBT 功率開關(guān)。UCC27524A-Q1 器件是 UCC2752x 系列的變體
2025-05-20 09:28:50765

UCC27511A-Q1 具有 5V UVLO 和分離輸出的汽車類 4A/8A 單通道柵極驅(qū)動數(shù)據(jù)手冊

UCC27511A-Q1 器件是一款緊湊型柵極驅(qū)動,可出色地替代 NPN 和 PNP 分立驅(qū)動(緩沖電路)解決方案。UCC27511A-Q1 器件是一款汽車級單通道低側(cè)高速柵極驅(qū)動,適用于
2025-05-19 18:12:47736

UCC27524A1-Q1 具有 5V UVLO 和負(fù)輸入電壓處理能力的汽車類 5A/5A 雙通道柵極驅(qū)動數(shù)據(jù)手冊

UCC27524A1-Q1 器件是一款雙通道、高速、低側(cè)、柵極驅(qū)動器件,能夠有效驅(qū)動 MOSFET 和 IGBT 功率開關(guān)。UCC27524A1-Q1 器件是 UCC2752x 系列的變體
2025-05-19 13:56:38674

UCC27712-Q1 具有互鎖功能的汽車級 1.8A/2.8A、620V 半橋柵極驅(qū)動數(shù)據(jù)手冊

UCC27712-Q1一款 620V 高壓側(cè)和低壓側(cè)柵極驅(qū)動具有 1.8A 拉電流和 2.8A 灌電流,旨在驅(qū)動功率 MOSFET 或 IGBT。 建議的 VDD 工作電壓為 10V 至 20V(IGBT)和 10V 至 17V(功率 MOSFET)。
2025-05-19 11:00:20798

UCC21540A-Q1 汽車5.7kVrms,4A/6A雙通道隔離柵極驅(qū)動具有5V UVLO和3.3mm通道間距數(shù)據(jù)手冊

UCC21540-Q1 器件是一款隔離式雙通道柵極驅(qū)動,具有可編程死區(qū)時(shí)間和寬溫度范圍。該器件在極端溫度條件下表現(xiàn)出致的性能和穩(wěn)健性。它采用 4 A 峰值拉電流和 6 A 峰值灌電流設(shè)計(jì),可驅(qū)動功率 MOSFET、IGBT 和 GaN 晶體管。
2025-05-16 15:49:15585

昂科燒錄支持FMD輝芒微的串行EEPROM FT24C16A-KL

國產(chǎn)燒錄 AP8000 的支持范圍。 FT24C16A-KL是一款容量為16384比特的串行電可擦可編程只讀存儲器,通常被稱為電可擦除可編程只讀存儲器(EEPROM)。其存儲結(jié)構(gòu)為2048個(gè)字,每個(gè)字8比特(即1字節(jié))。這些器件采用專有的先進(jìn)互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)工藝制造,適用于低功
2025-04-30 14:46:20766

16 ADC 的 汽車類與非汽車類C2000? 32 MCU(TMS320F28377DPTPS TMS320F28377SPTPQ)微控制

閃存、EMIF、16 ADC 的汽車類 C2000? 32 MCU TMS320F28377SPTPQ 是一款功能強(qiáng)大的 32 浮點(diǎn)微控制單元 (MCU),專為工業(yè)電機(jī)驅(qū)動、光伏逆變器
2025-04-30 14:11:45

TPS54116-Q1 具有 4A、2MHz VDDQ 直流/直流轉(zhuǎn)換、1A VTT LDO 和 VTTREF 的汽車類 DDR 電源解決方案數(shù)據(jù)手冊

TPS54116-Q1 器件是一款功能齊全的 6V、4A 同步降壓轉(zhuǎn)換,具有 兩個(gè)集成 MOSFET 和 1A 灌/拉雙數(shù)據(jù)速率 (DDR) VTT 端接穩(wěn)壓具有 VTTREF 緩沖基準(zhǔn)輸出。
2025-04-26 10:13:26655

HMC470A 0.1GHz至3GHz,1dB LSB、5,GaAs數(shù)字衰減技術(shù)手冊

HMC470A一款5數(shù)字衰減,以1 dB步長提供31 dB的衰減控制范圍。 HMC470A在100 MHz至3 GHz的指定頻率范圍內(nèi)提供出色的衰減精度和高輸入線性度。不過,該數(shù)字衰減器具有用于外部交流接地電容的ACG引腳,可將工作頻率擴(kuò)展至低于100 MHz。
2025-04-24 11:26:26818

PY32F002A單片機(jī),價(jià)格極具競爭力的國產(chǎn)入門級32單片機(jī)

PY32F002A是普冉半導(dǎo)體推出的一款基于ARM Cortex-M0+內(nèi)核的32單片機(jī),主打高性能、低功耗與高性價(jià)比,專為成本敏感型嵌入式應(yīng)用設(shè)計(jì)。作為入門級32MCU,PY32F002A
2025-04-24 10:17:18

STAP16DPPS05 低壓16恒定電流LED灌驅(qū)動數(shù)據(jù)手冊

STAP16DPPS05 是一款單片、低電壓、低電流功率 16 位移位寄存,專為 LED 面板顯示而設(shè)計(jì)。該器件包含個(gè) 16 serial-in、parallel out-shift
2025-04-16 17:49:23765

非易失性存儲器芯片的可靠性測試要求

非易失性存儲器(NVM)芯片廣泛應(yīng)用于各種設(shè)備中,從智能手機(jī)、個(gè)人電腦到服務(wù)和工業(yè)控制系統(tǒng),都是不可或缺的關(guān)鍵組件,它們不僅提高了數(shù)據(jù)的安全性和可靠性,還極大地增強(qiáng)了系統(tǒng)的整體性能。此外,為了滿足
2025-04-10 14:02:241333

貝嶺BL24CM1A-PARC:高性能、高可靠性EEPROM存儲器

貝嶺(BELLING)作為知名的電子元件制造商,始終致力于為市場提供高性能、高可靠性的集成電路解決方案。BL24CM1A-PARC是貝嶺公司推出的一款高性能EEPROM存儲器,憑借其低功耗、高集成度
2025-04-09 15:47:21692

便攜式醫(yī)療鐵電存儲器SF25C20(FM25V20A)的替換方案

便攜式醫(yī)療鐵電存儲器SF25C20(FM25V20A)的替換方案
2025-04-07 09:46:03626

推薦一款MIP超低功耗顯示屏1.28寸/LS013B7DH03 工作功耗低至50μW

LS013B7DH03是日本廈普SHARP推出的一款1.28寸超低功耗黑白顯示屏(MIP),它在每個(gè)像素點(diǎn)嵌入了存儲體,來存儲圖形數(shù)據(jù),因此靜止的圖像不需要連續(xù)刷新,與傳統(tǒng)TFT顯示屏相比,減少
2025-04-01 10:23:23

替換FM25V20A醫(yī)療物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備可使用鐵電存儲器SF25C20

替換FM25V20A醫(yī)療物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備可使用鐵電存儲器SF25C20
2025-03-28 10:31:41717

TPS53679 雙通道 6+1/5+2 VR13 D-CAP+ ? 降壓多相控制數(shù)據(jù)手冊

TPS53679 是一款完全符合 VR13 SVID 標(biāo)準(zhǔn)的降壓控制具有雙通道、內(nèi)置非易失性存儲器 (NVM) 和 PMBus? 接口,并且與 TI NexFET ?功率級完全兼容。具有下沖減少 (USR) 的 D-CAP+ ? 架構(gòu)等高級控制功能可提供快速瞬態(tài)響應(yīng)、低輸出電容和良好的均流。
2025-03-24 14:16:56884

兼容FM25V20A/MB85RS2MT,國產(chǎn)鐵電存儲器SF25C20助聽器應(yīng)用方案

兼容FM25V20A/MB85RS2MT,國產(chǎn)鐵電存儲器SF25C20助聽器應(yīng)用方案
2025-03-20 09:55:16676

新品上線|CM7501, 對標(biāo)LTC2641, 16單極性無緩沖電壓輸出DAC

CM7501是一款16無緩沖電壓輸出數(shù)模轉(zhuǎn)換(DAC)。采用2.7V至5.5V單電源供電,可在全溫范圍內(nèi)保證輸出電壓的單調(diào)性。無緩沖的設(shè)計(jì),使得DAC具有極低的功耗,僅有120μA的靜態(tài)電流,以及±0.5LSB的低失調(diào)誤差。
2025-03-18 14:28:50944

AD7581BQ 一款8 、8 通道、存儲器緩沖數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)DAS

AD7581 是一款微處理兼容的 8 、8 通道、存儲器緩沖數(shù)據(jù)采集系統(tǒng),采用單芯片 CMOS 芯片。它由個(gè) 8 逐次逼近型 A/D 轉(zhuǎn)換、個(gè) 8 通道多路復(fù)用器、8×8 雙端口 RAM
2025-03-17 10:39:29

MM32G0001A1T 絲印G0001A1T TSSOP20 32微控制芯片

產(chǎn)品描述使用高性能的 Arm? Cortex-M0 為內(nèi)核的 32 微控制,最高工作頻率可達(dá) 48MHz,內(nèi)置高速存儲器,豐富的增強(qiáng)型 I/O 端口和多種外設(shè)。- 16KB Flash
2025-03-15 16:15:19

帶5MB片內(nèi)RAM的RTOS微處理RZ/A1M數(shù)據(jù)手冊

SRAM,RZ/A1M 無需外部存儲器,就能支持兩臺分辨率為WSVGA(1024×600)的顯示,或者臺分辨率為 WXGA(1280×800)的顯示。RZ/A1M能夠?qū)崿F(xiàn)極為緊湊的嵌入式設(shè)計(jì),而且無需
2025-03-11 15:04:111131

帶片內(nèi)RAM 3MB RZ/A1L RTOS微處理數(shù)據(jù)手冊

,RZ/A1L 無需外部存儲器就能支持兩塊WVGA(800x480)分辨率的顯示屏,或者塊 WSVGA(1024x600)分辨率的顯示屏。RZ/A1L能夠?qū)崿F(xiàn)極為緊湊的嵌入式設(shè)計(jì),讓開發(fā)者無需擔(dān)心存儲器
2025-03-10 16:14:20981

昂科燒錄支持ST意法半導(dǎo)體的汽車級8微控制STM8AF52A8T

AP8000所支持。 STM8AF52A8T汽車級8微控制,提供從32Kbyte至128Kbyte的非易失性存儲器,并集成了真正的數(shù)據(jù)EEPROM。STM8AF52A8T具備CAN接口。STM8A
2025-03-07 15:16:16949

TL1963A-Q1 具有反向電流保護(hù)功能的汽車類 1.5A、20V、可調(diào)低壓差穩(wěn)壓數(shù)據(jù)手冊

TL1963A-Q1 器件是一款低壓差 (LDO) 穩(wěn)壓,針對快速瞬態(tài)進(jìn)行了優(yōu)化 響應(yīng)。該器件可提供 1.5 A 的輸出電流,壓差為 340 mV。經(jīng)營 靜態(tài)電流為 1 mA,關(guān)斷時(shí)降至 1 μA
2025-03-06 14:39:07890

TLV767系列 可調(diào)和固定輸出、1A、16V、正電壓低壓差 (LDO) 線性穩(wěn)壓數(shù)據(jù)手冊

TLV767 是一款寬輸入線性穩(wěn)壓,支持 2.5 V 至 16 V 的輸入電壓范圍和高達(dá) 1 A 的負(fù)載電流。輸出范圍為 0.8 V 至 6.6 V,可調(diào)版本最高為 14.6 V。 此外,TLV767 具有 1% 的輸出精度,可滿足低電壓微控制 (MCU) 和處理的需求。
2025-02-28 14:42:011105

DS2502 1K只添加存儲器技術(shù)手冊

DS2502為1K只添加存儲器,用于識別并存儲產(chǎn)品的相關(guān)信息。產(chǎn)品批號或特殊的產(chǎn)品信息可以通過最少的接口訪問—例如,微控制個(gè)端口引腳。DS2502具有個(gè)工廠光刻注冊碼,其中包括:48
2025-02-28 10:15:151111

DS2505 16K只添加存儲器技術(shù)手冊

DS2505為16k只添加存儲器,可以識別和存儲與產(chǎn)品相關(guān)的信息。這個(gè)標(biāo)簽或特殊產(chǎn)品的信息可以通過最少的接口訪問,例如微控制個(gè)端口引腳。DS2505有個(gè)工廠刻度的注冊碼,其中包括:48
2025-02-27 16:31:151064

DS2430A 2561-Wire EEPROM技術(shù)手冊

DS2430A一款2561-Wire? EEPROM,用于識別和存儲與產(chǎn)品相關(guān)的信息。這個(gè)標(biāo)簽或特殊產(chǎn)品信息可以通過最少的接口訪問,例如微控制個(gè)端口引腳。DS2430A帶有個(gè)由工廠刻度
2025-02-27 15:21:541110

DS2433系列4K1-Wire EEPROM技術(shù)手冊

DS2433是一款4K1-Wire? EEPROM,用于識別和存儲與產(chǎn)品相關(guān)的信息。這個(gè)標(biāo)簽或特殊產(chǎn)品信息可以通過最少的接口訪問,例如微控制個(gè)端口引腳。DS2433帶有個(gè)由工廠刻度的注冊碼
2025-02-27 10:03:111219

DS28E80 1-Wire存儲器技術(shù)手冊

DS28E80是一款用戶可編程的非易失性存儲器芯片。與浮柵存儲單元相比,DS28E80采用了抗伽馬輻射的存儲單元技術(shù)。DS28E80有248字節(jié)的用戶內(nèi)存,這些內(nèi)存以8字節(jié)為單位進(jìn)行組織。單個(gè)塊可以
2025-02-26 11:43:101138

DS1993 iButton存儲器技術(shù)手冊

DS1992/DS1993內(nèi)存iButtons(以下簡稱DS199x)是堅(jiān)固的讀/寫數(shù)據(jù)載體,充當(dāng)本地化數(shù)據(jù)庫,易于用最少的硬件訪間。非易失性存儲器和可選的計(jì)時(shí)功能為存儲和檢索與iButton所連接
2025-02-26 10:39:06821

DS1996 iButton 64K存儲器技術(shù)手冊

命令將數(shù)據(jù)傳送到存儲器。該過程確保了修改存儲器時(shí)的數(shù)據(jù)完整性。每個(gè)DS1996都有個(gè)48的工廠激光序列號,以提供個(gè)有保證的唯標(biāo)識,從而實(shí)現(xiàn)絕對的可追溯性。耐用的MicroCan封裝具有很強(qiáng)的抗
2025-02-26 10:17:41871

STM32H753IIT6 一款32微控制MCU/MSP430F5325IPNR一款16MCU

?MSP430F5325IPNR?是一款16低功耗微控制,屬于MSP430系列。該微控制器具有以下主要特點(diǎn)和功能: 1、低功耗設(shè)計(jì)?:MSP430F5325IPNR采用低功耗設(shè)計(jì),適合對能耗敏感
2025-02-21 14:59:12

英飛凌FS03MR12A6MA1LB功率模塊產(chǎn)品概述

英飛凌FS03MR12A6MA1LB HybridPACK? Drive 是一款非常緊湊的六單元功率模塊 (1200V/400A),針對混合動力和電動汽車進(jìn)行了優(yōu)化。
2025-02-20 18:07:182813

STM8S103F3P3TR STM32F091VCH6微控制 IC MCU 8K/256K Flash

STM32F091VCH6是一款集成了高性能ARM Cortex-M0內(nèi)核的32微控制,工作頻率高達(dá)48MHz,內(nèi)置256KB閃存和32KB SRAM??。該器件適用于各種嵌入式應(yīng)用,具有高性能
2025-02-20 17:53:42

揭秘非易失性存儲器:從原理到應(yīng)用的深入探索

? 非易失性存儲器種應(yīng)用于計(jì)算機(jī)及智能手機(jī)等設(shè)備中的存儲裝置(存儲器),其特點(diǎn)是在沒有外部電源的情況下仍能保存數(shù)據(jù)信息。本文將介紹非易失性存儲器的類型、特點(diǎn)及用途。 什么是非易失性存儲器
2025-02-13 12:42:142470

舜銘存儲鐵電存儲器SF25C20:替換FM25V20A/MB85RS2MT

舜銘存儲鐵電存儲器SF25C20:替換FM25V20A/MB85RS2MT
2025-02-13 10:29:091169

74ABT16240A 16反相緩沖/線路驅(qū)動規(guī)格書

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《74ABT16240A 16反相緩沖/線路驅(qū)動規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-02-11 16:20:280

74LVC162244A;74LVCH162244A 16緩沖/線路驅(qū)動規(guī)格書

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《74LVC162244A;74LVCH162244A 16緩沖/線路驅(qū)動規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-02-11 14:08:240

74LVC162373A;74LVCH162373A 16D型透明鎖存規(guī)格書

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《74LVC162373A;74LVCH162373A 16D型透明鎖存規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-02-09 11:35:310

74LVC16240A 16緩沖/線路驅(qū)動規(guī)格書

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《74LVC16240A 16緩沖/線路驅(qū)動規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-02-08 17:27:320

存儲器的分類及其區(qū)別

初學(xué)者要了解SDRAM需要先了解存儲器分類。按照存儲器存儲功能劃分,可將其分為RAM 和 ROM 兩大類。
2025-02-08 11:24:513961

閃速存儲器屬于RAM還是ROM,閃速存儲器般用來做什么的

在數(shù)字存儲技術(shù)的快速發(fā)展中,閃速存儲器(Flash Memory)以其獨(dú)特的性能和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域,成為了連接隨機(jī)存取存儲器(RAM)與只讀存儲器(ROM)之間的重要橋梁。本文將深入探討閃速存儲器的技術(shù)特性、分類及其在現(xiàn)代電子設(shè)備中的應(yīng)用。
2025-01-29 16:53:001683

閃速存儲器的閃速是指什么,閃速存儲器的速度比內(nèi)存快嗎

存儲器則通過引入創(chuàng)新的擦除編程電路技術(shù)和高速靈敏度放大器,實(shí)現(xiàn)了對所有存儲單元的同時(shí)、快速擦除。這種高效的擦除速度,使得閃速存儲器在數(shù)據(jù)更新和維護(hù)方面具有顯著優(yōu)勢,因此被形象地稱為“閃速”。
2025-01-29 15:14:001378

閃速存儲器是u盤嗎,閃速存儲器般用來做什么的

在信息技術(shù)飛速發(fā)展的今天,閃速存儲器(Flash Memory)以其高速度、大容量和非易失性的特性,成為數(shù)據(jù)存儲領(lǐng)域的重要成員。而U盤,作為閃速存儲器種常見應(yīng)用形式,更是憑借其便攜性和易用性,在
2025-01-29 15:12:001452

高速緩沖存儲器是內(nèi)存還是外存,高速緩沖存儲器是為了解決什么

高速緩沖存儲器(Cache)是內(nèi)存的種特殊形式,但它與通常所說的主存儲器(RAM)有所不同。在計(jì)算機(jī)存儲體系中,Cache位于CPU和主存儲器之間,用于存儲CPU近期訪問過的數(shù)據(jù)或指令,以加快數(shù)據(jù)的訪問速度。
2025-01-29 11:48:003395

舜銘存儲鐵電存儲器SF25C20能否替換賽普拉斯FM25V20A

舜銘存儲鐵電存儲器SF25C20能否替換賽普拉斯FM25V20A
2025-01-23 09:03:29953

舜銘存儲鐵電存儲器SF25C20替換FM25V20A參數(shù)分析及應(yīng)用

舜銘存儲鐵電存儲器SF25C20替換FM25V20A參數(shù)分析及應(yīng)用
2025-01-16 10:17:061232

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