，而光刻工藝又是精密電子元器件制造的關(guān)鍵流程，這使得光刻膠在整個(gè)電子元器件加工產(chǎn)業(yè)，都有著至關(guān)重要的地位。 本文簡要介紹幾種代表性光刻膠的成分和機(jī)理，重點(diǎn)是光刻膠的新技術(shù)應(yīng)用，以及國產(chǎn)化機(jī)會(huì)。 ? 光刻膠主要成分 ?
2022-04-25 17:35:22
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了光刻劑。但重大挑戰(zhàn)仍然存在，部分原因是去除率不足以首先在半導(dǎo)體制造業(yè)中使用微氣泡。因此，我們需要通過明確了解微氣泡去除光刻抗蝕劑層的功能機(jī)制，來提高微氣泡的去除能力。本研究的目的是闡明微氣泡對(duì)光刻膠層表面的影響。
2022-01-10 11:37:131980 
光刻膠為何要謀求國產(chǎn)替代？中國國產(chǎn)光刻膠企業(yè)的市場(chǎng)發(fā)展機(jī)會(huì)和挑戰(zhàn)如何？光刻膠企業(yè)發(fā)展要具備哪些核心競(jìng)爭力？在南京半導(dǎo)體大會(huì)期間，徐州博康公司董事長傅志偉和研發(fā)總監(jiān)潘新剛給我們帶來前沿觀點(diǎn)和獨(dú)家分析。
2022-08-29 15:02:238662 
光刻膠類型及特性光刻膠（Photoresist），又稱光致抗蝕劑，是芯片制造中光刻工藝的核心材料。其性能直接影響芯片制造的精度、效率和可靠性。本文介紹了光刻膠類型和光刻膠特性。
2025-04-29 13:59:337845 
波長不同，可分為g線（436nm）、i線（365nm）、KrF（248nm），ArF（193nm）以及EUV光刻膠，其中KrF、ArF和EUV光刻膠被認(rèn)為是高端光刻膠，目前國內(nèi)幾乎空白。 ? 日本壟斷全球光刻膠大部分市場(chǎng)份額，全球排名前四的光刻膠廠商都來自日本，包括合成橡膠
2021-07-03 07:47:0026808 ，增幅11.11%。 ? 截圖自企查查 ? 光刻膠是芯片制造中光刻環(huán)節(jié)的重要材料，目前主要被日美把控，國內(nèi)在光刻膠方面投入研制的廠商主要晶瑞股份、南大光電、上海新陽、徐州博康、北京科華等，那么華為投資的徐州博康在光刻膠方面有何優(yōu)勢(shì)，國內(nèi)廠商在光
2021-08-12 07:49:006896 領(lǐng)域進(jìn)行激烈競(jìng)爭的時(shí)候，中國國產(chǎn)光刻膠企業(yè)在國內(nèi)晶圓廠布局的成熟制程領(lǐng)域，展開了新產(chǎn)品上市和量產(chǎn)的爭奪戰(zhàn)。 ? 南大光電最新消息顯示，國產(chǎn)193nm（ArF）光刻膠研發(fā)成功，這家公司成為通過國家“02專項(xiàng)”驗(yàn)收的ArF光刻膠項(xiàng)目實(shí)施主體；徐州博康宣布，該
2022-08-31 07:45:004234 厚膠量產(chǎn)到ArF浸沒式膠驗(yàn)證，從樹脂國產(chǎn)化到EUV原料突破，一場(chǎng)靜默卻浩蕩的技術(shù)突圍戰(zhàn)已進(jìn)入深水區(qū)。 ? 例如在248nm波長的KrF光刻膠武漢太紫微的T150A膠以120nm分辨率和93.7%的良率通過中芯國際28nm產(chǎn)線驗(yàn)證，開創(chuàng)了國內(nèi)半導(dǎo)體光刻制造的新
2025-07-13 07:22:006083 ? 電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 近日，八億時(shí)空宣布其KrF光刻膠萬噸級(jí)半導(dǎo)體制程高自動(dòng)化研發(fā)/量產(chǎn)雙產(chǎn)線順利建成，標(biāo)志著我國在中高端光刻膠領(lǐng)域的自主化進(jìn)程邁出關(guān)鍵一步。 ? 此次建成的KrF光刻膠產(chǎn)線采用
2025-08-10 03:26:009092 /㎝2條件下進(jìn)行曝光。曝光結(jié)束后，選擇合適的烘烤溫度及時(shí)間。將晶片在顯影液中浸漬顯影，隨后用氮?dú)獯蹈?。AZ光刻膠AZ光刻膠刻蝕厚度從1μm到150μm以及更厚。高感光度,高產(chǎn)出率；高附著性,特別為濕法刻蝕工藝
2018-07-12 11:57:08
分辨率可達(dá)0.15mm；193nm光刻采用OPC技術(shù)和多層光刻膠技術(shù)分辨率可達(dá)0.1 mm。進(jìn)一步提高分辨率, 直至達(dá)到硅材料的極限0.1μｍ左右。另一條路線是采用更短波長的激光如氟157ｎｍ和氬
2018-08-23 11:56:31
光刻膠也稱為光致抗蝕劑，是一種光敏材料，它受到光照后特性會(huì)發(fā)生改變。光刻膠主要用來將光刻掩膜版上的圖形轉(zhuǎn)移到晶圓片上。光刻膠有正膠和負(fù)膠之分。正膠經(jīng)過曝光后，受到光照的部分變得容易溶解，經(jīng)過顯影后被
2019-11-07 09:00:18
這是我的版圖一部分，然后生成了圖案是這樣的： 感覺間距小的地方全都有殘留，間距大的地方?jīng)]有殘留；工藝參數(shù)：s9920光刻膠， evg 620‘未進(jìn)行蒸汽底漆層涂覆，前烘：100攝氏度，90s
2016-11-29 14:59:18
100μm并具有極高的分辨率。 NR5 系列 NR5-系列負(fù)性光刻膠，用于深度離子蝕刻（RIE）中的厚膜掩膜工藝。 PR1 系列 正性光刻膠，用于光刻，蝕刻和高溫制程。 IC1/DC5 系列 作為
2010-04-21 10:57:46
型號(hào)及參數(shù)[tr=transparent]光刻膠名稱型號(hào)勻膠厚度規(guī)格[/tr][tr=transparent]Merck AZ 正/負(fù)可轉(zhuǎn)換型光刻膠AZ 52140.5-6μm100ml;500ml;1L
2018-07-04 14:42:34
和分辨率，但它對(duì) GaAs 的附著力略遜于 AZ4330。其次，我們將濕法蝕刻從基于手動(dòng)浸入的工藝遷移到 噴射蝕刻系統(tǒng)。雖然可能會(huì)產(chǎn)生更好的蝕刻均勻性和可重復(fù)性，但噴射蝕刻系統(tǒng)可能是對(duì)光刻膠附著力的苛刻
2021-07-06 09:39:22
光刻技術(shù)中,涂有光刻膠的硅片與掩膜版直接接觸.由于光刻膠和掩膜版之間緊密接觸,因此可以得到比較高的分辨率.接觸式暴光的主要問題是容易損傷掩膜版和光刻膠.當(dāng)掩膜版與硅片接觸和對(duì)準(zhǔn)時(shí),硅片上很小的灰塵
2012-01-12 10:56:23
噴膠機(jī)是現(xiàn)代光電子產(chǎn)業(yè)中光刻膠涂布的重要設(shè)備。可對(duì)不同尺寸和形狀的基片進(jìn)行涂膠，最大涂膠尺寸達(dá)8寸，得到厚度均勻的光刻膠層，同時(shí)可對(duì)大深寬比結(jié)構(gòu)的側(cè)壁進(jìn)行均勻涂膠；通過計(jì)算機(jī)系統(tǒng)控制器進(jìn)行工藝參數(shù)的編輯和操作。
2020-03-23 09:00:57
５０ ｓ。用金相顯微鏡測(cè)試了在優(yōu)化工藝參數(shù)條件下制作的光刻膠圖形的分辨率，同時(shí)對(duì)圖形反轉(zhuǎn)機(jī)理進(jìn)行了討論。關(guān)鍵詞：光刻；ＡＺ?５２１４；剝離工藝；圖形反轉(zhuǎn)；斷面模擬
2009-10-06 10:05:30
151n光刻膠曝光顯影后開口底部都會(huì)有一撮殘留，找不到原因。各位幫分析下
2023-04-20 13:13:52
光刻膠與光刻工藝技術(shù) 微電路的制造需要把在數(shù)量上精確控制的雜質(zhì)引入到硅襯底上的微小 區(qū)域內(nèi),然后把這些區(qū)域連起來以形成器件和VLSI電路.確定這些區(qū)域圖形 的工藝是由光刻來完成的,也就是說,首先在硅片上旋轉(zhuǎn)涂覆光刻膠,再將 其曝露于某種光源下,如紫外光,
2011-03-09 16:43:21
0 這是一種老式的旋轉(zhuǎn)涂膠機(jī)，將芯片上涂上光刻膠然后將芯片放到上邊，可以通過機(jī)器的旋轉(zhuǎn)的力度將光刻膠均勻分布到芯片表面，光刻膠只有均勻涂抹在芯片表面，才能保證光刻的成功。
2018-05-17 14:39:3719874 默克與中電彩虹的創(chuàng)新合作項(xiàng)目光刻膠國產(chǎn)化項(xiàng)目于 7 月 17 日在陜西咸陽正式竣工。
2018-07-19 09:09:387903 在國家政策與市場(chǎng)的雙重驅(qū)動(dòng)下，近年來，國內(nèi)企業(yè)逐步向面板、半導(dǎo)體光刻膠發(fā)力……
2019-04-23 16:15:3614108 
2018年，南大光電和上海新陽先后宣布，投入ArF光刻膠產(chǎn)品的開發(fā)與產(chǎn)業(yè)化，立志打破集成電路制造最為關(guān)鍵的基礎(chǔ)材料之一——高檔光刻膠材料幾乎完全依賴于進(jìn)口的局面，填補(bǔ)國內(nèi)高端光刻膠材料產(chǎn)品的空白。
2019-05-21 09:24:247863 
經(jīng)開區(qū)企業(yè)北京欣奕華科技有限公司（以下簡稱“欣奕華”）了解到，經(jīng)過多年的行業(yè)累積和技術(shù)迭代，欣奕華在平板顯示用負(fù)性光刻膠領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)了量產(chǎn)，預(yù)計(jì)今年將有1000噸的光刻膠交付用戶，約占國內(nèi)市場(chǎng)的8%。
2019-10-28 16:38:494539 今年7月17日，南大光電在互動(dòng)平臺(tái)透露，公司設(shè)立光刻膠事業(yè)部，并成立了全資子公司“寧波南大光電材料有限公司”，全力推進(jìn)“ArF光刻膠開發(fā)和產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目”落地實(shí)施。目前該項(xiàng)目完成的研發(fā)技術(shù)正在等待驗(yàn)收中，預(yù)計(jì)2019年底建成一條光刻膠生產(chǎn)線，項(xiàng)目產(chǎn)業(yè)化基地建設(shè)順利。
2019-12-16 13:58:528273 隨著電子信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展的突飛猛進(jìn)，光刻膠市場(chǎng)總需求不斷提升。2019年全球光刻膠市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)接近90億美元，自2010年至今CAGR約5.4%，預(yù)計(jì)未來3年仍以年均5%的速度增長，預(yù)計(jì)至2022年全球光刻膠市場(chǎng)規(guī)模將超過100億美元。
2020-03-01 19:02:484848 在國際半導(dǎo)體領(lǐng)域，我國雖已成為半導(dǎo)體生產(chǎn)大國，但整個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈仍比較落后。特別是由于國內(nèi)光刻膠廠布局較晚，半導(dǎo)體光刻膠技術(shù)相較于海外先進(jìn)技術(shù)差距較大，國產(chǎn)化不足5%。在這種條件下，國內(nèi)半導(dǎo)體廠商積極開展研究，如晶瑞股份的KrF光刻膠，南大光電的ArF光刻膠均取得較好的研究效果。
2020-03-06 15:40:565517 與ASML一臺(tái)售價(jià)媲美一架F35 戰(zhàn)斗機(jī)，達(dá)到1億以上歐元的NXE3400B EVU設(shè)備比較起來，全球市場(chǎng)規(guī)模只有90億美元的光刻膠就要不顯眼許多。
2020-03-29 17:04:004299 光刻膠按應(yīng)用領(lǐng)域分類，大致分為LCD光刻膠、PCB光刻膠（感光油墨）與半導(dǎo)體光刻膠等。按照下游應(yīng)用來看，目前LCD光刻膠占比26．6%，刻膠占比24．5%，半導(dǎo)體光刻膠占比24．1%，PCB光其他類光刻膠占比24．8%。
2020-06-12 17:13:396218 來源：浙商證券研究院 光刻膠又稱光致抗蝕劑，是一種對(duì)光敏感的混合液體。其組成部分包括：光引發(fā)劑（包括光增感劑、光致產(chǎn)酸劑）、光刻膠樹脂、單體、溶劑和其他助劑。光刻膠可以通過光化學(xué)反應(yīng)，經(jīng)曝光、顯影等
2020-09-15 14:00:1420205 全球光刻膠市場(chǎng)規(guī)模從2016 年的15 億美元增長至2019年的18億美元，年復(fù)合增長率達(dá)6.3%；應(yīng)用方面，光刻膠主要應(yīng)用在PCB、半導(dǎo)體及LCD顯示等領(lǐng)域，各占約25%市場(chǎng)份額。
2020-09-21 11:28:046826 
全球光刻膠市場(chǎng)規(guī)模從2016 年的15 億美元增長至2019年的18億美元，年復(fù)合增長率達(dá)6.3%；應(yīng)用方面，光刻膠主要應(yīng)用在PCB、半導(dǎo)體及LCD顯示等領(lǐng)域，各占約25%市場(chǎng)份額。 國內(nèi)光刻膠整體
2020-10-10 17:40:253534 光刻膠是由感光樹脂、增感劑和溶劑三種主要成份組成的、對(duì)光敏感的混合液體。利用光化學(xué)反應(yīng)，經(jīng)曝光、顯影、刻蝕等工藝將所需要的微細(xì)圖形從掩模版轉(zhuǎn)移到待加工基片上的圖形轉(zhuǎn)移介質(zhì)，其中曝光是通過紫外光
2022-12-06 14:53:542357 此外，由于光刻加工分辨率直接關(guān)系到芯片特征尺寸大小，而光刻膠的性能關(guān)系到光刻分辨率的大小。限制光刻分辨率的是光的干涉和衍射效應(yīng)。光刻分辨率與曝光波長、數(shù)值孔徑和工藝系數(shù)相關(guān)。
2020-10-15 15:09:187666 對(duì)公司光刻膠業(yè)務(wù)的具體影響等問題。 10月12日，晶瑞股份發(fā)布關(guān)于深圳證券交易所關(guān)注函的回復(fù)公告稱，本次擬購買的光刻機(jī)設(shè)備將用于公司集成電路制造用高端光刻膠研發(fā)項(xiàng)目，將有助于公司將光刻膠產(chǎn)品序列實(shí)現(xiàn)到ArF光刻膠的跨越，并最終實(shí)
2020-10-21 10:32:105003 大光電的ArF光刻膠產(chǎn)品測(cè)試各項(xiàng)性能滿足工藝規(guī)格要求，良率結(jié)果達(dá)標(biāo)。” “ArF 光刻膠產(chǎn)品開發(fā)和產(chǎn)業(yè)化”是寧波南大光電承接國家 “02 專項(xiàng)”的一個(gè)重點(diǎn)攻關(guān)項(xiàng)目。本次產(chǎn)品的認(rèn)證通過，標(biāo)志著 “ArF 光刻膠產(chǎn)品開發(fā)和產(chǎn)業(yè)化”項(xiàng)目取得了關(guān)鍵性的突破
2020-12-18 09:29:427279 ，“ArF 光刻膠產(chǎn)品開發(fā)和產(chǎn)業(yè)化”是寧波南大光電承接國家“02 專項(xiàng)”的一個(gè)重點(diǎn)攻關(guān)項(xiàng)目。本次產(chǎn)品的認(rèn)證通過，標(biāo)志著“ArF 光刻膠產(chǎn)品開發(fā)和產(chǎn)業(yè)化”項(xiàng)目取得了關(guān)鍵性的突破，成為國內(nèi)通過產(chǎn)品驗(yàn)證的第一只國產(chǎn) ArF 光刻膠。? 此舉意味著國產(chǎn)193nm ArF 光刻膠產(chǎn)
2020-12-25 18:24:097828 調(diào)試。此外，這款 ASML XT 1900 Gi 型 ArF 浸入式光刻機(jī)可用于研發(fā)最高分辨率達(dá) 28nm 的高端光刻膠。 IT之家了解到，晶瑞股份于 2020 年 9 月 28 日晚發(fā)布公告稱，將
2021-01-20 16:34:007356 1月19日晚，國內(nèi)半導(dǎo)體材料公司晶瑞股份發(fā)表公告，宣稱購得ASML公司光刻機(jī)一臺(tái)，將用于高端光刻膠項(xiàng)目。
2021-01-21 09:35:513579 該工作首次展示了利用單個(gè)重離子進(jìn)行單納米光刻的潛力，證明了無機(jī)負(fù)膠HSQ具有可靠的亞5nm光刻分辨能力。通過利用先進(jìn)的重離子微束直寫技術(shù)和單離子輻照技術(shù)，單個(gè)重離子曝光技術(shù)有望在極小尺度加工中發(fā)揮獨(dú)特作用，并可用于先進(jìn)光刻膠分辨率極限的評(píng)價(jià)。
2021-03-17 09:12:027608 近期，專注于電子材料市場(chǎng)研究的TECHCET發(fā)布最新統(tǒng)計(jì)和預(yù)測(cè)數(shù)據(jù)：2021年，半導(dǎo)體制造所需的光刻膠市場(chǎng)規(guī)模將同比增長11％，達(dá)到19億美元。
2021-03-22 10:51:126146 按照應(yīng)用領(lǐng)域分類，光刻膠主要包括印制電路板（PCB）光刻膠專用化學(xué)品（光引發(fā)劑和樹脂）、液晶顯示器（LCD）光刻膠光引發(fā)劑、半導(dǎo)體光刻膠光引發(fā)劑和其他用途光刻膠四大類。本文主要討論半導(dǎo)體光刻膠。
2021-05-17 14:15:525022 
由于KrF光刻膠產(chǎn)能受限以及全球晶圓廠積極擴(kuò)產(chǎn)等，占據(jù)全球光刻膠市場(chǎng)份額超兩成的日本供應(yīng)商信越化學(xué)已經(jīng)向中國大陸多家一線晶圓廠限制供貨KrF光刻膠，且已通知更小規(guī)模晶圓廠停止供貨KrF光刻膠。 信越
2021-06-25 16:12:281241 大漲9.72%，雅克科技大漲9.93%，強(qiáng)力新材、上海新陽、彤程新材等跟漲。 光刻膠板塊的大漲吸引了產(chǎn)業(yè)注意 ，國產(chǎn)光刻膠再遇發(fā)展良機(jī)？ KrF光刻膠海外供應(yīng)告急 據(jù)了解，光刻膠板塊本輪異動(dòng)的背后，是KrF光刻膠海外供應(yīng)告急。自日本福島2月份發(fā)生強(qiáng)震后，光刻膠市場(chǎng)一度傳
2021-05-28 10:34:154020 在半導(dǎo)體制造方面，國內(nèi)廠商需要突破的不只是光刻機(jī)等核心設(shè)備，光刻膠也是重要的一環(huán)。而南大光電研發(fā)的高端ArF光刻機(jī)，已經(jīng)獲得了國內(nèi)某企業(yè)的認(rèn)證，可用于55nm工藝制造。 南大光電發(fā)布公告稱，控股
2021-06-26 16:32:373071 光刻膠是光刻機(jī)研發(fā)的重要材料，換句話說光刻機(jī)就是利用特殊光線將集成電路映射到硅片的表面，如果想要硅片的表面不留下痕跡，就需要網(wǎng)硅片上涂一層光刻膠。
2022-02-05 16:11:0015756 AZ703的自旋速度為3000r/min，厚度為1.10um，對(duì)光刻膠的去除有顯著影響。為了最小化頂層與襯底物接觸的面積，進(jìn)一步減少浮渣，我們選擇了8μm作為底層抗蝕劑的最佳縮回距離d。 導(dǎo)讀 一般來說，負(fù)光致抗蝕劑具有良好的抗蝕特性作為掩
2022-01-26 11:43:221169 
的自旋速度為3000r/min，厚度為1.10um，對(duì)光刻膠的去除有顯著影響。為了最小化頂層與襯底物接觸的面積，進(jìn)一步減少浮渣，我們選擇了8μm作為底層抗蝕劑的最佳縮回距離d。
2022-03-24 16:04:231451 
灰化，簡單的理解就是用氧氣把光刻膠燃燒掉，光刻膠的基本成分是碳?xì)溆袡C(jī)物，在射頻或微波作用下，氧氣電離成氧原子并與光刻膠發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，生成一氧化碳，二氧化碳和水等，再通過泵被真空抽走，完成光刻膠的去除。
2022-07-21 11:20:178339 與此同時(shí)，在ASML看來，下一代高NA EUV光刻機(jī)為光刻膠再度帶來了挑戰(zhàn)，更少的隨機(jī)效應(yīng)、更高的分辨率和更薄的厚度。首先傳統(tǒng)的正膠和負(fù)膠肯定是沒法用了，DUV光刻機(jī)上常用的化學(xué)放大光刻膠（CAR）也開始在5nm之后的分辨率和敏感度上出現(xiàn)瓶頸
2022-07-22 10:40:083923 光刻膠產(chǎn)品說明英文版資料分享。
2022-08-12 16:17:2511 南大光電最新消息顯示，國產(chǎn)193nm（ArF）光刻膠研發(fā)成功，這家公司成為通過國家“02專項(xiàng)”驗(yàn)收的ArF光刻膠項(xiàng)目實(shí)施主體；徐州博康宣布，該公司已開發(fā)出數(shù)十種高端光刻膠產(chǎn)品系列，包括
2022-08-31 09:47:142371 光刻膠的組成：樹脂（resin/polymer），光刻膠中不同材料的粘合劑，給與光刻膠的機(jī)械與化學(xué)性質(zhì)（如粘附性、膠膜厚度、熱穩(wěn)定性等）；感光劑，感光劑對(duì)光能發(fā)生光化學(xué)反應(yīng)；溶劑（Solvent
2022-10-21 16:40:0423795 半導(dǎo)體光刻膠用光敏材料仍屬于“卡脖子”產(chǎn)品，海外進(jìn)口依賴較重，不同品質(zhì)之間價(jià) 格差異大。以國內(nèi) PAG 對(duì)應(yīng)的化學(xué)放大型光刻膠（主要是 KrF、ArF 光刻膠）來看，樹脂在 光刻膠中的固含量占比約
2022-11-18 10:07:434880 光刻膠是IC制造的核心耗材，技術(shù)壁壘極高。根據(jù)TECHCET數(shù)據(jù)，預(yù)計(jì)2022年全球半導(dǎo)體光刻膠市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到23億美元，同比增長7.5%，2025年超過25億美元。
2023-03-21 14:00:493248 此前該公司指出，公司已建成年產(chǎn)5噸ArF干式光刻膠生產(chǎn)線、年產(chǎn)20噸ArF浸沒式光刻膠生產(chǎn)線及年產(chǎn)45噸的光刻膠配套高純?cè)噭┥a(chǎn)線，具備ArF光刻膠及配套關(guān)鍵組分材料的生產(chǎn)能力，目前公司送樣驗(yàn)證的產(chǎn)品均由該自建產(chǎn)線產(chǎn)出。
2023-04-11 09:25:321910 EUV光刻膠材料是光敏物質(zhì)，當(dāng)受到EUV光子照射時(shí)會(huì)發(fā)生化學(xué)變化。這些材料在解決半導(dǎo)體制造中的各種挑戰(zhàn)方面發(fā)揮著關(guān)鍵作用，包括提高靈敏度、控制分辨率、減少線邊緣粗糙度（LER）、降低釋氣和提高熱穩(wěn)定性。
2023-09-11 11:58:421622 
光學(xué)光刻是通過廣德照射用投影方法將掩模上的大規(guī)模集成電路器件的結(jié)構(gòu)圖形畫在涂有光刻膠的硅片上，通過光的照射，光刻膠的成分發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，從而生成電路圖。限制成品所能獲得的最小尺寸與光刻系統(tǒng)能獲得的分辨率直接相關(guān)，而減小照射光源的波長是提高分辨率的最有效途徑。
2023-10-24 11:43:151810 
光刻膠在未曝光之前是一種黏性流體，不同種類的光刻膠具有不同的黏度。黏度是光刻膠的一項(xiàng)重要指標(biāo)。那么光刻膠的黏度為什么重要？黏度用什么表征？哪些光刻膠算高黏度，哪些算低黏度呢？
2023-11-13 18:14:112940 
為了生產(chǎn)高純度、高質(zhì)量的光刻膠，需要高純度的配方原料，例如光刻樹脂，溶劑PGMEA…此外，生產(chǎn)過程中的反應(yīng)釜鍍膜和金屬析出污染監(jiān)測(cè)也是至關(guān)重要的控制環(huán)節(jié)。例如，2019年，某家半導(dǎo)體制造公司由于光刻膠受到光阻原料的污染，導(dǎo)致上萬片12吋晶圓報(bào)廢
2023-11-27 17:15:481717 KrF光刻膠是指利用248nm KrF光源進(jìn)行光刻的光刻膠。248nmKrF光刻技術(shù)已廣 泛應(yīng)用于0.13μm工藝的生產(chǎn)中,主要應(yīng)用于150 , 200和300mm的硅晶圓生產(chǎn)中。
2023-11-29 10:28:501413 
勻膠是光刻中比較重要的一步，而旋涂速度是勻膠中至關(guān)重要的參數(shù)，那么我們?cè)趧?b class="flag-6" style="color: red">膠時(shí)，是如何確定勻膠速度呢？它影響光刻膠的哪些性質(zhì)？
2023-12-15 09:35:563928 
光照條件的設(shè)置、掩模版設(shè)計(jì)以及光刻膠工藝等因素對(duì)分辨率的影響都反映在k?因子中，k?因子也常被用于評(píng)估光刻工藝的難度，ASML認(rèn)為其物理極限在0.25，k?體現(xiàn)了各家晶圓廠運(yùn)用光刻技術(shù)的水平。
2023-12-18 10:53:052730 
光刻膠主要下游應(yīng)用包括：顯示屏制造、印刷電路板生產(chǎn)、半導(dǎo)體制造等，其中顯示屏是光刻膠最大的下游應(yīng)用，占比30%。光刻膠在半導(dǎo)體制造應(yīng)用占比24%，是第三達(dá)應(yīng)用場(chǎng)景。
2024-01-03 18:12:212813 
據(jù)吳中發(fā)布的最新消息，簽約項(xiàng)目涵蓋了瑞紅集成電路高端光刻膠總部項(xiàng)目，該項(xiàng)投資高達(dá)15億元，旨在新建半導(dǎo)體光刻膠及其配套試劑的生產(chǎn)基地。
2024-01-26 09:18:431197 光刻膠不能太厚或太薄，需要按制程需求來定。比如對(duì)于需要長時(shí)間蝕刻以形成深孔的應(yīng)用場(chǎng)景，較厚的光刻膠層能提供更長的耐蝕刻時(shí)間。
2024-03-04 10:49:162061 
光刻膠是一種涂覆在半導(dǎo)體器件表面的特殊液體材料，可以通過光刻機(jī)上的模板或掩模來進(jìn)行曝光。
2024-03-04 17:19:189618 與正光刻膠相比，電子束負(fù)光刻膠會(huì)形成相反的圖案?；诰酆衔锏呢?fù)型光刻膠會(huì)在聚合物鏈之間產(chǎn)生鍵或交聯(lián)。未曝光的光刻膠在顯影過程中溶解，而曝光的光刻膠則保留下來，從而形成負(fù)像。
2024-03-20 11:36:505058 
在紫外光照射下，三芳基碘鹽光敏劑被激活，釋放活性碘離子。這些活性碘離子與SU-8光刻膠中的丙烯酸酯單體反應(yīng)，引發(fā)單體之間的交聯(lián)反應(yīng)，導(dǎo)致SU-8光刻膠在曝光區(qū)域形成凝膠化的圖案。
2024-03-31 16:25:209092 
光刻膠的性能：光刻膠的性能對(duì)套刻精度有顯著影響。它決定了圖形的套刻分辨率和邊緣清晰度，光刻膠的收縮和厚度不均勻性都可能導(dǎo)致實(shí)際圖案尺寸與設(shè)計(jì)尺寸之間的偏差。
2024-04-22 12:45:321889 我們?cè)谑褂?b class="flag-6" style="color: red">光刻膠的時(shí)候往往關(guān)注的重點(diǎn)是光刻膠的性能，但是有時(shí)候我們會(huì)忽略光刻膠的保存和壽命問題，其實(shí)這個(gè)問題應(yīng)該在我們購買光刻膠前就應(yīng)該提出并規(guī)劃好。并且，在光刻過程中如果發(fā)現(xiàn)有異常情況發(fā)生，我們
2024-07-08 14:57:083146 圖形反轉(zhuǎn)膠是比較常見的一種紫外光刻膠，它既可以當(dāng)正膠使用又可以作為負(fù)膠使用。相比而言，負(fù)膠工藝更被人們所熟知。本文重點(diǎn)介紹其負(fù)膠工藝。 應(yīng)用領(lǐng)域 在反轉(zhuǎn)工藝下，通過適當(dāng)?shù)墓に噮?shù)，可以獲得底切的側(cè)壁
2024-07-09 16:06:001988 
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