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芯長征科技

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新能源汽車電池管理系統(tǒng)有什么功能

BMS,即電池管理系統(tǒng)(Battery Management System),其主要功能是智能化管理....
的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 10-23 14:17 ?562次閱讀
新能源汽車電池管理系統(tǒng)有什么功能

ESD和EOS失效模式介紹

ESD(Electro Static Discharge靜電釋放)與EOS(Electrical O....
的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 10-23 14:13 ?126次閱讀
ESD和EOS失效模式介紹

詳解電容濾波與電感濾波的區(qū)別

在電子電路中,常常會用到濾波電路,尤其是電源芯片,有的是電容濾波,有的是電感濾波,電容和電感濾波的作....
的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 10-23 14:10 ?2030次閱讀
詳解電容濾波與電感濾波的區(qū)別

MOSFET的原理、特性及參數(shù)

MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Tran....
的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 10-23 13:56 ?2404次閱讀
MOSFET的原理、特性及參數(shù)

磁環(huán)基礎(chǔ)知識大全

磁環(huán)是一塊環(huán)狀的導(dǎo)磁體,是用于抑制電磁干擾的磁性元件,常用于各種電子設(shè)備中。它通常是由鐵氧體、釹鐵硼....
的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 10-14 15:34 ?358次閱讀
磁環(huán)基礎(chǔ)知識大全

汽車電子ECU防反接電路設(shè)計方案解析

汽車電氣系統(tǒng)以蓄電池為核心供電來源,正常工作時需維持正負(fù)極正確連接。若因操作失誤(如維修時蓄電池接線....
的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 10-14 15:31 ?2361次閱讀
汽車電子ECU防反接電路設(shè)計方案解析

解析GaN-MOSFET的結(jié)構(gòu)設(shè)計

GaN-MOSFET 的結(jié)構(gòu)設(shè)計中,p-GaN gate(p 型氮化鎵柵) 和Cascode(共源共....
的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 10-14 15:28 ?211次閱讀
解析GaN-MOSFET的結(jié)構(gòu)設(shè)計

48V機器人關(guān)節(jié)控制器的拆解分析

最近機器人非?;穑藐P(guān)節(jié)控制器和底盤執(zhí)行器例如轉(zhuǎn)向控制等比較類似,拆解了一款,簡單分析了一下。
的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 10-14 15:25 ?313次閱讀
48V機器人關(guān)節(jié)控制器的拆解分析

英飛凌功率晶體管的短路耐受性測試

本文將深入探討兩種備受矚目的功率晶體管——英飛凌的 CoolGaN(氮化鎵高電子遷移率晶體管)和 O....
的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 10-07 11:55 ?2702次閱讀
英飛凌功率晶體管的短路耐受性測試

電動汽車高壓預(yù)充的實現(xiàn)方案

關(guān)于電動汽車高壓預(yù)充的實現(xiàn)方案大家都比較了解哈,目前總結(jié)起來大概有三種實現(xiàn)方案;第一種就是常見的預(yù)充....
的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 10-07 11:02 ?3898次閱讀
電動汽車高壓預(yù)充的實現(xiàn)方案

芯長征邀您相約PCIM Asia Shanghai 2025

9 月 24 - 26 日,上海新國際博覽中心將舉辦 PCIM Asia Shanghai 2025....
的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 09-10 09:52 ?498次閱讀

芯片研發(fā)過程中的兩種流片方式

芯片在研發(fā)過程中一般包含4個階段:芯片設(shè)計、生產(chǎn)樣片、測試驗證和大規(guī)模量產(chǎn)。在完成芯片設(shè)計后,工程師....
的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 09-09 15:04 ?685次閱讀
芯片研發(fā)過程中的兩種流片方式

DC-DC轉(zhuǎn)換器在新能源汽車上的應(yīng)用

簡單來說,新能源汽車上的DC-DC轉(zhuǎn)換器是一個“降壓型電壓變換器”。其主要作用是將動力電池的高壓直流....
的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 09-02 15:05 ?3423次閱讀
DC-DC轉(zhuǎn)換器在新能源汽車上的應(yīng)用

新能源汽車高壓架構(gòu)詳解

應(yīng)讀者建議,講一下高壓電氣架構(gòu),花了一點時間做了一些圖,便于直觀理解,分析一下高壓架構(gòu)的發(fā)展歷程和趨....
的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 09-02 15:01 ?2064次閱讀
新能源汽車高壓架構(gòu)詳解

淺談SiC MOSFET器件的短路耐受能力

SiC MOSFET器件的短路耐受能力,在高壓和低壓應(yīng)用是有所不同的,在耐受時間上通常在?2-7μs....
的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 09-02 14:56 ?539次閱讀
淺談SiC MOSFET器件的短路耐受能力

IGBT短路失效分析

短路失效網(wǎng)上已經(jīng)有很多很詳細(xì)的解釋和分類了,但就具體工作中而言,我經(jīng)常遇到的失效情況主要還是發(fā)生在脈....
的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 08-21 11:08 ?3484次閱讀
IGBT短路失效分析

鋰離子電池?zé)崾Э氐倪^程解析

電池?zé)崾Э?TR,Thermal Runaway)一旦觸發(fā),在適當(dāng)條件下會迅速演化為起火、爆炸,甚至....
的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 08-21 11:06 ?1529次閱讀
鋰離子電池?zé)崾Э氐倪^程解析

三種功率器件的區(qū)別解析

600-650V功率器件是Si SJ MOS(又稱Si 超結(jié)MOS),SiC MOS和GaN HEM....
的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 08-16 16:29 ?3020次閱讀
三種功率器件的區(qū)別解析

理想i8的LPM功率模塊設(shè)計解析

理想汽車自研的LPM(Li Power Module)高壓碳化硅(SiC)功率模塊是其純電戰(zhàn)略的核心....
的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 08-16 16:26 ?5154次閱讀
理想i8的LPM功率模塊設(shè)計解析

芯長征多款功率器件亮相長城汽車技術(shù)交流日

近日,2025年走進(jìn)長城汽車技術(shù)交流日在保定長城總部熱力開啟。作為車規(guī)功率半導(dǎo)體領(lǐng)跑者,芯長征攜多款....
的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 08-08 17:52 ?2544次閱讀

電池儲能系統(tǒng)的性能指標(biāo)

電池儲能系統(tǒng)需要關(guān)注的性能指標(biāo)主要包括兩個方面,一是與能量的存儲能力及有效利用有關(guān),即與容量有關(guān);另....
的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 07-18 11:51 ?1049次閱讀
電池儲能系統(tǒng)的性能指標(biāo)

CMOS工藝中方塊電阻的主要類型和測試方法

電阻的測試分為方塊電阻和接觸電阻,方塊電阻是電路設(shè)計的重要組成部分,其阻值準(zhǔn)確性嚴(yán)重影響電路的性能,....
的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 07-15 14:33 ?1561次閱讀
CMOS工藝中方塊電阻的主要類型和測試方法

一文詳解NMOS與PMOS晶體管的區(qū)別

在電子世界的晶體管家族中,NMOS(N 型金屬 - 氧化物 - 半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)與 PMOS(P....
的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 07-14 17:05 ?13678次閱讀
一文詳解NMOS與PMOS晶體管的區(qū)別

先進(jìn)封裝中的RDL技術(shù)是什么

前面分享了先進(jìn)封裝的四要素一分鐘讓你明白什么是先進(jìn)封裝,今天分享一下先進(jìn)封裝四要素中的再布線(RDL....
的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 07-09 11:17 ?2115次閱讀
先進(jìn)封裝中的RDL技術(shù)是什么

GAN功率器件在機器人上的應(yīng)用實踐

GaN器件當(dāng)前被稱作HEMT(高電子遷移率晶體管),此類高電子遷移率的晶體管應(yīng)用于諸多電子設(shè)備中,如....
的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 07-09 11:13 ?2822次閱讀
GAN功率器件在機器人上的應(yīng)用實踐

車燈電子系統(tǒng)的DC-DC電源技術(shù)解析

從電源設(shè)計到照明控制,車燈電子系統(tǒng)的每一個環(huán)節(jié)都蘊含著豐富的技術(shù)原理,而 DC-DC 電源技術(shù)更是其....
的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 06-28 10:48 ?1492次閱讀
車燈電子系統(tǒng)的DC-DC電源技術(shù)解析

半導(dǎo)體WAT測試的常見結(jié)構(gòu)

WAT(Wafer Acceptance Test)測試,也叫PCM(Process Control....
的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 06-28 10:26 ?2446次閱讀
半導(dǎo)體WAT測試的常見結(jié)構(gòu)

MCU為什么不能直接驅(qū)動大功率MOS管

在設(shè)計驅(qū)動電路時,經(jīng)常會用到MOS管做開關(guān)電路,而在驅(qū)動一些大功率負(fù)載時,主控芯片并不會直接驅(qū)動大功....
的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 06-06 10:27 ?2353次閱讀
MCU為什么不能直接驅(qū)動大功率MOS管

碳化硅MOS驅(qū)動電壓如何選擇

碳化硅MOS驅(qū)動電壓選擇15V還是18V,是電力電子設(shè)計中的關(guān)鍵權(quán)衡問題。這兩種電壓對器件的導(dǎo)通損耗....
的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 06-04 09:22 ?1103次閱讀
碳化硅MOS驅(qū)動電壓如何選擇

MOSFET熱阻參數(shù)解讀

MOSFET的熱阻(Rth)用來表征器件散熱的能力,即芯片在工作時內(nèi)部結(jié)產(chǎn)生的熱量沿著表面金屬及塑封....
的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 06-03 15:30 ?1436次閱讀
MOSFET熱阻參數(shù)解讀