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電子發(fā)燒友網(wǎng)>今日頭條>SK海力士M16新廠竣工,將引進(jìn)EUV光刻設(shè)備

SK海力士M16新廠竣工,將引進(jìn)EUV光刻設(shè)備

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全球首款HBM4量產(chǎn):2.5TB/s帶寬超越JEDEC標(biāo)準(zhǔn),AI存儲(chǔ)邁入新紀(jì)元

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文 / 吳子鵬)近日,SK 海力士宣布全球率先完成第六代高帶寬存儲(chǔ)器(HBM4)的開發(fā),并同步進(jìn)入量產(chǎn)階段,成為首家向英偉達(dá)等核心客戶交付 HBM4 的存儲(chǔ)廠商。 ? 據(jù)悉,SK
2025-09-17 09:29:085963

SK海力士宣布量產(chǎn)HBM4芯片,引領(lǐng)AI存儲(chǔ)新變革

在人工智能(AI)技術(shù)迅猛發(fā)展的當(dāng)下,數(shù)據(jù)處理與存儲(chǔ)能力成為制約其進(jìn)一步飛躍的關(guān)鍵因素。2025 年 9 月 12 日,韓國(guó)半導(dǎo)體巨頭 SK 海力士宣布,已成功完成面向 AI 的超高性能存儲(chǔ)器新產(chǎn)品
2025-09-16 17:31:141363

【「AI芯片:科技探索與AGI愿景」閱讀體驗(yàn)】+半導(dǎo)體芯片產(chǎn)業(yè)的前沿技術(shù)

加工技術(shù),。光刻機(jī)是光刻技術(shù)的核心設(shè)備,它的性能直接決定了芯片制造的良率和成本。 光刻技術(shù)的基本原理是利用光的照射圖形轉(zhuǎn)移到光致抗?jié)釀┍∧ど稀?光刻技術(shù)的關(guān)鍵指標(biāo)的分辨率。 光刻技術(shù)的難點(diǎn)在于需要
2025-09-15 14:50:58

美對(duì)華芯片管制再升級(jí)!

當(dāng)?shù)貢r(shí)間 8 月 29 日,根據(jù)美國(guó)《聯(lián)邦公報(bào)》發(fā)布的通知顯示,美國(guó)商務(wù)部工業(yè)與安全局(BIS)修訂《出口管理?xiàng)l例》(EAR),英特爾半導(dǎo)體(大連)有限公司(已被 SK 海力士收購(gòu),按原計(jì)劃今年
2025-09-02 17:40:11655

美撤銷三家在華半導(dǎo)體企業(yè)授權(quán) 包括英特爾 SK海力士 三星

據(jù)央視報(bào)道;在8月29日,美國(guó)商務(wù)部撤銷英特爾半導(dǎo)體(大連)、三星中國(guó)半導(dǎo)體及SK海力士半導(dǎo)體(中國(guó))的經(jīng)驗(yàn)證最終用戶授權(quán)。中方商務(wù)部回應(yīng)稱美方此舉系出于一己之私;美方將出口管制工具化,將對(duì)全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈供應(yīng)鏈穩(wěn)定產(chǎn)生重要不利影響,中方對(duì)此表示反對(duì)。 ?
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澤攸科技ZEL304G電子束光刻機(jī)(EBL)是一款高性能、高精度的光刻設(shè)備,專為半導(dǎo)體晶圓的高速、高分辨率光刻需求設(shè)計(jì)。該系統(tǒng)采用先進(jìn)的場(chǎng)發(fā)射電子槍,結(jié)合一體化的高速圖形發(fā)生系統(tǒng),確保光刻質(zhì)量?jī)?yōu)異且
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SK海力士高管預(yù)測(cè):HBM將以每年30%速度增長(zhǎng)

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強(qiáng)強(qiáng)合作 Sandisk閃迪與SK海力士攜手推動(dòng)高帶寬閃存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化

Sandisk閃迪公司(NASDAQ:SNDK)正式宣布與SK海力士簽署具有里程碑意義的諒解備忘錄(Memorandum of Understanding,MOU),雙方攜手制定高帶寬閃存
2025-08-08 13:37:381847

SK海力士:HBM貢獻(xiàn)半數(shù)利潤(rùn),年內(nèi)供應(yīng)LPDDR服務(wù)器模組

電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道,SK海力士截至2025年6月30日的2025財(cái)年第二季度財(cái)務(wù)報(bào)告顯示,公司2025財(cái)年第二季度營(yíng)業(yè)收入為22.232萬(wàn)億韓元,營(yíng)業(yè)利潤(rùn)為9.2129萬(wàn)億韓元,凈利潤(rùn)為
2025-08-07 09:30:066211

今日看點(diǎn)丨佳能再開新光刻機(jī)工廠;中國(guó)移動(dòng)首款全自研光源芯片研發(fā)成功

總建筑面積為67518平方米,總投資額約500億日元,投產(chǎn)后佳能的光刻設(shè)備產(chǎn)能將較2021年翻倍。該工廠將于今年9月啟動(dòng)最初生產(chǎn),明后年補(bǔ)充鏡頭加工制造能力。 ? 佳能宇都宮工廠不制造EUV、ArF等較為先進(jìn)的光刻設(shè)備,而是聚焦i線、KrF等成熟光源
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佳能9月啟用新光刻機(jī)工廠,主要面向成熟制程及封裝應(yīng)用

與成熟制程市場(chǎng)提供更多設(shè)備產(chǎn)能支持。 據(jù)介紹,這座新工廠是佳能在 2023 年開始動(dòng)工建設(shè)的,并可能使用自家開發(fā)的 Nanoimprint (納米壓印) 技術(shù),總投資額超過 500 億日元,涵蓋廠房與先進(jìn)制造設(shè)備。新廠面積達(dá) 6.75 萬(wàn)平方公尺,投產(chǎn)后將使光刻設(shè)備總產(chǎn)能提
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近日,SK集團(tuán)旗下在錫三家ICT企業(yè),SK海力士半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司,英普賽信息技術(shù)(無(wú)錫)有限公司,愛思開希恩希系統(tǒng)(北京)有限公司在旺莊街道建發(fā)社區(qū)籌建組社區(qū)黨群服務(wù)中心舉行SK海力士幸福未來(lái)教育成長(zhǎng)中心2號(hào)店啟動(dòng)儀式。
2025-07-24 11:38:17838

中科院微電子所突破 EUV 光刻技術(shù)瓶頸

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2025-07-22 17:20:36956

SK海力士的未來(lái)愿景

1969年,40萬(wàn)名科技工作者憑借堅(jiān)韌不拔的協(xié)作精神,成功完成登月計(jì)劃“阿波羅11號(hào)任務(wù)”,開啟了人類探索宇宙的新紀(jì)元。2003年,來(lái)自6個(gè)國(guó)家20多家研究機(jī)構(gòu)的科學(xué)家,歷經(jīng)13年通力合作,完成了“人類基因組計(jì)劃”,重塑了現(xiàn)代醫(yī)學(xué)格局。當(dāng)人類團(tuán)結(jié)一心,便能夠不斷創(chuàng)造新的輝煌。
2025-07-21 15:57:13742

國(guó)產(chǎn)光刻膠突圍,日企壟斷終松動(dòng)

厚膠量產(chǎn)到ArF浸沒式膠驗(yàn)證,從樹脂國(guó)產(chǎn)化到EUV原料突破,一場(chǎng)靜默卻浩蕩的技術(shù)突圍戰(zhàn)已進(jìn)入深水區(qū)。 ? 例如在248nm波長(zhǎng)的KrF光刻膠武漢太紫微的T150A膠以120nm分辨率和93.7%的良率通過中芯國(guó)際28nm產(chǎn)線驗(yàn)證,開創(chuàng)了國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體光刻制造的新
2025-07-13 07:22:006083

SK海力士321層4D NAND的誕生

SK海力士致力于成為“全方位面向AI的存儲(chǔ)器供應(yīng)商(Full Stack AI Memory Provider)”,不僅在DRAM領(lǐng)域持續(xù)創(chuàng)新,在NAND閃存(NAND Flash,以下簡(jiǎn)稱NAND
2025-07-10 11:37:591508

SK海力士在微細(xì)工藝技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先實(shí)力

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2025-07-03 12:29:501593

壓電納米技術(shù)如何輔助涂膠顯影設(shè)備實(shí)踐精度突圍

圓進(jìn)行處理,曝光形成的光刻圖案顯影出來(lái)。整個(gè)流程對(duì)設(shè)備性能要求極高,需要在毫秒級(jí)的時(shí)間內(nèi)完成響應(yīng),同時(shí)確保納米級(jí)的操作精度,如此才能保證光刻工藝的準(zhǔn)確性與穩(wěn)定性,進(jìn)而保障半導(dǎo)體器件的制造質(zhì)量。 (注:圖片
2025-07-03 09:14:54770

你買的電源連接器 5 芯 M16 接口有哪些類別?

剛接觸電子設(shè)備安裝那會(huì),我總在為選對(duì)連接器犯難。曾在組裝一套戶外監(jiān)控設(shè)備時(shí),因選錯(cuò)連接器類型,設(shè)備沒用多久就出現(xiàn)連接不穩(wěn)定的問題。后來(lái)接觸到惟興科技電源連接器 5 芯 M16 接口的產(chǎn)品,才發(fā)現(xiàn)
2025-06-30 15:59:18513

改善光刻圖形線寬變化的方法及白光干涉儀在光刻圖形的測(cè)量

的應(yīng)用。 改善光刻圖形線寬變化的方法 優(yōu)化曝光工藝參數(shù) 曝光是決定光刻圖形線寬的關(guān)鍵步驟。精確控制曝光劑量,可避免因曝光過度導(dǎo)致光刻膠過度反應(yīng),使線寬變寬;或曝光不足造成線寬變窄。采用先進(jìn)的曝光設(shè)備,如極紫外(EUV光刻機(jī)
2025-06-30 15:24:55739

改善光刻圖形垂直度的方法及白光干涉儀在光刻圖形的測(cè)量

引言 在半導(dǎo)體制造與微納加工領(lǐng)域,光刻圖形的垂直度對(duì)器件的電學(xué)性能、集成密度以及可靠性有著重要影響。精準(zhǔn)控制光刻圖形垂直度是保障先進(jìn)制程工藝精度的關(guān)鍵。本文系統(tǒng)介紹改善光刻圖形垂直度的方法,并
2025-06-30 09:59:13489

ASML官宣:更先進(jìn)的Hyper NA光刻機(jī)開發(fā)已經(jīng)啟動(dòng)

是 ASML 在極紫外光刻EUV)技術(shù)基礎(chǔ)上的革命性升級(jí)。通過光學(xué)系統(tǒng)的數(shù)值孔徑(NA)從 0.33 提升至 0.55,其分辨率從 13.5nm(半節(jié)距)躍升至 8nm(半節(jié)
2025-06-29 06:39:001916

HY-M8&M16 動(dòng)態(tài)信號(hào)測(cè)試分析系統(tǒng)介紹

HY-M8&M16動(dòng)態(tài)信號(hào)測(cè)試分析系統(tǒng)介紹 HY-M8/16是一款西安環(huán)測(cè)自動(dòng)化技術(shù)有限公司高性能數(shù)據(jù)采集分析的動(dòng)態(tài)信號(hào)測(cè)試分析系統(tǒng)主機(jī)。系統(tǒng)采用LAN接口和計(jì)算機(jī)進(jìn)行通訊,機(jī)箱可
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針對(duì)晶圓上芯片工藝的光刻膠剝離方法及白光干涉儀在光刻圖形的測(cè)量

引言 在晶圓上芯片制造工藝中,光刻膠剝離是承上啟下的關(guān)鍵環(huán)節(jié),其效果直接影響芯片性能與良率。同時(shí),光刻圖形的精確測(cè)量是保障工藝精度的重要手段。本文介紹適用于晶圓芯片工藝的光刻膠剝離方法,并探討白光
2025-06-25 10:19:48815

SK海力士HBM技術(shù)的發(fā)展歷史

SK海力士在鞏固其面向AI的存儲(chǔ)器領(lǐng)域領(lǐng)導(dǎo)地位方面,HBM1無(wú)疑發(fā)揮了決定性作用。無(wú)論是率先開發(fā)出全球首款最高性能的HBM,還是確立并保持其在面向AI的存儲(chǔ)器市場(chǎng)的領(lǐng)先地位,這些成就的背后皆源于SK海力士秉持的“一個(gè)團(tuán)隊(duì)”協(xié)作精神(One Team Spirit)。
2025-06-18 15:31:021666

MEMS制造領(lǐng)域中光刻Overlay的概念

在 MEMS(微機(jī)電系統(tǒng))制造領(lǐng)域,光刻工藝是決定版圖中的圖案能否精確 “印刷” 到硅片上的核心環(huán)節(jié)。光刻 Overlay(套刻精度),則是衡量光刻機(jī)將不同層設(shè)計(jì)圖案對(duì)準(zhǔn)精度的關(guān)鍵指標(biāo)。光刻 Overlay 指的是芯片制造過程中,前后兩次光刻工藝形成的電路圖案之間的對(duì)準(zhǔn)精度。
2025-06-18 11:30:491557

用于 ARRAY 制程工藝的低銅腐蝕光刻膠剝離液及白光干涉儀在光刻圖形的測(cè)量

至關(guān)重要。本文介紹用于 ARRAY 制程工藝的低銅腐蝕光刻膠剝離液,并探討白光干涉儀在光刻圖形測(cè)量中的應(yīng)用。 用于 ARRAY 制程工藝的低銅腐蝕光刻膠剝離液 配方設(shè)計(jì) 低銅腐蝕光刻膠剝離液需兼顧光刻膠溶解能力與銅保護(hù)性能。其主要成分包括有機(jī)溶
2025-06-18 09:56:08693

全自動(dòng)mask掩膜板清洗機(jī)

聲波振蕩、等離子體處理和超臨界干燥,確保掩膜板圖案的完整性與光刻精度。該設(shè)備適用于EUV(極紫外光刻)、ArF(氟化氬光刻)及傳統(tǒng)光刻工藝,支持6寸至30寸掩膜板的
2025-06-17 11:06:03

低含量 NMF 光刻膠剝離液和制備方法及白光干涉儀在光刻圖形的測(cè)量

測(cè)量對(duì)工藝優(yōu)化和產(chǎn)品質(zhì)量控制至關(guān)重要。本文探討低含量 NMF 光刻膠剝離液及其制備方法,并介紹白光干涉儀在光刻圖形測(cè)量中的應(yīng)用。 低含量 NMF 光刻膠剝離液及制備方法 配方組成 低含量 NMF 光刻膠剝離液主要由低濃度 NMF、助溶劑、堿性物質(zhì)、緩蝕劑
2025-06-17 10:01:01678

為什么光刻要用黃光?

通過使用光掩膜和光刻膠在基板上復(fù)制流體圖案的過程?;?b class="flag-6" style="color: red">將涂覆硅二氧化層絕緣層和光刻膠。光刻膠在被紫外光照射后可以容易地用顯影劑溶解,然后在腐蝕后,流體圖案留在基板上。無(wú)塵室(Cleanroom)排除掉空間范圍內(nèi)空氣中的微
2025-06-16 14:36:251070

減少光刻膠剝離工藝對(duì)器件性能影響的方法及白光干涉儀在光刻圖形的測(cè)量

? ? 引言 ? 在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域,光刻膠剝離工藝是關(guān)鍵環(huán)節(jié),但其可能對(duì)器件性能產(chǎn)生負(fù)面影響。同時(shí),光刻圖形的精確測(cè)量對(duì)于保證芯片制造質(zhì)量至關(guān)重要。本文探討減少光刻膠剝離工藝影響的方法,并介紹白光
2025-06-14 09:42:56736

數(shù)據(jù)傳輸?shù)摹懊?xì)血管”:8芯M16防水插頭如何守護(hù)信號(hào)準(zhǔn)確性?

大家好,今天咱們來(lái)聊聊一個(gè)在工業(yè)自動(dòng)化、機(jī)器人、傳感器網(wǎng)絡(luò)等領(lǐng)域里,看似不起眼卻至關(guān)重要的“小家伙”——防水連接器8芯M16插頭。它就像我們身體里的毛細(xì)血管,負(fù)責(zé)各種控制信號(hào)、傳感器數(shù)據(jù)等“血液
2025-06-09 16:46:29610

光刻工藝中的顯影技術(shù)

的基礎(chǔ),直接決定了這些技術(shù)的發(fā)展水平。 二、顯影在光刻工藝中的位置與作用 位置:顯影是光刻工藝中的一個(gè)重要步驟,在曝光之后進(jìn)行。 作用:其作用是曝光產(chǎn)生的潛在圖形,通過顯影液作用顯現(xiàn)出來(lái)。具體而言,是洗去光刻
2025-06-09 15:51:162127

SK海力士攜HBM4及面向AI的存儲(chǔ)器產(chǎn)品組合亮相2025國(guó)際電腦展

SK海力士于5月20日至23日舉辦的2025年臺(tái)北國(guó)際電腦展(COMPUTEX Taipei 2025,以下簡(jiǎn)稱COMPUTEX)上,展示了其涵蓋AI服務(wù)器、個(gè)人電腦和移動(dòng)設(shè)備等多個(gè)領(lǐng)域的豐富
2025-06-05 14:13:561805

SK海力士宋清基TL榮庸發(fā)明日銅塔產(chǎn)業(yè)勛章

SK海力士宣布,5月19日于首爾COEX麻谷會(huì)展中心舉行的“第60屆發(fā)明日紀(jì)念儀式”上,來(lái)自HBM開發(fā)部門的宋清基TL榮庸銅塔產(chǎn)業(yè)勛章。
2025-06-03 09:36:481001

光刻膠剝離液及其制備方法及白光干涉儀在光刻圖形的測(cè)量

引言 在半導(dǎo)體制造與微納加工領(lǐng)域,光刻膠剝離液是光刻膠剝離環(huán)節(jié)的核心材料,其性能優(yōu)劣直接影響光刻膠去除效果與基片質(zhì)量。同時(shí),精準(zhǔn)測(cè)量光刻圖形對(duì)把控工藝質(zhì)量意義重大,白光干涉儀為此提供了有力的技術(shù)保障
2025-05-29 09:38:531108

SK海力士向無(wú)錫首個(gè)應(yīng)急救援驛站捐贈(zèng)AED設(shè)備

近日,SK海力士向無(wú)錫市首個(gè)應(yīng)急救援驛站(山水城(雪浪街道)石塘社區(qū))捐贈(zèng)自動(dòng)體外除顫儀(AED)設(shè)備,助力提升基層應(yīng)急救援能力,為居民生命健康筑起堅(jiān)實(shí)屏障。
2025-05-28 15:36:51761

SK海力士如何成為面向AI的存儲(chǔ)器市場(chǎng)領(lǐng)跑者

近年來(lái),SK海力士屢獲創(chuàng)新成果,這些成就皆得益于“一個(gè)團(tuán)隊(duì)”協(xié)作精神(One Team Spirit)”。無(wú)論是創(chuàng)下歷史最佳業(yè)績(jī)、開發(fā)出全球領(lǐng)先產(chǎn)品,還是躍升成為全球頂級(jí)面向AI的存儲(chǔ)器供應(yīng)商,這些
2025-05-23 13:54:361014

SK海力士UFS 4.1來(lái)了,基于321層1Tb TLC 4D NAND閃存

。該產(chǎn)品具備全球領(lǐng)先的順序讀取性能與低功耗特性,專為端側(cè)AI進(jìn)行優(yōu)化;產(chǎn)品厚度減薄15%,適用于超薄旗艦智能手機(jī)。 ? SK海力士表示:“為了在移動(dòng)設(shè)備上實(shí)現(xiàn)端側(cè)(On-device)AI的穩(wěn)定運(yùn)行
2025-05-23 01:04:008530

SK海力士以基于AI/DT的智能工廠推動(dòng)HBM等核心產(chǎn)品的營(yíng)收增長(zhǎng)

近日,SK海力士宣布,在首爾江南區(qū)韓國(guó)科學(xué)技術(shù)會(huì)館舉行的“2025年科學(xué)?信息通訊日紀(jì)念儀式”上,公司數(shù)字化轉(zhuǎn)型組織的都承勇副社長(zhǎng)榮獲了科學(xué)技術(shù)信息通信部頒發(fā)的銅塔產(chǎn)業(yè)勛章。
2025-05-09 10:29:10969

詳談X射線光刻技術(shù)

隨著極紫外光刻EUV)技術(shù)面臨光源功率和掩模缺陷挑戰(zhàn),X射線光刻技術(shù)憑借其固有優(yōu)勢(shì),在特定領(lǐng)域正形成差異化競(jìng)爭(zhēng)格局。
2025-05-09 10:08:491370

電子直寫光刻機(jī)駐極體圓筒聚焦電極

電子直寫光刻機(jī)駐極體圓筒聚焦電極 隨著科技進(jìn)步,對(duì)電子顯微鏡的精度要求越來(lái)越高。電子直寫光刻機(jī)的精度與電子波長(zhǎng)和電子束聚焦后的焦點(diǎn)直徑有關(guān),電子波長(zhǎng)可通過增加加速電極電壓來(lái)減小波長(zhǎng),而電子束聚焦后
2025-05-07 06:03:45

HBM重構(gòu)DRAM市場(chǎng)格局,2025年首季DRAM市占排名

增長(zhǎng)42.5%至267.29億美元,環(huán)比減少8.5%。 ? 然而不可忽視的是,在2025年一季度,SK海力士憑借在HBM領(lǐng)域的絕對(duì)優(yōu)勢(shì),終結(jié)三星長(zhǎng)達(dá)四十多年的市場(chǎng)統(tǒng)治地位,以36.7%的市場(chǎng)份額首度登頂全球DRAM市場(chǎng)第一。 ? ? 其實(shí)從2024年SK海力士與三星在DRAM上的差距就已經(jīng)開始
2025-05-06 15:50:231210

光刻圖形轉(zhuǎn)化軟件免費(fèi)試用

光刻圖形轉(zhuǎn)化軟件可以gds格式或者gerber格式等半導(dǎo)體通用格式的圖紙轉(zhuǎn)換成如bmp或者tiff格式進(jìn)行掩模版加工制造,在掩膜加工領(lǐng)域或者無(wú)掩膜光刻領(lǐng)域不可或缺,在業(yè)內(nèi)也被稱為矢量圖形光柵化軟件
2025-05-02 12:42:10

光刻膠的類型及特性

光刻膠類型及特性光刻膠(Photoresist),又稱光致抗蝕劑,是芯片制造中光刻工藝的核心材料。其性能直接影響芯片制造的精度、效率和可靠性。本文介紹了光刻膠類型和光刻膠特性。
2025-04-29 13:59:337824

英偉達(dá)供應(yīng)商SK海力士盈利大增158%

得益于AI需求的有力推動(dòng);高帶寬內(nèi)存(HBM)需求持續(xù)暴漲,這帶動(dòng)了英偉達(dá)供應(yīng)商SK海力士盈利大增158%。 據(jù)SK海力士公布的財(cái)務(wù)業(yè)績(jī)數(shù)據(jù)顯示,在2025年第一季度SK海力士的營(yíng)收增長(zhǎng)42%;達(dá)到
2025-04-24 10:44:261231

三星在4nm邏輯芯片上實(shí)現(xiàn)40%以上的測(cè)試良率

三星電子在 HBM3 時(shí)期遭遇了重大挫折, 70% 的 HBM 內(nèi)存市場(chǎng)份額拱手送給主要競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手 SK 海力士,更是近年來(lái)首度讓出了第一大 DRAM 原廠的寶座。這迫使三星在 HBM4 上采用
2025-04-18 10:52:53

SK海力士強(qiáng)化HBM業(yè)務(wù)實(shí)力的戰(zhàn)略規(guī)劃

隨著人工智能技術(shù)的迅猛發(fā)展,作為其核心支撐技術(shù)的高帶寬存儲(chǔ)器(以下簡(jiǎn)稱HBM)實(shí)現(xiàn)了顯著的增長(zhǎng),為SK海力士在去年實(shí)創(chuàng)下歷史最佳業(yè)績(jī)做出了不可或缺的重要貢獻(xiàn)。業(yè)內(nèi)普遍認(rèn)為,SK海力士的成長(zhǎng)不僅體現(xiàn)在銷售額的大幅提升上,更彰顯了其在引領(lǐng)AI時(shí)代技術(shù)變革方面所發(fā)揮的重要作用。
2025-04-18 09:25:59992

混合鍵合技術(shù)最早用于HBM4E

電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道,據(jù)韓媒報(bào)道,SK海力士副總裁李圭(音譯)近日在學(xué)術(shù)會(huì)議上表示,SK海力士正在推行混合鍵合在 HBM 上的應(yīng)用。目前正處于研發(fā)階段,預(yù)計(jì)最早應(yīng)用于HBM4E。 ? 據(jù)介紹,目前
2025-04-17 00:05:001060

SK海力士僅選擇器存儲(chǔ)器(SOM)的研發(fā)歷程

人工智能與高性能計(jì)算(HPC)正以空前的速度發(fā)展,動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)和NAND閃存等傳統(tǒng)存儲(chǔ)技術(shù)發(fā)揮到極致。為了滿足人工智能時(shí)代日益增長(zhǎng)的需求,業(yè)界正在探索超越傳統(tǒng)存儲(chǔ)技術(shù)的新興存儲(chǔ)技術(shù)。
2025-04-03 09:40:411709

SK海力士已完成收購(gòu)英特爾NAND業(yè)務(wù)部門的第二(最終)階段交易

3 月 28 日消息,根據(jù) SK 海力士向韓國(guó)金融監(jiān)管機(jī)構(gòu) FSS 披露的文件,該企業(yè)已在當(dāng)?shù)貢r(shí)間今日完成了收購(gòu)英特爾 NAND 閃存及 SSD 業(yè)務(wù)案的第二階段,交易正式完成。 這筆交易
2025-03-28 19:27:581228

DSA技術(shù):突破EUV光刻瓶頸的革命性解決方案

劑量的需求也加劇,從而造成了生產(chǎn)力的瓶頸。DSA技術(shù):一種革命性的方法DSA技術(shù)通過利用嵌段共聚物的分子行為來(lái)解決EUV光刻面臨的挑戰(zhàn)。嵌段共聚物由兩個(gè)或多個(gè)化學(xué)性
2025-03-19 11:10:061259

愛普生S1C17M00/M10系列16位微控制器核心功能

在現(xiàn)代電子設(shè)備的廣泛應(yīng)用中,對(duì)于能夠?qū)崿F(xiàn)多種功能集成的微控制器(MCU)的需求日益增長(zhǎng)。愛普生S1C17M00/M10系列正是為滿足這一需求而設(shè)計(jì)的高性能、低功耗的16位單片機(jī)。它們廣泛應(yīng)用于需要
2025-03-14 13:54:30915

東芝功率半導(dǎo)體后道生產(chǎn)新廠竣工

東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(東芝)近日在其位于日本西部兵庫(kù)縣姬路半導(dǎo)體工廠的車載功率半導(dǎo)體后道生產(chǎn)新廠房舉辦了竣工慶祝儀式。新廠房的產(chǎn)能將比2022財(cái)年的水平增加一倍以上,并將于2025財(cái)年上半年開始全面生產(chǎn)。
2025-03-13 18:08:161279

今日看點(diǎn)丨美國(guó)召開聽證會(huì),或?qū)χ袊?guó)成熟制程芯片加征關(guān)稅;三星電子正開發(fā)下一代封裝材料“玻璃中介

晶圓代工廠,于2020年9月從Magnachip Semiconductor分拆出來(lái),并于2022年8月成為SK海力士的子公司。SK Powertech前身為Yes Power Technics,于2022年被SK Inc.收購(gòu),以其在設(shè)計(jì)和制造碳化
2025-03-10 11:15:49749

SK海力士關(guān)閉CIS圖像傳感器部門 轉(zhuǎn)向AI存儲(chǔ)器領(lǐng)域

3 月 6 日消息,綜合韓聯(lián)社、ZDNet Korea、MK 等多家韓媒報(bào)道,SK 海力士今日在內(nèi)部宣布關(guān)閉其 CIS(CMOS 圖像傳感器)部門, 該團(tuán)隊(duì)的員工轉(zhuǎn)崗至 AI 存儲(chǔ)器領(lǐng)域 。SK
2025-03-06 18:26:161078

突破70%!消息稱SK海力士HBM4測(cè)試良率再創(chuàng)新高

行業(yè)芯事行業(yè)資訊
電子發(fā)燒友網(wǎng)官方發(fā)布于 2025-02-27 13:44:50

消息稱SK海力士即將完成收購(gòu)英特爾NAND業(yè)務(wù)

行業(yè)芯事行業(yè)資訊
電子發(fā)燒友網(wǎng)官方發(fā)布于 2025-02-26 13:37:12

SK海力士斥資千億擴(kuò)建M15X晶圓廠,年底投產(chǎn)HBM

據(jù)韓媒報(bào)道,SK海力士計(jì)劃于今年3月向其位于韓國(guó)的M15X晶圓廠派遣大量工程師,為該廠投產(chǎn)高頻寬內(nèi)存(HBM)做最后準(zhǔn)備。這一舉措標(biāo)志著M15X晶圓廠投產(chǎn)的準(zhǔn)備工作已進(jìn)入沖刺階段,預(yù)計(jì)將于2025年第四季度正式投產(chǎn)。
2025-02-18 14:46:031276

SK海力士加速M15X晶圓廠投產(chǎn)準(zhǔn)備

據(jù)最新報(bào)道,SK 海力士為滿足市場(chǎng)對(duì)高帶寬存儲(chǔ)器(HBM)的旺盛需求,正緊鑼密鼓地為M15X晶圓廠的投產(chǎn)做全面準(zhǔn)備。公司計(jì)劃于今年3月向M15X工廠派遣工程師團(tuán)隊(duì),以確保工廠能夠順利啟動(dòng)并投入生產(chǎn)
2025-02-18 11:16:58884

SK海力士與三星或停用中國(guó)EDA軟件

列入貿(mào)易限制名單,也對(duì)SK海力士的決策產(chǎn)生了影響。業(yè)內(nèi)普遍預(yù)測(cè),SK海力士全面停止使用中國(guó)的EDA軟件,而三星電子也可能緊隨其后,做出類似決定。 若SK海力士與三星電子真的停用中國(guó)EDA軟件,它們對(duì)美國(guó)EDA軟件的依賴程度顯著增強(qiáng),這將
2025-02-18 10:51:541080

SK海力士緊急審查中國(guó)EDA軟件使用

據(jù)韓國(guó)媒體報(bào)道,韓國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)的巨頭SK海力士,為應(yīng)對(duì)美國(guó)可能出臺(tái)的新政策,已開始對(duì)其所使用的中國(guó)半導(dǎo)體電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化(EDA)軟件進(jìn)行緊急審查。這一舉措反映了全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在地緣政治緊張局勢(shì)下
2025-02-18 09:47:04831

EUV光刻技術(shù)面臨新挑戰(zhàn)者

? EUV光刻有多強(qiáng)?目前來(lái)看,沒有EUV光刻,業(yè)界就無(wú)法制造7nm制程以下的芯片。EUV光刻機(jī)也是歷史上最復(fù)雜、最昂貴的機(jī)器之一。 EUV光刻有哪些瓶頸? EUV光刻技術(shù),存在很多難點(diǎn)。 1.1
2025-02-18 09:31:242257

納米壓印技術(shù):開創(chuàng)下一代光刻的新篇章

光刻技術(shù)對(duì)芯片制造至關(guān)重要,但傳統(tǒng)紫外光刻受衍射限制,摩爾定律面臨挑戰(zhàn)。為突破瓶頸,下一代光刻(NGL)技術(shù)應(yīng)運(yùn)而生。本文介紹納米壓印技術(shù)(NIL)的原理、發(fā)展、應(yīng)用及設(shè)備,并探討其在半導(dǎo)體制造中
2025-02-13 10:03:503709

三星與SK海力士實(shí)施NAND閃存“自然減產(chǎn)”

據(jù)外媒最新報(bào)道,為了應(yīng)對(duì)NAND閃存市場(chǎng)的供應(yīng)過剩問題,三星電子與SK海力士兩大半導(dǎo)體巨頭已悄然采取措施,通過工藝轉(zhuǎn)換實(shí)現(xiàn)“自然減產(chǎn)”。 據(jù)業(yè)內(nèi)消息透露,自去年年底以來(lái),三星電子和SK海力士正積極
2025-02-12 10:38:13857

SK 海力士發(fā)布2024財(cái)年財(cái)務(wù)報(bào)告

SK 海力士近日正式公布了截至2024年12月31日的2024財(cái)年及第四季度財(cái)務(wù)報(bào)告,數(shù)據(jù)顯示,該公司在過去一年中取得了令人矚目的業(yè)績(jī)。 2024年全年,SK 海力士營(yíng)收達(dá)到了661929億韓元(約
2025-02-08 16:22:381660

半導(dǎo)體設(shè)備光刻機(jī)防震基座如何安裝?

半導(dǎo)體設(shè)備光刻機(jī)防震基座的安裝涉及多個(gè)關(guān)鍵步驟和考慮因素,以確保光刻機(jī)的穩(wěn)定運(yùn)行和產(chǎn)品質(zhì)量。首先,選擇合適的防震基座需要考慮適應(yīng)工作環(huán)境。由于半導(dǎo)體設(shè)備通常在潔凈的環(huán)境下運(yùn)行,因此選擇的搬運(yùn)工具如
2025-02-05 16:48:451240

芯片制造:光刻工藝原理與流程

光刻是芯片制造過程中至關(guān)重要的一步,它定義了芯片上的各種微細(xì)圖案,并且要求極高的精度。以下是光刻過程的詳細(xì)介紹,包括原理和具體步驟。?? 光刻原理?????? 光刻的核心工具包括光掩膜、光刻
2025-01-28 16:36:003591

SK海力士2024財(cái)年業(yè)績(jī)創(chuàng)新高,發(fā)放1500%績(jī)效獎(jiǎng)金

近日,SK海力士發(fā)布了其截至2024年12月31日的2024財(cái)年及第四季度財(cái)務(wù)報(bào)告,業(yè)績(jī)表現(xiàn)出色。 數(shù)據(jù)顯示,SK海力士在2024年全年?duì)I收達(dá)到了661929億韓元(當(dāng)前約合3346.71億元
2025-01-24 14:00:261054

SK海力士在CXL技術(shù)領(lǐng)域的研發(fā)進(jìn)展

挑戰(zhàn)傳統(tǒng),打破限制,勇攀高峰,打破常規(guī)者們?cè)趯で箝_創(chuàng)性解決方案的過程中重塑規(guī)則。繼SK海力士品牌短片《誰(shuí)是打破常規(guī)者》播出后,推出一系列文章,展示公司在重塑技術(shù)、重新定義行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)方面采取的各種“打破常規(guī)”的創(chuàng)新舉措。本系列第七篇文章深入探討SK海力士在CXL技術(shù)領(lǐng)域的研發(fā)進(jìn)展。
2025-01-24 10:25:271219

SK海力士創(chuàng)歷史最佳年度業(yè)績(jī)

SK海力士近日發(fā)布了截至2024年12月31日的2024財(cái)年及第四季度財(cái)務(wù)報(bào)告,數(shù)據(jù)顯示公司再創(chuàng)佳績(jī)。2024財(cái)年,SK海力士的營(yíng)業(yè)收入高達(dá)66.1930萬(wàn)億韓元,營(yíng)業(yè)利潤(rùn)達(dá)到23.4673萬(wàn)億韓元,凈利潤(rùn)更是攀升至19.7969萬(wàn)億韓元,這一成績(jī)刷新了公司歷史上的最佳年度業(yè)績(jī)記錄。
2025-01-23 15:49:102056

碳納米管在EUV光刻效率中的作用

數(shù)值孔徑 EUV 光刻中的微型化挑戰(zhàn) 晶體管不斷小型化,縮小至 3 納米及以下,這需要完美的執(zhí)行和制造。在整個(gè) 21 世紀(jì),這種令人難以置信的縮小趨勢(shì)(從 90 納米到 7 納米及更小)開創(chuàng)了技術(shù)進(jìn)步的新時(shí)代。 在過去十年中,我們見證了50
2025-01-22 14:06:531153

臺(tái)積電南科三期再投2000億建CoWoS新廠

近日,據(jù)最新業(yè)界消息,臺(tái)積電計(jì)劃在南科三期再建兩座CoWoS新廠,預(yù)計(jì)投資金額超過2000億元新臺(tái)幣。這一舉措不僅彰顯了臺(tái)積電在先進(jìn)封裝技術(shù)領(lǐng)域的持續(xù)投入,也對(duì)其近期CoWoS砍單傳聞做出了實(shí)際擴(kuò)
2025-01-21 13:43:39875

SK海力士計(jì)劃減產(chǎn)NAND Flash存儲(chǔ)器以應(yīng)對(duì)市場(chǎng)下滑

產(chǎn)品價(jià)格。 繼美光和三星宣布減產(chǎn)計(jì)劃后,全球第二大NAND Flash廠商SK海力士也宣布了減產(chǎn)決定。據(jù)悉,SK海力士計(jì)劃將上半年NAND Flash存儲(chǔ)器的產(chǎn)量削減10%。這一決定無(wú)疑將對(duì)市場(chǎng)產(chǎn)生深遠(yuǎn)影響。 根據(jù)機(jī)構(gòu)先前發(fā)布的報(bào)告,SK海力士在NAND Flash存儲(chǔ)器領(lǐng)
2025-01-20 14:43:551095

光刻機(jī)的分類與原理

本文主要介紹光刻機(jī)的分類與原理。 ? 光刻機(jī)分類 光刻機(jī)的分類方式很多。按半導(dǎo)體制造工序分類,光刻設(shè)備有前道和后道之分。前道光刻機(jī)包括芯片光刻機(jī)和面板光刻機(jī)。面板光刻機(jī)的工作原理和芯片光刻機(jī)相似
2025-01-16 09:29:456357

海力士展示AI專用計(jì)算內(nèi)存解決方案AiMX-xPU

在Hot Chips 2024上,海力士專注于AI加速器的標(biāo)準(zhǔn)DRAM之外的產(chǎn)品。該公司展示了其在內(nèi)存計(jì)算方面的最新進(jìn)展,這次是用其AiMX-xPU和LPDDR-AiM進(jìn)行LLM推理。其理念是,無(wú)需
2025-01-09 16:08:041322

納米壓印光刻技術(shù)旨在與極紫外光刻EUV)競(jìng)爭(zhēng)

芯片制造、價(jià)值1.5億美元的極紫外(EUV,https://spectrum.ieee.org/tag/euv光刻掃描
2025-01-09 11:31:181280

SK海力士增產(chǎn)HBM DRAM,應(yīng)對(duì)AI芯片市場(chǎng)旺盛需求

SK海力士今年計(jì)劃大幅提升其高帶寬內(nèi)存(HBM)的DRAM產(chǎn)能,目標(biāo)是每月產(chǎn)能從去年的10萬(wàn)片增加至17萬(wàn)片,這一增幅達(dá)到了70%。此舉被視為該公司對(duì)除最大客戶英偉達(dá)外,其他領(lǐng)先人工智能(AI)芯片公司需求激增的積極回應(yīng)。
2025-01-07 16:39:091306

SK海力士在CES 2025展示面向人工智能的存儲(chǔ)技術(shù)

SK海力士重返拉斯維加斯,參加2025年國(guó)際消費(fèi)類電子產(chǎn)品展覽會(huì)(Consumer Electronics Show,以下簡(jiǎn)稱“CES”),并展示其顛覆行業(yè)的面向人工智能的存儲(chǔ)創(chuàng)新技術(shù)。CES 2025于1月7日至10日舉行,匯聚了全球領(lǐng)先科技公司的頂尖人才與突破性技術(shù),共同引領(lǐng)未來(lái)科技的發(fā)展潮流。
2025-01-07 16:20:461440

泊蘇 Type C 系列防震基座在半導(dǎo)體光刻加工電子束光刻設(shè)備的應(yīng)用案例

 泊蘇 Type C 系列防震基座在半導(dǎo)體光刻加工電子束光刻設(shè)備的應(yīng)用案例-江蘇泊蘇系統(tǒng)集成有限公司一、企業(yè)背景與光刻加工電子束光刻設(shè)備挑戰(zhàn)某大型半導(dǎo)體制造企業(yè)專注于高端芯片的研發(fā)與生產(chǎn)
2025-01-07 15:13:21

組成光刻機(jī)的各個(gè)分系統(tǒng)介紹

納米級(jí)別的分辨率。本文詳細(xì)介紹光刻機(jī)的主要組成部分及其功能。 光源系統(tǒng) ? 光源系統(tǒng)是光刻機(jī)的心臟,負(fù)責(zé)提供曝光所需的能量。早期的光刻機(jī)使用汞燈作為光源,但隨著技術(shù)的進(jìn)步,目前多采用深紫外(DUV)或極紫外(EUV)光源,
2025-01-07 10:02:304530

2025年CES展:英偉達(dá)CEO黃仁勛發(fā)表演講并可能進(jìn)行HBM對(duì)談

的專題演講外,有傳聞稱黃仁勛還將與SK集團(tuán)的會(huì)長(zhǎng)崔泰源進(jìn)行一場(chǎng)視頻對(duì)談。這場(chǎng)對(duì)談?lì)A(yù)計(jì)聚焦于高頻寬記憶體(HBM)的最新發(fā)展,特別是英偉達(dá)與SK海力士在新一代HBM4方面的合作。據(jù)媒體報(bào)道,去年11月崔泰源曾透露,英偉達(dá)已要求SK海力士提前半年出貨新一代
2025-01-06 13:54:105989

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