8Gb DDR4生產(chǎn)率提高20%以上，下半年量產(chǎn) 據(jù)筆者此前獲悉，在今年3月，三星開始大規(guī)模量產(chǎn)12GB 低功耗雙倍數(shù)率的LPDDR4X后，三星又宣布首次開發(fā)出第三代10nm級1z nm 8Gb雙倍
2019-10-22 10:41:21
5509 最近三星公司剛剛公布了旗下首個(gè)8GB低功率的LPDDR4內(nèi)存芯片，并且可以在移動設(shè)備大小的多層結(jié)構(gòu)芯片中肩負(fù)4GB運(yùn)行內(nèi)存的功能。
2014-01-02 09:33:44919 在今年宣布以14nm制程制作Galaxy S6系列機(jī)種使用處理器Exynos 7420之后，三星也計(jì)劃將在2016年年底進(jìn)入10nm制程技術(shù)量產(chǎn)新款處理器產(chǎn)品。而另一方面，預(yù)期今年第三季進(jìn)入16nm
2015-05-28 10:23:161272 三星本周宣布，將定于今年晚些時(shí)候投產(chǎn)第二代10nm芯片生產(chǎn)工藝。目前，三星已經(jīng)在美國硅谷開始向多個(gè)半導(dǎo)體公司推廣自家的14nm工藝。臺積電計(jì)劃在2017年上半年試產(chǎn)7nm工藝，目前有超過20家客戶正在洽談7nm工藝代工事宜。
2016-04-22 09:40:41677 臺積電和三星都將在明年規(guī)模量產(chǎn)10nm新工藝，高通、蘋果、三星、聯(lián)發(fā)科的下一代處理器自然都會蜂擁而上，搶占制高點(diǎn)，據(jù)說第一個(gè)將是聯(lián)發(fā)科的新十核Helio X30。
2016-07-15 10:30:591311 現(xiàn)在，關(guān)于下一代旗艦芯片驍龍830的消息也傳出。Qualcomm高通公司目前正在籌備下一代旗艦芯片驍龍830，我們已經(jīng)聽了很多關(guān)于它的消息，比如支持8GB運(yùn)存，型號或許會為MSM8998，由三星獨(dú)家代工，并且使用10nm制程工藝。
2016-10-12 10:07:131146 今日，三星電子正式宣布已經(jīng)開始大規(guī)模生產(chǎn)基于10nm FinFET技術(shù)的SoC，這是業(yè)界內(nèi)首家提供10nm工藝代工廠商。新工藝下的SoC性能可以提供27%，功耗將降低40%。
2016-10-17 14:07:011208 臺積電和三星電子的制程大戰(zhàn)打得如火如荼，據(jù)傳臺積電7nm制程有望提前在明年底量產(chǎn)，遠(yuǎn)遠(yuǎn)超前對手。三星電子不甘示弱，宣布10nm制程已經(jīng)率先進(jìn)入量產(chǎn)，領(lǐng)先同業(yè)。
2016-10-18 09:48:511079 
高通新一代芯片平臺驍龍830采用三星10nm FinFET 工藝，基于自研64位kyro架構(gòu)并實(shí)現(xiàn)七模全頻LTE，最高主頻逼近3GHz，而且驍龍835會對雙攝有更好的ISP支持方案，驍龍835會率先支持傳輸速率相比LPDDR4更快的LPDDR4x運(yùn)存，帶寬提升明顯。
2016-11-22 23:51:359080 網(wǎng)上對Galaxy S8的三大預(yù)測：1、Galaxy S8手機(jī)將配置8GB運(yùn)行內(nèi)存，內(nèi)存芯片采用三星自家10納米工藝制造；2、據(jù)高盛預(yù)測，由于原材料成本較高、安全性檢查等多因素影響，三星可能將Galaxy S8的零售價(jià)格提高15%-20%；3、2017年三星會推出6英寸的S8 Plus。
2016-12-26 11:26:391140 我們應(yīng)當(dāng)知道的是，三星目前還沒有推出很多10nm工藝的產(chǎn)品：只有三星自己的Exynos系列和三星為高通代工的835芯片是使用了三星的10nm工藝。
2017-05-09 08:24:35911 7月17日上午消息，三星今晨宣布，成功開發(fā)出業(yè)內(nèi)首款LPDDR5-6400內(nèi)存芯片，基于10nm級(10~20nm)工藝。據(jù)悉，該LPDDR5內(nèi)存芯片單顆容8Gb(1GB)，8GB容量的模組原型也做出并完成功能驗(yàn)證。
2018-07-17 10:15:015236 此外，三星還計(jì)劃在今年下半年批量生產(chǎn)基于第三代10nm 級(1z)工藝技術(shù)的16Gb LPDDR5產(chǎn)品，以配合6400Mb / s 芯片組的開發(fā)。這將有利于三星進(jìn)一步鞏固其在高端移動設(shè)備、高端個(gè)人電腦和汽車應(yīng)用程序等市場的競爭優(yōu)勢。
2020-02-25 18:39:173713 三星今日宣布，其位于韓國平澤的第二條生產(chǎn)線已開始量產(chǎn)業(yè)界首款采用極紫外光（EUV）技術(shù)的16Gb LPDDR5移動DRAM。新的16Gb LPDDR5基于三星第三代10nm級(1z)工藝打造，擁有當(dāng)下最高的移動產(chǎn)品內(nèi)置內(nèi)存性能和最大的容量。
2020-08-31 10:24:543513 LPDDR4、LPDDR3與LPDDR4X分別是什么？LPDDR4與LPDDR3區(qū)別是什么？LPDDR4X與LPDDR4區(qū)別是什么？
2021-06-18 07:59:30
如題降低lpddr4時(shí)鐘頻率為800M，使用lpddr4型號為MT53E1536M32D4DT-046
應(yīng)用MX8M_Plus_LPDDR4_RPA_v8.xlsx配置lpddr4如下
應(yīng)用工
2023-06-02 07:26:51
1080p視頻錄制。別忘了，三星GALAXY Grand還搭載一顆200萬像素的前置攝像頭?！ ∽詈?，三星GALAXY Grand其他規(guī)格還包括1GB運(yùn)行內(nèi)存，8GB的內(nèi)置存儲容量并支持SD擴(kuò)展，支持藍(lán)牙
2012-12-19 15:54:04
的存儲卡，那三星就是你的菜。三星公司的高端MicroSD存儲卡產(chǎn)品線Pro Plus最新推出128GB容量版本。天啊，還真不便宜！該款存儲卡起售價(jià)$199.99，對于一張存儲卡而言，這個(gè)定價(jià)可以算得
2015-12-16 11:31:26
較為激進(jìn)的技術(shù)路線，以挽回局面。
4 月 18 日消息，據(jù)韓媒《ChosunBiz》當(dāng)?shù)貢r(shí)間 16 日報(bào)道，三星電子在其 4nm 制程 HBM4 內(nèi)存邏輯芯片的初步測試生產(chǎn)中取得了40% 的良率，這高于
2025-04-18 10:52:53
三星電子近日在國際學(xué)會“IEDM 2015”上就20nm工藝的DRAM開發(fā)發(fā)表了演講。演講中稱，三星此次試制出了20nm工藝的DRAM，并表示可以“采用同樣的方法，達(dá)到10nm工藝”。 國際電子器件
2015-12-14 13:45:01
通過故障參考“DDR_imx8+_8GB”參考“Mscale_ddr_tool _v3.30”通過測試請參閱“LPDDR4_2000MHz_8GB”以獲取從 RPA excel for 8GB 內(nèi)存生成
2023-03-24 06:54:09
i.mx8m 加支持 lpddr4 和 lpddr4x
2023-04-21 06:11:49
臺積電與三星的10nm工藝。智能手機(jī)的普及，大大地改變了現(xiàn)代人們的生活方式，言猶在耳的那句廣告詞——“科技始終來自于人性”依舊適用，人們對于智能手機(jī)的要求一直是朝向更好、更快以及更省電的目標(biāo)。就像
2018-06-14 14:25:19
我們使用i.MX8MPlus運(yùn)行Windows 10 IoT系統(tǒng)，遇到了三星eMMC的兼容性問題。如何解決？詳情如下：1.使用三星/KLMAG1JETD-B041/16GB eMMC5.1無法運(yùn)行
2023-03-17 09:03:23
年收購電子芯片，收購電子IC，收購DDR ,收購集成電路芯片，收購內(nèi)存芯片，大量回收SDRAM、DRAM、SRAM、DDR內(nèi)存芯片系列，三星，現(xiàn)代，閃迪，金士頓，鎂光，東芝，南亞，爾必達(dá)，華邦等各原裝品牌。帝
2021-08-20 19:11:25
我需要幫助尋找用于 imx8m-plus 的替代可用 LPDDR4 6GB，因?yàn)橛糜陂_發(fā)板的 LPDDR4 不可用。
2023-05-09 07:33:34
開始生產(chǎn)。此舉也創(chuàng)下二次擊敗勁敵三星、獨(dú)吃蘋果處理器大單的新記錄，2017年?duì)I收持續(xù)增長基本沒什么問題。剛剛失去蘋果訂單的三星，日前宣布Note6將用上基于10nm工藝的6GB LPDDR4內(nèi)存，并將于今年下半年上市。這樣一來，臺積電和三星以及蘋果的性能之爭，就轉(zhuǎn)移到Note 6和iPhone 7身上。`
2016-07-21 17:07:54
2019年下半年開始了，新一代旗艦手機(jī)內(nèi)存容量越來越大，6GB只是起步，8GB才算是標(biāo)準(zhǔn)，而除了容量更大、頻率越高之外，手機(jī)內(nèi)存還有趨勢，那就是LPDDR4X類型的內(nèi)存越來越多，與標(biāo)準(zhǔn)的LPDDR4
2019-07-03 11:39:09
請幫助檢查MCIMX8DXL是否可以支持2GB LPDDR4解決方案？
2023-05-06 08:09:49
三星推出64GB moviNAND閃存芯片
三星近日公布了兩款采用新制程技術(shù)的閃存產(chǎn)品。其中moviNAND閃存芯片產(chǎn)品使用了三星最新的3xnm制程N(yùn)AND芯片，單片封裝的最大容量可達(dá)64GB
2010-01-14 17:00:041005 三星首家量產(chǎn)40nm級工藝4Gb DDR3綠色內(nèi)存芯片
三星電子宣布，該公司已經(jīng)在業(yè)內(nèi)第一家使用40nm級別工藝批量生產(chǎn)低功耗的4Gb DDR3內(nèi)存芯片。
這種內(nèi)存芯片支
2010-02-26 11:33:421106 2012年11月14日，中國上海 行業(yè)領(lǐng)先的閃存解決方案廠商Spansion公司（紐約證交所代碼： CODE）今天宣布推出業(yè)界首款45納米（nm）單芯片8Gb（千兆）NOR閃存產(chǎn)品。8Gb Spansion GL-T可提供高品質(zhì)
2012-11-15 09:04:23890 根據(jù)三星的官方描述這個(gè)存儲芯片已經(jīng)從原有的20nm制程進(jìn)入到10nm，并且新的 64GB eMMC Pro Class 2000 比前代產(chǎn)品在外觀上小20%，性能和勞動生產(chǎn)效率方面比前代產(chǎn)品提升了30%。
2012-11-15 15:34:531311 日前在深圳召開的2016三星移動解決方案論壇上，這家韓國OEM廠商宣布了最新的6GB LPDDR4內(nèi)存。和現(xiàn)有芯片和6GB內(nèi)存芯片最大的區(qū)別在于使用了最新的10nm制造生產(chǎn)工藝，承諾帶來更快更高效的內(nèi)存。
2016-05-23 15:20:391455 10nm主要針對低功耗移動芯片，下下個(gè)節(jié)點(diǎn)7nm才是高性能工藝，是首次突破10nm極限，也是三方爭搶的重點(diǎn)，TSMC及三星都準(zhǔn)備搶首發(fā)。
2016-05-30 11:53:531179 導(dǎo)語：聯(lián)發(fā)科和華為均已確定下一代處理器將采用10nm工藝制程，高通也緊追其后遞交10nm芯片樣品給客戶，據(jù)悉，高通10nm訂單均交給三星代工生產(chǎn)。
2016-07-28 19:00:27868 近日，三星電子宣布已經(jīng)開始采用10nm FinFET工藝量產(chǎn)邏輯芯片，三星也成為了業(yè)內(nèi)首家大規(guī)模采用10納米工藝的廠商。前段時(shí)間，韓國《電子時(shí)報(bào)》報(bào)道，高通的下一代旗艦處理器高通驍龍830（或835
2016-10-18 14:06:101450 據(jù)報(bào)道，三星超車臺積電，高通8日宣布全球首顆10nm服務(wù)器芯片已送客戶，搶攻長期由英特爾獨(dú)霸市場；高通10nm手機(jī)芯片也委由三星代工，但7nm訂單重返臺積電，臺積電仍是大贏家。
2016-12-09 10:38:52530 在 Samsung Electronics 之后，SK Hynix 也增加 8GB LPDDR4 產(chǎn)品。Samsung Electronics 是在 10 月 21 日公布智能手機(jī)用的 8GB
2016-12-22 09:40:382079 
現(xiàn)在有消息稱，三星的Galaxy S8有可能會采用8GB內(nèi)存和UFS 2.1閃存芯片，而今年的10月份，他們就曾發(fā)布公告稱，基于10nm工藝的首款8GB LPDDR4 DRAM成片。
2016-12-26 10:52:432687 上周，關(guān)于10nm工藝良率依舊不夠理想的消息在媒體傳開，據(jù)說影響到高通驍龍835、蘋果A10X（新iPad）等一眾新品。目前外界普遍傳言，三星確定在今年4月發(fā)布Galaxy S8，而不是2月底的MWC甚至1月的CES。
2016-12-26 11:17:25763 一直以來，三星的旗艦產(chǎn)品在配置方面幾乎都是頂級的，唯獨(dú)在運(yùn)存方面，今年三星的S系列和Note系列都只有4GB的運(yùn)存，或許在明年運(yùn)存將不再是三星手機(jī)的槽點(diǎn)，因?yàn)榻沼邢⒎Q三星Galaxy S8有可能會采用8GB內(nèi)存和UFS 2.1閃存芯片。
2016-12-27 09:08:45713 最近，三星和臺積電10nm良率低的傳言四起，10nm芯片供應(yīng)緊張，三星的產(chǎn)量根本無法滿足驍龍835的需要求，自家的Galaxy S8也跟著遭殃。
2016-12-28 09:33:141194 不知道大家是不是還記得在今年10月份左右的時(shí)候，有韓國媒體稱，三星一位高管因?yàn)橄蛑袊拘孤?4/10nm工藝機(jī)密而被警方逮捕，報(bào)道還稱三星將在Galaxy S8上首次使用10nm Exynos
2016-12-29 11:52:361913 特爾的10nm工藝可是要完全領(lǐng)先臺積電和三星的10nm工藝。
2017-01-09 11:46:041029 雖然摩爾定律即將走向終結(jié)，但半導(dǎo)體制程工藝推進(jìn)的腳步卻一直沒有停下過。臺積電和三星作為ARM芯片代工陣營的領(lǐng)軍企業(yè)，雙方你追我趕大打制程戰(zhàn)，已將制程工藝推進(jìn)至10nm，而高通聯(lián)發(fā)科等我們所熟知的IC
2017-01-11 10:49:114294 
三星Galaxy S8和蘋果的iPhone 8都將進(jìn)入10nm時(shí)代，兩者將分別搭載基于10nm工藝的驍龍835和A11芯片，不過現(xiàn)據(jù)臺媒《電子時(shí)報(bào)》報(bào)道，業(yè)內(nèi)10nm工藝陷入良品率不理想的困境，預(yù)計(jì)Galaxy S8和iPhone 8將出現(xiàn)供不應(yīng)求的情況，而由于三星S8發(fā)布更早，遭受的影響也更大。
2017-03-03 22:39:21679 三星是目前唯一宣布量產(chǎn)10nm芯片的代工廠，涉及驍龍835、Exynos 8895等移動SoC。
2017-03-15 08:30:35670 在三星Galaxy S8發(fā)布前，曾有消息稱，因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">10nm驍龍835良率的問題，導(dǎo)致備貨有限，S8要延期到4月底發(fā)售。
2017-03-31 08:32:28707 三星今天宣布，繼去年10月率先量產(chǎn)10nm工藝移動芯片后，日前已經(jīng)完成了第二代10nm的質(zhì)量驗(yàn)證工作，即將量產(chǎn)。
2017-04-22 01:08:12883 三星今天宣布，繼去年10月率先量產(chǎn)10nm工藝移動芯片后，日前已經(jīng)完成了第二代10nm的質(zhì)量驗(yàn)證工作，即將量產(chǎn)。下面就隨網(wǎng)絡(luò)通信小編一起來了解一下相關(guān)內(nèi)容吧。下面就隨半導(dǎo)體小編一起來了解一下相關(guān)內(nèi)容吧。
2017-04-23 10:19:411823 據(jù)韓媒報(bào)道，高通已經(jīng)與三星攜手，合作開發(fā)下一代手機(jī)處理器。繼去年10月份三星率先量產(chǎn)第一代10nm LPE（low-power early）工藝處理器后，日前已經(jīng)完成第二代10nm LPP
2017-04-25 10:39:02938 近日，有消息指出蘋果全新一代的A11處理器將會采用三星的10nm制程生產(chǎn)。目前業(yè)內(nèi)的頂端處理器，例如：高通驍龍835處理器和三星Exynos 8895處理器已經(jīng)率先使用10nm的工藝制程，而作為行業(yè)的佼佼者蘋果不可能放棄對10nm工藝制程的追求。
2017-04-26 08:42:103078 近日，有消息指出蘋果全新一代的A11處理器將會采用三星的10nm制程生產(chǎn)。目前業(yè)內(nèi)的頂端處理器，例如：高通驍龍835處理器和三星Exynos 8895處理器已經(jīng)率先使用10nm的工藝制程，而作為
2017-04-26 14:15:382852 今年安卓陣營的旗艦手機(jī)芯片當(dāng)屬高通驍龍835莫屬，驍龍835是首批量產(chǎn)的10nm手機(jī)芯片，并且還集成了下行速率高達(dá)1Gbps的基帶；目前在售搭載驍龍835的手機(jī)還較少，三星S8與小米6是較早采用驍龍
2017-05-16 11:40:481982 昨天上午，三星官方發(fā)言，宣稱已經(jīng)成功研制開發(fā)出全球第一個(gè)10nm 8-gigabit（Gb）LPDDR5 DRAM，并將在2019年批量生產(chǎn)。眾所周知，三星企業(yè)在批量生產(chǎn)8GB LPDDR4內(nèi)存之后，就已經(jīng)開始著手投入LPDDR5的研究。
2018-07-19 09:47:001824 三星利用二代10納米工藝研發(fā)出了全球最小的DRAM芯片—8Gb DDR4芯片。其中第二代10納米級芯片相比第一代速度提升10%。
2017-12-20 15:40:331582 據(jù)報(bào)道，三星第二代10nm級別的1y-nm 8Gb DDR4顆粒已經(jīng)正式投產(chǎn)了，8Gb DDR4顆粒采取了先進(jìn)的專用電路設(shè)計(jì)技術(shù)，比初代10nm級別（1x-nm）的高30%，并且高頻內(nèi)存要以3600MHz起步。
2017-12-21 11:42:513481 三星在DRAM市場的霸主再一次的得到了增強(qiáng)。據(jù)報(bào)道，三星利用第一代10nm 制程工藝研發(fā)出了8Gb DDR4 芯片，這是目前“全球最小”的 DRAM 芯片。
2017-12-21 13:49:012033 三星被人稱為世界最賺錢的公司之一，三星Q3凈利潤高達(dá)98.7億美元。近日三星又公布了第二代10納米級8Gb DDR4 DRAM芯片的消息，更是讓人羨慕不已。
2017-12-22 15:31:331812 業(yè)界首款16Gb GDDR6顯存芯片即將投入量產(chǎn)，傳可提供72GB/s的數(shù)據(jù)傳輸率，使用的是10nm級工藝，三星稱功耗會降低35%。
2018-01-19 14:34:371348 作為科技行業(yè)著名的“牙膏廠”，英特爾一直走在所有廠商前面。因?yàn)樗?b class="flag-6" style="color: red">10nm制程已經(jīng)跳票三年之久，每當(dāng)一款新的處理器發(fā)布，眾人翹首以待10nm的到來，可英特爾還是給用戶潑冷水，繼續(xù)跳票10nm工藝。
2018-06-15 15:53:006091 LPDDR5 存儲器的測試。市場預(yù)估，在三星推出 8GB LPDDR5 存儲器之后，在 2019 年問世的三星 Galaxy S10 智能型手機(jī)要用 8GB LPDDR5 存儲器應(yīng)該也就是在計(jì)劃中了。
2018-07-18 17:56:004088 作為DRAM芯片的龍頭企業(yè)，三星目前已經(jīng)能量產(chǎn)10nm級、最大容量16Gb的LPDDR4內(nèi)存、GDDR5顯存和DDR4內(nèi)存等。據(jù)報(bào)道，三星悄悄啟動了引入EUV（極紫外光）光刻工藝的DRAM內(nèi)存芯片研發(fā)，基于1ynm。
2018-06-25 09:09:001128 三星電子今天發(fā)布了一款全新的SSD固態(tài)硬盤，型號“PM883”，最大特點(diǎn)是第一次用上了LPDDR4內(nèi)存作為緩存顆粒。PM883面向數(shù)據(jù)數(shù)據(jù)中心市場，采用標(biāo)準(zhǔn)的2.5寸SATA規(guī)格，主控方案未知（估計(jì)是三星自家的），閃存是三星64層3D V-NAND顆粒，容量4TB、8TB兩種可選。
2018-06-26 16:07:0013654 最新LPDDR4預(yù)計(jì)將大幅加速全球大容量移動DRAM的推廣應(yīng)用。12Gb LPDDR4實(shí)現(xiàn)了DRAM芯片的最大容量和最高速度，能帶來出色的能源效率、可靠性和設(shè)計(jì)便捷性，這些功能對于開發(fā)新一代移動設(shè)備而言至關(guān)重要。
2018-07-10 11:00:003292 三星17日宣布，量產(chǎn)首批8GB LPDDR5存儲器顆粒，速率可達(dá)6,400Mbps，比現(xiàn)有LPDDR4-4266存儲器快了50%，同時(shí)功耗降低30%，三星現(xiàn)在已經(jīng)完成了8GB LPDDR5存儲器的測試。
2018-07-20 10:39:445216 根據(jù)報(bào)道，三星第二代10nm級別工藝的LPDDR4X內(nèi)存已經(jīng)量產(chǎn)，相比第一代，雖然性能沒有提升，但是功耗再降10％，可使手機(jī)平板等移動設(shè)備更省電。
2018-07-26 16:56:231229 12月20日，三星宣布已開始量產(chǎn)第二代10nm級8Gb DDR4 DRAM，并持續(xù)擴(kuò)大整體10nm級DRAM的生產(chǎn)，有助于滿足全球不斷飆升的DRAM芯片需求，繼續(xù)加強(qiáng)三星市場競爭力。
2018-07-31 14:55:251102 三星宣布推出基于10nm級（指10~18nm）的DDR4 SO-DIMM內(nèi)存模組，用于高性能筆記本產(chǎn)品。新的內(nèi)存模組容量達(dá)到32GB單條，頻率2666MHz，結(jié)構(gòu)上是由16個(gè)16Gb DDR4
2018-08-06 16:38:015722 三星宣布成功開發(fā)業(yè)界首款10nm級8Gb LPDDR5 DRAM。自從2014年8Gb LPDRD4投入量產(chǎn)以來，三星就開始向LPDDR5標(biāo)準(zhǔn)過渡。LPDDR5 DRAM芯片主要應(yīng)用于移動設(shè)備如手機(jī)、平板、二合一電腦等，5G和AI將是其主要應(yīng)用領(lǐng)域。
2018-08-08 15:22:281625 如之前預(yù)告的那樣，在三星開始量產(chǎn)基于第二代 10nm 制程的 8Gb DDR4 RAM 芯片后不久，16Gb 的 GDDR6 內(nèi)存芯片現(xiàn)在也已經(jīng)拍馬趕到了。早些時(shí)候官方公布了開始大規(guī)模量產(chǎn)這款零件
2018-08-13 11:16:004093 4月25日，三星電子宣布已開始批量生產(chǎn)汽車用10nm級16Gb LPDDR4X DRAM。這款最新的LPDDR4X產(chǎn)品具備高性能，同時(shí)還顯著提高需要在極端環(huán)境下工作的汽車應(yīng)用的耐熱性水平。這款
2018-08-23 15:48:262837 三星電子發(fā)布了其第一款5G基帶處理器Exynos Modem 5100，據(jù)稱這是世界上首款完全兼容3GPP Release 15的5G基帶芯片。這款基于10nm工藝的基帶芯片能夠在單芯片上支持5G及傳統(tǒng)移動服務(wù)（全網(wǎng)通）。
2018-08-29 16:27:374671 半導(dǎo)體公司已經(jīng)將樣品出貨給客戶，并預(yù)計(jì)在年底量產(chǎn)。 LPDDR3 是當(dāng)前最快移動 DRAM，常常被應(yīng)用在三星 Galaxy S4 之類的高端智能手機(jī)上。早在今年 4 月份，三星宣稱自己成為首家量產(chǎn) 4Gb
2018-10-28 00:44:011156 晶圓代工領(lǐng)域10nm已成分水嶺，隨著英特爾的10nm制程久攻不下，聯(lián)電和格芯相繼擱置7nm及以下先進(jìn)制程的研發(fā)后，10nm以下的代工廠中只有三星在繼續(xù)與臺積電拼刺刀。
2018-11-16 10:37:374463 三星電子今天宣布，開始量產(chǎn)業(yè)界首款、采用第二代10nm工藝（1y-nm）級別的DRAM芯片。
2018-12-11 09:40:551196 3月21日，三星電子宣布開發(fā)出業(yè)內(nèi)首款基于第三代10nm級工藝的DRAM內(nèi)存芯片，將服務(wù)于高端應(yīng)用場景，這距離三星量產(chǎn)1y nm 8Gb DDR4內(nèi)存芯片僅過去16個(gè)月。
2019-03-21 16:43:083840 ，動態(tài)隨機(jī)存取存儲器）。自開始批量生產(chǎn)第二代10nm級（1y-nm）8Gb DDR4以來僅僅16個(gè)月，三星不再使用Extreme Ultra-Violet（EUV）處理的情況下開發(fā)1z-nm 8Gb DDR4，說明三星突破了DRAM的擴(kuò)展極限。
2019-03-21 17:30:542123 三星電子宣布開發(fā)出業(yè)內(nèi)首款基于第三代10nm級工藝的DRAM內(nèi)存芯片，將服務(wù)于高端應(yīng)用場景，這距離三星量產(chǎn)1y nm 8Gb DDR4內(nèi)存芯片僅過去16個(gè)月。
2019-03-24 11:36:164320 關(guān)鍵詞：DRAM , DDR4 三星電子宣布開發(fā)出業(yè)內(nèi)首款基于第三代10nm級工藝的DRAM內(nèi)存芯片，將服務(wù)于高端應(yīng)用場景，這距離三星量產(chǎn)1y nm 8Gb DDR4內(nèi)存芯片僅過去16個(gè)月。量產(chǎn)時(shí)間
2019-03-29 07:52:01592 三星電子有限公司（Samsung Electronics）在其官網(wǎng)上發(fā)布消息，該公司正式宣布，首次開發(fā)了第三代 10nm 制程工藝（1z-nm）8GB 超高性能和高功效的 DRAM（Dynamic Random Access Memory，動態(tài)隨機(jī)存取存儲器）。
2019-09-27 17:23:291500 10月24日，三星電子宣布，在業(yè)內(nèi)率先開始量產(chǎn)12GB容量、基于UFS的LPDDR4X多芯片內(nèi)存。
2019-11-27 17:20:061305 三星電子今天宣布已經(jīng)開始大規(guī)模生產(chǎn)業(yè)內(nèi)第一個(gè)16GB 的 LPDDR5移動 DRAM 封裝，基于三星第二代10nm級工藝技術(shù)，可提供業(yè)界最高的性能和最大的容量，用于下一代高端智能手機(jī)。繼2019年7
2020-02-25 13:48:202465 根據(jù)外媒WCCFTECH的報(bào)道，爆料消息稱英偉達(dá)的下一代GPU架構(gòu)將基于三星10nm制程，而不是之前報(bào)道的臺積電7nm工藝，據(jù)稱使用的10nm制程更接近于三星提供的8LPP技術(shù)，另外新的Tegra芯片也將使用相同的制程。
2020-03-12 16:28:463370 EUV，依靠現(xiàn)有的DUV（深紫外光刻）是玩不轉(zhuǎn)的。 有意思的是，三星最近竟然將EUV與相對上古的10nm工藝結(jié)合，用于量產(chǎn)旗下首批16Gb容量的LPDDR5內(nèi)存芯片。 據(jù)悉，三星的新一代內(nèi)存芯片是基于第三代10nm級（1z）工藝打造，請注意16Gb容量的后綴，是Gb而不是GB，16Gb對應(yīng)的其實(shí)是
2020-09-01 14:00:293544 三星宣布量產(chǎn)業(yè)內(nèi)首款12Gb LPDDR5，距離12Gb LPDDR4X量產(chǎn)僅僅5個(gè)月的時(shí)間，三星將晚些時(shí)候開始大規(guī)模生產(chǎn)基于8個(gè)12Gb芯片封裝的12GB LPDDR5產(chǎn)品，2020年開發(fā)16Gb LPDDR5，以鞏固其在全球DRAM市場的競爭優(yōu)勢。
2020-07-30 11:28:481789 LPDDR4 緩存、2TB 版本搭載 2GB LPDDR4 緩存、4TB 版本搭載 4GB LPDDR4 緩存。 速度方面，三星 870 EVO 連續(xù)讀取速度 560MB/s，連續(xù)寫入速度 530MB/s，隨機(jī)讀取速度分別為 98k 和 88k IOPS。 目前，三星尚未公布何時(shí)發(fā)
2021-01-19 17:52:314572 三星8GB LPDDR3 SDRAM產(chǎn)品規(guī)格書
2021-06-03 09:49:46
41 與LPDDR4X規(guī)格標(biāo)準(zhǔn)的combo PHY。這個(gè)基于三星14LPC FinFET工藝的IP解決方案已通過硅驗(yàn)證，不但面積小且功耗低，傳輸速度更可達(dá)4.2Gbps，特別適用于多媒體、AR/VR、AI邊緣計(jì)算、AIoT、IIoT、機(jī)器人、多功能打印機(jī)、SSD、5G與網(wǎng)絡(luò)通訊等各式ASIC應(yīng)用。
2021-06-30 14:08:083164 LPDDR4是什么意思？LPDDR4X內(nèi)存是什么意思？ LPDDR4和LPDDR4X內(nèi)存是目前市面上最為先進(jìn)和流行的手機(jī)和移動設(shè)備內(nèi)存。 該內(nèi)存是針對移動設(shè)備而設(shè)計(jì)的，因?yàn)橐苿釉O(shè)備要求更高、更快
2023-08-21 17:16:4412273 深圳2024年8月6日?/美通社/ -- 2024年8月6日，三星電子今日宣布其業(yè)內(nèi)最薄的12納米(nm)級LPDDR5X DRAM（內(nèi)存）開始量產(chǎn)，支持12GB和16GB容量。這將進(jìn)一步鞏固三星在
2024-08-06 08:32:461003 三星 K4F6E3S4HM-MGCJ LPDDR4
2025-07-21 14:47:090
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