薩科微碳化硅專家

薩科微slkor總經(jīng)理宋仕強介紹說，電動化、電池的日益使用和自動化等趨勢正在推動功率電子產(chǎn)品的需求，這是通過減少二氧化碳排放和提高系統(tǒng)效率來減緩氣候變化的努力所推動的，也是未來薩科微slkor產(chǎn)品的市場增長點。根據(jù)權(quán)威調(diào)查機構(gòu)Yole的《2022年功率電子行業(yè)現(xiàn)狀》報告，由于電動和混合動力汽車（xEV）、工廠自動化、光伏、風力渦輪機、UPS和家用電器的需求不斷增長，功率電子分立和模塊器件市場在2021至2027年間的復合年增長率將達到6.9%，薩科微slkormicro研發(fā)生產(chǎn)的高壓mos管、普通場效應管、igbt管、橋堆等，銷量就會帶來爆發(fā)式的增長，也是薩科微在國產(chǎn)替代過程中的機會！薩科微的AMS1117-3.3、AMS1117-5.0、SS34、SS36、SS8050、SS8850、BTA54C、slkor薩科微LL4148、SMAJ5.0A、SMAJ24A、MMBZ18VAL、ESDR0524P等型號已經(jīng)在立創(chuàng)商城大賣、slkor薩科微推出電源管理芯片SL4949、SL54620RHLR、SL6908D、SL2044、電池管理芯片SL197-1也將銷售。薩科微還將推出更多數(shù)字和模擬等集成電路產(chǎn)品，為客戶提供更專業(yè)和更全面的服務。

審核編輯?黃昊宇

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碳化硅(51890) 碳化硅(51890)

打線門極電阻，助力SiC碳化硅模塊性能提升

近年來，在國家相關政策支持下，應用于新能源領域的功率模塊迎來了增長新契機。而SiC碳化硅模塊以其卓越性能，成為新能源核心賽道的“佼佼者”。碳化硅模塊的性能提升對于新能源熱管理優(yōu)化至關重要，而廣東愛晟電子科技有限公司研發(fā)、量產(chǎn)的打線門極電阻，在碳化硅模塊性能升級過程中的作用不可或缺。

2025-12-31 14:16:25

碳化硅器件在新能源汽車中的核心作用

碳化硅（SiC）器件在新能源汽車中起到了非常核心的作用，尤其是在提升電能轉(zhuǎn)換效率、減小體積和重量、延長續(xù)航里程等方面，具有不可替代的優(yōu)勢。具體來說，碳化硅器件在以下幾個關鍵環(huán)節(jié)中發(fā)揮著重要作用。

2025-12-29 11:39:51

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陽臺微儲的拓撲架構(gòu)演進、技術(shù)趨勢及碳化硅MOSFET在其中的應用

陽光光儲與陽臺微儲的拓撲架構(gòu)演進、技術(shù)趨勢及碳化硅MOSFET在其中的應用傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務于中國工業(yè)電源、電力電子設備

2025-12-20 09:21:33

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基于SiC碳化硅功率器件的c研究報告

基于SiC碳化硅功率器件的一級能效超大功率充電樁電源模塊深度報告傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務于中國工業(yè)電源、電力電子設備和新能源

2025-12-14 07:32:01

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簡單認識博世碳化硅功率半導體產(chǎn)品

博世為智能出行領域提供全面的碳化硅功率半導體產(chǎn)品組合，包括用于逆變器、車載充電器和直流/直流轉(zhuǎn)換器的碳化硅功率MOSFET和碳化硅功率模塊。這些解決方案已面向全球整車廠、一級供應商以及分銷商，產(chǎn)品

2025-12-12 14:14:06

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Onsemi碳化硅MOSFET NTHL060N065SC1的性能剖析與應用指南

在電力電子領域，碳化硅（SiC）MOSFET憑借其卓越的性能逐漸成為工程師們的首選。今天我們就來詳細剖析Onsemi的一款650V、44毫歐的N溝道碳化硅MOSFET——NTHL060N065SC1。

2025-12-08 15:50:27

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onsemi NTMT045N065SC1碳化硅MOSFET深度解析

在電源管理和功率轉(zhuǎn)換領域，碳化硅（SiC）MOSFET以其卓越的性能逐漸成為電子工程師的首選。今天，我們就來深入探討一下安森美（onsemi）的NTMT045N065SC1碳化硅MOSFET。

2025-12-05 14:46:06

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為了方便廣大電子硬件工程師用好薩科微slkor的產(chǎn)品，為客戶提供配套的技術(shù)服務，讓產(chǎn)品更好為客戶創(chuàng)造價值

BVceo ≥80V。薩科微半導體總部設在中國廣東省深圳市，以新材料、新工藝、新產(chǎn)品驅(qū)動公司的發(fā)展，薩科微技術(shù)團隊主要來自韓國延世大學和清華大學，掌握國際領先的碳化硅MOSFET生產(chǎn)工藝，及第五代超快恢復功率

2025-12-04 11:36:34

傾佳電子市場報告：國產(chǎn)SiC碳化硅功率器件在全碳化硅戶用儲能領域的戰(zhàn)略突破

傾佳電子市場報告：國產(chǎn)SiC碳化硅功率器件在全碳化硅戶用儲能領域的戰(zhàn)略突破 ——以基本半導體B2M065120Z在15kW混合逆變器中的應用為例傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率

2025-11-24 04:57:29

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傾佳電子碳化硅MOSFET高級柵極驅(qū)動設計：核心原理與未來趨勢綜合技術(shù)評述

傾佳電子碳化硅MOSFET高級柵極驅(qū)動設計：核心原理與未來趨勢綜合技術(shù)評述傾佳電子楊茜致力于推動國產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應用中全面取代進口IGBT模塊，助力電力電子行業(yè)自主可控和產(chǎn)業(yè)升級

2025-10-18 21:22:45

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高功率密度碳化硅MOSFET軟開關三相逆變器損耗分析

　　相比硅 IGBT，碳化硅 MOSFET 擁有更快的開關速度和更低的開關損耗。 碳化硅 MOSFET 應用于高開關頻率場合時其開關損耗隨著開關頻率的增加亦快速增長。為進一步提升碳化硅

2025-10-11 15:32:03

探索碳化硅如何改變能源系統(tǒng)

作者：Michael Williams, Shawn Luke 碳化硅 (SiC) 已成為各行各業(yè)提高效率和推動脫碳的基石。碳化硅是高級電力系統(tǒng)的推動劑，可滿足全球?qū)稍偕茉础㈦妱悠?(EV

2025-10-02 17:25:00

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AR光波導+先進封裝雙驅(qū)動，12英寸碳化硅靜待爆發(fā)

電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道 12英寸碳化硅在近期產(chǎn)業(yè)內(nèi)迎來兩大新需求：AI眼鏡市場爆發(fā)，推動碳化硅AR光波導鏡片量產(chǎn)節(jié)奏；為了進一步提高散熱效率，英偉達決定在下一代Rubin GPU中，將用碳化硅中介層

2025-09-26 09:13:55

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[新啟航]碳化硅 TTV 厚度測量技術(shù)的未來發(fā)展趨勢與創(chuàng)新方向

一、引言 碳化硅（SiC）作為寬禁帶半導體材料的代表，在功率器件、射頻器件等領域發(fā)揮著關鍵作用。總厚度偏差（TTV）是衡量碳化硅襯底及外延片質(zhì)量的重要指標，其精確測量對保障碳化硅器件性能至關重要

2025-09-22 09:53:36

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Wolfspeed碳化硅技術(shù)實現(xiàn)大規(guī)模商用

碳化硅 (SiC) 技術(shù)并非憑空而來，它是建立在數(shù)十年的創(chuàng)新基礎之上。近四十年來，Wolfspeed 始終致力于碳化硅 (SiC) 技術(shù)和產(chǎn)品的創(chuàng)新并不斷強化基礎專利。僅在過去的五年中，我們

2025-09-22 09:31:47

654

【新啟航】碳化硅外延片 TTV 厚度與生長工藝參數(shù)的關聯(lián)性研究

一、引言 碳化硅外延片作為功率半導體器件的核心材料，其總厚度偏差（TTV）是衡量產(chǎn)品質(zhì)量的關鍵指標，直接影響器件的性能與可靠性。外延片的 TTV 厚度受多種因素影響，其中生長工藝參數(shù)起著決定性

2025-09-18 14:44:40

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基本半導體1200V工業(yè)級碳化硅MOSFET半橋模塊Pcore 2系列介紹

基本半導體推出62mm封裝的1200V工業(yè)級碳化硅MOSFET半橋模塊，產(chǎn)品采用新一代碳化硅MOSFET芯片技術(shù)，在保持傳統(tǒng)62mm封裝尺寸優(yōu)勢的基礎上，通過創(chuàng)新的模塊設計顯著降低了模塊雜散電感，使碳化硅MOSFET的高頻性能得到更充分發(fā)揮。

2025-09-15 16:53:03

980

碳化硅 TTV 厚度在 CMP 工藝中的反饋控制機制研究

一、引言化學機械拋光（CMP）工藝是實現(xiàn)碳化硅（SiC）襯底全局平坦化的關鍵技術(shù)，對提升襯底質(zhì)量、保障后續(xù)器件性能至關重要?？偤穸绕睿═TV）作為衡量碳化硅襯底質(zhì)量的核心指標之一，其精確控制

2025-09-11 11:56:41

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Wolfspeed 200mm碳化硅材料產(chǎn)品組合開啟大規(guī)模商用

全球碳化硅 (SiC) 技術(shù)引領者 Wolfspeed 公司（美國紐約證券交易所上市代碼：WOLF）宣布，Wolfspeed 200mm 碳化硅材料產(chǎn)品開啟大規(guī)模商用。這一重要里程碑標志著 Wolfspeed 加速行業(yè)從硅向碳化硅轉(zhuǎn)型的使命邁出關鍵一步。

2025-09-11 09:12:54

1415

碳化硅功率器件的基本特性和主要類型

隨著全球?qū)δ茉葱屎涂沙掷m(xù)發(fā)展的關注日益加深，碳化硅（SiC）功率器件作為一種新興的半導體材料，正在快速崛起。SiC以其優(yōu)異的電氣性能、高溫穩(wěn)定性和抗輻射性，成為現(xiàn)代電力電子技術(shù)中不可或缺的重要組成部分。本文將探討碳化硅功率器件的性能特點、應用領域及未來發(fā)展趨勢。

2025-09-03 17:56:41

1428

數(shù)明半導體SiLM27531H柵極驅(qū)動器在碳化硅器件中的應用

碳化硅 MOSFET 憑借顯著的開關性能優(yōu)勢，在許多大功率應用中得到青睞。然而它的特性要求柵極驅(qū)動電路有較高要求，以優(yōu)化碳化硅器件的開關性能。盡管碳化硅 MOSFET 并非難以驅(qū)動，但許多常見的驅(qū)動器可能會導致開關性能下降。

2025-09-03 17:54:01

4443

碳化硅在電機驅(qū)動中的應用

今天碳化硅器件已經(jīng)在多種應用中取得商業(yè)的成功。碳化硅MOSFET已被證明是硅IGBT在太陽能、儲能系統(tǒng)、電動汽車充電器和電動汽車等領域的商業(yè)可行替代品。

2025-08-29 14:38:01

6758

碳化硅器件的應用優(yōu)勢

碳化硅是第三代半導體典型材料，相比之前的硅材料，碳化硅有著高擊穿場強和高熱導率的優(yōu)勢，在高壓、高頻、大功率的場景下更適用。碳化硅的晶體結(jié)構(gòu)穩(wěn)定，哪怕是在超過300℃的高溫環(huán)境下，打破了傳統(tǒng)材料下器件的參數(shù)瓶頸，直接促進了新能源等產(chǎn)業(yè)的升級。

2025-08-27 16:17:43

1260

碳化硅襯底 TTV 厚度測量中邊緣效應的抑制方法研究

摘要本文針對碳化硅襯底 TTV 厚度測量中存在的邊緣效應問題，深入分析其產(chǎn)生原因，從樣品處理、測量技術(shù)改進及數(shù)據(jù)處理等多維度研究抑制方法，旨在提高 TTV 測量準確性，為碳化硅半導體制造提供可靠

2025-08-26 16:52:10

1092

探針式碳化硅襯底 TTV 厚度測量儀的操作規(guī)范與技巧

本文圍繞探針式碳化硅襯底 TTV 厚度測量儀，系統(tǒng)闡述其操作規(guī)范與實用技巧，通過規(guī)范測量流程、分享操作要點，旨在提高測量準確性與效率，為半導體制造過程中碳化硅襯底 TTV 測量提供標準化操作指導

2025-08-23 16:22:40

1082

【新啟航】探針式碳化硅襯底 TTV 厚度測量儀的操作規(guī)范與技巧

摘要本文圍繞探針式碳化硅襯底 TTV 厚度測量儀，系統(tǒng)闡述其操作規(guī)范與實用技巧，通過規(guī)范測量流程、分享操作要點，旨在提高測量準確性與效率，為半導體制造過程中碳化硅襯底 TTV 測量提供標準化操作

2025-08-20 12:01:02

551

派恩杰第四代碳化硅產(chǎn)品在AI基建的應用

在 AI 基建中，碳化硅(SiC)憑借高頻高效、耐高溫、高功率密度等特性，成為解決 “算力飆升與能耗、空間、散熱瓶頸” 矛盾的核心材料。從數(shù)據(jù)中心的電源系統(tǒng)到邊緣 AI 設備的穩(wěn)定運行，派恩杰第四代碳化硅正深度滲透到 AI 基建的全鏈條。

2025-08-18 15:56:31

1137

【新啟航】碳化硅襯底 TTV 厚度測量中表面粗糙度對結(jié)果的影響研究

摘要本文聚焦碳化硅襯底 TTV 厚度測量過程，深入探究表面粗糙度對測量結(jié)果的影響機制，通過理論分析與實驗驗證，揭示表面粗糙度與測量誤差的關聯(lián)，為優(yōu)化碳化硅襯底 TTV 測量方法、提升測量準確性提供

2025-08-18 14:33:59

454

森國科推出SOT227封裝碳化硅功率模塊

碳化硅（SiC）功率半導體技術(shù)引領者森國科，推出了采用SOT227封裝的SiC MOSFET及JBS功率模塊系列。這一突破性封裝方案結(jié)合了高功率密度與系統(tǒng)級可靠性，為新能源發(fā)電、工業(yè)電源及電動汽車等領域提供高效能解決方案。

2025-08-16 13:50:09

3156

【新啟航】國產(chǎn) VS 進口碳化硅襯底 TTV 厚度測量儀的性價比分析

本文通過對比國產(chǎn)與進口碳化硅襯底 TTV 厚度測量儀在性能、價格、維護成本等方面的差異，深入分析兩者的性價比，旨在為半導體制造企業(yè)及科研機構(gòu)選購測量設備提供科學依據(jù)，助力優(yōu)化資源配置。引言在

2025-08-15 11:55:31

707

激光干涉法在碳化硅襯底 TTV 厚度測量中的精度提升策略

摘要本文針對激光干涉法在碳化硅襯底 TTV 厚度測量中存在的精度問題，深入分析影響測量精度的因素，從設備優(yōu)化、環(huán)境控制、數(shù)據(jù)處理等多個維度提出精度提升策略，旨在為提高碳化硅襯底 TTV 測量準確性

2025-08-12 13:20:16

778

Wolfspeed推出第四代高性能碳化硅MOSFET

Wolfspeed 推出第四代 (Gen 4) 1200 V 車規(guī)級碳化硅 (SiC) 裸芯片 MOSFET 系列，專為嚴苛的汽車環(huán)境設計。Wolfspeed 第四代高性能碳化硅 MOSFET，可在 185°C 下持續(xù)工作，助力動力總成系統(tǒng)實現(xiàn)最大性能。

2025-08-11 16:54:23

2327

【新啟航】如何解決碳化硅襯底 TTV 厚度測量中的各向異性干擾問題

摘要本文針對碳化硅襯底 TTV 厚度測量中各向異性帶來的干擾問題展開研究，深入分析干擾產(chǎn)生的機理，提出多種解決策略，旨在提高碳化硅襯底 TTV 厚度測量的準確性與可靠性，為碳化硅半導體制造工藝提供

2025-08-08 11:38:30

657

基本半導體推出34mm封裝的全碳化硅MOSFET半橋模塊

基本半導體推出34mm封裝的全碳化硅MOSFET半橋模塊，該系列產(chǎn)品采用第三代碳化硅MOSFET芯片技術(shù)，在比導通電阻、開關損耗、可靠性等方面表現(xiàn)更出色。

2025-08-01 10:25:14

1293

碳化硅晶圓特性及切割要點

01襯底碳化硅襯底是第三代半導體材料中氮化鎵、碳化硅應用的基石。碳化硅襯底以碳化硅粉末為主要原材料，經(jīng)過晶體生長、晶錠加工、切割、研磨、拋光、清洗等制造過程后形成的單片材料。按照電學性能

2025-07-15 15:00:19

960

博世碳化硅技術(shù)在新能源汽車領域的應用

驚聞謠傳頭部碳化硅Tier 1玩家博世“被”退出碳化硅賽道，小編表示地鐵、老人、手機.jpg，火速去內(nèi)部打探消息——結(jié)果只想說一句：別慌，博世還在，且蓄勢待發(fā)！這樣精彩的舞臺，怎會少了博世這位心動嘉賓。

2025-07-04 09:46:01

909

超薄碳化硅襯底切割自動對刀精度提升策略

超薄碳化硅襯底（

2025-07-02 09:49:10

483

EAB450M12XM3全碳化硅半橋功率模塊CREE

EAB450M12XM3全碳化硅半橋功率模塊CREEEAB450M12XM3是Wolfspeed（原CREE科銳）生產(chǎn)的1200V、450A全碳化硅半橋功率模塊，致力于高功率、高效化技術(shù)應用打造

2025-06-25 09:13:14

基本股份SiC功率模塊的兩電平全碳化硅混合逆變器解決方案

傾佳電子（Changer Tech）-專業(yè)汽車連接器及功率半導體(SiC碳化硅MOSFET單管，SiC碳化硅MOSFET模塊，碳化硅SiC-MOSFET驅(qū)動芯片，SiC功率模塊驅(qū)動板，驅(qū)動IC

2025-06-24 17:26:28

492

SiC碳化硅MOSFET時代的驅(qū)動供電解決方案：基本BTP1521P電源芯片

傾佳電子(Changer Tech)-專業(yè)汽車連接器及功率半導體(SiC碳化硅MOSFET單管，SiC碳化硅MOSFET模塊，碳化硅SiC-MOSFET驅(qū)動芯片，SiC功率模塊驅(qū)動板，驅(qū)動IC

2025-06-19 16:57:20

1228

簡述碳化硅功率器件的應用領域

碳化硅（SiliconCarbide,SiC）是一種新興的半導體材料，因其優(yōu)越的電氣特性和熱穩(wěn)定性，正在逐漸取代傳統(tǒng)的硅（Si）材料，成為功率器件領域的重要選擇。SiC功率器件以其高效率、高溫耐受性

2025-06-18 17:24:24

1467

碳化硅在多種應用場景中的影響

對碳化硅技術(shù)進行商業(yè)化應用時，需要持續(xù)關注材料缺陷、器件可靠性和相關封裝技術(shù)。本文還將向研究人員和專業(yè)人士介紹一些實用知識，幫助了解碳化硅如何為功率半導體行業(yè)實現(xiàn)高效且可靠的解決方案。

2025-06-13 09:34:06

1290

切割進給量與碳化硅襯底厚度均勻性的量化關系及工藝優(yōu)化

引言在碳化硅襯底加工過程中，切割進給量是影響其厚度均勻性的關鍵工藝參數(shù)。深入探究二者的量化關系，并進行工藝優(yōu)化，對提升碳化硅襯底質(zhì)量、滿足半導體器件制造需求具有重要意義。量化關系分析切割機

2025-06-12 10:03:28

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基本半導體碳化硅 MOSFET 的 Eoff 特性及其在電力電子領域的應用

基本半導體碳化硅 MOSFET 的 Eoff 特性及其在電力電子領域的應用一、引言在電力電子技術(shù)飛速發(fā)展的今天，碳化硅（SiC）MOSFET 憑借其卓越的性能，成為推動高效能電力轉(zhuǎn)換的關鍵器件

2025-06-10 08:38:54

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基于SiC碳化硅功率模塊的高效、高可靠PCS解決方案

亞非拉市場工商業(yè)儲能破局之道：基于SiC碳化硅功率模塊的高效、高可靠PCS解決方案 —— 為高溫、電網(wǎng)不穩(wěn)環(huán)境量身定制的技術(shù)革新傾佳電子楊茜致力于推動國產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應用中全面取代

2025-06-08 11:13:47

1097

國產(chǎn)SiC碳化硅功率半導體企業(yè)引領全球市場格局重構(gòu)

SiC碳化硅MOSFET國產(chǎn)化替代浪潮：國產(chǎn)SiC碳化硅功率半導體企業(yè)引領全球市場格局重構(gòu) 1 國產(chǎn)SiC碳化硅功率半導體企業(yè)的崛起與技術(shù)突破 1.1 國產(chǎn)SiC碳化硅功率半導體企業(yè)從Fabless

2025-06-07 06:17:30

911

碳化硅MOS驅(qū)動電壓如何選擇

碳化硅MOS驅(qū)動電壓選擇15V還是18V，是電力電子設計中的關鍵權(quán)衡問題。這兩種電壓對器件的導通損耗、開關特性、熱管理和系統(tǒng)可靠性有顯著影響。

2025-06-04 09:22:59

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碳化硅功率器件在汽車領域的應用

隨著全球汽車行業(yè)向電動化、智能化和輕量化的快速轉(zhuǎn)型，碳化硅（SiC）功率器件以其優(yōu)越的性能，正日益成為汽車電子領域的重要組成部分。特別是在電動汽車（EV）和混合動力汽車（HEV）的各類應用中，SiC

2025-05-29 17:32:31

1082

全球產(chǎn)業(yè)重構(gòu):從Wolfspeed破產(chǎn)到中國SiC碳化硅功率半導體崛起

從Wolfspeed破產(chǎn)到中國碳化硅崛起：國產(chǎn)SiC碳化硅功率半導體的范式突破與全球產(chǎn)業(yè)重構(gòu) 一、Wolfspeed的隕落：技術(shù)霸權(quán)崩塌的深層邏輯作為碳化硅（SiC）領域的先驅(qū)，Wolfspeed

2025-05-21 09:49:40

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國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET在有源濾波器（APF）中的革新應用

2025-05-10 13:38:19

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基本半導體攜碳化硅功率器件亮相PCIM Europe 2025

近日，全球電力電子領域的“頂流”盛會——PCIM Europe 2025在德國紐倫堡會展中心盛大開幕?；景雽w攜全系列碳化硅功率器件及門極驅(qū)動解決方案盛裝亮相，并隆重發(fā)布新一代碳化硅MOSFET

2025-05-09 09:19:10

1116

基本半導體碳化硅（SiC）MOSFET低關斷損耗（Eoff）特性的應用優(yōu)勢

裝備及新能源汽車產(chǎn)業(yè)鏈。 BASiC基本股份SiC碳化硅MOSFET單管及模塊一級代理商傾佳電子楊茜微信&手機：132

2025-05-04 09:42:31

740

基于國產(chǎn)碳化硅SiC MOSFET的高效熱泵與商用空調(diào)系統(tǒng)解決方案

茜微信&手機：13266663313 傾佳電子（Changer Tech）-專業(yè)汽車連接器及功率半導體(SiC碳化硅MOSFET單管，SiC碳化硅MOSFET模塊，碳化硅SiC-MOSFET驅(qū)動芯片

2025-05-03 10:45:12

561

碳化硅何以英飛凌？—— SiC MOSFET性能評價的真相

在碳化硅（SiC）技術(shù)的應用中，許多工程師對SiC的性能評價存在誤解，尤其是關于“單位面積導通電阻（Rsp）”和“高溫漂移”的問題。作為“碳化硅何以英飛凌”的系列文章，本文將繼續(xù)為您揭開這些誤區(qū)

2025-04-30 18:21:20

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碳化硅功率器件在能源轉(zhuǎn)換中的應用

隨著全球?qū)沙掷m(xù)能源的需求不斷增加，能源轉(zhuǎn)換技術(shù)的提升已成為實現(xiàn)低碳經(jīng)濟的重要一環(huán)。碳化硅（SiC）功率器件因其在高溫、高電壓和高頻率下優(yōu)越的性能，正逐漸成為現(xiàn)代電力電子設備的選擇，特別是在能源轉(zhuǎn)換領域的應用越來越廣泛。本文將深入探討碳化硅功率器件在能源轉(zhuǎn)換中的應用及其優(yōu)勢。

2025-04-27 14:13:32

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碳化硅功率器件有哪些特點

隨著全球?qū)G色能源和高效能電子設備的需求不斷增加，寬禁帶半導體材料逐漸進入了人們的視野。其中，碳化硅（SiC）因其出色的性能而受到廣泛關注。碳化硅功率器件在電力電子、可再生能源以及電動汽車等領域的應用不斷拓展，成為現(xiàn)代電子技術(shù)的重要組成部分。本文將詳細探討碳化硅功率器件的特點及其應用現(xiàn)狀。

2025-04-21 17:55:03

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麥科信MOIP光隔離探頭解決碳化硅（SiC）項目問題

作為某新能源車企的電機控制系統(tǒng)工程師，我的日?？偫@不開碳化硅（SiC）器件的雙脈沖測試。三年前用傳統(tǒng)差分探頭測上管Vgs的經(jīng)歷堪稱“噩夢”每當開關動作時，屏幕上跳動的±5V震蕩波形，讓我誤以為

2025-04-15 14:14:16

低劣品質(zhì)碳化硅MOSFET的濫用將SiC逆變焊機直接推向“早衰”

低質(zhì)量碳化硅MOSFET對SiC碳化硅MOSFET逆變焊機新興品類的惡劣影響低質(zhì)量碳化硅MOSFET的濫用，可能將這一本應引領焊機產(chǎn)業(yè)升級的SiC碳化硅逆變焊機新興品類直接推向“早衰”。若放任亂象

2025-04-14 07:02:35

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碳化硅功率器件的種類和優(yōu)勢

在現(xiàn)代電子技術(shù)飛速發(fā)展的背景下，功率器件的性能和效率面臨著越來越高的要求。碳化硅（SiC）作為一種新興的寬禁帶半導體材料，憑借其優(yōu)異的電氣特性和熱性能，逐漸成為功率電子器件領域的熱門選擇。本文將探討碳化硅功率器件的基本概念、工作原理、主要應用領域以及未來發(fā)展趨勢。

2025-04-09 18:02:04

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麥科信光隔離探頭在碳化硅（SiC）MOSFET動態(tài)測試中的應用

碳化硅（SiC）MOSFET 是基于寬禁帶半導體材料碳化硅（SiC）制造的金屬氧化物半導體場效應晶體管，相較于傳統(tǒng)硅（Si）MOSFET，具有更高的擊穿電壓、更低的導通電阻、更快的開關速度以及更優(yōu)

2025-04-08 16:00:57

國產(chǎn)碳化硅MOSFET在OBC+DCDC及壁掛小直流樁中的應用

國產(chǎn)碳化硅MOSFET在OBC+DCDC及壁掛小直流樁中的應用

2025-04-02 11:40:19

派恩杰推出最新研發(fā)的高壓碳化硅功率器件與車規(guī)級碳化硅模塊產(chǎn)品

3月28日，在上海舉辦為期三天且備受行業(yè)矚目的新能源汽車盛會——汽車動力系統(tǒng)技術(shù)展覽會圓滿落幕，本次會上，派恩杰展出了最新研發(fā)的高壓碳化硅功率器件與車規(guī)級碳化硅模塊產(chǎn)品，吸引了新能源汽車、工業(yè)

2025-03-29 09:10:55

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碳化硅器件選型需要考慮哪些因素

隨著全球?qū)δ茉葱屎涂沙掷m(xù)發(fā)展的重視，碳化硅（SiC）器件因其卓越的性能在現(xiàn)代電力電子領域獲得了廣泛關注。SiC器件的高效能、高溫耐受性和高頻性能，使其在電動汽車、可再生能源、智能電網(wǎng)等應用中成為優(yōu)選方案。本文將探討碳化硅器件的主要性能優(yōu)勢，并提供在實際應用中的設計選型指南。

2025-03-19 16:59:40

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碳化硅（SiC）MOSFET替代硅基IGBT常見問題Q&A

碳化硅（SiC）MOSFET作為替代傳統(tǒng)硅基IGBT的新一代功率器件，在電動汽車、可再生能源、高頻電源等領域展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢，隨著國產(chǎn)碳化硅MOSFET技術(shù)、成本及供應鏈都日趨完善，國產(chǎn)SiC碳化硅在

2025-03-13 11:12:48

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全球功率半導體變革：SiC碳化硅功率器件中國龍崛起

功率器件變革中SiC碳化硅中國龍的崛起：從技術(shù)受制到全球引領的歷程與未來趨勢當前功率器件正在經(jīng)歷從傳統(tǒng)的硅基功率器件持續(xù)躍升到SiC碳化硅材料功率半導體的歷史變革：傾佳電子楊茜致力于推動國產(chǎn)

2025-03-13 00:27:37

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為什么碳化硅Cascode JFET 可以輕松實現(xiàn)硅到碳化硅的過渡？

電力電子器件高度依賴于硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化鎵高電子遷移率晶體管（GaN HEMT）等半導體材料。雖然硅一直是傳統(tǒng)的選擇，但碳化硅器件憑借其優(yōu)異的性能與可靠性而越來越受歡迎。相較于硅

2025-03-12 11:31:09

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博世碳化硅功率模塊生產(chǎn)基地落成

近日，博世汽車電子中國區(qū)（ME-CN）在蘇州五廠建成碳化硅（SiC）功率模塊生產(chǎn)基地，并于2025年1月成功下線首批產(chǎn)品。這標志著博世在全球碳化硅功率模塊制造領域邁出了重要一步，也進一步提升了本土市場的響應速度，增強了博世智能出行集團的競爭力。

2025-03-06 18:09:29

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CREE（Wolfspeed）的壟斷與衰落及國產(chǎn)碳化硅襯底崛起的發(fā)展啟示

中國碳化硅襯底材料從受制于人到實現(xiàn)自主突破的歷程，以及由此對國產(chǎn)碳化硅功率半導體企業(yè)的啟示，可以歸納為以下幾個關鍵點：? 一、從壟斷到突破：中國碳化硅材料的逆襲之路 CREE（Wolfspeed

2025-03-05 07:27:05

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碳化硅跟AR眼鏡是怎么聯(lián)系到一起的？

電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道??近期碳化硅襯底供應商天科合達與微納光電器件公司慕德微納共同出資成立合資公司，雙方將在AR衍射光波導鏡片技術(shù)研發(fā)與市場推廣方面展開深度合作，共同推動AR行業(yè)的技術(shù)創(chuàng)新與應用落地

2025-03-03 00:09:00

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BTP1521P/F是碳化硅MOSFET驅(qū)動隔離供電的性價比最優(yōu)解

在碳化硅(SiC)功率器件快速替代硅基器件的趨勢中，驅(qū)動隔離供電方案的性能與成本成為關鍵制約因素?；景雽w的 BTP1521P 和 BTP1521F 通過技術(shù)整合與設計創(chuàng)新，完美適配SiC器件的需求，成為推動硅基向碳化硅升級的核心驅(qū)動方案。

2025-03-01 10:16:09

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超結(jié)MOSFET升級至650V碳化硅MOSFET的根本驅(qū)動力分析

隨著BASiC基本半導體等企業(yè)的650V碳化硅MOSFET技術(shù)升級疊加價格低于進口超結(jié)MOSFET，不少客戶已經(jīng)開始動手用國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET全面取代超結(jié)MOSFET,電源客戶從超結(jié)MOSFET升級至650V碳化硅MOSFET的根本驅(qū)動力分析。

2025-03-01 08:53:44

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SiC碳化硅二極管公司成為國產(chǎn)碳化硅功率器件行業(yè)出清的首批對象

結(jié)合國產(chǎn)碳化硅功率半導體市場的競爭格局和技術(shù)發(fā)展趨勢，SiC碳化硅二極管公司已經(jīng)成為國產(chǎn)碳化硅功率器件行業(yè)出清的首批對象，比如2024已經(jīng)有超過兩家SiC碳化硅二極管公司破產(chǎn)清算，僅有碳化硅二極管

2025-02-28 10:34:31

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碳化硅MOSFET的優(yōu)勢有哪些

隨著可再生能源的崛起和電動汽車的普及，全球?qū)Ω咝?、低能耗電力電子器件的需求日益增加。在這一背景下，碳化硅（SiC）MOSFET作為一種新型寬禁帶半導體器件，以其優(yōu)越的性能在功率電子領域中嶄露頭角

2025-02-26 11:03:29

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碳化硅功率器件的特性和應用

隨著全球能源需求的快速增長和對可再生能源的重視，電力電子技術(shù)正經(jīng)歷著前所未有的變革。在這一過程中，碳化硅（SiC）功率器件作為一種新興的寬禁帶半導體材料，憑借其優(yōu)越的性能，正在逐步取代傳統(tǒng)硅（Si

2025-02-25 13:50:11

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國內(nèi)碳化硅功率器件設計公司的倒閉潮是市場集中化的必然結(jié)果

碳化硅行業(yè)觀察：國內(nèi)碳化硅功率器件設計公司加速被行業(yè)淘汰的深度分析近年來，碳化硅（SiC）功率器件市場雖高速增長，但行業(yè)集中度快速提升，2024年以來多家SiC器件設計公司接連倒閉，國內(nèi)碳化硅功率

2025-02-24 14:04:38

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碳化硅SiC的光學優(yōu)勢及應用

碳化硅（SiC）在大口徑光學反射鏡上的應用，主要得益于其高比剛度、優(yōu)異熱穩(wěn)定性和寬光譜響應等特性，成為空間觀測、深空探測等領域的核心材料。以下是關鍵應用進展與技術(shù)突破：一、材料優(yōu)勢1.輕量化與高剛度

2025-02-22 14:40:37

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Wolfspeed第4代碳化硅技術(shù)解析

本白皮書重點介紹 Wolfspeed 專為高功率電子應用而設計的第 4 代碳化硅 (SiC) MOSFET 技術(shù)?；谠?b class="flag-6" style="color: red">碳化硅創(chuàng)新領域的傳承，Wolfspeed 定期推出尖端技術(shù)解決方案，重新

2025-02-19 11:35:41

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國產(chǎn)碳化硅MOSFET和隔離驅(qū)動的真空鍍膜電源設計方案

傾佳電子楊茜為客戶提供BASiC基本股份(BASiC Semiconductor)全國產(chǎn)碳化硅MOSFET和隔離驅(qū)動的真空鍍膜電源設計方案，助力射頻電源業(yè)自主可控和產(chǎn)業(yè)升級！傾佳電子楊茜致力于推動

2025-02-13 21:56:24

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BASiC基本股份國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET產(chǎn)品線概述

傾佳電子楊茜致力于推動國產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應用中全面取代進口IGBT模塊，助力電力電子行業(yè)自主可控和產(chǎn)業(yè)升級！傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET功率器件三個必然，勇立功率半導體器件

2025-02-12 06:41:45

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高頻電鍍電源國產(chǎn)SiC碳化硅模塊替代富士IGBT模塊損耗對比

傾佳電子楊茜以50KW高頻電鍍電源應用為例，分析BASiC基本股份國產(chǎn)SiC碳化硅模塊替代富士IGBT模塊損耗對比：傾佳電子楊茜致力于推動國產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應用中全面取代進口IGBT

2025-02-09 20:17:29

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納微半導體氮化鎵和碳化硅技術(shù)進入戴爾供應鏈

近日，GaNFast氮化鎵功率芯片和GeneSiC碳化硅功率器件的行業(yè)領導者——納微半導體（納斯達克股票代碼：NVTS）今日宣布其氮化鎵和碳化硅技術(shù)進入戴爾供應鏈，為戴爾AI筆記本打造功率從60W至360W的電腦適配器。

2025-02-07 13:35:08

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SiC碳化硅MOSFET功率器件雙脈沖測試方法介紹

碳化硅革新電力電子，以下是關于碳化硅（SiC）MOSFET功率器件雙脈沖測試方法的詳細介紹，結(jié)合其技術(shù)原理、關鍵步驟與應用價值，助力電力電子領域的革新。

2025-02-05 14:34:48

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碳化硅薄膜沉積技術(shù)介紹

多晶碳化硅和非晶碳化硅在薄膜沉積方面各具特色。多晶碳化硅以其廣泛的襯底適應性、制造優(yōu)勢和多樣的沉積技術(shù)而著稱;而非晶碳化硅則以其極低的沉積溫度、良好的化學與機械性能以及廣泛的應用前景而受到關注。

2025-02-05 13:49:12

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碳化硅功率器件的散熱方法

碳化硅（SiC）作為一種寬禁帶半導體材料，因其耐高壓、耐高溫、高開關速度和高導熱率等優(yōu)良特性，在新能源、光伏發(fā)電、軌道交通和智能電網(wǎng)等領域得到廣泛應用。然而，碳化硅功率器件在高密度和高功率應用中會

2025-02-03 14:22:00

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碳化硅功率器件的封裝技術(shù)解析

碳化硅（SiC）功率器件因其低內(nèi)阻、高耐壓、高頻率和高結(jié)溫等優(yōu)異特性，在電力電子系統(tǒng)中得到了廣泛關注和應用。然而，要充分發(fā)揮SiC器件的性能，封裝技術(shù)至關重要。本文將詳細解析碳化硅功率器件的封裝技術(shù)，從封裝材料選擇、焊接技術(shù)、熱管理技術(shù)、電氣連接技術(shù)和封裝結(jié)構(gòu)設計等多個方面展開探討。

2025-02-03 14:21:00

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碳化硅的缺陷分析與解決方案

碳化硅作為一種新型半導體材料，因其高熱導率、高電子飽和速度和高擊穿電場等特性，被廣泛應用于高溫、高壓和高頻電子器件中。然而，碳化硅材料中的缺陷，如微管、位錯、堆垛層錯等，會嚴重影響器件的性能和可靠性

2025-01-24 09:17:14

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碳化硅的耐高溫性能

在現(xiàn)代工業(yè)中，高性能材料的需求日益增長，特別是在高溫環(huán)境下。碳化硅作為一種先進的陶瓷材料，因其卓越的耐高溫性能而受到廣泛關注。 1. 碳化硅的基本特性 碳化硅是一種共價鍵合的陶瓷材料，具有高硬度

2025-01-24 09:15:48

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碳化硅與傳統(tǒng)硅材料的比較

在半導體技術(shù)領域，材料的選擇對于器件的性能至關重要。硅（Si）作為最常用的半導體材料，已經(jīng)有著悠久的歷史和成熟的技術(shù)。然而，隨著電子器件對性能要求的不斷提高，碳化硅（SiC）作為一種新型半導體材料

2025-01-23 17:13:03

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碳化硅材料的特性和優(yōu)勢

碳化硅（SiC）是一種高性能的陶瓷材料，因其卓越的物理和化學特性而在許多工業(yè)領域中得到廣泛應用。從高溫結(jié)構(gòu)部件到電子器件，SiC的應用范圍廣泛，其獨特的性能使其成為許多應用中的首選材料。 碳化硅

2025-01-23 17:11:34

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碳化硅在半導體中的作用

碳化硅（SiC）在半導體中扮演著至關重要的角色，其獨特的物理和化學特性使其成為制作高性能半導體器件的理想材料。以下是碳化硅在半導體中的主要作用及優(yōu)勢：一、碳化硅的物理特性 碳化硅具有高禁帶寬度、高

2025-01-23 17:09:35

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碳化硅的應用領域

碳化硅（SiC）是一種具有獨特物理和化學性質(zhì)的材料，這些性質(zhì)使其在眾多行業(yè)中成為不可或缺的材料。 1. 半導體行業(yè) 碳化硅是制造高性能半導體器件的理想材料。由于其寬帶隙特性，SiC基半導體器件能夠在

2025-01-23 17:06:13

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碳化硅在電磁爐中有什么優(yōu)勢

碳化硅的導熱系數(shù)高，能使電磁爐的加熱元件快速升溫，將電能更高效地轉(zhuǎn)化為熱能，從而減少熱量散失和能量浪費，提高電磁爐的加熱效率。

2025-01-23 14:14:03

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碳化硅襯底的特氟龍夾具相比其他吸附方案，對于測量碳化硅襯底 BOW/WARP 的影響

一、引言隨著碳化硅在半導體等領域的廣泛應用，對其襯底質(zhì)量的檢測愈發(fā)關鍵。BOW（翹曲度）和 WARP（彎曲度）是衡量碳化硅襯底質(zhì)量的重要參數(shù)，準確測量這些參數(shù)對于保證器件性能至關重要。而不同的吸附

2025-01-23 10:30:54

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40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET，替代30mR 超結(jié)MOSFET或者20-30mR的GaN!

BASiC基本半導體40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET，替代30mR 超結(jié)MOSFET或者20-30mR的GaN! BASiC基本半導體40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET

2025-01-22 10:43:28

產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率模塊在工商業(yè)儲能變流器PCS中的應用

*附件：國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率模塊在工商業(yè)儲能變流器PCS中的應用.pdf

2025-01-20 14:19:40

不同的碳化硅襯底的吸附方案，對測量碳化硅襯底 BOW/WARP 的影響

在當今蓬勃發(fā)展的半導體產(chǎn)業(yè)中，碳化硅（SiC）襯底作為關鍵基礎材料，正引領著高性能芯片制造邁向新的臺階。對于碳化硅襯底而言，其 BOW（彎曲度）和 WARP（翹曲度）參數(shù)猶如精密天平上的砝碼，細微

2025-01-14 10:23:10

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碳化硅襯底的環(huán)吸方案相比其他吸附方案，對于測量碳化硅襯底 BOW/WARP 的影響

在半導體領域，隨著碳化硅（SiC）材料因其卓越的電學性能、高熱導率等優(yōu)勢逐漸嶄露頭角，成為新一代功率器件、射頻器件等制造的熱門襯底選擇，對碳化硅襯底質(zhì)量的精準把控愈發(fā)關鍵。其中，碳化硅襯底的 BOW

2025-01-13 14:36:13

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安森美碳化硅應用于柵極的5個步驟

在之前的兩篇推文中粉末純度、SiC晶錠一致性……SiC制造都有哪些挑戰(zhàn)？5步法應對碳化硅特定挑戰(zhàn)，mark~，我們介紹了寬禁帶半導體基礎知識、碳化硅制造挑戰(zhàn)、碳化硅生態(tài)系統(tǒng)的不斷演進、安森美（onsemi）在碳化硅半導體生產(chǎn)中的優(yōu)勢。本文為白皮書第三篇，將重點介紹應用于柵極的 5 個步驟。

2025-01-09 10:31:47

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安森美在碳化硅半導體生產(chǎn)中的優(yōu)勢

此前的文章“粉末純度、SiC晶錠一致性……SiC制造都有哪些挑戰(zhàn)”中，我們討論了寬禁帶半導體基礎知識及碳化硅制造挑戰(zhàn)，本文為白皮書第二部分，將重點介紹碳化硅生態(tài)系統(tǒng)的不斷演進及安森美（onsemi）在碳化硅半導體生產(chǎn)中的優(yōu)勢。

2025-01-07 10:18:48

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