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電子發(fā)燒友網(wǎng)>存儲(chǔ)技術(shù)>美光推出整合芯片uMCP5 內(nèi)存和存儲(chǔ)帶寬比上代方案提升了50%

美光推出整合芯片uMCP5 內(nèi)存和存儲(chǔ)帶寬比上代方案提升了50%

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推出DDR5 RDIMM實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)中心性能進(jìn)一步提升

數(shù)據(jù)中心的系統(tǒng)架構(gòu)正在提供日益增多的處理器核心數(shù)、以及更大的內(nèi)存帶寬與容量,而 DDR5 使內(nèi)存密度翻倍,并同時(shí)提升可靠
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存儲(chǔ)芯片二季度漲幅將達(dá)到兩位數(shù);蘋果關(guān)閉意大利17家零售店…

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2020-03-13 09:16:114092

推出低功耗DDR5 DRAM芯片,能效提升超過 20%

移動(dòng)產(chǎn)品事業(yè)部高級(jí)副總裁兼總經(jīng)理 Raj Talluri 博士表示:“與摩托羅拉基于該款智能旗艦手機(jī)的合作體現(xiàn)出移動(dòng)設(shè)備制造商極其重視下一代存儲(chǔ)解決方案,以期為用戶帶來更高性能和更豐富的體驗(yàn)。攜LPDDR5助力5G智能旗艦手機(jī)設(shè)計(jì),其背后凸顯了手機(jī)產(chǎn)業(yè)鏈里的通力協(xié)作。”
2020-04-24 09:43:513988

發(fā)布全球最快顯卡內(nèi)存GDDR6X已應(yīng)用于英偉達(dá)最新GPU;京東方柔性O(shè)LED全屏顯示屏幕獲IFA 2020屏幕技術(shù)創(chuàng)新金

9月4日消息,科技發(fā)布了全球速度最快的獨(dú)立顯卡內(nèi)存解決方案GDDR6X。光表示, GDDR6X 能加速呈現(xiàn)逼真的3D體驗(yàn),助力系統(tǒng)帶寬實(shí)現(xiàn)1TB/秒。據(jù)介紹,光通過應(yīng)用創(chuàng)新的信號(hào)傳輸技術(shù)
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助力 Xiaomi 13 首批搭載 LPDDR5X 內(nèi)存,打造下一代智能手機(jī)新體驗(yàn)

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Rambus推出6400MT/s DDR5寄存時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器,進(jìn)一步提升服務(wù)器內(nèi)存性能

Soo-Kyoum Kim表示:“DDR5大幅提升了計(jì)算系統(tǒng)的性能。隨著數(shù)據(jù)中心應(yīng)用更加頻繁地要求越來越高的內(nèi)存帶寬,DDR5生態(tài)系統(tǒng)將成為提升下一代數(shù)據(jù)中心性能提升這一基本需求的關(guān)鍵?!盧ambus
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基于閃存存儲(chǔ)的Apache Kafka性能提升方法

作者:Dennis Lattka我是科技的首席存儲(chǔ)解決方案工程師Dennis Lattka。這個(gè)頭銜的真正含義是,我要致力于確定如何利用閃存存儲(chǔ)改善工作負(fù)載應(yīng)用的性能和結(jié)果。為此,我決定對(duì)大數(shù)
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對(duì)內(nèi)存使用的疑惑

大家好,我做FPGA開發(fā),需要用到大的內(nèi)存,ise12只有光和現(xiàn)代的庫,我對(duì)內(nèi)存使用有如下疑惑:2G內(nèi)存位寬16位,速率可達(dá)200M,4G內(nèi)存怎么才8位,速率還慢,才125M~150MHz.這樣的話,用更多的內(nèi)存反而降低性能?
2013-06-22 21:46:08

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2021-05-18 06:25:17

解析uMCP的由來,eMCP將成為過去式?

3GB-8GB+64GB-256GB范圍的八種不同配置。三星和美推出的多芯片封裝uMCP解決方案有望替代eMCP成為5G手機(jī)向中低端市場(chǎng)普及的最佳解決方案,將可滿足移動(dòng)市場(chǎng)不斷增長的性能和容量的需求
2019-12-25 14:38:44

uMCP究竟是什么?它與eMCP有什么聯(lián)系?

uMCP究竟是什么?它與eMCP有什么聯(lián)系?為何eMCP在中低端市場(chǎng)仍占據(jù)優(yōu)勢(shì)?那么uMCP5會(huì)迅速取代eMCP嗎?
2021-06-18 07:35:50

計(jì)劃2019年底量產(chǎn)DDR5內(nèi)存芯片

隨著科技的發(fā)展,DIY行業(yè)又一次迎來了春天,各類產(chǎn)品層出不窮,而成為內(nèi)存的老牌廠商,為無數(shù)玩家提供縱橫游戲的尖端裝備,近日,內(nèi)部有消息稱,已經(jīng)開始研發(fā)16Gb容量的DDR5產(chǎn)品,并計(jì)劃在2019年底量產(chǎn)。
2018-11-03 09:57:254648

存儲(chǔ)芯片需求或?qū)p弱 內(nèi)存芯片市場(chǎng)疲軟

投行高盛警告稱,存儲(chǔ)芯片需求將下滑。受此影響,美國芯片股于當(dāng)?shù)貢r(shí)間周三普遍下跌。由于內(nèi)存芯片的需求弱于預(yù)期,當(dāng)?shù)貢r(shí)間周三,高盛分析師下調(diào)了內(nèi)存芯片廠商科技和半導(dǎo)體設(shè)備制造商科林研發(fā)(Lam Research)的股票評(píng)級(jí)。該機(jī)構(gòu)將科技的股票評(píng)級(jí)從“買入”下調(diào)至“中性”。
2018-11-15 17:19:25860

計(jì)劃削減12.5億美元的資本支出,減少內(nèi)存及閃存芯片的產(chǎn)量

總裁、CEO Sanjay Mehrotra在財(cái)報(bào)電話會(huì)議上表示,為了適應(yīng)當(dāng)前市場(chǎng)的狀況,將減少DRAM內(nèi)存及NAND閃存芯片的產(chǎn)量。根據(jù)的數(shù)據(jù),2019年他們預(yù)測(cè)DRAM內(nèi)存產(chǎn)量增加15%,低于此前預(yù)測(cè)的20%增長,而NAND閃存預(yù)計(jì)增長35%,也低于之前預(yù)計(jì)的35-40%增長率。
2018-12-21 11:15:054225

推出全新SSD產(chǎn)品組合 具備更高的可靠性和性能

?) 協(xié)議,幫助客戶端計(jì)算提升帶寬并降低延遲。? 2200 PCIe? NVMe SSD 是一款垂直整合的解決方案——基于 3D TLC NAND、自主設(shè)計(jì)的 ASIC 控制器和固件、以及 M.2
2019-03-26 17:24:06846

已流片第一批第四代3DNAND存儲(chǔ)芯片 有望在2020年生產(chǎn)商用第四代3DNAND內(nèi)存

科技已經(jīng)流片第一批第四代3D NAND存儲(chǔ)芯片,它們基于全新的RG架構(gòu)。該公司有望在2020年生產(chǎn)商用第四代3D NAND內(nèi)存,但警告稱,使用新架構(gòu)的存儲(chǔ)芯片將僅用于特定應(yīng)用,因此明年其3D NAND成本削減將微乎其微。
2019-10-08 16:25:154507

業(yè)績(jī)與存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)供需關(guān)系大

據(jù)鉅亨網(wǎng)報(bào)道,專門生產(chǎn) DRAM 和 NAND 的可謂最具周期性的科技業(yè)務(wù),其財(cái)務(wù)業(yè)績(jī)會(huì)隨著存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)供需關(guān)系而大幅波動(dòng)。
2019-12-20 11:40:063947

最新DDR5內(nèi)存開始出樣,性能更強(qiáng)功耗更低

2020年AMD、Intel即將推出的新一代CPU處理器還會(huì)支持DDR4內(nèi)存,但是下一代DDR5內(nèi)存已經(jīng)近在眼前,2021年就會(huì)正式上市。今天宣布開始向客戶出樣最新的DDR5內(nèi)存,基于1Znm工藝,性能提升了85%。
2020-01-07 09:31:245503

宣布開始出樣DDR5內(nèi)存 基于1Znm工藝打造

2020年AMD、Intel即將推出的新一代CPU處理器還會(huì)支持DDR4內(nèi)存,但是下一代DDR5內(nèi)存已經(jīng)近在眼前,2021年就會(huì)正式上市。今天宣布開始向客戶出樣最新的DDR5內(nèi)存,基于1Znm工藝,性能提升了85%。
2020-01-07 10:13:383418

宣布出樣DDR5內(nèi)存 它的特性有哪些

于前日宣布已經(jīng)開始向業(yè)界中的核心客戶出樣DDR5內(nèi)存(RDIMM)了,目前他們?cè)贒DR5內(nèi)存上面使用的是自家最新的1z nm工藝。
2020-01-12 10:09:044221

UFS多芯片封裝正式送樣,可提升5G智能手機(jī)的電池續(xù)航力

根據(jù)官方消息,(Micron)今日宣布業(yè)界首款搭載 LPDDR5 DRAM 的通用閃存(UFS)多芯片封裝(uMCP)正式送樣。
2020-03-11 16:03:1521443

新款LPDDR5 uMCP5封裝可實(shí)現(xiàn)優(yōu)化中端智能手機(jī)的存儲(chǔ)

內(nèi)存存儲(chǔ)解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商 Micron Technology, Inc.(科技股份有限公司,納斯達(dá)克股票代碼:MU)宣布,開始出樣業(yè)界首款同時(shí)搭載低功耗 DDR5 (LPDDR5) DRAM
2020-03-11 16:51:253897

科技多芯片封裝正式送樣,支持更小和更靈活的智能手機(jī)設(shè)計(jì)

根據(jù)官方的消息,科技公司今天宣布,業(yè)界首個(gè)將LPDDR5 DRAM和UFS閃存相結(jié)合的多芯片封裝(uMCP)正式送樣,官方稱uMCP可提供高密度、低功耗的存儲(chǔ),適用于輕薄、緊湊的智能手機(jī)。
2020-03-11 17:05:483925

宣布首款LPDDR5 DRAM UFS多芯片封裝正式送樣 可節(jié)省功耗并減少存儲(chǔ)器占用空間

存儲(chǔ)器大廠(Micron Technology)于11日宣布,業(yè)界首款搭載LPDDR5 DRAM的通用快閃存儲(chǔ)器儲(chǔ)存(UFS)多芯片封裝(uMCP)正式送樣。新款UFS多芯片封裝(uMCP5)是基于光在多芯片規(guī)格尺寸創(chuàng)新及領(lǐng)導(dǎo)地位所打造。
2020-03-12 11:06:324480

推出新款uMCP5封裝 能降低功耗縮小尺寸還能使設(shè)計(jì)更加靈活

3 月 13 日訊,內(nèi)存存儲(chǔ)解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商科技近日宣布,已開始提供業(yè)界首個(gè)集成了 LPDDR5-6400 動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)和 96 層 3D NAND 閃存的多芯片封裝(uMCP)樣品。
2020-03-13 14:51:41971

低功耗DDR5 DRAM芯片,使edge+手機(jī)充分利用5G網(wǎng)絡(luò)速度

內(nèi)存存儲(chǔ)解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商 Micron Technology Inc.與摩托羅拉公司聯(lián)合宣布,摩托羅拉新推出的motorola edge+ 智能手機(jī)已搭載的低功耗 DDR5(LPDDR5
2020-04-23 17:16:503494

低功耗DDR5 DRAM 芯片,挖掘移動(dòng)設(shè)備5G潛能

內(nèi)存存儲(chǔ)解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商 Micron Technology Inc.與摩托羅拉公司聯(lián)合宣布,摩托羅拉新推出的motorola edge+ 智能手機(jī)已搭載的低功耗 DDR5(LPDDR5)DRAM 芯片
2020-04-25 10:32:51962

低功耗DDR5 DRAM芯片助力5G網(wǎng)絡(luò)

內(nèi)存存儲(chǔ)解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商科技與摩托羅拉公司聯(lián)合宣布,摩托羅拉新推出的新款motorola edge+智能手機(jī)已搭載的低功耗DDR5 DRAM芯片,為用戶帶來完整的5G功能體驗(yàn)。
2020-04-27 16:00:001254

5G手機(jī)“超前部署” 強(qiáng)大的uMCP儲(chǔ)存

諸如科技(Micron Technology)等內(nèi)存制造商決定選擇“超前部署”。該公司最近開始送樣搭載低功耗DDR5 (LPDDR5) DRAM的通用閃存儲(chǔ)存(UFS)多芯片封裝(uMCP芯片
2020-07-03 14:36:331998

uMCP5有點(diǎn)驚喜 內(nèi)存閃存二合一!

人心的,則是它的持握手感,而輕薄就是對(duì)手感硬件最大的指標(biāo)之一。 那么,如何才能讓手機(jī)更輕??? 沒錯(cuò),直接集成5G基帶的SoC,就比外掛5G基帶的SoC占便宜。此外,手機(jī)內(nèi)部還有很多硬件都在追求更高的集成度,從而降低對(duì)PCB主板空間的
2020-10-26 16:09:592718

量產(chǎn)并出貨1αnm DRAM內(nèi)存芯片 功耗可降低15%

今天宣布,已經(jīng)開始批量出貨基于1αnm工藝的DRAM內(nèi)存芯片,這也是迄今為止最先進(jìn)的DRAM工藝,可明顯提升容量密度、性能并降低功耗。 不同于CPU、GPU等新品,DRAM內(nèi)存、NAND閃存
2021-01-27 17:28:332298

宣布“uMCP5”已量產(chǎn),首次將LPDDR5內(nèi)存+UFS閃存二合一

繼今年3月首次公開之后,今天宣布,全新的“uMCP5”已經(jīng)做好了大規(guī)模量產(chǎn)的準(zhǔn)備。
2020-10-21 09:36:213652

uMCP55G生態(tài)系統(tǒng)帶來哪些好處?

uMCP5 專為下一代 5G 設(shè)備而設(shè)計(jì),能輕松快速地處理和存儲(chǔ)大量數(shù)據(jù),且無需在性能和功耗之間進(jìn)行妥協(xié)。高性能的內(nèi)存存儲(chǔ)使 uMCP5 能夠充分支持 5G 下載速度,并同時(shí)運(yùn)行更多應(yīng)用程序。
2020-10-21 11:02:562112

全新“uMCP5”準(zhǔn)備量產(chǎn),大大提升智能手機(jī)的存儲(chǔ)密度

繼今年3月首次公開之后,今天宣布,全新的“uMCP5”已經(jīng)做好了大規(guī)模量產(chǎn)的準(zhǔn)備。
2020-10-21 15:22:282126

全球首創(chuàng)LPDDR5內(nèi)存+UFS閃存,性能爆增

繼今年3月首次公開之后,今天宣布,全新的“uMCP5”已經(jīng)做好了大規(guī)模量產(chǎn)的準(zhǔn)備。uMCP5在全球首次通過MCP多芯片封裝的方式,將LPDDR5內(nèi)存、UFS閃存整合在一顆芯片內(nèi),可大大提升智能手機(jī)的存儲(chǔ)密度,節(jié)省內(nèi)部空間、成本、功耗。
2020-10-22 09:46:403637

率先量產(chǎn)LPDDR5內(nèi)存,小米10首發(fā)

,LPDDR5有望對(duì)下一代便攜電子設(shè)備(手機(jī)、平板)的性能產(chǎn)生巨大提升率先量產(chǎn)LPDDR5內(nèi)存,小米10首發(fā) 今年2月,內(nèi)存大廠率先宣布量產(chǎn)LPDDR5 DRAM芯片,并同時(shí)宣布首發(fā)于小米
2020-10-27 11:40:032918

科技量產(chǎn)全球首款基于LPDDR5 DRAM的多芯片封裝產(chǎn)品

uMCP5uMCP5將高性能、高密度及低功耗的內(nèi)存存儲(chǔ)集成在一個(gè)緊湊的封裝中,使智能手機(jī)能夠應(yīng)對(duì)數(shù)據(jù)密集型5G工作負(fù)載,顯著提升速度和功效。 量產(chǎn)全球首款基于LPDDR5 DRAM的多芯片封裝
2020-10-27 15:17:473518

5G給內(nèi)存存儲(chǔ)帶來了什么樣的發(fā)展科技的解答

 內(nèi)存存儲(chǔ)的區(qū)別越來越模糊,在2021年,將看到企業(yè)正在尋求新型解決方案,例如存儲(chǔ)級(jí)內(nèi)存內(nèi)存虛擬化,以進(jìn)一步釋放AI及激增的數(shù)據(jù)量帶來的價(jià)值。
2021-01-17 10:34:323436

推出 1α DRAM 制程技術(shù):內(nèi)存密度提升了 40% 節(jié)能 15%

均有重大突破。 ? 光表示,對(duì)比上一代的 1z DRAM 制程,1α 技術(shù)將內(nèi)存密度提升了 40%。 計(jì)劃于今年將 1α 節(jié)點(diǎn)全面導(dǎo)入其 DRAM 產(chǎn)品線,從而更好地支持廣泛的 DRAM 應(yīng)用領(lǐng)域——為包括移動(dòng)設(shè)備和智能車輛在內(nèi)的各種應(yīng)用提供更強(qiáng)的性能。 的 1α 技術(shù)節(jié)點(diǎn)使內(nèi)存解決方
2021-01-27 13:56:032777

全球首創(chuàng)1αnm DRAM內(nèi)存芯片

今天宣布,已經(jīng)開始批量出貨基于1αnm工藝的DRAM內(nèi)存芯片,這也是迄今為止最先進(jìn)的DRAM工藝,可明顯提升容量密度、性能并降低功耗。
2021-01-27 16:16:513896

率先于業(yè)界推出1α DRAM制程技術(shù)

的 1α 技術(shù)節(jié)點(diǎn)使內(nèi)存解決方案更節(jié)能、更可靠,并為需要最佳低功耗 DRAM 產(chǎn)品的移動(dòng)平臺(tái)帶來運(yùn)行速度更快的 LPDDR5
2021-01-28 17:28:081182

1αDRAM芯片工藝可提升密度40%

本周二公布其用于DRAM的1α新工藝,該技術(shù)有望將DRAM位密度提升40%,功耗降低15%。 1α工藝最初被用于生產(chǎn)DDR4和LPDDR4內(nèi)存,未來或?qū)⒌采w所有類型的DRAM。
2021-01-29 15:03:442841

推出車用低功耗DDR5 DRAM內(nèi)存

內(nèi)存存儲(chǔ)解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商Micron Technology Inc.(科技股份有限公司,納斯達(dá)克股票代碼: MU)今日宣布,已開始出樣業(yè)內(nèi)首款車用低功耗 DDR5 DRAM (LPDDR5
2021-02-26 12:02:253366

三星已經(jīng)順利完成了LPDDR5 uMCP的兼容性測(cè)試

近日,三星已在其韓國的工廠,大規(guī)模量產(chǎn)新款5uMCP芯片,無疑,這將改變了現(xiàn)在所有中、高端智能手機(jī)的硬件格局?;?uMCP4 框架,全新uMCP 5使用 LPDDR5 內(nèi)存優(yōu)化 5G 網(wǎng)絡(luò)
2021-06-23 14:55:093005

正式推出全新Crucial英睿達(dá)DDR5內(nèi)存

公司近日推出了全新的 Crucial 英睿達(dá) DDR5 內(nèi)存,比之前英睿達(dá) DDR4內(nèi)存的數(shù)據(jù)傳輸速度提高了將近50%,提供更快的速率滿足多核處理器的需求。
2021-10-29 10:52:162523

打造下一代游戲體驗(yàn):AMD Radeon? RX 6000系列顯卡已搭載 GDDR6內(nèi)存

應(yīng)用和市場(chǎng)提供內(nèi)存存儲(chǔ)解決方案,故而對(duì)技術(shù)的演進(jìn)及如何加速這些演進(jìn)有獨(dú)到的看法。 一直認(rèn)為,內(nèi)存密集型工作負(fù)載的增多會(huì)推動(dòng)高性能內(nèi)存需求的持續(xù)增長。就應(yīng)用和使用模式而言,這類增長的驅(qū)動(dòng)力主要來自人工智能(AI)、虛擬化應(yīng)用、游戲等領(lǐng)域的創(chuàng)新及其他細(xì)分市場(chǎng)。
2021-12-15 11:39:223170

GDDR6X超帶寬解決方案為顯存樹立新標(biāo)桿

憑GDDR6X超帶寬解決方案獲得了2021年ASPENCORE全球電子成就獎(jiǎng)(WEAA)。這說明內(nèi)存對(duì)于提升終端用戶的體驗(yàn)變得越來越重要。
2022-01-04 16:41:363471

移動(dòng)內(nèi)存存儲(chǔ)性能提升計(jì)算影像

打開相機(jī)應(yīng)用程序后,智能手機(jī)在您按下相機(jī)快門或錄制按鈕前便會(huì)開始分析周邊環(huán)境以及存儲(chǔ)內(nèi)存緩沖區(qū)中的圖像。
2022-03-10 11:04:492189

科技推出全新的16Gb容量GDDR6X內(nèi)存

上海 — 內(nèi)存存儲(chǔ)解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商 Micron Technology, Inc.(科技股份有限公司,納斯達(dá)克代碼:MU)今日宣布量產(chǎn)全新的 16Gb 容量 GDDR6X 內(nèi)存,并已搭載
2022-04-19 14:28:401911

Mobileye通過內(nèi)存存儲(chǔ)解決方案推進(jìn)汽車自主性

  與 Mobileye 的合作提醒我們,基于 DRAM、NAND 和 NOR 的內(nèi)存存儲(chǔ)解決方案支持我們客戶的自動(dòng)駕駛汽車系統(tǒng),并有助于實(shí)現(xiàn)更大的社會(huì)效益,以減少人為錯(cuò)誤并幫助彼此在道路上更安全。未來,當(dāng)我們都在駕駛自動(dòng)駕駛汽車時(shí),我期待著我的內(nèi)心更加平靜,我的孩子們的夢(mèng)想更加和平。
2022-04-21 14:30:502397

M2芯片開啟新一代的M系列芯片 提升了M1芯片絕佳性能

M2芯片開啟了新一代的M系列芯片,中央處理器速度提高了18%,圖形處理器速度提高了35%,神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)引擎速度提高了40%,增加了50%內(nèi)存帶寬,進(jìn)一步提升了M1芯片絕佳性能。
2022-06-07 15:43:484284

推出一系列優(yōu)化解決方案應(yīng)對(duì)智能邊緣復(fù)雜內(nèi)存存儲(chǔ)需求

內(nèi)存存儲(chǔ)解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商 Micron Technology, Inc.(科技股份有限公司,納斯達(dá)克代碼:MU)近日宣布擴(kuò)展旗下嵌入式產(chǎn)品組合與生態(tài)系統(tǒng)合作伙伴陣容,推出一系列功能強(qiáng)大的優(yōu)化解決方案,以應(yīng)對(duì)智能邊緣復(fù)雜的內(nèi)存存儲(chǔ)需求。
2022-06-27 15:31:161792

LPDDR5成為全球首款獲得ISO 26262標(biāo)準(zhǔn)ASIL D認(rèn)證的內(nèi)存

內(nèi)存存儲(chǔ)解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商 Micron Technology, Inc.(科技股份有限公司,納斯達(dá)克代碼:MU)近日宣布擴(kuò)展旗下嵌入式產(chǎn)品組合與生態(tài)系統(tǒng)合作伙伴陣容,推出一系列功能強(qiáng)大的優(yōu)化解決方案
2022-06-27 15:38:352052

科技推出全新DDR5服務(wù)器DRAM

2022 年 7 月 7 日,上海— 內(nèi)存存儲(chǔ)解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商 Micron Technology, Inc.(科技股份有限公司,納斯達(dá)克股票代碼: MU)今日宣布,面向商業(yè)和工業(yè)渠道
2022-07-07 14:45:573042

發(fā)布基于1-alpha技術(shù)制造的LPDDR5X芯片

推出了最新的DRAM芯片,其采用了1-beta制造技術(shù),大幅提高了芯片的能效和內(nèi)存密度。稱計(jì)劃在明年開始量產(chǎn)這種芯片。
2022-11-03 10:49:011189

出貨全球最先進(jìn)1β工藝內(nèi)存:密度暴增35%

。 稱,1β工藝可將能效提高約15%,存儲(chǔ)密度提升35%以上,單顆裸片(Die)容量高達(dá)16Gb(2GB)。 目前,已經(jīng)在LPDDR5X移動(dòng)內(nèi)存上率先應(yīng)用1β工藝,還使用了第二代HKMG(高K金屬
2022-11-03 14:43:361576

DDR5內(nèi)存現(xiàn)已配合第四代AMD EPYC處理器平臺(tái)出貨

) 9004 系列處理器驗(yàn)證的 DDR5 內(nèi)存。隨著現(xiàn)代服務(wù)器配備更多處理內(nèi)核的 CPU,其單個(gè) CPU 內(nèi)核的內(nèi)存帶寬在不斷下降。為緩解這一瓶頸, DDR5 提供比前幾代產(chǎn)品更高的帶寬,從而提升可靠性和可
2022-11-21 14:30:21741

科技在日本廣島開始量產(chǎn)尖端存儲(chǔ)器DRAM

β”,與上代產(chǎn)品相比電力效率和記憶密度分別提升了約15%和約35%,主要面向智能手機(jī)出貨。廣島工廠是光在2013年收購爾必達(dá)時(shí)所獲,于2019年建設(shè)新廠房等,致力于尖端技術(shù)產(chǎn)品DRAM的生產(chǎn)。 當(dāng)日,科技同時(shí)宣布,為應(yīng)對(duì)市場(chǎng)狀況,公司將內(nèi)存
2022-11-28 10:40:521736

LPDDR5X移動(dòng)內(nèi)存正持續(xù)受到市場(chǎng)青睞

小米集團(tuán)手機(jī)部副總裁許春利表示:“移動(dòng)計(jì)算需求日益旺盛,更快且更低功耗的內(nèi)存尤為重要。 LPDDR5X 是目前最先進(jìn)的移動(dòng)內(nèi)存產(chǎn)品,有效提升移動(dòng)計(jì)算攝影、本地 AI 翻譯等功能的使用體驗(yàn)。
2022-12-12 11:14:561219

LPDDR5X 先進(jìn)內(nèi)存助力 Xiaomi 13 打造智能手機(jī)新體驗(yàn)

來源: 內(nèi)存存儲(chǔ)解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商 Micron Technology Inc.(科技股份有限公司)宣布其 LPDDR5X 移動(dòng)內(nèi)存正持續(xù)受到市場(chǎng)青睞,并已正式搭載于小米最新款旗艦智能手機(jī)
2022-12-12 18:12:051467

DDR5為第四代英特爾?至強(qiáng)?可擴(kuò)展處理器家族帶來更強(qiáng)的性能和可靠性

,性能比前代產(chǎn)品提升了近 49%。除了更高的內(nèi)存帶寬和更強(qiáng)的性能外, DDR5 內(nèi)存還設(shè)有片上糾錯(cuò)碼 (ODECC) 和有限故障等功能,可提升整個(gè)數(shù)據(jù)中心的可靠性。ODECC 功能可糾正單比特錯(cuò)誤并檢測(cè)多比特錯(cuò)
2023-01-17 09:20:022645

推出面向數(shù)據(jù)中心的6500 ION SSD與XTR SSD,再創(chuàng)存儲(chǔ)新高

Micron Technology Inc.(科技股份有限公司,納斯達(dá)克股票代碼:MU)今日宣布推出兩款固態(tài)硬盤 (SSD)—— 6500 ION NVMe SSD 及 XTR NVMe
2023-05-19 09:42:064835

基于232層3D TLC NAND閃存的UFS 4.0模塊能效提升25%

基于232層3D TLC NAND閃存的UFS 4.0模塊能效提升25% 此前推出了其首個(gè)UFS 4.0移動(dòng)存儲(chǔ)解決方案,采用了232層3D TLC NAND閃存;速度提升很大,可以達(dá)到最高
2023-07-19 19:02:211823

推出性能更出色的大容量高帶寬內(nèi)存 (HBM) 助力生成式人工智能創(chuàng)新

性能可提升最高50%。第二代HBM3產(chǎn)品與前一代產(chǎn)品相比,每瓦性能提高2.5倍,創(chuàng)下了關(guān)鍵型人工智能(AI)數(shù)據(jù)中心性能、
2023-08-01 15:38:211538

推出CZ120內(nèi)存擴(kuò)展模塊

Micron Technology Inc.(科技股份有限公司,納斯達(dá)克股票代碼:MU)今日宣布已為客戶及合作伙伴出樣 CZ120 內(nèi)存擴(kuò)展模塊。該模塊擁有 128GB 和 256GB 兩種
2023-08-10 14:12:371440

利用1β工藝技術(shù)提供高速7,200 MT/s DDR5內(nèi)存

隨著數(shù)據(jù)中心工作負(fù)載所需cpu核心數(shù)量的增加,對(duì)更高內(nèi)存帶寬和容量的要求增加,克服了“內(nèi)存墻”問題,優(yōu)化了總擁有費(fèi)用。公司的 1β DDR5 DRAM 可以進(jìn)一步擴(kuò)展性能,支持?jǐn)?shù)據(jù)中心和客戶端平臺(tái)之間的人工智能(ai)訓(xùn)練和推理
2023-10-13 10:55:041573

科技啟動(dòng)高帶寬存儲(chǔ)芯片生產(chǎn) 為英偉達(dá)最新AI芯片提供支持

英偉達(dá)下一代H200圖形處理器將采用HBM3E芯片,預(yù)計(jì)于今年第2季交付,有望超越現(xiàn)有的H100芯片,為科技貢獻(xiàn)更高業(yè)績(jī)。此外,龍頭廠商SK海力士等供應(yīng)的AI HBM(高寬帶存儲(chǔ)器)芯片市場(chǎng)需求持續(xù)升溫
2024-02-27 09:33:291543

高性能內(nèi)存存儲(chǔ)助力榮耀 Magic6 Pro 智能手機(jī)提升邊緣 AI 體驗(yàn)

2024 年 3 月 1 日,中國上海?——?Micron Technology,Inc.?(科技股份有限公司,納斯達(dá)克股票代碼:MU)今日宣布低功耗 LPDDR5X 內(nèi)存和 UFS 4.0
2024-03-01 14:10:361772

科技開始量產(chǎn)HBM3E高帶寬內(nèi)存解決方案

科技股份有限公司(Micron Technology, Inc.)是全球內(nèi)存存儲(chǔ)解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商,近日宣布已經(jīng)開始量產(chǎn)其HBM3E高帶寬內(nèi)存解決方案。這一重要的里程碑式進(jìn)展再次證明了光在內(nèi)存技術(shù)領(lǐng)域的行業(yè)領(lǐng)先地位。
2024-03-05 09:16:281608

科技助力榮耀Magic6 Pro,提升邊緣AI體驗(yàn)

在智能手機(jī)技術(shù)飛速發(fā)展的今天,高性能的內(nèi)存存儲(chǔ)解決方案成為推動(dòng)手機(jī)性能提升的關(guān)鍵因素。近日,全球知名的半導(dǎo)體存儲(chǔ)及影像產(chǎn)品制造商科技宣布,其低功耗LPDDR5X內(nèi)存和UFS 4.0移動(dòng)閃存已成功助力榮耀最新旗艦智能手機(jī)——榮耀Magic6 Pro,為用戶提供前所未有的端側(cè)人工智能體驗(yàn)。
2024-03-07 11:03:572241

長江存儲(chǔ)QLC閃存壽命實(shí)現(xiàn)重大突破

根據(jù)官方介紹,長江存儲(chǔ)X3-6070 QLC閃存的IO接口傳輸速度達(dá)到了2400MT/s,相比上代的1600MT/s提升了足足50%,同時(shí)讀取、寫入速度都有著接近100%的提升。
2024-04-03 15:04:141637

推LPDDR5X內(nèi)存,助提升手機(jī)電池續(xù)航

參考IT之家早先報(bào)道,首批9.6GbpsLPDDR5X內(nèi)存于去年10月面世,最大容量16GB,適配高通驍龍8Gen3平臺(tái);SK海力士亦在2023年推出同速LPDDR5T內(nèi)存。
2024-04-15 15:05:321481

全系列車規(guī)級(jí)內(nèi)存存儲(chǔ)解決方案已通過高通汽車平臺(tái)驗(yàn)證

2024 年 4 月 22 日Micron Technology Inc.(科技股份有限公司,納斯達(dá)克股票代碼:MU)近日宣布,全系列車規(guī)級(jí)內(nèi)存存儲(chǔ)解決方案已通過高通技術(shù)公司
2024-04-22 14:33:011635

科技推出基于大容量32Gb單塊DRAM芯片的128GB DDR5 RDIMM內(nèi)存

2024 年 5 月 9 日, Micron Technology Inc.(科技股份有限公司,納斯達(dá)克股票代碼:MU)近日宣布在業(yè)界率先驗(yàn)證并出貨基于大容量 32Gb 單塊 DRAM 芯片的128GB DDR5 RDIMM 內(nèi)存,
2024-05-09 14:27:401669

HBM3E解決方案,高帶寬內(nèi)存助力AI未來發(fā)展

近期發(fā)布的內(nèi)存存儲(chǔ)產(chǎn)品組合創(chuàng)新備受矚目,這些成就加速了 AI 的發(fā)展。 8 層堆疊和 12 層堆疊 HBM3E 解決方案提供業(yè)界前沿性能,功耗比競(jìng)品1低 30%。
2024-05-28 14:08:131659

科技發(fā)布新一代GDDR7顯存

在近日舉行的臺(tái)北國際電腦展上,美國存儲(chǔ)芯片巨頭科技正式發(fā)布了其新一代GDDR7顯存。這款新型GPU顯卡內(nèi)存基于的1βDRAM架構(gòu),將內(nèi)存性能提升至新的高度。
2024-06-06 09:24:511108

科技推出多路復(fù)用雙列直插式內(nèi)存模塊(MRDIMM)

全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體存儲(chǔ)解決方案提供商科技(納斯達(dá)克股票代碼:MU)近日宣布成功推出其首款多路復(fù)用雙列直插式內(nèi)存模塊(MRDIMM),這一創(chuàng)新產(chǎn)品旨在助力客戶應(yīng)對(duì)日益復(fù)雜的工作負(fù)載挑戰(zhàn),最大化計(jì)算
2024-07-19 14:12:251509

DDR5內(nèi)存面臨漲價(jià)潮,存儲(chǔ)巨頭轉(zhuǎn)向HBM生產(chǎn)

近日,存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)傳來重大消息,SK海力士正式通知市場(chǎng),其DDR5內(nèi)存產(chǎn)品將漲價(jià)15%至20%,這一舉動(dòng)無疑給市場(chǎng)投下了一枚震撼彈。此次漲價(jià)的根源在于,SK海力士、、三星等存儲(chǔ)芯片巨頭紛紛調(diào)整
2024-08-15 10:19:212762

將在西安工廠率先啟動(dòng)LPCAMM和MRDIMM內(nèi)存模組量產(chǎn)

據(jù)最新韓媒報(bào)道,全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體存儲(chǔ)解決方案供應(yīng)商科技已決定在中國西安的工廠率先啟動(dòng)LPCAMM(低功耗客戶異步內(nèi)存模組)和MRDIMM(多排名直接內(nèi)存訪問內(nèi)存模組)的量產(chǎn)計(jì)劃。這一戰(zhàn)略部署標(biāo)志著光在推動(dòng)內(nèi)存技術(shù)革新與產(chǎn)能擴(kuò)張方面邁出了重要一步。
2024-09-02 16:42:041337

發(fā)布新型CUDIMM與CSODIMM內(nèi)存產(chǎn)品

 公司近期宣布成功推出并已開始批量發(fā)貨兩款新型內(nèi)存模塊——CUDIMM與CSODIMM,這兩款產(chǎn)品均遵循JEDEC固態(tài)存儲(chǔ)協(xié)會(huì)的標(biāo)準(zhǔn),數(shù)據(jù)傳輸速率高達(dá)6400MT/s,相較于傳統(tǒng)DDR5內(nèi)存,速度提升了15%。
2024-10-16 14:38:271859

科技推出新款存儲(chǔ)解決方案

隨著人工智能(AI)不斷改變行業(yè)并推動(dòng)創(chuàng)新,數(shù)據(jù)中心需要能夠跟上存儲(chǔ)解決方案的發(fā)展步伐。為滿足這一需求,我很高興地宣布推出新款存儲(chǔ)解決方案——9550 NVMeTM SSD。這一新款尖端垂直集成
2024-11-18 10:32:431056

科技70億美元打造新加坡存儲(chǔ)芯片

預(yù)計(jì)將于2026年正式投入運(yùn)營,專注于封裝高帶寬存儲(chǔ)芯片。這類芯片在人工智能數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用,是當(dāng)前市場(chǎng)上備受矚目的產(chǎn)品之一。 新工廠的建設(shè)不僅將提升科技在全球存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)力,還將為新加坡創(chuàng)造
2025-01-09 11:34:431465

新加坡HBM內(nèi)存封裝工廠破土動(dòng)工

光在亞洲地區(qū)的進(jìn)一步布局和擴(kuò)張。 據(jù)方面介紹,該工廠將采用最先進(jìn)的封裝技術(shù),致力于提升HBM內(nèi)存的產(chǎn)能和質(zhì)量。隨著AI芯片行業(yè)的迅猛發(fā)展,HBM內(nèi)存的需求也在不斷增長。為了滿足這一市場(chǎng)需求,決定在新加坡建設(shè)這座先進(jìn)的封裝工
2025-01-09 16:02:581155

黑芝麻智能與科技將合作推出新型ADAS解決方案

A2000家族芯片和美科技LPDDR5內(nèi)存,將極大提升ADAS系統(tǒng)處理復(fù)雜駕駛場(chǎng)景的能力,進(jìn)一步滿足智能駕駛場(chǎng)景和算法的需求。 在智能汽車中,ADAS需要高速、低功耗的內(nèi)存解決方案來實(shí)時(shí)處理大量代碼和數(shù)據(jù),以確保安全性和效率。ADAS系統(tǒng)能夠迅速、準(zhǔn)確地處
2025-01-24 12:13:143322

黑芝麻智能與科技攜手推出新型ADAS解決方案

將提供其先進(jìn)的華山A2000家族芯片,而科技則將貢獻(xiàn)其高性能的LPDDR5內(nèi)存。這兩者的強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)合,將共同打造出一個(gè)具備卓越處理能力的ADAS系統(tǒng)。 據(jù)悉,該新型ADAS解決方案將顯著提升系統(tǒng)在處理復(fù)雜駕駛場(chǎng)景時(shí)的能力。無論是高速公路上的緊急
2025-01-24 15:12:151092

黑芝麻智能與科技攜手拓展ADAS方案性能

近期,黑芝麻智能與科技聯(lián)合宣布了一項(xiàng)重要合作,雙方將共同推出一種全新的高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng)(ADAS)解決方案。此次合作旨在通過結(jié)合黑芝麻智能的華山A2000家族芯片科技的LPDDR5內(nèi)存
2025-02-07 11:02:021296

Cadence推出HBM4 12.8Gbps IP內(nèi)存系統(tǒng)解決方案

近日,Cadence(NASDAQ:CDNS)近日宣布推出業(yè)界速度最快的 HBM4 12.8Gbps 內(nèi)存 IP 解決方案,以滿足新一代 AI 訓(xùn)練和 HPC 硬件系統(tǒng)對(duì) SoC 日益增長的內(nèi)存帶寬
2025-05-26 10:45:261307

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