很多人可能覺(jué)得PCB信號(hào)速率越高，如25Gbps，56G/112G-PAM4信號(hào)等調(diào)試上發(fā)現(xiàn)的問(wèn)題會(huì)越多，其實(shí)不然。我們收到最多的調(diào)試問(wèn)題還是DDR3、DDR4等，不是跑不到額度速率，就是識(shí)別不到
2026-01-05 15:46:16
難以實(shí)現(xiàn)類(lèi)似MCU的快速啟動(dòng)性能。瑞薩新推出的RZ/A3MHMIMPU幫助客戶(hù)解決這些問(wèn)題。功能1：內(nèi)置128MBDDR3L，簡(jiǎn)化DDR高速總線(xiàn)設(shè)計(jì)，可以實(shí)現(xiàn)2層PC
2025-12-24 12:06:10
299 
CW32的SPI最高速率能達(dá)到多少？
2025-12-15 07:27:37
Amphenol ICC DDR5 SO - DIMM連接器：高速高密度的理想之選 在當(dāng)今高速發(fā)展的電子科技領(lǐng)域，內(nèi)存連接器的性能對(duì)于系統(tǒng)的整體表現(xiàn)起著至關(guān)重要的作用。Amphenol ICC推出
2025-12-12 11:15:12314 電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道，近日，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)首次全面展示DDR5和LPDDR5X兩大產(chǎn)品線(xiàn)最新產(chǎn)品。 ? 長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)最新的DDR5產(chǎn)品是中國(guó)首個(gè)自主研發(fā)的DDR5。該產(chǎn)品系列最高速率達(dá)8000Mbps，最高
2025-11-25 08:27:008131 
本章的實(shí)驗(yàn)任務(wù)是在 PL 端自定義一個(gè) AXI4 接口的 IP 核，通過(guò) AXI_HP 接口對(duì) PS 端 DDR3 進(jìn)行讀寫(xiě)測(cè)試，讀寫(xiě)的內(nèi)存大小是 4K 字節(jié)。
2025-11-24 09:19:423467 
11月23日，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)在IC?China?2025（中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體博覽會(huì)）上正式發(fā)布其最新DDR5產(chǎn)品系列：最高速率達(dá)8000Mbps，最高顆粒容量24Gb，均達(dá)到國(guó)際領(lǐng)先水平，并同步推出覆蓋服務(wù)器
2025-11-23 16:09:411452 
信號(hào)完整性(Signal Integrity, SI)問(wèn)題：隨著DDR內(nèi)存頻率的提高，信號(hào)完整性問(wèn)題變得更加突出。高速信號(hào)在傳輸過(guò)程中會(huì)受到各種因素的影響，如反射、串?dāng)_、噪聲干擾等，這些問(wèn)題會(huì)導(dǎo)致
2025-11-17 10:25:333397 
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 11月10日，瀾起科技正式推出新一代DDR5時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器(CKD)芯片，該芯片最高支持9200 MT/s的數(shù)據(jù)傳輸速率，可有效優(yōu)化客戶(hù)端內(nèi)存子系統(tǒng)性能，為下一代高性能PC
2025-11-12 08:50:007603 
，一般來(lái)說(shuō)，要去犧牲不那么高速的DDR模塊走線(xiàn)了。
沒(méi)辦法，誰(shuí)叫你速率沒(méi)有高速信號(hào)那么高，關(guān)鍵是你還要用那么多層去布線(xiàn)，所以只能犧牲DDR信號(hào)了。那這樣就尷尬了，很多PCB工程師覺(jué)得違背了他們一貫
2025-11-11 17:46:12
瀾起科技今日正式推出新一代DDR5時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器(CKD)芯片，該芯片最高支持9200 MT/s的數(shù)據(jù)傳輸速率，可有效優(yōu)化客戶(hù)端內(nèi)存子系統(tǒng)性能，為下一代高性能PC、筆記本電腦及工作站提供關(guān)鍵技術(shù)支撐
2025-11-10 10:01:3567936 近日，深圳證券交易所公布了2024-2025年度信息披露考核結(jié)果，德賽西威再次獲得最高等級(jí)A級(jí)，實(shí)現(xiàn)自2017年上市以來(lái)連續(xù)7個(gè)完整考核年度（2018-2024年） 保持該項(xiàng)考評(píng)最高評(píng)級(jí)。
2025-11-06 09:41:37425 下面是HummingBird EV Kit給的版圖，其中DDR3_D0對(duì)應(yīng)的應(yīng)該是板子上的FPGA的C2引腳：?
不過(guò)我在配置MIG的時(shí)候，通過(guò)讀入ucf文件的方式配置DDR3 SDRAM的引腳
2025-11-06 07:57:09
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《DDR3 SDRAM參考設(shè)計(jì)手冊(cè).pdf》資料免費(fèi)下載
2025-11-05 17:04:01
4 本隊(duì)伍編號(hào)CICC3042，本文介紹如何為蜂鳥(niǎo)添加DDR內(nèi)存擴(kuò)展。一些需要大存儲(chǔ)空間的設(shè)計(jì)中經(jīng)常需要使用DDR，這時(shí)我們希望蜂鳥(niǎo)可以訪(fǎng)問(wèn)DDR，以實(shí)現(xiàn)更好的軟硬件協(xié)同。
簡(jiǎn)單閱讀蜂鳥(niǎo)的代碼發(fā)現(xiàn)
2025-10-31 06:07:38
由于FPGA內(nèi)部存儲(chǔ)資源有限，很多時(shí)候不能滿(mǎn)足需求，因此可以利用DDR對(duì)系統(tǒng)進(jìn)行存儲(chǔ)擴(kuò)展。由于DDR3內(nèi)部控制十分復(fù)雜，因此可以基于AXI總線(xiàn)，利用Vivado提供的MIG IP對(duì)DDR3進(jìn)行控制
2025-10-29 07:16:34
文件夾內(nèi)，打開(kāi)文件夾。閱讀readme說(shuō)明文檔，我們能夠知道，原作者采用了vivado MIG IP來(lái)控制開(kāi)發(fā)板上的DDR3，由于芯來(lái)科技的E203平臺(tái)系統(tǒng)片內(nèi)總線(xiàn)是icb總線(xiàn)，所以我們需要做跨時(shí)鐘域
2025-10-28 07:25:32
DDR使用
在我們的項(xiàng)目中，我們使用的是芯來(lái)科技的DDR200T開(kāi)發(fā)板，我們通過(guò)調(diào)用板上的DDR3 IP核完成如下表的配置，配置完成后例化該DDR3，然后利用DMA和VDMA作為數(shù)據(jù)的緩沖模塊，將
2025-10-28 07:24:01
DDR 的比較以及 DDR5 與 LPDDR5 的差異以及 DDR5 的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。 什么是 DDR5？ 先來(lái)看一下什么是 DDR 。 DDR（Double Data Rate）屬于SDRAM
2025-10-27 19:28:167359 
前言：2025年，存儲(chǔ)市場(chǎng)持續(xù)“高燒”——-國(guó)際大廠(chǎng)停產(chǎn)DDR3/4，減產(chǎn)LPDDR4/4X，漲價(jià)50%只是起步-國(guó)產(chǎn)料號(hào)月更、周更，同一料號(hào)不同Die，顆粒參數(shù)“開(kāi)盲盒”-更大的坑是：對(duì)于嵌入式
2025-10-24 11:59:51918 
：使用DDR200T上板載的DDR3對(duì)內(nèi)存進(jìn)行擴(kuò)展
擴(kuò)展方案結(jié)構(gòu)圖：
該方案中DDR3使用vivado提供的axi接口mig的IP核來(lái)進(jìn)行控制，蜂鳥(niǎo)e203源代碼中提供了icb2axi模塊，可以使發(fā)出
2025-10-24 08:12:53
的S00_AXI_ACLK、M00_AXI_ACLK，分別接系統(tǒng)頂層時(shí)鐘hfextclk、mig產(chǎn)生的用戶(hù)時(shí)鐘ui_clk，以此來(lái)實(shí)現(xiàn)跨時(shí)鐘域。
（2）例化DDR3模型（仿真的時(shí)候需要用，vivado
2025-10-24 07:25:00
ip模塊進(jìn)行連接，從而達(dá)到一個(gè)控制ddr存儲(chǔ)的效果。如有錯(cuò)誤，歡迎評(píng)論指出。
2.將e203中自帶的axi-master線(xiàn)引出
蜂鳥(niǎo)e203內(nèi)部使用的是icb總線(xiàn)，這種總線(xiàn)協(xié)議與AXI類(lèi)似，都
2025-10-23 06:22:22
] correct : %drn”,i,rd_data);
ddr_offset += 0x00000004;
}
（2）測(cè)試效果，讀數(shù)正確
vivado綜合：
注意：(1)綜合不需要例化ddr3模型，將
2025-10-23 06:16:44
DDR控制協(xié)議
DDR3讀寫(xiě)控制器主要用于生成片外存儲(chǔ)器DDR3 SDRAM進(jìn)行讀寫(xiě)操作所需要的時(shí)序，繼而實(shí)現(xiàn)對(duì)片外存儲(chǔ)器的讀寫(xiě)訪(fǎng)問(wèn)。由攝像頭采集得到的圖像數(shù)據(jù)通常數(shù)據(jù)量較大，使用片內(nèi)存儲(chǔ)資源
2025-10-21 14:30:16
由于e203內(nèi)部DTCM空間較小，所以本隊(duì)針對(duì)DDR200T開(kāi)發(fā)板進(jìn)行針對(duì)e203的DDR3存儲(chǔ)器擴(kuò)展。
論壇中所給出的e203擴(kuò)展DDR的方法大致分為兩種，一種是直接將DDR存儲(chǔ)器的接口使用ICB
2025-10-21 12:43:40
蜂鳥(niǎo)DDR200T中DDR3的ip配置案列，提供DDR3引腳配置。具體參數(shù)可更具項(xiàng)目實(shí)際更改。
這里選用的axi接口
在賽靈思的IP配置中沒(méi)有MT41K28M6JT-125K內(nèi)存的信息，因此選用
2025-10-21 11:19:08
DDR3讀寫(xiě)控制器主要用于生成片外存儲(chǔ)器DDR3 SDRAM進(jìn)行讀寫(xiě)操作所需要的時(shí)序，繼而實(shí)現(xiàn)對(duì)片外存儲(chǔ)器的讀寫(xiě)訪(fǎng)問(wèn)。由攝像頭采集得到的圖像數(shù)據(jù)通常數(shù)據(jù)量較大，使用片內(nèi)存儲(chǔ)資源難以實(shí)現(xiàn)大量圖像數(shù)據(jù)
2025-10-21 10:40:28
DDR3讀寫(xiě)控制器主要用于生成片外存儲(chǔ)器DDR3 SDRAM進(jìn)行讀寫(xiě)操作所需要的時(shí)序，繼而實(shí)現(xiàn)對(duì)片外存儲(chǔ)器的讀寫(xiě)訪(fǎng)問(wèn)。由攝像頭采集得到的圖像數(shù)據(jù)通常數(shù)據(jù)量較大，使用片內(nèi)存儲(chǔ)資源難以實(shí)現(xiàn)大量圖像數(shù)據(jù)
2025-10-21 08:43:39
NT5CB256M8GN-cg，回收H5TQ4G83AFRPBC，回收NT5CB256M16BP-di，回收K4B2G1646E-BCH9，
回收MT48LC16M16A2P75D，回收HY5PS1G831C。電子回收，回收電子元件?；厥?b class="flag-6" style="color: red">DDR，回收DDR2，回收DDR3（新舊/拆機(jī)/帶板均可）
2025-10-09 14:15:34
全球汽車(chē)產(chǎn)業(yè)盛會(huì)德國(guó)慕尼黑車(chē)展傳來(lái)重磅消息。9月10日，德賽西威與全球人工智能、數(shù)字基礎(chǔ)設(shè)施領(lǐng)導(dǎo)者NTT DATA舉行簽約儀式，雙方將聯(lián)合開(kāi)發(fā)新一代SDV（軟件定義汽車(chē)）平臺(tái)。隨著移動(dòng)出行生態(tài)圈
2025-09-15 14:36:33882 TPS7H3301-SP 支持使用 DDR、DDR2、DDR3、DDR4 的 DDR VTT 端接應(yīng)用。TPS7H3301-SP VTT 穩(wěn)壓器的快速瞬態(tài)響應(yīng)允許在讀/寫(xiě)條件下提供非常穩(wěn)定的電源。在
2025-09-09 14:45:15719 
20 μF。該器件支持遙感功能以及 DDR、DDR2、DDR3 以及低功耗 DDR3 和 DDR4 VTT 總線(xiàn)端接的所有電源要求。
2025-09-09 14:28:07713 
TPS65295器件以最低的總成本和最小的空間為 DDR4 內(nèi)存系統(tǒng)提供完整的電源解決方案。它符合 DDR4 上電和斷電序列要求的 JEDEC 標(biāo)準(zhǔn)。該TPS65295集成了兩個(gè)同步降壓轉(zhuǎn)換器
2025-09-09 14:16:041731 
該TPS7H3302支持使用 DDR、DDR2、DDR3、DDR3L 和 DDR4 的 DDR VTT 端接應(yīng)用。TPS7H3302 VTT 穩(wěn)壓器的快速瞬態(tài)響應(yīng)允許在讀/寫(xiě)條件下提供非常穩(wěn)定的電源
2025-09-09 13:48:37754 
3A，支持測(cè)試DDR、DDR2、 DDR3、DDR3L和DDR4。該評(píng)估模塊配有方便的測(cè)試點(diǎn)和跳線(xiàn)，用于評(píng)估TPS7H3302-SEP DDR端子。TPS7H3302EVM評(píng)估模塊非常適合用于抗輻射DDR電源應(yīng)用以及用于DDR、DDR2、DDR3和DDR4的存儲(chǔ)器終端穩(wěn)壓器。
2025-08-27 16:14:21831 
憑借與紫光國(guó)芯的緊密合作，貞光科技能夠?yàn)榭蛻?hù)提供DDR3、LPDDR4及LPDDR4X全系列車(chē)規(guī)級(jí)存儲(chǔ)產(chǎn)品。在產(chǎn)品覆蓋、技術(shù)支持和供應(yīng)保障等方面的綜合優(yōu)勢(shì)，使貞光科技成為車(chē)載電子領(lǐng)域可靠且高效
2025-08-26 16:12:151423 
DDR3 作為第三代雙倍數(shù)據(jù)速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器，在內(nèi)存發(fā)展歷程中具有重要地位。它采用了8n預(yù)取架構(gòu)，即每個(gè)時(shí)鐘周期能夠傳輸8倍于數(shù)據(jù)位寬的數(shù)據(jù)量，這使得數(shù)據(jù)傳輸效率大幅提升 。
2025-08-04 13:42:342910 
計(jì)劃提升至17600MT/s，達(dá)到現(xiàn)行DDR5最高速度（約8000MT/s）的兩倍以上。 ? 2024 年，JEDEC 開(kāi)始著手研究下一代內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn) DDR6，目標(biāo)是為存儲(chǔ)器領(lǐng)域帶來(lái)更快的讀寫(xiě)速度和更高
2025-07-31 08:32:003664 本文緊接著前一個(gè)文檔《AD設(shè)計(jì)DDR3時(shí)等長(zhǎng)設(shè)計(jì)技巧-數(shù)據(jù)線(xiàn)等長(zhǎng) 》。本文著重講解DDR地址線(xiàn)、控制信號(hào)線(xiàn)等長(zhǎng)設(shè)計(jì)，因?yàn)榈刂肪€(xiàn)、控制信號(hào)線(xiàn)有分支，SOC有可能帶有2片DDR或者更多，我們叫做T型分支
2025-07-29 16:14:512 的講解數(shù)據(jù)線(xiàn)等長(zhǎng)設(shè)計(jì)。? ? ? 在另一個(gè)文件《AD設(shè)計(jì)DDR3時(shí)等長(zhǎng)設(shè)計(jì)技巧-地址線(xiàn)T型等長(zhǎng)》中著重講解使用AD設(shè)計(jì)DDR地址線(xiàn)走線(xiàn)T型走線(xiàn)等長(zhǎng)處理的方法和技巧。
2025-07-28 16:33:124 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《臺(tái)式主板DDR5內(nèi)存插槽引腳功能表資料.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-07-14 14:49:506 的總線(xiàn)寬度共為 16bit。DDR3 SDRAM 的最高數(shù)據(jù)速率 1066Mbps。
2.1. DDR3 控制器簡(jiǎn)介
PG2L50H 為用戶(hù)提供一套完整的 DDR memory 控制器解決方案，配置
2025-07-10 10:46:48
的RGB格式的圖像數(shù)據(jù)流。
階段三：DDR3幀緩存 (Frame Buffering)
視頻數(shù)據(jù)流的速度和顯示刷新的速度往往不匹配，或者后續(xù)處理需要訪(fǎng)問(wèn)整幀圖像，因此需要一個(gè)大容量的DDR3內(nèi)存作為幀
2025-07-06 15:18:53
DDR內(nèi)存占據(jù)主導(dǎo)地位。全球DDR內(nèi)存市場(chǎng)正經(jīng)歷一場(chǎng)前所未有的價(jià)格風(fēng)暴。由于原廠(chǎng)加速退出DDR3/DDR4市場(chǎng)，轉(zhuǎn)向DDR5和HBM（高帶寬內(nèi)存）生產(chǎn)，DDR3和DDR4市場(chǎng)呈現(xiàn)供不應(yīng)求、供需失衡、漲勢(shì)延續(xù)的局面。未來(lái)，DDR5滲透率將呈現(xiàn)快速提升，市場(chǎng)份額增長(zhǎng)的趨勢(shì)。
2025-06-25 11:21:152009 
隨著計(jì)算密集型任務(wù)的日益增長(zhǎng)，DDR4內(nèi)存的性能瓶頸已逐步顯現(xiàn)。DDR5的出現(xiàn)雖解燃眉之急，但真正推動(dòng)內(nèi)存發(fā)揮極致性能的背后“功臣”——正是 DDR5 SPD（Serial Presence Detect）芯片。
2025-06-11 10:07:301913 
隨著汽車(chē)產(chǎn)業(yè)向智能化、網(wǎng)聯(lián)化加速轉(zhuǎn)型，高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng)（ADAS）和智能駕駛技術(shù)已成為現(xiàn)代汽車(chē)不可或缺的核心組件。紫光國(guó)芯作為國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的存儲(chǔ)器芯片制造商，其車(chē)規(guī)級(jí)DDR3存儲(chǔ)產(chǎn)品在智能駕駛和ADAS
2025-06-05 16:50:171220 
PC處理器對(duì)DDR5的支持，DDR5內(nèi)存將更快滲透普及。相較于DDR4，所有電壓由主板供給，DDR5中內(nèi)存模組搭載PMIC，PMIC是實(shí)現(xiàn)高效供電的關(guān)鍵，能夠?yàn)橄冗M(jìn)的計(jì)算應(yīng)用提供突破性的性能表現(xiàn)。Rambus最近推出面向下一代AI PC內(nèi)存模塊的完整客戶(hù)端芯片組，包含兩款用于客戶(hù)端計(jì)算的全新電源
2025-05-29 09:11:208127 
對(duì)于高質(zhì)量圖形顯示的應(yīng)用要求，用戶(hù)通常采用功能強(qiáng)大及搭載DDR高速接口的MPU來(lái)實(shí)現(xiàn)更多功能和更流暢的畫(huà)面。但在開(kāi)發(fā)過(guò)程會(huì)遇到DDR高速總線(xiàn)設(shè)計(jì)的難題，同時(shí)Linux系統(tǒng)難以實(shí)現(xiàn)類(lèi)似MCU的快速啟動(dòng)性能。瑞薩新推出的RZ/A3M HMI MPU幫助客戶(hù)解決這些問(wèn)題。
2025-05-27 16:14:30894 
、威剛TF卡，索尼TF卡、創(chuàng)見(jiàn)TF卡.......長(zhǎng)期大量回收內(nèi)存SD卡，回收全新內(nèi)存卡，收購(gòu)原裝內(nèi)存卡，回收DDR，收購(gòu)DDR。
本公司長(zhǎng)期回收高存儲(chǔ)容量，最常用的容量：8GB、16GB、32GB
2025-05-21 17:48:25
圖 1: 搭載 Rambus PMIC 和 SPD Hub 芯片的 LPCAMM2 內(nèi)存模塊 ? 圖 2：搭載 Rambus PMIC、CKD 和 SPD Hub 芯片的 DDR5 CSODIMM
2025-05-15 11:19:421570 
DDR（Double Data Rate，雙倍數(shù)據(jù)速率）是一種廣泛應(yīng)用于計(jì)算機(jī)和電子設(shè)備的高性能內(nèi)存技術(shù)，DDR的主要應(yīng)用于計(jì)算機(jī)系統(tǒng)，移動(dòng)設(shè)備，嵌入式系臨時(shí)存儲(chǔ)和高速傳輸數(shù)據(jù)。因此，DDR是現(xiàn)代
2025-05-14 21:48:49622 
楷登電子（美國(guó) Cadence 公司，NASDAQ：CDNS）近日宣布率先推出基于臺(tái)積公司 N3 工藝的 DDR5 12.8Gbps MRDIMM Gen2 內(nèi)存 IP 解決方案。該新解決方案可滿(mǎn)足
2025-05-09 16:37:44905 下面是調(diào)用的DDR3模塊的，模塊的倒數(shù)第二行是，模塊的時(shí)鐘輸入，時(shí)鐘源來(lái)自PLL產(chǎn)生的系統(tǒng)時(shí)鐘的倍頻。
2025-05-03 10:21:001339 
LP2996-N 和 LP2996A 線(xiàn)性穩(wěn)壓器旨在滿(mǎn)足 JEDEC SSTL-2 標(biāo)準(zhǔn) DDR-SDRAM 終止規(guī)范。該器件還支持 DDR2，而 LP2996A 支持 DDR3 和 DDR3
2025-04-29 18:11:05834 
終端供電。這 該器件還支持 DDR3 VTT 端接，VDDQ 電壓為 1.5 V（典型值）。此外，TPS51100 包括集成的睡眠狀態(tài)控制、在 S3 中將 VTT 置于 Hi-Z（暫停到 RAM）和軟
2025-04-29 17:15:20774 
TPS51116為 DDR/SSTL-2、DDR2/SSTL-18、DDR3/SSTL-15、DDR3L、LPDDR3 和 DDR4 內(nèi)存系統(tǒng)提供完整的電源。它將同步降壓控制器與 3A 灌電流/拉
2025-04-29 16:38:021031 
在高速PCB設(shè)計(jì)中，DDR模塊是絕對(duì)繞不過(guò)去的一關(guān)。無(wú)論你用的是DDR、DDR2還是DDR3，只要設(shè)計(jì)不規(guī)范，后果就是——信號(hào)反射、時(shí)序混亂、系統(tǒng)頻繁死機(jī)。
2025-04-29 13:51:032491 
LP2998 線(xiàn)性穩(wěn)壓器旨在滿(mǎn)足 JEDEC SSTL-2 和 JEDEC SSTL-18 標(biāo)準(zhǔn) DDR-SDRAM 和 DDR2 內(nèi)存終止的規(guī)范。該器件還支持 DDR3 和 DDR3L VTT
2025-04-29 11:34:59810 
僅為 20 μF。該TPS51200支持遠(yuǎn)程感應(yīng)功能以及 DDR、DDR2、DDR3、DDR3L、低功耗 DDR3 和 DDR4 VTT 總線(xiàn)終端的所有電源要求。
2025-04-29 09:59:251345 
只需要 20 μF 的最小輸出電容。TPS51200-Q1 器件支持遠(yuǎn)程感應(yīng)功能以及 DDR、DDR2、DDR3、DDR3L、低功耗 DDR3 和 DDR4 VTT 總線(xiàn)終端的所有電源要求。
2025-04-28 16:21:07852 
TPS59116 為 DDR/SSTL-2、DDR2/SSTL-18 和 DDR3 內(nèi)存提供完整的電源 系統(tǒng)。它將同步降壓控制器與 3A 灌電流/拉電流跟蹤線(xiàn)性穩(wěn)壓器和緩沖低噪聲基準(zhǔn)集成在一起
2025-04-28 13:54:45814 
TPS51216 以最低的總成本和最小的空間為 DDR2、DDR3 和 DDR3L 內(nèi)存系統(tǒng)提供完整的電源。它將同步降壓穩(wěn)壓控制器 （VDDQ） 與 2A 灌/拉跟蹤 LDO （VTT） 和緩
2025-04-28 11:09:05663 
TPS51916 器件以最低的總成本和最小的空間為 DDR2、DDR3、DDR3L 和 DDR4 內(nèi)存系統(tǒng)提供完整的電源。它集成了同步降壓穩(wěn)壓控制器 （VDDQ），具有 2A 灌電流和 2A 源跟蹤 LDO （VTT） 和緩沖低噪聲基準(zhǔn) （VTTREF）。
2025-04-28 10:58:44657 
快速瞬態(tài)響應(yīng)，并且只需要 1 × 10μF 的陶瓷輸出電容。該器件支持遠(yuǎn)程感應(yīng)功能以及 DDR2、DDR3 和低功耗 DDR3 （DDR3L） 以及 DDR4 VTT 總線(xiàn)的所有電源要求。VTT 電流
2025-04-28 10:04:48685 
TPS51116為 DDR/SSTL-2、DDR2/SSTL-18、DDR3/SSTL-15、 和 LPDDR3 內(nèi)存系統(tǒng)。它將同步降壓控制器與 1A 灌電流/拉電流集成在一起 跟蹤線(xiàn)性穩(wěn)壓器和緩
2025-04-27 13:35:32741 
TPS51716為 DDR2、DDR3、DDR3L、LPDDR3 和 DDR4 提供完整的電源 以最低的總成本和最小空間實(shí)現(xiàn)內(nèi)存系統(tǒng)。它集成了一個(gè)同步降壓 具有 2A 灌電流/拉電流跟蹤 LDO
2025-04-27 11:36:05763 
LP2998 線(xiàn)性穩(wěn)壓器旨在滿(mǎn)足 JEDEC SSTL-2 和 JEDEC SSTL-18 標(biāo)準(zhǔn) DDR-SDRAM 和 DDR2 內(nèi)存終止的規(guī)范。該器件還支持 DDR3 和 DDR3L VTT
2025-04-27 09:40:04874 
LP2996A 線(xiàn)性穩(wěn)壓器旨在滿(mǎn)足 JEDEC SSTL-2 規(guī)范 DDR-SDRAM 終止。該器件還支持 DDR2、DDR3 和 DDR3L VTT 總線(xiàn)端接，帶 V~DDQ~最小為 1.35V
2025-04-26 15:02:50746 
TPS51216-EP 以最低的總成本和最小的空間為 DDR2、DDR3 和 DDR3L 內(nèi)存系統(tǒng)提供完整的電源。它將同步降壓穩(wěn)壓控制器 （VDDQ） 與 2A 灌/拉跟蹤 LDO （VTT） 和緩
2025-04-26 11:12:30681 
只需要最小輸出 電容為 20 μF。TPS51200-EP 支持遙感功能和所有功率要求 用于 DDR、DDR2、DDR3、低功耗 DDR3 和 DDR4 VTT 總線(xiàn)終端。
2025-04-26 10:26:351335 
的最小輸出電容。該器件支持遠(yuǎn)程感應(yīng)功能以及 DDR、DDR2、DDR3 以及低功耗 DDR3 和 DDR4 VTT 總線(xiàn)終端的所有電源要求。
2025-04-25 10:07:151053 
PTHxx050Y 是德州儀器 （TI） 的一系列即用型開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器模塊，專(zhuān)為 DDR 和 QDR 存儲(chǔ)器應(yīng)用中的總線(xiàn)端接而設(shè)計(jì)。這些模塊由 3.3V、5V 或 12V 輸入供電，可產(chǎn)生 V~TT
2025-04-23 11:12:25628 
【FPGA新品】正點(diǎn)原子L22開(kāi)發(fā)板來(lái)了！采用紫光的Logos系列FPGA，適合工業(yè)控制、圖像處理、高速通信等領(lǐng)域！
ATK-L22開(kāi)發(fā)板采用紫光的Logos系列FPGA，板載1顆DDR3內(nèi)存芯片
2025-04-21 17:28:09
在全球科技競(jìng)爭(zhēng)加劇、國(guó)產(chǎn)替代加速推進(jìn)的背景下，紫光國(guó)芯憑借其在DDR3與RDIMM等高端內(nèi)存芯片領(lǐng)域的技術(shù)積累，不斷實(shí)現(xiàn)突破，推動(dòng)國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片向高端市場(chǎng)邁進(jìn)。作為其核心代理商，貞光科技在市場(chǎng)推廣
2025-04-16 16:39:301342 DDR3 SDRAM(Double-Data-Rate ThreeSynchronous Dynamic Random Access Memory)是DDR SDRAM的第三代產(chǎn)品，相較于DDR2，DDR3有更高的運(yùn)行性能與更低的電壓。
2025-04-10 09:42:533930 
RAA215300 是一款高性能、低成本的 9 通道 PMIC，專(zhuān)為 32 位和 64 位 MCU 和 MPU 應(yīng)用而設(shè)計(jì)。 該 PMIC 支持DDR3、DDR3L、DDR4 和 LPDDR4 內(nèi)存
2025-04-09 15:31:25657 
2025年4月3日?——全球硬件品牌技嘉科技今日宣布,其旗艦級(jí)超頻主板Z890 AORUS TACHYON ICE(鈦雕)通過(guò)采用XPG 龍耀 D500G DDR5內(nèi)存及液氮(LN2)散熱技術(shù),成功
2025-04-03 17:52:45803 我們目前正在使用 iMX6UL DDR 寄存器編程輔助工具為 U-Boot 生成 DCD 表。我們的設(shè)備使用的是 MT41K128M16JT-107，即 DDR3-1866，這意味著它的時(shí)鐘周期頻率
2025-03-27 07:16:35
燦芯半導(dǎo)體（上海）股份有限公司（燦芯股份，688691）宣布推出基于28HKD 0.9V/2.5V 平臺(tái)的DDR3/4, LPDDR3/4 Combo IP。該IP具備廣泛的協(xié)議兼容性，支持DDR3
2025-03-21 16:20:03984 初次使用XC7A35T-FGG484做設(shè)計(jì)，用的是25MHZ有源晶振，有源晶振3.3V供電，DDR3的供電1.35V，現(xiàn)在接上晶振后，DDR3的供電變成1.8V
求助怎么解決。
2025-03-21 14:25:05
DDR內(nèi)存控制器是一個(gè)高度集成的組件，支持多種DDR內(nèi)存類(lèi)型（DDR2、DDR3、DDR3L、LPDDR2），并通過(guò)精心設(shè)計(jì)的架構(gòu)來(lái)優(yōu)化內(nèi)存訪(fǎng)問(wèn)效率。
2025-03-05 13:47:403573 
1. DLPC410的datasheet寫(xiě)明1bit的刷新率可以達(dá)到32KHz，在目前的EVM上可以實(shí)現(xiàn)嗎？
2. 如果第1個(gè)問(wèn)題回答是否定的，那么如何設(shè)計(jì)才能達(dá)到高刷新率？
3.EVM上的內(nèi)存是DDR2，如果提升為DDR3或者DDR4是否可以提高刷新率？
2025-02-21 10:23:16
的大宗交易批發(fā)價(jià)約為1.75美元，4Gb顆粒則為1.3美元，較上月分別下跌6%，并連續(xù)第五個(gè)月出現(xiàn)下滑。其中，8Gb顆粒的降價(jià)幅度為2023年3月以來(lái)的最大跌幅，而4Gb顆粒的價(jià)格跌幅則是2023年4月以來(lái)的最高記錄。 ? 市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)Omdia預(yù)測(cè)，DRAM內(nèi)存顆粒的降價(jià)趨勢(shì)將持續(xù)至今年下半年，
2025-02-21 00:10:002803 據(jù)報(bào)道，業(yè)內(nèi)人士透露，全球三大DRAM內(nèi)存制造商——三星電子、SK海力士和美光，有望在2025年內(nèi)正式停產(chǎn)已有多年歷史的DDR3和DDR4兩代內(nèi)存。 隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步和消費(fèi)級(jí)平臺(tái)的更新?lián)Q代
2025-02-19 11:11:513460 顆DDR3的數(shù)據(jù)位寬為32bit，總數(shù)據(jù)帶寬最高到34112（1066×32） Mbps，8路HSST高速收發(fā)器，每路速度高達(dá) 6.6Gbps，支持PCIE GEN2，預(yù)留標(biāo)準(zhǔn)LPC-FMC接口
2025-02-17 16:33:20
MT62F1G64D8EK-031 AAT:B是一款高性能的DDR3 SDRAM內(nèi)存芯片，由MICRON制造，專(zhuān)為滿(mǎn)足現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)高速內(nèi)存的需求而設(shè)計(jì)。該產(chǎn)品具備優(yōu)秀的存儲(chǔ)性能和能效，適用于多種
2025-02-14 07:41:56
MT41K64M16TW-107 AUT:J是一款高性能的DDR3 SDRAM內(nèi)存芯片，由MICRON制造，專(zhuān)為滿(mǎn)足現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)高速內(nèi)存的需求而設(shè)計(jì)。該產(chǎn)品具備出色的存儲(chǔ)性能和能效，適用于多種
2025-02-14 07:37:41
;MTA9ASF1G72AZ-3G2R1是一款高性能的DDR3 SDRAM內(nèi)存模塊，專(zhuān)為滿(mǎn)足現(xiàn)代計(jì)算需求而設(shè)計(jì)。該產(chǎn)品以其高帶寬和低功耗的特性，廣泛應(yīng)用于個(gè)人電腦、服務(wù)器和嵌入式系統(tǒng)中，成為市場(chǎng)上備
2025-02-10 20:10:39
M471A2G43AB2-CWE 是一款高性能的 DDR4 SO-DIMM 內(nèi)存模塊，具有 16GB 的容量，專(zhuān)為滿(mǎn)足現(xiàn)代移動(dòng)計(jì)算需求而設(shè)計(jì)。這款內(nèi)存條采用了 Samsung 的先進(jìn)技術(shù)，適用于各種
2025-02-10 07:49:49
M425R2GA3PB0-CWM 是一款高性能的 DDR5 SO-DIMM 內(nèi)存模塊，具有 16GB 的容量，專(zhuān)為滿(mǎn)足現(xiàn)代移動(dòng)計(jì)算需求而設(shè)計(jì)。這款內(nèi)存條采用了 Samsung 的先進(jìn)技術(shù)，適用于各種
2025-02-10 07:49:16
M471A1G44CB0-CWE 是一款高性能的 DDR4 SO-DIMM 內(nèi)存模塊，具有 8GB 的容量，專(zhuān)為滿(mǎn)足現(xiàn)代移動(dòng)計(jì)算需求而設(shè)計(jì)。這款內(nèi)存條采用了 Samsung 的先進(jìn)技術(shù)，適用于各類(lèi)
2025-02-10 07:48:41
M425R1GB4PB0-CWM 是一款高性能的 DDR5 SO-DIMM 內(nèi)存模塊，具有 8GB 的容量，專(zhuān)為滿(mǎn)足現(xiàn)代移動(dòng)計(jì)算需求而設(shè)計(jì)。這款內(nèi)存條采用了最新的 DDR5 技術(shù)，具有
2025-02-10 07:47:57
全球工業(yè)級(jí)嵌入式存儲(chǔ)領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)品牌ADATA威剛科技，近期正式推出了其最新的工業(yè)級(jí)DDR5 6400 CU-DIMM與CSO-DIMM內(nèi)存產(chǎn)品，為高性能運(yùn)算(HPC)領(lǐng)域注入了新的活力。 這兩款內(nèi)存
2025-02-08 10:20:131039 雖然目前DDR5高頻內(nèi)存已經(jīng)相當(dāng)普及了，但還是有一些用戶(hù)始終對(duì)頻率不怎么敏感。他們追求更為親民的裝機(jī)成本，對(duì)超頻了解也有限，單純希望內(nèi)存可以做到穩(wěn)定兼容，到手即用。對(duì)于這類(lèi)用戶(hù)來(lái)說(shuō)，裸條其實(shí)是個(gè)不錯(cuò)
2025-01-24 11:18:52996 
創(chuàng)見(jiàn)（Transcend）近日宣布面向消費(fèi)領(lǐng)域推出DDR5 6400 CUDIMM內(nèi)存條，為硬件市場(chǎng)注入新活力。 該系列最先面世的型號(hào)為16GB容量單條模組，專(zhuān)為游戲玩家、內(nèi)容創(chuàng)作者、計(jì)算機(jī)DIY
2025-01-24 11:16:181754 2024年作為AIPC元年伴隨異構(gòu)算力（CPU+GPU+NPU）需求高漲及新處理器平臺(tái)推出DDR5內(nèi)存以高速率、大容量低延遲與高帶寬有效滿(mǎn)足高性能算力要求加速本地AI大模型運(yùn)行效率推動(dòng)AIPC硬件端
2025-01-21 16:34:412426 
隨著國(guó)產(chǎn)DDR5內(nèi)存的上市，內(nèi)存市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)態(tài)勢(shì)即將迎來(lái)新的變化。DRAM內(nèi)存作為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的明星產(chǎn)品，據(jù)市調(diào)機(jī)構(gòu)Trendforce預(yù)估，2024年全球DRAM內(nèi)存的產(chǎn)值將達(dá)到約907億美元。
2025-01-07 15:53:292422
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