2022 年 6 月 23 日，中國 – 意法半導(dǎo)體40V MOSFET晶體管STL320N4LF8 和 STL325N4LF8AG 降低導(dǎo)通電阻和開關(guān)損耗，同時(shí)優(yōu)化體寄生二極管特性，降低功率轉(zhuǎn)換
2022-06-24 09:57:45
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日本知名半導(dǎo)體制造商羅姆(總部位于日本京都)開發(fā)出耐壓40V的功率MOSFET ，最適合用于以工業(yè)設(shè)備和車載領(lǐng)域?yàn)橹行牡?、輸入電?4V的DC/DC轉(zhuǎn)換器。
2012-08-08 09:18:231517 飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor) 經(jīng)擴(kuò)大了其 P 通道 PowerTrench? MOSFET 產(chǎn)品線 。
2012-08-10 09:58:121959 飛兆半導(dǎo)體公司新推出了40V 的N溝道PowerTrench MOSFET FDB9403，該產(chǎn)品可幫助設(shè)計(jì)人員在汽車動(dòng)力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)的設(shè)計(jì)工程師需要能夠提供更高效率和更佳功率控制的解決方案。
2012-12-04 14:56:041314 快捷半導(dǎo)體公司（Fairchild Semiconductor）透過導(dǎo)入600V N-通道SuperFET II MOSFET系列，以使用更小的電路板空間并提高可靠性
2013-01-10 14:17:541307 全球領(lǐng)先的特色工藝純晶圓代工企業(yè)——華虹半導(dǎo)體有限公司(“華虹半導(dǎo)體”或“公司”，股份代號(hào)：1347.HK)宣布，其第二代0.18微米5V/40V BCD工藝平臺(tái)已成功量產(chǎn)，該平臺(tái)具有導(dǎo)通電阻低、高壓種類全、光刻層數(shù)少等優(yōu)勢(shì)，對(duì)于工業(yè)控制應(yīng)用和DC-DC轉(zhuǎn)換器等產(chǎn)品是理想的工藝選擇。
2018-10-10 15:33:176778 最新一代面向汽車應(yīng)用的功率 MOSFET，OptiMOS? 7 40V MOSFET提供多種無引腳、堅(jiān)固的功率封裝。該系列產(chǎn)品采用了 300 毫米薄晶圓技術(shù)和創(chuàng)新的封裝，相比于其它采用微型封裝的器件，具有
2023-06-06 11:01:361578 
BASiC基本半導(dǎo)體40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET，替代30mR 超結(jié)MOSFET或者20-30mR的GaN!
BASiC基本半導(dǎo)體40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET
2025-01-22 10:43:28
意法半導(dǎo)體最先進(jìn)的40V功率MOSFET可以完全滿足EPS (電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng))和EPB (電子駐車制動(dòng)系統(tǒng)) 等汽車安全系統(tǒng)的機(jī)械、環(huán)境和電氣要求。 這些機(jī)電系統(tǒng)必須符合汽車AEC Q101規(guī)范，具體而言，低壓MOSFET必須耐受高溫和高尖峰電流。
2019-08-09 07:28:08
需要更高性能的電源、電機(jī)控制、電力轉(zhuǎn)換等應(yīng)用場景中，SL3061可能更適合替代芯龍XL1509系列。但是，在考慮替代方案時(shí)，還需要綜合考慮價(jià)格、供貨情況等因素。
SL3061 40V/2.5A開關(guān)降壓型
2023-11-13 15:24:19
40V轉(zhuǎn)5V，40V轉(zhuǎn)3.3V，40V轉(zhuǎn)3V降壓芯片和LDO芯片 1,LDO線性穩(wěn)壓芯片40V輸入，降壓轉(zhuǎn)5V,3.3V,3V的話，由于先天條件，輸入和輸出壓差太大，只適合幾十MA電流輸出供電
2020-10-16 11:10:54
具備控制功率小、開關(guān)速度快的特點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于低中高壓的電路中，是功率半導(dǎo)體的基礎(chǔ)器件。在如今興起的新能源電動(dòng)車中，硅基MOSFET是不可或缺的存在。MOSFET是汽車電子中的核心元件，汽車引擎、驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)
2023-02-21 15:53:05
各位大神，小弟目前有一個(gè)項(xiàng)目，需要單片機(jī)控制半導(dǎo)體制冷塊控制降溫，受成本所限不能使用開關(guān)電源，想請(qǐng)問各位大神如何設(shè)計(jì)驅(qū)動(dòng)電路，目的是講交流220V電源變?yōu)?2V直流輸出，用以控制半導(dǎo)體制冷塊工作，半導(dǎo)體型號(hào)TEC12710,需要什么樣的變壓器能夠?qū)崿F(xiàn)功能，請(qǐng)各位大神不吝賜教，小弟新手，請(qǐng)見諒
2018-09-03 15:38:06
。 電機(jī)控制IC：爭奇斗艷 家用電器是中國最先推廣節(jié)能標(biāo)準(zhǔn)及標(biāo)識(shí)的產(chǎn)品，家電電力消耗的主力是電機(jī)，電機(jī)的高效、節(jié)能成為大勢(shì)所趨，家電電機(jī)控制IC于是成為半導(dǎo)體企業(yè)的新熱點(diǎn)。目前用于電機(jī)控制的IC產(chǎn)品主要
2019-06-21 07:45:46
半導(dǎo)體技術(shù)在汽車動(dòng)力系統(tǒng)中的應(yīng)用是什么？
2021-05-18 06:09:40
電機(jī)驅(qū)動(dòng)市場特別是家電市場對(duì)系統(tǒng)的能效、尺寸和穩(wěn)健性的要求越來越高?！ 闈M足市場需求，意法半導(dǎo)體針對(duì)不同的工況提供多種功率開關(guān)技術(shù)，例如， IGBT和最新的超結(jié)功率MOSFET?！ ”疚?b class="flag-6" style="color: red">在實(shí)際
2018-11-20 10:52:44
電感以及功率 MOSFET RDS(ON)進(jìn)行了優(yōu)化。智能功率級(jí)模塊使用了快捷半導(dǎo)體公司的高性能 PowerTrench? MOSFET 技術(shù)以降低振鈴(Ringing)效應(yīng)，從而使得大多數(shù)降壓轉(zhuǎn)換器
2013-12-09 10:06:45
電力半導(dǎo)體器件的分類
2019-09-19 09:01:01
模塊化，按最初的定義是把兩個(gè)或兩個(gè)以上的電力半導(dǎo)體芯片按一定的電路結(jié)構(gòu)相聯(lián)結(jié)，用RTV、彈性硅凝膠、環(huán)氧樹脂等保護(hù)材料，密封在一個(gè)絕緣的外殼內(nèi)，并且與導(dǎo)熱底板相絕緣而成的。
2019-11-11 09:02:31
的推出，為業(yè)界提供了最佳功率密度和低傳導(dǎo)損耗。FDMC8010采用飛兆半導(dǎo)體的PowerTrench技術(shù)，非常適合要求在小空間內(nèi)實(shí)現(xiàn)最低RDS(ON)的應(yīng)用，包括：高性能DC-DC降壓轉(zhuǎn)換器、負(fù)載點(diǎn)
2012-04-28 10:21:32
40V/50mΩ功率 MOS◆高效率：96%◆高端電流檢測(cè)◆最大輝度控制頻率：5KHz◆滯環(huán)控制，無需環(huán)路補(bǔ)償◆最高工作頻率：1MHz◆電流精度：±3%◆寬輸入電壓：5.5V~40V◆過溫保護(hù)◆低壓差工作時(shí)，可保持高穩(wěn)定性應(yīng)用領(lǐng)域◆建筑、工業(yè)、環(huán)境照明◆MR16 及 LED 燈◆汽車照明`
2019-11-22 11:22:29
深圳市聚能芯半導(dǎo)體有限公司是一家集芯片代理，芯片生產(chǎn)，工程服務(wù)為一體的綜合性公司。代理:泉芯（QXMD）、歐創(chuàng)芯（DCX）、芯龍(XLSEMI)。能芯半導(dǎo)體專業(yè)的團(tuán)隊(duì)，為你提供周到完善的技術(shù)支持
2020-04-07 10:48:00
概述OC5820 是一款內(nèi)置功率 MOSFET 的單片降壓型開關(guān)模式轉(zhuǎn)換器。OC5820 在6-40V 寬輸入電源范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn) 2.5 A 峰值輸出電流，并且具有出色的線電壓和負(fù)載調(diào)整率。OC5820
2022-01-13 09:35:22
`全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）開發(fā)出內(nèi)置有2枚耐壓±40V和±60V的MOSFET且支持24V輸入的雙極MOSFET*1“QH8Mx5/SH8Mx5系列（Nch+Pch*2
2021-07-14 15:17:34
。
SL3061 40V/2.5A開關(guān)降壓型轉(zhuǎn)換器產(chǎn)品概述:SL3061是一款內(nèi)部集成功率MOSFET的降壓型開關(guān)穩(wěn)壓器，工作在寬輸入電壓范圍具有優(yōu)良的負(fù)載和線性調(diào)整。寬范圍輸入電壓（6V至40V）可提供
2023-12-12 16:11:08
SC4810B是中廣芯源自主開發(fā)高壓40V工藝的的600mA降壓型同步整流芯片，是國內(nèi)首家采用SOT23-6小型封裝大電流同步降壓芯片，。內(nèi)部集成極低RDS內(nèi)阻200豪歐金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管
2015-09-18 12:02:41
、售前服務(wù)及服務(wù)，給用戶提供最優(yōu)質(zhì)最具競爭力的產(chǎn)品以及最人性化最貼心的服務(wù)。描述XL3001是一款降壓恒流型LED驅(qū)動(dòng)器，可工作在DC8V到40V輸入電壓范圍，低紋波，內(nèi)置功率MOS。XL3001內(nèi)置
2020-05-25 14:36:22
專為升壓、升降壓設(shè)計(jì) 的單片集成電路，可工作在DC5V到40V輸 入電壓范圍，低紋波，內(nèi)置功率MOS。XL6019內(nèi)置固定頻率振蕩器與頻率補(bǔ)償電 路，簡化了電路設(shè)計(jì)。 PWM 控 制 環(huán) 路 可 以
2020-05-26 14:06:30
，目前正從傳統(tǒng)工業(yè)制造和4C產(chǎn)業(yè)向新能源、電力機(jī)車、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域發(fā)展。另外，不同的細(xì)分領(lǐng)域，對(duì)功率半導(dǎo)體器件的電壓承受能力要求也不一樣，以IGBT為例，消費(fèi)電子電壓一般在600V以下，太陽能逆變器
2019-02-26 17:04:37
電路的功能是為了0.6v到40v之間調(diào)壓。芯片的工作電壓為38v,工作過程中運(yùn)放發(fā)熱很嚴(yán)重。型號(hào)：TPA1882-SR。求大佬答疑
2024-12-10 10:56:45
。提出了一種在真實(shí)環(huán)境中實(shí)現(xiàn)控制回路測(cè)量的簡單方法，然后是使用標(biāo)準(zhǔn)計(jì)算工具的優(yōu)化方法。用于現(xiàn)代電力電子設(shè)備的基于物理的可擴(kuò)展SPICE建模方法現(xiàn)代電力電子技術(shù)涵蓋了廣泛的半導(dǎo)體器件類型，所有這些都在
2018-10-29 08:57:06
概述SL3061是一款內(nèi)部集成功率MOSFET的降壓型開關(guān)穩(wěn)壓器，工作在寬輸入電壓范圍具有優(yōu)良的負(fù)載和線性調(diào)整。寬范圍輸入電壓（6V至40V）可提供最大2.5A電流高效率輸出。SL3061安全保護(hù)
2022-06-10 15:16:08
了厚實(shí)的研發(fā)設(shè)計(jì)能力，同時(shí)還建立全流程的封裝測(cè)試產(chǎn)線（涵蓋封裝測(cè)試、成品測(cè)試等多項(xiàng)）。為客戶提供MOSFET、SiC、功率二極管及整流橋等高品質(zhì)的半導(dǎo)體分立器件產(chǎn)品。MDD致力滿足客戶高品質(zhì)需求，目前產(chǎn)品
2022-11-11 11:50:23
、開關(guān)、反向恢復(fù)等）。動(dòng)力總成總損耗可按各元件分析，并為各種不同的輸入和負(fù)載條件提供損耗和能效圖?！ ?b class="flag-6" style="color: red">MOSFET損耗明細(xì) 詳細(xì)的損耗和能效分析 該工具的開發(fā)結(jié)合了安森美半導(dǎo)體工程師幾十年的電源訣竅
2018-10-16 06:48:49
例子在中低壓同步降壓轉(zhuǎn)換器領(lǐng)域，選擇合適的動(dòng)力總成器件會(huì)是個(gè)艱巨和耗時(shí)的任務(wù)。鑒于此，安森美半導(dǎo)體的同步降壓型動(dòng)力總成設(shè)計(jì)工具提供了完整的動(dòng)力總成設(shè)計(jì)與分析，包括功率MOSFET、輸出電感、輸出電容
2018-10-23 09:03:57
? 至10m?）的分立MOSFET和模塊、用于電動(dòng)汽車輔助系統(tǒng)的600至1200V智能功率模塊（IPM）、和用于泵及電機(jī)的各種40 V至60 V MOSFET。展望未來，安森美半導(dǎo)體電源方案部正擴(kuò)展針對(duì)
2018-10-25 08:53:48
和NCL30161是安森美半導(dǎo)體較新的兩款DC-DC LED驅(qū)動(dòng)器。NCL30161 LED驅(qū)動(dòng)器適合于寬電壓應(yīng)用，它可通過平均電流控制使LED紋波電流控制在平均電流的10%,輸出不需要濾波電容，而且支持PWM或
2018-09-29 16:45:10
外部器件的高性價(jià)比方案。安森美半導(dǎo)體還將展出新的NCD570x系列門極驅(qū)動(dòng)器，具有高驅(qū)動(dòng)電流以提供寶貴的、更高的系統(tǒng)能效，和充分集成多種保護(hù)功能的能力以增強(qiáng)安全性。安森美半導(dǎo)體的汽車產(chǎn)品陣容不斷擴(kuò)展
2018-10-30 09:06:50
全球汽車市場發(fā)展整體向好，汽車中的半導(dǎo)體含量將持續(xù)增長，尤其是動(dòng)力系統(tǒng)、照明、主動(dòng)安全和車身應(yīng)用領(lǐng)域。新能源汽車推動(dòng)汽車動(dòng)力系統(tǒng)中半導(dǎo)體成分增高約5倍。燃油經(jīng)濟(jì)性、先進(jìn)駕駛輔助系統(tǒng)(ADAS)、便利及信息娛樂系統(tǒng)，以及占全球汽車銷售比例50%以上的新興市場，推動(dòng)全球汽車半導(dǎo)體市場同比增長7%。
2020-05-04 06:30:06
導(dǎo)讀：目前，面臨為需求若渴的移動(dòng)設(shè)備市場提供新功能壓力的設(shè)計(jì)人員正在充分利用全新亞芯片級(jí)封裝（sub-CSP）技術(shù)的優(yōu)勢(shì)，使用標(biāo)準(zhǔn)IC來構(gòu)建領(lǐng)先于芯片組路線圖的新設(shè)計(jì)。 安森美半導(dǎo)體
2018-09-29 16:50:56
位功能，可用于各種開關(guān)拓?fù)?b class="flag-6" style="color: red">控制碳化硅（SiC）或硅MOSFET和IGBT功率晶體管。STGAP2SCM配備一個(gè)有源米勒鉗位專用引腳，為設(shè)計(jì)人員防止半橋配置晶體管意外導(dǎo)通提供一個(gè)簡便的解決方案。在
2018-08-06 14:37:25
產(chǎn)品概述SL3061是一款內(nèi)部集成功率MOSFET的降壓型開關(guān)穩(wěn)壓器，工作在寬輸入電壓范圍具有優(yōu)良的負(fù)載和線性調(diào)整。寬范圍輸入電壓（6V至40V）可提供最大2.5A電流高效率輸出。SL3061安全
2022-05-20 14:12:46
) 或電動(dòng)汽車 (EV) 牽引逆變器系統(tǒng)。40V 最低輸入電壓支持來自牽引電機(jī)的可再生制動(dòng)的功能安全測(cè)試。該參考設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)了一款碳化硅 (SiC) MOSFET，該器件具有用于降低開關(guān)損耗的高阻斷
2018-10-15 14:56:46
`描述此降壓同步直流/直流解決方案從 40V/42V 輸入提供 5V 輸出 (@20A)，可實(shí)現(xiàn)最大效率。特性帶有集成同步柵極驅(qū)動(dòng)器的 TPS40170 控制 IC低柵極電荷 (Qg) NexFET
2015-05-11 14:23:04
想用運(yùn)放實(shí)現(xiàn)1~-40V的脈沖電源，1到-40V的時(shí)間為2us，計(jì)算SR至少要求63V/us，看了下幾款車規(guī)級(jí)高壓運(yùn)放，請(qǐng)問下使用LT1010可以實(shí)現(xiàn)嗎？能否提供一下LT1010的LTSPICE的仿真模型？
謝謝！
2023-11-13 14:20:54
電子器件兩個(gè)名詞幾乎是同義詞，功率MOSFET的出現(xiàn)逐步改變了對(duì)功率半導(dǎo)體的傳統(tǒng)理解。原有的電力電子器件，基本上是一種服務(wù)于電力、大電機(jī)傳動(dòng)和工業(yè)應(yīng)用的器件。用電力來稱謂功率以后，使從事電力電子技術(shù)的人
2009-12-11 15:47:08
電源;PD快充、車充、無
線充電;鋰電池保護(hù)、電池化成;直流無刷電機(jī)驅(qū)動(dòng)和控制、光伏逆變及新能源等應(yīng)用領(lǐng)域。
砹德曼MOS 在PD車充的重點(diǎn)推薦型號(hào)
◆DCDC用MOSFET
AD30N54D3: 30V
2025-01-10 17:45:43
超過40%，其中以碳化硅材料（SiC）為代表的第三代半導(dǎo)體大功率電力電子器件是目前在電力電子領(lǐng)域發(fā)展最快的功率半導(dǎo)體器件之一。根據(jù)中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)統(tǒng)計(jì)，2019年中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)市場規(guī)模達(dá)7562億元
2021-01-12 11:48:45
、升降壓設(shè)計(jì) 的單片集成電路，可工作在DC5V到40V輸 入電壓范圍，低紋波，內(nèi)置功率MOS。XL6019內(nèi)置固定頻率振蕩器與頻率補(bǔ)償電 路，簡化了電路設(shè)計(jì)。PWM 控 制 環(huán) 路 可 以 調(diào) 節(jié) 占
2020-04-08 14:44:39
40V，60V MOSFET可大幅簡化熱管理，從而節(jié)省成本。 一個(gè)典型的服務(wù)器電源的輸出電壓為12V，在100%輸出負(fù)載下，功率為600W至2400W，業(yè)界的標(biāo)準(zhǔn)做法是二次側(cè)采用同步整流器（即
2018-12-06 09:46:29
為了幫助解決引發(fā)溫室效應(yīng)及全球變暖的汽車排放問題，飛思卡爾半導(dǎo)體現(xiàn)已在32位汽車微控制器（MCU）系列中引入集成的排放控制技術(shù)。與飛思卡爾其它動(dòng)力總成微控制器類似，這些MCU幫助減少二氧化碳廢氣，為新興市場提供經(jīng)濟(jì)高效且精密的引擎控制設(shè)計(jì)。
2019-06-26 06:01:27
Maxim推出40V、1MHz DC-DC控制器
Maxim推出40V輸入DC-DC控制器MAX15046，器件集成了可靠的保護(hù)功能，即使在最嘈雜的工作環(huán)境中也能保證可靠的工作。該款高可靠性器件非常適
2010-01-12 09:26:03921 國際整流器公司(International Rectifier，簡稱IR)近日宣布擴(kuò)大了旗下包括邏輯電平器件系列在內(nèi)的40V至100V汽車專用MOSFET組合。新系列MOSFET適合傳統(tǒng)內(nèi)燃機(jī)(ICE)平臺(tái)以及微型混合動(dòng)
2010-12-24 09:20:501312 飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)開發(fā)出N溝道PowerTrench MOSFET器件FDMS86500L，該器件經(jīng)專門設(shè)計(jì)以最大限度地減小傳導(dǎo)損耗和開關(guān)節(jié)點(diǎn)振鈴，并提升DC-DC轉(zhuǎn)換器的整體效率
2011-05-18 09:09:072359 全球領(lǐng)先的高性能功率和便攜產(chǎn)品供應(yīng)商飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor) 為100V和150V PowerTrench? MOSFET系列器件增添了工業(yè)類型封裝選擇
2011-06-03 09:30:30904 英飛凌科技股份公司近日宣布推出采用先進(jìn)溝道工藝制造的全新單P溝道40V汽車電源MOSFET產(chǎn)品系列。全新的40V OptiMOS P2產(chǎn)品為能效改進(jìn)、碳減排和成本節(jié)約樹立了行業(yè)新標(biāo)桿，從而進(jìn)一步
2011-09-13 08:33:16897 飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 開發(fā)出PowerTrench? MOSFET器件FDMB2307NZ。該器件具有能夠大幅減小設(shè)計(jì)的外形尺寸，并提供了所需的高效率。
2011-12-14 09:19:402851 飛兆半導(dǎo)體公司（Fairchild Semiconductor） 現(xiàn)為手機(jī)和其它超便攜應(yīng)用的設(shè)計(jì)人員提供一款P溝道PowerTrench MOSFET器件，滿足其對(duì)具有出色散熱性能的小尺寸電池或負(fù)載開關(guān)解決方案的需求。
2012-03-01 09:05:38813 快捷（Fairchild）開發(fā)出P通道、1.5伏特（V）專用PowerTrench薄型0.8毫米（mm）×0.8毫米WL-CSP金屬氧化物半導(dǎo)體場效電晶體（MOSFET）元件--，有助于可攜式裝置設(shè)計(jì)人員應(yīng)付終端應(yīng)用需要節(jié)省空
2012-05-31 10:30:071382 快捷半導(dǎo)體擴(kuò)大PowerTrench? MOSFET系列產(chǎn)品陣容
提供更高的功率密度與提升開關(guān)電源的效率
中電壓MOSFET元件采用高性能矽片減低優(yōu)化系數(shù)，提高同步整流應(yīng)用的可靠性
2012-08-17 08:52:521234 全球領(lǐng)先的高性能功率半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商Fairchild （NASDAQ： FCS） 在2016年APEC上發(fā)布了新一代100V N溝道Power MOSFET旗艦產(chǎn)品——FDMS86181 100V屏蔽柵極PowerTrench? MOSFET。
2016-03-22 11:44:063657 Diodes公司 （Diodes Incorporated） 新推出的兩款40V車用MOSFET DMTH4004SPSQ及DMTH4005SPSQ溫度額定值高達(dá)+175°C，非常適合在高溫環(huán)境下工作。
2016-03-23 11:41:391350 The ISL78206 is an AEC-Q100 qualified 40V， 2.5A synchronous buck controller with a high-side MOSFET and low-side driver integrated.
2017-09-18 11:33:24
5 意法半導(dǎo)體最先進(jìn)的40V功率MOSFET可以完全滿足EPS (電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng))和EPB (電子駐車制動(dòng)系統(tǒng)) 等汽車安全系統(tǒng)的機(jī)械、環(huán)境和電氣要求。 這些機(jī)電系統(tǒng)必須符合汽車AEC Q101規(guī)范
2019-01-25 07:15:011139 
演示電路1279是一款具有1.5A開關(guān)電流的全功能、多拓?fù)銵ED驅(qū)動(dòng)器，內(nèi)置LT3518。在升壓拓?fù)渲校摪褰?jīng)優(yōu)化使用介于輸入電壓和40V之間的總LED電壓驅(qū)動(dòng)330mA LED串。輸入電壓范圍(VIN)是3V至30V，且為轉(zhuǎn)換開關(guān)(PVIN)供電的電源引腳具有3V至40V的輸入電壓范圍。?
2021-06-01 18:18:577 40V轉(zhuǎn)24V 20V；40V轉(zhuǎn)15V 12V 9V降壓電源芯片(電源技術(shù)應(yīng)用期刊)-40V轉(zhuǎn)24V,20V；40V轉(zhuǎn)15V,12V,9V降壓電源芯片
2021-09-15 12:54:2832 40V轉(zhuǎn)5V 40V轉(zhuǎn)3.3V 40V轉(zhuǎn)3V降壓芯片和LDO芯片(通信電源技術(shù) 官網(wǎng))-40V轉(zhuǎn)24V，40V轉(zhuǎn)20V，40V轉(zhuǎn)15V ，40V轉(zhuǎn)12V，40V轉(zhuǎn)9V，40V轉(zhuǎn)5V，40V轉(zhuǎn)3.3V，40V轉(zhuǎn)3V，40V轉(zhuǎn)1.8V，40V轉(zhuǎn)1.2V.
2021-09-15 12:56:2716 NP3P06MR(40V P溝道增強(qiáng)模式MOSFET)
2022-07-13 11:01:232636 
使用安森美半導(dǎo)體 40 V 和 80 V 汽車電源模塊的可靠開關(guān)性能建議（使用屏蔽柵極 MOSFET）
2022-11-15 20:20:220 40 V、P 溝道溝槽 MOSFET-BUK6Y24-40P
2023-02-20 19:06:230 40 V、N 溝道溝槽 MOSFET-BUK6D120-40E
2023-02-20 19:58:171 40 V、N 溝道溝槽 MOSFET-BUK9D23-40E
2023-02-23 19:05:410 40 V、N 溝道溝槽 MOSFET-BUK6D23-40E
2023-02-23 19:05:580 新微半導(dǎo)體40V氮化鎵功率器件工藝平臺(tái)擁有較大的工藝窗口，并具有良好的一致性和穩(wěn)定性的工藝保障。其采用的無金工藝，RC<0.4 Ω·mm；柵極采用自對(duì)準(zhǔn)工藝，使得柵極形貌良好，且最小線寬低至0.5μm。
2023-05-24 16:24:053564 
采用OptiMOS 7 技術(shù)的40V車規(guī)MOSFET產(chǎn)品系列，進(jìn)一步提升比導(dǎo)通電阻，減小RDSON*A，即在同樣的晶圓面積下實(shí)現(xiàn)更低的RDSON，或者說在更小的晶圓面積下實(shí)現(xiàn)相同的RDSON。
2023-07-03 16:11:121765 
安建半導(dǎo)體40V SGT MOSFET產(chǎn)品已經(jīng)通過AEC-Q101車規(guī)認(rèn)證的全部測(cè)試。
2023-09-06 17:48:451376 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《40V N 通道 NexFETTM 功率 MOSFET CSD18510KTT數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-27 13:55:340 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《40V N 通道 NexFETTM 功率 MOSFET CSD18510KCS數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-04-03 15:08:221 半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET） 絕緣柵雙極晶體管（IGBT） 門極可關(guān)斷晶閘管（GTO） 靜電感應(yīng)晶體管（SITH） 靜電感應(yīng)晶閘管（SITHT） MOS控制晶閘管（MCT） 集成門極換向晶閘管（IGCT） 碳化硅MOSFET（SiC MOSFET） 二、全控型電力半導(dǎo)體器件的工
2024-08-14 16:00:094080 意法半導(dǎo)體近期推出了標(biāo)準(zhǔn)閾值電壓(VGS(th))的40V STripFET F8 MOSFET晶體管系列。該系列晶體管融合了強(qiáng)化版溝槽柵技術(shù)的優(yōu)勢(shì)，并具備出色的抗噪能力，專為非邏輯電平控制的應(yīng)用場
2024-12-11 14:27:00971 意法半導(dǎo)體推出了標(biāo)準(zhǔn)閾值電壓(VGS(th))的40V STripFET F8 MOSFET晶體管，新系列產(chǎn)品兼?zhèn)鋸?qiáng)化版溝槽柵技術(shù)的優(yōu)勢(shì)和出色的抗噪能力，適用于非邏輯電平控制的應(yīng)用場景。
2025-01-16 13:28:271025 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《BUK9M8R5-40HN溝道40V、8.5mΩ邏輯電平MOSFET規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-02-13 14:16:000 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《BUK9M3R3-40H N溝道40V、3.3 mΩ邏輯電平MOSFET規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-02-13 11:31:090 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LTH004SQJ 40V互補(bǔ)增強(qiáng)型功率MOSFET規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-03-04 16:58:540 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LTH004SQ 40V互補(bǔ)增強(qiáng)型功率MOSFET規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-03-01 16:32:210 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LTH004SQ-X 40V互補(bǔ)增強(qiáng)型功率MOSFET規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-03-04 16:34:440 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LTH004SQ-Z 40V互補(bǔ)增強(qiáng)型功率MOSFET規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-03-01 16:30:510 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LTH004SR-4L-X 40V互補(bǔ)增強(qiáng)型功率MOSFET規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-03-01 15:36:330 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LTH004SRU-4L 40V互補(bǔ)增強(qiáng)型功率MOSFET規(guī)劃書.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-03-01 15:35:350 這款 40V、2.1mΩ、TO-220 NexFET? 功率 MOSFET 旨在最大限度地減少功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的損耗。 *附件：CSD18511KCS 40V N 溝道 NexFET 功率
2025-04-15 16:23:11775 
這款 40V、2.8mΩ、5mm × 6mm SON NexFET? 功率 MOSFET 旨在最大限度地降低功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的損耗。 *附件：CSD18513Q5A 40V N 溝道 NexFET
2025-04-16 10:54:00758 
基本半導(dǎo)體碳化硅 MOSFET 的 Eoff 特性及其在電力電子領(lǐng)域的應(yīng)用 一、引言 在電力電子技術(shù)飛速發(fā)展的今天，碳化硅（SiC）MOSFET 憑借其卓越的性能，成為推動(dòng)高效能電力轉(zhuǎn)換的關(guān)鍵器件
2025-06-10 08:38:54832 
作為國內(nèi)MOSFET功率器件研發(fā)的先行者之一，新潔能始終致力于功率半導(dǎo)體核心技術(shù)的突破，其研發(fā)團(tuán)隊(duì)持續(xù)創(chuàng)新，正式推出第三代SGT產(chǎn)品Gen.3 SGT MOSFET，電壓涵蓋25-150V系列產(chǎn)品
2025-06-11 08:59:592502 
在數(shù)據(jù)中心、工業(yè)自動(dòng)化及新能源領(lǐng)域，MOSFET的導(dǎo)通損耗與動(dòng)態(tài)響應(yīng)直接影響系統(tǒng)能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，結(jié)合屏蔽柵技術(shù)，突破傳統(tǒng)性能瓶頸。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低導(dǎo)通電阻與300A持續(xù)電流能力，在高功率應(yīng)用領(lǐng)域持續(xù)輸出。
2025-06-11 09:37:31754 
Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日推出40-100 V汽車MOSFET產(chǎn)品組合，該系列采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)微引腳封裝，專為車身控制、信息娛樂、電池防反保護(hù)及LED照明應(yīng)用設(shè)計(jì)。
2025-09-12 09:38:45630 探索英飛凌OptiMOS? 7 40V N溝道MOSFET：電機(jī)驅(qū)動(dòng)的新突破 在電子工程師的日常工作中，為電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)挑選合適的MOSFET至關(guān)重要。英飛凌最新推出的OptiMOS? 7 40V N
2025-12-18 14:30:06188
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