電源、電力電子設(shè)備和新能源汽車產(chǎn)業(yè)鏈。傾佳電子聚焦于新能源、交通電動(dòng)化和數(shù)字化轉(zhuǎn)型三大方向，代理并力推BASiC基本半導(dǎo)體SiC碳化硅MOSFET單管，SiC碳化硅MOSFET功率模塊，SiC模塊驅(qū)動(dòng)板等功率半導(dǎo)體器件以及新能源汽車連接器。? 傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)國產(chǎn)SiC碳化硅模塊在
2026-01-05 06:38:10
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采用的是超級(jí)結(jié)工藝。超級(jí)結(jié)技術(shù)是專為配備600V以上擊穿電壓的高壓功率半導(dǎo)體器件開發(fā)的，用于改善導(dǎo)通電阻與擊穿電壓之間的矛盾。采用超級(jí)結(jié)技術(shù)有助于降低導(dǎo)通電阻，并提高M(jìn)OS管開關(guān)速度，基于該技術(shù)的功率MOSFET已成為高壓開關(guān)轉(zhuǎn)換器領(lǐng)域的業(yè)界規(guī)范。
2026-01-05 06:12:51
電子設(shè)備和新能源汽車產(chǎn)業(yè)鏈。傾佳電子聚焦于新能源、交通電動(dòng)化和數(shù)字化轉(zhuǎn)型三大方向，代理并力推BASiC基本半導(dǎo)體SiC碳化硅MOSFET單管，SiC碳化硅MOSFET功率模塊，SiC模塊驅(qū)動(dòng)板等功率半導(dǎo)體器件以及新能源汽車連接器。? 傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)國產(chǎn)SiC碳化硅
2026-01-04 07:36:23262 
2025ANALYTICS數(shù)據(jù)賦能AI領(lǐng)芯程數(shù)據(jù)智驅(qū)芯制造，績卓領(lǐng)航芯征程普迪飛半導(dǎo)體技術(shù)（上海）有限公司2025年，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)加速邁入智能化、先進(jìn)化發(fā)展新階段，普迪飛（PDFSolutions
2025-12-31 17:07:233414 
本文將聚焦半導(dǎo)體的能帶結(jié)構(gòu)、核心摻雜工藝，以及半導(dǎo)體二極管的工作原理——這些是理解復(fù)雜半導(dǎo)體器件的基礎(chǔ)。
2025-12-26 15:05:13438 
汽車產(chǎn)業(yè)鏈。傾佳電子聚焦于新能源、交通電動(dòng)化和數(shù)字化轉(zhuǎn)型三大方向，代理并力推BASiC基本半導(dǎo)體SiC碳化硅MOSFET單管，SiC碳化硅MOSFET功率模塊，SiC模塊驅(qū)動(dòng)板等功率半導(dǎo)體器件以及新能源汽車連接器。 傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)國產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面
2025-12-24 06:54:12347 
傾佳電子（Changer Tech）銷售團(tuán)隊(duì)培訓(xùn)材料：功率半導(dǎo)體拓?fù)浼軜?gòu)與基本半導(dǎo)體（BASIC Semiconductor）碳化硅器件的戰(zhàn)略應(yīng)用 1. 執(zhí)行摘要與戰(zhàn)略背景 在“雙碳”戰(zhàn)略的宏觀驅(qū)動(dòng)
2025-12-22 08:17:35170 
12月6日，亞洲電源技術(shù)發(fā)展論壇在深圳萬麗酒店隆重舉行。作為國內(nèi)領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商，MDD辰達(dá)半導(dǎo)體攜旗下六大產(chǎn)品矩陣精彩亮相，集中展示了整流器件、小信號(hào)器件、保護(hù)器件、MOSFET、SiC、邏輯IC產(chǎn)品，與行業(yè)專家、合作伙伴共同探討電源技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)與應(yīng)用實(shí)踐。
2025-12-17 12:40:24342 近日，安世半導(dǎo)體在碳化硅（SiC）功率器件領(lǐng)域的技術(shù)實(shí)力再次獲得行業(yè)權(quán)威認(rèn)可。1200 V SiC MOSFET產(chǎn)品系列憑借卓越的創(chuàng)新設(shè)計(jì)與可靠性能，接連將兩項(xiàng)行業(yè)大獎(jiǎng)收入囊中：一項(xiàng)是由國際知名媒體
2025-12-11 15:25:38331 
威兆半導(dǎo)體推出的VS3540AC是一款面向-30V低壓小電流場(chǎng)景的P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用SOT23小型封裝，適配低壓負(fù)電源切換、小型負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：P溝道增強(qiáng)型
2025-12-10 09:44:34249 
高壓MOSFET作為功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的核心器件，憑借高耐壓、低損耗、高速開關(guān)的核心優(yōu)勢(shì)，已成為工業(yè)電源、新能源儲(chǔ)能、汽車電動(dòng)化等場(chǎng)景實(shí)現(xiàn)高效能量轉(zhuǎn)換的“關(guān)鍵引擎”。意法半導(dǎo)體深耕高壓MOSFET技術(shù)研發(fā)，以全系列產(chǎn)品與創(chuàng)新方案，為多領(lǐng)域發(fā)展注入強(qiáng)勁動(dòng)力。
2025-12-03 09:57:022196 
【博主簡介】本人“ 愛在七夕時(shí) ”，系一名半導(dǎo)體行業(yè)質(zhì)量管理從業(yè)者，旨在業(yè)余時(shí)間不定期的分享半導(dǎo)體行業(yè)中的：產(chǎn)品質(zhì)量、失效分析、可靠性分析和產(chǎn)品基礎(chǔ)應(yīng)用等相關(guān)知識(shí)。常言：真知不問出處，所分享的內(nèi)容
2025-12-02 15:22:39873 
在電子工程領(lǐng)域，MOSFET 作為關(guān)鍵的功率器件，其性能直接影響著各類電源和電路的效率與穩(wěn)定性。今天，我們就來深入了解一款由 onsemi 推出的 N 溝道屏蔽柵 PowerTrench MOSFET——NTMFS7D5N15MC，看看它在實(shí)際應(yīng)用中能為我們帶來哪些驚喜。
2025-12-02 14:31:27327 
傾佳電子光伏與儲(chǔ)能產(chǎn)業(yè)功率半導(dǎo)體分立器件從IGBT向碳化硅MOSFET轉(zhuǎn)型的深度研究報(bào)告 傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務(wù)于中國工業(yè)電源
2025-12-01 09:49:522168 
傾佳電子碳化硅 (SiC) MOSFET 分立器件與功率模塊規(guī)格書深度解析與應(yīng)用指南 傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務(wù)于中國工業(yè)電源
2025-11-24 09:00:23493 服務(wù)于中國工業(yè)電源、電力電子設(shè)備和新能源汽車產(chǎn)業(yè)鏈。傾佳電子聚焦于新能源、交通電動(dòng)化和數(shù)字化轉(zhuǎn)型三大方向，分銷代理BASiC基本半導(dǎo)體SiC碳化硅MOSFET單管，SiC碳化硅MOSFET功率模塊，SiC模塊驅(qū)動(dòng)板等功率半導(dǎo)體器件以及新能源汽車連接器。? 傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)
2025-11-24 04:40:521088 
。安森美半導(dǎo)體NTTFSSCH1D3N04XL T10 PowerTrench MOSFET設(shè)計(jì)用于為數(shù)據(jù)中心和云應(yīng)用提供高效解決方案。
2025-11-22 17:40:472215 在半導(dǎo)體設(shè)計(jì)與制造過程中，器件性能的精確測(cè)試是確保產(chǎn)品可靠性與一致性的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。蘇州永創(chuàng)智能科技有限公司推出的 STD2000X 半導(dǎo)體靜態(tài)電性測(cè)試系統(tǒng) ，正是面向 Si、SiC、GaN 等材料
2025-11-21 11:16:03118 
【博主簡介】本人“ 愛在七夕時(shí) ”，系一名半導(dǎo)體行業(yè)質(zhì)量管理從業(yè)者，旨在業(yè)余時(shí)間不定期的分享半導(dǎo)體行業(yè)中的：產(chǎn)品質(zhì)量、失效分析、可靠性分析和產(chǎn)品基礎(chǔ)應(yīng)用等相關(guān)知識(shí)。常言：真知不問出處，所分享的內(nèi)容
2025-11-21 08:26:15328 的保障，半導(dǎo)體器件的測(cè)試也愈發(fā)重要。 對(duì)于半導(dǎo)體器件而言，它的分類非常廣泛，例如二極管、三極管、MOSFET、IC等，不過這些器件的測(cè)試有共性也有差異，因此在實(shí)際的測(cè)試時(shí)測(cè)試項(xiàng)目也有通用項(xiàng)目和特殊項(xiàng)目，本文將為大家整
2025-11-17 18:18:372314 
近年來，基于寬禁帶材料的器件技術(shù)的不斷發(fā)展，碳化硅器件的實(shí)際工程應(yīng)用，受到了越來越廣泛的關(guān)注。相較傳統(tǒng)的硅基器件，碳化硅MOSFET具有較小的導(dǎo)通電阻以及很快的開關(guān)速度，與硅IGBT相比，導(dǎo)通損耗
2025-11-05 08:22:008362 
一臺(tái)半導(dǎo)體參數(shù)分析儀抵得上多種測(cè)量儀器Keysight B1500A 半導(dǎo)體參數(shù)分析儀是一款一體化器件表征分析儀，能夠測(cè)量 IV、CV、脈沖/動(dòng)態(tài) I-V 等參數(shù)。 主機(jī)和插入式模塊能夠表征大多數(shù)
2025-10-29 14:28:09
近日，工業(yè)和信息化部正式公布第七批國家級(jí)專精特新“小巨人”企業(yè)名單， 華大半導(dǎo)體旗下飛锃半導(dǎo)體（上海）有限公司憑借在寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件領(lǐng)域的突出技術(shù)創(chuàng)新能力、深厚產(chǎn)業(yè)積累與廣闊市場(chǎng)前景成功入選
2025-10-27 15:44:58460 自由空間半導(dǎo)體激光器半導(dǎo)體激光器是以一定的半導(dǎo)體材料做工作物質(zhì)而產(chǎn)生激光的器件。.其工作原理是通過一定的激勵(lì)方式，在半導(dǎo)體物質(zhì)的能帶（導(dǎo)帶與價(jià)帶）之間，或者半導(dǎo)體物質(zhì)的能帶與雜質(zhì)（受主或施主）能級(jí)
2025-10-23 14:24:06
靜電在自然界中無處不在。從芯片制造、封裝測(cè)試、運(yùn)輸存儲(chǔ)到組裝使用，靜電可能在任一環(huán)節(jié)對(duì)芯片造成不可逆損。半導(dǎo)體ESD失效的四大特征1.隱蔽性（1）人體通常需2~3KV靜電才能感知，而現(xiàn)代半導(dǎo)體器件
2025-10-22 14:33:21598 
傾佳代理的基本半導(dǎo)體碳化硅MOSFET分立器件產(chǎn)品力及應(yīng)用深度分析 I. 執(zhí)行摘要 (Executive Summary) 基本半導(dǎo)體（BASiC Semiconductor）提供的碳化硅（SiC
2025-10-21 10:12:15390 
行業(yè)自主可控和產(chǎn)業(yè)升級(jí)！ 傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET功率器件三個(gè)必然，勇立功率半導(dǎo)體器件變革潮頭： 傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET模塊全面取代IGBT模塊和IPM模塊的必然趨勢(shì)
2025-10-11 10:56:371137 
解決客戶實(shí)際使用痛點(diǎn)，開發(fā)難點(diǎn)，節(jié)約生產(chǎn)成本提高工作效率，助力行業(yè)發(fā)展。
四、半導(dǎo)體分立器件綜合測(cè)試系統(tǒng)BW-4022A應(yīng)用領(lǐng)域
**芯片制造領(lǐng)域**
1.**晶圓測(cè)試（CP 測(cè)試
2025-10-10 10:35:17
半導(dǎo)體器件清洗工藝是確保芯片制造良率和可靠性的關(guān)鍵基礎(chǔ)，其核心在于通過精確控制的物理化學(xué)過程去除各類污染物，同時(shí)避免對(duì)材料造成損傷。以下是該工藝的主要技術(shù)要點(diǎn)及實(shí)現(xiàn)路徑的詳細(xì)闡述：污染物分類與對(duì)應(yīng)
2025-10-09 13:40:46705 
基本半導(dǎo)體B3M平臺(tái)深度解析：第三代SiC碳化硅MOSFET技術(shù)與應(yīng)用 第一章：B3M技術(shù)平臺(tái)架構(gòu)前沿 本章旨在奠定對(duì)基本半導(dǎo)體（BASIC Semiconductor）B3M系列的技術(shù)認(rèn)知
2025-10-08 13:12:22499 
汽車產(chǎn)業(yè)鏈。傾佳電子聚焦于新能源、交通電動(dòng)化和數(shù)字化轉(zhuǎn)型三大方向，并提供包括IGBT、SiC MOSFET、GaN等功率半導(dǎo)體器件以及新能源汽車連接器。? 傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)國產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代進(jìn)口IGBT模塊，助力電力電子行業(yè)自主可控和產(chǎn)業(yè)
2025-10-08 10:04:18589 
升級(jí)！ 傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET功率器件三個(gè)必然，勇立功率半導(dǎo)體器件變革潮頭： 傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET模塊全面取代IGBT模塊和IPM模塊的必然趨勢(shì)！ 傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET單管全面取代IGBT單管和大于650V的高壓硅MOSFET的必然趨勢(shì)
2025-10-02 09:29:39704 
電阻率的測(cè)試方法多樣，應(yīng)根據(jù)材料的維度（如塊體、薄膜、低維結(jié)構(gòu)）、形狀及電學(xué)特性選擇合適的測(cè)量方法。在低維半導(dǎo)體材料與器件的研發(fā)和生產(chǎn)中，電阻率作為反映材料導(dǎo)電性能的關(guān)鍵參數(shù)，其精確測(cè)量對(duì)器件性能
2025-09-29 13:43:16580 
電子設(shè)備和新能源汽車產(chǎn)業(yè)鏈。傾佳電子聚焦于新能源、交通電動(dòng)化和數(shù)字化轉(zhuǎn)型三大方向，并提供包括IGBT、SiC MOSFET、GaN等功率半導(dǎo)體器件以及新能源汽車連接器。 傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)國產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代進(jìn)口IGBT模塊，助力電力電子行業(yè)自主可控和
2025-09-19 17:34:561103 
電子設(shè)備和新能源汽車產(chǎn)業(yè)鏈。傾佳電子聚焦于新能源、交通電動(dòng)化和數(shù)字化轉(zhuǎn)型三大方向，并提供包括IGBT、SiC MOSFET、GaN等功率半導(dǎo)體器件以及新能源汽車連接器。 傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)國產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代進(jìn)口IGBT模塊，助力電力電子行業(yè)
2025-09-14 22:59:12920 
9月10日，中國集成電路產(chǎn)業(yè)全鏈條技術(shù)展示與交流核心平臺(tái)——SEMI-e深圳國際半導(dǎo)體展暨2025集成電路產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新展在深圳成功召開。作為國家集成電路產(chǎn)業(yè)的重要組成力量，本次展覽，兆芯展示了開先、開勝
2025-09-11 10:49:281424 作為 FOSAN 富捷科技集團(tuán)旗下專注半導(dǎo)體領(lǐng)域的核心企業(yè)，安徽富信半導(dǎo)體科技有限公司憑借豐富的半導(dǎo)體分立器件產(chǎn)品線與場(chǎng)景化解決方案能力，深度滲透 BMS 電池管理、儲(chǔ)能電源、智能裝備、消費(fèi)
2025-09-08 14:45:28699 
我們知道，帶電離子穿透半導(dǎo)體材料的過程中，會(huì)與靶材原子發(fā)生交互作用，沿離子運(yùn)動(dòng)軌跡生成電子 - 空穴對(duì)，這一物理過程正是單粒子效應(yīng)的誘發(fā)根源。從作用機(jī)理來看，半導(dǎo)體器件及集成電路中單粒子效應(yīng)的產(chǎn)生需經(jīng)歷三個(gè)核心階段，各階段的物理行為存在顯著差異：
2025-09-08 09:48:181143 
（電容-電壓特性測(cè)試）是通過測(cè)量半導(dǎo)體器件在不同偏置電壓下的電容變化，分析其介電特性、摻雜濃度及界面狀態(tài)的關(guān)鍵技術(shù)。主要應(yīng)用于功率器件（MOSFET/IGBT等）的寄生參數(shù)測(cè)量和材料特性研究。 二、核心測(cè)試內(nèi)容 ? 關(guān)鍵參數(shù)測(cè)量 ? ?
2025-09-01 12:26:20930 當(dāng)前，眾多半導(dǎo)體企業(yè)正推進(jìn)整體流程與運(yùn)營的數(shù)字化轉(zhuǎn)型。在半導(dǎo)體企業(yè)的所有業(yè)務(wù)環(huán)節(jié)中，制造是最關(guān)鍵且價(jià)值創(chuàng)造能力最強(qiáng)的流程之一。能否將制造環(huán)節(jié)與企業(yè)其他業(yè)務(wù)環(huán)節(jié)深度整合，直接決定了數(shù)字化轉(zhuǎn)型項(xiàng)目的成敗
2025-08-27 14:33:21706 7月26日-27日，第十九屆中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)半導(dǎo)體分立器件年會(huì)在江蘇南京召開。會(huì)議期間，中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)正式發(fā)布了“2024年中國半導(dǎo)體行業(yè)功率器件十強(qiáng)企業(yè)”名單。
2025-08-01 17:58:191757 基本半導(dǎo)體推出34mm封裝的全碳化硅MOSFET半橋模塊，該系列產(chǎn)品采用第三代碳化硅MOSFET芯片技術(shù)，在比導(dǎo)通電阻、開關(guān)損耗、可靠性等方面表現(xiàn)更出色。
2025-08-01 10:25:141293 
A22-3分立半導(dǎo)體器件(MOS管)知識(shí)與應(yīng)用專題
2025-07-30 09:57:0118519 
A22-2分立半導(dǎo)體器件(三極管)知識(shí)與應(yīng)用專題
2025-07-30 09:55:23446 
A22-1分立半導(dǎo)體器件(二極管)知識(shí)與應(yīng)用專題
2025-07-30 09:46:5912891 
功率變換器是電能利用的重要裝置，其性能主要取決于其核心—功率半導(dǎo)體器件，常見類型有 MOSFET、IGBT 和二極管。傳統(tǒng) Si 器件已逼近材料極限，成為進(jìn)一步提升效率和功率密度的瓶頸。
2025-07-29 11:15:202250 
2025 年7月25日-27日，第十九屆中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)半導(dǎo)體分立器件年會(huì)暨2025年中國半導(dǎo)體器件技術(shù)創(chuàng)新及產(chǎn)業(yè)發(fā)展論壇在南京盛大啟幕。本次大會(huì)由中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)指導(dǎo)、中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)半導(dǎo)體
2025-07-28 18:30:071313 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)作為現(xiàn)代科技的基石，其技術(shù)的發(fā)展日新月異。半導(dǎo)體器件從設(shè)計(jì)到生產(chǎn)，每個(gè)環(huán)節(jié)都對(duì)測(cè)試設(shè)備的精度、效率提出了嚴(yán)苛要求。示波器作為關(guān)鍵的測(cè)試測(cè)量儀器，在半導(dǎo)體器件測(cè)試中發(fā)揮著不可或缺的作用。是德
2025-07-25 17:34:52652 
? 半導(dǎo)體分立器件主要包括： ? 二極管 ?（如整流二極管、肖特基二極管） ? 三極管 ?（雙極型晶體管、場(chǎng)效應(yīng)管） ? 晶閘管 ?（可控硅） ? 功率器件 ?（IGBT、MOSFET）? 2. ? 核心測(cè)試參數(shù) ? ? 電氣特性 ?：正向/反向電壓、漏電流、導(dǎo)
2025-07-22 17:46:32825 
近日，總投資超200億元的長飛先進(jìn)半導(dǎo)體基地項(xiàng)目正式運(yùn)營投產(chǎn)。該項(xiàng)目是目前國內(nèi)規(guī)模最大的碳化硅半導(dǎo)體基地，年產(chǎn)36萬片6英寸碳化硅晶圓，可滿足144萬輛新能源汽車制造需求，推動(dòng)我國第三代半導(dǎo)體實(shí)現(xiàn)
2025-07-22 07:33:221042 
目錄
第1章?半導(dǎo)體中的電子和空穴第2章?電子和空穴的運(yùn)動(dòng)與復(fù)合
第3章?器件制造技術(shù)
第4章?PN結(jié)和金屬半導(dǎo)體結(jié)
第5章?MOS電容
第6章?MOSFET晶體管
第7章?IC中的MOSFET
2025-07-12 16:18:42
本書較全面地講述了現(xiàn)有各類重要功率半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)、基本原理、設(shè)計(jì)原則和應(yīng)用特性，有機(jī)地將功率器件的設(shè)計(jì)、器件中的物理過程和器件的應(yīng)用特性聯(lián)系起來。
書中內(nèi)容由淺入深，從半導(dǎo)體的性質(zhì)、基本的半導(dǎo)體
2025-07-11 14:49:36
在科技發(fā)展日新月異的當(dāng)下，溫度控制的精度與穩(wěn)定性成為眾多領(lǐng)域研發(fā)和生產(chǎn)的關(guān)鍵要素。聚焦溫度控制領(lǐng)域的企業(yè)研發(fā)出高精度半導(dǎo)體溫控產(chǎn)品，已在電子、通訊、汽車、航空航天等行業(yè)的溫控場(chǎng)景中得到應(yīng)用。那么
2025-06-25 14:44:54
取代傳統(tǒng)硅基器件?；?b class="flag-6" style="color: red">半導(dǎo)體推出的B3M010C075Z750V SiC MOSFET，通過創(chuàng)新設(shè)計(jì)與先進(jìn)工藝，實(shí)現(xiàn)了功率密度與能效的跨越式突破，為下一代電力轉(zhuǎn)換系統(tǒng)樹立了新標(biāo)桿。 一、核心技術(shù)亮點(diǎn)：重新定義功率器件性能邊界 超低導(dǎo)通損耗 采用銀燒結(jié)工藝強(qiáng)化散熱路徑，在18V驅(qū)動(dòng)下實(shí)現(xiàn)10mΩ典型導(dǎo)通
2025-06-16 15:20:29711 
在5G通信、智能駕駛、物聯(lián)網(wǎng)飛速發(fā)展的今天，半導(dǎo)體光電器件是實(shí)現(xiàn)光電信號(hào)轉(zhuǎn)換與信息傳遞的核心元件，其性能優(yōu)劣直接決定設(shè)備的功能與可靠性。正因如此，半導(dǎo)體光電器件測(cè)試成為貫穿研發(fā)、生產(chǎn)與質(zhì)檢全流程
2025-06-12 19:17:281516 
在數(shù)據(jù)中心、工業(yè)自動(dòng)化及新能源領(lǐng)域，MOSFET的導(dǎo)通損耗與動(dòng)態(tài)響應(yīng)直接影響系統(tǒng)能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，結(jié)合屏蔽柵技術(shù)，突破傳統(tǒng)性能瓶頸。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低導(dǎo)通電阻與300A持續(xù)電流能力，在高功率應(yīng)用領(lǐng)域持續(xù)輸出。
2025-06-11 09:37:31754 
基本半導(dǎo)體碳化硅 MOSFET 的 Eoff 特性及其在電力電子領(lǐng)域的應(yīng)用 一、引言 在電力電子技術(shù)飛速發(fā)展的今天，碳化硅（SiC）MOSFET 憑借其卓越的性能，成為推動(dòng)高效能電力轉(zhuǎn)換的關(guān)鍵器件
2025-06-10 08:38:54829 
~兼具更寬SOA范圍和更低導(dǎo)通電阻，被全球知名云平臺(tái)企業(yè)認(rèn)證為推薦器件~ 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)于6月3日宣布，開發(fā)出100V耐壓的功率MOSFET*1
2025-06-05 13:15:05711 
氧化物半導(dǎo)體 FET)主要被用于線性或開關(guān)電源應(yīng)用。
他們?yōu)槭裁匆l(fā)明功率MOSFET？
當(dāng)把雙極型三極管按照比例提高到功率應(yīng)用的時(shí)候，它顯露出一些惱人的局限性。確實(shí)，你仍然可以在洗衣機(jī)、空調(diào)機(jī)
2025-06-03 15:39:43
化合物半導(dǎo)體器件以Ⅲ-Ⅴ族、Ⅱ-Ⅵ族元素通過共價(jià)鍵形成的材料為基礎(chǔ)，展現(xiàn)出獨(dú)特的電學(xué)與光學(xué)特性。以砷化鎵（GaAs）為例，其電子遷移率高達(dá)8500cm2/V·s，本征電阻率達(dá)10?Ω·cm，是制造高速、高頻、抗輻射器件的理想材料。
2025-05-28 14:37:382338 
在服務(wù)器電源、工業(yè)驅(qū)動(dòng)及新能源領(lǐng)域，MOSFET的性能直接決定系統(tǒng)的能效與可靠性。為滿足高密度、高效率需求，MDD辰達(dá)半導(dǎo)體推出全新SGT系列MOSFET，其中MDDG03R04Q(30V N溝道增強(qiáng)型MOS)憑借3.5mΩ低導(dǎo)通電阻與屏蔽柵優(yōu)化技術(shù)，為同步整流、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等場(chǎng)景提供高效解決方案。
2025-05-21 14:04:381100 
型晶體管（BJT）、達(dá)林頓管等。 ?功率器件? ?MOSFET?（金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）：適用于高頻開關(guān)場(chǎng)景。 ?IGBT?（絕緣柵雙極型晶體管）：結(jié)合MOSFET和BJT特性，用于高壓大電流場(chǎng)景。 ?晶閘管（可控硅）?：包括單向/雙向可控硅（SCR/Tria
2025-05-19 15:28:061308 
從清華大學(xué)到鎵未來科技，張大江先生在半導(dǎo)體功率器件十八年的堅(jiān)守！近年來，珠海市鎵未來科技有限公司（以下簡稱“鎵未來”）在第三代半導(dǎo)體行業(yè)異軍突起，憑借領(lǐng)先的氮化鎵（GaN）技術(shù)儲(chǔ)備和不斷推出的新產(chǎn)品
2025-05-19 10:16:02
電子束半導(dǎo)體圓筒聚焦電極
在傳統(tǒng)電子束聚焦中，需要通過調(diào)焦來確保電子束焦點(diǎn)在目標(biāo)物體上。要確認(rèn)是焦點(diǎn)的最小直徑位置非常困難，且難以測(cè)量。如果焦點(diǎn)是一條直線，就可以免去調(diào)焦過程，本文將介紹一種能把
2025-05-10 22:32:27
BASiC基本股份半導(dǎo)體的碳化硅（SiC）MOSFET憑借其低關(guān)斷損耗（Eoff）特性，在以下應(yīng)用中展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢(shì)： 傾佳電子（Changer Tech）-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅
2025-05-04 09:42:31740 
4月，作為國內(nèi)深耕于IGBT、MOS管的廠家代表，飛虹半導(dǎo)體成功參加了第104屆中國電子展（深圳）以及慕尼黑上海電子展，兩大行業(yè)盛會(huì)圓滿落幕。
2025-04-29 11:39:30881 微量摻雜元素在半導(dǎo)體器件的發(fā)展中起著至關(guān)重要的作用，可以精準(zhǔn)調(diào)控半導(dǎo)體的電學(xué)、光學(xué)性能。對(duì)器件中微量摻雜元素的準(zhǔn)確表征和分析是深入理解半導(dǎo)體器件特性、優(yōu)化器件性能的關(guān)鍵步驟，然而由于微量摻雜元素含量極低，對(duì)它的檢測(cè)和表征也面臨很多挑戰(zhàn)。
2025-04-25 14:29:531705 
日前，瑞能半導(dǎo)體攜多款高性能功率器件解決方案亮相2025慕尼黑上海電子展（Electronica China 2025），全方位展示了在碳化硅、IGBT、MOSFET等領(lǐng)域的最新突破成果。本次展會(huì)
2025-04-17 19:38:50938 
IGBT模塊是一種重要的功率半導(dǎo)體器件，具有結(jié)構(gòu)簡單、容量大、損耗低等優(yōu)點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用于各種高功率電子設(shè)備中。絕緣柵極雙極晶體管（IGBT）功率模塊將MOSFET的高效和快速開關(guān)能力與雙極晶體管
2025-04-16 08:06:431298 
。 第1章 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)介紹 第2章 半導(dǎo)體材料特性 第3章 器件技術(shù) 第4章 硅和硅片制備 第5章 半導(dǎo)體制造中的化學(xué)品 第6章 硅片制造中的沾污控制 第7章 測(cè)量學(xué)和缺陷檢查 第8章 工藝腔內(nèi)的氣體控制
2025-04-15 13:52:11
2025年慕尼黑上海電子展即將在上海新國際博覽中心隆重舉辦。2025年4月15-17日飛虹半導(dǎo)體攜其在大功率分立器件領(lǐng)域的創(chuàng)新成果——MOS管、IGBT、肖特基、三極管等系列產(chǎn)品亮相展會(huì)。在此誠邀各位電子領(lǐng)域的同行共賞盛宴，共同交流！
2025-04-14 15:49:06758 第104屆中國電子展即CITE2025即將在深圳會(huì)展中心（福田）隆重舉辦。2025年4月9-11日飛虹半導(dǎo)體受邀參展，攜其在大功率分立器件領(lǐng)域的創(chuàng)新成果——MOS管、IGBT、肖特基等系列產(chǎn)品亮相展會(huì)。與參展者圍繞“科技創(chuàng)新·‘圳’在變革”的主題共襄盛典，展望電子產(chǎn)業(yè)的未來。
2025-04-09 16:22:41907 
兆易創(chuàng)新GigaDevice今日宣布與納微半導(dǎo)體（納斯達(dá)克股票代碼: NVTS）達(dá)成戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系，通過將兆易創(chuàng)新先進(jìn)的高算力MCU產(chǎn)品和納微半導(dǎo)體高頻、高速、高集成度的氮化鎵技術(shù)進(jìn)行優(yōu)勢(shì)整合
2025-04-09 09:30:43736 
? ? ? 今日，兆易創(chuàng)新宣布與納微半導(dǎo)體正式達(dá)成戰(zhàn)略合作！雙方將強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)合，通過將兆易創(chuàng)新先進(jìn)的高算力MCU產(chǎn)品和納微半導(dǎo)體高頻、高速、高集成度的氮化鎵技術(shù)進(jìn)行優(yōu)勢(shì)整合，打造智能、高效、高功率密度
2025-04-08 18:12:443885 
引言
隨著電力半導(dǎo)體器件的發(fā)展[1-2]，已經(jīng)出現(xiàn)了各種各樣的全控型器件，最常用的有適用于大功率場(chǎng)合的大功率晶體管(GTR)、適用于中小功率場(chǎng)合但快速性較好的功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)以及
2025-03-27 14:48:50
飛兆半導(dǎo)體的IGBT器件FGP20N6S2 （屬于SMPS2系列）和MOSFET器件 FCP11N60（屬于SuperFET 產(chǎn)品族）。這些產(chǎn)品具有相近的芯片尺寸和相同的熱阻抗RθJC，代表了功率
2025-03-25 13:43:17
SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代進(jìn)口IGBT模塊，助力電力電子行業(yè)自主可控和產(chǎn)業(yè)升級(jí)！ 傾佳電子楊茜跟住SiC碳化硅MOSFET功率器件三個(gè)必然，勇立功率半導(dǎo)體器件變革潮頭： 傾佳電子楊茜跟住SiC碳化硅MOSFET模塊全面取代IGBT模塊和IPM模塊的必
2025-03-13 00:27:37767 AEC-Q102是汽車電子領(lǐng)域針對(duì)分立光電半導(dǎo)體元器件的應(yīng)力測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)，由汽車電子委員會(huì)（AEC）制定。該標(biāo)準(zhǔn)于2017年3月首次發(fā)布，隨后在2020年4月更新為AEC-Q102REVA版本，成為目前
2025-03-07 15:35:151610 
自適應(yīng)防串通保護(hù)
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率能半導(dǎo)體代理，支持終端工廠，為客戶提供樣品以及相關(guān)技術(shù)咨詢
如需更多系列型號(hào)，歡迎聯(lián)系咨詢。
東莞市瀚海芯智能科技有限公司馬先生：17318031970 微信同步
2025-03-07 09:27:56
(MOSFET)、IGBT、SCR
(4)光電耦合器
(5)MEMS
(6)聲表面波器件(SAW Device)
(7)集成電路
BW-AH-5520半導(dǎo)體高精度自動(dòng)溫度實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)具備風(fēng)冷式，水冷式，液氮制冷式冷卻方式；主要是用來對(duì)各種元器件及芯片等性能參數(shù)在全溫度范圍內(nèi)、實(shí)現(xiàn)精密在線測(cè)試。
2025-03-06 10:48:56
書，深入了解 CW32 單片機(jī)的魅力，充分發(fā)揮其優(yōu)勢(shì)，開發(fā)出更多優(yōu)秀的嵌入式產(chǎn)品。
最后，我們要感謝每一位支持武漢芯源半導(dǎo)體的朋友，是你們的信任和鼓勵(lì)讓我們不斷前行。我們將一如既往地秉持創(chuàng)新、品質(zhì)、服務(wù)
2025-03-03 15:14:41
一、引言隨著科技的不斷發(fā)展，功率半導(dǎo)體器件在電力電子系統(tǒng)、電動(dòng)汽車、智能電網(wǎng)、新能源并網(wǎng)等領(lǐng)域發(fā)揮著越來越重要的作用。近年來，第三代寬禁帶功率半導(dǎo)體器件以其獨(dú)特的高溫、高頻、高耐壓等特性，逐漸
2025-02-15 11:15:301609 
半導(dǎo)體常用器件的介紹
2025-02-07 15:27:21
0 近年來，隨著電力電子技術(shù)的快速發(fā)展，功率半導(dǎo)體器件在風(fēng)力發(fā)電、光伏發(fā)電、電動(dòng)汽車等戶外工況中的應(yīng)用日益廣泛。然而，這些戶外環(huán)境往往伴隨著較高的濕度，這對(duì)功率半導(dǎo)體器件的運(yùn)行可靠性構(gòu)成了嚴(yán)峻挑戰(zhàn)
2025-02-07 11:32:251527 
在《意法半導(dǎo)體新能源功率解決方案：從產(chǎn)品到應(yīng)用，一文讀懂（上篇）》文章中，我們著重介紹了ST新能源功率器件中的傳統(tǒng)IGBT和高壓MOSFET器件，讓大家對(duì)其在相關(guān)領(lǐng)域的應(yīng)用有了一定了解。接下來，本文將聚焦于ST的SiC、GaN等第三代半導(dǎo)體產(chǎn)品以及其新能源功率解決方案。
2025-02-07 10:38:501640 
▍全球最大數(shù)字智能化LED芯片廠加碼化合物半導(dǎo)體 來源：LEDinside等網(wǎng)絡(luò)資料 近日，兆馳集團(tuán)二十周年盛典暨全球戰(zhàn)略合作伙伴生態(tài)峰會(huì)在江西隆重召開，在盛典上，兆馳集團(tuán)明確了未來10到20年
2025-01-23 11:49:081624 
SGT MOSFET，即屏蔽柵溝槽MOSFET，是一種先進(jìn)的功率半導(dǎo)體器件。這種技術(shù)改變了MOSFET內(nèi)部電場(chǎng)的形態(tài)，將傳統(tǒng)的三角形電場(chǎng)進(jìn)一步的變更為類似壓縮的梯形電場(chǎng)，可以進(jìn)一步減小EPI層的厚度，降低導(dǎo)通電阻Rds(on)。
2025-01-22 13:55:545890 
/前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)，才能完成精確熱設(shè)計(jì)，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱
2025-01-13 17:36:111819 
砹德曼半導(dǎo)體長期致力于為行業(yè)客戶提供完善的性價(jià)比優(yōu)越的功率器件解決方案，規(guī)劃產(chǎn)品涵蓋中低壓MOS、高壓
MOS、IGBT、IPM、SiC、GaN等。產(chǎn)品定位于高性能的通信電源、工業(yè)電源、消費(fèi)
2025-01-10 17:45:43
隨著新能源汽車、5G通信、高端裝備制造等領(lǐng)域的蓬勃發(fā)展，功率半導(dǎo)體器件作為其核心組件，正面臨著前所未有的挑戰(zhàn)與機(jī)遇。在這些領(lǐng)域中，功率半導(dǎo)體器件不僅需要有更高的效率和可靠性，還要滿足壽命長、制造步驟
2025-01-08 13:06:132115 
/前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)，才能完成精確熱設(shè)計(jì)，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱
2025-01-06 17:05:481328 在半導(dǎo)體器件的實(shí)際部署中，它們會(huì)因功率耗散及周圍環(huán)境溫度而發(fā)熱，過高的溫度會(huì)削弱甚至損害器件性能。因此，熱測(cè)試對(duì)于驗(yàn)證半導(dǎo)體組件的性能及評(píng)估其可靠性至關(guān)重要。然而，半導(dǎo)體熱測(cè)試過程中常面臨諸多挑戰(zhàn)
2025-01-06 11:44:391580
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