支持4-12英寸晶圓，針對(duì)超薄晶圓（如≤300μm）采用低應(yīng)力夾持方案，避免破損。通過(guò)模塊化托盤(pán)設(shè)計(jì)，快速切換不同規(guī)格載具，兼容方形基板等非標(biāo)準(zhǔn)樣品。污染物分層處
2025-12-17 11:25:31
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在半導(dǎo)體芯片的精密制造流程中，晶圓從一片薄薄的硅片成長(zhǎng)為百億晶體管的載體，需要經(jīng)歷數(shù)百道工序。在半導(dǎo)體芯片的微米級(jí)制造流程中，晶圓的每一次轉(zhuǎn)移和清洗都可能影響最終產(chǎn)品良率。特氟龍（聚四氟乙烯）材質(zhì)
2025-11-18 15:22:31248 
12寸晶圓（直徑300mm）的制造工藝是一個(gè)高度復(fù)雜且精密的過(guò)程，涉及材料科學(xué)、半導(dǎo)體物理和先進(jìn)設(shè)備技術(shù)的結(jié)合。以下是其核心工藝流程及關(guān)鍵技術(shù)要點(diǎn)： 一、單晶硅生長(zhǎng)與晶圓成型 高純度多晶硅提純 原料
2025-11-17 11:50:20327 半導(dǎo)體晶圓清洗機(jī)的關(guān)鍵核心參數(shù)涵蓋多個(gè)方面，這些參數(shù)直接影響清洗效果、效率以及設(shè)備的兼容性和可靠性。以下是詳細(xì)介紹： 清洗對(duì)象相關(guān)參數(shù) 晶圓尺寸與厚度適配性：設(shè)備需支持不同規(guī)格的晶圓（如4-6英寸
2025-10-30 10:35:19266 ，國(guó)內(nèi)氮化鎵硅片企業(yè)也在加速布局，就在今年9月，中欣晶圓宣布公司8英寸氮化鎵外延制備用重?fù)脚鸪駫伖夤杵蚱七M(jìn)口依賴，填補(bǔ)了國(guó)內(nèi)相關(guān)技術(shù)空白。 ? 中欣晶圓主營(yíng)業(yè)務(wù)為半導(dǎo)體硅片的研發(fā)，在產(chǎn)品布局方面，已具備4英寸、5英寸、6英寸、8英寸、12英寸拋
2025-10-17 11:24:263276 自動(dòng)生產(chǎn)線、全國(guó)首條工藝設(shè)備配套齊全的壓電MEMS量產(chǎn)線正式投產(chǎn)，在半導(dǎo)體領(lǐng)域引發(fā)廣泛關(guān)注。 據(jù)悉，華鑫微納8英寸MEMS晶圓生產(chǎn)線項(xiàng)目由安徽華鑫微納集成電路有限公司投資建設(shè)，總建設(shè)投資達(dá)50.6億元，占地約79畝，總建筑面積約6萬(wàn)平方米，定位
2025-10-16 18:25:022128 再生晶圓與普通晶圓在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中扮演著不同角色，二者的核心區(qū)別體現(xiàn)在來(lái)源、制造工藝、性能指標(biāo)及應(yīng)用場(chǎng)景等方面。以下是具體分析：定義與來(lái)源差異普通晶圓：指全新生產(chǎn)的硅基材料，由高純度多晶硅經(jīng)拉單晶
2025-09-23 11:14:55771 
在半導(dǎo)體制造中，不同尺寸的晶圓對(duì)甩干機(jī)的轉(zhuǎn)速需求存在差異，但通常遵循以下規(guī)律：小尺寸晶圓（如≤8英寸）這類晶圓由于質(zhì)量較輕、結(jié)構(gòu)相對(duì)簡(jiǎn)單，可采用較高的轉(zhuǎn)速進(jìn)行離心甩干。常見(jiàn)范圍為3000–10000
2025-09-17 10:55:54411 
9月8日消息，中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所旗下的科技成果轉(zhuǎn)化企業(yè)，于近日在碳化硅晶圓加工技術(shù)領(lǐng)域取得了重大突破。該企業(yè)憑借自主研發(fā)的激光剝離設(shè)備，成功完成了12英寸碳化硅晶圓的剝離操作。這一成果不僅填補(bǔ)
2025-09-10 09:12:481431 效率的雙重要求。通過(guò)持續(xù)的技術(shù)研發(fā)，為行業(yè)提供了性能穩(wěn)定的晶圓處理前端模塊解決方案。 在直線電機(jī)平臺(tái)領(lǐng)域已經(jīng)擁有十三年的專業(yè)經(jīng)驗(yàn)，在晶圓處理前端模塊方面積累了豐富的技術(shù)知識(shí)。公司服務(wù)過(guò)的客戶超過(guò)五百家，這些
2025-08-26 09:57:53391 WD4000晶圓厚度翹曲度測(cè)量系統(tǒng)兼容不同材質(zhì)不同粗糙度、可測(cè)量大翹曲wafer、測(cè)量晶圓雙面數(shù)據(jù)更準(zhǔn)確。它通過(guò)非接觸測(cè)量，將晶圓的三維形貌進(jìn)行重建，強(qiáng)大的測(cè)量分析軟件穩(wěn)定計(jì)算晶圓厚度，TTV
2025-08-25 11:29:30
WD4000晶圓顯微形貌測(cè)量系統(tǒng)通過(guò)非接觸測(cè)量，將晶圓的三維形貌進(jìn)行重建，強(qiáng)大的測(cè)量分析軟件穩(wěn)定計(jì)算晶圓厚度，TTV，BOW、WARP、在高效測(cè)量測(cè)同時(shí)有效防止晶圓產(chǎn)生劃痕缺陷。WD4000晶圓顯微
2025-08-20 11:26:59
圓業(yè)務(wù)，旨在提高生產(chǎn)效率并專注于更大尺寸晶圓的生產(chǎn)。這一決策是基于市場(chǎng)需求及公司長(zhǎng)期發(fā)展戰(zhàn)略而做出的。 臺(tái)積電方面確認(rèn)，停止6英寸晶圓業(yè)務(wù)不會(huì)對(duì)其2025年的銷售預(yù)期造成影響。目前，公司正與客戶緊密合作，協(xié)助他們平穩(wěn)度過(guò)業(yè)務(wù)過(guò)渡階段，確保盡力滿足客戶需求，繼續(xù)為商業(yè)伙伴及市場(chǎng)創(chuàng)造價(jià)值。
2025-08-14 17:20:17646 WD4000晶圓膜厚測(cè)量系統(tǒng)通過(guò)非接觸測(cè)量，將晶圓的三維形貌進(jìn)行重建，強(qiáng)大的測(cè)量分析軟件穩(wěn)定計(jì)算晶圓厚度，TTV，BOW、WARP、在高效測(cè)量測(cè)同時(shí)有效防止晶圓產(chǎn)生劃痕缺陷。WD4000晶圓膜厚測(cè)量
2025-08-12 15:47:19
退火工藝是晶圓制造中的關(guān)鍵步驟，通過(guò)控制加熱和冷卻過(guò)程，退火能夠緩解應(yīng)力、修復(fù)晶格缺陷、激活摻雜原子，并改善材料的電學(xué)和機(jī)械性質(zhì)。這些改進(jìn)對(duì)于確保晶圓在后續(xù)加工和最終應(yīng)用中的性能和可靠性至關(guān)重要。退火工藝在晶圓制造過(guò)程中扮演著至關(guān)重要的角色。
2025-08-01 09:35:232023 
晶圓清洗工藝是半導(dǎo)體制造中的關(guān)鍵步驟，用于去除晶圓表面的污染物（如顆粒、有機(jī)物、金屬離子和氧化物），確保后續(xù)工藝（如光刻、沉積、刻蝕）的良率和器件性能。根據(jù)清洗介質(zhì)、工藝原理和設(shè)備類型的不同，晶圓
2025-07-23 14:32:161368 
晶圓清洗機(jī)中的晶圓夾持是確保晶圓在清洗過(guò)程中保持穩(wěn)定、避免污染或損傷的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。以下是晶圓夾持的設(shè)計(jì)原理、技術(shù)要點(diǎn)及實(shí)現(xiàn)方式： 1. 夾持方式分類 根據(jù)晶圓尺寸（如2英寸到12英寸）和工藝需求，夾持
2025-07-23 14:25:43928 不同晶圓尺寸的清洗工藝存在顯著差異，主要源于其表面積、厚度、機(jī)械強(qiáng)度、污染特性及應(yīng)用場(chǎng)景的不同。以下是針對(duì)不同晶圓尺寸（如2英寸、4英寸、6英寸、8英寸、12英寸等）的清洗區(qū)別及關(guān)鍵要點(diǎn)：一、晶圓
2025-07-22 16:51:191332 
WD4000晶圓厚度THK幾何量測(cè)系統(tǒng)兼容不同材質(zhì)不同粗糙度、可測(cè)量大翹曲wafer、測(cè)量晶圓雙面數(shù)據(jù)更準(zhǔn)確。它通過(guò)非接觸測(cè)量，將晶圓的三維形貌進(jìn)行重建，強(qiáng)大的測(cè)量分析軟件穩(wěn)定計(jì)算晶圓厚度，TTV
2025-07-10 13:42:33
超薄晶圓因其厚度極薄，在切割時(shí)對(duì)振動(dòng)更為敏感，易影響厚度均勻性。我將從分析振動(dòng)對(duì)超薄晶圓切割的影響出發(fā)，探討針對(duì)性的振動(dòng)控制技術(shù)和厚度均勻性保障策略。
超薄晶圓（
2025-07-09 09:52:03580 
On Wafer WLS無(wú)線晶圓測(cè)溫系統(tǒng)通過(guò)自主研發(fā)的核心技術(shù)將傳感器嵌入晶圓集成，實(shí)時(shí)監(jiān)控和記錄晶圓在制程過(guò)程中的溫度變化數(shù)據(jù)，為半導(dǎo)體制造過(guò)程提供一種高效可靠的方式來(lái)監(jiān)測(cè)和優(yōu)化關(guān)鍵
2025-06-27 10:37:30
TC Wafer 晶圓測(cè)溫系統(tǒng)通過(guò)利用自主研發(fā)的核心技術(shù)將耐高溫的熱電偶傳感器鑲嵌在晶圓表面，實(shí)時(shí)監(jiān)控和記錄晶圓在制程過(guò)程中的溫度變化數(shù)據(jù)，為半導(dǎo)體制造過(guò)程提供一種高效可靠的方式來(lái)監(jiān)測(cè)和優(yōu)化關(guān)鍵
2025-06-27 10:16:41
RTD Wafer 晶圓測(cè)溫系統(tǒng)利用自主研發(fā)的核心技術(shù)將 RTD 傳感器集成到 晶圓表面，實(shí)時(shí)監(jiān)控和記錄晶圓在制程過(guò)程中的溫度變化數(shù)據(jù)，為半導(dǎo)體 制造過(guò)程提供一種高效可靠的方式來(lái)監(jiān)測(cè)和優(yōu)化關(guān)鍵的工藝
2025-06-27 10:12:00
RTD Wafer 晶圓測(cè)溫系統(tǒng)利用自主研發(fā)的核心技術(shù)將 RTD 傳感器集成到晶圓表面，實(shí)時(shí)監(jiān)控和記錄晶圓在制程過(guò)程中的溫度變化數(shù)據(jù)，為半導(dǎo)體 制造過(guò)程提供一種高效可靠的方式來(lái)監(jiān)測(cè)和優(yōu)化關(guān)鍵的工藝
2025-06-27 10:08:43
在半導(dǎo)體制造的精密流程中，晶圓載具清洗機(jī)是確保芯片良率與性能的關(guān)鍵設(shè)備。它專門(mén)用于清潔承載晶圓的載具（如載具、花籃、托盤(pán)等），避免污染物通過(guò)載具轉(zhuǎn)移至晶圓表面，從而保障芯片制造的潔凈度與穩(wěn)定性。本文
2025-06-25 10:47:33
WD4000晶圓厚度測(cè)量設(shè)備兼容不同材質(zhì)不同粗糙度、可測(cè)量大翹曲wafer、測(cè)量晶圓雙面數(shù)據(jù)更準(zhǔn)確。它通過(guò)非接觸測(cè)量，將晶圓的三維形貌進(jìn)行重建，強(qiáng)大的測(cè)量分析軟件穩(wěn)定計(jì)算晶圓厚度，TTV，BOW
2025-06-18 15:40:06
摘要：本文探討晶圓邊緣 TTV 測(cè)量在半導(dǎo)體制造中的重要意義，分析其對(duì)芯片制造工藝、器件性能和生產(chǎn)良品率的影響，同時(shí)研究測(cè)量方法、測(cè)量設(shè)備精度等因素對(duì)測(cè)量結(jié)果的作用，為提升半導(dǎo)體制造質(zhì)量提供理論依據(jù)
2025-06-14 09:42:58551 晶圓檢測(cè)是指在晶圓制造完成后，對(duì)晶圓進(jìn)行的一系列物理和電學(xué)性能的測(cè)試與分析，以確保其質(zhì)量和性能符合設(shè)計(jì)要求。這一過(guò)程是半導(dǎo)體制造中的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，直接影響后續(xù)封裝和芯片的良品率。 隨著圖形化和幾何結(jié)構(gòu)
2025-06-06 17:15:28715 
貼膜是指將一片經(jīng)過(guò)減薄處理的晶圓（Wafer）固定在一層特殊的膠膜上，這層膜通常為藍(lán)色，業(yè)內(nèi)常稱為“ 藍(lán)膜 ”。貼膜的目的是為后續(xù)的晶圓切割（劃片）工藝做準(zhǔn)備。
2025-06-03 18:20:591179 
測(cè)應(yīng)用。
（1）搭配中圖全自主研發(fā)的EFEM系統(tǒng)，可以適配loadport、smifport、carrier等多種形式，實(shí)現(xiàn)全自動(dòng)上下料，實(shí)現(xiàn)在單系統(tǒng)內(nèi)完成晶圓厚度、平坦度、粗糙度、膜厚等面型參數(shù)的高精度
2025-05-28 16:12:46
關(guān)鍵詞：鍵合晶圓；TTV 質(zhì)量；晶圓預(yù)處理；鍵合工藝；檢測(cè)機(jī)制 一、引言 在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，鍵合晶圓技術(shù)廣泛應(yīng)用于三維集成、傳感器制造等領(lǐng)域。然而，鍵合過(guò)程中諸多因素會(huì)導(dǎo)致晶圓總厚度偏差（TTV
2025-05-26 09:24:36850 
摘要：本文針對(duì)濕法腐蝕工藝后晶圓總厚度偏差（TTV）的管控問(wèn)題，探討從工藝參數(shù)優(yōu)化、設(shè)備改進(jìn)及檢測(cè)反饋機(jī)制完善等方面入手，提出一系列優(yōu)化方法，以有效降低濕法腐蝕后晶圓 TTV，提升晶圓制造質(zhì)量
2025-05-22 10:05:57508 
摘要：本文聚焦于降低晶圓 TTV（總厚度偏差）的磨片加工方法，通過(guò)對(duì)磨片設(shè)備、工藝參數(shù)的優(yōu)化以及研磨拋光流程的改進(jìn)，有效控制晶圓 TTV 值，提升晶圓質(zhì)量，為半導(dǎo)體制造提供實(shí)用技術(shù)參考。 關(guān)鍵詞：晶
2025-05-20 17:51:391022 WD4000晶圓Warp翹曲度量測(cè)系統(tǒng)采用高精度光譜共焦傳感技術(shù)、光干涉雙向掃描技術(shù)，完成非接觸式掃描并建立3D Mapping圖，實(shí)現(xiàn)晶圓厚度、TTV、LTV、Bow、Warp、TIR、SORI
2025-05-20 14:02:17
前言在半導(dǎo)體制造的前段制程中，晶圓需要具備足夠的厚度，以確保其在流片過(guò)程中的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性。盡管芯片功能層的制備僅涉及晶圓表面幾微米范圍，但完整厚度的晶圓更有利于保障復(fù)雜工藝的順利進(jìn)行，直至芯片前制程
2025-05-16 16:58:441109 
在半導(dǎo)體制造流程中，晶圓在前端工藝階段需保持一定厚度，以確保其在流片過(guò)程中的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性，避免彎曲變形，并為芯片制造工藝提供操作便利。不同規(guī)格晶圓的原始厚度存在差異：4英寸晶圓厚度約為520微米，6
2025-05-09 13:55:511975 本文介紹了半導(dǎo)體集成電路制造中的晶圓制備、晶圓制造和晶圓測(cè)試三個(gè)關(guān)鍵環(huán)節(jié)。
2025-04-15 17:14:372155 
晶圓浸泡式清洗方法是半導(dǎo)體制造過(guò)程中的一種重要清洗技術(shù)，它旨在通過(guò)將晶圓浸泡在特定的化學(xué)溶液中，去除晶圓表面的雜質(zhì)、顆粒和污染物，以確保晶圓的清潔度和后續(xù)加工的質(zhì)量。以下是對(duì)晶圓浸泡式清洗方法的詳細(xì)
2025-04-14 15:18:54765 WD4000晶圓表面形貌量測(cè)系統(tǒng)通過(guò)非接觸測(cè)量，將晶圓的三維形貌進(jìn)行重建，強(qiáng)大的測(cè)量分析軟件穩(wěn)定計(jì)算晶圓厚度，TTV，BOW、WARP、在高效測(cè)量測(cè)同時(shí)有效防止晶圓產(chǎn)生劃痕缺陷。
2025-04-11 11:11:00
在SEMICON China 2025展會(huì)期間，中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱“中微公司”，股票代碼“688012.SH”）宣布其自主研發(fā)的12英寸晶圓邊緣刻蝕設(shè)備Primo
2025-03-28 09:21:191191 在半導(dǎo)體制造過(guò)程中，晶圓甩干機(jī)發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。然而，晶圓甩干過(guò)程中的碎片問(wèn)題一直是影響生產(chǎn)效率和產(chǎn)品質(zhì)量的關(guān)鍵因素之一。晶圓作為半導(dǎo)體器件的載體，其完整性對(duì)于后續(xù)的制造工藝至關(guān)重要。即使是極小
2025-03-25 10:49:12766 方案提供服務(wù)的領(lǐng)導(dǎo)者EV集團(tuán)(EV Group,簡(jiǎn)稱EVG)今日發(fā)布下一代GEMINI?自動(dòng)化晶圓鍵合系統(tǒng),專為300毫米(12英寸)晶圓量產(chǎn)設(shè)計(jì)。該系統(tǒng)的核心升級(jí)為全新開(kāi)發(fā)的高精度強(qiáng)力鍵合模塊,在滿足全球
2025-03-20 09:07:58889 
WD4000系列晶圓微觀幾何輪廓測(cè)量系統(tǒng)采用高精度光譜共焦傳感技術(shù)、光干涉雙向掃描技術(shù)，完成非接觸式掃描并建立3D Mapping圖，實(shí)現(xiàn)晶圓厚度、TTV、LTV、Bow、Warp、TIR、SORI
2025-03-19 17:36:45
本文介紹了晶圓清洗的污染源來(lái)源、清洗技術(shù)和優(yōu)化。
2025-03-18 16:43:051684 
通過(guò)獨(dú)立雙軸運(yùn)行，適配12寸晶圓，切割效率較單軸提升50%以上，定位精度達(dá)±1μm?。采用進(jìn)口直線電機(jī)與光柵尺閉環(huán)系統(tǒng)，結(jié)合實(shí)時(shí)反饋算法，確保切割路徑的納米級(jí)重復(fù)精
2025-03-11 17:27:52797 
芯片制造的畫(huà)布 芯片制造的畫(huà)布：晶圓的奧秘與使命 在芯片制造的宏大舞臺(tái)上，晶圓（Wafer）扮演著至關(guān)重要的角色。它如同一張潔白的畫(huà)布，承載著無(wú)數(shù)工程師的智慧與夢(mèng)想，見(jiàn)證著從砂礫到智能的奇跡之旅。晶
2025-03-10 17:04:251542 WD4000晶圓翹曲度幾何量測(cè)系統(tǒng)兼容不同材質(zhì)不同粗糙度、可測(cè)量大翹曲wafer、測(cè)量晶圓雙面數(shù)據(jù)更準(zhǔn)確。儀器通過(guò)非接觸測(cè)量，將晶圓的三維形貌進(jìn)行重建，強(qiáng)大的測(cè)量分析軟件穩(wěn)定計(jì)算晶圓厚度，TTV
2025-03-07 16:19:24
電鍍需要在超凈環(huán)境下進(jìn)行，以防止灰塵、雜質(zhì)等顆粒附著在晶圓表面，影響電鍍質(zhì)量和器件性能。通常要求超凈室內(nèi)的顆粒濃度極低，每立方米空氣中特定尺寸（如0.3微米、0.5微米等）的顆粒數(shù)量要控制在嚴(yán)格范圍內(nèi)，例如對(duì)于先進(jìn)的半導(dǎo)
2025-03-03 14:46:351736 硅片，作為制造硅半導(dǎo)體電路的基礎(chǔ)，源自高純度的硅材料。這一過(guò)程中，多晶硅被熔融并摻入特定的硅晶體種子，隨后緩緩拉制成圓柱狀的單晶硅棒。經(jīng)過(guò)精細(xì)的研磨、拋光及切片步驟，這些硅棒被轉(zhuǎn)化為硅片，業(yè)界通常稱之為晶圓，其中8英寸和12英寸規(guī)格在國(guó)內(nèi)生產(chǎn)線中占據(jù)主導(dǎo)地位。
2025-03-01 14:34:511239 
WD4000晶圓幾何形貌量測(cè)機(jī)通過(guò)非接觸測(cè)量，自動(dòng)測(cè)量 Wafer 厚度、表面粗糙度、三維形貌、單層膜厚、多層膜厚。將晶圓的三維形貌進(jìn)行重建，強(qiáng)大的測(cè)量分析軟件穩(wěn)定計(jì)算晶圓厚度，TTV，BOW
2025-02-21 14:09:42
日本硅晶圓制造商Sumco宣布，將在2026年底前停止宮崎工廠的硅晶圓生產(chǎn)。 Sumco報(bào)告稱，主要用于消費(fèi)、工業(yè)和汽車(chē)應(yīng)用的小直徑晶圓需求仍然疲軟。具體而言，隨著客戶要么轉(zhuǎn)向200毫米晶圓，要么在
2025-02-20 16:36:31815 眾所周知，幾乎所有 SiC 器件都是在 150 毫米晶圓上制造的，使用更大的晶圓存在重大挑戰(zhàn)。從 200 毫米晶圓出貨器件是降低 SiC 器件成本的關(guān)鍵一步，其他公司也在開(kāi)發(fā) 200 毫米技術(shù)
2025-02-19 11:16:55811 大家元宵節(jié)快樂(lè)！
半導(dǎo)體新人，想尋求一家紙箱供應(yīng)商。
用于我司成品晶圓發(fā)貨，主要是6寸和8寸晶圓。
我司成立尚短，采購(gòu)供應(yīng)商庫(kù)里沒(méi)有合適的廠家，因此來(lái)求助發(fā)燒友們。
我們的需求是：
瓦楞紙箱（質(zhì)量
2025-02-12 18:04:36
Dicing 是指將制造完成的晶圓（Wafer）切割成單個(gè) Die 的工藝步驟，是從晶圓到獨(dú)立芯片生產(chǎn)的重要環(huán)節(jié)之一。每個(gè) Die 都是一個(gè)功能單元，Dicing 的精準(zhǔn)性直接影響芯片的良率和性能。
2025-02-11 14:28:492943 在半導(dǎo)體制造的復(fù)雜流程中，晶圓歷經(jīng)前道工序完成芯片制備后，劃片工藝成為將芯片從晶圓上分離的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，為后續(xù)封裝奠定基礎(chǔ)。由于不同厚度的晶圓具有各異的物理特性，因此需匹配不同的切割工藝，以確保切割效果與芯片質(zhì)量。
2025-02-07 09:41:003048 
在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，晶圓作為芯片的基礎(chǔ)母材，其質(zhì)量把控的關(guān)鍵環(huán)節(jié)之一便是對(duì) BOW（彎曲度）的精確測(cè)量。而在測(cè)量過(guò)程中，特氟龍夾具的晶圓夾持方式與傳統(tǒng)的真空吸附方式有著截然不同的特性，這些差異深刻影響
2025-01-21 09:36:24520 AP-200，中間為晶體管檢測(cè)儀IWATSU CS-10105C，右邊為控制用計(jì)算機(jī)。三部分組成了一個(gè)測(cè)試系統(tǒng)。 下圖所示為探針臺(tái)，主要對(duì)晶圓進(jìn)行電學(xué)檢測(cè)，分為載物臺(tái)、探卡、絕緣氣體供應(yīng)設(shè)備這幾部分，載物臺(tái)用于晶圓的放置，可以兼容4~8寸的晶圓，上面有
2025-01-14 09:29:132358 
都說(shuō)晶圓清洗機(jī)是用于晶圓清洗的，既然說(shuō)是全自動(dòng)的。我們更加好奇的點(diǎn)一定是如何自動(dòng)實(shí)現(xiàn)晶圓清洗呢？效果怎么樣呢？好多疑問(wèn)。我們先來(lái)給大家介紹這個(gè)根本問(wèn)題，就是全自動(dòng)晶圓清洗機(jī)的工作是如何實(shí)現(xiàn)
2025-01-10 10:09:191113 在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，晶圓的加工精度和質(zhì)量控制至關(guān)重要，其中對(duì)晶圓 BOW（彎曲度）和 WARP（翹曲度）的精確測(cè)量更是關(guān)鍵環(huán)節(jié)。不同的吸附方案被應(yīng)用于晶圓測(cè)量過(guò)程中，而晶圓的環(huán)吸方案因其獨(dú)特
2025-01-09 17:00:10639 晶圓是集成電路、功率器件及半導(dǎo)體分立器件的核心原材料，超過(guò)90%的集成電路均在高純度、高品質(zhì)的晶圓上制造而成。晶圓的質(zhì)量及其產(chǎn)業(yè)鏈供應(yīng)能力，直接關(guān)乎集成電路的整體性能和競(jìng)爭(zhēng)力。今天我們將詳細(xì)介紹
2025-01-09 09:59:262099 
8寸晶圓的清洗工藝是半導(dǎo)體制造過(guò)程中至關(guān)重要的環(huán)節(jié)，它直接關(guān)系到芯片的良率和性能。那么直接揭曉關(guān)于8寸晶圓的清洗工藝介紹吧！ 顆粒去除清洗 目的與方法：此步驟旨在去除晶圓表面的微小顆粒物，這些顆粒
2025-01-07 16:12:00813 如果你想知道8寸晶圓清洗槽尺寸，那么這個(gè)問(wèn)題還是需要研究一下才能做出答案的。畢竟，我們知道一個(gè)慣例就是8寸晶圓清洗槽的尺寸取決于具體的設(shè)備型號(hào)和制造商的設(shè)計(jì)。 那么到底哪些因素會(huì)影響清洗槽的尺寸呢
2025-01-07 16:08:37569
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