電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有閂鎖效應(yīng)抑制特性的互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)開關(guān)TMUX722x數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-20 13:49:53
0 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《現(xiàn)代互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體 (CMOS) 模擬多路復(fù)用TMUX734xF數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-20 11:27:50
0 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有閂鎖效應(yīng)抑制特性的互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體 (CMOS) 開關(guān)TMUX7219M數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-20 11:12:39
0 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體 (CMOS) 多路復(fù)用器TMUX4827數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-20 10:57:05
0 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有閂鎖效應(yīng)抑制特性的互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體 (CMOS) 開關(guān)TMUX7236數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-20 10:56:00
0 金航標(biāo)和薩科微總經(jīng)理宋仕強(qiáng)說,中國還有一個優(yōu)勢就是有全世界最大的半導(dǎo)體消費(fèi)市場,有超過1萬億人民幣的規(guī)模,全球占比34%,領(lǐng)先美國(27%),更大幅領(lǐng)先歐洲和日韓,金航標(biāo)電子是在的中國的連接器市場也
2024-03-18 11:39:25
深圳市薩科微半導(dǎo)體有限公司,技術(shù)骨干來自清華大學(xué)和韓國延世大學(xué),掌握第三代半導(dǎo)體碳化硅功率器件國際領(lǐng)先的工藝,和第五代超快恢復(fù)功率二極管技術(shù)。薩科微slkor(www.slkormicro.com
2024-03-15 11:22:07
榮湃半導(dǎo)體近日宣布推出其最新研發(fā)的Pai8265xx系列柵極驅(qū)動器,該系列驅(qū)動器基于電容隔離技術(shù),集成了多種保護(hù)功能,專為驅(qū)動SiC、IGBT和MOSFET等功率管而設(shè)計。這款產(chǎn)品的推出,標(biāo)志著榮湃半導(dǎo)體在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的技術(shù)創(chuàng)新再次取得突破。
2024-03-12 11:11:52
248 意法半導(dǎo)體(ST)近日推出了一系列功率MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動器,這些產(chǎn)品不僅在設(shè)計上追求穩(wěn)健性和可靠性,還致力于提供高度的系統(tǒng)集成性和靈活性,以滿足不同應(yīng)用場景的需求。
2024-03-12 10:54:43
224 近日,全球知名的半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商Vishay宣布推出新型80V對稱雙通道N溝道功率MOSFET,型號為SiZF4800LDT。這款新產(chǎn)品將高邊和低邊TrenchFET? Gen IV
2024-03-12 10:32:02
93 東芝電子元件及存儲裝置株式會社(以下簡稱“東芝”)近日宣布,其最新研發(fā)的DTMOSVI系列高速二極管型功率MOSFET已正式推出。該系列產(chǎn)品特別適用于數(shù)據(jù)中心和光伏功率調(diào)節(jié)器等關(guān)鍵應(yīng)用的開關(guān)電源,展現(xiàn)了東芝在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的深厚實力與持續(xù)創(chuàng)新。
2024-03-12 10:27:36
255 ,TSS已經(jīng)成為電子領(lǐng)域中的重要組成部分,被廣泛應(yīng)用于電力電子、通訊、光電子等領(lǐng)域。
二、半導(dǎo)體放電管TSS的工作原理TSS的工作原理基于快速開關(guān)的思想,其結(jié)構(gòu)主要由一個PN結(jié)或P-i-N結(jié)、一個控制電極
2024-03-06 10:07:51
、光電子等領(lǐng)域。
二、半導(dǎo)體放電管TSS的工作原理TSS的工作原理基于快速開關(guān)的思想,其結(jié)構(gòu)主要由一個PN結(jié)或P-i-N結(jié)、一個控制電極和一個負(fù)載組成。當(dāng)控制電極施加足夠的正壓電信號時,PN結(jié)或
2024-03-06 10:03:11
意法半導(dǎo)體(下文為ST)的功率MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動器旨在提供穩(wěn)健性、可靠性、系統(tǒng)集成性和靈活性的完美結(jié)合。
2024-02-27 09:05:36
578 
MOSFET,全稱為Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor,即金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,也稱為功率MOS場效應(yīng)晶體管。
2024-02-21 16:25:23
516 
Littelfuse 宣布推出SM10壓敏電阻系列,這是一款革命性的金屬氧化物壓敏電阻 (MOV),旨在為汽車電子器件、電動汽車 (EV) 以及其他各類應(yīng)用提供卓越的瞬態(tài)浪涌保護(hù)。
2024-02-20 09:51:23
257 MOSFET功率放大器是一種使用MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)技術(shù)的電子設(shè)備,用于增強(qiáng)輸入信號的幅度。MOSFET放大器是音頻源如唱片播放器或CD播放器以及均衡器、前置放大器和揚(yáng)聲器等其他設(shè)備的重要組成部分。
2024-02-19 15:50:56
476 
HI-3182PSX-N、HI-3182PSX-N, HI-3184PSX-N and HI-3185PSX-N總線接口產(chǎn)品是根據(jù)ARINC 429總線規(guī)范設(shè)計的硅柵互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體器件。除了
2024-02-19 10:30:40
該HI-8585 and HI-8586 是互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體集成電路,設(shè)計用于在8引腳封裝中直接驅(qū)動ARINC 429總線,兩個邏輯輸入控制輸出引腳之間的差分電壓,產(chǎn)生+10伏1、-10伏零
2024-02-19 09:26:34
在現(xiàn)代電子設(shè)備中,金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)是一種至關(guān)重要的半導(dǎo)體器件。
2024-02-18 16:39:12
1010 
【米爾-瑞薩RZ/G2UL開發(fā)板】1.開箱
開箱視頻
開箱也許會遲到,但是絕對不會缺席。今天開箱的是米爾-瑞薩 RZ/G2UL 開發(fā)板,這是目前筆者接觸到的第二款米爾開發(fā)板。那么這塊板子又會給大家
2024-02-04 23:38:07
有限公司,技術(shù)骨干來自清華大學(xué)和韓國延世大學(xué),掌握國際領(lǐng)先的碳化硅器件技術(shù),slkor愿景是成為“半導(dǎo)體行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者”。產(chǎn)品包括二極管三極管、功率器件、電源管理芯片等三大系列,發(fā)展成為集成電路設(shè)計研發(fā)、生產(chǎn)
2024-02-02 09:52:12
的基本結(jié)構(gòu)。MOSFET是金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)的簡稱。它由一個絕緣層上方的金屬接電
2024-01-31 13:39:45
300 服務(wù)范圍MOSFET、IGBT、DIODE、BJT,第三代半導(dǎo)體器件等分立器件,以及上述元件構(gòu)成的功率模塊。檢測標(biāo)準(zhǔn)l AEC-Q101分立器件認(rèn)證l MIL-STD-750
2024-01-29 22:00:42
三菱電機(jī)近日宣布,將推出一系列新型J3系列功率半導(dǎo)體模塊,專為各類電動汽車(EV、PHEV等)設(shè)計。這些模塊采用先進(jìn)的半導(dǎo)體技術(shù),具有緊湊的設(shè)計和卓越的性能,可大幅提高電動汽車的能效和續(xù)航里程。
2024-01-25 16:04:19
259 三菱電機(jī)集團(tuán)近日(2024年1月23日)宣布即將推出六款用于各種電動汽車(xEV)的新型J3系列功率半導(dǎo)體模塊,
2024-01-24 14:14:07
785 
與工作原理 功率MOSFET主要由四層結(jié)構(gòu)組成:柵極(Gate)、漏極(Drain)、源極(Source)和氧化層(Oxide)。柵極與源極之間有一層絕緣的氧化層,漏極與源極之間有一層導(dǎo)電溝道。當(dāng)柵極施加正向電壓時,會在氧化層下方形成一個導(dǎo)電通道,使漏極和
2024-01-17 17:24:36
294 
MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)是一種常用的功率開關(guān)器件,也是現(xiàn)代電子設(shè)備和電路中最重要的元件之一。它由金屬-氧化物-半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)組成。
2024-01-17 17:16:44
365 寬禁帶半導(dǎo)體材料,具有以下特點: 高擊穿電場強(qiáng)度:GaN具有高絕緣性能和高電子流動性,使其在高電壓應(yīng)用中具有較好的可靠性和穩(wěn)定性。 寬禁帶寬度:GaN的禁帶寬度較寬,使其可以處理高功率和高溫應(yīng)用。 高熱導(dǎo)率:GaN具有很高的熱導(dǎo)率,可
2024-01-10 09:27:32
396 功率半導(dǎo)體是一類特殊的半導(dǎo)體器件,具有高電壓、大電流和高溫等特點,廣泛應(yīng)用于電力電子、電力系統(tǒng)、新能源等領(lǐng)域。本文將對功率半導(dǎo)體的原理和功能進(jìn)行詳細(xì)介紹。 功率半導(dǎo)體的工作原理 功率半導(dǎo)體的工作原理
2024-01-09 16:22:11
380 
V 功率 MOSFET 的半導(dǎo)體制造商,采用全新系統(tǒng)和應(yīng)用優(yōu)化的OptiMOS 7 MOSFET 技術(shù)。新產(chǎn)品創(chuàng)建行業(yè)新基準(zhǔn),我們使客戶能夠在低輸出電壓的 DC-DC 轉(zhuǎn)換領(lǐng)域邁出新的一步, 釋放更優(yōu)秀系統(tǒng)效率和性能,賦能未來。
2023-12-29 12:30:49
362 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/梁浩斌)在我們談?wù)摰谌?b class="flag-6" style="color: red">半導(dǎo)體的時候,常說的碳化硅功率器件一般是指代SiC MOSFET(金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管),而氮化鎵功率器件最普遍的則是GaN HEMT(高電子
2023-12-27 09:11:36
1219 半導(dǎo)體導(dǎo)電原理與金屬導(dǎo)電原理在物理原理和應(yīng)用方面存在一些顯著的差異。 首先,讓我們來了解一下金屬導(dǎo)電原理。金屬通常是良好的導(dǎo)電材料,其導(dǎo)電性可追溯到金屬的電子結(jié)構(gòu)特征。金屬的導(dǎo)電行為可以通過自由電子
2023-12-20 11:19:35
705 、詳實、細(xì)致的比較分析。 一、基本概念 MOSFET和IGBT都是用于功率電子領(lǐng)域的半導(dǎo)體器件。它們的主要區(qū)別在于結(jié)構(gòu)和工作原理。 MOSFET:MOSFET是一種由金屬氧化物絕緣體(MOS)構(gòu)成的雙極性晶體管。它由源極、漏極和柵極組成。在MOSFET中,源極和漏極之間的電流由柵極的電壓控制
2023-12-15 15:25:35
366 MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)是一種廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備中的半導(dǎo)體器件,其主要功能是控制電流的流動。
2023-12-15 15:03:50
2081 【科普小貼士】金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)
2023-12-13 14:22:41
260 
教授李清庭做了“GaN基單片電子器件的集成互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體D模和E模高電子遷移率晶體管”的主題報告。
2023-12-09 14:49:03
921 
,NSF040120L3A0和NSF080120L3A0是安世半導(dǎo)體SiC MOSFET產(chǎn)品組合中首批發(fā)布的產(chǎn)品,隨后安世半導(dǎo)體將持續(xù)擴(kuò)大產(chǎn)品陣容,推出多款具有不同RDS(on)的器件,并提供通孔封裝和表面貼裝封裝供選擇。
2023-12-05 10:33:32
177 ,如功率二極管、功率晶體管、功率MOSFET(金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)等。它們主要在電源、變頻器、電機(jī)驅(qū)動等功率電子領(lǐng)域中使用。 集成電路是將大量電子器件(如晶體管、電阻、電容等)集成在單個芯片上,形成一個完整的
2023-12-04 17:00:57
682 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家 Nexperia(安世半導(dǎo)體)近日宣布推出其首款碳化硅(SiC) MOSFET,并發(fā)布兩款采用 3 引腳 TO-247 封裝的 1200 V 分立器件,RDS(on) 分別為 40 mΩ 和 80 mΩ。
2023-12-04 10:39:50
413 、晶閘管等等,主要用于工業(yè)和電力系統(tǒng)(正因如此,早期才被稱為電力電子器件)后來,隨著以功率MOSFET器件為代表的新型功率半導(dǎo)體器件的迅速發(fā)展,現(xiàn)在功率半導(dǎo)體器件已經(jīng)非常廣泛,在計算機(jī)、通行、消費(fèi)電子
2023-12-03 16:33:19
1134 
官方網(wǎng)站稱,2015年6月成立的鉅芯科技是從事半導(dǎo)體輸出芯片和零部件研發(fā),生產(chǎn),銷售的高新技術(shù)企業(yè)。產(chǎn)品包括半導(dǎo)體分立元件芯片、半導(dǎo)體分立元件、半導(dǎo)體功率模塊及mosfet等。
2023-11-30 10:07:46
343 [半導(dǎo)體前端工藝:第二篇] 半導(dǎo)體制程工藝概覽與氧化
2023-11-29 15:14:34
541 
mosfet工作原理 jfet和mosfet的區(qū)別? MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)是一種現(xiàn)代電子器件,常用于電子電路中的開關(guān)和放大器。它的工作原理與JFET(結(jié)型場效應(yīng)晶體管)有很大
2023-11-22 17:33:30
1060 華芯微特SWM241系列性能完美兼容瑞薩的R5F100LEA,提供更高性價比的小家電32位MCU,SWM241 系列 32 位 MCU 內(nèi)嵌 ARM? CortexTM-M0 內(nèi)核
24位系統(tǒng)定時器
2023-11-20 15:43:07
MOSFET由MOS(MetalOxideSemiconductor金屬氧化物半導(dǎo)體)+FET(FieldEffectTransistor場效應(yīng)晶體管)這個兩個縮寫組成。即通過給金屬層(M-金屬
2023-11-18 08:11:02
1311 
在電力電子領(lǐng)域,絕緣柵雙極晶體管(IGBT)和金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)是兩種關(guān)鍵的功率半導(dǎo)體器件。它們的獨特特性使它們在高效能和高頻率應(yīng)用中非常重要。本文將探討IGBT和MOSFET的工作原理、封裝技術(shù)及其廣泛的應(yīng)用。
2023-11-15 14:12:32
176 
功率半導(dǎo)體是電力電子技術(shù)的關(guān)鍵組件,主要用作電路和系統(tǒng)中的開關(guān)或整流器。如今,功率半導(dǎo)體幾乎廣泛應(yīng)用于人類活動的各個行業(yè)。我們的家電包括功率半導(dǎo)體,電動汽車包括功率半導(dǎo)體,飛機(jī)和宇宙飛船包括功率半導(dǎo)體。
2023-11-07 10:54:05
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功率半導(dǎo)體,作為現(xiàn)代電子領(lǐng)域的關(guān)鍵組成部分,扮演著將電能轉(zhuǎn)化、控制和分配到各種設(shè)備的重要角色。專門設(shè)計用于處理高功率電信號和控制電力流動的半導(dǎo)體器件,與低功率應(yīng)用中使用的小信號半導(dǎo)體不同,功率半導(dǎo)體經(jīng)過優(yōu)化可以處理高電壓、高電流和高溫。
2023-11-06 15:10:27
490 
MOSFET中文名為金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,簡稱金氧半場效晶體管或MOS管,可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管。而功率MOSFET則指處于功率輸出級的MOSFET器件,通常工作電流大于1A。
2023-11-03 09:38:34
196 
美格納半導(dǎo)體宣布推出微納加工增強(qiáng)型第六代 600V 超級結(jié)金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管 (SJ MOSFET)。 這款第六代 600V SJ MOSFET (MMD60R175S6ZRH) 采用
2023-11-02 17:04:01
473 請教大俠們 瑞薩的集成LO芯片8V97051,8V97051 L,8V97051 A
這三款有沒有區(qū)別??
2023-10-30 12:36:41
意法半導(dǎo)體推出面向汽車應(yīng)用的32引腳、雙列直插、模制、通孔ACEPACK DMT-32系列碳化硅功率模塊。這些組件專為車載充電器 (OBC)、DC/DC 轉(zhuǎn)換器、流體泵和空調(diào)等系統(tǒng)而設(shè)計,具有
2023-10-26 17:31:32
741 Littelfuse宣布推出首款汽車級PolarP P通道功率MOSFET產(chǎn)品 IXTY2P50PA。這個創(chuàng)新的產(chǎn)品設(shè)計能滿足汽車應(yīng)用的嚴(yán)苛要求,提供卓越的性能和可靠性。
2023-10-25 09:43:25
402 MOSFET柵極電路電壓對電流的影響?MOSFET柵極電路電阻的作用? MOSFET(金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)是一種廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備中的半導(dǎo)體器件。在MOSFET中,柵極電路的電壓和電阻
2023-10-22 15:18:12
1367 SiC器件是一種新型的硅基MOSFET,特別是SiC功率器件具有更高的開關(guān)速度和更寬的輸出頻率。SiC功率芯片主要由MOSFET和PN結(jié)組成。
在眾多的半導(dǎo)體器件中,碳化硅材料具有低熱導(dǎo)率、高擊穿
2023-09-26 16:42:29
342 
MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)晶體管是一種廣泛用于電子設(shè)備中開關(guān)和放大電子信號的半導(dǎo)體器件。
MOSFET 是一種四端子器件,具有源極 (S)、柵極 (G)、漏極 (D) 和體 (B) 端子。MOSFET 的主體經(jīng)常連接到源極端子,因此使其成為類似于場效應(yīng)晶體管的三端器件。
2023-09-20 15:09:28
791 
穩(wěn)定性和效率兼?zhèn)?,雷?b class="flag-6" style="color: red">MOSFET改變您的產(chǎn)品。一.MOSFET工作原理及作用1.工作原理MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)是一種常用的半導(dǎo)體器件,由源(Source)、漏(Drain
2023-09-04 16:19:19
342 
調(diào)查結(jié)果顯示,SiC、GaN(氮化鎵)等寬帶隙半導(dǎo)體單晶主要用于功率半導(dǎo)體器件,市場正在穩(wěn)步擴(kuò)大。
2023-09-04 15:13:24
364 
MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)是一種常用的半導(dǎo)體器件,由源(Source)、漏(Drain)和柵(Gate)三個主要區(qū)域組成。依照其“通道”(工作載流子的極性不同,可分為“N型“與“P 型”的兩種類型,通又稱為 NMOS與 PMOS。。
2023-09-01 09:53:33
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和管理者。今年,Nexperia(安世半導(dǎo)體)的熱插拔MOSFET與碳化硅肖特基二極管兩款明星產(chǎn)品現(xiàn)已雙雙入圍年度功率半導(dǎo)體! 采用SMD銅夾片LFPAK88封裝的熱插拔專用MOSFET(ASFET) 同時
2023-08-28 15:45:31
1140 半導(dǎo)體技術(shù)一直是現(xiàn)代電子產(chǎn)業(yè)的核心。其中,硅(Si)作為最常用的半導(dǎo)體材料,有著不可替代的地位。但在制造芯片或其他半導(dǎo)體器件時,我們不僅僅使用純硅,而是要經(jīng)過一系列復(fù)雜的工藝流程,其中一個關(guān)鍵步驟是對硅進(jìn)行表面氧化處理,制得硅二氧化(SiO2)。為什么這一步驟如此重要?讓我們來深入探討。
2023-08-23 09:36:13
878 
? MOS FET基本概述 MOSFET由 MOS (Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導(dǎo)體)+ FET (Field Effect Transistor場效應(yīng)晶體管
2023-08-16 09:22:21
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隨著現(xiàn)代電子設(shè)備對小型化和高效率的要求不斷提高,對電源管理芯片的技術(shù)也提出了更高要求。針對此趨勢,安森德半導(dǎo)體公司推出了新一代異步整流MOSFET—ASDM100R090NKQ。這款100V N溝道功率MOSFET憑借其卓越的靜態(tài)和動態(tài)性能參數(shù),將助您的設(shè)計實現(xiàn)更高功率密度和轉(zhuǎn)換效率。
2023-08-14 15:04:45
367 
先楫半導(dǎo)體使用上怎么樣?
2023-08-08 14:56:29
MOSFET,也稱為金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor),是一種常見的電子器件。它是一種半導(dǎo)體器件
2023-08-04 15:24:15
2047 三菱電機(jī)集團(tuán)近日(2023年7月28日)宣布,已投資日本氧化鎵晶圓開發(fā)和銷售企業(yè)Novel Crystal Technology,今后將加快研究開發(fā)高性能低損耗氧化鎵功率半導(dǎo)體,為實現(xiàn)低碳社會做出貢獻(xiàn)。
2023-08-02 10:38:18
665 近年來薩科微半導(dǎo)體發(fā)展神速,在掌握第三代半導(dǎo)體碳化硅功率器件技術(shù)的基礎(chǔ)上,薩科微slkor投入大量精力和資金,推出了IGBT和電源管理芯片等系列高端產(chǎn)品。薩科微副總經(jīng)理賀俊駒介紹,在功率器件應(yīng)用市場
2023-07-31 11:14:43
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收到米爾瑞薩RZ/G2L開發(fā)板后一直對米爾旗下開發(fā)板的做工感到非常精致,同時也有著很強(qiáng)大的功能,也一直很喜歡米爾系列開發(fā)板。
引領(lǐng)工業(yè)市場從32位MPU向64位演進(jìn)
基于瑞薩高性價比RZ/G2L
2023-07-29 00:21:11
金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)的革命,讓我們可以在相同面積的晶圓上同時制造出更多晶體管。
2023-07-27 15:24:51
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功率半導(dǎo)體包括功率半導(dǎo)體分立器件(含模塊)以及功率 IC 等。其中,功率半導(dǎo)體分立器件,按照器件結(jié)構(gòu)劃分,可分為二極管、晶閘管和晶體管等。
2023-07-26 09:31:03
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MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管。
2023-07-21 16:13:21
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技術(shù)。 三安半導(dǎo)體專注于碳化硅、氮化鎵功率半導(dǎo)體的研發(fā)和制造,展會現(xiàn)場展示了最新的產(chǎn)品系列,包括SiC MOSFET、SiC Schottky二極管和GaN HEMT等關(guān)鍵器件,其中自主開發(fā)的SiC MOSFET產(chǎn)品和工藝平臺備受矚目。憑借卓越的品質(zhì)和先進(jìn)的制造工藝,三安半導(dǎo)體贏得了全球
2023-07-12 21:39:14
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功率 MOSFET 即金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管( Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor )有三個管腳,分別為柵極( Gate
2023-06-28 08:39:35
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GaN功率半導(dǎo)體與高頻生態(tài)系統(tǒng)(氮化鎵)
2023-06-25 09:38:13
突破GaN功率半導(dǎo)體的速度限制
2023-06-25 07:17:49
升級到半橋GaN功率半導(dǎo)體
2023-06-21 11:47:21
MOSFET由MOS(Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導(dǎo)體)+FET(Field Effect Transistor場效應(yīng)晶體管)這個兩個縮寫組成。即通過給金屬層(M-
2023-06-20 09:18:00
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GaN功率半導(dǎo)體在快速充電市場的應(yīng)用(氮化鎵)
2023-06-19 11:00:42
GaNFast功率半導(dǎo)體建模(氮化鎵)
2023-06-19 07:07:27
收到的米爾瑞薩RZ/G2L開發(fā)板上電測試一下SSH登錄方式和其它測試!
SSH登錄
在使用之前,需要事先連接網(wǎng)絡(luò),筆者這里使用的是以太網(wǎng),事先需要使用串口的登錄,然后輸入以下命令查看IP地址
2023-06-11 21:47:39
電機(jī)控制領(lǐng)域。CMS32M65xx系列MCU是中微半導(dǎo)體推出的基于ARM-Cortex M0+內(nèi)核的高端電機(jī)控制專用芯片。主頻高達(dá)64MHz;工作電壓1.8V至5.5V;提供64KB Flash
2023-06-09 09:11:16
功率MOSFET即金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)有三個管腳,分別為柵極(Gate
2023-06-05 15:12:10
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中找到。
所以,在我們這次試用的主角瑞薩FPB-RA6E1快速原型板上運(yùn)行TinyMaix完全是沒有任何壓力的(1MB Flash 256KB SRAM)。接下來,我將介紹如何在瑞薩FPB-RA6E1快速
2023-06-04 21:39:55
) 7. Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor (MOSFET)(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管) 8. Complementary MOSFET (CMOS)(互補(bǔ)MOSFET)
2023-06-02 14:15:36
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本次大同學(xué)吧聯(lián)合
上海思將企業(yè)管理咨詢有限公司
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為大家?guī)?《2023集成電路行業(yè)秋招戰(zhàn)略布局決勝點》
線上直播
2023-06-01 14:52:23
場效應(yīng)管是由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電的半導(dǎo)體器件,也稱為單極型晶體管。它是一種電壓控制型半導(dǎo)體器件,具有噪聲小、功耗低、開關(guān)速度快、不存在二次擊穿問題,主要具有信號放大、電子開關(guān)、功率控制等功能,廣泛應(yīng)用
2023-05-26 14:24:29
今天剛剛收到米爾瑞薩RZ/G2L開發(fā)板,拆開包裹后給人的感覺是驚艷,板卡設(shè)計真的很棒,來看看視頻做個簡單了解吧。
更多板卡可以登錄官網(wǎng)了解哦。https://www.myir.cn/
2023-05-22 21:58:13
剛收到米爾瑞薩RZ/G2L開發(fā)板打開包裝后看到的很大的一塊黑色PCB,做工精美的開發(fā)板,給人眼前一亮的感覺。
首先來介紹以下這家公司:
深圳市米爾電子有限公司,是一家專注于嵌入式處理器模組設(shè)計研發(fā)
2023-05-22 21:53:44
感謝
感謝電子發(fā)燒友論壇、感謝米爾電子,把米爾瑞薩RZ/G2L開發(fā)板試用話動的機(jī)會給了我。最近事情比較多,趕在這個空擋時間完成開箱報告。
開箱
第一次拿到米爾電子的試用機(jī)會,簡約的包裝盒透著電子行業(yè)
2023-05-18 19:33:10
感謝
感謝電子發(fā)燒友論壇、感謝米爾電子,把米爾瑞薩RZ/G2L開發(fā)板試用話動的機(jī)會給了我。雖然周五就收到了開發(fā)板,但是由于復(fù)陽了,為了能及時的完成試用活動,所以今天努力的爬起來完成開箱報告。
開箱
2023-05-14 19:41:46
試述為什么金屬的電阻溫度系數(shù)是正的而半導(dǎo)體的是負(fù)的?
2023-04-23 11:27:04
書籍:《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》 文章:金屬氧化物半導(dǎo)體的制造 編號:JFKJ-21-207 作者:炬豐科技 概述 CMOS制造工藝概述 ? CMOS制造工藝流程 ? 設(shè)計規(guī)則 ? 互補(bǔ)金屬氧化
2023-04-20 11:16:00
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制造產(chǎn)業(yè)的轉(zhuǎn)移、下游行業(yè)需求的拉動以及國家推出的支持政策,半導(dǎo)體分立器件行業(yè)已經(jīng)進(jìn)入快速發(fā)展通道。目前,我國已經(jīng)成為全球重要的半導(dǎo)體分立器件制造基地和全球最大的半導(dǎo)體分立器件市場,根據(jù)中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會
2023-04-14 16:00:28
制造產(chǎn)業(yè)的轉(zhuǎn)移、下游行業(yè)需求的拉動以及國家推出的支持政策,半導(dǎo)體分立器件行業(yè)已經(jīng)進(jìn)入快速發(fā)展通道。目前,我國已經(jīng)成為全球重要的半導(dǎo)體分立器件制造基地和全球最大的半導(dǎo)體分立器件市場,根據(jù)中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會
2023-04-14 13:46:39
MOSFET是以金屬層(M)柵極隔著氧化層(O)利用電場效應(yīng)來控制半導(dǎo)體(S)的場效應(yīng)晶體管,其特點是用柵極電壓來控制漏極電流。根據(jù)其溝道的極性不同,MOSFET可分為電子占多數(shù)的N溝道型與空穴占多數(shù)的P溝道型,通常又稱為N型MOSFET(NMOSFET)和P型MOSFET(PMOSFET)。
2023-04-13 09:40:30
691 Toshiba研發(fā)出一種SiC金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET),其將嵌入式肖特基勢壘二極管(SBD)排列成格子花紋(check-pattern embedded SBD),以降低導(dǎo)通電
2023-04-11 15:29:18
芯片的模式,可以更好的增加安全性并且可以使用隨機(jī)秘鑰加強(qiáng)防破解能力?! ?b class="flag-6" style="color: red">1、簡介 以下介紹的是采用瑞薩RA2L1作為專用加解密協(xié)處理器的方案,稱它為ANE系統(tǒng)。 本系統(tǒng)的主要作用就是對主控發(fā)來
2023-04-03 17:28:01
如標(biāo)題,CW PA v10.3 是否支持 t1040 板?我只能為QorIQ P1/P2/P3/P4/P5 T4板創(chuàng)建Codewarrior Bareboard項目,T1系列呢? 我想調(diào)試我的 T1040qds,但我無法為 T1 系列創(chuàng)建項目。
2023-03-27 08:58:06
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