電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/莫婷婷）2025年，2nm制程正式開(kāi)啟全球半導(dǎo)體“諸神之戰(zhàn)”。就在近期，MediaTek（聯(lián)發(fā)科）宣布，首款采用臺(tái)積電 2 納米制程的旗艦系統(tǒng)單芯片（SoC）已成功完成設(shè)計(jì)流片
2025-09-19 09:40:20
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電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）繼SK海力士、三星之后，南京臺(tái)積電也被撤銷(xiāo)了豁免？ ? 9月2日消息，美國(guó)商務(wù)部官員在近期通知臺(tái)積電，決定終止臺(tái)積電南京廠的所謂“經(jīng)過(guò)驗(yàn)證的最終用戶(hù)”(VEU)地位，即
2025-09-04 07:32:009572 
實(shí)現(xiàn)0.2nm工藝節(jié)點(diǎn)。 ? 而隨著芯片工藝節(jié)點(diǎn)的推進(jìn)，芯片供電面臨越來(lái)越多問(wèn)題，所以近年英特爾、臺(tái)積電、三星等廠商相繼推出背面供電技術(shù)，旨在解決工藝節(jié)點(diǎn)不斷推進(jìn)下，芯片面臨的供電困境。 ? 正面供電面臨物理極限 ? 在半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展的歷程中
2026-01-03 05:58:003948 媒體采訪時(shí)表示，人工智能的崛起正引領(lǐng)半導(dǎo)體行業(yè)迎來(lái)新一輪爆發(fā)式增長(zhǎng)，為滿(mǎn)足 AI 應(yīng)用的多元化需求，臺(tái)積電在云、管、端三大領(lǐng)域同步開(kāi)啟技術(shù)競(jìng)技與創(chuàng)新布局。 ? 圖：臺(tái)積電(中國(guó))總經(jīng)理羅鎮(zhèn)球 ? 在云端，技術(shù)突破聚焦于先進(jìn)工藝與先進(jìn)封裝兩大方向。工藝層
2025-12-22 09:29:404041 
在電子電路設(shè)計(jì)中，晶體管的合理選擇和應(yīng)用對(duì)于電路性能起著關(guān)鍵作用。今天，我們就來(lái)深入探討ON Semiconductor推出的MUN2231、MMUN2231L、MUN5231、DTC123EE、DTC123EM3、NSBC123EF3這一系列數(shù)字晶體管。
2025-12-02 15:46:03252 
安森美NST856MTWFT PNP晶體管設(shè)計(jì)用于通用放大器應(yīng)用。這些晶體管采用緊湊型DFN1010-3封裝，帶可濕性側(cè)翼，適用于汽車(chē)行業(yè)。NST856MTWFT晶體管 無(wú)鉛、無(wú)鹵/無(wú)BFR,符合
2025-11-26 13:45:33426 
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 最新消息顯示，臺(tái)積電正加速推進(jìn)其全球2納米制程產(chǎn)能布局，計(jì)劃在臺(tái)灣南部科學(xué)園區(qū)周邊增建三座2納米晶圓廠，以應(yīng)對(duì)全球AI芯片需求激增的市場(chǎng)態(tài)勢(shì)。此次新增投資總額約9000億元
2025-11-26 08:33:007668 最近扒了扒國(guó)產(chǎn)芯片的進(jìn)展，發(fā)現(xiàn)中芯國(guó)際（官網(wǎng)鏈接：https://www.smics.com）的 14nm FinFET 制程已經(jīng)不是 “實(shí)驗(yàn)室技術(shù)” 了 —— 從消費(fèi)電子的中端處理器，到汽車(chē)電子
2025-11-25 21:03:40
安森美 (onsemi) NSVT5551M雙極晶體管通過(guò)了AEC-Q101認(rèn)證，是一款NPN通用型低V~CE(sat)~ 放大器。這款NPN雙極晶體管具有匹配的芯片，存放溫度范圍為-55°C至
2025-11-25 10:50:45363 
onsemi MUN5136數(shù)字晶體管旨在取代單個(gè)器件及其外部電阻偏置網(wǎng)絡(luò)。這些數(shù)字晶體管包含一個(gè)晶體管和一個(gè)單片偏置網(wǎng)絡(luò)，單片偏置網(wǎng)絡(luò)由兩個(gè)電阻器組成，一個(gè)是串聯(lián)基極電阻器，另一個(gè)是基極-發(fā)射極
2025-11-24 16:27:15579 
電壓選擇晶體管應(yīng)用電路第二期
以前發(fā)表過(guò)關(guān)于電壓選擇晶體管的結(jié)構(gòu)和原理的文章，這一期我將介紹一下電壓選擇晶體管的用法。如圖所示：
當(dāng)輸入電壓Vin等于電壓選擇晶體管QS的柵極控制電壓時(shí)，三極管Q
2025-11-17 07:42:37
與現(xiàn)行的3nm工藝相比，臺(tái)積電在2nm制程上首次采用了GAA（Gate-All-Around，環(huán)繞柵極）晶體管架構(gòu)。這種全新的結(jié)構(gòu)能夠讓晶體管電流控制更加精確，減少漏電問(wèn)題，大幅提升芯片整體效能
2025-10-29 16:19:00546 晶體管是一種以半導(dǎo)體材料為基礎(chǔ)的電子元件，具有檢波、整流、放大、開(kāi)關(guān)、穩(wěn)壓和信號(hào)調(diào)制等多種功能?。其核心是通過(guò)控制輸入電流或電壓來(lái)調(diào)節(jié)輸出電流，實(shí)現(xiàn)信號(hào)放大或電路開(kāi)關(guān)功能?。 基本定義 晶體管泛指
2025-10-24 12:20:23349 
39.1%，凈利潤(rùn)創(chuàng)下紀(jì)錄新高，臺(tái)積電在上年同期凈利潤(rùn)為3252.58億新臺(tái)幣。 每股盈余為新臺(tái)幣17.44元，同比增加39.0%。 目前臺(tái)積電的市值已達(dá)1.2萬(wàn)億美元，是韓國(guó)三星電子的三倍。 據(jù)悉，在2025年第三季臺(tái)積電的3納米先進(jìn)制程出貨量占總晶圓收入的23%；5納米制程出貨量占37%；7納米制
2025-10-16 16:57:252544 又近了一大步。 ? ? 這一歷史性節(jié)點(diǎn)不僅意味著制程技術(shù)的再度跨越，也預(yù)示著未來(lái)AI、通信與汽車(chē)等核心領(lǐng)域即將迎來(lái)一場(chǎng)深刻的“芯革命”。 1、技術(shù)再突破 與現(xiàn)行的3nm工藝相比，臺(tái)積電在2nm制程上首次采用了GAA（Gate-All-Around，環(huán)繞柵極）晶體
2025-10-16 15:48:271089 本文將深入探討兩種備受矚目的功率晶體管——英飛凌的 CoolGaN（氮化鎵高電子遷移率晶體管）和 OptiMOS 6（硅基場(chǎng)效應(yīng)晶體管），在極端短路條件下的表現(xiàn)。通過(guò)一系列嚴(yán)謹(jǐn)?shù)臏y(cè)試，我們將揭示
2025-10-07 11:55:002980 
給大家分享兩個(gè)熱點(diǎn)消息： 臺(tái)積電2納米N2制程吸引超15家客戶(hù) 此前有媒體爆出蘋(píng)果公司已經(jīng)鎖定了臺(tái)積電2026年一半以上的2nm產(chǎn)能；而高通和聯(lián)發(fā)科等其他客戶(hù)難以獲得足夠多的臺(tái)積電2nm制程的產(chǎn)能
2025-09-23 16:47:06747 滲透到人們衣食住行的各個(gè)領(lǐng)域。本章將圍繞集成電路的核心器件 —— 晶體管展開(kāi)，闡述其如何憑借優(yōu)異性能與不斷演進(jìn)的結(jié)構(gòu)，成為信息時(shí)代不可或缺的重要推動(dòng)力。
2025-09-22 10:53:481310 
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()0.45-6.0 GHz 低噪聲晶體管相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè)，更有0.45-6.0 GHz 低噪聲晶體管的引腳圖、接線(xiàn)圖、封裝手冊(cè)、中文資料、英文資料，0.45-6.0
2025-09-18 18:33:55
MediaTek 今日宣布，MediaTek 首款采用臺(tái)積電 2 納米制程的旗艦系統(tǒng)單芯片（SoC）已成功完成設(shè)計(jì)流片（Tape out），成為首批采用該技術(shù)的公司之一，并預(yù)計(jì)明年底進(jìn)入量產(chǎn)。雙方
2025-09-16 16:40:31978 Pro的R2，也有望全面跟進(jìn)2nm。 ? 半導(dǎo)體廠商認(rèn)為，品牌大廠通過(guò)掌控核心芯片實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品差異化，同時(shí)推動(dòng)生態(tài)系連結(jié)，將會(huì)是未來(lái)趨勢(shì)。 ? 先進(jìn)制程成蘋(píng)果芯片性能躍升的關(guān)鍵推手。明年iPhone 18將采用A20芯片，由臺(tái)積電最新2nm制程打造，并搭配WMCM先進(jìn)封裝，供應(yīng)鏈透露，用于筆記本電腦產(chǎn)
2025-09-16 10:41:051349 多值電場(chǎng)型電壓選擇晶體管結(jié)構(gòu)
為滿(mǎn)足多進(jìn)制邏輯運(yùn)算的需要，設(shè)計(jì)了一款多值電場(chǎng)型電壓選擇晶體管?？刂贫M(jìn)制電路通斷需要二進(jìn)制邏輯門(mén)電路，實(shí)際上是對(duì)電壓的一種選擇，而傳統(tǒng)二進(jìn)制邏輯門(mén)電路通常比較復(fù)雜
2025-09-15 15:31:09
。
叉行片：連接并集成兩個(gè)晶體管NFET和PFET，它們之間同時(shí)被放置一層不到10nm的絕緣膜，放置缺陷的發(fā)生。
CFET：屬于下一代晶體管結(jié)構(gòu)，采用3D堆疊式GAAFET，面積可縮小至原來(lái)的50
2025-09-15 14:50:58
。那該如何延續(xù)摩爾神話(huà)呢？
工藝創(chuàng)新將是其途徑之一，芯片中的晶體管結(jié)構(gòu)正沿著摩爾定律指出的方向一代代演進(jìn)，本段加速半導(dǎo)體的微型化和進(jìn)一步集成，以滿(mǎn)足AI技術(shù)及高性能計(jì)算飛速發(fā)展的需求。
CMOS工藝從
2025-09-06 10:37:21
美國(guó)已撤銷(xiāo)臺(tái)積電（TSMC）向其位于中國(guó)大陸的主要芯片制造基地自由運(yùn)送關(guān)鍵設(shè)備的授權(quán)，這可能會(huì)削弱其老一代晶圓代工廠的生產(chǎn)能力。 美國(guó)官員最近通知臺(tái)積電，他們決定終止臺(tái)積電南京工廠所謂的“驗(yàn)證
2025-09-03 19:11:521637 ，臺(tái)積電2nm生產(chǎn)線(xiàn)將于今年投入量產(chǎn)。生產(chǎn)線(xiàn)計(jì)劃首先在中國(guó)臺(tái)灣新竹市投產(chǎn)，隨后在中國(guó)臺(tái)灣南部高雄市投產(chǎn)。臺(tái)積電還在美國(guó)亞利桑那州建設(shè)第三家工廠，最終將生產(chǎn)此類(lèi)芯片。 三位知情人士透露，這一決定受到美國(guó)一項(xiàng)潛在法規(guī)的影響，該
2025-08-26 10:00:592404 科技有限公司深耕電子元器件領(lǐng)域多年，對(duì) S8050 晶體管有著深入的研究與豐富的應(yīng)用經(jīng)驗(yàn)，下面將為您帶來(lái) S8050 晶體管全系列封裝與功能的詳細(xì)解讀。 一、S8050 晶體管基礎(chǔ)認(rèn)知 S8050 屬于 NPN 型硅晶體管，這意味著其內(nèi)部結(jié)構(gòu)是由兩層 N 型半導(dǎo)體中
2025-08-06 16:27:321172 據(jù)媒體報(bào)道，臺(tái)積電爆出工程師涉嫌盜取2納米制程技術(shù)機(jī)密，臺(tái)灣檢方經(jīng)調(diào)查后，向法院申請(qǐng)羈押禁見(jiàn)3名涉案人員獲準(zhǔn)。 據(jù)悉，由于臺(tái)“科學(xué)及技術(shù)委員會(huì)”已將14納米以下制程的IC制造技術(shù)納入臺(tái)灣核心關(guān)鍵技術(shù)
2025-08-06 15:26:441393 眾多大型科技公司的訂單。根據(jù)韓國(guó)媒體ChosunBiz的報(bào)道，臺(tái)積電的2納米制程技術(shù)將率先應(yīng)用于蘋(píng)果計(jì)劃推出的下一代iPhone系列的應(yīng)用處理器(AP)生產(chǎn)。這一決
2025-07-21 10:02:16756 
電在第二季度毛利率達(dá)到58.6％；營(yíng)業(yè)利潤(rùn)率為49.6%，凈利率為42.7%。 在2025年第二季度，臺(tái)積電3納米制程出貨占晶圓總收入的24%；5納米制程占36%；7納米制程占14%。先進(jìn)制程（臺(tái)積電定義先進(jìn)制程為7納米及更先進(jìn)制程）合計(jì)占晶圓總收入的74%。 業(yè)界分析認(rèn)為臺(tái)積電業(yè)績(jī)超
2025-07-17 15:27:151553 帶動(dòng)主要晶圓代工伙伴臺(tái)積電在今天股市高開(kāi)，股價(jià)沖到237.71美元。明天臺(tái)積電將召開(kāi)法說(shuō)會(huì)，展望全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)走向，2nm先進(jìn)制程的進(jìn)展也是頗受關(guān)注。 圖：臺(tái)積電 電子發(fā)燒友拍攝 2nm先進(jìn)制程到底有哪些先進(jìn)技術(shù)？客戶(hù)情況如何？三大晶圓代工龍頭企業(yè)的
2025-07-17 00:33:004401 
兩座先進(jìn)的封裝工廠將分別用于導(dǎo)入?3D 垂直集成的SoIC工藝和 CoPoS?面板級(jí)大規(guī)模 2.5D 集成技術(shù)。 據(jù)悉臺(tái)積電的這兩座先進(jìn)封裝廠的選址位于亞利桑那州，緊鄰具備 N2 / A16 節(jié)點(diǎn)產(chǎn)能的第三座晶圓廠。 博通十億美元半導(dǎo)體工廠談判破裂 據(jù)西班牙
2025-07-15 11:38:361644 在電子世界的晶體管家族中，NMOS（N 型金屬 - 氧化物 - 半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）與 PMOS（P 型金屬 - 氧化物 - 半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）如同一對(duì)默契的 “電子開(kāi)關(guān)”，掌控著電路中電流的流動(dòng)
2025-07-14 17:05:2223272 
芯片制程從微米級(jí)進(jìn)入2納米時(shí)代，晶體管架構(gòu)經(jīng)歷了從 Planar FET 到 MBCFET的四次關(guān)鍵演變。這不僅僅是形狀的變化，更是一次次對(duì)物理極限的挑戰(zhàn)。從平面晶體管到MBCFET，每一次架構(gòu)演進(jìn)到底解決了哪些物理瓶頸呢？
2025-07-08 16:28:022045 
近日，全球半導(dǎo)體制造巨頭臺(tái)積電(TSMC)宣布將逐步退出氮化鎵(GaN)晶圓代工業(yè)務(wù)，預(yù)計(jì)在未來(lái)兩年內(nèi)完成這一過(guò)渡。這一決定引起了行業(yè)的廣泛關(guān)注，尤其是在當(dāng)前競(jìng)爭(zhēng)激烈的半導(dǎo)體市場(chǎng)環(huán)境中。據(jù)供應(yīng)鏈
2025-07-07 10:33:223474 
的工藝節(jié)點(diǎn)，從而在性能、能效、集成度以及成本方面實(shí)現(xiàn)全面優(yōu)化。 ? 納微半導(dǎo)體將通過(guò)力積電生產(chǎn)其100V至650V的氮化鎵產(chǎn)品組合，以應(yīng)對(duì)超大規(guī)模AI數(shù)據(jù)中心和電動(dòng)汽車(chē)等48V基礎(chǔ)設(shè)施對(duì)氮化鎵技術(shù)日益增長(zhǎng)的需求。根據(jù)公告，首批由力積電制造的器件預(yù)計(jì)
2025-07-07 07:00:002925 
，考慮到市場(chǎng)條件和長(zhǎng)期業(yè)務(wù)戰(zhàn)略，決定在未來(lái)2年內(nèi)逐步退出GaN業(yè)務(wù)。臺(tái)積電強(qiáng)調(diào)，這一決定不會(huì)影響先前公布的財(cái)務(wù)目標(biāo)。 據(jù)供應(yīng)鏈消息，臺(tái)積電決定退出第三類(lèi)半導(dǎo)體之一的氮化鎵市場(chǎng)，其位于竹科的晶圓廠相關(guān)產(chǎn)線(xiàn)已停止生產(chǎn)。臺(tái)積電已向DIGITIMES證實(shí)這一消息，并表示
2025-07-04 16:12:10659 力旺電子宣布，其一次性可編程內(nèi)存（One-Time Programmable, OTP）NeoFuse已于臺(tái)積電N3P制程完成可靠度驗(yàn)證。N3P制程為臺(tái)積電3奈米技術(shù)平臺(tái)中，針對(duì)功耗、效能與密度進(jìn)行
2025-07-01 11:38:04875 晶體管光耦（PhotoTransistorCoupler）是一種將發(fā)光器件和光敏器件組合在一起的半導(dǎo)體器件，用于實(shí)現(xiàn)電路之間的電氣隔離，同時(shí)傳遞信號(hào)或功率。晶體管光耦的工作原理基于光電效應(yīng)和半導(dǎo)體
2025-06-20 15:15:49730 
在半導(dǎo)體工藝演進(jìn)到2nm，1nm甚至0.7nm等節(jié)點(diǎn)以后，晶體管結(jié)構(gòu)該如何演進(jìn)？2017年，imec推出了叉片晶體管（forksheet），作為環(huán)柵（GAA）晶體管的自然延伸。不過(guò)，產(chǎn)業(yè)對(duì)其可制造
2025-06-20 10:40:07
現(xiàn)有的晶體管都是基于 PN 結(jié)或肖特基勢(shì)壘結(jié)而構(gòu)建的。在未來(lái)的幾年里，隨著CMOS制造技術(shù)的進(jìn)步，器件的溝道長(zhǎng)度將小于 10nm。在這么短的距離內(nèi)，為使器件能夠工作，將采用非常高的摻雜濃度梯度。
2025-06-18 11:43:221011 
深圳市三佛科技有限公司供應(yīng)2SC5200音頻配對(duì)功率管PNP型晶體管，原裝現(xiàn)貨
2SC5200是一款PNP型晶體管，2SA1943的補(bǔ)充型。
擊穿電壓：250V (集射極電壓 Vceo) min
2025-06-05 10:24:29
深圳市三佛科技有限公司供應(yīng)2SA1943 大功率功放管PNP型高壓晶體管，原裝現(xiàn)貨
2SA1943是一款PNP型高壓晶體管，專(zhuān)為低頻或音頻放大，直流轉(zhuǎn)直流轉(zhuǎn)換器，其他高功率電路，其電壓-集電極
2025-06-05 10:18:15
當(dāng)行業(yè)還在熱議3nm工藝量產(chǎn)進(jìn)展時(shí)，臺(tái)積電已經(jīng)悄悄把2nm技術(shù)推到了關(guān)鍵門(mén)檻！據(jù)《經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》報(bào)道，臺(tái)積電2nm芯片良品率已突破 90%，實(shí)現(xiàn)重大技術(shù)飛躍！
2025-06-04 15:20:211051 近期，臺(tái)積電(TSMC)執(zhí)行副總經(jīng)理暨共同營(yíng)運(yùn)長(zhǎng)秦永沛在一次公開(kāi)活動(dòng)中表示，公司的2納米制程研發(fā)進(jìn)展順利，未來(lái)將進(jìn)一步推動(dòng)技術(shù)創(chuàng)新與市場(chǎng)需求的匹配。為了實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)，臺(tái)積電計(jì)劃對(duì)位于高雄的晶圓22廠
2025-05-27 11:18:06854 
導(dǎo)語(yǔ)薄膜晶體管（TFT）作為平板顯示技術(shù)的核心驅(qū)動(dòng)元件，通過(guò)材料創(chuàng)新與工藝優(yōu)化，實(shí)現(xiàn)了從傳統(tǒng)非晶硅向氧化物半導(dǎo)體、柔性電子的技術(shù)跨越。本文將聚焦于薄膜晶體管制造技術(shù)與前沿發(fā)展。
2025-05-27 09:51:412508 
據(jù)知情人士透露，臺(tái)積電2nm工藝晶圓的價(jià)格將較此前上漲10%，去年300mm晶圓的預(yù)估價(jià)格為3萬(wàn)美元，而新定價(jià)將達(dá)到3.3萬(wàn)美元左右。此外，這家全球晶圓代工廠將把其4納米制造節(jié)點(diǎn)的價(jià)格提高10
2025-05-22 01:09:001189 當(dāng)代所有的集成電路芯片都是由PN結(jié)或肖特基勢(shì)壘結(jié)所構(gòu)成：雙極結(jié)型晶體管（BJT）包含兩個(gè)背靠背的PN 結(jié)，MOSFET也是如此。結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管（JFET） 垂直于溝道方向有一個(gè) PN結(jié)，隧道穿透
2025-05-16 17:32:071122 
晶體管（Transistor）是一種?半導(dǎo)體器件?，用于?放大電信號(hào)?、?控制電流?或作為?電子開(kāi)關(guān)?。它是現(xiàn)代電子技術(shù)的核心元件，幾乎所有電子設(shè)備（從手機(jī)到超級(jí)計(jì)算機(jī)）都依賴(lài)晶體管實(shí)現(xiàn)功能。以下
2025-05-16 10:02:183876 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/黃山明）在半導(dǎo)體行業(yè)邁向3nm及以下節(jié)點(diǎn)的今天，光刻工藝的精度與效率已成為決定芯片性能與成本的核心要素。光刻掩模作為光刻技術(shù)的“底片”，其設(shè)計(jì)質(zhì)量直接決定了晶體管結(jié)構(gòu)的精準(zhǔn)度
2025-05-16 09:36:475598 
我的理解晶體管的cb be都是有固定壓降的，加在發(fā)射極上那么大電壓還不連電阻。
2025-05-15 09:20:48
結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Junction Field-Effect Transistor, JFET）是在同一塊 N型半導(dǎo)體上制作兩個(gè)高摻雜的P區(qū)，并將它們連接在一起，所引出的電極稱(chēng)為柵極（G），N型半導(dǎo)體兩端分別引出兩個(gè)電極，分別稱(chēng)為漏極（D）和源極（S），如圖 1.11所示。
2025-05-14 17:19:202620 
西門(mén)子和臺(tái)積電在現(xiàn)有 N3P 設(shè)計(jì)解決方案的基礎(chǔ)上，進(jìn)一步推進(jìn)針對(duì)臺(tái)積電 N3C 技術(shù)的工具認(rèn)證。雙方同時(shí)就臺(tái)積電新的 A14 技術(shù)的設(shè)計(jì)支持展開(kāi)合作，為下一代設(shè)計(jì)奠定基礎(chǔ)。
2025-05-07 11:37:061415 基于臺(tái)積電先進(jìn)2nm（N2）制程技術(shù)的高性能計(jì)算產(chǎn)品。這彰顯了AMD與臺(tái)積電在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的合作優(yōu)勢(shì)，即利用領(lǐng)先的制程技術(shù)共同優(yōu)化新的設(shè)計(jì)架構(gòu)。這也標(biāo)志著AMD在執(zhí)行數(shù)據(jù)中心CPU路線(xiàn)圖上邁出了重要
2025-05-06 14:46:20635 
在半導(dǎo)體制造中，清洗工藝貫穿于光刻、刻蝕、沉積等關(guān)鍵流程，并在單晶硅片制備階段發(fā)揮著重要作用。隨著技術(shù)的發(fā)展，芯片制程已推進(jìn)至28nm、14nm乃至更先進(jìn)節(jié)點(diǎn)。
2025-04-24 14:27:32715 根據(jù)臺(tái)積電公布的2024年股東會(huì)年報(bào)數(shù)據(jù)顯示，臺(tái)積電在大陸的南京廠在2024年盈利新臺(tái)幣近260億（換算下來(lái)約58億元人民幣） 相比于在中國(guó)大陸的南京廠大放異彩，臺(tái)積電在美國(guó)亞利桑那州的新廠則是大幅
2025-04-22 14:47:57947 對(duì)電壓的選擇呢？本文將介紹一種電場(chǎng)型多值電壓選擇晶體管，之所以叫電壓型，是因?yàn)橥ㄟ^(guò)調(diào)控晶體管內(nèi)建電場(chǎng)大小來(lái)實(shí)現(xiàn)對(duì)電壓的選擇，原理是PN結(jié)有內(nèi)建電場(chǎng)，通過(guò)外加電場(chǎng)來(lái)增大或減小內(nèi)建電場(chǎng)來(lái)控制晶體管對(duì)電壓的選擇性通
2025-04-16 16:42:26
2 多值電場(chǎng)型電壓選擇晶體管結(jié)構(gòu)
為滿(mǎn)足多進(jìn)制邏輯運(yùn)算的需要，設(shè)計(jì)了一款多值電場(chǎng)型電壓選擇晶體管?？刂贫M(jìn)制電路通斷需要二進(jìn)制邏輯門(mén)電路，實(shí)際上是對(duì)電壓的一種選擇，而傳統(tǒng)二進(jìn)制邏輯門(mén)電路通常比較復(fù)雜
2025-04-15 10:24:55
晶體管，F(xiàn)ET和IC，F(xiàn)ET放大電路的工作原理，源極接地放大電路的設(shè)計(jì)，源極跟隨器電路設(shè)計(jì)，F(xiàn)ET低頻功率放大器的設(shè)計(jì)與制作，柵極接地放大電路的設(shè)計(jì)，電流反饋型OP放大器的設(shè)計(jì)與制作，進(jìn)晶體管
2025-04-14 17:24:55
萬(wàn)顆AI芯片，但臺(tái)積電未及時(shí)發(fā)現(xiàn)。那臺(tái)積電就間接違反了美國(guó)出口管制政策。臺(tái)積電因間接違規(guī)代工中企AI芯片違反出口管制政策，臺(tái)積電或將面臨超10億美元的罰款。 此外特朗普政府的關(guān)稅威脅也一直存在，路透社透露稱(chēng)：特朗普政府要求臺(tái)
2025-04-10 10:55:222722 TB2000已正式通過(guò)廠內(nèi)驗(yàn)證，將于SEMICON 2025展會(huì)天準(zhǔn)展臺(tái)（T0-117）現(xiàn)場(chǎng)正式發(fā)布。 這標(biāo)志著公司半導(dǎo)體檢測(cè)裝備已具備14nm及以下先進(jìn)制程的規(guī)?；慨a(chǎn)檢測(cè)能力。這是繼TB1500突破40nm節(jié)點(diǎn)后，天準(zhǔn)在高端檢測(cè)裝備國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程中的又一里程碑。 核心技術(shù)自主研發(fā) TB2000采用全自主研
2025-03-26 14:40:33682 隨著科技的不斷進(jìn)步，全球芯片產(chǎn)業(yè)正在進(jìn)入一個(gè)全新的競(jìng)爭(zhēng)階段，2納米制程技術(shù)的研發(fā)和量產(chǎn)成為了各大芯片制造商的主要目標(biāo)。近期，臺(tái)積電、三星、英特爾以及日本的Rapidus等公司紛紛加快了在2納米技術(shù)
2025-03-25 11:25:481285 
，較三個(gè)月前技術(shù)驗(yàn)證階段實(shí)現(xiàn)顯著提升（此前驗(yàn)證階段的良率已經(jīng)可以到60%），預(yù)計(jì)年內(nèi)即可達(dá)成量產(chǎn)準(zhǔn)備。 值得關(guān)注的是，蘋(píng)果作為臺(tái)積電戰(zhàn)略合作伙伴，或將率先采用這一尖端制程。盡管廣發(fā)證券分析師Jeff Pu曾預(yù)測(cè)iPhone 18系列搭載的A20處理器仍將延續(xù)3nm工藝，但其最
2025-03-24 18:25:091240 電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道，2nm工藝制程的手機(jī)處理器已有多家手機(jī)處理器廠商密切規(guī)劃中，無(wú)論是臺(tái)積電還是三星都在積極布局，或?qū)⒂袛?shù)款芯片成為2nm工藝制程的首發(fā)產(chǎn)品。 ? 蘋(píng)果A19 或A20 芯片采用臺(tái)
2025-03-14 00:14:002486 柵極（Gate）是晶體管的核心控制結(jié)構(gòu)，位于源極（Source）和漏極（Drain）之間。其功能類(lèi)似于“開(kāi)關(guān)”，通過(guò)施加電壓控制源漏極之間的電流通斷。例如，在MOS管中，柵極電壓的變化會(huì)在半導(dǎo)體表面形成導(dǎo)電溝道，從而調(diào)節(jié)電流的導(dǎo)通與截止。
2025-03-12 17:33:202746 
本書(shū)主要介紹了晶體管，F(xiàn)ET和Ic，F(xiàn)ET放大電路的工作原理，源極接地放大電路的設(shè)計(jì)，源極跟隨電路的設(shè)計(jì)，F(xiàn)ET低頻功率放大器的設(shè)計(jì)和制作，柵極接地放大電路的設(shè)計(jì)，電流反饋行型op放大器的設(shè)計(jì)與制作
2025-03-07 13:55:19
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LT1541SIJ P溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-03-07 11:33:071 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LT1756SJ N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管規(guī)格書(shū).pdf》資料免費(fèi)下載
2025-03-05 17:29:160 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LT1729SI P溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管規(guī)格書(shū).pdf》資料免費(fèi)下載
2025-03-04 18:05:040 這本書(shū)介紹了晶體管的基本特性，單管電路的設(shè)計(jì)與制作， 雙管電路的設(shè)計(jì)與制作，3~5管電路的設(shè)計(jì)與制作，6管以上電路的設(shè)計(jì)與制作。書(shū)中具體內(nèi)容有：直流工作解析，交流工作解析，接地形式，單管反相放大器，雙管反相放大器，厄利效應(yīng)，雙管射極跟隨器等內(nèi)容。
2025-02-26 19:55:46
HFA3046、HFA3096、HFA3127 和 HFA3128 是采用瑞薩電子互補(bǔ)雙極 UHF-1 工藝制造的超高頻晶體管陣列。每個(gè)陣列由位于公共單片襯底上的五個(gè)介電隔離晶體管組成。NPN
2025-02-25 17:19:09953 
HFA3046、HFA3096、HFA3127 和 HFA3128 是采用瑞薩電子互補(bǔ)雙極 UHF-1 工藝制造的超高頻晶體管陣列。每個(gè)陣列由位于公共單片襯底上的五個(gè)介電隔離晶體管組成。NPN
2025-02-25 16:15:33859 
HFA3046、HFA3096、HFA3127 和 HFA3128 是采用瑞薩電子互補(bǔ)雙極 UHF-1 工藝制造的超高頻晶體管陣列。每個(gè)陣列由位于公共單片襯底上的五個(gè)介電隔離晶體管組成。NPN
2025-02-25 16:05:09826 
FinFET(鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管)從平面晶體管到FinFET的演變是一種先進(jìn)的晶體管架構(gòu)，旨在提高集成電路的性能和效率。它通過(guò)將傳統(tǒng)的平面晶體管轉(zhuǎn)換為三維結(jié)構(gòu)來(lái)減少短溝道效應(yīng)，從而允許更小、更快且功耗更低的晶體管。本文將從硅底材開(kāi)始介紹FinFET制造工藝流程，直到鰭片(Fin)的制作完成。
2025-02-17 14:15:022600 
TechInsights分析，臺(tái)積電N2工藝在晶體管密度方面表現(xiàn)突出，其高密度(HD)標(biāo)準(zhǔn)單元的晶體管密度高達(dá)313MTr/mm2，遠(yuǎn)超英特爾Intel 18A的238MTr/mm2和三星SF2/SF3P
2025-02-17 13:52:021086 近日，臺(tái)積電在美國(guó)舉行了首季董事會(huì)，并對(duì)外透露了其在美國(guó)的擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃。臺(tái)積電董事長(zhǎng)魏哲家在會(huì)上表示，公司將正式啟動(dòng)第三廠的建廠行動(dòng)，這標(biāo)志著臺(tái)積電在美國(guó)的布局將進(jìn)一步加強(qiáng)。 據(jù)了解，臺(tái)積電在先進(jìn)制程
2025-02-14 09:58:01933 了重大投入。公司核準(zhǔn)了約171.4140億美元的資本預(yù)算，主要用于建置及升級(jí)先進(jìn)制程產(chǎn)能、先進(jìn)封裝、成熟及/或特殊制程產(chǎn)能，以及廠房興建及廠務(wù)設(shè)施工程。這一舉措將進(jìn)一步提升臺(tái)積電的技術(shù)實(shí)力和產(chǎn)能規(guī)模，為其在全球半導(dǎo)體市場(chǎng)的領(lǐng)先地位
2025-02-13 09:49:54696 據(jù)最新消息，臺(tái)積電正計(jì)劃加大對(duì)美國(guó)亞利桑那州工廠的投資力度，旨在推廣“美國(guó)制造”理念并擴(kuò)展其生產(chǎn)計(jì)劃。據(jù)悉，此次投資將著重于擴(kuò)大生產(chǎn)線(xiàn)規(guī)模，為未來(lái)的3nm和2nm等先進(jìn)工藝做準(zhǔn)備。
2025-02-12 17:04:04995 據(jù)外媒最新報(bào)道，臺(tái)積電正考慮增強(qiáng)其在美國(guó)亞利桑那州工廠的生產(chǎn)服務(wù)，可能涉及提升該廠三座晶圓廠的生產(chǎn)能力，進(jìn)一步增加晶圓產(chǎn)量。這一舉措顯示出臺(tái)積電對(duì)全球半導(dǎo)體市場(chǎng)的持續(xù)承諾與擴(kuò)張戰(zhàn)略。 據(jù)悉，臺(tái)積電
2025-02-12 10:36:33787 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PMBTA14 NPN達(dá)林頓晶體管規(guī)格書(shū).pdf》資料免費(fèi)下載
2025-02-08 15:12:200 近期，美國(guó)特朗普總統(tǒng)宣布將對(duì)芯片、石油、天然氣等行業(yè)征收特定關(guān)稅，此舉引發(fā)了全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的廣泛關(guān)注。作為代工巨頭，臺(tái)積電也受到了這一政策的影響。
2025-02-08 14:40:01813 據(jù)業(yè)內(nèi)傳聞，臺(tái)積電計(jì)劃在臺(tái)南沙侖建設(shè)其最先進(jìn)的1nm制程晶圓廠，并規(guī)劃打造一座超大型晶圓廠（Giga-Fab），可容納六座12英寸生產(chǎn)線(xiàn)。這一舉措旨在放大現(xiàn)有南科先進(jìn)制程的生產(chǎn)集群效應(yīng)。
2025-02-06 17:56:291098 近日，據(jù)報(bào)道，蘋(píng)果已經(jīng)正式啟動(dòng)了M5系列芯片的量產(chǎn)工作。這款備受期待的芯片預(yù)計(jì)將在今年下半年面世，并有望由iPad Pro首發(fā)搭載。 蘋(píng)果M5系列芯片的一大亮點(diǎn)在于其采用了臺(tái)積電最新一代的3nm制程
2025-02-06 14:17:461310 知名分析師郭明錤發(fā)布最新報(bào)告，指出臺(tái)積電在先進(jìn)封裝技術(shù)方面取得顯著進(jìn)展。報(bào)告顯示，臺(tái)積電的COUPE（緊湊型通用光子引擎）技術(shù)供應(yīng)鏈能見(jiàn)度大幅提升，奇景光電（Himax）已被確定為第一與第二代COUPE微透鏡陣列的獨(dú)家供應(yīng)商。
2025-01-24 14:09:081275 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PUMH14-Q NPN/NPN電阻晶體管規(guī)格書(shū).pdf》資料免費(fèi)下載
2025-01-24 13:35:130 近日，臺(tái)灣半導(dǎo)體制造業(yè)巨頭臺(tái)積電遭遇了一次突發(fā)事件。據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道，臺(tái)積電位于臺(tái)南的Fab14和Fab18工廠在近期發(fā)生的地震中受損，初步估計(jì)將有1至2萬(wàn)片晶圓報(bào)廢。本月21日零時(shí)17分，臺(tái)灣嘉義縣
2025-01-24 11:27:29944 , Gate-all-Around）全環(huán)繞柵極晶體管(GAAFET)等先進(jìn)結(jié)構(gòu)，在減少漏電、降低功耗方面雖然取得了顯著成就，但進(jìn)一步微縮的挑戰(zhàn)日益顯現(xiàn)。為了延續(xù)摩爾定律的發(fā)展趨勢(shì)，并滿(mǎn)足未來(lái)高性能計(jì)算的需求，業(yè)界正積極研發(fā)下一代晶體管架構(gòu)——互補(bǔ)場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Complementary FET, CFET）。
2025-01-24 10:03:514436 
近期，臺(tái)灣臺(tái)南市發(fā)生了一場(chǎng)震源深度達(dá)14公里的6.2級(jí)地震，全島范圍內(nèi)震感強(qiáng)烈。面對(duì)這一突發(fā)自然災(zāi)害，半導(dǎo)體制造巨頭臺(tái)積電迅速作出反應(yīng)，確保了各廠區(qū)的安全與正常運(yùn)營(yíng)。 據(jù)臺(tái)積電1月21日中午發(fā)布
2025-01-23 10:37:51777 )三期建設(shè)兩座新的工廠。 針對(duì)這一傳言，臺(tái)積電在1月20日正式作出回應(yīng)。公司表示，鑒于市場(chǎng)對(duì)先進(jìn)封裝技術(shù)的巨大需求，臺(tái)積電計(jì)劃在臺(tái)灣地區(qū)的多個(gè)地點(diǎn)擴(kuò)大其先進(jìn)封裝設(shè)施的生產(chǎn)規(guī)模。其中，南科園區(qū)作為臺(tái)積電的重要生產(chǎn)基地之一，也將納入此次擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃之中。 臺(tái)積電強(qiáng)調(diào)，此
2025-01-23 10:18:36930 近日，野村證券在報(bào)告中指出，英偉達(dá)因多項(xiàng)產(chǎn)品需求放緩，將大砍在臺(tái)積電、聯(lián)電等CoWoS-S訂單量高達(dá)80%，預(yù)計(jì)將導(dǎo)致臺(tái)積電營(yíng)收減少1%至2%。 野村半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)分析師鄭明宗指出，英偉達(dá)Hopper
2025-01-22 14:59:23872 近日，臺(tái)灣臺(tái)南市發(fā)生了一場(chǎng)6.2級(jí)的地震，震源深度達(dá)到14公里。此次地震給臺(tái)灣全島帶來(lái)了強(qiáng)烈的震感，引發(fā)了廣泛關(guān)注和擔(dān)憂(yōu)。 面對(duì)這場(chǎng)突如其來(lái)的自然災(zāi)害，臺(tái)積電迅速做出了反應(yīng)。在地震發(fā)生后不久，臺(tái)積電
2025-01-22 10:38:06817 新臺(tái)幣的總營(yíng)收。營(yíng)收結(jié)構(gòu)上，由于AI的快速發(fā)展，HPC(高性能計(jì)算)得到持續(xù)提升，仍然是臺(tái)積電最核心的業(yè)務(wù)，其第四季度貢獻(xiàn)了近1.53萬(wàn)億新臺(tái)幣的收入，AI以及7nm以下先進(jìn)制程市場(chǎng)為臺(tái)積電持續(xù)賦力。 01|毛利率59%，臺(tái)積電整體收益超預(yù)期 圖源：臺(tái)積電 拆分臺(tái)積電營(yíng)收的具體財(cái)務(wù)數(shù)據(jù)
2025-01-21 14:36:211086 
近日，據(jù)外媒報(bào)道，臺(tái)積電已確認(rèn)其位于美國(guó)亞利桑那州的Fab 21晶圓廠將在2024年第四季度正式進(jìn)入大批量生產(chǎn)階段，主要生產(chǎn)4nm工藝(N4P)芯片。 然而，與臺(tái)積電在臺(tái)灣地區(qū)的晶圓廠相比，F(xiàn)ab
2025-01-20 14:49:411129 ? 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/吳子鵬）根據(jù)相關(guān)媒體報(bào)道，臺(tái)積電拒絕為三星Exynos處理器提供代工服務(wù)，理由是臺(tái)積電害怕通過(guò)最先進(jìn)的工藝代工三星Exynos處理器可能會(huì)導(dǎo)致泄密，讓三星了解如何提升最先進(jìn)制程
2025-01-20 08:44:003449 
近日有消息報(bào)道，臺(tái)積電(TSMC)在美國(guó)投資生產(chǎn)下一代2納米(nm)芯片將不再受到任何限制。這一決定標(biāo)志著臺(tái)灣當(dāng)局在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)策略上的重要調(diào)整。 此前，為了維護(hù)中國(guó)臺(tái)灣在芯片制造領(lǐng)域的領(lǐng)先地位
2025-01-15 15:21:521017 來(lái)源：半導(dǎo)體前線(xiàn) 臺(tái)積電在美國(guó)廠的4nm芯片已經(jīng)開(kāi)始量產(chǎn)，而中國(guó)臺(tái)灣也有意不再對(duì)臺(tái)積電先進(jìn)制程赴美設(shè)限，因此中國(guó)臺(tái)灣有評(píng)論認(rèn)為，臺(tái)積電不僅在“去臺(tái)化”，也有是否會(huì)變成“美積電”的疑慮。 中國(guó)臺(tái)灣不再
2025-01-14 10:53:09994 率和質(zhì)量可媲美臺(tái)灣產(chǎn)區(qū)。 此外；臺(tái)積電還將在亞利桑那州二廠生產(chǎn)領(lǐng)先全球的2納米制程技術(shù)，預(yù)計(jì)生產(chǎn)時(shí)間是2028年。 臺(tái)積電4nm芯片量產(chǎn)標(biāo)志著臺(tái)積電在美國(guó)市場(chǎng)的進(jìn)一步拓展，也預(yù)示著全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)格局的深刻變化。 ?
2025-01-13 15:18:141453 1月8日消息，日本豐田合成株式會(huì)社（Toyoda Gosei Co., Ltd.）宣布，成功開(kāi)發(fā)出了用于垂直晶體管的 200mm（8英寸）氮化鎵 （GaN）單晶晶圓。 據(jù)介紹，與使用采用硅基GaN
2025-01-09 18:18:221356
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