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電子發(fā)燒友網(wǎng)>今日頭條>電裝開發(fā)第三代新產(chǎn)品“Global Safety Package3”

電裝開發(fā)第三代新產(chǎn)品“Global Safety Package3”

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今日看點(diǎn):Cadence 以臺(tái)積 N3P 制程流片第三代 UCIe IP;JBD推出“走鵑Ⅰ”彩色光引擎

英偉達(dá)、SK海力士與群聯(lián)電子共同開發(fā)AI固態(tài)硬盤 ? 日前,據(jù)報(bào)道,英偉達(dá)與韓國SK海力士共同開發(fā)新型人工智能固態(tài)硬盤,群聯(lián)電子也參與開發(fā)。這款A(yù)I專用固態(tài)硬盤的效能預(yù)計(jì)將達(dá)到當(dāng)前AI服務(wù)器所用
2025-12-24 10:39:13942

Wolfspeed榮獲2025行家極光獎(jiǎng)年度優(yōu)秀產(chǎn)品獎(jiǎng)

由行家說主辦的“2025 行家極光獎(jiǎng)” 于 12 月 4 日在深圳隆重召開,表彰在 2025 年度具有行業(yè)表率的優(yōu)秀企業(yè)、引領(lǐng)產(chǎn)業(yè)變革的創(chuàng)新技術(shù)和優(yōu)秀產(chǎn)品,向大眾和下游終端企業(yè)展示第三代半導(dǎo)體廠商的風(fēng)采,同時(shí)也為下游廠商選購產(chǎn)品提供重要參考依據(jù)。
2025-12-13 11:02:15771

芯干線斬獲2025行家極光獎(jiǎng)年度第三代半導(dǎo)體市場開拓領(lǐng)航獎(jiǎng)

2025年12月4日,深圳高光時(shí)刻!由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)標(biāo)桿機(jī)構(gòu)「行家說三代半」主辦的「2025行家極光獎(jiǎng)」頒獎(jiǎng)晚宴盛大啟幕,數(shù)百家SiC&GaN領(lǐng)域精英企業(yè)齊聚一堂,共襄產(chǎn)業(yè)盛事。
2025-12-13 10:56:01900

過壓過流保護(hù)用PTC熱敏電阻型號(hào)及參數(shù)

“溫度保險(xiǎn)絲”和“溫度開關(guān)”之后推出的第三代保護(hù)器件。 1 應(yīng)用領(lǐng)域 智能電度表、萬用表、充電器、小型變壓器、數(shù)字萬用表、微電機(jī)、小型電子儀器等 2 產(chǎn)品優(yōu)點(diǎn) 型號(hào)齊全,各種體積大小、電流大小產(chǎn)品
2025-12-12 09:13:49

智融科技斬獲多項(xiàng)行業(yè)大獎(jiǎng)

2025年行至尾聲,智融科技憑借領(lǐng)先的數(shù)?;旌显O(shè)計(jì)實(shí)力、卓越的消費(fèi)級(jí)電源管理方案,以及在第三代半導(dǎo)體驅(qū)動(dòng)技術(shù)的前瞻布局,一舉攬獲多項(xiàng)行業(yè)大獎(jiǎng),成為國產(chǎn)數(shù)模混合IC與GaN/SiC第三代半導(dǎo)體驅(qū)動(dòng)賽道的“雙料”先鋒!
2025-12-11 15:20:51377

士蘭微電子榮獲2025行家極光獎(jiǎng)項(xiàng)大獎(jiǎng)

近日,在深圳舉辦的“2025行家極光獎(jiǎng)”頒獎(jiǎng)典禮上,士蘭微電子憑借在碳化硅(SiC)領(lǐng)域的持續(xù)創(chuàng)新與深厚積累,一舉斬獲大獎(jiǎng)項(xiàng):“中國SiC器件IDM十強(qiáng)企業(yè)”、“中國SiC模塊十強(qiáng)企業(yè)”以及“第三代半導(dǎo)體年度創(chuàng)新產(chǎn)品”。
2025-12-10 17:43:35627

上海永銘:第三代半導(dǎo)體落地關(guān)鍵,如何為GaN/SiC系統(tǒng)匹配高性能電容解決方案

與之匹配的被動(dòng)元件協(xié)同進(jìn)化。 當(dāng)第三代半導(dǎo)體器件以其高頻、高效、耐高溫高壓的優(yōu)勢,在新能源汽車驅(qū)系統(tǒng)、光伏儲(chǔ)能逆變器、工業(yè)伺服電源、AI服務(wù)器電源及數(shù)據(jù)中心供電等場景中加速普及時(shí),供電系統(tǒng)中的電容正面臨前所未有的挑戰(zhàn):高頻開關(guān)噪聲加劇、高溫容值
2025-12-04 15:34:17217

第三代半導(dǎo)體碳化硅(Sic)功率器件可靠性的詳解;

如有雷同或是不當(dāng)之處,還請(qǐng)大家海涵。當(dāng)前在各網(wǎng)絡(luò)平臺(tái)上均以此昵稱為ID跟大家一起交流學(xué)習(xí)! 碳化硅(SiC)功率器件作為第三代半導(dǎo)體的核心代表,憑借其高頻、高效、耐高溫、耐高壓等特性,正在新能源汽車、光伏儲(chǔ)能、工業(yè)電源
2025-12-04 08:21:12700

第三代半導(dǎo)體碳化硅(Sic)加速上車原因的詳解;

如有雷同或是不當(dāng)之處,還請(qǐng)大家海涵。當(dāng)前在各網(wǎng)絡(luò)平臺(tái)上均以此昵稱為ID跟大家一起交流學(xué)習(xí)! 碳化硅是第三代半導(dǎo)體材料的代表;而半導(dǎo)體這個(gè)行業(yè)又過于學(xué)術(shù),為方便閱讀,以下這篇文章的部分章節(jié)會(huì)以要點(diǎn)列示為主,如果遺漏
2025-12-03 08:33:44351

第三代半導(dǎo)體半橋上管電壓電流測試方案

第三代半導(dǎo)體器件的研發(fā)與性能評(píng)估中,對(duì)半橋電路上管進(jìn)行精確的電壓與電流參數(shù)測試,是優(yōu)化電路設(shè)計(jì)、驗(yàn)證器件特性的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。一套科學(xué)、可靠的測試方案可為技術(shù)開發(fā)提供堅(jiān)實(shí)的數(shù)據(jù)支撐,加速技術(shù)迭代與產(chǎn)業(yè)化
2025-11-19 11:01:05129

第三代半導(dǎo)體碳化硅 IGBT/MOSFET導(dǎo)熱散熱絕緣材料 | 二維氮化硼導(dǎo)熱絕緣墊片

引言1.1研究背景與意義碳化硅(SiC)作為第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料,相比傳統(tǒng)硅基材料具有顯著的技術(shù)優(yōu)勢。SiC材料的禁帶寬度為3.26eV,是硅的近3倍;擊穿場強(qiáng)達(dá)3MV/cm,是硅的10倍;熱導(dǎo)率
2025-11-19 07:30:471489

賦能電力電子設(shè)計(jì):安1200V SiC二極管SDS120J005D3深度解析

的硅(Si)器件,成為工業(yè)電源、新能源汽車和太陽能逆變器等領(lǐng)域的理想選擇。安半導(dǎo)體推出的SDS120J005D3正是一款順應(yīng)此趨勢的第三代碳化硅肖特基勢壘二極管(SiC SBD),它以其強(qiáng)大的性能參數(shù)和出色的可靠性,為現(xiàn)代高頻高效電力轉(zhuǎn)換系
2025-11-17 09:16:42186

適配工業(yè)電源SDS065J020G3碳化硅二極管650V20A價(jià)格松動(dòng)

Semiconductor)順應(yīng)時(shí)代潮流,推出了其第三代碳化硅肖特基勢壘二極管(SiC SBD)的旗艦產(chǎn)品—— SDS065J020G3 。這款產(chǎn)品憑借其卓越的性能參數(shù)、前沿的技術(shù)特性和極具競爭力的市場策略,正成為工業(yè)電源、新能源等高端應(yīng)用領(lǐng)域的理想選擇。 核心技術(shù)優(yōu)勢
2025-11-12 17:04:23580

三代半碳化硅(SiC)外延工藝技術(shù)的詳解;

如有雷同或是不當(dāng)之處,還請(qǐng)大家海涵。當(dāng)前在各網(wǎng)絡(luò)平臺(tái)上均以此昵稱為ID跟大家一起交流學(xué)習(xí)! 碳化硅(Silicon Carbide, SiC)作為第三代半導(dǎo)體材料的代表,以其優(yōu)異的物理和化學(xué)特性,在電力電子、光電子、射頻器件等領(lǐng)域展現(xiàn)出了巨
2025-11-11 08:13:37875

直播預(yù)告 | 11月11日15點(diǎn)!虹科CAN XL總線技術(shù)直播,權(quán)威解讀下一車載通信標(biāo)準(zhǔn)的技術(shù)革新與落地實(shí)踐

的飛躍?歡迎觀看虹科「CAN總線專題」直播第8期,虹科資深技術(shù)工程為您帶來CANXL總線技術(shù)的全面解析。Introduction第三代CAN總線技術(shù)——CANXLC
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第三代安全算法SHA3 Keccack核心分享

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CINNO出席第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)合作大會(huì)

10月25日,第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)合作大會(huì)在鹽城高新區(qū)召開。省工業(yè)和信息化廳二級(jí)巡視員余雷、副市長祁從峰出席會(huì)議并致辭。鹽都區(qū)委書記馬正華出席,鹽都區(qū)委副書記、區(qū)長臧沖主持會(huì)議。
2025-10-27 18:05:001276

聯(lián)合開發(fā)電驅(qū)動(dòng)模塊eAxle搭載于鈴木首款量產(chǎn)電池電動(dòng)車

株式會(huì)社BluE Nexus(以下簡稱“BluE”)、株式會(huì)社愛信(以下簡稱“愛信”)與株式會(huì)社(以下簡稱“”)聯(lián)合開發(fā)驅(qū)動(dòng)模塊 eAxle 將搭載于鈴木首款量產(chǎn)電池電動(dòng)車(BEV)車型——“e VITARA”。
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2025-07-30 16:56:141231

主流廠商揭秘下一無線SoC:AI加速、內(nèi)存加量、新電源架構(gòu)等

標(biāo)準(zhǔn)等方面進(jìn)行升級(jí)。 ? 下一物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)品的新需求 ? 芯科科技無線產(chǎn)品營銷高級(jí)總監(jiān)Dhiraj Sogani在接受采訪時(shí)表示,我們的第一、第二第三代無線開發(fā)平臺(tái)將繼續(xù)在市場上相輔相成。第二無線開發(fā)平臺(tái)功能強(qiáng)大且高效,是各種主流物聯(lián)網(wǎng)
2025-07-23 09:23:006096

索尼黑卡全畫幅旗艦新品RX1R III發(fā)布

近日,索尼(中國)有限公司發(fā)布備受期待的黑卡系列全畫幅旗艦RX1R 系列第三代產(chǎn)品 —— RX1R III (型號(hào)名:DSC-RX1RM3)
2025-07-21 14:26:211083

與Delphy達(dá)成基本合作意向

株式會(huì)社(以下簡稱“”)與荷蘭農(nóng)業(yè)咨詢企業(yè)Delphy Groep BV(以下簡稱“Delphy”)近日正式簽署基本合作意向書。雙方將圍繞“數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)型智慧農(nóng)業(yè)”*1的技術(shù)開發(fā)與系統(tǒng)建設(shè)開展合作,致力于提升農(nóng)業(yè)生產(chǎn)的效率與可持續(xù)性。
2025-07-16 15:48:22637

上海貝嶺發(fā)布第三代高精度基準(zhǔn)電壓源

BLR3XX系列是上海貝嶺推出的第三代高精度基準(zhǔn)電壓源。具有高輸出精度、低功耗、低噪聲以及低溫度系數(shù)的特性。
2025-07-10 17:48:14954

MPS發(fā)布高效率高集成ACDC新產(chǎn)品

高效的解決方案,同時(shí)支持新國標(biāo) GB20943-2025 能耗管理標(biāo)準(zhǔn),內(nèi)置第三代半導(dǎo)體的新材料應(yīng)用設(shè)計(jì)。
2025-07-09 17:58:041234

【沁恒CH585開發(fā)板免費(fèi)試用體驗(yàn)】+品讀老朋友的新產(chǎn)品

、2 個(gè) SPI、4 個(gè)串口、14 路 ADC、觸摸按鍵檢測模塊等豐富的外設(shè)資源??芍^是在系列產(chǎn)品中又添加了新產(chǎn)品和新特色。 圖1 內(nèi)核框架 開發(fā)板的外觀如圖2和圖3所示,可見它采用的是單面器件布局
2025-07-03 11:04:46

英偉達(dá)預(yù)計(jì)向中國客戶交付 “第三代” 閹割芯片

電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道,消息人士稱,英偉達(dá)計(jì)劃于 7 月推出第三代 “閹割芯片”。此次推出的 B20 和 B40/B30 芯片將替代 H20 芯片,試圖重新奪回市場份額。 ? B20 芯片
2025-06-21 00:03:003666

歐冶半導(dǎo)體完成B3輪融資

近日,國內(nèi)首家聚焦智能汽車第三代E/E架構(gòu)的SoC芯片及解決方案商歐冶半導(dǎo)體宣布,已完成億元人民幣B3輪融資。本輪融資由光學(xué)龍頭企業(yè)舜宇光學(xué)科技旗下舜宇產(chǎn)業(yè)基金戰(zhàn)略領(lǐng)投,合肥高投、老股東太極華青佩誠
2025-06-19 16:09:251080

電鏡技術(shù)在第三代半導(dǎo)體中的關(guān)鍵應(yīng)用

第三代半導(dǎo)體材料,以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表,因其在高頻、高效率、耐高溫和耐高壓等性能上的卓越表現(xiàn),正在成為半導(dǎo)體領(lǐng)域的重要發(fā)展方向。在這些材料的制程中,電鏡技術(shù)發(fā)揮著不可或缺的作用
2025-06-19 14:21:46552

ReviewHub:助力設(shè)計(jì)與質(zhì)量部門無縫協(xié)同,實(shí)現(xiàn)評(píng)審模式升級(jí)

評(píng)審工具演進(jìn)與ReviewHub優(yōu)勢第三代:ReviewHub平臺(tái)——特點(diǎn):質(zhì)量部門通過輕量級(jí)Booster工具評(píng)審,設(shè)計(jì)部門通過設(shè)計(jì)工具端接收反饋。優(yōu)勢:1.評(píng)審
2025-06-17 11:33:16510

納微車規(guī)級(jí)第三代“快速”碳化硅MOSFET助力Brightloop打造氫燃料電池充電器

第三代“快速”碳化硅MOSFET將助力Brightloop打造重型農(nóng)業(yè)運(yùn)輸設(shè)備專用的氫燃料電池充電器。 BrightLoop所提供的領(lǐng)先高性能解決方案, 功率轉(zhuǎn)換效率超過98%,功率密度高達(dá)35kW
2025-06-16 10:01:2346514

SiC碳化硅第三代半導(dǎo)體材料 | 耐高溫絕緣材料應(yīng)用方案

發(fā)展最成熟的第三代半導(dǎo)體材料,可謂是近年來最火熱的半導(dǎo)體材料。尤其是在“雙碳”戰(zhàn)略背景下,碳化硅被深度綁定新能源汽車、光伏、儲(chǔ)能等節(jié)能減碳行業(yè),萬眾矚目。陶瓷方面,
2025-06-15 07:30:57974

尋跡智行第三代自研移動(dòng)機(jī)器人控制器獲歐盟CE認(rèn)證

尋跡智行第三代自研移動(dòng)機(jī)器人控制器BR-300G獲歐盟CE認(rèn)證
2025-06-12 13:47:53497

新潔能推出第三代40V Gen.3 SGT MOSFET系列產(chǎn)品

作為國內(nèi)MOSFET功率器件研發(fā)的先行者之一,新潔能始終致力于功率半導(dǎo)體核心技術(shù)的突破,其研發(fā)團(tuán)隊(duì)持續(xù)創(chuàng)新,正式推出第三代SGT產(chǎn)品Gen.3 SGT MOSFET,電壓涵蓋25-150V系列產(chǎn)品
2025-06-11 08:59:592501

進(jìn)迭時(shí)空第三代高性能核X200研發(fā)進(jìn)展

繼X60和X100之后,進(jìn)迭時(shí)空正在基于開源香山昆明湖架構(gòu)研發(fā)第三代高性能處理器核X200。與進(jìn)迭時(shí)空的第二高性能核X100相比,X200的單位性能提升75%以上,達(dá)到了16SpecInt2006
2025-06-06 16:56:071230

亮相2025人與車技術(shù)展

近日,株式會(huì)社(以下簡稱)亮相“2025人·車技術(shù)展”。展會(huì)期間,以“以環(huán)境·安心為核心,致力解決社會(huì)課題”為目標(biāo),圍繞“移動(dòng)出行的進(jìn)化”“新價(jià)值的創(chuàng)造”與“基盤技術(shù)的強(qiáng)化”大領(lǐng)域,展示了在多個(gè)重點(diǎn)技術(shù)方向的探索與應(yīng)用實(shí)踐。
2025-06-06 09:17:39922

芯科科技第三代無線開發(fā)平臺(tái)SoC的大領(lǐng)先特性

Silicon Labs(芯科科技)第三代無線開發(fā)平臺(tái)SoC代表了下一物聯(lián)網(wǎng)無線產(chǎn)品開發(fā)趨勢,該系列產(chǎn)品升級(jí)了大功能特性:可擴(kuò)展性、輕松升級(jí)、頂尖性能,因而得以全面滿足未來物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用不斷擴(kuò)增
2025-06-04 10:07:39927

單模塊支持70kW單相功率,英飛凌氮化鎵產(chǎn)品模式再進(jìn)化

的設(shè)計(jì)中,最常見的集成方式是將 IGBT、MOSFET 與驅(qū)動(dòng)、保護(hù)電路整合,這一設(shè)計(jì)能顯著提升系統(tǒng)效率并降低損耗。隨著第三代半導(dǎo)體材料(SiC、GaN)的技術(shù)突破,在新能源汽車驅(qū)系統(tǒng)、光伏逆變器、數(shù)據(jù)中心等高壓高頻應(yīng)用場景中,集成第三代
2025-05-29 01:01:009050

芯科科技推出首批第三代無線開發(fā)平臺(tái)SoC

SiXG301和SiXG302是芯科科技采用22納米工藝節(jié)點(diǎn)推出的首批無線SoC系列產(chǎn)品,在計(jì)算能力、功效、集成度和安全性方面實(shí)現(xiàn)突破性進(jìn)展
2025-05-26 14:27:43577

第三代半導(dǎo)體的優(yōu)勢和應(yīng)用領(lǐng)域

隨著電子技術(shù)的快速發(fā)展,半導(dǎo)體材料的研究與應(yīng)用不斷演進(jìn)。傳統(tǒng)的硅(Si)半導(dǎo)體已無法滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)高效能和高頻性能的需求,因此,第三代半導(dǎo)體材料應(yīng)運(yùn)而生。第三代半導(dǎo)體主要包括氮化鎵(GaN
2025-05-22 15:04:051951

瑞能半導(dǎo)體第三代超結(jié)MOSFET技術(shù)解析(2)

瑞能G3 超結(jié)MOSFET Analyzation 瑞能超結(jié)MOSFET “表現(xiàn)力”十足 可靠性表現(xiàn) ? ? 可靠性保障 ?瑞能嚴(yán)謹(jǐn)執(zhí)行批次可靠性測試,確保產(chǎn)品品質(zhì)。? ?瑞能超級(jí)結(jié) MOSFET
2025-05-22 13:59:30490

瑞能半導(dǎo)體第三代超結(jié)MOSFET技術(shù)解析(1)

隨著AI技術(shù)井噴式快速發(fā)展,進(jìn)一步推動(dòng)算力需求,服務(wù)器電源效率需達(dá)97.5%-98%,通過降低能量損耗,來支撐高功率的GPU。為了抓住市場機(jī)遇,瑞能半導(dǎo)體先發(fā)制人,推出的第三代超結(jié)MOSFET,能全面滿足高效能需求。
2025-05-22 13:58:35726

英飛凌發(fā)布第三代3D霍爾傳感器TLE493D-x3系列

近日,英飛凌的磁傳感器門類再添新兵,第三代3D霍爾傳感器TLE493D-x3系列在經(jīng)歷兩產(chǎn)品的迭代之后應(yīng)運(yùn)而生。
2025-05-22 10:33:421346

【電子設(shè)計(jì)周報(bào)】 第11期-250516

://bbs.elecfans.com/collection_485_1.html芯品速遞1.天璣9400e--臺(tái)積第三代4nm制程全大核CPU架構(gòu)天璣9400e采用高能效的臺(tái)積第三代
2025-05-20 08:07:59882

從清華大學(xué)到鎵未來科技,張大江先生在半導(dǎo)體功率器件十八年的堅(jiān)守!

從清華大學(xué)到鎵未來科技,張大江先生在半導(dǎo)體功率器件十八年的堅(jiān)守!近年來,珠海市鎵未來科技有限公司(以下簡稱“鎵未來”)在第三代半導(dǎo)體行業(yè)異軍突起,憑借領(lǐng)先的氮化鎵(GaN)技術(shù)儲(chǔ)備和不斷推出的新產(chǎn)品
2025-05-19 10:16:02

能量密度提升15%!TDK第三代電池量產(chǎn)在即

,這一革新使電池儲(chǔ)電能力顯著增強(qiáng),能量密度提升 15%。在相同體積下,它能儲(chǔ)存更多電能,為手機(jī)制造商打造輕薄產(chǎn)品提供了技術(shù)支撐。 ? 彭博社指出,蘋果和星是 TDK 的主要客戶,各自貢獻(xiàn)了公司約 10% 的總收入。第三代硅陽極電池的推出,
2025-05-19 03:02:002928

恩智浦推出第三代成像雷達(dá)處理器S32R47系列

恩智浦半導(dǎo)體發(fā)布采用16納米FinFET技術(shù)的新一S32R47成像雷達(dá)處理器,進(jìn)一步鞏固公司在成像雷達(dá)領(lǐng)域的專業(yè)實(shí)力。S32R47系列是第三代成像雷達(dá)處理器,性能比前代產(chǎn)品提升高達(dá)兩倍,同時(shí)改進(jìn)
2025-05-12 15:06:4353628

基于RFSOC的8路5G ADC和8路9G的DAC PCIe卡

板卡使用Xilinx最新的第三代RFSOC系列,單顆芯片包含8路ADC和DAC,64-bit Cortex A53系列4核CPU,Cortex-R5F實(shí)時(shí)處理核,以及大容量FPGA。
2025-05-10 11:54:18927

麥科信獲評(píng)CIAS2025金翎獎(jiǎng)【半導(dǎo)體制造與封測領(lǐng)域優(yōu)質(zhì)供應(yīng)商】

制造與封測領(lǐng)域優(yōu)質(zhì)供應(yīng)商榜單。本屆大會(huì)以\"新能源芯時(shí)代\"為主題,匯集了來自功率半導(dǎo)體、第三代材料應(yīng)用等領(lǐng)域的行業(yè)專家與企業(yè)代表。 作為專注電子測試測量領(lǐng)域的高新技術(shù)企業(yè),麥科
2025-05-09 16:10:01

最高1080線,600米測距!大激光雷達(dá)新品齊發(fā)

1550nm遠(yuǎn)距激光雷達(dá)帶到量產(chǎn)車型上;第二獵鷹K2優(yōu)化高性能激光雷達(dá)綜合實(shí)力,內(nèi)嵌ASIC芯片,實(shí)現(xiàn)功耗大幅度降低。 獵鷹K3是圖達(dá)通第三代超遠(yuǎn)距激光雷達(dá),通過第三代激光發(fā)射及接收技術(shù)應(yīng)用,實(shí)現(xiàn)了性能的全面升級(jí):標(biāo)準(zhǔn)探測距離提升至350米,最遠(yuǎn)測距提升至600米,最高
2025-05-08 18:32:545187

AOS推出第三代1200V aSiC MOSFET,專為高功率應(yīng)用能效優(yōu)化而生

(Gen3)1200V aSiC MOSFET系列產(chǎn)品,旨在為蓬勃發(fā)展的工業(yè)電源應(yīng)用市場提供更高能效解決方案。與AOS上一產(chǎn)品相比,該系列產(chǎn)品在高負(fù)載條件下能夠保持較低導(dǎo)通損耗的同時(shí),其開關(guān)品質(zhì)因數(shù)
2025-05-07 10:56:10728

SemiQ新一1200V SiC MOSFET模塊:高效能、超快開關(guān)與卓越熱管理

近日,半導(dǎo)體技術(shù)公司SemiQ宣布推出基于第三代碳化硅(SiC)技術(shù)的1200VSOT-227MOSFET模塊系列。該系列產(chǎn)品采用先進(jìn)的共封裝設(shè)計(jì),具備更快的開關(guān)速度、更低的導(dǎo)通與開關(guān)損耗,適用于
2025-04-25 11:39:28987

【直播預(yù)告】第三代CAN總線CANXL介紹,預(yù)約有禮喔#CANXL #車載以太網(wǎng)

車載以太網(wǎng)
北匯信息POLELINK發(fā)布于 2025-04-24 17:59:47

是德示波器如何精準(zhǔn)測量第三代半導(dǎo)體SiC的動(dòng)態(tài)特性

第三代半導(dǎo)體材料SiC(碳化硅)憑借其高擊穿電壓、低導(dǎo)通電阻、耐高溫等特性,在新能源汽車、工業(yè)電源、軌道交通等領(lǐng)域展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢。然而,SiC器件的高頻開關(guān)特性也帶來了動(dòng)態(tài)測試的挑戰(zhàn):開關(guān)速度可達(dá)納
2025-04-22 18:25:42683

GaN快充芯片U8609的工作原理

GaN快充芯片U8609最高工作頻率130kHz,700V/365m?,采用DASOP-7封,主推12V3A,合封第三代半導(dǎo)體GaN FET,有利于降低電源尺寸。U8609采用CS Jitter技術(shù),通過調(diào)制峰值電流參考值實(shí)現(xiàn)頻率抖動(dòng),以優(yōu)化系統(tǒng)EMI。
2025-04-22 17:03:121040

SMT FUJI NXT三代CPU卡 2EGTBC0302**/ 2EGTBC049700, PDS-BX01E0906

SMT FUJI NXT三代CPU卡 2EGTBC0302**/ 2EGTBC049700, PDS-BX01E0906
2025-04-22 14:32:21

路暢科技亮相2025香港春季電子產(chǎn)品

4月13日至16日,路暢科技攜全場景健康座艙及第三代智能座艙解決方案亮相2025香港春季電子產(chǎn)品展,通過沉浸式交互體驗(yàn)展示其在汽車智能化領(lǐng)域的技術(shù)實(shí)力與創(chuàng)新成果。
2025-04-16 17:26:511103

DDR3 SDRAM配置教程

DDR3 SDRAM(Double-Data-Rate ThreeSynchronous Dynamic Random Access Memory)是DDR SDRAM的第三代產(chǎn)品,相較于DDR2,DDR3有更高的運(yùn)行性能與更低的電壓。
2025-04-10 09:42:533930

金升陽推出高性能第三代插件式單路驅(qū)動(dòng)電源

隨著新能源電動(dòng)汽車行業(yè)的蓬勃發(fā)展,其動(dòng)力系統(tǒng)的關(guān)鍵組件:IGBT及SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)件需求量十分可觀;為更好地迎合上述市場的需求,金升陽推出了高性能的第三代插件式單路驅(qū)動(dòng)電源QA_(T)-R3S系列(“T”為貼片式封裝)。
2025-04-09 17:25:26985

高通全新一驍龍G系列產(chǎn)品組合,全面提升手持游戲設(shè)備體驗(yàn)

。 ??本季度開始,AYANEO、壹號(hào)方糖和Retroid Pocket等OEM廠商將陸續(xù)推出搭載全新驍龍G系列平臺(tái)的手持游戲設(shè)備。 今日,高通技術(shù)公司宣布推出其2025年的全新驍龍G系列游戲平臺(tái)組合,專為各類玩家的手持游戲設(shè)備而打造。全新產(chǎn)品組合包括第三代驍龍G3、第二
2025-03-18 09:15:202366

第三代功率半導(dǎo)體廠商納微半導(dǎo)體榮獲領(lǐng)益智造“金石供應(yīng)商”稱號(hào)

? 日前,廣東領(lǐng)益智造股份有限公司(簡稱“領(lǐng)益智造”)2025年供應(yīng)商大會(huì)于廣東深圳領(lǐng)益大廈成功召開。納微達(dá)斯(無錫)半導(dǎo)體有限公司(簡稱“納微半導(dǎo)體”)憑借領(lǐng)先的第三代功率半導(dǎo)體技術(shù),與領(lǐng)益智造
2025-03-14 11:51:043895

拆了星鏈終端第三代,明白這相控陣天線的請(qǐng)留言!

一談起低軌衛(wèi)星,大家勢必會(huì)說起馬斯克的星鏈。一談起相控陣天線,大家還是繞不開馬斯克的星鏈。星鏈給大家打了個(gè)樣,一眾企業(yè)在模仿,試圖實(shí)現(xiàn)超越和跟隨。最近,拆了一臺(tái)第三代星鏈終端。但是,看不懂,完全
2025-03-05 17:34:166275

SemiQ第三代SiC MOSFET:車充與工業(yè)應(yīng)用新突破

SemiQ最新發(fā)布的QSiC1200V第三代碳化硅(SiC)MOSFET在前代產(chǎn)品基礎(chǔ)上實(shí)現(xiàn)突破性升級(jí),芯片面積縮小20%,開關(guān)損耗更低,能效表現(xiàn)更優(yōu)。該產(chǎn)品專為電動(dòng)汽車充電樁、可再生能源系統(tǒng)、工業(yè)
2025-03-03 11:43:431484

MP2643數(shù)據(jù)手冊(cè)#第三代芯、2A、雙向主動(dòng)均衡芯片

MP2643 是一款高度集成的雙向主動(dòng)均衡芯片,它可以通過高達(dá) 2A 的電流傳輸能力對(duì)電池包中相鄰兩節(jié)串聯(lián)芯(鋰離子、鋰聚合物或磷酸鐵鋰(LFP 或LiFePO4))的電量進(jìn)行重新分配
2025-03-01 16:29:152751

【AI開發(fā)板】正點(diǎn)原子K230D BOX開發(fā)板來了!一款性能強(qiáng)悍且小巧便攜的AI開發(fā)板!

搭載了嘉楠科技推出的K230D主控芯片,該芯片以RISC-V雙核64位的CPU為核心,并搭載了嘉楠科技自研的第三代KPU,能提供至高達(dá)6TOPS的等效算力,其在典型網(wǎng)絡(luò)下實(shí)測推理能力可達(dá)K210
2025-02-18 16:56:56

聞泰科技榮獲GaN年度優(yōu)秀產(chǎn)品獎(jiǎng)

近日,在深圳舉辦的行家說第三代半導(dǎo)體年會(huì)——碳化硅&氮化鎵產(chǎn)業(yè)高峰論壇上,聞泰科技半導(dǎo)體業(yè)務(wù)憑借其卓越的創(chuàng)新產(chǎn)品“針對(duì)工業(yè)和可再生能源應(yīng)用的CCPAK封裝GaN FET”,成功榮獲「GaN年度優(yōu)秀
2025-02-17 13:32:50736

第三代半導(dǎo)體器件封裝:挑戰(zhàn)與機(jī)遇并存

一、引言隨著科技的不斷發(fā)展,功率半導(dǎo)體器件在電力電子系統(tǒng)、電動(dòng)汽車、智能電網(wǎng)、新能源并網(wǎng)等領(lǐng)域發(fā)揮著越來越重要的作用。近年來,第三代寬禁帶功率半導(dǎo)體器件以其獨(dú)特的高溫、高頻、高耐壓等特性,逐漸
2025-02-15 11:15:301611

聞泰科技榮獲2024行家極光獎(jiǎng)年度優(yōu)秀產(chǎn)品獎(jiǎng)

近日,在深圳舉辦的行家說第三代半導(dǎo)體年會(huì)——碳化硅&氮化鎵產(chǎn)業(yè)高峰論壇上,聞泰科技半導(dǎo)體業(yè)務(wù)憑借其領(lǐng)先產(chǎn)品“針對(duì)工業(yè)和可再生能源應(yīng)用的CCPAK封裝GaN FET”榮獲「GaN年度優(yōu)秀產(chǎn)品獎(jiǎng)」。這一榮譽(yù)不僅是對(duì)聞泰科技半導(dǎo)體業(yè)務(wù)技術(shù)創(chuàng)新的認(rèn)可,更是對(duì)其在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域深耕細(xì)作成果的肯定。
2025-02-14 17:24:301020

百度智能云發(fā)布昆侖芯三代萬卡集群及DeepSeek-R1/V3上線

01百度智能云點(diǎn)亮昆侖芯三代萬卡集群 近日,百度智能云成功點(diǎn)亮昆侖芯三代萬卡集群,這也是國內(nèi)首個(gè)正式點(diǎn)亮的自研萬卡集群。百度智能云將進(jìn)一步點(diǎn)亮3萬卡集群。 自研芯片和萬卡集群的建成帶來了強(qiáng)大的算力
2025-02-11 10:58:081007

中國成功在太空驗(yàn)證第三代半導(dǎo)體材料功率器件

近日,中國在太空成功驗(yàn)證了首款國產(chǎn)碳化硅(SiC)功率器件,這一突破性進(jìn)展標(biāo)志著第三代半導(dǎo)體材料有望牽引中國航天電源系統(tǒng)升級(jí)換代,為中國航天事業(yè)以及相關(guān)制造業(yè)的轉(zhuǎn)型升級(jí)注入強(qiáng)大動(dòng)力。 2024年11
2025-02-11 10:30:061343

百度智能云點(diǎn)亮昆侖芯三代萬卡集群

近日,百度智能云宣布成功點(diǎn)亮昆侖芯三代萬卡集群,這一成就不僅在國內(nèi)尚屬首次,也標(biāo)志著百度在人工智能算力領(lǐng)域取得了重大突破。據(jù)了解,百度智能云計(jì)劃進(jìn)一步擴(kuò)大規(guī)模,進(jìn)一步點(diǎn)亮3萬卡集群,以滿足日益增長
2025-02-05 14:58:141032

國產(chǎn)首款!成功驗(yàn)證

來源:新華網(wǎng) 我國在太空成功驗(yàn)證第三代半導(dǎo)體材料制造的功率器件 ? 以碳化硅(SiC)為代表的第三代半導(dǎo)體材料是我國制造業(yè)轉(zhuǎn)型升級(jí)的驅(qū)動(dòng)因素和重要保證。記者從中國科學(xué)院微電子研究所獲悉,我國在太空
2025-02-05 10:56:13517

第三代寬禁帶功率半導(dǎo)體的應(yīng)用

本文介紹第三代寬禁帶功率半導(dǎo)體的應(yīng)用 在電動(dòng)汽車的核心部件中,車用功率模塊(當(dāng)前主流技術(shù)為IGBT)占據(jù)著舉足輕重的地位,它不僅決定了驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的關(guān)鍵性能,還占據(jù)了電機(jī)逆變器成本的40%以上。鑒于
2025-01-15 10:55:571150

多品牌上車應(yīng)用,SiC想象空間有多大?

全球第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展迅速,成為半導(dǎo)體技術(shù)研究的前沿和產(chǎn)業(yè)競爭的焦點(diǎn)。在新能源汽車等應(yīng)用市場快速發(fā)展的推動(dòng)下,國內(nèi)外廠商正在積極布局碳化硅業(yè)務(wù),發(fā)展前景究竟如何? 隨著全球科技的飛速發(fā)展,半導(dǎo)體
2025-01-08 17:23:51802

EE-230:第三代SHARC系列處理器上的代碼疊加

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《EE-230:第三代SHARC系列處理器上的代碼疊加.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-01-08 14:43:010

EE-220:將外部存儲(chǔ)器與第三代SHARC處理器和并行端口配合使用

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《EE-220:將外部存儲(chǔ)器與第三代SHARC處理器和并行端口配合使用.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-01-06 16:12:110

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