探索TI WiLink 8單頻組合模塊：WL18x1MOD與WL18x5MOD 在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，無(wú)線連接技術(shù)的重要性不言而喻。從智能家居到工業(yè)自動(dòng)化，從物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備到多媒體應(yīng)用，無(wú)線通信技術(shù)為
2026-01-05 16:50:21
26 探索TI WiLink 8單頻段組合模塊：WL18x1MOD與WL18x5MOD 在當(dāng)今的電子設(shè)備中，無(wú)線連接功能變得越來(lái)越重要。無(wú)論是智能家居、工業(yè)自動(dòng)化還是物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備，都需要可靠且高效
2026-01-05 16:50:1831 威兆半導(dǎo)體推出的VSP020P06MS是一款面向-40V中壓場(chǎng)景的P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用PDFN5x6封裝，適配中壓電源的高側(cè)開(kāi)關(guān)、負(fù)載控制等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類(lèi)型：P溝道增強(qiáng)型
2025-12-26 12:01:16108 
威兆半導(dǎo)體推出的VS3508AS是一款面向-30V低壓場(chǎng)景的P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，支持5V邏輯電平控制，采用SOP8封裝，適配低壓電源的高側(cè)開(kāi)關(guān)、負(fù)載控制等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類(lèi)型：P
2025-12-24 13:01:21127 
威兆半導(dǎo)體推出的VS4518AD是一款面向-40V中壓場(chǎng)景的P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用TO-252封裝，適配中壓電源的高側(cè)開(kāi)關(guān)、負(fù)載控制等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類(lèi)型：P溝道增強(qiáng)型功率
2025-12-23 11:39:03236 
威兆半導(dǎo)體推出的VS6808DH是一款面向20V低壓場(chǎng)景的共漏極雙通道N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，支持2.0V邏輯電平控制，采用SOT23-6L封裝，適配小型化低壓雙路電源的負(fù)載開(kāi)關(guān)、電源通路控制
2025-12-18 17:40:30143 
威兆半導(dǎo)體推出的VS2301BC是一款面向-20V低壓場(chǎng)景的P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用SOT23小封裝，適配小型化低壓電源的負(fù)載開(kāi)關(guān)、電源通路控制等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類(lèi)型：P溝道
2025-12-18 17:37:55147 
日本航空電子工業(yè)(JAE)開(kāi)發(fā)出并正式銷(xiāo)售 DZ17 系列單對(duì)以太網(wǎng)連接器，該產(chǎn)品采用插頭總長(zhǎng)25mm的緊湊型設(shè)計(jì)，無(wú)需接線工具即可進(jìn)行布線作業(yè)。
2025-12-18 09:29:231368 
威兆半導(dǎo)體推出的VS40200ATD是一款面向40V低壓超大電流場(chǎng)景的雙通道N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，支持5V邏輯電平控制，采用TO-263封裝，適配低壓超大電流電源管理、DC/DC轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域
2025-12-17 18:13:5497 威兆半導(dǎo)體推出的VS3698AD-K是一款面向30V低壓超大電流場(chǎng)景的雙通道N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，支持5V邏輯電平控制，采用TO-252封裝，適配低壓大電流電源管理、DC/DC轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域
2025-12-16 17:36:26453 威兆半導(dǎo)體推出的VS3510AD是一款面向30V低壓場(chǎng)景的P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，支持5V邏輯電平控制，采用TO-252封裝，適配低壓電源的高側(cè)開(kāi)關(guān)、負(fù)載控制等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類(lèi)型
2025-12-16 11:50:07171 
威兆半導(dǎo)體推出的VS3510AS是一款面向30V低壓場(chǎng)景的P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，支持5V邏輯電平控制，采用SOP8封裝，適配低壓電源的負(fù)載開(kāi)關(guān)、電源通路控制等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類(lèi)型
2025-12-16 11:46:18213 
IXTY2P50PA MOSFET：高性能P溝道增強(qiáng)型器件的深度解析 在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，MOSFET（金屬 - 氧化物 - 半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）作為關(guān)鍵的電子元件，在各類(lèi)電路中發(fā)揮著至關(guān)重要的作用
2025-12-16 09:45:03264 威兆半導(dǎo)體推出的VS3622DP2是一款面向30V低壓場(chǎng)景的雙通道N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，支持5V邏輯電平控制，采用PDFN5x6封裝，適配雙路低壓大電流電源管理、DC/DC轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域。一
2025-12-15 09:51:07218 
芯源MOSFET采用超級(jí)結(jié)技術(shù)，主要有以下幾種應(yīng)用：
1）電腦、服務(wù)器的電源--更低的功率損耗；
2）適配器（筆記本電腦、打印機(jī)等）--更輕、更便捷。
3）照明（HID燈、工業(yè)照明、道路照明等）--更高的功率轉(zhuǎn)換效率；
4）消費(fèi)類(lèi)電子產(chǎn)品（液晶電視、等離子電視等）--更輕、更薄、更高能效。
2025-12-12 06:29:10
威兆半導(dǎo)體推出的VS3640DS是一款面向30V低壓場(chǎng)景的雙通道N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，支持5V邏輯電平控制，采用SOP8封裝，適配雙路低壓電源管理、小型負(fù)載開(kāi)關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件
2025-12-11 10:48:33275 威兆半導(dǎo)體推出的VS3640DE是一款面向30V低壓場(chǎng)景的雙通道N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，支持5V邏輯電平控制，采用PDFN3333封裝，適配雙路低壓電源管理、負(fù)載開(kāi)關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息
2025-12-10 14:50:13238 威兆半導(dǎo)體推出的VS3540AC是一款面向-30V低壓小電流場(chǎng)景的P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用SOT23小型封裝，適配低壓負(fù)電源切換、小型負(fù)載開(kāi)關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類(lèi)型：P溝道增強(qiáng)型
2025-12-10 09:44:34249 威兆半導(dǎo)體推出的VS3510AE是一款面向-30V低壓場(chǎng)景的P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，適配低壓負(fù)電源切換、電源路徑管理等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類(lèi)型：P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源
2025-12-08 11:16:24222 威兆半導(dǎo)體推出的VS6614DS是一款面向65V中低壓場(chǎng)景的雙通道N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用SOP8封裝，適配中低壓雙路電源管理、DC/DC轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類(lèi)型：雙通道N
2025-12-08 10:43:06235 
威兆半導(dǎo)體推出的VS3508AP是一款面向-30V低壓場(chǎng)景的P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，支持5V邏輯電平控制，適配低壓負(fù)電源切換、電源路徑管理等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類(lèi)型：P溝道增強(qiáng)型功率
2025-12-05 09:51:31284 威兆半導(dǎo)體推出的VS3508AP-K是一款面向-30V低壓場(chǎng)景的P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，支持5V邏輯電平控制，適配低壓負(fù)電源切換、負(fù)載開(kāi)關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類(lèi)型：P溝道增強(qiáng)型功率
2025-12-05 09:38:27258 威兆半導(dǎo)體推出的VS5814DS是一款面向55V中壓場(chǎng)景的雙通道N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，支持5V邏輯電平控制，基于VeriMOS?技術(shù)實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻與高效能，適配中壓雙路電源管理、DC/DC
2025-12-02 09:25:31228 作為一名電子工程師，在設(shè)計(jì)電路時(shí)，選擇合適的 MOSFET 至關(guān)重要。今天我們就來(lái)詳細(xì)探討 ON Semiconductor 推出的 NVMFS024N06C 單通道 N 溝道 MOSFET，看看它有哪些特性和優(yōu)勢(shì)。
2025-12-01 14:02:46261 
作為電子工程師，我們?cè)谠O(shè)計(jì)電路時(shí)，常常需要精心挑選合適的電子元件，以確保系統(tǒng)的高效穩(wěn)定運(yùn)行。今天，我要和大家分享一款來(lái)自安森美半導(dǎo)體（onsemi）的高性能P溝道MOSFET——NTMFS005P03P8Z，深入探討它的特性、參數(shù)以及應(yīng)用場(chǎng)景。
2025-11-28 15:13:25309 威兆半導(dǎo)體推出的VS3510AP是一款面向-30V低壓場(chǎng)景的P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，支持5V邏輯電平控制，憑借低導(dǎo)通電阻與高電流承載能力，適用于低壓電源管理、負(fù)載開(kāi)關(guān)、DC/DC轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域
2025-11-28 11:22:59207 威兆半導(dǎo)體推出的VSP007P06MS是一款面向-60V低壓場(chǎng)景的P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，支持5V邏輯電平控制，憑借超低導(dǎo)通電阻與高電流承載能力，適用于負(fù)載開(kāi)關(guān)、DC/DC轉(zhuǎn)換器、電源管理系統(tǒng)
2025-11-26 15:18:29293 
onsemi NTMFS003P03P8Z P溝道MOSFET是一種單通道、-30V MOSFET，尺寸為5mmx6mm，可節(jié)省空間并具有出色的熱傳導(dǎo)性能。這款P溝道MOSFET具有1.8mΩ的超低
2025-11-24 15:54:38333 
安森美NTTFD1D8N02P1E N溝道MOSFET是一款雙通道25V電源夾非對(duì)稱器件。該N溝道MOSFET具有4.2mΩ HS、1.4mΩ LS和25V~DSS~~ 漏~極-源極電壓
2025-11-24 13:40:06394 
安森美 (onsemi) NxJS3151P單P溝道功率MOSFET是高性能MOSFET，設(shè)計(jì)用于高效開(kāi)關(guān)應(yīng)用。這些安森美 (onsemi) MOSFET采用緊湊的SC-88 (SOT-363
2025-11-22 10:27:55880 
安森美 (onsemi) NTK3139P P溝道單通道功率MOSFET采用緊湊型SOT-723封裝，內(nèi)置ESD保護(hù)功能。SOT-723封裝占位面積比SC-89小44%，厚度比SC-89薄38%。漏
2025-11-21 15:14:29312 
仁懋電子（MOT）推出的MOT3712G是一款P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借-30V耐壓、低導(dǎo)通電阻及高電流承載能力，適用于PWM應(yīng)用、負(fù)載開(kāi)關(guān)、電源管理等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類(lèi)型：P溝道
2025-11-21 10:31:06233 仁懋電子（MOT）推出的MOT4633G是一款N+P互補(bǔ)增強(qiáng)型MOSFET，集成N溝道與P溝道單元，憑借先進(jìn)溝槽設(shè)計(jì)、低導(dǎo)通電阻及低熱阻特性，適用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)、DC-DC轉(zhuǎn)換器等場(chǎng)景。一、產(chǎn)品基本信息
2025-11-17 14:43:19217 仁懋電子（MOT）推出的MOT3650J是一款N+P增強(qiáng)型MOSFET，集成N溝道與P溝道單元，憑借超低導(dǎo)通電阻、低柵極電荷特性，適用于計(jì)算設(shè)備電源管理、負(fù)載開(kāi)關(guān)、快速無(wú)線充電、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等場(chǎng)景。一
2025-11-14 16:12:52519 仁懋電子（MOT）推出的MOT2718J是一款P-溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借-20V耐壓、低導(dǎo)通電阻及高效功率處理能力，適用于PWM應(yīng)用、負(fù)載開(kāi)關(guān)、電源管理等場(chǎng)景。一、產(chǎn)品基本信息器件類(lèi)型
2025-11-14 16:04:15309 仁懋電子（MOT）推出的MOT1793G是一款面向-100V低壓大電流場(chǎng)景的P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借超低導(dǎo)通電阻、18A大電流承載能力及PDFN小型化封裝，廣泛適用于DC/DC轉(zhuǎn)換器等高
2025-11-05 12:01:34245 仁懋電子（MOT）推出的MOT4025G是一款互補(bǔ)增強(qiáng)型MOSFET，集成N溝道與P溝道管，憑借40V耐壓、超低導(dǎo)通電阻及優(yōu)異開(kāi)關(guān)特性，適用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)、DC-DC轉(zhuǎn)換器等大功率場(chǎng)景。以下從器件特性
2025-11-04 16:33:13496 在電子工程領(lǐng)域，VBUS開(kāi)關(guān)的性能對(duì)于電子設(shè)備的穩(wěn)定運(yùn)行至關(guān)重要。很多中層管理者在實(shí)際工作中，常常會(huì)遇到VBUS開(kāi)關(guān)方面的各種問(wèn)題，今天就來(lái)和大家深入探討這些問(wèn)題，并介紹一款能有效解決問(wèn)題的產(chǎn)品——HKTQ30P03P溝道MOSFET。
2025-09-08 15:48:41802 1997年，富士通公司研發(fā)出一種名為芯片上引線（Lead On Chip，LOC）的封裝形式，稱作LOC型CSP。為契合CSP的設(shè)計(jì)需求，LOC封裝相較于傳統(tǒng)引線框架CSP做出了一系列革新設(shè)計(jì)：將
2025-07-17 11:41:263719 
~兼具更寬SOA范圍和更低導(dǎo)通電阻，被全球知名云平臺(tái)企業(yè)認(rèn)證為推薦器件~ 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)于6月3日宣布，開(kāi)發(fā)出100V耐壓的功率MOSFET*1
2025-06-05 13:15:05711 
CYD3175PD做一個(gè)A口，CSP做A的地 還是GND 做地。CSP和GND之間需要串電阻嗎？
2025-06-03 12:10:28
Analog Devices LTM?4682薄型 μModule? 穩(wěn)壓器是31.25A四通道或125A單通道降壓型功率微型模塊直流/直流穩(wěn)壓器。這些器件具有通過(guò)PMBus實(shí)現(xiàn)的遠(yuǎn)程可配置性和電源
2025-06-03 10:44:24707 
在閱讀 CYPD3175 的文檔時(shí)，關(guān)于連接到 CSP 引腳的 5mΩ 或 10mΩ RS 電阻值，是否有更詳細(xì)的文檔可以幫助我了解如何選擇 RS 電阻值？ 謝謝。
2025-05-22 07:40:31
AO4803AAO4803A雙P通道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管MOS電源控制電路采用先進(jìn)的溝道技術(shù)，以低門(mén)電荷提供優(yōu)秀的RDS（開(kāi)）。此設(shè)備適用于負(fù)載開(kāi)關(guān)或PWM應(yīng)用。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品AO4803A不含鉛（符合RoHS和索尼259規(guī)范）
2025-05-19 17:59:38
28 從早期的平面 CMOS 工藝到先進(jìn)的 FinFET，p 型襯底在集成電路設(shè)計(jì)中持續(xù)被廣泛采用。為什么集成電路的制造更偏向于P型硅？
2025-05-16 14:58:301010 
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2025-05-15 18:32:46
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《2319AI P溝道增強(qiáng)型MOSFET規(guī)格書(shū).pdf》資料免費(fèi)下載
2025-05-14 17:39:440 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《ZSKY 4.2A SOT23 3401 P溝道增強(qiáng)型MOSFET規(guī)格書(shū).pdf》資料免費(fèi)下載
2025-05-14 17:29:490 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《ZSKY-3401-3A SOT-23 P溝道增強(qiáng)型MOSFET規(guī)格書(shū).pdf》資料免費(fèi)下載
2025-05-13 18:11:240 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《ZSKY-3401-4.2A SOT-23-3L P溝道增強(qiáng)型MOSFET規(guī)格書(shū).pdf》資料免費(fèi)下載
2025-05-13 17:13:010 MOSFET又叫場(chǎng)效應(yīng)晶體管，那么如何去學(xué)好MOS管呢？大家都對(duì)三極管有了解了，已經(jīng)弄明白了。實(shí)際上，要想學(xué)好MOS管，首先我們要對(duì)標(biāo)三極管來(lái)學(xué)。我們說(shuō)，三極管有N管和P管，同樣的，MOS管也有N型
2025-04-16 13:24:5316 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LT8620SL雙通道N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET規(guī)格書(shū).pdf》資料免費(fèi)下載
2025-03-26 16:15:070 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LT8623SL雙通道N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET規(guī)格書(shū).pdf》資料免費(fèi)下載
2025-03-26 16:13:440 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LT8623ESL雙通道N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET規(guī)格書(shū).pdf》資料免費(fèi)下載
2025-03-26 16:12:330 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LT9435ASQ P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET規(guī)格書(shū).pdf》資料免費(fèi)下載
2025-03-26 15:53:160 的快捷鍵功能都設(shè)置相同了，這樣換EDA軟件使用沒(méi)有太大壓力。但還有不少人不知道，下面就談下AD快捷鍵的設(shè)置方法。AD軟件本身有默認(rèn)的快捷鍵，比如走線，同時(shí)Alt+P+T(大小寫(xiě)均可），就可以激活走線命令
2025-03-26 10:03:44
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2025-03-25 17:57:030 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LT8612ESL雙通道N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET規(guī)格書(shū).pdf》資料免費(fèi)下載
2025-03-25 17:54:170 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LT8816SL共漏雙通道N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET規(guī)格書(shū).pdf》資料免費(fèi)下載
2025-03-25 17:37:120 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LT8816SLB共漏雙通道N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET規(guī)格書(shū).pdf》資料免費(fèi)下載
2025-03-25 17:33:320 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LT8814SL共漏雙通道N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET規(guī)格書(shū).pdf》資料免費(fèi)下載
2025-03-25 17:30:040 納芯微正式發(fā)布全新一代CSP封裝12V共漏極雙N溝道MOSFET——NPM12017A系列，該系列產(chǎn)品是對(duì)納芯微已量產(chǎn)的CSP MOS的完美升級(jí)與補(bǔ)充。新一代CSP MOS進(jìn)一步優(yōu)化了性能表現(xiàn)，顯著
2025-03-12 10:33:112854 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LT40P150FJC P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET規(guī)格書(shū).pdf》資料免費(fèi)下載
2025-03-07 11:28:170 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LT2209FM P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET規(guī)格書(shū).pdf》資料免費(fèi)下載
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2025-03-07 11:21:160 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LT2209FM-X P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET規(guī)格書(shū).pdf》資料免費(fèi)下載
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2025-01-06 14:37:010
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