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電子發(fā)燒友網(wǎng)>存儲技術(shù)>長江存儲備戰(zhàn)2年,發(fā)布324G 3D NAND芯片,明年可量產(chǎn)

長江存儲備戰(zhàn)2年,發(fā)布324G 3D NAND芯片,明年可量產(chǎn)

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長江存儲3D NAND存儲器研發(fā)領(lǐng)域取得標(biāo)志性進(jìn)展

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紫光存儲解散?官方回應(yīng)NAND業(yè)務(wù)逐步轉(zhuǎn)移到長江存儲

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芯片3D化歷程

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【半導(dǎo)體存儲】關(guān)于NAND Flash的一些小知識

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三星、西部數(shù)據(jù)、英特爾、美光、長江存儲探討3D NAND技術(shù)

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傳SK海力士72層3D NAND存儲明年量產(chǎn)

SK 海力士最先進(jìn)72 層3D NAND 記憶體傳明年開始量產(chǎn),韓聯(lián)社26 日引述知情人事消息報(bào)導(dǎo)指出,海力士計(jì)劃于2017 上半年完成芯片設(shè)計(jì),位在利川(Icheon)的M14 廠將可在下半年開始生產(chǎn)。
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3D NAND對比2D NAND的優(yōu)勢

的廠商競爭,以及日經(jīng)貼般的MLC/TLC顆粒的優(yōu)劣問題。、 那么,到底什么是閃存顆?2D NAND3D NAND之間又有哪些區(qū)別和聯(lián)系? 閃存顆粒到底是什么? 閃存顆粒,又稱閃存,是一種非易失性存儲器,即在斷電的情況下依舊可以保存已經(jīng)寫入的數(shù)據(jù)
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長江存儲32層NAND閃存預(yù)計(jì)2018內(nèi)量產(chǎn)

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一周看點(diǎn):長江存儲首個芯片明年量產(chǎn) 5G用高頻CCL大有可為

1.武漢市長萬勇:長江存儲首個芯片今年點(diǎn)亮明年量產(chǎn); 2.海格通信蔣曉紅:芯片制造者的強(qiáng)軍夢; 3.何力委員:拓展實(shí)施核心器件產(chǎn)品國家科技重大專項(xiàng); 4.引導(dǎo)基金頻頻“輸血” 新三板集成電路企業(yè)有望做大; 5.韋爾股份:2018迎來成長新平臺;
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長江存儲正式裝機(jī):3D NAND量產(chǎn)還有多遠(yuǎn)?

4月11日,長江存儲以芯存長江,智儲未來為主題,慶賀存儲器基地正式移入生產(chǎn)設(shè)備。 20179月長江存儲新建的國家存儲器基地項(xiàng)目(一期)一號生產(chǎn)及動力廠房實(shí)現(xiàn)提前封頂,20182月份進(jìn)行廠內(nèi)潔凈室裝修和空調(diào)、消防等系統(tǒng)安裝,正是為4月搬入機(jī)臺設(shè)備而準(zhǔn)備,預(yù)計(jì)很快就可以實(shí)現(xiàn) 3D NAND 量產(chǎn)。
2018-04-15 10:08:0010302

長江儲存量產(chǎn)NAND Flash芯片 打響中國在存儲芯片領(lǐng)域的第一槍

日前,長江存儲以“芯存長江,智儲未來”為主題,慶賀存儲器基地正式移入生產(chǎn)設(shè)備。目前,長江存儲新建的廠房已經(jīng)完成廠內(nèi)潔凈室裝修和空調(diào)、消防等系統(tǒng)的安裝。只要生產(chǎn)設(shè)備搬入并完成調(diào)試之后,就可以量產(chǎn)NAND Flash芯片,打響中國在存儲芯片領(lǐng)域的第一槍。
2018-05-30 02:28:008746

看看長江存儲新型架構(gòu)為3D NAND帶來哪些性能?

作為3D NAND閃存產(chǎn)業(yè)的新晉者,紫光集團(tuán)旗下長江存儲科技有限責(zé)任公司(長江存儲)今年將首次參加閃存峰會(Flash Memory Summit),并發(fā)表備受期待的主題演講,闡述其即將發(fā)布的突破性技術(shù)XtackingTM。
2018-07-31 14:17:015077

英特爾采用3D NAND技術(shù)的數(shù)據(jù)中心級固態(tài)盤發(fā)布,以便擴(kuò)大3D NAND供應(yīng)

近日,英特爾發(fā)布了DC P4500系列及DC P4600系列兩款全新的采用3D NAND技術(shù)的數(shù)據(jù)中心級固態(tài)盤,加強(qiáng)擴(kuò)大3D NAND供應(yīng)。
2018-08-01 17:44:541237

長江存儲推全新3D NAND架構(gòu) 挑戰(zhàn)三星存儲

長江存儲科技公司表示,盡管仍采用3D分層,但速度卻可提升三倍。
2018-08-09 09:33:164029

中國首批32層3D NAND閃存芯片即將量產(chǎn)

昨日長江存儲正式公開了其突破性技術(shù)——XtackingTM。據(jù)悉,該技術(shù)將為3D NAND閃存帶來前所未有的I/O高性能,更高的存儲密度,以及更短的產(chǎn)品上市周期。
2018-08-10 09:14:395421

長江存儲64層3D NAND芯片專利研發(fā)完成,預(yù)計(jì)明年完成生產(chǎn)線建置

紫光集團(tuán)旗下長江存儲發(fā)展儲存型快閃存儲器(NAND Flash)報(bào)捷,已自主開發(fā)完成最先進(jìn)的64層3D NAND芯片專利,預(yù)計(jì)明年完成生產(chǎn)線建置、2020量產(chǎn),震撼業(yè)界。
2018-08-13 09:45:002770

長江存儲發(fā)布突破性技術(shù),將大大提升3D NAND的性能

作為NAND行業(yè)的新晉者,長江存儲科技有限責(zé)任公司(以下簡稱:長江存儲)昨日公開發(fā)布其突破性技術(shù)——Xtacking?。該技術(shù)將為3D NAND閃存帶來前所未有的I/O高性能,更高的存儲密度,以及更短的產(chǎn)品上市周期。
2018-08-13 09:54:002244

長江存儲推全新3D NAND架構(gòu)——XtackingTM

作為NAND行業(yè)的新晉者,長江存儲今天公開發(fā)布其突破性技術(shù)——XtackingTM。據(jù)知情人士透露,這之前存儲一直都是三星的強(qiáng)項(xiàng)。
2018-08-13 16:08:274029

長江存儲3D NAND閃存堆棧結(jié)構(gòu)Xtacking,獲得了“最佳展示獎”

日本PC Watch網(wǎng)站日前刊發(fā)了長江存儲CEO楊士寧博士在FMS會議上的演講,我們之前也做過簡單的報(bào)道,這次他們的介紹更加詳細(xì),我們可以一窺長江存儲3D NAND閃存現(xiàn)在到底進(jìn)行到那一步了。
2018-08-15 10:50:166345

長江存儲趕超將為NAND Flash市場帶來新變量

Cell )NAND將邁入百家爭鳴時代,帶動消費(fèi)性固態(tài)硬盤(SSD)容量快速升級至TB等級,加上長江存儲發(fā)布新一代3D NAND架構(gòu)Xtacking,試圖超車追趕國際大廠,全球NAND Flash產(chǎn)量持續(xù)增加,戰(zhàn)火愈益激烈,2019NAND Flash市場恐將大幅震蕩。
2018-08-29 17:46:267373

旺宏預(yù)計(jì)2019量產(chǎn)3D NAND,并進(jìn)軍SSD市場

非揮發(fā)性存儲器廠旺宏董事長吳敏求今日透露,該公司已切入3D NAND Flash開發(fā),預(yù)計(jì)2018或2019量產(chǎn),并進(jìn)軍固態(tài)硬盤(SSD)市場。
2018-09-17 16:30:302159

半導(dǎo)體行業(yè)3D NAND Flash

至少2時間,Intel、美光去年才推出3D NAND閃存,Intel本月初才發(fā)布了首款3D NAND閃存的SSD,不過主要是面向企業(yè)級市場的。這四大豪門的3D NAND閃存所用的技術(shù)不同,堆棧的層數(shù)
2018-10-08 15:52:39780

聯(lián)蕓科技對外發(fā)布支持96層鎂光B27A的 3D TLC NAND閃存顆粒

研發(fā)支持原廠3D TLC NAND高品質(zhì)固件的固態(tài)硬盤完整解決方案。據(jù)了解,MAS0902固態(tài)硬盤主控芯片,已經(jīng)適配了全球全部量產(chǎn)的所有3D MLC/TLC NAND閃存顆粒,繼在今年9月國內(nèi)首發(fā)量產(chǎn)
2018-11-19 17:22:318411

長江存儲預(yù)計(jì)在2019全速量產(chǎn) 2020會趕超國際領(lǐng)先的閃存公司

科技在武漢投資240億美元建設(shè)國家存儲芯片基地,該公司CEO楊士寧日前表態(tài)3D閃存晶圓廠的安裝設(shè)備將在2018Q1季度完工,2019全速量產(chǎn),預(yù)計(jì)2020會在技術(shù)趕超國際領(lǐng)先的閃存公司。
2018-11-23 08:45:2812700

3D NAND未來五需求大好 但紫光在技術(shù)上仍存在瓶頸

全球 3D NAND 價(jià)格近來快速崩跌,紫光集團(tuán)旗下的長江存儲肩負(fù)打破國內(nèi)“零”存儲自制率之重任,以”光速”的氣勢加入這場存儲世紀(jì)大戰(zhàn)。除了武漢 12 寸廠進(jìn)入生產(chǎn),南京廠也將于年內(nèi)動工,加上成都廠
2018-11-30 09:16:252791

傳索尼明年量產(chǎn)3D攝像頭芯片

早前,筆者外出時曾了解到索尼正在開發(fā)3D傳感器芯片,具體的量產(chǎn)時間尚不得知,而日前關(guān)于索尼3D傳感器芯片的相關(guān)消息終于浮出了水面。
2018-12-29 15:20:113786

紫光實(shí)現(xiàn)大容量企業(yè)級3D NAND芯片封測的規(guī)模量產(chǎn) 讓國產(chǎn)存儲更進(jìn)一步

昨日,紫光集團(tuán)旗下紫光宏茂微電子(上海)有限公司發(fā)布信息,宣布公司成功實(shí)現(xiàn)大容量企業(yè)級3D NAND芯片封測的規(guī)模量產(chǎn)。他們表示,這次公告標(biāo)志著內(nèi)資封測產(chǎn)業(yè)在3D NAND先進(jìn)封裝測試技術(shù)實(shí)現(xiàn)從無到有的重大突破,也為紫光集團(tuán)完整存儲器產(chǎn)業(yè)鏈布局落下關(guān)鍵一步棋。
2019-02-04 16:41:005697

宏茂微電子實(shí)現(xiàn)3D NAND芯片封測規(guī)模量產(chǎn)

2019新年伊始,紫光“官宣”旗下紫光宏茂微電子成功實(shí)現(xiàn)大容量企業(yè)級3D NAND芯片封測的規(guī)模量產(chǎn)。
2019-01-11 09:56:315732

紫光宏茂微電子宣布公司成功實(shí)現(xiàn)大容量企業(yè)級3D NAND芯片封測的規(guī)模量產(chǎn)

在2017年年底舉行的第四屆世界互聯(lián)網(wǎng)大會上透露,紫光集團(tuán)董事長趙偉國透露,紫光旗下的長江存儲已經(jīng)研發(fā)出了32層64G的完全自主知識產(chǎn)權(quán)的3D NAND芯片;20184月的長江存儲生產(chǎn)機(jī)臺進(jìn)場安裝儀式上,趙偉國指出,他們的32層芯片會在2018年年底實(shí)現(xiàn)芯片量產(chǎn);
2019-01-15 14:01:109311

長江存儲計(jì)劃量產(chǎn)64層3D NAND閃存芯片 閃存市場將迎來一波沖擊

國產(chǎn)存儲芯片再下一城,日前有產(chǎn)業(yè)鏈方面的消息稱,中國長江存儲將如期在今年年底量產(chǎn)64層3D NAND閃存芯片,這對價(jià)格本就在不斷下探的閃存市場無疑又將帶來一波新的沖擊。
2019-04-01 16:53:122056

與DRAM領(lǐng)域不同 長江存儲NAND領(lǐng)域取得了進(jìn)展

紫光集團(tuán)旗下的長江存儲YMTC是國內(nèi)三大存儲芯片陣營中主修NAND閃存的公司,也是目前進(jìn)度最好的,去年小規(guī)模生產(chǎn)了32層堆棧的3D NAND閃存,前不久紫光在深圳第七屆中國電子信息博覽會
2019-04-18 16:18:522545

國產(chǎn)存儲廠商長江存儲預(yù)計(jì)在第三季度量產(chǎn)64層3D閃存

據(jù)Digitimes報(bào)道,長江存儲(YMTC)將于年底前投入64層3D閃存的量產(chǎn)工作。其中風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)預(yù)計(jì)三季度啟動,目前良率已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了顯著爬升。
2019-05-08 09:18:443189

長江存儲將推出Xtacking2.0閃存技術(shù) 與DRAMDDR4的I/O速度相當(dāng)

目前NAND閃存主要掌握在三星、東芝、美光、西數(shù)等公司中,國內(nèi)主要有紫光旗下的長江存儲專攻NAND閃存,小批量量產(chǎn)了32層堆棧的3D閃存,但對市場影響有限,今年該公司將量產(chǎn)64層堆棧的3D閃存,產(chǎn)能將會積極擴(kuò)張。
2019-05-16 10:18:143966

長江存儲直追國際技術(shù) NAND陷入全球混戰(zhàn)

長江存儲在 2018 年成功研發(fā)32層3D NAND芯片后,進(jìn)一步規(guī)劃在20198月開始生產(chǎn)新一代的64層 3D NAND芯片,等于宣告加入全球NAND Flash戰(zhàn)局,對比今年三星、SK海力士(SK Hynix )進(jìn)入90層3D NAND芯片生產(chǎn),長江存儲追趕世界大廠的步伐又大幅邁進(jìn)一步。
2019-05-17 14:13:281753

基于Xtacking架構(gòu)的64層3D NAND閃存已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)

現(xiàn)在,長江存儲聯(lián)席首席技術(shù)官、技術(shù)研發(fā)中心高級副總裁程衛(wèi)華接受采訪時表示,公司已開始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存,以滿足固態(tài)硬盤、嵌入式存儲等主流市場應(yīng)用需求。
2019-09-02 16:30:003069

江波龍牽手長江存儲,推動國內(nèi)自研存儲芯片進(jìn)入終端消費(fèi)市場

江波龍已經(jīng)導(dǎo)入長江存儲 32 層的 3D NAND 芯片,用于 8GB 的 U 盤等產(chǎn)品上
2019-06-14 10:25:106559

長江存儲64層堆棧3D閃存亮相,年底實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)

根據(jù)官網(wǎng)資料,長江存儲是紫光集團(tuán)收購武漢新芯科技之后成立的,于20167月在中國武漢成立,是一家專注于3D NAND閃存芯片設(shè)計(jì)、生產(chǎn)和銷售的IDM存儲器公司。長江存儲為全球工商業(yè)客戶提供存儲器產(chǎn)品,廣泛應(yīng)用于移動設(shè)備、計(jì)算機(jī)、數(shù)據(jù)中心和消費(fèi)電子產(chǎn)品等領(lǐng)域。
2019-08-29 14:28:002725

長江存儲推出了全球首款基于Xtacking架構(gòu)的64層3D NAND閃存

長江存儲64層3D NAND閃存是全球首款基于Xtacking?架構(gòu)設(shè)計(jì)并實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)的閃存產(chǎn)品,擁有同代產(chǎn)品②中最高的存儲密度。Xtacking?實(shí)現(xiàn)在兩片獨(dú)立的晶圓上分別加工外圍電路和存儲
2019-09-03 10:07:021788

長江存儲推出第二代Xtacking 3D NAND存儲架構(gòu)

Xtacking是長江存儲在去年FMS(閃存技術(shù)峰會)首次公開的3D NAND架構(gòu),榮獲當(dāng)年“Best of Show”獎項(xiàng)。其獨(dú)特之處在于,采用Xtacking,可在一片晶圓上獨(dú)立加工負(fù)責(zé)數(shù)據(jù)I/O及記憶單元操作的外圍電路。
2019-09-06 16:30:373601

基于Xtacking架構(gòu)的64層3D NAND存儲

長江存儲科技(YMTC)本周早些時候表示,已經(jīng)開始批量生產(chǎn)采用專有Xtacking架構(gòu)的64層3D NAND存儲器。
2019-09-09 10:22:162374

紫光旗下長江存儲的64層3D NAND閃存芯片首次公開亮相

據(jù)悉,長江存儲是紫光集團(tuán)收購武漢新芯科技之后成立的,于20167月在中國武漢成立,是一家專注于3D NAND閃存芯片設(shè)計(jì)、生產(chǎn)和銷售的IDM存儲器公司。
2019-10-01 17:23:005147

中國首次量產(chǎn)64層3D NAND閃存芯片會有什么市場影響

紫光集團(tuán)旗下長江存儲科技有限責(zé)任公司宣布,開始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256Gb TLC 3D NAND閃存。
2019-09-19 11:10:091144

中國量產(chǎn)64層3D NAND閃存芯片會帶來什么影響

紫光集團(tuán)旗下長江存儲科技有限責(zé)任公司宣布,開始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256Gb TLC 3D NAND閃存。
2019-09-23 17:05:241455

明年長江存儲將實(shí)現(xiàn)加大3D閃存芯片產(chǎn)能

 國產(chǎn)存儲芯片終于“抬起了頭”。   在被美日韓掌控的存儲芯片市場上,終于有中國公司可以殺進(jìn)去跟國際大廠正面競爭了。據(jù)報(bào)道,今年一季度,紫光旗下的長江存儲(YMTC)開始投產(chǎn) 64 層堆棧 3D 閃存,容量 256Gb,TLC 芯片,初期的月產(chǎn)能僅有 5000 片。
2019-10-29 09:46:243767

美光第四代3D NAND芯片量產(chǎn) 計(jì)劃繼續(xù)沿用CMOS陣列

存儲行業(yè)隨著物聯(lián)網(wǎng)時代的來臨也迎來了一波新的發(fā)展機(jī)遇,近日,根據(jù)最新消息顯示,美系存儲巨頭,美光的第四代3D NAND芯片完成首批流片,新一代產(chǎn)品基于美光全新研發(fā)的替代柵極架構(gòu),將于明年開始小范圍量產(chǎn)
2019-11-18 15:33:471043

長江存儲存儲巨頭們發(fā)起挑戰(zhàn),3D NAND實(shí)現(xiàn)突破性的創(chuàng)新

長江存儲打破全球3D NAND技術(shù)壟斷,作為國家重點(diǎn)打造的存儲器大項(xiàng)目,經(jīng)歷多年的研發(fā),終于走向市場正式向存儲巨頭們挑戰(zhàn)。
2019-11-29 15:39:053808

長江存儲64層3D NAND實(shí)現(xiàn)量產(chǎn) 意圖打破全球壟斷局面

1 月 16 日訊,據(jù)悉,長江存儲科技有限責(zé)任公司 副董事長楊道虹表示,2019 ,國家存儲器基地項(xiàng)目基于自主知識產(chǎn)權(quán)研發(fā)生產(chǎn)的 64 層三維閃存產(chǎn)品已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)
2020-01-16 14:06:021539

搭載長江存儲3D NAND閃存的SSD產(chǎn)品性能達(dá)到國際領(lǐng)先水平

根據(jù)國科微官方的消息,國科微搭載長江存儲3D NAND閃存的固態(tài)硬盤產(chǎn)品已完成批量測試。
2020-01-17 15:17:495929

長江存儲表示128層3D NAND技術(shù)會按計(jì)劃推出

據(jù)證券時報(bào)消息,長江存儲CEO楊士寧在接受采訪時談及了該公司最先進(jìn)的128層3D NAND技術(shù)的研發(fā)進(jìn)度。楊士寧表示,128層3D NAND技術(shù)研發(fā)進(jìn)度短期確實(shí)會有所波及。但目前長江存儲已實(shí)現(xiàn)全員復(fù)工,從中長期來看,這次疫情并不會影響總體進(jìn)度。128層技術(shù)會按計(jì)劃在2020推出。
2020-04-08 15:09:152895

長江存儲宣布成功研制128層QLC 3D閃存 將是業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格3D NAND

今日(4月13日),長江存儲重磅宣布,其128層QLC 3D閃存(X2-6070)研制成功,并已在多家主控商場SSD等終端產(chǎn)品上通過驗(yàn)證。
2020-04-13 09:23:091347

長江存儲推出 128 層 QLC 閃存,單顆容量達(dá) 1.33Tb

128層QLC規(guī)格的3D NAND閃存,長江存儲X2-6070擁有業(yè)內(nèi)已知型號產(chǎn)品中最高單位面積存儲密度,最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND閃存芯片容量。此次同時發(fā)布的還有128層512Gb TLC
2020-04-13 09:29:416830

業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格的3D NAND閃存有哪些特點(diǎn)?

20204月13日,長江存儲科技有限責(zé)任公司(以下簡稱“長江存儲”)宣布其128層QLC 3D NAND 閃存(型號:X2-6070)研發(fā)成功,并已在多家控制器廠商SSD等終端存儲產(chǎn)品上通過驗(yàn)證。
2020-04-13 14:41:523480

長江存儲128層NAND flash存儲芯片 中國存儲芯片國際領(lǐng)先

據(jù)媒體報(bào)道指國產(chǎn)存儲芯片企業(yè)長江存儲已開發(fā)出128層的NAND flash存儲芯片,這是當(dāng)前國際存儲芯片企業(yè)正在投產(chǎn)的NAND flash技術(shù),意味著中國的存儲芯片技術(shù)已達(dá)到國際領(lǐng)先水平。
2020-04-14 08:55:4514823

長江儲存宣布其128層QLC 3D NAND閃存芯片產(chǎn)品已研發(fā)成功

長江儲存在官網(wǎng)宣布其128層QLC 3D NAND閃存芯片產(chǎn)品研發(fā)成功,型號為X2-6070,并且目前該芯片已經(jīng)在多家控制器廠商的SSD等終端儲存產(chǎn)品上通過驗(yàn)證。
2020-04-19 10:14:063603

長江存儲的技術(shù)創(chuàng)新,128層3D NAND閃存芯片問世

長江存儲科技有限責(zé)任公司(以下簡稱“長江存儲”)在官網(wǎng)宣布其128層QLC 3D NAND閃存芯片 X2-6070研發(fā)成功,已在多家控制器廠商SSD等終端存儲產(chǎn)品上通過驗(yàn)證。
2020-05-04 10:39:003612

群聯(lián)全系列控制芯片支持長江存儲3D NAND

閃存控制芯片及儲存解決方案整合服務(wù)領(lǐng)導(dǎo)廠商 群聯(lián)電子 (PHISON; TPEx:8299) 與長江存儲自2016開始接洽合作,從最早期的32層 3D NAND導(dǎo)入驗(yàn)證群聯(lián)eMMC控制芯片PS8226,至近期的64層3D NAND,群聯(lián)全系列的NAND控制芯片均有支持且已進(jìn)入量產(chǎn)階段。
2020-05-07 14:48:091627

長江存儲128層NAND閃存研發(fā)成功,跳過了96層

長江存儲科技有限責(zé)任公司宣布,128層QLC?3D?NAND閃存研發(fā)成功,這標(biāo)志著國產(chǎn)存儲廠商向世界最先進(jìn)技術(shù)水準(zhǔn)又邁進(jìn)了一步。
2020-05-07 14:59:225527

長江存儲首發(fā)128層QLC閃存

長江存儲科技有限責(zé)任公司宣布其128層QLC 3D NAND閃存(型號:X2-6070)研發(fā)成功。同時發(fā)布的還有128層512Gb TLC(3 bit/cell)規(guī)格閃存芯片(型號:X2-9060),用以滿足不同應(yīng)用場景的需求。
2020-07-06 16:49:421991

官宣!致鈦科技將發(fā)布SSD新品,配備長江存儲3D閃存

9月9日下午,致鈦科技正式宣布,9月10日14時將舉行線上發(fā)布會,屆時會正式推出致鈦品牌的SSD新品,使用的是長江存儲自己生產(chǎn)的3D閃存。
2020-09-10 10:02:331227

慧榮科技宣布全系列主控芯片全面支持長江存儲Xtacking 3D NAND

Xtacking 3D NAND閃存,包括長江存儲最新研發(fā)成功的128層Xtacking 3D TLC/QLC閃存,為全球市場注入更完整及更多元化的存儲解決方案。 隨著長江存儲3D NAND技術(shù)迅速提升
2020-09-11 11:12:162690

慧榮科技宣布全系列主控 芯片全面支持長 江 存 儲Xtacking 3D NAND

Xtacking 3D NAND閃存,包括長江存儲最新研發(fā)成功的128層Xtacking 3D TLC/QLC閃存,為全球市場注入更完整及更多元化的存儲解決方案。 隨著長江存儲3D NAND技術(shù)迅速提升
2020-09-11 11:12:342586

長江存儲將提高NAND閃存芯片的出貨量

據(jù)國外媒體報(bào)道,專注于3D NAND閃存設(shè)計(jì)制造的長江存儲,將提高NAND閃存芯片的出貨量。
2020-09-22 17:11:493038

美光發(fā)布176層3D NAND閃存

存儲器廠商美光宣布,其第五代3D NAND閃存技術(shù)達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的176層堆疊。預(yù)計(jì)通過美光全新推出的176層3D NAND閃存技術(shù)以及架構(gòu),可以大幅度提升數(shù)據(jù)中心、智能邊緣計(jì)算以及智能手機(jī)存儲
2020-11-12 16:02:553696

未來的3D NAND將如何發(fā)展?

NAND 非易失性閃存存儲器作為存儲行業(yè)的突破性革新已有多年發(fā)展歷史,隨著 2D NAND 容量達(dá)到極限,以及晶體管越來越小,NAND 的編程時間變長,擦寫次數(shù)變少,能夠?qū)?nèi)存顆粒堆疊起來的 3D
2020-11-20 16:07:133095

未來的3D NAND將如何發(fā)展?如何正確判斷一款3D NAND的總體效率?

3D NAND 路線圖:三星最早入局,長江存儲跨級追趕 Choe 介紹了 2014-2023 的世界領(lǐng)先存儲公司的閃存路線圖,包括三星、鎧俠(原東
2020-11-20 17:15:444306

長江存儲的首款消費(fèi)級固態(tài)品牌,基于3D NAND顆粒打造

大咖來答疑欄目給出了相關(guān)技術(shù)答復(fù),讓大家更加的了解致鈦品牌固態(tài)。 背景介紹: 長江存儲于2014,開始3D NAND flash的研發(fā),技術(shù)團(tuán)隊(duì)從最初開始研發(fā)相關(guān)技術(shù)到現(xiàn)在已經(jīng)有六的時間,并在,2016注冊公司,短短的時間內(nèi)就做到了從閃存顆粒,到X
2020-11-24 09:56:484526

長江存儲科普SSD、3D NAND的發(fā)展史

作為國產(chǎn)存儲行業(yè)的佼佼者,長江存儲近兩憑借在3D NAND閃存領(lǐng)域的突飛猛進(jìn),引發(fā)普遍關(guān)注,尤其是獨(dú)創(chuàng)了全新的Xtacking閃存架構(gòu),最近還打造了首個消費(fèi)級SSD品牌“致鈦”。
2020-11-24 10:12:315270

不要過于關(guān)注3D NAND閃存層數(shù)

? ? NAND非易失性閃存存儲器作為存儲行業(yè)的突破性革新已有多年發(fā)展歷史,隨著2D NAND容量達(dá)到極限,以及晶體管越來越小,NAND的編程時間變長,擦寫次數(shù)變少,能夠?qū)?nèi)存顆粒堆疊起來的3D
2020-12-09 10:35:493617

3D NAND技術(shù)堆疊將走向何方?

3D NAND;長江存儲于今年4月份宣布推出128層堆棧的3D NAND閃存。轉(zhuǎn)眼來到2020末,美光和SK海力士相繼發(fā)布了176層3D NAND。這也是唯二進(jìn)入176層的存儲廠商。不得不說,存儲之戰(zhàn)沒有最烈,只有更烈。
2020-12-09 14:55:374583

旌存KS3400P控制器已通過長江存儲驗(yàn)證,或明年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)

202012月25日,廈門旌存半導(dǎo)體技術(shù)有限公司研制的旌存KS3400P SSD控制器完成了與長江存儲3D TLC NAND的適配,順利通過了兼容性、穩(wěn)定性、可靠性等多重驗(yàn)證,預(yù)計(jì)明年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)
2020-12-28 16:35:302585

全球六大廠商壟斷競爭,長江存儲有望打破壟斷

NAND Flash作為全球最為重要的存儲芯片之一,目前被全球六大廠商進(jìn)行壟斷競爭,中國NAND Flash廠商長江存儲(YMTC)已在2020第一季將128層3D NAND樣品送交存儲控制器廠商,目標(biāo)第三季進(jìn)入投片量產(chǎn),未來中國的長江存儲有望打破國外在NAND FLASH的壟斷競爭格局。
2021-01-11 14:18:334603

回顧長江存儲3D NAND技術(shù)的發(fā)展進(jìn)程

日前,有媒體報(bào)道稱,消息人士透露,長江存儲計(jì)劃到2021下半年將存儲芯片的月產(chǎn)量提高一倍至10萬片晶圓,并準(zhǔn)備最早將于2021年年中試產(chǎn)第一批192層3D NAND閃存芯片,不過為確保量產(chǎn)芯片質(zhì)量,該計(jì)劃有可能會被推遲至今年下半年。
2021-01-13 13:59:275875

盤點(diǎn)2020存儲行業(yè)十大事件

20204月13日,長江存儲宣布其128層QLC 3D NAND閃存研發(fā)成功,這也是業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格的3D NAND閃存。同年8月14日,長江存儲128層QLC 3D NAND閃存芯片在紫光集團(tuán)展臺上正式亮相展出。
2021-02-05 15:17:362729

長江存儲推出UC023閃存芯片 專為5G時代打造

  昨日消息,國內(nèi)專注于3D NAND閃存及存儲器解決方案的半導(dǎo)體集成電路企業(yè)長江存儲宣布推出UFS 3.1通用閃存-UC023。
2022-04-20 11:47:522797

長江正式打破三星壟斷,192層3D NAND閃存實(shí)現(xiàn)年底量產(chǎn)

長江存儲一直是我國優(yōu)秀的存儲芯片企業(yè),從成立之初就保持著高速穩(wěn)定的發(fā)展?fàn)顟B(tài),用短短3的時間,接連推出了32層NAND閃存,以及64層堆棧3D NAND閃存,成功進(jìn)入了華為Mate40手機(jī)的供應(yīng)鏈。
2022-06-17 10:56:218286

「復(fù)享光學(xué)」3D NAND多層薄膜量測的新思路

據(jù)知名半導(dǎo)體和微電子情報(bào)提供商TechInsights報(bào)道,長江存儲的232層3D NAND閃存X3-9070已經(jīng)實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),領(lǐng)先于三星、美光、SK海力士等廠商,這也是__中國品牌在半導(dǎo)體領(lǐng)域首次領(lǐng)先于國際競爭者。__
2022-12-05 17:07:381876

對比韓企存儲技術(shù),長江存儲發(fā)展如何

據(jù)外媒報(bào)道,長江存儲去年7月生產(chǎn)了232層3D NAND閃存樣機(jī),同年11月開始投入量產(chǎn)。
2023-02-28 10:51:252395

什么是3D NAND閃存?

我們之前見過的閃存多屬于Planar NAND平面閃存,也叫有2D NAND或者直接不提2D的,而3D 閃存,顧名思義,就是它是立體堆疊的,Intel之前用蓋樓為例介紹了3D NAND,普通NAND是平房,那么3D NAND就是高樓大廈,建筑面積一下子就多起來了,理論上可以無線堆疊。
2023-03-30 14:02:394227

三星將于2024量產(chǎn)超300層3D NAND芯片

 最近,三星集團(tuán)援引業(yè)界有關(guān)負(fù)責(zé)人的話表示,計(jì)劃到2024批量生產(chǎn)300段以上的第9代3d nand。預(yù)計(jì)將采用將nand存儲器制作成兩個獨(dú)立的程序之后,將其一起組裝的dual stack技術(shù)。三星將于2020從第7代176段3d nand開始首次使用雙線程技術(shù)。
2023-08-18 11:09:052015

起訴美光!長江存儲反擊

訴訟旨在解決以下問題的一個方面:美光試圖通過迫使長江存儲退出3D NAND Flash(閃存)市場來阻止競爭和創(chuàng)新。
2023-11-13 15:47:511090

長江存儲起訴美光 涉及專利侵權(quán)

在起訴書中,長江存儲聲稱自己目前是全球3D NAND技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者,并得到了行業(yè)和第三方機(jī)構(gòu)的廣泛認(rèn)可。長江存儲的技術(shù)創(chuàng)新改善了3D NAND的速度、性能、密度、可靠性和產(chǎn)量,推動了多種電子設(shè)備的創(chuàng)新。
2023-11-13 16:03:051470

長江存儲起訴美光!

長江存儲在以上起訴書中稱,長江存儲不再是新秀(upstart),而已成為全球3D NAND市場的重要參與者。長江存儲表示,去年11月,分析和跟蹤閃存市場的TechInsights公司得出結(jié)論:長江存儲3D NAND閃存領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者,超過了美光。
2023-11-13 16:53:041658

8項(xiàng)專利被侵權(quán)!美光與長江存儲陷入專利之爭

長江存儲與美光芯片戰(zhàn)升級。3D NAND閃存制造商長江存儲,已于9日在美國加州北區(qū)地方法院對美國記憶芯片龍頭美光科技提告,指控美光侵犯了長江存儲8項(xiàng)與3D NAND相關(guān)的美國專利。
2023-11-13 17:24:511517

有了2D NAND,為什么要升級到3D呢?

2D NAND3D NAND都是非易失性存儲技術(shù)(NVM Non-VolatileMemory),屬于Memory(存儲器)的一種。
2024-03-17 15:31:392376

首次亮相!長江存儲128 層3D NAND 現(xiàn)身CITE 2020

在CITE 2020上,紫光集團(tuán)帶來了大量產(chǎn)品,其中包括長江存儲的128層QLC三維閃存和新華三半導(dǎo)體高端路由器芯片EasyCore等。作為業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格的3D NAND閃存,長江存儲X2-6070擁有業(yè)內(nèi)已知型號產(chǎn)品中最高單位面積存儲密度,最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND閃存芯片容量。
2020-08-15 09:32:144822

預(yù)期提前,鎧俠再次加速,3D NAND準(zhǔn)備沖擊1000層

2030實(shí)現(xiàn)1000層堆疊的3D NAND存儲器。 ? 3D NAND似乎已經(jīng)成為各大存儲企業(yè)競相追逐的“工業(yè)明珠”,包括三星、海力士、美光、鎧俠、長江存儲等都在這一領(lǐng)域投入大量資源,而比拼的就是堆疊層數(shù)。 ? 3D NAND 為何如此重要? ? 隨著數(shù)字化信息的爆炸性增長,對對存儲容量的需求也在
2024-06-29 00:03:008061

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