英偉達(dá)GPU直流供電架構(gòu)與基本半導(dǎo)體SiC MOSFET在AI服務(wù)器PSU中的應(yīng)用價(jià)值分析 傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務(wù)于中國(guó)工業(yè)
2026-01-05 06:38:10
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采用的是超級(jí)結(jié)工藝。超級(jí)結(jié)技術(shù)是專為配備600V以上擊穿電壓的高壓功率半導(dǎo)體器件開發(fā)的，用于改善導(dǎo)通電阻與擊穿電壓之間的矛盾。采用超級(jí)結(jié)技術(shù)有助于降低導(dǎo)通電阻，并提高M(jìn)OS管開關(guān)速度，基于該技術(shù)的功率MOSFET已成為高壓開關(guān)轉(zhuǎn)換器領(lǐng)域的業(yè)界規(guī)范。
2026-01-05 06:12:51
傾佳電子功率半導(dǎo)體銷售培訓(xùn)手冊(cè)：電力電子核心技術(shù)與SiC碳化硅功率器件的應(yīng)用 傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務(wù)于中國(guó)工業(yè)電源、電力
2026-01-04 07:36:23262 
威兆半導(dǎo)體推出的VS4020AS是一款面向40V低壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用小型封裝（圖中未明確具體型號(hào)，推測(cè)為SOP類小封裝），適配低壓小型電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品
2025-12-31 17:30:401613 
威兆半導(dǎo)體推出的VS4604AP是一款面向40V低壓超大功率場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用PDFN5x6封裝，適配低壓超大電流電源管理、DC/DC轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N
2025-12-31 17:14:451192 2025ANALYTICS數(shù)據(jù)賦能AI領(lǐng)芯程數(shù)據(jù)智驅(qū)芯制造，績(jī)卓領(lǐng)航芯征程普迪飛半導(dǎo)體技術(shù)（上海）有限公司2025年，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)加速邁入智能化、先進(jìn)化發(fā)展新階段，普迪飛（PDFSolutions
2025-12-31 17:07:233413 
SiC碳化硅MOSFET功率半導(dǎo)體銷售培訓(xùn)手冊(cè)：電源拓?fù)渑c解析 傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務(wù)于中國(guó)工業(yè)電源、電力電子設(shè)備和新能源
2025-12-24 06:54:12347 
威兆半導(dǎo)體推出的VS4080AI是一款面向40V低壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用DIPPAK封裝，適配低壓中功率電源管理、負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型功率
2025-12-23 11:18:11195 
下，全球能源結(jié)構(gòu)正經(jīng)歷著從化石能源向以電力為中心的可再生能源體系的根本性轉(zhuǎn)變。作為電力電子系統(tǒng)的核心“心臟”，功率半導(dǎo)體器件的技術(shù)迭代直接決定了電能轉(zhuǎn)換的效率、體積與可靠性。傾佳電子（Changer Tech）作為中國(guó)工業(yè)電源、新能源汽車及電力電子產(chǎn)業(yè)鏈的核心分銷商，
2025-12-22 08:17:35170 
威兆半導(dǎo)體推出的VS2622AE是一款面向20V低壓大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，支持2.5V邏輯電平控制，采用PDFN3x3封裝，適配低壓中功率電源管理、負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品
2025-12-18 17:42:57173 威兆半導(dǎo)體推出的VS4603GPMT是一款面向40V低壓超大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用PDFN5x6封裝，適配低壓超大電流DC/DC轉(zhuǎn)換器、電源管理等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型
2025-12-17 18:20:18205 12月6日，亞洲電源技術(shù)發(fā)展論壇在深圳萬麗酒店隆重舉行。作為國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商，MDD辰達(dá)半導(dǎo)體攜旗下六大產(chǎn)品矩陣精彩亮相，集中展示了整流器件、小信號(hào)器件、保護(hù)器件、MOSFET、SiC、邏輯IC產(chǎn)品，與行業(yè)專家、合作伙伴共同探討電源技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)與應(yīng)用實(shí)踐。
2025-12-17 12:40:24342 威兆半導(dǎo)體推出的VS4603GPHT是一款面向40V低壓超大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用PDFN5x6封裝，適配低壓超大電流DC/DC轉(zhuǎn)換器、電源管理等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型
2025-12-16 11:40:15161 
在電池管理系統(tǒng)（BMS）設(shè)計(jì)中，辰達(dá)半導(dǎo)體MOSFET作為開關(guān)元件，負(fù)責(zé)電池充放電、均衡、過流保護(hù)和溫度控制等功能的實(shí)現(xiàn)。MOSFET的性能直接影響系統(tǒng)的效率、可靠性和安全性。因此，在選擇
2025-12-15 10:24:57238 
近日，安世半導(dǎo)體在碳化硅（SiC）功率器件領(lǐng)域的技術(shù)實(shí)力再次獲得行業(yè)權(quán)威認(rèn)可。1200 V SiC MOSFET產(chǎn)品系列憑借卓越的創(chuàng)新設(shè)計(jì)與可靠性能，接連將兩項(xiàng)行業(yè)大獎(jiǎng)收入囊中：一項(xiàng)是由國(guó)際知名媒體
2025-12-11 15:25:38331 
威兆半導(dǎo)體推出的VS3540AC是一款面向-30V低壓小電流場(chǎng)景的P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用SOT23小型封裝，適配低壓負(fù)電源切換、小型負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：P溝道增強(qiáng)型
2025-12-10 09:44:34249 高壓MOSFET作為功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的核心器件，憑借高耐壓、低損耗、高速開關(guān)的核心優(yōu)勢(shì)，已成為工業(yè)電源、新能源儲(chǔ)能、汽車電動(dòng)化等場(chǎng)景實(shí)現(xiàn)高效能量轉(zhuǎn)換的“關(guān)鍵引擎”。意法半導(dǎo)體深耕高壓MOSFET技術(shù)研發(fā)，以全系列產(chǎn)品與創(chuàng)新方案，為多領(lǐng)域發(fā)展注入強(qiáng)勁動(dòng)力。
2025-12-03 09:57:022196 
威兆半導(dǎo)體推出的VS1602GMH是一款面向100V中壓超大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用TO-263封裝，憑借1.9mΩ極致低導(dǎo)通電阻與170A大電流承載能力，適用于中壓大電流DC
2025-12-03 09:23:07264 
傾佳電子光伏與儲(chǔ)能產(chǎn)業(yè)功率半導(dǎo)體分立器件從IGBT向碳化硅MOSFET轉(zhuǎn)型的深度研究報(bào)告 傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務(wù)于中國(guó)工業(yè)電源
2025-12-01 09:49:522168 
【博主簡(jiǎn)介】本人“ 愛在七夕時(shí) ”，系一名半導(dǎo)體行業(yè)質(zhì)量管理從業(yè)者，旨在業(yè)余時(shí)間不定期的分享半導(dǎo)體行業(yè)中的：產(chǎn)品質(zhì)量、失效分析、可靠性分析和產(chǎn)品基礎(chǔ)應(yīng)用等相關(guān)知識(shí)。常言：真知不問出處，所分享的內(nèi)容
2025-11-21 08:26:15328 
隨著新能源汽車、光伏儲(chǔ)能以及工業(yè)電源的迅速發(fā)展，半導(dǎo)體器件在這些領(lǐng)域中的應(yīng)用也愈發(fā)廣泛，為了提升系統(tǒng)的性能，半導(dǎo)體器件系統(tǒng)正朝著更高效率、更高功率密度和更小體積的方向快速發(fā)展。對(duì)于半導(dǎo)體器件性能質(zhì)量
2025-11-17 18:18:372314 
光模塊封裝用膠類型及選擇要點(diǎn)在光模塊的制造中，膠水的選擇確實(shí)關(guān)鍵，它直接影響到產(chǎn)品的性能和長(zhǎng)期可靠性。不同工藝環(huán)節(jié)需要使用不同類型的膠水，以下是用膠類型和選擇要點(diǎn)。光模塊封裝中常用的膠水類型和特點(diǎn)
2025-10-30 15:41:23436 
一臺(tái)半導(dǎo)體參數(shù)分析儀抵得上多種測(cè)量?jī)x器Keysight B1500A 半導(dǎo)體參數(shù)分析儀是一款一體化器件表征分析儀，能夠測(cè)量 IV、CV、脈沖/動(dòng)態(tài) I-V 等參數(shù)。 主機(jī)和插入式模塊能夠表征大多數(shù)
2025-10-29 14:28:09
近日，工業(yè)和信息化部正式公布第七批國(guó)家級(jí)專精特新“小巨人”企業(yè)名單， 華大半導(dǎo)體旗下飛锃半導(dǎo)體（上海）有限公司憑借在寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件領(lǐng)域的突出技術(shù)創(chuàng)新能力、深厚產(chǎn)業(yè)積累與廣闊市場(chǎng)前景成功入選
2025-10-27 15:44:58460 在功率半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域，晶圓級(jí)芯片規(guī)模封裝技術(shù)正引領(lǐng)著分立功率器件向更高集成度、更低損耗及更優(yōu)熱性能方向演進(jìn)。
2025-10-21 17:24:133873 
半導(dǎo)體封裝形式介紹 摘 要 ：半導(dǎo)體器件有許多封裝型式，從 DIP 、SOP 、QFP 、PGA 、BGA 到 CSP 再到 SIP，技術(shù)指標(biāo)一代比一代先進(jìn)，這些都是前人根據(jù)當(dāng)時(shí)的組裝技術(shù)和市場(chǎng)需求
2025-10-21 16:56:30862 
傾佳代理的基本半導(dǎo)體碳化硅MOSFET分立器件產(chǎn)品力及應(yīng)用深度分析 I. 執(zhí)行摘要 (Executive Summary) 基本半導(dǎo)體（BASiC Semiconductor）提供的碳化硅（SiC
2025-10-21 10:12:15390 
? 半導(dǎo)體分立器件測(cè)試系統(tǒng)是用于評(píng)估二極管、晶體管、晶閘管等獨(dú)立功能器件性能的專業(yè)設(shè)備。 一、核心功能 ? 參數(shù)測(cè)試 ? ? 靜態(tài)參數(shù) ?：擊穿電壓（V(BR)）、漏電流（I(CES)）、導(dǎo)通電
2025-10-16 10:59:58342 
Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日宣布，為旗下不斷擴(kuò)充的應(yīng)用專用MOSFET (ASFET)產(chǎn)品組合再添新產(chǎn)品。ASFET系列的產(chǎn)品特性經(jīng)優(yōu)化調(diào)校，可滿足特定終端應(yīng)用的嚴(yán)苛需求。其中，80 V
2025-10-10 11:22:27700 堅(jiān)實(shí)的質(zhì)量基礎(chǔ)。
二、全面檢測(cè)，護(hù)航產(chǎn)品品質(zhì)
從產(chǎn)品研發(fā)、來料檢驗(yàn)；從晶圓測(cè)試、封裝測(cè)試；再到成品出廠前的最終檢驗(yàn)測(cè)試，BW-4022A半導(dǎo)體分立器件測(cè)試系統(tǒng)可貫穿應(yīng)用于半導(dǎo)體制造的全流程。不僅
2025-10-10 10:35:17
半導(dǎo)體器件清洗工藝是確保芯片制造良率和可靠性的關(guān)鍵基礎(chǔ)，其核心在于通過精確控制的物理化學(xué)過程去除各類污染物，同時(shí)避免對(duì)材料造成損傷。以下是該工藝的主要技術(shù)要點(diǎn)及實(shí)現(xiàn)路徑的詳細(xì)闡述：污染物分類與對(duì)應(yīng)
2025-10-09 13:40:46705 
電阻率的測(cè)試方法多樣，應(yīng)根據(jù)材料的維度（如塊體、薄膜、低維結(jié)構(gòu)）、形狀及電學(xué)特性選擇合適的測(cè)量方法。在低維半導(dǎo)體材料與器件的研發(fā)和生產(chǎn)中，電阻率作為反映材料導(dǎo)電性能的關(guān)鍵參數(shù)，其精確測(cè)量對(duì)器件性能
2025-09-29 13:43:16580 
前言MOSFET（金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管）是電子學(xué)中最為基礎(chǔ)和重要的器件之一，具有輸入阻抗高、噪聲低、熱穩(wěn)定性好、抗輻射能力強(qiáng)等電性能優(yōu)勢(shì)，以及兼有體積小、重量輕、功耗低、壽命長(zhǎng)等工程特性。從
2025-09-26 10:08:191648 
安世半導(dǎo)體是半導(dǎo)體行業(yè)的領(lǐng)先企業(yè)，提供離散元件、功率元件和邏輯集成電路，在質(zhì)量和可靠性方面享有盛譽(yù)。安世半導(dǎo)體矢志創(chuàng)新，不斷快速擴(kuò)展產(chǎn)品組合，尤其是功率 MOSFET、寬帶間隙半導(dǎo)體、IGBT 以及
2025-09-24 10:08:571930 選擇合適的半導(dǎo)體芯片清洗模塊需要綜合考慮工藝需求、設(shè)備性能、兼容性及成本效益等多方面因素。以下是關(guān)鍵決策點(diǎn)的詳細(xì)分析：1.明確清洗目標(biāo)與污染物類型污染物特性決定清洗策略：若主要去除顆粒物（如硅微粉
2025-09-22 11:04:05463 
BASiC基本半導(dǎo)體新一代（G3）SiC MOSFET技術(shù)深度分析與應(yīng)用設(shè)計(jì)指南 傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務(wù)于中國(guó)工業(yè)電源、電力
2025-09-19 17:34:561103 
在工業(yè)自動(dòng)化、新能源應(yīng)用和高效電源系統(tǒng)蓬勃發(fā)展的今天，對(duì)功率半導(dǎo)體器件的性能、效率和可靠性提出了前所未有的高要求。上海貝嶺作為國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的模擬及功率半導(dǎo)體供應(yīng)商，始終致力于核心工藝技術(shù)的創(chuàng)新與突破
2025-09-16 14:56:051645 
基本半導(dǎo)體推出62mm封裝的1200V工業(yè)級(jí)碳化硅MOSFET半橋模塊，產(chǎn)品采用新一代碳化硅MOSFET芯片技術(shù)，在保持傳統(tǒng)62mm封裝尺寸優(yōu)勢(shì)的基礎(chǔ)上，通過創(chuàng)新的模塊設(shè)計(jì)顯著降低了模塊雜散電感，使碳化硅MOSFET的高頻性能得到更充分發(fā)揮。
2025-09-15 16:53:03976 
當(dāng)前，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正處于深度調(diào)整與技術(shù)革新的關(guān)鍵時(shí)期，我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在政策支持與市場(chǎng)需求的雙重驅(qū)動(dòng)下，加速向自主可控方向邁進(jìn)。作為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈后道核心環(huán)節(jié)的封裝測(cè)試領(lǐng)域，其技術(shù)水平直接影響芯片
2025-09-11 11:06:01752 
9月10日，中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)全鏈條技術(shù)展示與交流核心平臺(tái)——SEMI-e深圳國(guó)際半導(dǎo)體展暨2025集成電路產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新展在深圳成功召開。作為國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)的重要組成力量，本次展覽，兆芯展示了開先、開勝
2025-09-11 10:49:281424 （電容-電壓特性測(cè)試）是通過測(cè)量半導(dǎo)體器件在不同偏置電壓下的電容變化，分析其介電特性、摻雜濃度及界面狀態(tài)的關(guān)鍵技術(shù)。主要應(yīng)用于功率器件（MOSFET/IGBT等）的寄生參數(shù)測(cè)量和材料特性研究。 二、核心測(cè)試內(nèi)容 ? 關(guān)鍵參數(shù)測(cè)量 ? ?
2025-09-01 12:26:20930 引領(lǐng)高效能新紀(jì)元：傾佳力推基本半導(dǎo)體 SiC MOSFET 模塊，賦能尖端工業(yè)應(yīng)用 在電力電子技術(shù)飛速發(fā)展的今天，對(duì)高效、高功率密度、高可靠性電源解決方案的需求日益迫切?；?b class="flag-6" style="color: red">半導(dǎo)體（BASiC
2025-08-25 18:07:22835 
在功率半導(dǎo)體邁向180-250 nm先進(jìn)節(jié)點(diǎn)、SoC與SiP并行演進(jìn)、扇入/扇出晶圓級(jí)封裝加速分化之際，芯片持續(xù)收縮已從單純的尺寸微縮演變?yōu)橐粓?chǎng)跨材料-工藝-封裝-系統(tǒng)的革命：銅-釕-鉬多元金屬化
2025-08-25 11:30:581453 電力電子器件作為現(xiàn)代能源轉(zhuǎn)換與功率控制的核心載體，正經(jīng)歷著從傳統(tǒng)硅基器件向SiC等寬禁帶半導(dǎo)體器件的迭代升級(jí)，功率二極管、IGBT、MOSFET等器件的集成化與高性能化發(fā)展，推動(dòng)著封裝技術(shù)向高密度集成、高可靠性與高效散熱方向突破。
2025-08-25 11:28:122524 
基本半導(dǎo)體推出34mm封裝的全碳化硅MOSFET半橋模塊，該系列產(chǎn)品采用第三代碳化硅MOSFET芯片技術(shù)，在比導(dǎo)通電阻、開關(guān)損耗、可靠性等方面表現(xiàn)更出色。
2025-08-01 10:25:141293 
半導(dǎo)體傳統(tǒng)封裝與先進(jìn)封裝的分類及特點(diǎn)
2025-07-30 11:50:181057 
功率變換器是電能利用的重要裝置，其性能主要取決于其核心—功率半導(dǎo)體器件，常見類型有 MOSFET、IGBT 和二極管。傳統(tǒng) Si 器件已逼近材料極限，成為進(jìn)一步提升效率和功率密度的瓶頸。
2025-07-29 11:15:202250 
科技憑借深厚的技術(shù)積累和持續(xù)的創(chuàng)新，推出了一系列高性能示波器，廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的各個(gè)環(huán)節(jié)，從芯片設(shè)計(jì)、晶圓制造，到封裝測(cè)試，有效保障了半導(dǎo)體器件的質(zhì)量與性能。 是德示波器產(chǎn)品特性剖析 卓越的帶寬與采樣率
2025-07-25 17:34:52652 
深愛半導(dǎo)體推出新品IPM模塊
IPM（Intelligent Power Module，智能功率模塊） 是集成了功率器件、驅(qū)動(dòng)電路、保護(hù)功能的“系統(tǒng)級(jí)”功率半導(dǎo)體方案。其高度集成方案可縮減 PCB
2025-07-23 14:36:03
? 半導(dǎo)體分立器件主要包括： ? 二極管 ?（如整流二極管、肖特基二極管） ? 三極管 ?（雙極型晶體管、場(chǎng)效應(yīng)管） ? 晶閘管 ?（可控硅） ? 功率器件 ?（IGBT、MOSFET）? 2. ? 核心測(cè)試參數(shù) ? ? 電氣特性 ?：正向/反向電壓、漏電流、導(dǎo)
2025-07-22 17:46:32825 
近日，總投資超200億元的長(zhǎng)飛先進(jìn)半導(dǎo)體基地項(xiàng)目正式運(yùn)營(yíng)投產(chǎn)。該項(xiàng)目是目前國(guó)內(nèi)規(guī)模最大的碳化硅半導(dǎo)體基地，年產(chǎn)36萬片6英寸碳化硅晶圓，可滿足144萬輛新能源汽車制造需求，推動(dòng)我國(guó)第三代半導(dǎo)體實(shí)現(xiàn)
2025-07-22 07:33:221042 
目錄
第1章?半導(dǎo)體中的電子和空穴第2章?電子和空穴的運(yùn)動(dòng)與復(fù)合
第3章?器件制造技術(shù)
第4章?PN結(jié)和金屬半導(dǎo)體結(jié)
第5章?MOS電容
第6章?MOSFET晶體管
第7章?IC中的MOSFET
2025-07-12 16:18:42
結(jié)構(gòu)、器件的制造和模擬、功率半導(dǎo)體器件的應(yīng)用到各類重要功率半導(dǎo)體器件的基本原理、設(shè)計(jì)原則和應(yīng)用特性，建立起一系列不同層次的、復(fù)雜程度漸增的器件模型，并闡述了各類重要功率半導(dǎo)體器件各級(jí)模型的基礎(chǔ)知識(shí)，使
2025-07-11 14:49:36
無機(jī)械傳動(dòng)部件可減少因機(jī)械磨損帶來的故障。
行業(yè)內(nèi)的半導(dǎo)體溫控產(chǎn)品擁有多樣化的產(chǎn)品線，能適配不同的溫控需求場(chǎng)景。其中，半導(dǎo)體 TEC 溫控驅(qū)動(dòng)模塊是具有代表性的產(chǎn)品類型，部分單通道、大電流、多通道大功率
2025-06-25 14:44:54
根據(jù)半導(dǎo)體分立器件的功能與結(jié)構(gòu)差異，可將其分為以下核心類別，各類型典型器件及應(yīng)用場(chǎng)景如下： ?一、基礎(chǔ)二極管類? ? ?類型? ?代表器件? ?核心功能? ?典型應(yīng)用? ?整流二極管? 1N4007
2025-06-23 12:28:34863 基本半導(dǎo)體碳化硅 MOSFET 的 Eoff 特性及其在電力電子領(lǐng)域的應(yīng)用 一、引言 在電力電子技術(shù)飛速發(fā)展的今天，碳化硅（SiC）MOSFET 憑借其卓越的性能，成為推動(dòng)高效能電力轉(zhuǎn)換的關(guān)鍵器件
2025-06-10 08:38:54829 
引線框架（Lead Frame）是一種金屬結(jié)構(gòu)，主要用于半導(dǎo)體芯片的封裝中，作用就像橋梁——它連接芯片內(nèi)部的電信號(hào)到外部電路，實(shí)現(xiàn)電氣連接，同時(shí)還承擔(dān)機(jī)械支撐和散熱任務(wù)。它廣泛應(yīng)用于中低引腳數(shù)的封裝形式中，比如DIP、QFP、SOP、DFN等，是半導(dǎo)體封裝的基礎(chǔ)材料之一。
2025-06-09 14:55:171512 采用TO-LL封裝的意法半導(dǎo)體SiC MOSFET將第3代STPOWER SiC技術(shù)的固有特性與TO-LL封裝出色的散熱和電流性能集于一身。這些設(shè)計(jì)元素共同實(shí)現(xiàn)了出色的開關(guān)性能、可靠性和熱管理功能，而附加的Kelvin源引線則可幫助設(shè)計(jì)人員進(jìn)一步降低開關(guān)損耗。
2025-06-09 09:57:38858 在工業(yè)應(yīng)用對(duì)MOSFET需求日益攀升的當(dāng)下，半導(dǎo)體封裝技術(shù)的革新成為關(guān)鍵。仁懋的TOLL和TOLT封裝系列作為TOLx封裝家族的重要成員，各自憑借獨(dú)特優(yōu)勢(shì)，在不同領(lǐng)域大放異彩。今天，我們就來深入探究
2025-06-04 17:22:421170 
氧化物半導(dǎo)體 FET)主要被用于線性或開關(guān)電源應(yīng)用。
他們?yōu)槭裁匆l(fā)明功率MOSFET？
當(dāng)把雙極型三極管按照比例提高到功率應(yīng)用的時(shí)候，它顯露出一些惱人的局限性。確實(shí)，你仍然可以在洗衣機(jī)、空調(diào)機(jī)
2025-06-03 15:39:43
半導(dǎo)體封裝提供可靠性保障。以下為具體應(yīng)用分析：1.底部填充膠：提升封裝可靠性的核心材料漢思的底部填充膠（如HS700系列）是BGA、CSP及FlipChip封裝中的關(guān)
2025-05-23 10:46:58850 
在服務(wù)器電源、工業(yè)驅(qū)動(dòng)及新能源領(lǐng)域，MOSFET的性能直接決定系統(tǒng)的能效與可靠性。為滿足高密度、高效率需求，MDD辰達(dá)半導(dǎo)體推出全新SGT系列MOSFET，其中MDDG03R04Q(30V N溝道增強(qiáng)型MOS)憑借3.5mΩ低導(dǎo)通電阻與屏蔽柵優(yōu)化技術(shù)，為同步整流、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等場(chǎng)景提供高效解決方案。
2025-05-21 14:04:381100 
型晶體管（BJT）、達(dá)林頓管等。 ?功率器件? ?MOSFET?（金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）：適用于高頻開關(guān)場(chǎng)景。 ?IGBT?（絕緣柵雙極型晶體管）：結(jié)合MOSFET和BJT特性，用于高壓大電流場(chǎng)景。 ?晶閘管（可控硅）?：包括單向/雙向可控硅（SCR/Tria
2025-05-19 15:28:061308 
從清華大學(xué)到鎵未來科技，張大江先生在半導(dǎo)體功率器件十八年的堅(jiān)守！近年來，珠海市鎵未來科技有限公司（以下簡(jiǎn)稱“鎵未來”）在第三代半導(dǎo)體行業(yè)異軍突起，憑借領(lǐng)先的氮化鎵（GaN）技術(shù)儲(chǔ)備和不斷推出的新產(chǎn)品
2025-05-19 10:16:02
納微半導(dǎo)體 (納斯達(dá)克股票代碼: NVTS) 今日推出一種全新的可靠性標(biāo)準(zhǔn)，以滿足最嚴(yán)苛汽車及工業(yè)應(yīng)用的系統(tǒng)壽命要求。納微最新一代650V與1200V“溝槽輔助平面柵”碳化硅MOSFET，搭配優(yōu)化的HV-T2Pak頂部散熱封裝，實(shí)現(xiàn)行業(yè)最高6.45mm爬電距離，可滿足1200V以下應(yīng)用的IEC合規(guī)性。
2025-05-14 15:39:301341 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日宣布推出一系列高效耐用的車規(guī)級(jí)碳化硅(SiC) MOSFET，其RDS(on)值分別為30、40和60 mΩ。這些器件
2025-05-09 19:42:5351531 近日，全球電力電子領(lǐng)域的“頂流”盛會(huì)——PCIM Europe 2025在德國(guó)紐倫堡會(huì)展中心盛大開幕。基本半導(dǎo)體攜全系列碳化硅功率器件及門極驅(qū)動(dòng)解決方案盛裝亮相，并隆重發(fā)布新一代碳化硅MOSFET
2025-05-09 09:19:101116 
半導(dǎo)體的典型封裝工藝流程包括芯片減薄、芯片切割、芯片貼裝、芯片互連、成型固化、去飛邊毛刺、切筋成型、上焊錫、打碼、外觀檢查、成品測(cè)試和包裝出庫(kù)，涵蓋了前段（FOL）、中段（EOL）、電鍍（plating）、后段（EOL）以及終測(cè)（final test）等多個(gè)關(guān)鍵環(huán)節(jié)。
2025-05-08 15:15:064322 
微量摻雜元素在半導(dǎo)體器件的發(fā)展中起著至關(guān)重要的作用，可以精準(zhǔn)調(diào)控半導(dǎo)體的電學(xué)、光學(xué)性能。對(duì)器件中微量摻雜元素的準(zhǔn)確表征和分析是深入理解半導(dǎo)體器件特性、優(yōu)化器件性能的關(guān)鍵步驟，然而由于微量摻雜元素含量極低，對(duì)它的檢測(cè)和表征也面臨很多挑戰(zhàn)。
2025-04-25 14:29:531705 
IGBT模塊是一種重要的功率半導(dǎo)體器件，具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、容量大、損耗低等優(yōu)點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用于各種高功率電子設(shè)備中。絕緣柵極雙極晶體管（IGBT）功率模塊將MOSFET的高效和快速開關(guān)能力與雙極晶體管
2025-04-16 08:06:431298 
刻蝕 第17章 離子注入 第18章 化學(xué)機(jī)械平坦化 第19章 硅片測(cè)試 第20章 裝配與封裝 本書詳細(xì)追述了半導(dǎo)體發(fā)展的歷史并吸收了當(dāng)今最新技術(shù)資料，學(xué)術(shù)界和工業(yè)界對(duì)《半導(dǎo)體制造技術(shù)》的評(píng)價(jià)都很高。
2025-04-15 13:52:11
2025年慕尼黑上海電子展即將在上海新國(guó)際博覽中心隆重舉辦。2025年4月15-17日飛虹半導(dǎo)體攜其在大功率分立器件領(lǐng)域的創(chuàng)新成果——MOS管、IGBT、肖特基、三極管等系列產(chǎn)品亮相展會(huì)。在此誠(chéng)邀各位電子領(lǐng)域的同行共賞盛宴，共同交流！
2025-04-14 15:49:06758 第104屆中國(guó)電子展即CITE2025即將在深圳會(huì)展中心（福田）隆重舉辦。2025年4月9-11日飛虹半導(dǎo)體受邀參展，攜其在大功率分立器件領(lǐng)域的創(chuàng)新成果——MOS管、IGBT、肖特基等系列產(chǎn)品亮相展會(huì)。與參展者圍繞“科技創(chuàng)新·‘圳’在變革”的主題共襄盛典，展望電子產(chǎn)業(yè)的未來。
2025-04-09 16:22:41907 
? ? ? 今日，兆易創(chuàng)新宣布與納微半導(dǎo)體正式達(dá)成戰(zhàn)略合作！雙方將強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)合，通過將兆易創(chuàng)新先進(jìn)的高算力MCU產(chǎn)品和納微半導(dǎo)體高頻、高速、高集成度的氮化鎵技術(shù)進(jìn)行優(yōu)勢(shì)整合，打造智能、高效、高功率密度
2025-04-08 18:12:443885 
飛兆半導(dǎo)體的IGBT器件FGP20N6S2 （屬于SMPS2系列）和MOSFET器件 FCP11N60（屬于SuperFET 產(chǎn)品族）。這些產(chǎn)品具有相近的芯片尺寸和相同的熱阻抗RθJC，代表了功率
2025-03-25 13:43:17
Nexperia（安世半導(dǎo)體）正式推出一系列性能高效、穩(wěn)定可靠的工業(yè)級(jí)1200 V碳化硅(SiC) MOSFET。
2025-03-21 10:11:001232 雖然明確說明了先輯半導(dǎo)體HPM6E00系列產(chǎn)品能用來做EtherCAT的從站，但它可以用來做主站嗎，還是說必須用其他芯片做主站呢
2025-03-16 10:16:43
半導(dǎo)體器件可靠性測(cè)試方法多樣，需根據(jù)應(yīng)用場(chǎng)景(如消費(fèi)級(jí)、工業(yè)級(jí)、車規(guī)級(jí))和器件類型(如IC、分立器件、MEMS)選擇合適的測(cè)試組合。測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)(如JEDEC、AEC-Q、MIL-STD)為測(cè)試提供了詳細(xì)的指導(dǎo)，確保器件在極端條件下的可靠性和壽命。
2025-03-08 14:59:291107 
自適應(yīng)防串通保護(hù)
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率能半導(dǎo)體代理，支持終端工廠，為客戶提供樣品以及相關(guān)技術(shù)咨詢
如需更多系列型號(hào)，歡迎聯(lián)系咨詢。
東莞市瀚海芯智能科技有限公司馬先生：17318031970 微信同步
2025-03-07 09:27:56
RS-232接口及Ethernet接口，可實(shí)現(xiàn)遠(yuǎn)程自動(dòng)控制。
可針對(duì)以下封裝的半導(dǎo)體器件進(jìn)行高精度自動(dòng)溫度實(shí)驗(yàn)測(cè)量
(1)石英晶體諧振器、振蕩器
(2)電阻、電容、電感
(3)二極管、三極管、場(chǎng)效應(yīng)管
2025-03-06 10:48:56
隨著市場(chǎng)對(duì)高性能功率半導(dǎo)體器件寬SOA MOSFET需求的日益增長(zhǎng)，新潔能（NCE）產(chǎn)品研發(fā)部門推出HO系列MOSFET產(chǎn)品，優(yōu)化了SOA工作區(qū)間，可滿足熱插拔、緩啟動(dòng)、電子保險(xiǎn)絲、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、BMS
2025-03-04 14:40:341237 
半導(dǎo)體激光器陣列的應(yīng)用已基本覆蓋了整個(gè)光電子領(lǐng)域，成為當(dāng)今光電子科學(xué)的重要技術(shù)。本文介紹了半導(dǎo)體激光器陣列的發(fā)展及其應(yīng)用，著重闡述了半導(dǎo)體激光器陣列的封裝技術(shù)——熱沉材料的選擇及其結(jié)構(gòu)優(yōu)化、熱沉與半導(dǎo)體激光器陣列之間的焊接技術(shù)、半導(dǎo)體激光器陣列的冷卻技術(shù)、與光纖的耦合技術(shù)等。
2025-03-03 14:56:191800 
成為行業(yè)內(nèi)的研究熱點(diǎn)。本文將重點(diǎn)探討第三代寬禁帶功率半導(dǎo)體器件的封裝技術(shù)及其應(yīng)用。二、第三代寬禁帶功率半導(dǎo)體器件概述（一）定義與分類第三代寬禁帶功率半導(dǎo)體器件是指以碳化
2025-02-15 11:15:301609 
半導(dǎo)體常用器件的介紹
2025-02-07 15:27:21
0 。特別是濕度對(duì)功率半導(dǎo)體器件芯片焊料熱阻的影響，已成為學(xué)術(shù)界和工業(yè)界關(guān)注的焦點(diǎn)。本文將深入探討濕度對(duì)功率半導(dǎo)體器件芯片焊料熱阻的影響機(jī)理，以期為功率半導(dǎo)體器件的設(shè)計(jì)、制
2025-02-07 11:32:251527 
在《意法半導(dǎo)體新能源功率解決方案：從產(chǎn)品到應(yīng)用，一文讀懂（上篇）》文章中，我們著重介紹了ST新能源功率器件中的傳統(tǒng)IGBT和高壓MOSFET器件，讓大家對(duì)其在相關(guān)領(lǐng)域的應(yīng)用有了一定了解。接下來，本文將聚焦于ST的SiC、GaN等第三代半導(dǎo)體產(chǎn)品以及其新能源功率解決方案。
2025-02-07 10:38:501640 
電阻器是電子電路中常用的元件之一，用于限制電流的流動(dòng)和/或降低電壓。電阻器的封裝類型是指電阻器的物理形狀和尺寸，這些因素影響電阻器的安裝、散熱、成本和性能。以下是一些常見的電阻器封裝類型及其選擇
2025-02-05 09:59:462511 在射頻電路這片對(duì)性能要求極高的領(lǐng)域中，元器件封裝絕非簡(jiǎn)單的物理包裹，而是關(guān)乎電路整體性能優(yōu)劣的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。恰當(dāng)?shù)?b class="flag-6" style="color: red">封裝選擇與處理，能讓射頻電路在高頻環(huán)境下穩(wěn)定、高效地運(yùn)行，反之則可能引發(fā)一系列棘手
2025-02-04 15:16:00972 半導(dǎo)體封裝是半導(dǎo)體器件制造過程中的一個(gè)重要環(huán)節(jié)，旨在保護(hù)芯片免受外界環(huán)境的影響，同時(shí)實(shí)現(xiàn)芯片與外部電路的連接。隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷發(fā)展，封裝技術(shù)也在不斷革新，以滿足電子設(shè)備小型化、高性能、低成本和環(huán)保的需求。本文將詳細(xì)介紹半導(dǎo)體封裝的類型和制造方法。
2025-02-02 14:53:002637 在半導(dǎo)體制造過程中，半導(dǎo)體設(shè)備的運(yùn)行穩(wěn)定性對(duì)產(chǎn)品質(zhì)量和生產(chǎn)效率起著決定性作用。由于半導(dǎo)體制造工藝精度極高，設(shè)備極易受到外界振動(dòng)的干擾，因此選擇合適的防震基座至關(guān)重要。不同類型的防震基座具備不同的特性和適用場(chǎng)景，準(zhǔn)確判斷設(shè)備需求，才能為其提供有效的振動(dòng)防護(hù)。
2025-01-26 15:10:36892 
▍全球最大數(shù)字智能化LED芯片廠加碼化合物半導(dǎo)體 來源：LEDinside等網(wǎng)絡(luò)資料 近日，兆馳集團(tuán)二十周年盛典暨全球戰(zhàn)略合作伙伴生態(tài)峰會(huì)在江西隆重召開，在盛典上，兆馳集團(tuán)明確了未來10到20年
2025-01-23 11:49:081624 
激光錫焊中，不同的波長(zhǎng)適合不同的焊接材料，在實(shí)際的生產(chǎn)應(yīng)用中，半導(dǎo)體激光器的波長(zhǎng)應(yīng)該如何選擇呢?松盛光電來給大家詳細(xì)的介紹分享。半導(dǎo)體激光器的波長(zhǎng)選擇至關(guān)重要，需綜合考慮焊件材料、焊料特性、焊接要求等多方面因素。來了解一下吧。
2025-01-22 11:49:361412 
BASiC國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET分立器件及碳化硅功率SiC模塊介紹
2025-01-16 14:32:042 設(shè)計(jì)基礎(chǔ)系列文章會(huì)比較系統(tǒng)地講解熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)，相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)和工程測(cè)量方法。功率半導(dǎo)體的電流密度隨著功率半導(dǎo)體芯片損耗降低，最高工作結(jié)溫提升，器件的功率密度越來越高，也就是
2025-01-13 17:36:111819 
/前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)，才能完成精確熱設(shè)計(jì)，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱
2025-01-06 17:05:481328
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