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電子發(fā)燒友網(wǎng)>存儲(chǔ)技術(shù)>用上EUV光刻機(jī) SK海力士將于明年下半年量產(chǎn)第四代(1a nm)DRAM

用上EUV光刻機(jī) SK海力士將于明年下半年量產(chǎn)第四代(1a nm)DRAM

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ASML明年將發(fā)布新一EUV光刻機(jī) 三星太子急赴荷蘭

10月15日,據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,目前全球頂尖的光刻機(jī)生產(chǎn)商ASML正在研發(fā)第三款EUV光刻機(jī),并計(jì)劃于明年年中出貨。 從其所公布的信息來(lái)看,新款光刻機(jī)型號(hào)命名為T(mén)WINSCAN NXE:3600D
2020-10-17 05:02:004299

SK海力士:采用EUV技術(shù)的第四代10納米級(jí)DRAM量產(chǎn)

業(yè)內(nèi)將每一工藝節(jié)點(diǎn)都以標(biāo)注英文字母的方式起名,此次SK海力士量產(chǎn)1a納米級(jí)工藝是繼1x(第一)、1y(第二)、1z(第三)之后的第四代工藝節(jié)點(diǎn)。公司預(yù)計(jì)從下半年開(kāi)始向智能手機(jī)廠商供應(yīng)適用1a納米級(jí)技術(shù)的移動(dòng)端DRAM。 ? 工藝的極度細(xì)微化趨勢(shì)使半導(dǎo)體廠商陸續(xù)導(dǎo)入E
2021-07-12 10:57:065592

SK海力士72層3D NAND內(nèi)存?zhèn)?017年領(lǐng)先全球量產(chǎn)

SK 海力士最先進(jìn) 72 層 3D NAND 內(nèi)存?zhèn)?b class="flag-6" style="color: red">明年開(kāi)始量產(chǎn),韓聯(lián)社 26 日引述知情人事消息報(bào)導(dǎo)指出,海力士計(jì)劃于 2017 上半年完成芯片設(shè)計(jì),位在利川(Icheon)的 M14 廠將可在下半年開(kāi)始生產(chǎn)。
2016-12-27 09:06:351594

SK海力士拓荒海外市場(chǎng)重要舉措 無(wú)錫8寸晶圓代工新廠投產(chǎn)

SK海力士在昨天的電郵聲明中表示,其全資子公司SK海力士System IC與無(wú)錫市政府下屬的投資公司無(wú)錫產(chǎn)業(yè)發(fā)展集團(tuán)合資組建8寸晶圓代工廠,建立的新生產(chǎn)線將生產(chǎn)模擬半導(dǎo)體,預(yù)計(jì)于今年下半年開(kāi)工,并于2019年下半年完工,2020年正式啟用生產(chǎn)。
2018-07-12 09:53:474946

SK海力士支出43億美元加大EUV光刻機(jī)采購(gòu)

SK海力士于周三宣布與ASML簽訂了一項(xiàng)為期5年(截至2025年12月1日)的采購(gòu)合同,總值約為4.8萬(wàn)億韓元(43.4億美元),用于購(gòu)置EUV光刻機(jī)。
2021-02-25 11:57:574816

三星和SK海力士都已實(shí)現(xiàn),EUV DRAM 的壓力來(lái)到美光這邊?

近日,SK海力士官網(wǎng)發(fā)布新聞消息稱(chēng),公司已于7月初開(kāi)始量產(chǎn)適用第四代10nm1a)級(jí)工藝的8Gb LPDDR4 移動(dòng)端DRAM產(chǎn)品。值得注意的是,這是SK海力士首次采用EUV技術(shù)進(jìn)行DRAM量產(chǎn)
2021-07-13 06:36:583394

美國(guó)反對(duì)EUV光刻機(jī)引入中國(guó),SK海力士CEO回應(yīng)

光刻機(jī)引進(jìn)中國(guó)大陸。 ? 針對(duì)EUV光刻機(jī)進(jìn)廠可能延期的問(wèn)題,在日前的韓國(guó)半導(dǎo)體工業(yè)協(xié)會(huì)30周年紀(jì)念活動(dòng)上,SK海力士CEO Seok-hee Lee(李錫熙)表示,正在與美方合作,進(jìn)展良好,EUV光刻技術(shù)已經(jīng)在韓國(guó)本土的DRAM產(chǎn)線上應(yīng)用,中國(guó)工廠還有充足的時(shí)間供斡
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EUV光刻機(jī)何以造出5nm芯片?

作為近乎壟斷的光刻機(jī)巨頭,ASML的EUV光刻機(jī)已經(jīng)在全球頂尖的晶圓廠中獲得了使用。無(wú)論是英特爾、臺(tái)積電還是三星,EUV光刻機(jī)的購(gòu)置已經(jīng)是生產(chǎn)支出中很大的一筆,也成了7nm之下不可或缺的制造設(shè)備
2021-12-01 10:07:4113656

193 nm ArF浸沒(méi)式光刻技術(shù)和EUV光刻技術(shù)

45 nm、300 mm晶圓廠量產(chǎn)45 nm MPU:(1)美國(guó)俄勒岡州Fab PID廠,2007年下半年量產(chǎn);(2)美國(guó)亞利桑那州Fab 32廠,投資30億美元,2007年末量產(chǎn);(3)以色列Fab
2019-07-01 07:22:23

DRAM技術(shù)或迎大轉(zhuǎn)彎,三星、海力士擱置擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目

SK海力士也宣布,2018年下半將投資重心集中于NAND Flash,NAND Flash新廠投資進(jìn)度正在加速,DRAM只會(huì)進(jìn)行小規(guī)模補(bǔ)強(qiáng)與轉(zhuǎn)換投資。如何看待這兩則新聞?筆者認(rèn)為這屬于意料之中的事
2018-10-12 14:46:09

光刻機(jī)工藝的原理及設(shè)備

都已經(jīng)使用7nm EUV工藝開(kāi)始生產(chǎn)芯片了,預(yù)定今年發(fā)布的AMD Zen 3架構(gòu)第四代銳龍?zhí)幚砥饔玫木褪桥_(tái)積電7nm EUV工藝,Intel現(xiàn)在的10nm工藝還沒(méi)用上EUV技術(shù),不過(guò)預(yù)定在7nm工藝
2020-07-07 14:22:55

第四代CSR8670開(kāi)發(fā)板開(kāi)發(fā)步驟Rev1.2

第四代CSR8670開(kāi)發(fā)板開(kāi)發(fā)步驟Rev1.2
2017-09-30 09:06:52

第四代北斗芯片發(fā)布

在4月26日召開(kāi)的第十三屆中國(guó)衛(wèi)星導(dǎo)航年會(huì)(CSNC2022)上,深圳華大北斗科技股份有限公司研發(fā)的第四代北斗芯片正式發(fā)布。 這是一款擁有完全自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的國(guó)產(chǎn)基帶和射頻一體化SoC芯片,作為
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第四代移動(dòng)通信系統(tǒng)有哪些關(guān)鍵技術(shù)?

第四代移動(dòng)通信技術(shù)是什么?有什么主要特點(diǎn)?第四代移動(dòng)通信系統(tǒng)有哪些關(guān)鍵技術(shù)?
2021-05-26 07:07:28

Flashtec NVMe 3108 PCIe第四代NVMe固態(tài)硬盤(pán)控制器怎么樣?

)新推出的企業(yè)和數(shù)據(jù)中心固態(tài)硬盤(pán)外形尺寸(EDSFF) E1.S等行業(yè)標(biāo)準(zhǔn),采用體積更小、且支持第四代PCIe的非易失性存儲(chǔ)器高速(NVMe)固態(tài)硬盤(pán)?! ∵@些固態(tài)硬盤(pán)要求控制器具備體積小和低功耗的特點(diǎn)
2020-11-23 06:10:45

MIMO-OFDM系統(tǒng)為什么能成為第四代移動(dòng)通信領(lǐng)域研究的熱點(diǎn)和重點(diǎn)?

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2021-05-27 06:39:06

capsense第四代和第五在感應(yīng)模式上的具體區(qū)別是什么?

據(jù)我所知,第五capsense相比第四代將電容(包括自電容+互電容技術(shù))和電感觸摸技術(shù)集成到了一起,snr信噪比是上一的十多倍,同時(shí)功耗僅是上一的十分之一。但是這張圖在感應(yīng)模式上第四代
2024-05-23 06:24:34

【福利】2014年下半年國(guó)外電子展會(huì)信息大全

總公司提供的,2014年下半年-2015年上半年出國(guó)展覽計(jì)劃,從美國(guó)邁阿密到巴西圣保羅,從俄羅斯莫斯科到阿聯(lián)酋迪拜。展會(huì)行業(yè)包括消費(fèi)品,禮品,玩具兒童用品,辦公用品,美容護(hù)膚品,鞋類(lèi),家具園林,五金工具,木工機(jī)械,服裝等眾多行業(yè),跨越全球全行業(yè).下載附件即可查看展會(huì)信息。
2014-05-19 16:15:24

新應(yīng)用 | DPO70000橫掃第四代串行測(cè)試

  隨著企業(yè)計(jì)算從第三串行標(biāo)準(zhǔn)轉(zhuǎn)向第四代串行標(biāo)準(zhǔn),我們的客戶需要一臺(tái)高精度示波器,支持并可擴(kuò)展地進(jìn)行無(wú)縫轉(zhuǎn)換。DPO70000SX的最低型號(hào)為23或33GHz,其可擴(kuò)充的結(jié)構(gòu)提供了“升級(jí)空間“,在
2016-06-08 15:02:10

新應(yīng)用 | 橫掃第四代串行測(cè)試(之二)

接上篇橫掃第四代串行測(cè)試文章,隔得太久大家可能忘記前排文章的內(nèi)容了,這里就不重復(fù)敘述了,上篇直通車(chē)→橫掃第四代串行測(cè)試一 隨著各種重大行業(yè)規(guī)范不斷進(jìn)化,如PCIe,我們的測(cè)試測(cè)量工具也必須保持同步
2016-07-07 17:28:56

本田第四代混合動(dòng)力系統(tǒng)技術(shù)的設(shè)計(jì)思想和工作原理是什么

本文通過(guò)對(duì)本田第四代混合動(dòng)力系統(tǒng)IMA的工作特性與主要零部件的分析研究,揭示了其基本的設(shè)計(jì)思想和工作原理,對(duì)于國(guó)內(nèi)輕度混聯(lián)混合動(dòng)力汽車(chē)的研發(fā)具有一定的借鑒作用。
2021-05-12 06:08:11

鑫天鴻第四代強(qiáng)制式干混砂漿罐---專(zhuān)為工人群體而設(shè)計(jì)

階段,可見(jiàn)未來(lái)5年工地對(duì)第四代強(qiáng)制式干混砂漿罐的需求會(huì)越來(lái)越大。 那么一款專(zhuān)業(yè)的工人專(zhuān)用空氣凈化施工產(chǎn)品應(yīng)當(dāng)是怎樣的標(biāo)準(zhǔn)呢? 第四代強(qiáng)制式干混砂漿罐的產(chǎn)品介紹: 攪拌機(jī)開(kāi)機(jī)后,罐內(nèi)的砂漿通過(guò)手動(dòng)蝶閥或
2017-06-16 11:00:57

魂遷光刻,夢(mèng)繞芯片,中芯國(guó)際終獲ASML大型光刻機(jī) 精選資料分享

EUV主要用于7nm及以下制程的芯片制造,光刻機(jī)作為集成電路制造中最關(guān)鍵的設(shè)備,對(duì)芯片制作工藝有著決定性的影響,被譽(yù)為“超精密制造技術(shù)皇冠上的明珠”,根據(jù)之前中芯國(guó)際的公報(bào),目...
2021-07-29 09:36:46

第四代移動(dòng)通信系統(tǒng)

本文從基本概念、接入系統(tǒng)、關(guān)鍵技術(shù)等幾個(gè)方面全面介紹了第四代移動(dòng)通信系統(tǒng),并簡(jiǎn)單介紹了OFDM 技術(shù)在第四代移動(dòng)通信中的應(yīng)用。
2009-11-28 11:46:5942

9294第四代智VCD維修解碼板使用說(shuō)明

9294第四代智VCD維修解碼板使用說(shuō)明 第四代智能VCD維修解碼板新增功能:1、增加目前市面上最流行的LED數(shù)碼屏
2009-04-28 15:39:251718

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第四代iPhone細(xì)節(jié)曝光   北京時(shí)間2月9日早間消息,美國(guó)數(shù)碼產(chǎn)品維修網(wǎng)站iResQ今天刊文,曝光了蘋(píng)果第四代iPhone的更多細(xì)節(jié)及圖片,第四代iPhone要比當(dāng)前的iPhone 3
2010-02-09 11:00:00937

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海力士:DRAM下半年復(fù)蘇

全球DRAM二哥海力士(Hynix)認(rèn)為,DRAM產(chǎn)業(yè)下半年起開(kāi)始復(fù)蘇。
2012-03-16 09:00:194669

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2016-04-19 11:30:480

SK海力士72層3D NAND存儲(chǔ)器明年量產(chǎn)

SK 海力士最先進(jìn)72 層3D NAND 記憶體傳明年開(kāi)始量產(chǎn),韓聯(lián)社26 日引述知情人事消息報(bào)導(dǎo)指出,海力士計(jì)劃于2017 上半年完成芯片設(shè)計(jì),位在利川(Icheon)的M14 廠將可在下半年開(kāi)始生產(chǎn)。
2016-12-27 14:15:111317

芯片制造關(guān)鍵的EUV光刻機(jī)單價(jià)為何能超1億歐元?

進(jìn)入10nm工藝節(jié)點(diǎn)之后,EUV光刻機(jī)越來(lái)越重要,全球能產(chǎn)EUV光刻機(jī)的就是荷蘭ASML公司了,他們總共賣(mài)出18臺(tái)EUV光刻機(jī),總價(jià)值超過(guò)20億歐元,折合每套系統(tǒng)售價(jià)超過(guò)1億歐元,可謂價(jià)值連城。
2017-01-19 18:22:594096

這款與“范爺”座駕奔馳AMGG55系列的AMGG63可能將于明年下半年推出

新一奔馳G級(jí)預(yù)計(jì)將于今年亮相,最有可能會(huì)在今年9月的法蘭克福車(chē)展上登場(chǎng)。至于G63很可能于明年下半年推出。
2017-07-05 17:06:041552

三星、SK海力士提高閃存產(chǎn)能 SSD降價(jià)可期

據(jù)外媒報(bào)道,從去年下半年至今,SSD/內(nèi)存的價(jià)格就坐上了火箭,而且一點(diǎn)降價(jià)的跡象都沒(méi)有,反而是SSD廠商不斷傳出不利因素,致使很多用戶每天都在提心吊膽。不過(guò)現(xiàn)在總算有好消息了,首先是三星即將量產(chǎn)第四代堆疊閃存,還有是SK海力士也在進(jìn)一步提高產(chǎn)能。
2017-07-07 16:31:36697

DRAM漲價(jià)潮引發(fā)中國(guó)發(fā)改委關(guān)注 國(guó)產(chǎn)才是真出路

乎離DRAM價(jià)格穩(wěn)定還有一段距離。據(jù)媒體報(bào)道,三星和SK海力士已經(jīng)向客戶發(fā)出了漲價(jià)通知,明年一季度DRAM將會(huì)繼續(xù)漲8%,并且這個(gè)現(xiàn)狀會(huì)在明年下半年再有好轉(zhuǎn),那就意味著上半年DRAM依然是漲價(jià)為主旋律。
2017-12-21 10:29:236556

DRAM 2018上半年還會(huì)漲嗎?具體看三星、 SK海力士增產(chǎn)實(shí)況!

據(jù)悉,在今年上半年DRAM價(jià)格恐怕很難減下來(lái),還會(huì)繼續(xù)保持上漲趨勢(shì)。到2018下半年是否增長(zhǎng)具體還的看三星、sk海力士的實(shí)際增產(chǎn)情況。
2018-01-18 15:24:451011

美光表示:EUV光刻機(jī)DRAM芯片制造上不是必須的,直到1α及1β工藝上都也不會(huì)用到它

今年臺(tái)積電、三星及Globalfoundries等公司都會(huì)量產(chǎn)7nm工藝,第一7nm工藝將使用傳統(tǒng)的DUV光刻工藝,二7nm才會(huì)上EUV光刻工藝,預(yù)計(jì)明年量產(chǎn)。那么存儲(chǔ)芯片行業(yè)何時(shí)會(huì)用上
2018-06-07 14:49:006864

存儲(chǔ)芯片行業(yè)何時(shí)會(huì)用上EUV工藝?

xx nm就不明了。 三星是第一家量產(chǎn)18nm工藝,也就是第一個(gè)進(jìn)入1X nm節(jié)點(diǎn)的,遙遙領(lǐng)先其他公司,美光現(xiàn)在也開(kāi)始向1X nm工藝轉(zhuǎn)進(jìn),下一1Y nm工藝已經(jīng)進(jìn)入客戶驗(yàn)證階段了,今年下半年
2018-06-08 14:29:076259

美光認(rèn)為暫時(shí)用不上EUV光刻機(jī)DRAM工藝還需發(fā)展

現(xiàn)在也開(kāi)始向1Xnm工藝轉(zhuǎn)進(jìn),下一1Ynm工藝已經(jīng)進(jìn)入客戶驗(yàn)證階段了,今年下半年問(wèn)世,1Znm工藝節(jié)點(diǎn)在處于工藝優(yōu)化階段,1α及1β工藝則是在不同研發(fā)階段。 美光CEO
2018-08-20 17:41:491479

明年下半年DRAM價(jià)格有下修壓力,產(chǎn)值低于今年的67.8%

DRAM漲勢(shì)不斷,后遺癥逐步顯現(xiàn),通路商表示,因存儲(chǔ)器漲幅過(guò)大,下游應(yīng)用端,尤其是筆電和部分智能手機(jī)等市場(chǎng),不堪侵蝕獲利,已開(kāi)始朝降低搭載量抵制,加上部分新產(chǎn)量陸續(xù)在2019年產(chǎn)出,研判明年下半年,DRAM漲勢(shì)將止步,價(jià)格有下修壓力。
2018-08-28 16:22:491110

LGD廣州廠進(jìn)入設(shè)備訂單階段,明年下半年或?qū)?b class="flag-6" style="color: red">量產(chǎn)

LGD廣州已正式進(jìn)入設(shè)備訂單階段,得到中國(guó)政府審批后,以明年下半年量產(chǎn)為目標(biāo)有條不紊加速進(jìn)行工廠籌備。
2018-09-19 09:02:363958

ASML將于明年出貨30臺(tái)EUV光刻機(jī)

臺(tái)積電前不久試產(chǎn)了7nm EUV工藝,預(yù)計(jì)明年大規(guī)模量產(chǎn),三星今天宣布量產(chǎn)7nm EUV工藝,這意味著EUV工藝就要正式商業(yè)化了,而全球最大的光刻機(jī)公司荷蘭ASML為這一天可是拼了20多年。
2018-10-19 10:49:293872

SK海力士向無(wú)錫晶圓代工事業(yè)出資1000萬(wàn)美元 用于廠房興建計(jì)劃2019年下半年竣工

據(jù)韓國(guó)媒體亞洲經(jīng)濟(jì)報(bào)道,SK海力士透過(guò)子公司SK Hynix System IC向無(wú)錫晶圓代工事業(yè)出資1,000萬(wàn)美元,資金用途視廠房興建計(jì)劃而定,無(wú)錫新工廠計(jì)劃于2019年下半年竣工,從2020年開(kāi)始正式啟動(dòng)。
2018-11-24 10:39:413369

三星第三10nm工藝DDR4內(nèi)存下半年量產(chǎn)

預(yù)計(jì)在今年下半年,成品的8GB DDR4模組也在驗(yàn)證中,目標(biāo)領(lǐng)域是下一企業(yè)級(jí)服務(wù)器和2020年的高端PC產(chǎn)品。 第三10nm級(jí)工藝即1z nm(在內(nèi)存制造中,用x/y/z指代級(jí),工藝區(qū)間是10
2019-03-29 07:52:01592

SK海力士跨向1ynm內(nèi)存時(shí)代 提高DRAM內(nèi)存芯片產(chǎn)能

SK海力士近日宣布,將在提高第一10nm級(jí)工藝(1xnm) DRAM內(nèi)存芯片產(chǎn)能的同時(shí),今年下半年開(kāi)始銷(xiāo)售基于第二10nm級(jí)工藝(1ynm)的內(nèi)存芯片,并為下代內(nèi)存做好準(zhǔn)備。SK海力士首款
2019-05-14 10:40:003315

多家DRAM廠商開(kāi)始評(píng)估采用EUV技術(shù)量產(chǎn)

繼臺(tái)積電、三星晶圓代工、英特爾等國(guó)際大廠在先進(jìn)邏輯制程導(dǎo)入極紫外光(EUV)微影技術(shù)后,同樣面臨制程微縮難度不斷增高的DRAM廠也開(kāi)始評(píng)估采用EUV技術(shù)量產(chǎn)。三星電子今年第四季將開(kāi)始利用EUV技術(shù)生產(chǎn)1z納米DRAM,SK海力士及美光預(yù)期會(huì)在1α納米或1β納米評(píng)估導(dǎo)入EUV技術(shù)。
2019-06-18 17:20:313118

關(guān)于EUV光刻機(jī)的分析介紹

格芯首席技術(shù)官Gary Patton表示,如果在5nm的時(shí)候沒(méi)有使用EUV光刻機(jī),那么光刻的步驟將會(huì)超過(guò)100步,這會(huì)讓人瘋狂。所以所EUV光刻機(jī)無(wú)疑是未來(lái)5nm和3nm芯片的最重要生產(chǎn)工具,未來(lái)圍繞EUV光刻機(jī)的爭(zhēng)奪戰(zhàn)將會(huì)變得異常激烈。因?yàn)檫@是決定這些廠商未來(lái)在先進(jìn)工藝市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)的關(guān)鍵。
2019-09-03 17:18:1814886

三星6nm6LPP將在今年下半年如期投入量產(chǎn) 4nm4LPE也會(huì)在年內(nèi)設(shè)計(jì)完畢

除了臺(tái)積電,三星如今在工藝方面也是十分激進(jìn):7nm 7LPP去年十月投產(chǎn)之后,按照官方最新給出的時(shí)間表,6nm 6LPP將在今年下半年如期投入量產(chǎn),5nm 5LPE今年內(nèi)完成流片、明年半年量產(chǎn),4nm 4LPE也會(huì)在年內(nèi)設(shè)計(jì)完畢。
2019-08-02 15:45:433408

美光將推出最新的第四代3D NAND閃存

美光宣布,已經(jīng)完成第四代3D NAND閃存的首次流片,應(yīng)用了全新的替換柵極(RG)架構(gòu),并計(jì)劃在明年投入量產(chǎn)。
2019-10-14 16:04:321180

美光第四代3D NAND芯片將量產(chǎn) 計(jì)劃繼續(xù)沿用CMOS陣列

存儲(chǔ)行業(yè)隨著物聯(lián)網(wǎng)時(shí)代的來(lái)臨也迎來(lái)了一波新的發(fā)展機(jī)遇,近日,根據(jù)最新消息顯示,美系存儲(chǔ)巨頭,美光的第四代3D NAND芯片完成首批流片,新一產(chǎn)品基于美光全新研發(fā)的替代柵極架構(gòu),將于明年開(kāi)始小范圍量產(chǎn)。
2019-11-18 15:33:471043

SK海力士推出新型DRAM 號(hào)稱(chēng)創(chuàng)下業(yè)內(nèi)單芯最大密度記錄

SK 海力士公司宣布,其已成功開(kāi)發(fā)出 1Znm 16GB DDR4 動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM),創(chuàng)下了業(yè)內(nèi)單芯最大密度的紀(jì)錄。與上一 1Y nm 產(chǎn)品相比,其產(chǎn)能提升約 27%,因其無(wú)需昂貴的極紫外(EUV光刻加持,因此更具成本競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。
2019-11-19 11:08:21941

DRAM價(jià)格預(yù)測(cè)在下半年下SK海力士下調(diào)目標(biāo)股價(jià)

據(jù)韓聯(lián)社報(bào)道,投資機(jī)構(gòu)Eugene預(yù)測(cè),由于受到新冠肺炎的影響,DRAM價(jià)格將在今年下半年下跌,且下修了SK海力士的目標(biāo)股價(jià)。
2020-04-14 16:12:362860

DRAM價(jià)格今年下半年將下跌,SK海力士營(yíng)業(yè)利潤(rùn)預(yù)測(cè)下調(diào)至4.5萬(wàn)億韓元

據(jù)韓聯(lián)社報(bào)道,投資機(jī)構(gòu)Eugene預(yù)測(cè),由于受到新冠肺炎的影響,DRAM價(jià)格將在今年下半年下跌,且下修了SK海力士的目標(biāo)股價(jià)。
2020-04-14 16:05:002999

SKC預(yù)計(jì)將在今年下半年量產(chǎn)高端掩模坯料和光罩基板

據(jù)韓國(guó)消息報(bào)道,韓國(guó)產(chǎn)業(yè)通商資源部20日宣布,SK海力士的姊妹公司SKC預(yù)計(jì)將在今年下半年大規(guī)模生產(chǎn)高端掩模坯料,從而幫助SK海力士實(shí)現(xiàn)自給自足。
2020-04-21 14:44:562911

EUV光刻機(jī)還能賣(mài)給中國(guó)嗎?

ASML的EUV光刻機(jī)是目前全球唯一可以滿足22nm以下制程芯片生產(chǎn)的設(shè)備,其中10nm及以下的芯片制造,EUV光刻機(jī)必不可缺。一臺(tái)EUV光刻機(jī)的售價(jià)為1.48億歐元,折合人民幣高達(dá)11.74億元
2020-10-19 12:02:4910752

EUV光刻機(jī)加持,SK海力士宣布明年量產(chǎn)EUV工藝內(nèi)存

ASML公司的EUV光刻機(jī)全球獨(dú)一份,現(xiàn)在主要是用在7nm及以下的邏輯工藝上,臺(tái)積電、三星用它生產(chǎn)CPU、GPU等芯片。馬上內(nèi)存芯片也要跟進(jìn)了,SK海力士宣布明年量產(chǎn)EUV工藝內(nèi)存。
2020-10-30 10:54:212202

傳臺(tái)積電將于2022年下半年開(kāi)始量產(chǎn)3納米芯片

據(jù)報(bào)道,臺(tái)積電3納米芯片將于2022年下半年開(kāi)始量產(chǎn),月產(chǎn)量料達(dá)到5.5萬(wàn)片,在2023年月產(chǎn)量將達(dá)到10.5萬(wàn)片。
2020-11-25 11:11:4733378

臺(tái)積電正按計(jì)劃推進(jìn)3nm工藝在2022年下半年量產(chǎn)

11月25日消息,據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,在今年一季度及二季度的財(cái)報(bào)分析師電話會(huì)議上,臺(tái)積電CEO魏哲家透露他們的3nm工藝進(jìn)展順利,計(jì)劃在2021年風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn),2022年下半年大規(guī)模量產(chǎn)。 而英文媒體
2020-11-25 13:52:562274

SK海力士加速量產(chǎn)第四代內(nèi)存齊上EUV光刻機(jī)

。 EUV光刻機(jī)參與的將是SK海力士第四代1a nm)內(nèi)存,在內(nèi)存業(yè)內(nèi),目前的代際劃分是1x、1y、1z和1a。 EUV光刻機(jī)的參與可以減少多重曝光工藝,提供工藝精度,從而可以減少生產(chǎn)時(shí)間、降低成本,并提高性能。 當(dāng)然,EUV光刻機(jī)實(shí)在是香餑餑。唯一的制造商ASML(
2020-11-26 18:23:292303

SK海力士加速量產(chǎn)第四代內(nèi)存,將配備EUV光刻機(jī)

目前,EUV光刻機(jī)的部署安裝主要在臺(tái)積電、三星的晶圓代工廠。不過(guò),內(nèi)存廠商們也開(kāi)始著手上馬了。
2020-11-27 10:37:041610

三星擴(kuò)大部署EUV光刻工藝

更多訣竅,領(lǐng)先對(duì)手1到2年。 據(jù)悉,三星的1z nm DRAM第三內(nèi)存已經(jīng)用上了一層EUV,第四代1a nm將增加到4層。EUV光刻機(jī)的參與可以減少多重曝光工藝,提供工藝精度,從而可以減少生產(chǎn)時(shí)間、降低成本,并提高性能。 盡管SK海力士、美光等也在嘗試EUV,但層數(shù)過(guò)少對(duì)
2020-12-04 18:26:542674

臺(tái)積電的3nm工藝將在2022年下半年大規(guī)模量產(chǎn)

1月15日消息,據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,根據(jù)臺(tái)積電公布的計(jì)劃,他們的3nm工藝,計(jì)劃在今年風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn),2022年下半年大規(guī)模量產(chǎn)。
2021-01-17 11:32:123561

SK海力士已開(kāi)始安裝EUV光刻機(jī),以量產(chǎn)10nm 1a DRAM

據(jù)etnews報(bào)道,SK海力士已開(kāi)始在其位于韓國(guó)利川的M16工廠安裝EUV光刻機(jī),以量產(chǎn)10nm 1a DRAM。 此前SK海力士宣布將在今年年內(nèi)在M16廠建設(shè)產(chǎn)線以生產(chǎn)下一DRAM,不過(guò)并未透露
2021-01-20 18:19:202943

ASML下一EUV光刻機(jī)延期:至少2025年

的出貨不及預(yù)期的35臺(tái),而且他們還宣布了下一高NA的EUV光刻機(jī)要到2025-2026年之間才能規(guī)模應(yīng)用,意味著要延期了。 此前信息顯示,ASML下一EUV光刻機(jī)最早是2022年開(kāi)始出樣,大規(guī)模量產(chǎn)
2021-01-22 17:55:243621

SK海力士M16工廠在韓國(guó)京畿道利川總部舉行竣工儀式

主要生產(chǎn)DRAM產(chǎn)品,建筑面積為57,000平方米(17,000坪),長(zhǎng)336m,寬163m,高105m。它是SK海力士在韓國(guó)內(nèi)外最大的生產(chǎn)基地。 值得一提的是,M16首次引進(jìn)EUV光刻設(shè)備,并從今年下半年開(kāi)始生產(chǎn)1αnm DRAM產(chǎn)品。 責(zé)任編輯:xj
2021-02-01 17:10:462599

SK 海力士 M16 新廠已竣工:首次使用極紫外輻射(EUV光刻機(jī)在生產(chǎn)存儲(chǔ)芯片

存儲(chǔ)芯片廠商 SK 海力士 2 月 1 日宣布,其公司位于韓國(guó)首爾南部利川市的 M16 新廠已經(jīng)竣工,SK 海力士將首次使用極紫外輻射(EUV光刻機(jī)在生產(chǎn)存儲(chǔ)芯片。 SK 海力士經(jīng)過(guò)兩年的時(shí)間
2021-02-02 10:10:314335

SK海力士將首次使用EUV光刻機(jī)生產(chǎn)芯片

存儲(chǔ)芯片廠商SK海力士今天宣布,其公司位于韓國(guó)首爾南部利川市的M16新廠已經(jīng)竣工,SK海力士將首次使用極紫外輻射(EUV光刻機(jī)在生產(chǎn)存儲(chǔ)芯片。SK海力士經(jīng)過(guò)兩年的時(shí)間,花費(fèi)了3.5萬(wàn)億韓元(約合
2021-02-02 15:00:152767

SK海力士M16工廠已安裝極紫外光刻機(jī) 開(kāi)始試生產(chǎn)1anm DRAM

購(gòu)進(jìn)了極紫外光刻機(jī),用于生產(chǎn)相關(guān)的芯片。 SK海力士已購(gòu)入極紫外光刻機(jī)的消息,源自外媒中提到的M16工廠。外媒在報(bào)道中表示,SK海力士M16工廠的建設(shè)已經(jīng)完成,極紫外光刻機(jī)也已經(jīng)安裝到位,將用于生產(chǎn)DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)。
2021-02-02 18:08:483347

SK海力士M16新廠竣工 將首次使用EUV光刻機(jī)生產(chǎn)

存儲(chǔ)芯片廠商SK海力士宣布,其公司位于韓國(guó)首爾南部利川市的M16新廠已經(jīng)竣工,SK海力士將首次使用極紫外輻射(EUV光刻機(jī)在生產(chǎn)存儲(chǔ)芯片。SK海力士經(jīng)過(guò)兩年的時(shí)間,花費(fèi)了3.5萬(wàn)億韓元(約合31億
2021-02-03 17:23:412264

臺(tái)積電3nm制程預(yù)計(jì)下半年試產(chǎn)量產(chǎn)

臺(tái)積電董事長(zhǎng)劉德音近日受邀于2021年國(guó)際固態(tài)電路會(huì)議(ISSCC 2021)開(kāi)場(chǎng)線上專(zhuān)題演說(shuō)時(shí)指出,臺(tái)積電3nm制程依計(jì)劃推進(jìn),甚至比預(yù)期還超前了一些。3nm及未來(lái)主要制程節(jié)點(diǎn)將如期推出并進(jìn)入生產(chǎn)。臺(tái)積電3nm制程預(yù)計(jì)今年下半年試產(chǎn),明年下半年進(jìn)入量產(chǎn)
2021-02-21 10:49:293093

SK海力士豪擲4.8萬(wàn)億韓元搶購(gòu)EUV光刻機(jī)

隨著半導(dǎo)體工藝進(jìn)入10nm節(jié)點(diǎn)以下,EUV光刻機(jī)成為制高點(diǎn),之前臺(tái)積電搶購(gòu)了全球多數(shù)的EUV光刻機(jī),率先量產(chǎn)7nm、5nm工藝,現(xiàn)在內(nèi)存廠商也要入場(chǎng)了,SK海力士豪擲4.8萬(wàn)億韓元搶購(gòu)EUV光刻機(jī)。
2021-02-25 09:28:552324

SK海力士與ASML簽合同:SK海力士豪擲4.8萬(wàn)億韓元搶購(gòu)EUV光刻機(jī)

隨著半導(dǎo)體工藝進(jìn)入10nm節(jié)點(diǎn)以下,EUV光刻機(jī)成為制高點(diǎn),之前臺(tái)積電搶購(gòu)了全球多數(shù)的EUV光刻機(jī),率先量產(chǎn)7nm、5nm工藝,現(xiàn)在內(nèi)存廠商也要入場(chǎng)了,SK海力士豪擲4.8萬(wàn)億韓元搶購(gòu)EUV光刻機(jī)
2021-02-25 09:30:232709

SK海力士砸4.8萬(wàn)億韓元買(mǎi)EUV光刻機(jī)

隨著半導(dǎo)體工藝進(jìn)入10nm節(jié)點(diǎn)以下,EUV光刻機(jī)成為制高點(diǎn),之前臺(tái)積電搶購(gòu)了全球多數(shù)的EUV光刻機(jī),率先量產(chǎn)7nm、5nm工藝,現(xiàn)在內(nèi)存廠商也要入場(chǎng)了,SK海力士豪擲4.8萬(wàn)億韓元搶購(gòu)EUV光刻機(jī)
2021-02-25 11:39:092438

ASML分享未來(lái)四代EUV光刻機(jī)的最新進(jìn)展

日前,ASML產(chǎn)品營(yíng)銷(xiāo)總監(jiān)Mike Lercel向媒體分享了EUV(極紫外)光刻機(jī)的最新進(jìn)展。
2021-03-19 09:39:405766

臺(tái)積電3nm預(yù)計(jì)2021年試產(chǎn),將于2022年下半年量產(chǎn)

臺(tái)積電董事長(zhǎng)劉德音透露 3nm 按計(jì)劃時(shí)程發(fā)展,進(jìn)度甚至較原先預(yù)期超前。這意味著 3nm 量產(chǎn)時(shí)程可望較原先預(yù)計(jì)的 2022 年下半年提前。臺(tái)積電對(duì)此消息回應(yīng)稱(chēng),不評(píng)論市場(chǎng)傳聞。
2021-04-01 13:47:052725

AN65--第四代LCD背光技術(shù)

AN65--第四代LCD背光技術(shù)
2021-04-19 11:43:336

ASML第二EUV光刻機(jī)跳票三年,售價(jià)恐貴出天際

的。臺(tái)積電、三星、Intel的7nm、5nm,以及未來(lái)的3nm、2nm都要依賴(lài)EUV光刻機(jī),單臺(tái)售價(jià)超過(guò)1億美元,成本極高。 目前,ASML的EUV光刻機(jī)使用的還是第一,EUV光源波長(zhǎng)在13.5nm
2021-06-26 16:55:281795

EUV光刻機(jī)何以造出5nm芯片

7nm之下不可或缺的制造設(shè)備,我國(guó)因?yàn)橘Q(mào)易條約被遲遲卡住不放行的也是一臺(tái)EUV光刻機(jī)。 但EUV光刻機(jī)的面世靠的不僅僅是ASML一家的努力,還有蔡司和TRUMPF(通快)兩家歐洲光學(xué)巨頭的合作才得以成功。他們的技術(shù)分別為EUV光刻機(jī)的鏡頭和光源做出了不
2021-12-07 14:01:1012038

ASML的High-NA光刻機(jī)居然只賣(mài)出5臺(tái),大多芯片廠商不為所動(dòng)

在電子化程度如此高的現(xiàn)在,人們身邊的電子設(shè)備比比皆是,而它們又都離不開(kāi)芯片?,F(xiàn)在芯片制程技術(shù)也處于飛速發(fā)展的階段,芯片巨頭臺(tái)積電和三星都將在今年下半年開(kāi)始量產(chǎn)3nm制程芯片,2024或2025年實(shí)現(xiàn)
2022-06-22 14:44:162172

euv光刻機(jī)出現(xiàn)時(shí)間 ASML研發(fā)新一EUV光刻機(jī)

EUV光刻機(jī)是在2018年開(kāi)始出現(xiàn),并在2019年開(kāi)始大量交付,而臺(tái)積電也是在2019年推出了7nm EUV工藝。
2022-07-07 09:48:445306

euv光刻機(jī)是干什么的

可以生產(chǎn)出納米尺寸更小、功能更強(qiáng)大的芯片。 小于5 nm的芯片晶片只能由EUV光刻機(jī)生產(chǎn)。 EUV光刻機(jī)有光源系統(tǒng)、光學(xué)鏡頭、雙工作臺(tái)系統(tǒng)三大核心技術(shù)。 目前,最先進(jìn)的光刻機(jī)是荷蘭ASML公司的EUV光刻機(jī)。預(yù)計(jì)在光路系統(tǒng)的幫助下,能
2022-07-10 14:35:067941

duv光刻機(jī)euv光刻機(jī)區(qū)別是什么

光刻機(jī)euv光刻機(jī)區(qū)別是是什么呢? duv光刻機(jī)euv光刻機(jī)區(qū)別 1.基本上duv只能做到25nm,而euv能夠做到10nm以下晶圓的生產(chǎn)。 2. duv主要使用的是光的折射原理,而euv使用的光的反射原理,內(nèi)部必須是真空操作。 以上就是duv光刻機(jī)euv光刻機(jī)區(qū)別了,現(xiàn)在基本都是euv光刻機(jī)
2022-07-10 14:53:1087068

euv光刻機(jī)原理是什么

euv光刻機(jī)原理是什么 芯片生產(chǎn)的工具就是紫外光刻機(jī),是大規(guī)模集成電路生產(chǎn)的核心設(shè)備,對(duì)芯片技術(shù)有著決定性的影響。小于5 nm的芯片只能由EUV光刻機(jī)生產(chǎn)。那么euv光刻機(jī)原理是什么呢? EUV
2022-07-10 15:28:1018347

SK海力士第四代10納米級(jí)DDR5服務(wù)器DRAM全球首獲英特爾認(rèn)證

服務(wù)器客戶 韓國(guó)首爾2023年1月12日 /美通社/ --?SK海力士12日宣布,公司研發(fā)的第四代10納米級(jí)(1a)DDR5服務(wù)器DRAM獲得了英特爾(Intel?)近期上市的全新第四代Xeon?服務(wù)器
2023-01-12 21:32:261496

SK海力士擬將無(wú)錫C2工廠升級(jí)為第四代D-ram工藝,并引進(jìn)EUV技術(shù)

Sk海力士期望通過(guò)在無(wú)錫工廠完成第四代D-RAM制造環(huán)節(jié)中的部分工藝流程,隨后將芯片運(yùn)回韓國(guó)總部利川園區(qū)進(jìn)行EUV處理,最后送回?zé)o錫工廠進(jìn)行后續(xù)操作。盡管第四代產(chǎn)品僅需一層使用EUV工藝,但公司仍認(rèn)為增加的成本是合理可承受的。
2024-01-16 14:06:582000

AI需求激增,三星與SK海力士計(jì)劃增產(chǎn)高價(jià)值DRAM

趨勢(shì),半導(dǎo)體巨頭三星電子和SK海力士正考慮增加工廠的半導(dǎo)體晶圓投入量,以加速向更先進(jìn)的10納米第四代1a)和第五1b)版本的過(guò)渡。
2024-03-06 10:49:491263

SK海力士提前完成HBM4內(nèi)存量產(chǎn)計(jì)劃至2025年

SK海力士宣布,計(jì)劃于2025年下半年推出首款采用12層DRAM堆疊的HBM4產(chǎn)品,而16層堆疊版本的推出將會(huì)稍后。根據(jù)該公司上月與臺(tái)積電簽署的HBM基礎(chǔ)裸片合作協(xié)議,原本預(yù)計(jì)HBM4內(nèi)存要等到2026年才會(huì)問(wèn)世。
2024-05-06 15:10:211338

英特爾完成首臺(tái)高數(shù)值孔徑EUV光刻機(jī)安裝,助力代工業(yè)務(wù)發(fā)展

 知情人士透露,由于ASML高數(shù)值孔徑EUV設(shè)備產(chǎn)能有限,每年僅能產(chǎn)出5至6臺(tái),因此英特爾將獨(dú)享初始庫(kù)存,而競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手三星和SK海力士預(yù)計(jì)需等到明年下半年才能獲得此設(shè)備。
2024-05-08 10:44:041396

SK海力士HBM4E內(nèi)存2025年下半年采用32Gb DRAM裸片量產(chǎn)

值得注意的是,目前全球三大內(nèi)存制造商都還未開(kāi)始量產(chǎn)1c nm(第六10+nm級(jí))制程DRAM內(nèi)存顆粒。早前報(bào)道,三星電子與SK海力士預(yù)計(jì)今年內(nèi)實(shí)現(xiàn)1c nm DRAM量產(chǎn),而美光則需等到明年。新一顆粒有望在密度和能效方面取得顯著進(jìn)步。
2024-05-14 14:56:271657

三星和SK海力士下半年停產(chǎn)DDR3內(nèi)存

近日,三星和SK海力士宣布,將于下半年停止生產(chǎn)并供應(yīng)DDR3內(nèi)存,轉(zhuǎn)向利潤(rùn)更高的DDR5內(nèi)存和HBM系列高帶寬內(nèi)存。此舉標(biāo)志著內(nèi)存行業(yè)的一次重要轉(zhuǎn)型。
2024-05-17 10:12:211563

臺(tái)積電A16制程采用EUV光刻機(jī),2026年下半年量產(chǎn)

據(jù)臺(tái)灣業(yè)內(nèi)人士透露,臺(tái)積電并未為A16制程配備高數(shù)值孔徑(High-NA)EUV光刻機(jī),而選擇利用現(xiàn)有的EUV光刻機(jī)進(jìn)行生產(chǎn)。相較之下,英特爾和三星則計(jì)劃在此階段使用最新的High-NA EUV光刻機(jī)
2024-05-17 17:21:472030

SK海力士引入創(chuàng)新MOR技術(shù)于DRAM生產(chǎn)

SK海力士在半導(dǎo)體領(lǐng)域再次邁出創(chuàng)新步伐,計(jì)劃在其第61c工藝,約10nmDRAM的生產(chǎn)中,首次采用Inpria的下一金屬氧化物光刻膠(MOR)。這一突破性的應(yīng)用標(biāo)志著MOR技術(shù)正式進(jìn)入DRAM量產(chǎn)工藝。
2024-05-30 11:02:581506

SK海力士轉(zhuǎn)向4F2 DRAM以降低成本

SK海力士近日宣布了一項(xiàng)重要計(jì)劃,即開(kāi)發(fā)采用4F2結(jié)構(gòu)(垂直柵)的DRAM。這一決策緊跟其競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手三星的步伐,標(biāo)志著SK海力士DRAM制造領(lǐng)域的新探索。SK海力士研究員表示,隨著極紫外(EUV
2024-08-14 17:06:431670

SK海力士下半年擴(kuò)招加碼,鞏固AI半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)軍地位

全球半導(dǎo)體巨頭SK海力士近日宣布了一項(xiàng)重大人才招募計(jì)劃,旨在通過(guò)下半年的大規(guī)模新員工及資深行業(yè)人才招聘活動(dòng),進(jìn)一步強(qiáng)化其在高帶寬存儲(chǔ)器(HBM)領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位,并積極擁抱人工智能(AI)半導(dǎo)體市場(chǎng)的迅猛增長(zhǎng)浪潮。
2024-09-03 16:08:091785

SK海力士被曝贏得博通 HBM 訂單,預(yù)計(jì)明年 1b DRAM 產(chǎn)能將擴(kuò)大到 16~17 萬(wàn)片

存儲(chǔ)芯片,并將其應(yīng)用到一家大型科技公司的 AI 計(jì)算芯片上。SK 海力士預(yù)計(jì)將在明年下半年供應(yīng)該芯片。 ? 由于需要同時(shí)向英偉達(dá)和博通供應(yīng) HBM,SK 海力士肯定會(huì)調(diào)整其 DRAM 產(chǎn)能預(yù)測(cè)。這家公司計(jì)劃
2024-12-21 15:16:46915

AN65-第四代LCD背光技術(shù)

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《AN65-第四代LCD背光技術(shù).pdf》資料免費(fèi)下載
2025-01-09 14:12:250

曝三星已量產(chǎn)第四代4nm芯片

據(jù)外媒曝料稱(chēng)三星已量產(chǎn)第四代4nm芯片。報(bào)道中稱(chēng)三星自從2021年首次量產(chǎn)4nm芯片以來(lái),每年都在改進(jìn)技術(shù)。三星現(xiàn)在使用的是其最新的第四代4nm工藝節(jié)點(diǎn)(SF4X)進(jìn)行大規(guī)模生產(chǎn)。第四代4nm工藝
2025-03-12 16:07:1713208

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