很多人可能覺(jué)得PCB信號(hào)速率越高，如25Gbps，56G/112G-PAM4信號(hào)等調(diào)試上發(fā)現(xiàn)的問(wèn)題會(huì)越多，其實(shí)不然。我們收到最多的調(diào)試問(wèn)題還是DDR3、DDR4等，不是跑不到額度速率，就是識(shí)別不到
2026-01-05 15:46:16
探索HMC450QS16G / 450QS16GE：高效GaAs InGaP HBT MMIC功率放大器 在當(dāng)今的無(wú)線通信領(lǐng)域，功率放大器的性能直接影響著整個(gè)系統(tǒng)的表現(xiàn)。今天我們就來(lái)詳細(xì)探討一下
2025-12-31 17:05:04
1194 RZ/A3MHMIMPU對(duì)于高質(zhì)量圖形顯示的應(yīng)用要求，用戶通常采用功能強(qiáng)大及搭載DDR高速接口的MPU來(lái)實(shí)現(xiàn)更多功能和更流暢的畫面。但在開(kāi)發(fā)過(guò)程會(huì)遇到DDR高速總線設(shè)計(jì)的難題，同時(shí)Linux系統(tǒng)
2025-12-24 12:06:10299 
;51、AVR、PIC、STM等8位或者32位單片機(jī)的串口與單片機(jī)智能顯示卡相連驅(qū)動(dòng)3.5寸~55寸的TFT-LCD/VGA顯示器或者電視機(jī)進(jìn)行單選按鈕控件的控制與
2025-12-19 15:23:31
、PIC、STM等8位或者32位單片機(jī)的串口與單片機(jī)智能顯示卡相連驅(qū)動(dòng)3.5寸~55寸的TFT-LCD/VGA顯示器或者電視機(jī)進(jìn)行單選按鈕控件的控制與顯示。單選按
2025-12-18 17:31:50
;51、AVR、PIC、STM等8位或者32位單片機(jī)的串口與單片機(jī)智能顯示卡相連驅(qū)動(dòng)3.5寸~55寸的TFT-LCD/VGA顯示器或者電視機(jī)進(jìn)行多個(gè)畫和子窗口的控
2025-12-18 14:32:50
Xtium3PCIeGen4近日，TeledyneDALSA宣布推出新一代圖像采集卡Xtium3PCIeGen4系列，旨在為高性能工業(yè)應(yīng)用提供高持續(xù)吞吐量和即用型圖像數(shù)據(jù)
2025-12-05 17:04:40479 
2025 年 12 月 3日，中國(guó)蘇州 — 全球半導(dǎo)體存儲(chǔ)解決方案領(lǐng)導(dǎo)廠商華邦電子今日宣布推出全新 8Gb DDR4 DRAM，該產(chǎn)品采用華邦自有先進(jìn) 16nm 制程技術(shù)，提供更高速度、更低
2025-12-03 16:44:28708 
目錄一、實(shí)驗(yàn)?zāi)康亩?shí)驗(yàn)設(shè)備三、實(shí)驗(yàn)步驟3.1新建工程3.2新建畫面3.3添加控件3.4模擬工程3.5硬件驗(yàn)證一、實(shí)驗(yàn)?zāi)康?1、AVR、PIC、STM等8位或者32位單片機(jī)的串口與單片機(jī)智能顯示卡
2025-12-02 16:29:34279 
20000
H56G42AS2DX014NGDDR6 16Gb 227K
H56C8H24AIR-S2C GDDR6 8Gb 800K
A3T1GF40CBF-GM21+ DDR3 1Gb 1KK
2025-11-27 15:58:19
本章的實(shí)驗(yàn)任務(wù)是在 PL 端自定義一個(gè) AXI4 接口的 IP 核，通過(guò) AXI_HP 接口對(duì) PS 端 DDR3 進(jìn)行讀寫測(cè)試，讀寫的內(nèi)存大小是 4K 字節(jié)。
2025-11-24 09:19:423467 
目錄1、實(shí)驗(yàn)?zāi)康?、實(shí)驗(yàn)設(shè)備3、實(shí)驗(yàn)步驟3.1新建工程3.2新建畫面3.3添加控件3.4模擬工程3.5硬件驗(yàn)證1、實(shí)驗(yàn)?zāi)康膯纹瑱C(jī)或PLC的串口與智能顯示卡相連驅(qū)動(dòng)大尺寸VGA顯示器或電視機(jī)進(jìn)行
2025-11-20 15:04:281172 
下面是HummingBird EV Kit給的版圖，其中DDR3_D0對(duì)應(yīng)的應(yīng)該是板子上的FPGA的C2引腳：?
不過(guò)我在配置MIG的時(shí)候，通過(guò)讀入ucf文件的方式配置DDR3 SDRAM的引腳
2025-11-06 07:57:09
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《DDR3 SDRAM參考設(shè)計(jì)手冊(cè).pdf》資料免費(fèi)下載
2025-11-05 17:04:01
4 10 月 30 日，韓國(guó)首爾 COEX 舉辦特別盛會(huì)，慶祝 GeForce 25 年創(chuàng)新歷程，致敬韓國(guó)玩家及合作伙伴?；顒?dòng)以英文與韓文進(jìn)行全球直播。
2025-11-03 15:00:25541 由于FPGA內(nèi)部存儲(chǔ)資源有限，很多時(shí)候不能滿足需求，因此可以利用DDR對(duì)系統(tǒng)進(jìn)行存儲(chǔ)擴(kuò)展。由于DDR3內(nèi)部控制十分復(fù)雜，因此可以基于AXI總線，利用Vivado提供的MIG IP對(duì)DDR3進(jìn)行控制
2025-10-29 07:16:34
文件夾內(nèi)，打開(kāi)文件夾。閱讀readme說(shuō)明文檔，我們能夠知道，原作者采用了vivado MIG IP來(lái)控制開(kāi)發(fā)板上的DDR3，由于芯來(lái)科技的E203平臺(tái)系統(tǒng)片內(nèi)總線是icb總線，所以我們需要做跨時(shí)鐘域
2025-10-28 07:25:32
SD卡和OV5640的數(shù)據(jù)搬運(yùn)進(jìn)DDR中。
Setting
Value
Memory Type
DDR3 SDRAM
Max. clock period
3000ps
Clock ratio
4
2025-10-28 07:24:01
“ ?本文將詳細(xì)介紹 DDR5、LPDDR5 的技術(shù)細(xì)節(jié)以及 Layout 的規(guī)范要求。然后比較 CAMM2 模組與 SODIMM 的差別。? ” ?? 本文將介紹什么是 DDR5，DDR5 和之前
2025-10-27 19:28:167359 
前言：2025年，存儲(chǔ)市場(chǎng)持續(xù)“高燒”——-國(guó)際大廠停產(chǎn)DDR3/4，減產(chǎn)LPDDR4/4X，漲價(jià)50%只是起步-國(guó)產(chǎn)料號(hào)月更、周更，同一料號(hào)不同Die，顆粒參數(shù)“開(kāi)盲盒”-更大的坑是：對(duì)于嵌入式
2025-10-24 11:59:51918 
的S00_AXI_ACLK、M00_AXI_ACLK，分別接系統(tǒng)頂層時(shí)鐘hfextclk、mig產(chǎn)生的用戶時(shí)鐘ui_clk，以此來(lái)實(shí)現(xiàn)跨時(shí)鐘域。
（2）例化DDR3模型（仿真的時(shí)候需要用，vivado
2025-10-24 07:25:00
模塊是在 DDR3 和傳感器都初始化完成之后才開(kāi)始輸出數(shù)據(jù)的，避免了在 DDR3 初始化過(guò)程中向里面寫入數(shù)據(jù)。
為了避免當(dāng)前讀取的圖像與上一次存入的圖像存在交錯(cuò)這一情況，我們?cè)?DDR 的其它
2025-10-24 06:53:17
] correct : %drn”,i,rd_data);
ddr_offset += 0x00000004;
}
（2）測(cè)試效果，讀數(shù)正確
vivado綜合：
注意：(1)綜合不需要例化ddr3模型，將
2025-10-23 06:16:44
DDR控制協(xié)議
DDR3讀寫控制器主要用于生成片外存儲(chǔ)器DDR3 SDRAM進(jìn)行讀寫操作所需要的時(shí)序，繼而實(shí)現(xiàn)對(duì)片外存儲(chǔ)器的讀寫訪問(wèn)。由攝像頭采集得到的圖像數(shù)據(jù)通常數(shù)據(jù)量較大，使用片內(nèi)存儲(chǔ)資源
2025-10-21 14:30:16
由于e203內(nèi)部DTCM空間較小，所以本隊(duì)針對(duì)DDR200T開(kāi)發(fā)板進(jìn)行針對(duì)e203的DDR3存儲(chǔ)器擴(kuò)展。
論壇中所給出的e203擴(kuò)展DDR的方法大致分為兩種，一種是直接將DDR存儲(chǔ)器的接口使用ICB
2025-10-21 12:43:40
蜂鳥(niǎo)DDR200T中DDR3的ip配置案列，提供DDR3引腳配置。具體參數(shù)可更具項(xiàng)目實(shí)際更改。
這里選用的axi接口
在賽靈思的IP配置中沒(méi)有MT41K28M6JT-125K內(nèi)存的信息，因此選用
2025-10-21 11:19:08
DDR3讀寫控制器主要用于生成片外存儲(chǔ)器DDR3 SDRAM進(jìn)行讀寫操作所需要的時(shí)序，繼而實(shí)現(xiàn)對(duì)片外存儲(chǔ)器的讀寫訪問(wèn)。由攝像頭采集得到的圖像數(shù)據(jù)通常數(shù)據(jù)量較大，使用片內(nèi)存儲(chǔ)資源難以實(shí)現(xiàn)大量圖像數(shù)據(jù)
2025-10-21 10:40:28
DDR3讀寫控制器主要用于生成片外存儲(chǔ)器DDR3 SDRAM進(jìn)行讀寫操作所需要的時(shí)序，繼而實(shí)現(xiàn)對(duì)片外存儲(chǔ)器的讀寫訪問(wèn)。由攝像頭采集得到的圖像數(shù)據(jù)通常數(shù)據(jù)量較大，使用片內(nèi)存儲(chǔ)資源難以實(shí)現(xiàn)大量圖像數(shù)據(jù)
2025-10-21 08:43:39
DDR是硬件設(shè)計(jì)的重要一環(huán)，作為一名硬件工程師除了對(duì)DDR基礎(chǔ)和原理要有了解外，最重要的也就是對(duì)DDR控制器的掌握。本文章從DDR外部管腳的角度進(jìn)行描述，學(xué)習(xí)DDR的關(guān)鍵設(shè)計(jì)要注意和了解的部分。
2025-10-10 09:15:242073 
回收DDR2，回收DDR3，收購(gòu)DDR2，收購(gòu)DDR3 DDR4 DDR5長(zhǎng)期現(xiàn)金高價(jià)回收DDR，回收三星DDR，回收海力士DDR，回收南亞DDR，回收爾必達(dá)DDR，回收美光DDR，回收DDR
2025-10-09 14:15:34
TPS7H3301-SP 支持使用 DDR、DDR2、DDR3、DDR4 的 DDR VTT 端接應(yīng)用。TPS7H3301-SP VTT 穩(wěn)壓器的快速瞬態(tài)響應(yīng)允許在讀/寫條件下提供非常穩(wěn)定的電源。在
2025-09-09 14:45:15719 
20 μF。該器件支持遙感功能以及 DDR、DDR2、DDR3 以及低功耗 DDR3 和 DDR4 VTT 總線端接的所有電源要求。
2025-09-09 14:28:07713 
該TPS7H3302支持使用 DDR、DDR2、DDR3、DDR3L 和 DDR4 的 DDR VTT 端接應(yīng)用。TPS7H3302 VTT 穩(wěn)壓器的快速瞬態(tài)響應(yīng)允許在讀/寫條件下提供非常穩(wěn)定的電源
2025-09-09 13:53:22687 
該TPS7H3302支持使用 DDR、DDR2、DDR3、DDR3L 和 DDR4 的 DDR VTT 端接應(yīng)用。TPS7H3302 VTT 穩(wěn)壓器的快速瞬態(tài)響應(yīng)允許在讀/寫條件下提供非常穩(wěn)定的電源
2025-09-09 13:48:37754 
使用 FatFs 顯示 SD 卡中的 JPEG 文件
2025-09-04 06:20:32
3A，支持測(cè)試DDR、DDR2、 DDR3、DDR3L和DDR4。該評(píng)估模塊配有方便的測(cè)試點(diǎn)和跳線，用于評(píng)估TPS7H3302-SEP DDR端子。TPS7H3302EVM評(píng)估模塊非常適合用于抗輻射DDR電源應(yīng)用以及用于DDR、DDR2、DDR3和DDR4的存儲(chǔ)器終端穩(wěn)壓器。
2025-08-27 16:14:21831 
憑借與紫光國(guó)芯的緊密合作，貞光科技能夠?yàn)榭蛻籼峁?b class="flag-6" style="color: red">DDR3、LPDDR4及LPDDR4X全系列車規(guī)級(jí)存儲(chǔ)產(chǎn)品。在產(chǎn)品覆蓋、技術(shù)支持和供應(yīng)保障等方面的綜合優(yōu)勢(shì)，使貞光科技成為車載電子領(lǐng)域可靠且高效
2025-08-26 16:12:151423 
DDR3 作為第三代雙倍數(shù)據(jù)速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器，在內(nèi)存發(fā)展歷程中具有重要地位。它采用了8n預(yù)取架構(gòu)，即每個(gè)時(shí)鐘周期能夠傳輸8倍于數(shù)據(jù)位寬的數(shù)據(jù)量，這使得數(shù)據(jù)傳輸效率大幅提升 。
2025-08-04 13:42:342910 
本文緊接著前一個(gè)文檔《AD設(shè)計(jì)DDR3時(shí)等長(zhǎng)設(shè)計(jì)技巧-數(shù)據(jù)線等長(zhǎng) 》。本文著重講解DDR地址線、控制信號(hào)線等長(zhǎng)設(shè)計(jì)，因?yàn)榈刂肪€、控制信號(hào)線有分支，SOC有可能帶有2片DDR或者更多，我們叫做T型分支
2025-07-29 16:14:512 的講解數(shù)據(jù)線等長(zhǎng)設(shè)計(jì)。? ? ? 在另一個(gè)文件《AD設(shè)計(jì)DDR3時(shí)等長(zhǎng)設(shè)計(jì)技巧-地址線T型等長(zhǎng)》中著重講解使用AD設(shè)計(jì)DDR地址線走線T型走線等長(zhǎng)處理的方法和技巧。
2025-07-28 16:33:124 ? 本原創(chuàng)文章由深圳市小眼睛科技有限公司創(chuàng)作，版權(quán)歸本公司所有，如需轉(zhuǎn)載，需授權(quán)并注明出處（www.meyesemi.com)
1.實(shí)驗(yàn)簡(jiǎn)介
實(shí)驗(yàn)?zāi)康模?完成 DDR3 的讀寫測(cè)試。
實(shí)驗(yàn)環(huán)境
2025-07-10 10:46:48
的RGB格式的圖像數(shù)據(jù)流。
階段三：DDR3幀緩存 (Frame Buffering)
視頻數(shù)據(jù)流的速度和顯示刷新的速度往往不匹配，或者后續(xù)處理需要訪問(wèn)整幀圖像，因此需要一個(gè)大容量的DDR3內(nèi)存作為幀
2025-07-06 15:18:53
艾為推出SIM卡電平轉(zhuǎn)換產(chǎn)品AW39103，其憑借優(yōu)異的性能，成功通過(guò)高通平臺(tái)認(rèn)證，并獲得高通最高推薦等級(jí)(GOLD)。圖1高通平臺(tái)認(rèn)證隨著手機(jī)平臺(tái)處理器工藝向4nm/3nm演進(jìn)，其I/O電平已降至
2025-07-04 18:06:291030 
近日，大眾“GT”持續(xù)高光：在2025 ID.Festival上，上汽大眾ID.3 GTX套件款正式上市，將GT文化帶入電動(dòng)時(shí)代；令人期待的是，大眾另一輛全新“GT”車型——上汽大眾新凌渡L GTS也已蓄勢(shì)待發(fā)，將在不久后面世。
2025-06-28 16:11:28808 電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道，TrendForce報(bào)告顯示，6月初，DDR4和DDR5芯片在現(xiàn)貨市場(chǎng)上的價(jià)格已基本持平，有些DDR4芯片的價(jià)格甚至高于DDR5芯片，呈現(xiàn)“價(jià)格倒掛”現(xiàn)象。DDR4 16Gb
2025-06-27 00:27:004538 DDR內(nèi)存占據(jù)主導(dǎo)地位。全球DDR內(nèi)存市場(chǎng)正經(jīng)歷一場(chǎng)前所未有的價(jià)格風(fēng)暴。由于原廠加速退出DDR3/DDR4市場(chǎng)，轉(zhuǎn)向DDR5和HBM（高帶寬內(nèi)存）生產(chǎn)，DDR3和DDR4市場(chǎng)呈現(xiàn)供不應(yīng)求、供需失衡、漲勢(shì)延續(xù)的局面。未來(lái)，DDR5滲透率將呈現(xiàn)快速提升，市場(chǎng)份額增長(zhǎng)的趨勢(shì)。
2025-06-25 11:21:152009 
EAB450M12XM3全碳化硅半橋功率模塊CREEEAB450M12XM3是Wolfspeed（原CREE科銳）生產(chǎn)的1200V、450A全碳化硅半橋功率模塊，致力于高功率、高效化技術(shù)應(yīng)用打造
2025-06-25 09:13:14
近日，為貫徹落實(shí)國(guó)家金融科技發(fā)展戰(zhàn)略，郵儲(chǔ)銀行北京分行與國(guó)金認(rèn)證聯(lián)合發(fā)布“金鴻實(shí)驗(yàn)室”，并攜手產(chǎn)業(yè)伙伴重磅發(fā)布了系列“基于RISC-V的金融IC卡產(chǎn)品”。其中，搭載全球首款開(kāi)放式軟硬件架構(gòu)安全芯片E450R的銀行卡試點(diǎn)首發(fā)，中國(guó)金融基礎(chǔ)設(shè)施的全面國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程取得里程碑式突破。
2025-06-20 10:13:201288 電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()450-470 MHz 發(fā)射/接收前端模塊相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè)，更有450-470 MHz 發(fā)射/接收前端模塊的引腳圖、接線圖、封裝手冊(cè)、中文資料、英文資料，450
2025-06-16 18:31:18
實(shí)現(xiàn)將SC130GS采集的黑白圖像數(shù)據(jù)緩存進(jìn)DDR3，并以1024*600@60的視頻時(shí)序輸出到LVDS 屏幕顯示。其中，DDR3工作頻率為600MHz，SC130GS輸入的圖像數(shù)據(jù)大小為1280
2025-06-16 18:03:573961 
隨著計(jì)算密集型任務(wù)的日益增長(zhǎng)，DDR4內(nèi)存的性能瓶頸已逐步顯現(xiàn)。DDR5的出現(xiàn)雖解燃眉之急，但真正推動(dòng)內(nèi)存發(fā)揮極致性能的背后“功臣”——正是 DDR5 SPD（Serial Presence Detect）芯片。
2025-06-11 10:07:301913 
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()450 MHz 發(fā)射/接收前端模塊相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè)，更有450 MHz 發(fā)射/接收前端模塊的引腳圖、接線圖、封裝手冊(cè)、中文資料、英文資料，450 MHz 發(fā)射/接收前端模塊真值表，450 MHz 發(fā)射/接收前端模塊管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2025-06-10 18:32:57
隨著汽車產(chǎn)業(yè)向智能化、網(wǎng)聯(lián)化加速轉(zhuǎn)型，高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng)（ADAS）和智能駕駛技術(shù)已成為現(xiàn)代汽車不可或缺的核心組件。紫光國(guó)芯作為國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的存儲(chǔ)器芯片制造商，其車規(guī)級(jí)DDR3存儲(chǔ)產(chǎn)品在智能駕駛和ADAS
2025-06-05 16:50:171220 
對(duì)于高質(zhì)量圖形顯示的應(yīng)用要求，用戶通常采用功能強(qiáng)大及搭載DDR高速接口的MPU來(lái)實(shí)現(xiàn)更多功能和更流暢的畫面。但在開(kāi)發(fā)過(guò)程會(huì)遇到DDR高速總線設(shè)計(jì)的難題，同時(shí)Linux系統(tǒng)難以實(shí)現(xiàn)類似MCU的快速啟動(dòng)性能。瑞薩新推出的RZ/A3M HMI MPU幫助客戶解決這些問(wèn)題。
2025-05-27 16:14:30894 
、威剛TF卡，索尼TF卡、創(chuàng)見(jiàn)TF卡.......長(zhǎng)期大量回收內(nèi)存SD卡，回收全新內(nèi)存卡，收購(gòu)原裝內(nèi)存卡，回收DDR，收購(gòu)DDR。
本公司長(zhǎng)期回收高存儲(chǔ)容量，最常用的容量：8GB、16GB、32GB
2025-05-21 17:48:25
楷登電子（美國(guó) Cadence 公司，NASDAQ：CDNS）近日宣布率先推出基于臺(tái)積公司 N3 工藝的 DDR5 12.8Gbps MRDIMM Gen2 內(nèi)存 IP 解決方案。該新解決方案可滿足
2025-05-09 16:37:44905 下面是調(diào)用的DDR3模塊的，模塊的倒數(shù)第二行是，模塊的時(shí)鐘輸入，時(shí)鐘源來(lái)自PLL產(chǎn)生的系統(tǒng)時(shí)鐘的倍頻。
2025-05-03 10:21:001339 
LP2996-N 和 LP2996A 線性穩(wěn)壓器旨在滿足 JEDEC SSTL-2 標(biāo)準(zhǔn) DDR-SDRAM 終止規(guī)范。該器件還支持 DDR2，而 LP2996A 支持 DDR3 和 DDR3
2025-04-29 18:11:05834 
終端供電。這 該器件還支持 DDR3 VTT 端接，VDDQ 電壓為 1.5 V（典型值）。此外，TPS51100 包括集成的睡眠狀態(tài)控制、在 S3 中將 VTT 置于 Hi-Z（暫停到 RAM）和軟
2025-04-29 17:15:20774 
TPS51116為 DDR/SSTL-2、DDR2/SSTL-18、DDR3/SSTL-15、DDR3L、LPDDR3 和 DDR4 內(nèi)存系統(tǒng)提供完整的電源。它將同步降壓控制器與 3A 灌電流/拉
2025-04-29 16:38:021031 
在高速PCB設(shè)計(jì)中，DDR模塊是絕對(duì)繞不過(guò)去的一關(guān)。無(wú)論你用的是DDR、DDR2還是DDR3，只要設(shè)計(jì)不規(guī)范，后果就是——信號(hào)反射、時(shí)序混亂、系統(tǒng)頻繁死機(jī)。
2025-04-29 13:51:032491 
LP2998 線性穩(wěn)壓器旨在滿足 JEDEC SSTL-2 和 JEDEC SSTL-18 標(biāo)準(zhǔn) DDR-SDRAM 和 DDR2 內(nèi)存終止的規(guī)范。該器件還支持 DDR3 和 DDR3L VTT
2025-04-29 11:34:59810 
僅為 20 μF。該TPS51200支持遠(yuǎn)程感應(yīng)功能以及 DDR、DDR2、DDR3、DDR3L、低功耗 DDR3 和 DDR4 VTT 總線終端的所有電源要求。
2025-04-29 09:59:251345 
只需要 20 μF 的最小輸出電容。TPS51200-Q1 器件支持遠(yuǎn)程感應(yīng)功能以及 DDR、DDR2、DDR3、DDR3L、低功耗 DDR3 和 DDR4 VTT 總線終端的所有電源要求。
2025-04-28 16:21:07852 
TPS59116 為 DDR/SSTL-2、DDR2/SSTL-18 和 DDR3 內(nèi)存提供完整的電源 系統(tǒng)。它將同步降壓控制器與 3A 灌電流/拉電流跟蹤線性穩(wěn)壓器和緩沖低噪聲基準(zhǔn)集成在一起
2025-04-28 13:54:45814 
TPS51216 以最低的總成本和最小的空間為 DDR2、DDR3 和 DDR3L 內(nèi)存系統(tǒng)提供完整的電源。它將同步降壓穩(wěn)壓控制器 （VDDQ） 與 2A 灌/拉跟蹤 LDO （VTT） 和緩
2025-04-28 11:09:05663 
TPS51916 器件以最低的總成本和最小的空間為 DDR2、DDR3、DDR3L 和 DDR4 內(nèi)存系統(tǒng)提供完整的電源。它集成了同步降壓穩(wěn)壓控制器 （VDDQ），具有 2A 灌電流和 2A 源跟蹤 LDO （VTT） 和緩沖低噪聲基準(zhǔn) （VTTREF）。
2025-04-28 10:58:44657 
快速瞬態(tài)響應(yīng)，并且只需要 1 × 10μF 的陶瓷輸出電容。該器件支持遠(yuǎn)程感應(yīng)功能以及 DDR2、DDR3 和低功耗 DDR3 （DDR3L） 以及 DDR4 VTT 總線的所有電源要求。VTT 電流
2025-04-28 10:04:48685 
TPS51116為 DDR/SSTL-2、DDR2/SSTL-18、DDR3/SSTL-15、 和 LPDDR3 內(nèi)存系統(tǒng)。它將同步降壓控制器與 1A 灌電流/拉電流集成在一起 跟蹤線性穩(wěn)壓器和緩
2025-04-27 13:35:32741 
TPS51716為 DDR2、DDR3、DDR3L、LPDDR3 和 DDR4 提供完整的電源 以最低的總成本和最小空間實(shí)現(xiàn)內(nèi)存系統(tǒng)。它集成了一個(gè)同步降壓 具有 2A 灌電流/拉電流跟蹤 LDO
2025-04-27 11:36:05763 
LP2998 線性穩(wěn)壓器旨在滿足 JEDEC SSTL-2 和 JEDEC SSTL-18 標(biāo)準(zhǔn) DDR-SDRAM 和 DDR2 內(nèi)存終止的規(guī)范。該器件還支持 DDR3 和 DDR3L VTT
2025-04-27 09:40:04874 
LP2996A 線性穩(wěn)壓器旨在滿足 JEDEC SSTL-2 規(guī)范 DDR-SDRAM 終止。該器件還支持 DDR2、DDR3 和 DDR3L VTT 總線端接，帶 V~DDQ~最小為 1.35V
2025-04-26 15:02:50746 
TPS51216-EP 以最低的總成本和最小的空間為 DDR2、DDR3 和 DDR3L 內(nèi)存系統(tǒng)提供完整的電源。它將同步降壓穩(wěn)壓控制器 （VDDQ） 與 2A 灌/拉跟蹤 LDO （VTT） 和緩
2025-04-26 11:12:30681 
只需要最小輸出 電容為 20 μF。TPS51200-EP 支持遙感功能和所有功率要求 用于 DDR、DDR2、DDR3、低功耗 DDR3 和 DDR4 VTT 總線終端。
2025-04-26 10:26:351335 
的最小輸出電容。該器件支持遠(yuǎn)程感應(yīng)功能以及 DDR、DDR2、DDR3 以及低功耗 DDR3 和 DDR4 VTT 總線終端的所有電源要求。
2025-04-25 10:07:151053 
在全球科技競(jìng)爭(zhēng)加劇、國(guó)產(chǎn)替代加速推進(jìn)的背景下，紫光國(guó)芯憑借其在DDR3與RDIMM等高端內(nèi)存芯片領(lǐng)域的技術(shù)積累，不斷實(shí)現(xiàn)突破，推動(dòng)國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片向高端市場(chǎng)邁進(jìn)。作為其核心代理商，貞光科技在市場(chǎng)推廣
2025-04-16 16:39:301342 DDR3 SDRAM(Double-Data-Rate ThreeSynchronous Dynamic Random Access Memory)是DDR SDRAM的第三代產(chǎn)品，相較于DDR2，DDR3有更高的運(yùn)行性能與更低的電壓。
2025-04-10 09:42:533930 
RAA215300 是一款高性能、低成本的 9 通道 PMIC，專為 32 位和 64 位 MCU 和 MPU 應(yīng)用而設(shè)計(jì)。 該 PMIC 支持DDR3、DDR3L、DDR4 和 LPDDR4 內(nèi)存
2025-04-09 15:31:25657 
我們目前正在使用 iMX6UL DDR 寄存器編程輔助工具為 U-Boot 生成 DCD 表。我們的設(shè)備使用的是 MT41K128M16JT-107，即 DDR3-1866，這意味著它的時(shí)鐘周期頻率
2025-03-27 07:16:35
燦芯半導(dǎo)體（上海）股份有限公司（燦芯股份，688691）宣布推出基于28HKD 0.9V/2.5V 平臺(tái)的DDR3/4, LPDDR3/4 Combo IP。該IP具備廣泛的協(xié)議兼容性，支持DDR3
2025-03-21 16:20:03984 初次使用XC7A35T-FGG484做設(shè)計(jì)，用的是25MHZ有源晶振，有源晶振3.3V供電，DDR3的供電1.35V，現(xiàn)在接上晶振后，DDR3的供電變成1.8V
求助怎么解決。
2025-03-21 14:25:05
CAB450M12XM3工業(yè)級(jí)SiC半橋功率模塊CREE
CAB450M12XM3是Wolfspeed（原CREE）精心打造的一款工業(yè)級(jí)全碳化硅（SiC）半橋功率模塊，專為高功率密度、極端高溫環(huán)境
2025-03-17 09:59:21
：NT5CC256M16EP-EKI DDR3(L) 4Gb SDRAM CL-TRCD-TRP｛13-13-13｝
手冊(cè)要求 933MHz Clock但是STM32MP13x 最高給 DDRC 頻率
2025-03-11 07:11:03
-GTS Techlabs與Peacom在2025年世界移動(dòng)通信大會(huì)上宣布建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系，共同推動(dòng)企業(yè)即時(shí)通訊改革 西班牙巴塞羅那2025年3月6日?/美通社/ -- Globe
2025-03-06 14:42:08785 
DDR內(nèi)存控制器是一個(gè)高度集成的組件，支持多種DDR內(nèi)存類型（DDR2、DDR3、DDR3L、LPDDR2），并通過(guò)精心設(shè)計(jì)的架構(gòu)來(lái)優(yōu)化內(nèi)存訪問(wèn)效率。
2025-03-05 13:47:403573 
1. DLPC410的datasheet寫明1bit的刷新率可以達(dá)到32KHz，在目前的EVM上可以實(shí)現(xiàn)嗎？
2. 如果第1個(gè)問(wèn)題回答是否定的，那么如何設(shè)計(jì)才能達(dá)到高刷新率？
3.EVM上的內(nèi)存是DDR2，如果提升為DDR3或者DDR4是否可以提高刷新率？
2025-02-21 10:23:16
2025年2月20日 /美通社/ -- 技嘉科技（GIGABYTE）宣布搭載 NVIDIA? Blackwell 架構(gòu)的 GeForce RTX? 50 系列顯卡正式上市，包含RTX? 5090 D
2025-02-21 09:53:331463 特點(diǎn)DDR3L SDRAM（1.35V）是DDR3（1.5V）SDRAM。請(qǐng)參閱DDR3（1.5 V）SDRAM磨合時(shí)（模具版本：E）數(shù)據(jù)表規(guī)格1.5V兼容模式。特征?VDD=VDDQ=1.35V
2025-02-19 16:19:23
據(jù)報(bào)道，業(yè)內(nèi)人士透露，全球三大DRAM內(nèi)存制造商——三星電子、SK海力士和美光，有望在2025年內(nèi)正式停產(chǎn)已有多年歷史的DDR3和DDR4兩代內(nèi)存。 隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步和消費(fèi)級(jí)平臺(tái)的更新?lián)Q代
2025-02-19 11:11:513460 英倫科技在裸眼3D顯示領(lǐng)域推出了多款創(chuàng)新產(chǎn)品，涵蓋了從便攜式設(shè)備到大型室內(nèi)顯示屏的廣泛應(yīng)用場(chǎng)景。
2025-02-12 09:45:2718 
;MTA9ASF1G72AZ-3G2R1是一款高性能的DDR3 SDRAM內(nèi)存模塊，專為滿足現(xiàn)代計(jì)算需求而設(shè)計(jì)。該產(chǎn)品以其高帶寬和低功耗的特性，廣泛應(yīng)用于個(gè)人電腦、服務(wù)器和嵌入式系統(tǒng)中，成為市場(chǎng)上備
2025-02-10 20:10:39
旗艦散熱方案,釋放顯卡強(qiáng)勁性能 ?日前— 技嘉科技-主板、顯卡和硬件解決方案制造商,隆重推出搭載 NVIDIA? 革命性 Blackwell 架構(gòu)的 GeForce RTX 5090 D 和 RTX
2025-01-28 10:31:002026 
創(chuàng)見(jiàn)（Transcend）近日宣布面向消費(fèi)領(lǐng)域推出DDR5 6400 CUDIMM內(nèi)存條，為硬件市場(chǎng)注入新活力。 該系列最先面世的型號(hào)為16GB容量單條模組，專為游戲玩家、內(nèi)容創(chuàng)作者、計(jì)算機(jī)DIY
2025-01-24 11:16:181754 Thunderbolt 3 4 SDI 1080P 60FPS 視頻采集卡，適用于 Windows > Thunderbolt 3 40Gbps 視頻采集卡 > 4 通道 SDI
2025-01-16 14:10:34
，英偉達(dá)將推出適用于Apple Vision Pro、Meta Quest 3/3S以及Pico等設(shè)備的原生GeForce Now云游戲應(yīng)用。這
2025-01-08 14:47:06893 NVIDIA 宣布為游戲玩家、創(chuàng)作者和開(kāi)發(fā)者推出最先進(jìn)的消費(fèi)級(jí) GPU——GeForce RTX 50 系列臺(tái)式機(jī)和筆記本電腦 GPU。
2025-01-08 11:05:091471 NVIDIA GeForce RTX? 50 系列顯示芯片設(shè)計(jì)的散熱系統(tǒng),可大幅提升高負(fù)載需求的游戲表現(xiàn)。以 "Evolution of Ten" 為設(shè)計(jì)概念,技嘉新系列顯卡提升高達(dá) 10% 散熱效率,并減少 10% 整體體積,提供高游戲性能及更輕松上手的 PC 組裝體驗(yàn)。
2025-01-07 17:57:11829 NVIDIA 和 GeForce RTX GPU 專為 AI 時(shí)代打造。
2025-01-06 10:45:191367
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論