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電子發(fā)燒友網(wǎng)>新品快訊>瑞薩電子推出P通道功率金屬氧化半導(dǎo)體MOSFET系列μPA2812T1L

瑞薩電子推出P通道功率金屬氧化半導(dǎo)體MOSFET系列μPA2812T1L

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2023-11-03 09:38:34196

美格納推出第六代 600V 超級結(jié)金屬氧化半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管

美格納半導(dǎo)體宣布推出微納加工增強(qiáng)型第六代 600V 超級結(jié)金屬氧化半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管 (SJ MOSFET)。 這款第六代 600V SJ MOSFET (MMD60R175S6ZRH) 采用
2023-11-02 17:04:01473

關(guān)于集成LO的問題

請教大俠們 的集成LO芯片8V97051,8V97051 L,8V97051 A 這三款有沒有區(qū)別??
2023-10-30 12:36:41

意法半導(dǎo)體推出雙列直插式封裝ACEPACK DMT-32系列碳化硅功率模塊

意法半導(dǎo)體推出面向汽車應(yīng)用的32引腳、雙列直插、模制、通孔ACEPACK DMT-32系列碳化硅功率模塊。這些組件專為車載充電器 (OBC)、DC/DC 轉(zhuǎn)換器、流體泵和空調(diào)等系統(tǒng)而設(shè)計,具有
2023-10-26 17:31:32741

Littelfuse推出首款汽車級PolarP P通道功率MOSFET產(chǎn)品IXTY2P50PA

Littelfuse宣布推出首款汽車級PolarP P通道功率MOSFET產(chǎn)品 IXTY2P50PA。這個創(chuàng)新的產(chǎn)品設(shè)計能滿足汽車應(yīng)用的嚴(yán)苛要求,提供卓越的性能和可靠性。
2023-10-25 09:43:25402

MOSFET柵極電路電壓對電流的影響?MOSFET柵極電路電阻的作用?

MOSFET柵極電路電壓對電流的影響?MOSFET柵極電路電阻的作用? MOSFET金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)是一種廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備中的半導(dǎo)體器件。在MOSFET中,柵極電路的電壓和電阻
2023-10-22 15:18:121367

第三代寬禁帶半導(dǎo)體碳化硅功率器件的應(yīng)用

SiC器件是一種新型的硅基MOSFET,特別是SiC功率器件具有更高的開關(guān)速度和更寬的輸出頻率。SiC功率芯片主要由MOSFET和PN結(jié)組成。 在眾多的半導(dǎo)體器件中,碳化硅材料具有低熱導(dǎo)率、高擊穿
2023-09-26 16:42:29342

如何用萬用表測試MOSFET

MOSFET金屬氧化半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)晶體管是一種廣泛用于電子設(shè)備中開關(guān)和放大電子信號的半導(dǎo)體器件。 MOSFET 是一種四端子器件,具有源極 (S)、柵極 (G)、漏極 (D) 和體 (B) 端子。MOSFET 的主體經(jīng)常連接到源極端子,因此使其成為類似于場效應(yīng)晶體管的三端器件。
2023-09-20 15:09:28791

上海雷卯推出MOSFET新產(chǎn)品,供您選擇

穩(wěn)定性和效率兼?zhèn)?,雷?b class="flag-6" style="color: red">MOSFET改變您的產(chǎn)品。一.MOSFET工作原理及作用1.工作原理MOSFET(金屬氧化半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)是一種常用的半導(dǎo)體器件,由源(Source)、漏(Drain
2023-09-04 16:19:19342

功率半導(dǎo)體器件 氧化鎵市場正在穩(wěn)步擴(kuò)大

調(diào)查結(jié)果顯示,SiC、GaN(氮化鎵)等寬帶隙半導(dǎo)體單晶主要用于功率半導(dǎo)體器件,市場正在穩(wěn)步擴(kuò)大。
2023-09-04 15:13:24364

MOSFET的工作原理及作用

MOSFET(金屬氧化半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)是一種常用的半導(dǎo)體器件,由源(Source)、漏(Drain)和柵(Gate)三個主要區(qū)域組成。依照其“通道”(工作載流子的極性不同,可分為“N型“與“P 型”的兩種類型,通又稱為 NMOS與 PMOS。。
2023-09-01 09:53:331158

安世半導(dǎo)體熱插拔MOSFET與碳化硅二極管入圍年度功率半導(dǎo)體

和管理者。今年,Nexperia(安世半導(dǎo)體)的熱插拔MOSFET與碳化硅肖特基二極管兩款明星產(chǎn)品現(xiàn)已雙雙入圍年度功率半導(dǎo)體! 采用SMD銅夾片LFPAK88封裝的熱插拔專用MOSFET(ASFET) 同時
2023-08-28 15:45:311140

為什么要對半導(dǎo)體硅表面氧化處理?

半導(dǎo)體技術(shù)一直是現(xiàn)代電子產(chǎn)業(yè)的核心。其中,硅(Si)作為最常用的半導(dǎo)體材料,有著不可替代的地位。但在制造芯片或其他半導(dǎo)體器件時,我們不僅僅使用純硅,而是要經(jīng)過一系列復(fù)雜的工藝流程,其中一個關(guān)鍵步驟是對硅進(jìn)行表面氧化處理,制得硅二氧化(SiO2)。為什么這一步驟如此重要?讓我們來深入探討。
2023-08-23 09:36:13878

mosfet和mos管的區(qū)別 MOSFET的工作原理

? MOS FET基本概述 MOSFET由 MOS (Metal Oxide Semiconductor金屬氧化半導(dǎo)體)+ FET (Field Effect Transistor場效應(yīng)晶體管
2023-08-16 09:22:213849

安森德新推出ASDM100R090NKQ全橋MOSFET功率

隨著現(xiàn)代電子設(shè)備對小型化和高效率的要求不斷提高,對電源管理芯片的技術(shù)也提出了更高要求。針對此趨勢,安森德半導(dǎo)體公司推出了新一代異步整流MOSFET—ASDM100R090NKQ。這款100V N溝道功率MOSFET憑借其卓越的靜態(tài)和動態(tài)性能參數(shù),將助您的設(shè)計實現(xiàn)更高功率密度和轉(zhuǎn)換效率。
2023-08-14 15:04:45367

先楫半導(dǎo)體使用上怎么樣?

先楫半導(dǎo)體使用上怎么樣?
2023-08-08 14:56:29

MOSFET關(guān)斷條件是什么 mosfet管關(guān)斷過程的分析

 MOSFET,也稱為金屬氧化半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor),是一種常見的電子器件。它是一種半導(dǎo)體器件
2023-08-04 15:24:152047

三菱電機(jī)加速開發(fā)高性能低損耗氧化功率半導(dǎo)體

三菱電機(jī)集團(tuán)近日(2023年7月28日)宣布,已投資日本氧化鎵晶圓開發(fā)和銷售企業(yè)Novel Crystal Technology,今后將加快研究開發(fā)高性能低損耗氧化功率半導(dǎo)體,為實現(xiàn)低碳社會做出貢獻(xiàn)。
2023-08-02 10:38:18665

發(fā)展神速!薩科微半導(dǎo)體推出IGBT和電源管理芯片系列高端產(chǎn)品

近年來薩科微半導(dǎo)體發(fā)展神速,在掌握第三代半導(dǎo)體碳化硅功率器件技術(shù)的基礎(chǔ)上,薩科微slkor投入大量精力和資金,推出了IGBT和電源管理芯片等系列高端產(chǎn)品。薩科微副總經(jīng)理賀俊駒介紹,在功率器件應(yīng)用市場
2023-07-31 11:14:43404

【米爾RZ/G2L開發(fā)板-試用體驗】認(rèn)識一下米爾RZ/G2L開發(fā)板的核心板

收到米爾RZ/G2L開發(fā)板后一直對米爾旗下開發(fā)板的做工感到非常精致,同時也有著很強(qiáng)大的功能,也一直很喜歡米爾系列開發(fā)板。 引領(lǐng)工業(yè)市場從32位MPU向64位演進(jìn) 基于高性價比RZ/G2L
2023-07-29 00:21:11

半導(dǎo)體光刻工藝 光刻—半導(dǎo)體電路的繪制

金屬-氧化半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)的革命,讓我們可以在相同面積的晶圓上同時制造出更多晶體管。
2023-07-27 15:24:51609

功率半導(dǎo)體的知識總結(jié)(MOSFET/IGBT/功率電子器件/半導(dǎo)體分立器件)

功率半導(dǎo)體包括功率半導(dǎo)體分立器件(含模塊)以及功率 IC 等。其中,功率半導(dǎo)體分立器件,按照器件結(jié)構(gòu)劃分,可分為二極管、晶閘管和晶體管等。
2023-07-26 09:31:035043

功率MOSFET的結(jié)構(gòu)/工作原理/基本特性/常用參數(shù)/選型原則

MOSFET金屬-氧化半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管。
2023-07-21 16:13:21480

在2023慕尼黑上海電子展遇見三安半導(dǎo)體

技術(shù)。 三安半導(dǎo)體專注于碳化硅、氮化鎵功率半導(dǎo)體的研發(fā)和制造,展會現(xiàn)場展示了最新的產(chǎn)品系列,包括SiC MOSFET、SiC Schottky二極管和GaN HEMT等關(guān)鍵器件,其中自主開發(fā)的SiC MOSFET產(chǎn)品和工藝平臺備受矚目。憑借卓越的品質(zhì)和先進(jìn)的制造工藝,三安半導(dǎo)體贏得了全球
2023-07-12 21:39:14428

功率MOSFET基本結(jié)構(gòu):平面結(jié)構(gòu)

功率 MOSFET金屬氧化半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管( Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor )有三個管腳,分別為柵極( Gate
2023-06-28 08:39:353665

GaN功率半導(dǎo)體與高頻生態(tài)系統(tǒng)

GaN功率半導(dǎo)體與高頻生態(tài)系統(tǒng)(氮化鎵)
2023-06-25 09:38:13

突破氮化鎵功率半導(dǎo)體的速度限制

突破GaN功率半導(dǎo)體的速度限制
2023-06-25 07:17:49

半橋GaN功率半導(dǎo)體應(yīng)用設(shè)計

升級到半橋GaN功率半導(dǎo)體
2023-06-21 11:47:21

MOSFET基本概述和分類

MOSFET由MOS(Metal Oxide Semiconductor金屬氧化半導(dǎo)體)+FET(Field Effect Transistor場效應(yīng)晶體管)這個兩個縮寫組成。即通過給金屬層(M-
2023-06-20 09:18:001044

GaN功率半導(dǎo)體在快速充電市場的應(yīng)用

GaN功率半導(dǎo)體在快速充電市場的應(yīng)用(氮化鎵)
2023-06-19 11:00:42

GaNFast功率半導(dǎo)體建模資料

GaNFast功率半導(dǎo)體建模(氮化鎵)
2023-06-19 07:07:27

【米爾RZ/G2L開發(fā)板-試用體驗】米爾RZ/G2L開發(fā)板使用SSH登錄

收到的米爾RZ/G2L開發(fā)板上電測試一下SSH登錄方式和其它測試! SSH登錄 在使用之前,需要事先連接網(wǎng)絡(luò),筆者這里使用的是以太網(wǎng),事先需要使用串口的登錄,然后輸入以下命令查看IP地址
2023-06-11 21:47:39

CMS32M65xx系列MCU中微半導(dǎo)體電機(jī)控制產(chǎn)品

電機(jī)控制領(lǐng)域。CMS32M65xx系列MCU是中微半導(dǎo)體推出的基于ARM-Cortex M0+內(nèi)核的高端電機(jī)控制專用芯片。主頻高達(dá)64MHz;工作電壓1.8V至5.5V;提供64KB Flash
2023-06-09 09:11:16

功率MOSFET基本結(jié)構(gòu):平面結(jié)構(gòu)

功率MOSFET金屬氧化半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)有三個管腳,分別為柵極(Gate
2023-06-05 15:12:10671

FPB-RA6E1快速原型板】使用TinyMaix識別手寫數(shù)字

中找到。 所以,在我們這次試用的主角FPB-RA6E1快速原型板上運(yùn)行TinyMaix完全是沒有任何壓力的(1MB Flash 256KB SRAM)。接下來,我將介紹如何在FPB-RA6E1快速
2023-06-04 21:39:55

MOSFET的種類有哪些

) 7. Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor (MOSFET)(金屬氧化半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管) 8. Complementary MOSFET (CMOS)(互補(bǔ)MOSFET
2023-06-02 14:15:36937

半導(dǎo)體企業(yè)如何決勝2023秋招?

! 助力各位真正提升招聘效率! 本次大同學(xué)吧聯(lián)合 上海思將企業(yè)管理咨詢有限公司 (半導(dǎo)體HR公會) 上??夏顽?b class="flag-6" style="color: red">薩人力資源科技股份有限公司 為大家?guī)?《2023集成電路行業(yè)秋招戰(zhàn)略布局決勝點》 線上直播
2023-06-01 14:52:23

2023年中國半導(dǎo)體分立器件銷售將達(dá)到4,428億元?

場效應(yīng)管是由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電的半導(dǎo)體器件,也稱為單極型晶體管。它是一種電壓控制型半導(dǎo)體器件,具有噪聲小、功耗低、開關(guān)速度快、不存在二次擊穿問題,主要具有信號放大、電子開關(guān)、功率控制等功能,廣泛應(yīng)用
2023-05-26 14:24:29

【米爾RZ/G2L開發(fā)板-試用體驗】米爾RZ/G2L開發(fā)板開箱視頻

今天剛剛收到米爾RZ/G2L開發(fā)板,拆開包裹后給人的感覺是驚艷,板卡設(shè)計真的很棒,來看看視頻做個簡單了解吧。 更多板卡可以登錄官網(wǎng)了解哦。https://www.myir.cn/
2023-05-22 21:58:13

【米爾RZ/G2L開發(fā)板-試用體驗】米爾-RZG2L - 64位雙核MPU開發(fā)板開箱測評

剛收到米爾RZ/G2L開發(fā)板打開包裝后看到的很大的一塊黑色PCB,做工精美的開發(fā)板,給人眼前一亮的感覺。 首先來介紹以下這家公司: 深圳市米爾電子有限公司,是一家專注于嵌入式處理器模組設(shè)計研發(fā)
2023-05-22 21:53:44

【米爾RZ/G2L開發(fā)板-試用體驗】開箱 + 開機(jī)

感謝 感謝電子發(fā)燒友論壇、感謝米爾電子,把米爾RZ/G2L開發(fā)板試用話動的機(jī)會給了我。最近事情比較多,趕在這個空擋時間完成開箱報告。 開箱 第一次拿到米爾電子的試用機(jī)會,簡約的包裝盒透著電子行業(yè)
2023-05-18 19:33:10

【米爾RZ/G2L開發(fā)板-試用體驗】開箱

感謝 感謝電子發(fā)燒友論壇、感謝米爾電子,把米爾RZ/G2L開發(fā)板試用話動的機(jī)會給了我。雖然周五就收到了開發(fā)板,但是由于復(fù)陽了,為了能及時的完成試用活動,所以今天努力的爬起來完成開箱報告。 開箱
2023-05-14 19:41:46

試述為什么金屬的電阻溫度系數(shù)是正的而半導(dǎo)體的是負(fù)的?

試述為什么金屬的電阻溫度系數(shù)是正的而半導(dǎo)體的是負(fù)的?
2023-04-23 11:27:04

《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》金屬氧化半導(dǎo)體的制造

書籍:《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》 文章:金屬氧化半導(dǎo)體的制造 編號:JFKJ-21-207 作者:炬豐科技 概述 CMOS制造工藝概述 ? CMOS制造工藝流程 ? 設(shè)計規(guī)則 ? 互補(bǔ)金屬氧化
2023-04-20 11:16:00247

國內(nèi)功率半導(dǎo)體需求將持續(xù)快速增長,歡迎廣大客戶通過華秋商城購買晶導(dǎo)微系列產(chǎn)品

制造產(chǎn)業(yè)的轉(zhuǎn)移、下游行業(yè)需求的拉動以及國家推出的支持政策,半導(dǎo)體分立器件行業(yè)已經(jīng)進(jìn)入快速發(fā)展通道。目前,我國已經(jīng)成為全球重要的半導(dǎo)體分立器件制造基地和全球最大的半導(dǎo)體分立器件市場,根據(jù)中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會
2023-04-14 16:00:28

國內(nèi)功率半導(dǎo)體需求將持續(xù)快速增長

制造產(chǎn)業(yè)的轉(zhuǎn)移、下游行業(yè)需求的拉動以及國家推出的支持政策,半導(dǎo)體分立器件行業(yè)已經(jīng)進(jìn)入快速發(fā)展通道。目前,我國已經(jīng)成為全球重要的半導(dǎo)體分立器件制造基地和全球最大的半導(dǎo)體分立器件市場,根據(jù)中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會
2023-04-14 13:46:39

以工藝見長的東芝N溝道功率MOSFET為電源效率賦能

MOSFET是以金屬層(M)柵極隔著氧化層(O)利用電場效應(yīng)來控制半導(dǎo)體(S)的場效應(yīng)晶體管,其特點是用柵極電壓來控制漏極電流。根據(jù)其溝道的極性不同,MOSFET可分為電子占多數(shù)的N溝道型與空穴占多數(shù)的P溝道型,通常又稱為N型MOSFET(NMOSFET)和P型MOSFET(PMOSFET)。
2023-04-13 09:40:30691

碳化硅SiC MOSFET:低導(dǎo)通電阻和高可靠性的肖特基勢壘二極管

Toshiba研發(fā)出一種SiC金屬氧化半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET),其將嵌入式肖特基勢壘二極管(SBD)排列成格子花紋(check-pattern embedded SBD),以降低導(dǎo)通電
2023-04-11 15:29:18

RA2L1 ANE加解密協(xié)處理系統(tǒng)簡介

芯片的模式,可以更好的增加安全性并且可以使用隨機(jī)秘鑰加強(qiáng)防破解能力?! ?b class="flag-6" style="color: red">1、簡介  以下介紹的是采用RA2L1作為專用加解密協(xié)處理器的方案,稱它為ANE系統(tǒng)。  本系統(tǒng)的主要作用就是對主控發(fā)來
2023-04-03 17:28:01

請問CW PA v10.3是否支持t1040板?

如標(biāo)題,CW PA v10.3 是否支持 t1040 板?我只能為QorIQ P1/P2/P3/P4/P5 T4板創(chuàng)建Codewarrior Bareboard項目,T1系列呢? 我想調(diào)試我的 T1040qds,但我無法為 T1 系列創(chuàng)建項目。
2023-03-27 08:58:06

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