chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

電子發(fā)燒友App

硬聲App

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫(xiě)文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

電子發(fā)燒友網(wǎng)>新品快訊>宇瞻推出專(zhuān)為網(wǎng)通與高階伺服器所設(shè)計(jì)之DDR3 SO-RDIMM

宇瞻推出專(zhuān)為網(wǎng)通與高階伺服器所設(shè)計(jì)之DDR3 SO-RDIMM

收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴

評(píng)論

查看更多

相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦

余承東疑再次喊話比亞迪,高階智駕如何界定?

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文 / 吳子鵬) 近日,比亞迪在智能化戰(zhàn)略發(fā)布會(huì)上宣布全系搭載 “天神眼” 高階智駕系統(tǒng),這一舉措大幅降低了高階智駕的價(jià)格門(mén)檻。就連起售價(jià)不到 7 萬(wàn)元的入門(mén)車(chē)型海鷗,也配備了
2025-02-17 01:19:002949

高階智駕白菜價(jià),比亞迪“天神眼”殺入7萬(wàn)級(jí)市場(chǎng),引爆產(chǎn)業(yè)鏈!

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)2月10日比亞迪舉辦了智能化戰(zhàn)略發(fā)布會(huì),宣布全系車(chē)型搭載將搭載天神高階智駕,令人震撼的是,天神高階智駕系統(tǒng)在比亞迪旗下10萬(wàn)級(jí)別車(chē)型將全系標(biāo)配,10萬(wàn)以下
2025-02-11 09:02:234905

真不敢信,PCB板上就挪動(dòng)了一個(gè)電阻,DDR3竟神奇變好了

很多人可能覺(jué)得PCB信號(hào)速率越高,如25Gbps,56G/112G-PAM4信號(hào)等調(diào)試上發(fā)現(xiàn)的問(wèn)題會(huì)越多,其實(shí)不然。我們收到最多的調(diào)試問(wèn)題還是DDR3、DDR4等,不是跑不到額度速率,就是識(shí)別不到
2026-01-05 15:46:16

Amphenol ICC DDR5 SO - DIMM連接:高速高密度的理想

Amphenol ICC DDR5 SO - DIMM連接:高速高密度的理想選 在當(dāng)今高速發(fā)展的電子科技領(lǐng)域,內(nèi)存連接的性能對(duì)于系統(tǒng)的整體表現(xiàn)起著至關(guān)重要的作用。Amphenol ICC推出
2025-12-12 11:15:12314

探索Amphenol PCD GLADIATOR連接專(zhuān)為士兵穿戴應(yīng)用打造的創(chuàng)新

探索Amphenol PCD GLADIATOR連接專(zhuān)為士兵穿戴應(yīng)用打造的創(chuàng)新選 在電子工程領(lǐng)域,連接的性能對(duì)于設(shè)備的穩(wěn)定運(yùn)行至關(guān)重要。特別是在一些特殊應(yīng)用場(chǎng)景,如士兵穿戴設(shè)備中,對(duì)連接
2025-12-11 14:25:19254

華邦電子推出先進(jìn) 16nm 制程 8Gb DDR4 DRAM 專(zhuān)為工業(yè)與嵌入式應(yīng)用而生

功耗及更具成本效益的解決方案,適用于電視、服務(wù)網(wǎng)通設(shè)備、工業(yè)計(jì)算機(jī)及嵌入式應(yīng)用等多元市場(chǎng)。 盡管 DDR5 逐漸普及,許多產(chǎn)業(yè)仍依賴(lài) DDR4 穩(wěn)定成熟的生態(tài)系統(tǒng)。華邦全新的 8Gb DDR4 DRAM 專(zhuān)為這些客戶設(shè)計(jì),讓他們?cè)诰S持既有架構(gòu)的同時(shí),仍能享有更快的數(shù)據(jù)傳輸速度與更強(qiáng)的系統(tǒng)競(jìng)
2025-12-03 16:44:28708

長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)DDR5/LPDDR5X雙芯亮相,火力全開(kāi)!

顆粒容量24Gb,并推出UDIMM、SODIMM、CUDIMM、CSODIMM、RDIMM、MRDIMM、TFF MRDIMM等七大模組及新型產(chǎn)品,覆蓋服務(wù)、工作站及個(gè)人電腦等全場(chǎng)景領(lǐng)域,滿足各領(lǐng)
2025-11-25 08:27:008131

使用AXI4接口IP核進(jìn)行DDR讀寫(xiě)測(cè)試

本章的實(shí)驗(yàn)任務(wù)是在 PL 端自定義一個(gè) AXI4 接口的 IP 核,通過(guò) AXI_HP 接口對(duì) PS 端 DDR3 進(jìn)行讀寫(xiě)測(cè)試,讀寫(xiě)的內(nèi)存大小是 4K 字節(jié)。
2025-11-24 09:19:423467

瑞薩電子推出第六代DDR5 RCD,傳輸速率達(dá)9600MT/s

電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 日前,瑞薩電子宣布推出業(yè)界首款面向DDR5寄存雙列直插式內(nèi)存模塊(RDIMM)的第六代(Gen6)寄存時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)(RCD),這款全新RCD率先實(shí)現(xiàn)了9600兆傳輸/秒(MT/s
2025-11-19 15:59:055453

HummingBird EV Kit - DDR3 引腳不匹配是怎么回事?

下面是HummingBird EV Kit給的版圖,其中DDR3_D0對(duì)應(yīng)的應(yīng)該是板子上的FPGA的C2引腳:? 不過(guò)我在配置MIG的時(shí)候,通過(guò)讀入ucf文件的方式配置DDR3 SDRAM的引腳
2025-11-06 07:57:09

DDR3 SDRAM參考設(shè)計(jì)手冊(cè)

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《DDR3 SDRAM參考設(shè)計(jì)手冊(cè).pdf》資料免費(fèi)下載
2025-11-05 17:04:014

新唐科技推出Arbel NPCM8mnx系統(tǒng)級(jí)封裝

新唐科技,全球領(lǐng)先的基板管理控制(BMC)解決方案供應(yīng)商,宣布推出 Arbel NPCM8mnx 系統(tǒng)級(jí)封裝(SiP)。這款具精巧簡(jiǎn)潔設(shè)計(jì)、高度整合的BMC微系統(tǒng),專(zhuān)為新世代 AI 伺服器與資料中心平臺(tái)量身設(shè)計(jì)。不但能快速部署系統(tǒng),還能大幅簡(jiǎn)化管理流程,讓整體運(yùn)作更有效率、更穩(wěn)定。
2025-10-31 17:26:041603

利用蜂鳥(niǎo)E203搭建SoC【4】——DDR200T內(nèi)存擴(kuò)展

由于FPGA內(nèi)部存儲(chǔ)資源有限,很多時(shí)候不能滿足需求,因此可以利用DDR對(duì)系統(tǒng)進(jìn)行存儲(chǔ)擴(kuò)展。由于DDR3內(nèi)部控制十分復(fù)雜,因此可以基于AXI總線,利用Vivado提供的MIG IP對(duì)DDR3進(jìn)行控制
2025-10-29 07:16:34

DDR200T中DDR的使用與時(shí)序介紹

DDR使用 在我們的項(xiàng)目中,我們使用的是芯來(lái)科技的DDR200T開(kāi)發(fā)板,我們通過(guò)調(diào)用板上的DDR3 IP核完成如下表的配置,配置完成后例化該DDR3,然后利用DMA和VDMA作為數(shù)據(jù)的緩沖模塊,將
2025-10-28 07:24:01

E203分享DDR擴(kuò)展方案實(shí)施流程(中)

的S00_AXI_ACLK、M00_AXI_ACLK,分別接系統(tǒng)頂層時(shí)鐘hfextclk、mig產(chǎn)生的用戶時(shí)鐘ui_clk,以此來(lái)實(shí)現(xiàn)跨時(shí)鐘域。 (2)例化DDR3模型(仿真的時(shí)候需要用,vivado
2025-10-24 07:25:00

E203分享DDR擴(kuò)展方案實(shí)施流程(下)

] correct : %drn”,i,rd_data); ddr_offset += 0x00000004; } (2)測(cè)試效果,讀數(shù)正確 vivado綜合: 注意:(1)綜合不需要例化ddr3模型,將
2025-10-23 06:16:44

基于FPGA的DDR控制設(shè)計(jì)

DDR控制協(xié)議 DDR3讀寫(xiě)控制主要用于生成片外存儲(chǔ)DDR3 SDRAM進(jìn)行讀寫(xiě)操作所需要的時(shí)序,繼而實(shí)現(xiàn)對(duì)片外存儲(chǔ)的讀寫(xiě)訪問(wèn)。由攝像頭采集得到的圖像數(shù)據(jù)通常數(shù)據(jù)量較大,使用片內(nèi)存儲(chǔ)資源
2025-10-21 14:30:16

基于DDR200T開(kāi)發(fā)板的e203進(jìn)行DDR3擴(kuò)展

由于e203內(nèi)部DTCM空間較小,所以本隊(duì)針對(duì)DDR200T開(kāi)發(fā)板進(jìn)行針對(duì)e203的DDR3存儲(chǔ)擴(kuò)展。 論壇中所給出的e203擴(kuò)展DDR的方法大致分為兩種,一種是直接將DDR存儲(chǔ)的接口使用ICB
2025-10-21 12:43:40

DDR200T中的DDR3的使用配置

蜂鳥(niǎo)DDR200T中DDR3的ip配置案列,提供DDR3引腳配置。具體參數(shù)可更具項(xiàng)目實(shí)際更改。 這里選用的axi接口 在賽靈思的IP配置中沒(méi)有MT41K28M6JT-125K內(nèi)存的信息,因此選用
2025-10-21 11:19:08

FPGA搭建DDR控制模塊

DDR3讀寫(xiě)控制主要用于生成片外存儲(chǔ)DDR3 SDRAM進(jìn)行讀寫(xiě)操作所需要的時(shí)序,繼而實(shí)現(xiàn)對(duì)片外存儲(chǔ)的讀寫(xiě)訪問(wèn)。由攝像頭采集得到的圖像數(shù)據(jù)通常數(shù)據(jù)量較大,使用片內(nèi)存儲(chǔ)資源難以實(shí)現(xiàn)大量圖像數(shù)據(jù)
2025-10-21 10:40:28

用FPGA實(shí)現(xiàn)DDR控制模塊介紹

DDR3讀寫(xiě)控制主要用于生成片外存儲(chǔ)DDR3 SDRAM進(jìn)行讀寫(xiě)操作所需要的時(shí)序,繼而實(shí)現(xiàn)對(duì)片外存儲(chǔ)的讀寫(xiě)訪問(wèn)。由攝像頭采集得到的圖像數(shù)據(jù)通常數(shù)據(jù)量較大,使用片內(nèi)存儲(chǔ)資源難以實(shí)現(xiàn)大量圖像數(shù)據(jù)
2025-10-21 08:43:39

紫光國(guó)芯亮相2025中國(guó)移動(dòng)全球合作伙伴大會(huì)

4/DDR3顆粒及32Mb PSRAM KGD等先進(jìn)存儲(chǔ)產(chǎn)品和創(chuàng)新方案亮相,攜手產(chǎn)業(yè)伙伴賦能AI+時(shí)代的技術(shù)創(chuàng)新與場(chǎng)景落地。
2025-10-14 17:39:52986

伺服增量編碼:工業(yè)自動(dòng)化的精密

在智能制造的浪潮中,伺服系統(tǒng)作為工業(yè)自動(dòng)化的核心驅(qū)動(dòng)單元,其性能直接影響著設(shè)備精度、效率與穩(wěn)定性。而伺服增量編碼,作為伺服系統(tǒng)的“精密眼”,正以高分辨率、快速響應(yīng)與低成本優(yōu)勢(shì),成為數(shù)控機(jī)床
2025-10-13 08:37:57339

回收DDR內(nèi)存芯片 收購(gòu)DDR全新拆機(jī)帶板

回收DDR2,回收DDR3,收購(gòu)DDR2,收購(gòu)DDR3 DDR4 DDR5長(zhǎng)期現(xiàn)金高價(jià)回收DDR,回收三星DDR,回收海力士DDR,回收南亞DDR,回收爾必達(dá)DDR,回收美光DDR,回收DDR
2025-10-09 14:15:34

?SN74SSQEA32882 芯片技術(shù)文檔摘要

所有輸入均兼容 1.5 V 和 1.35 V CMOS。所有輸出都是經(jīng)過(guò)優(yōu)化的 CMOS 驅(qū)動(dòng),可在 DDR3 RDIMM 應(yīng)用中驅(qū)動(dòng)端接走線上的 DRAM 信號(hào)。時(shí)鐘輸出 Yn 和 Yn 以及
2025-09-17 11:25:29724

?SN74SSQEB32882 芯片技術(shù)文檔摘要

DDR3U 寄存 DIMM~DD~的 1.25 V。 所有輸入均兼容 1.5 V、1.35 V 和 1.25 V CMOS。所有輸出都是經(jīng)過(guò)優(yōu)化的 CMOS 驅(qū)動(dòng),可在 DDR3
2025-09-16 14:01:11604

?SN74SSQEC32882 芯片技術(shù)文檔總結(jié)

~的 1.25 V。 所有輸入均兼容 1.5 V、1.35 V 和 1.25 V CMOS。所有輸出都是經(jīng)過(guò)優(yōu)化的 CMOS 驅(qū)動(dòng),可在 DDR3 RDIMM 應(yīng)用中驅(qū)動(dòng)端接走線上的 DRAM 信號(hào)
2025-09-15 18:14:58778

伺服絕對(duì)值編碼:工業(yè)精密控制的“智慧眼”

在智能制造的浪潮中,伺服系統(tǒng)作為工業(yè)自動(dòng)化的核心動(dòng)力,其定位精度與響應(yīng)速度直接決定了生產(chǎn)線的效率與產(chǎn)品質(zhì)量。而伺服絕對(duì)值編碼,作為伺服系統(tǒng)的“智慧眼”,正以不可替代的技術(shù)優(yōu)勢(shì),成為高端裝備制造
2025-09-10 08:38:22578

?TPS7H3301-SP 輻射硬化3A DDR終端穩(wěn)壓技術(shù)文檔總結(jié)

TPS7H3301-SP 支持使用 DDR、DDR2、DDR3、DDR4 的 DDR VTT 端接應(yīng)用。TPS7H3301-SP VTT 穩(wěn)壓的快速瞬態(tài)響應(yīng)允許在讀/寫(xiě)條件下提供非常穩(wěn)定的電源。在
2025-09-09 14:45:15719

?TPS51200A-Q1 器件技術(shù)文檔總結(jié)

TPS51200A-Q1 器件是一款灌電流和源極雙數(shù)據(jù)速率 (DDR) 終端穩(wěn)壓,專(zhuān)為低輸入電壓、低成本、低噪聲系統(tǒng)而設(shè)計(jì),其中空間是關(guān)鍵考慮因素。 該器件保持快速瞬態(tài)響應(yīng),最小輸出電容僅為
2025-09-09 14:28:07713

?TPS7H3302-SP/TPS7H3302-SEP 輻射硬化DDR終端穩(wěn)壓技術(shù)文檔總結(jié)

該TPS7H3302支持使用 DDRDDR2、DDR3DDR3L 和 DDR4 的 DDR VTT 端接應(yīng)用。TPS7H3302 VTT 穩(wěn)壓的快速瞬態(tài)響應(yīng)允許在讀/寫(xiě)條件下提供非常穩(wěn)定的電源
2025-09-09 13:53:22687

TPS7H3302-SP 3A DDR輻射硬化終端穩(wěn)壓技術(shù)文檔總結(jié)

該TPS7H3302支持使用 DDR、DDR2、DDR3、DDR3L 和 DDR4 的 DDR VTT 端接應(yīng)用。TPS7H3302 VTT 穩(wěn)壓的快速瞬態(tài)響應(yīng)允許在讀/寫(xiě)條件下提供非常穩(wěn)定的電源
2025-09-09 13:48:37756

直播預(yù)告 | @9/2 DIODES AI伺服器HVDC趨勢(shì)及解決方案

隨著AI技術(shù)的飛速發(fā)展,AI伺服器已成為全球科技領(lǐng)域的焦點(diǎn)。然而,除了主板核心設(shè)計(jì),AI伺服器的順利運(yùn)轉(zhuǎn)還依賴(lài)于高效的周邊配套設(shè)備。如何優(yōu)化電源模組以滿足高速運(yùn)算與數(shù)據(jù)中心的需求?大聯(lián)大友尚集團(tuán)聯(lián)合
2025-09-01 15:27:002006

TPS7H3302EVM評(píng)估模塊技術(shù)解析

3A,支持測(cè)試DDRDDR2、 DDR3DDR3L和DDR4。該評(píng)估模塊配有方便的測(cè)試點(diǎn)和跳線,用于評(píng)估TPS7H3302-SEP DDR端子。TPS7H3302EVM評(píng)估模塊非常適合用于抗輻射DDR電源應(yīng)用以及用于DDR、DDR2、DDR3DDR4的存儲(chǔ)終端穩(wěn)壓。
2025-08-27 16:14:21831

紫光國(guó)芯車(chē)規(guī)級(jí)DDR3/LPDDR4X低功耗高可靠,賦能汽車(chē)電子國(guó)產(chǎn)化

憑借與紫光國(guó)芯的緊密合作,貞光科技能夠?yàn)榭蛻籼峁?b class="flag-6" style="color: red">DDR3、LPDDR4及LPDDR4X全系列車(chē)規(guī)級(jí)存儲(chǔ)產(chǎn)品。在產(chǎn)品覆蓋、技術(shù)支持和供應(yīng)保障等方面的綜合優(yōu)勢(shì),使貞光科技成為車(chē)載電子領(lǐng)域可靠且高效
2025-08-26 16:12:151423

西門(mén)子PLC通過(guò)穩(wěn)聯(lián)技術(shù)EtherCAT轉(zhuǎn)Profinet網(wǎng)關(guān)連接baumuller伺服器的配置案例

工業(yè)以太網(wǎng)線連接至網(wǎng)關(guān)的Profinet接口 2. 網(wǎng)關(guān)的EtherCAT主站接口通過(guò)EtherCAT專(zhuān)用電纜(帶雙絞屏蔽)連接baumuller伺服器的EtherCAT從站接口 3. 若多軸控制,采
2025-08-14 16:49:39598

神雲(yún)科技攜手產(chǎn)業(yè)夥伴 于 OCP APAC Summit 2025 展示開(kāi)放式 AI 伺服器解決方案

臺(tái)北2025年8月8日 /美通社/ -- 作為專(zhuān)業(yè)伺服器設(shè)計(jì)與制造商,神達(dá)控股股份有限公司(股票代號(hào):3706)旗下子公司神雲(yún)科技股份有限公司(MiTAC Computing Technology
2025-08-08 22:16:56410

瑞薩RZ/G2L MPU的DDR配置(2)

DDR3 作為第三代雙倍數(shù)據(jù)速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ),在內(nèi)存發(fā)展歷程中具有重要地位。它采用了8n預(yù)取架構(gòu),即每個(gè)時(shí)鐘周期能夠傳輸8倍于數(shù)據(jù)位寬的數(shù)據(jù)量,這使得數(shù)據(jù)傳輸效率大幅提升 。
2025-08-04 13:42:342910

意法半導(dǎo)體推出EVLSERVO1伺服驅(qū)動(dòng)參考設(shè)計(jì)

意法半導(dǎo)體EVLSERVO1伺服驅(qū)動(dòng)參考設(shè)計(jì)提供了一款高度緊湊的解決方案,專(zhuān)為大功率電機(jī)控制應(yīng)用而設(shè)計(jì),為開(kāi)發(fā)者打造了無(wú)需妥協(xié)的完整交鑰匙平臺(tái),助力探索、開(kāi)發(fā)和原型驗(yàn)證。
2025-08-01 09:40:50756

AD設(shè)計(jì)DDR3時(shí)等長(zhǎng)設(shè)計(jì)技巧

本文緊接著前一個(gè)文檔《AD設(shè)計(jì)DDR3時(shí)等長(zhǎng)設(shè)計(jì)技巧-數(shù)據(jù)線等長(zhǎng) 》。本文著重講解DDR地址線、控制信號(hào)線等長(zhǎng)設(shè)計(jì),因?yàn)榈刂肪€、控制信號(hào)線有分支,SOC有可能帶有2片DDR或者更多,我們叫做T型分支
2025-07-29 16:14:512

AD設(shè)計(jì)DDR3時(shí)等長(zhǎng)設(shè)計(jì)技巧

的講解數(shù)據(jù)線等長(zhǎng)設(shè)計(jì)。? ? ? 在另一個(gè)文件《AD設(shè)計(jì)DDR3時(shí)等長(zhǎng)設(shè)計(jì)技巧-地址線T型等長(zhǎng)》中著重講解使用AD設(shè)計(jì)DDR地址線走線T型走線等長(zhǎng)處理的方法和技巧。
2025-07-28 16:33:124

承擔(dān)CANOPEN轉(zhuǎn)PROFINET協(xié)議轉(zhuǎn)換功能的網(wǎng)關(guān)與臺(tái)達(dá)伺服器的連接

西門(mén)子S7 - 1200系列PLC可編程邏輯控制(PLC),需與具備CANOPEN通訊功能的伺服驅(qū)動(dòng)設(shè)備進(jìn)行連接。西門(mén)子的PLC采用PROFINET實(shí)時(shí)以太網(wǎng)通訊協(xié)議,若要連接CANOPEN設(shè)備
2025-07-24 18:01:55420

江波龍企業(yè)級(jí)DDR5 RDIMM率先完成AMD Threadripper PRO 9000WX系列兼容性認(rèn)證

ThreadripperPRO9000WX系列,最多擁有96核心192線程,性能全面優(yōu)化。作為AMD官方合作伙伴,江波龍企業(yè)級(jí)BG系列DDR5RDIMM率先通過(guò)該平臺(tái)嚴(yán)苛兼容性測(cè)試,并被指定為官方工作站
2025-07-23 21:04:21913

芯電子第3代1200V 35mΩ SiC MOSFET量產(chǎn)交付應(yīng)用

近期,中國(guó)領(lǐng)先的碳化硅(SiC)功率器件與IC解決方案供應(yīng)商——芯電子開(kāi)發(fā)的首批第3代1200V SiC 35mΩ MOSFET產(chǎn)品,憑借優(yōu)秀的性能與品質(zhì)贏得多家重要客戶訂單,已量產(chǎn)交付近200萬(wàn)顆,為應(yīng)用系統(tǒng)提供高效、可靠的解決方案。
2025-07-16 14:08:231043

【RK3568+PG2L50H開(kāi)發(fā)板實(shí)驗(yàn)例程】FPGA部分 | DDR3 讀寫(xiě)實(shí)驗(yàn)例程

的總線寬度共為 16bit。DDR3 SDRAM 的最高數(shù)據(jù)速率 1066Mbps。 2.1. DDR3 控制簡(jiǎn)介 PG2L50H 為用戶提供一套完整的 DDR memory 控制解決方案,配置
2025-07-10 10:46:48

【高云GW5AT-LV60 開(kāi)發(fā)套件試用體驗(yàn)】基于開(kāi)發(fā)板進(jìn)行深度學(xué)習(xí)實(shí)踐,并盡量實(shí)現(xiàn)皮膚病理圖片的識(shí)別,第三階段

緩沖。 src\\\\axi\\\\axi4_ctrl.v: 核心的AXI控制(我們?cè)谏弦粏?wèn)中詳細(xì)分析過(guò))。它負(fù)責(zé)將ISP處理完的RGB圖像數(shù)據(jù)流寫(xiě)入DDR3內(nèi)存,并在需要時(shí)再?gòu)?b class="flag-6" style="color: red">DDR3中讀出
2025-07-06 15:18:53

模組化與微小化如何革新伺服器電源效率

AI被形容為「吃電怪獸」絕非夸飾,我們迫切需要更創(chuàng)新的方法來(lái)提升能源效率 。USI環(huán)旭電子的電源模組事業(yè)占有舉足輕重的地位,主要應(yīng)用于兩大高成長(zhǎng)領(lǐng)域:電動(dòng)車(chē)(EV)與AI伺服器(AI Server
2025-07-05 16:12:181287

DDR內(nèi)存市場(chǎng)現(xiàn)狀和未來(lái)發(fā)展

DDR內(nèi)存占據(jù)主導(dǎo)地位。全球DDR內(nèi)存市場(chǎng)正經(jīng)歷一場(chǎng)前所未有的價(jià)格風(fēng)暴。由于原廠加速退出DDR3/DDR4市場(chǎng),轉(zhuǎn)向DDR5和HBM(高帶寬內(nèi)存)生產(chǎn),DDR3DDR4市場(chǎng)呈現(xiàn)供不應(yīng)求、供需失衡、漲勢(shì)延續(xù)的局面。未來(lái),DDR5滲透率將呈現(xiàn)快速提升,市場(chǎng)份額增長(zhǎng)的趨勢(shì)。
2025-06-25 11:21:152009

ZR電機(jī)高階性能輕松駕馭3C電子行業(yè)各應(yīng)用場(chǎng)景

國(guó)奧科技ZR電機(jī)以高階性能駕馭中階需求,輕松適配3C電子制造行業(yè)多種裝配與檢測(cè)場(chǎng)景
2025-06-20 18:08:50703

Bourns 全新推出兩款屏蔽功率電感系列 專(zhuān)為 DDR5 電源管理電路開(kāi)發(fā)

電子組件領(lǐng)導(dǎo)制造供貨商,全新推出 SRP2512CL?和?SRP3212CL?系列屏蔽功率電感。這兩個(gè)全新系列具備低交流阻抗 (ACR) 與低直流內(nèi)阻 (DCR),可有效降低能量損耗并提升效率
2025-06-16 15:27:091100

EtherCAT轉(zhuǎn)CANopen網(wǎng)關(guān)與伺服器在匯川組態(tài)軟件上的配置步驟

EtherCAT轉(zhuǎn)CANopen網(wǎng)關(guān)與伺服器在匯川組態(tài)軟件上的配置步驟 匯川組態(tài)軟件在工業(yè)自動(dòng)化領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用,該軟件能夠有效地實(shí)現(xiàn)EtherCAT轉(zhuǎn)CANopen網(wǎng)關(guān)與伺服器的集成配置
2025-06-12 10:06:26924

上海貝嶺推出全新DDR5 SPD芯片BL5118

隨著計(jì)算密集型任務(wù)的日益增長(zhǎng),DDR4內(nèi)存的性能瓶頸已逐步顯現(xiàn)。DDR5的出現(xiàn)雖解燃眉急,但真正推動(dòng)內(nèi)存發(fā)揮極致性能的背后“功臣”——正是 DDR5 SPD(Serial Presence Detect)芯片。
2025-06-11 10:07:301913

貞光科技:紫光國(guó)芯車(chē)規(guī)DDR3在智能駕駛與ADAS中的應(yīng)用

隨著汽車(chē)產(chǎn)業(yè)向智能化、網(wǎng)聯(lián)化加速轉(zhuǎn)型,高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng)(ADAS)和智能駕駛技術(shù)已成為現(xiàn)代汽車(chē)不可或缺的核心組件。紫光國(guó)芯作為國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的存儲(chǔ)芯片制造商,其車(chē)規(guī)級(jí)DDR3存儲(chǔ)產(chǎn)品在智能駕駛和ADAS
2025-06-05 16:50:171220

在Vivado調(diào)用MIG產(chǎn)生DDR3的問(wèn)題解析

下面是調(diào)用的DDR3模塊的,模塊的倒數(shù)第二行是,模塊的時(shí)鐘輸入,時(shí)鐘源來(lái)自PLL產(chǎn)生的系統(tǒng)時(shí)鐘的倍頻。
2025-05-03 10:21:001339

LP2996-N 1.5A DDR 終端穩(wěn)壓,帶 DDR2 關(guān)斷引腳數(shù)據(jù)手冊(cè)

LP2996-N 和 LP2996A 線性穩(wěn)壓旨在滿足 JEDEC SSTL-2 標(biāo)準(zhǔn) DDR-SDRAM 終止規(guī)范。該器件還支持 DDR2,而 LP2996A 支持 DDR3DDR3
2025-04-29 18:11:05834

TPS51100 3A 拉/灌 DDR 端接穩(wěn)壓數(shù)據(jù)手冊(cè)

終端供電。這 該器件還支持 DDR3 VTT 端接,VDDQ 電壓為 1.5 V(典型值)。此外,TPS51100 包括集成的睡眠狀態(tài)控制、在 S3 中將 VTT 置于 Hi-Z(暫停到 RAM)和軟
2025-04-29 17:15:20774

TPS51116 完整的DDRDDR2、DDR3DDR3L、LPDDR3DDR4 電源解決方案同步降壓控制數(shù)據(jù)手冊(cè)

TPS51116為 DDR/SSTL-2、DDR2/SSTL-18、DDR3/SSTL-15、DDR3L、LPDDR3DDR4 內(nèi)存系統(tǒng)提供完整的電源。它將同步降壓控制3A 灌電流/拉
2025-04-29 16:38:021031

DDR模塊的PCB設(shè)計(jì)要點(diǎn)

在高速PCB設(shè)計(jì)中,DDR模塊是絕對(duì)繞不過(guò)去的一關(guān)。無(wú)論你用的是DDR、DDR2還是DDR3,只要設(shè)計(jì)不規(guī)范,后果就是——信號(hào)反射、時(shí)序混亂、系統(tǒng)頻繁死機(jī)。
2025-04-29 13:51:032491

LP2998系列 帶關(guān)斷引腳的 1.5A DDR 終端穩(wěn)壓數(shù)據(jù)手冊(cè)

LP2998 線性穩(wěn)壓旨在滿足 JEDEC SSTL-2 和 JEDEC SSTL-18 標(biāo)準(zhǔn) DDR-SDRAM 和 DDR2 內(nèi)存終止的規(guī)范。該器件還支持 DDR3DDR3L VTT
2025-04-29 11:34:59810

TPS51200 3A 灌電流 / 拉電流 DDR 終端穩(wěn)壓,帶有 VTTREF 緩沖基準(zhǔn)數(shù)據(jù)手冊(cè)

TPS51200 器件是一款灌電流和拉電流雙倍數(shù)據(jù)速率 (DDR) 終端穩(wěn)壓,專(zhuān)為空間受限的低輸入電壓、低成本、低噪聲系統(tǒng)而設(shè)計(jì)。 該TPS51200保持快速瞬態(tài)響應(yīng),并且需要的最小輸出電容
2025-04-29 09:59:251345

TPS51200-Q1 汽車(chē)目錄 灌電流/拉電流 DDR 端接穩(wěn)壓數(shù)據(jù)手冊(cè)

TPS51200-Q1 器件是一款灌電流和拉電流雙倍數(shù)據(jù)速率 (DDR) 終端穩(wěn)壓,專(zhuān)為空間受限的低輸入電壓、低成本、低噪聲系統(tǒng)而設(shè)計(jì)。 TPS51200-Q1 器件保持快速瞬態(tài)響應(yīng),并且
2025-04-28 16:21:07852

TPS59116 完整的 DDR、DDR2 和 DDR3 存儲(chǔ)電源解決方案,用于嵌入式計(jì)算的同步降壓控制數(shù)據(jù)手冊(cè)

TPS59116 為 DDR/SSTL-2、DDR2/SSTL-18 和 DDR3 內(nèi)存提供完整的電源 系統(tǒng)。它將同步降壓控制3A 灌電流/拉電流跟蹤線性穩(wěn)壓和緩沖低噪聲基準(zhǔn)集成在一起
2025-04-28 13:54:45814

TPS51216 DDR2/3/3L/4 存儲(chǔ)電源解決方案同步降壓控制、2A LDO、緩沖基準(zhǔn)數(shù)據(jù)手冊(cè)

TPS51216 以最低的總成本和最小的空間為 DDR2、DDR3DDR3L 內(nèi)存系統(tǒng)提供完整的電源。它將同步降壓穩(wěn)壓控制 (VDDQ) 與 2A 灌/拉跟蹤 LDO (VTT) 和緩
2025-04-28 11:09:05663

TPS51916 DDR2/3/3L/4 內(nèi)存電源解決方案同步降壓控制數(shù)據(jù)手冊(cè)

TPS51916 器件以最低的總成本和最小的空間為 DDR2、DDR3、DDR3L 和 DDR4 內(nèi)存系統(tǒng)提供完整的電源。它集成了同步降壓穩(wěn)壓控制 (VDDQ),具有 2A 灌電流和 2A 源跟蹤 LDO (VTT) 和緩沖低噪聲基準(zhǔn) (VTTREF)。
2025-04-28 10:58:44657

TPS51206 2A 峰值灌電流 / 拉電流 DDR 終端穩(wěn)壓,帶有 VTTREF 緩沖基準(zhǔn)數(shù)據(jù)手冊(cè)

TPS51206 器件是一款灌電流和拉電流雙倍數(shù)據(jù)速率 (DDR) 終端穩(wěn)壓,具有 VTTREF 緩沖基準(zhǔn)輸出。它專(zhuān)為空間是關(guān)鍵考慮因素的低輸入電壓、低成本、低外部元件數(shù)系統(tǒng)而設(shè)計(jì)。該器件可保持
2025-04-28 10:04:48685

TPS51116-EP 增強(qiáng)型產(chǎn)品 DDR1、DDR2、DDR3 切換和 LDO數(shù)據(jù)手冊(cè)

TPS51116為 DDR/SSTL-2、DDR2/SSTL-18、DDR3/SSTL-15、 和 LPDDR3 內(nèi)存系統(tǒng)。它將同步降壓控制與 1A 灌電流/拉電流集成在一起 跟蹤線性穩(wěn)壓和緩
2025-04-27 13:35:32741

TPS51716 完整的 DDR2/3/3L/4 存儲(chǔ)電源解決方案同步降壓控制數(shù)據(jù)手冊(cè)

TPS51716為 DDR2、DDR3、DDR3L、LPDDR3DDR4 提供完整的電源 以最低的總成本和最小空間實(shí)現(xiàn)內(nèi)存系統(tǒng)。它集成了一個(gè)同步降壓 具有 2A 灌電流/拉電流跟蹤 LDO
2025-04-27 11:36:05763

LP2998-Q1 用于汽車(chē)應(yīng)用的 DDR 終端穩(wěn)壓數(shù)據(jù)手冊(cè)

LP2998 線性穩(wěn)壓旨在滿足 JEDEC SSTL-2 和 JEDEC SSTL-18 標(biāo)準(zhǔn) DDR-SDRAM 和 DDR2 內(nèi)存終止的規(guī)范。該器件還支持 DDR3DDR3L VTT
2025-04-27 09:40:04874

LP2996A 1.5A DDR 終端穩(wěn)壓,帶關(guān)斷引腳,用于 DDR2/3/3L數(shù)據(jù)手冊(cè)

LP2996A 線性穩(wěn)壓旨在滿足 JEDEC SSTL-2 規(guī)范 DDR-SDRAM 終止。該器件還支持 DDR2、DDR3DDR3L VTT 總線端接,帶 V~DDQ~最小為 1.35V
2025-04-26 15:02:50746

TPS51216-EP 增強(qiáng)型產(chǎn)品 完整的 DDR2、DDR3DDR3L 內(nèi)存電源解決方案 同步降壓控制數(shù)據(jù)手冊(cè)

TPS51216-EP 以最低的總成本和最小的空間為 DDR2、DDR3DDR3L 內(nèi)存系統(tǒng)提供完整的電源。它將同步降壓穩(wěn)壓控制 (VDDQ) 與 2A 灌/拉跟蹤 LDO (VTT) 和緩
2025-04-26 11:12:30681

TPS51200-EP 灌電流/拉電流 DDR 終端穩(wěn)壓數(shù)據(jù)手冊(cè)

TPS51200-EP 器件是一款灌電流和拉電流雙倍數(shù)據(jù)速率 (DDR) 終端穩(wěn)壓 專(zhuān)為空間受限的低輸入電壓、低成本、低噪聲系統(tǒng)而設(shè)計(jì) 考慮。 TPS51200-EP 保持快速瞬態(tài)響應(yīng),并且
2025-04-26 10:26:351335

TPS51200A-Q1 灌電流和拉電流 DDR 終端穩(wěn)壓數(shù)據(jù)手冊(cè)

TPS51200A-Q1 器件是一款灌電流和拉電流雙倍數(shù)據(jù)速率 (DDR) 終端穩(wěn)壓,專(zhuān)為空間受限的低輸入電壓、低成本、低噪聲系統(tǒng)而設(shè)計(jì)。 該器件保持快速瞬態(tài)響應(yīng),并且只需要 20 μF
2025-04-25 10:07:151053

國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)替代新勢(shì)力:紫光國(guó)芯推出DDR3RDIMM高性能解決方案

在全球科技競(jìng)爭(zhēng)加劇、國(guó)產(chǎn)替代加速推進(jìn)的背景下,紫光國(guó)芯憑借其在DDR3RDIMM等高端內(nèi)存芯片領(lǐng)域的技術(shù)積累,不斷實(shí)現(xiàn)突破,推動(dòng)國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片向高端市場(chǎng)邁進(jìn)。作為其核心代理商,貞光科技在市場(chǎng)推廣
2025-04-16 16:39:301342

DDR3 SDRAM配置教程

DDR3 SDRAM(Double-Data-Rate ThreeSynchronous Dynamic Random Access Memory)是DDR SDRAM的第三代產(chǎn)品,相較于DDR2,DDR3有更高的運(yùn)行性能與更低的電壓。
2025-04-10 09:42:533930

支持DDR存儲(chǔ)、內(nèi)置充電器和RTC的RAA215300高性能9通道PMIC數(shù)據(jù)手冊(cè)

RAA215300 是一款高性能、低成本的 9 通道 PMIC,專(zhuān)為 32 位和 64 位 MCU 和 MPU 應(yīng)用而設(shè)計(jì)。 該 PMIC 支持DDR3、DDR3L、DDR4 和 LPDDR4 內(nèi)存
2025-04-09 15:31:25657

求助,關(guān)于iMX DDR3寄存編程輔助問(wèn)題求解

我們目前正在使用 iMX6UL DDR 寄存編程輔助工具為 U-Boot 生成 DCD 表。我們的設(shè)備使用的是 MT41K128M16JT-107,即 DDR3-1866,這意味著它的時(shí)鐘周期頻率
2025-03-27 07:16:35

燦芯半導(dǎo)體推出DDR3/4和LPDDR3/4 Combo IP

燦芯半導(dǎo)體(上海)股份有限公司(燦芯股份,688691)宣布推出基于28HKD 0.9V/2.5V 平臺(tái)的DDR3/4, LPDDR3/4 Combo IP。該IP具備廣泛的協(xié)議兼容性,支持DDR3
2025-03-21 16:20:03984

初次使用XC7A35T-FGG484做設(shè)計(jì),用的是25MHZ有源晶振,有源晶振3.3V供電,DDR3的供電1.35V,現(xiàn)在接上晶振后,DDR3的供電變成1.8V

初次使用XC7A35T-FGG484做設(shè)計(jì),用的是25MHZ有源晶振,有源晶振3.3V供電,DDR3的供電1.35V,現(xiàn)在接上晶振后,DDR3的供電變成1.8V 求助怎么解決。
2025-03-21 14:25:05

有獎(jiǎng)直播 | @3/18 解鎖智慧感測(cè),驅(qū)動(dòng)工業(yè)與伺服器應(yīng)用的無(wú)限潛能

工業(yè)自動(dòng)化和伺服器市場(chǎng)的快速發(fā)展,對(duì)高效、安全的信號(hào)傳輸和散熱解決方案提出了更高要求。大聯(lián)大詮鼎集團(tuán)聯(lián)合東芝半導(dǎo)體將全面解析其最新的Digitalisolator產(chǎn)品及伺服器散熱馬達(dá)驅(qū)動(dòng)方案,助力客戶解鎖工業(yè)與伺服器應(yīng)用的無(wú)限潛能。
2025-03-13 08:00:00817

芯電子推出全新碳化硅半橋功率模塊IV1B12009HA2L

近日,芯電子推出1B封裝的1200V 9mΩ 碳化硅(SiC)半橋功率模塊(IV1B12009HA2L)為光伏、儲(chǔ)能和充電樁等應(yīng)用場(chǎng)景,提供了高效、低成本的解決方案。該產(chǎn)品已通過(guò)工業(yè)級(jí)可靠性測(cè)試。
2025-03-11 15:22:521249

DDR內(nèi)存控制的架構(gòu)解析

DDR內(nèi)存控制是一個(gè)高度集成的組件,支持多種DDR內(nèi)存類(lèi)型(DDR2、DDR3DDR3L、LPDDR2),并通過(guò)精心設(shè)計(jì)的架構(gòu)來(lái)優(yōu)化內(nèi)存訪問(wèn)效率。
2025-03-05 13:47:403573

芯電子推出2000V SiC 4相升壓功率模塊

日前,芯電子正式推出3B封裝的2000V 碳化硅(SiC) 4相升壓功率模塊產(chǎn)品(IV3B20023BA2),為光伏等領(lǐng)域提供了高電壓、高功率密度的解決方案。該產(chǎn)品已通過(guò)工業(yè)級(jí)可靠性測(cè)試,并在光伏客戶導(dǎo)入驗(yàn)證。
2025-03-01 09:27:101306

Microchip推出SAMA7D65系列微處理

Microchip Technology Inc.(微芯科技公司)今日宣布推出基于Arm Cortex-A7內(nèi)核的SAMA7D65系列微處理(MPU),運(yùn)行頻率高達(dá)1 GHz,并提供集成2 Gb DDR3L的系統(tǒng)級(jí)封裝(SiP)及片上系統(tǒng)(SoC)兩款型號(hào),專(zhuān)為人機(jī)接口(HMI)及高連接性應(yīng)用設(shè)計(jì)。
2025-02-28 10:08:191432

三大內(nèi)存原廠或?qū)⒂?025年停產(chǎn)DDR3/DDR4

據(jù)報(bào)道,業(yè)內(nèi)人士透露,全球三大DRAM內(nèi)存制造商——三星電子、SK海力士和美光,有望在2025年內(nèi)正式停產(chǎn)已有多年歷史的DDR3DDR4兩代內(nèi)存。 隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步和消費(fèi)級(jí)平臺(tái)的更新?lián)Q代
2025-02-19 11:11:513460

導(dǎo)遠(yuǎn)科技產(chǎn)品賦能比亞迪“天神眼”高階智駕系統(tǒng)

導(dǎo)遠(yuǎn)科技多款定位產(chǎn)品已在比亞迪旗下多種車(chē)型實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)交付,賦能“天神眼”高階智駕系統(tǒng)。
2025-02-14 10:13:52931

比亞迪全系車(chē)型搭載高階智駕技術(shù)

2月10日,比亞迪舉辦智能化戰(zhàn)略發(fā)布會(huì),重磅發(fā)布全民智駕戰(zhàn)略。在整車(chē)智能戰(zhàn)略下,比亞迪構(gòu)建起天神眼技術(shù)矩陣,其全系車(chē)型將搭載高階智駕技術(shù),其中天神眼 C首批上市21款車(chē)型,覆蓋7萬(wàn)級(jí)到20萬(wàn)級(jí),包括價(jià)格親民的海鷗,讓高階智駕人人可享,引領(lǐng)汽車(chē)行業(yè)智能化變革。
2025-02-11 13:45:40754

比亞迪發(fā)布高階智駕系統(tǒng)“天神眼”

2月10日,比亞迪在智能化戰(zhàn)略發(fā)布會(huì)上震撼發(fā)布了其最新研發(fā)的高階智能駕駛輔助系統(tǒng)——“天神眼”。這一創(chuàng)新成果的發(fā)布,標(biāo)志著比亞迪在智能駕駛技術(shù)領(lǐng)域邁出了重要的一步。 據(jù)比亞迪董事長(zhǎng)兼總裁王傳福介紹
2025-02-11 09:37:321348

MTA9ASF1G72AZ-3G2R1是一款高性能的DDR3 SDRAM內(nèi)存模塊

;MTA9ASF1G72AZ-3G2R1是一款高性能的DDR3 SDRAM內(nèi)存模塊,專(zhuān)為滿足現(xiàn)代計(jì)算需求而設(shè)計(jì)。該產(chǎn)品以其高帶寬和低功耗的特性,廣泛應(yīng)用于個(gè)人電腦、服務(wù)和嵌入式系統(tǒng)中,成為市場(chǎng)上備
2025-02-10 20:10:39

M471A2G43AB2-CWE 是一款高性能的 DDR4 SO-DIMM 內(nèi)存模塊

M471A2G43AB2-CWE 是一款高性能的 DDR4 SO-DIMM 內(nèi)存模塊,具有 16GB 的容量,專(zhuān)為滿足現(xiàn)代移動(dòng)計(jì)算需求而設(shè)計(jì)。這款內(nèi)存條采用了 Samsung 的先進(jìn)技術(shù),適用于各種
2025-02-10 07:49:49

M425R2GA3PB0-CWM 是一款高性能的 DDR5 SO-DIMM 內(nèi)存模塊

M425R2GA3PB0-CWM 是一款高性能的 DDR5 SO-DIMM 內(nèi)存模塊,具有 16GB 的容量,專(zhuān)為滿足現(xiàn)代移動(dòng)計(jì)算需求而設(shè)計(jì)。這款內(nèi)存條采用了 Samsung 的先進(jìn)技術(shù),適用于各種
2025-02-10 07:49:16

M471A1G44CB0-CWE 是一款高性能的 DDR4 SO-DIMM 內(nèi)存模塊

M471A1G44CB0-CWE 是一款高性能的 DDR4 SO-DIMM 內(nèi)存模塊,具有 8GB 的容量,專(zhuān)為滿足現(xiàn)代移動(dòng)計(jì)算需求而設(shè)計(jì)。這款內(nèi)存條采用了 Samsung 的先進(jìn)技術(shù),適用于各類(lèi)
2025-02-10 07:48:41

M425R1GB4PB0-CWM 是一款高性能的 DDR5 SO-DIMM 內(nèi)存模塊

 M425R1GB4PB0-CWM 是一款高性能的 DDR5 SO-DIMM 內(nèi)存模塊,具有 8GB 的容量,專(zhuān)為滿足現(xiàn)代移動(dòng)計(jì)算需求而設(shè)計(jì)。這款內(nèi)存條采用了最新的 DDR5 技術(shù),具有
2025-02-10 07:47:57

比亞迪將發(fā)布“天神眼”高階智駕系統(tǒng)

近日,比亞迪宣布將于2月10日19:30在深圳總部隆重召開(kāi)智能化戰(zhàn)略發(fā)布會(huì)。此次發(fā)布會(huì)的重頭戲是推介比亞迪自主研發(fā)的“天神眼”高階智能駕駛系統(tǒng),旨在通過(guò)技術(shù)創(chuàng)新進(jìn)一步降低智能駕駛的使用門(mén)檻,推動(dòng)
2025-02-07 10:56:581242

樹(shù)科技在物聯(lián)網(wǎng)方面

樹(shù)科技在物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域有多方面的涉及和發(fā)展,以下是一些具體信息: 傳感技術(shù)合作 與傳感公司合作:樹(shù)科技與一些傳感技術(shù)公司有合作,例如奧比中光為樹(shù)機(jī)器狗提供激光雷達(dá)及結(jié)構(gòu)光傳感,這些傳感
2025-02-04 06:48:00

創(chuàng)見(jiàn)推出DDR5 6400 CUDIMM內(nèi)存條

創(chuàng)見(jiàn)(Transcend)近日宣布面向消費(fèi)領(lǐng)域推出DDR5 6400 CUDIMM內(nèi)存條,為硬件市場(chǎng)注入新活力。 該系列最先面世的型號(hào)為16GB容量單條模組,專(zhuān)為游戲玩家、內(nèi)容創(chuàng)作者、計(jì)算機(jī)DIY
2025-01-24 11:16:181754

德明利DDR5內(nèi)存助力AI PC時(shí)代存儲(chǔ)性能與市場(chǎng)增長(zhǎng)

2024年作為AIPC元年伴隨異構(gòu)算力(CPU+GPU+NPU)需求高漲及新處理平臺(tái)推出DDR5內(nèi)存以高速率、大容量低延遲與高帶寬有效滿足高性能算力要求加速本地AI大模型運(yùn)行效率推動(dòng)AIPC硬件端
2025-01-21 16:34:412426

科技UCIe IP設(shè)計(jì)定案,實(shí)現(xiàn)高速傳輸技術(shù)突破

全球高速接口IP領(lǐng)域的佼佼者乾科技(InPsytech, Inc.)近日宣布,其Universal Chiplet Interconnect Express(UCIe)系列產(chǎn)品在性能與效率方面
2025-01-21 10:44:01906

科技發(fā)布全新汽車(chē)IP解決方案

科技(InPsytech, Inc.),作為神盾集團(tuán)旗下硅智財(cái)(IP)領(lǐng)域的佼佼者,近日隆重推出了針對(duì)汽車(chē)產(chǎn)業(yè)的全新IP解決方案。這一創(chuàng)新成果旨在為智能車(chē)輛、先進(jìn)駕駛輔助系統(tǒng)(ADAS)以及
2025-01-06 10:54:54840

已全部加載完成