三星已將下一代嵌入式半導(dǎo)體存儲(chǔ)器產(chǎn)品MRAM納入生產(chǎn)制造范疇，并在韓國器興廠區(qū)率先進(jìn)入大規(guī)模生產(chǎn)。MRAM號(hào)稱是次世代記憶體，是繼半導(dǎo)體存儲(chǔ)器DRAM和NAND Flash之后又一劃時(shí)代的創(chuàng)新存儲(chǔ)器
2019-03-06 16:43:28
7573 16日，三星電子宣布在基于EUV的高級(jí)節(jié)點(diǎn)方面取得了重大進(jìn)展，包括7nm批量生產(chǎn)和6nm客戶流片，以及成功完成5nm FinFET工藝的開發(fā)。 三星電子宣布其5納米（nm）FinFET工藝技術(shù)的開發(fā)
2019-04-18 15:48:477185 1月7日消息，三星電子已開始批量生產(chǎn)基于極紫外（EUV）技術(shù)的6nm（nm）半導(dǎo)體芯片。該公司自開始大規(guī)模生產(chǎn)7nm產(chǎn)品以來，僅在八個(gè)月內(nèi)就推出了6nm產(chǎn)品。三星的微加工工藝技術(shù)升級(jí)周期正在縮短
2020-01-07 12:03:104766 FinFET制程技術(shù)量產(chǎn)階段的臺(tái)積電，也傳出將投入大量研發(fā)資金確保10nm制程技術(shù)發(fā)展進(jìn)度，預(yù)期將進(jìn)一步與三星抗衡，至于Intel方面也確定將在 2016年下半年間進(jìn)入10nm制程技術(shù)量產(chǎn)。
2015-05-28 10:23:161272 Samsung 5 日宣佈正式量產(chǎn)全球首款採用 10nm 制程生產(chǎn)的 DDR4 DRAM 顆粒，加快半導(dǎo)體市場邁向更精密的 10nm 制程工藝之路，繼 2014 年首個(gè)量產(chǎn) 20nm 制程 DDR3 記憶體顆粒，成為業(yè)界領(lǐng)先。
2016-04-06 09:04:56893 三星本周宣布，將定于今年晚些時(shí)候投產(chǎn)第二代10nm芯片生產(chǎn)工藝。目前，三星已經(jīng)在美國硅谷開始向多個(gè)半導(dǎo)體公司推廣自家的14nm工藝。臺(tái)積電計(jì)劃在2017年上半年試產(chǎn)7nm工藝，目前有超過20家客戶正在洽談7nm工藝代工事宜。
2016-04-22 09:40:41677 臺(tái)積電和三星都將在明年規(guī)模量產(chǎn)10nm新工藝，高通、蘋果、三星、聯(lián)發(fā)科的下一代處理器自然都會(huì)蜂擁而上，搶占制高點(diǎn)，據(jù)說第一個(gè)將是聯(lián)發(fā)科的新十核Helio X30。
2016-07-15 10:30:591311 TSMC在FinFET工藝量產(chǎn)上落后于Intel、三星，不過他們在10nm及之后的工藝上很自信，2020年就會(huì)量產(chǎn)5nm工藝，還會(huì)用上EUV光刻工藝。
2016-07-18 10:47:091380 縱然Intel的14nm、10nm在技術(shù)層面相較臺(tái)積電、三星有著優(yōu)勢，但仍不能掩蓋“擠牙膏”的悲情。 據(jù)可靠消息，Intel已經(jīng)開始了10nm的試產(chǎn)工作，而且將改造一批10nm工藝的制造廠，這筆支出已經(jīng)在日前發(fā)布二季度財(cái)報(bào)和三季度展望時(shí)納入。
2016-08-01 17:54:121560 
三星目前正在測試下一代移動(dòng)Soc，型號(hào)暫定為Exynos 8895。該芯片組將采用10nm工藝，代表著移動(dòng)處理器的一大飛躍，同時(shí)其主頻高達(dá)4GHz。
2016-08-10 10:25:59532 2016年各大晶圓廠的主流工藝都是14/16nm FinFET工藝，Intel、TSMC及三星明年還要推10nm工藝，由于Intel也要進(jìn)軍10nm代工了，這三家免不了一場大戰(zhàn)。但是另一家代工廠
2016-08-17 16:59:403049 臺(tái)積電和三星電子的制程大戰(zhàn)打得如火如荼，據(jù)傳臺(tái)積電7nm制程有望提前在明年底量產(chǎn)，遠(yuǎn)遠(yuǎn)超前對手。三星電子不甘示弱，宣布10nm制程已經(jīng)率先進(jìn)入量產(chǎn)，領(lǐng)先同業(yè)。
2016-10-18 09:48:511079 
據(jù)三星官網(wǎng)新聞，韓國巨頭宣布推出業(yè)界首款8GB LPDDR4 DRAM成片。此次的8GB LPDDR4內(nèi)存芯片采用16Gb顆粒，10nm級(jí)（10nm~20nm之間）工藝制造，可實(shí)現(xiàn)與20nm級(jí)4GB
2016-10-20 10:55:482245 10月份，三星宣布10nm進(jìn)入量產(chǎn)后，市場上的14nm/16nm產(chǎn)品似乎瞬間黯然無光。三星計(jì)劃明年初發(fā)布首款10nm產(chǎn)品，預(yù)計(jì)是采用10nm LPE的Exynos 8895。顯然，老對手臺(tái)積電和它的客戶不愿被動(dòng)挨打，最新消息顯示，聯(lián)發(fā)科首顆10nm芯片Helio X30定于年底量產(chǎn)亮相。
2016-11-03 11:22:381276 代工合作，將采用三星10納米FinFET制程工藝打造Qualcomm Technologies最新款頂級(jí)處理器——Qualcomm?驍龍?835處理器。
2016-11-18 09:39:421058 據(jù)外媒報(bào)道，三星電子被指侵犯了與鰭式場效應(yīng)晶體管（FinFET）制程工藝相關(guān)的專利，面臨訴訟。韓媒稱，韓國科學(xué)技術(shù)院（KAIST）計(jì)劃對三星提起訴訟，指控后者侵犯其FinFET專利。KAIST稱，他們開發(fā)了10納米FinFET工藝，但是三星竊取了這項(xiàng)技術(shù)，并將其用于生產(chǎn)高通驍龍835芯片。
2016-12-05 15:35:27955 據(jù)外媒報(bào)道，近些年來芯片制程的進(jìn)化速度簡直超出想象，在三星推出10nm制程后，臺(tái)積電也不甘示弱。消息顯示，今年第二季度首款采用7nm FinFET制程的芯片原型產(chǎn)品就將正式下線(即完成設(shè)計(jì)的最后
2017-01-04 07:24:201029 小米預(yù)告將在2月28日發(fā)表自家研發(fā)的松果移動(dòng)處理器，而根據(jù)最新傳出的消息顯示，小米松果處理器可能將有2款，其中高端款產(chǎn)品將采用三星10nm制程。
2017-02-24 09:16:56897 三星與臺(tái)積電工藝之戰(zhàn)從三星跳過20nm工藝而直接開發(fā)14nmFinFET打響，從10nm到如今的7nm之爭，無論誰領(lǐng)先一步，都是半導(dǎo)體工藝的重大突破。 在半導(dǎo)體代工市場上，臺(tái)積電一直都以領(lǐng)先的工藝
2017-03-02 01:04:492107 我們應(yīng)當(dāng)知道的是，三星目前還沒有推出很多10nm工藝的產(chǎn)品：只有三星自己的Exynos系列和三星為高通代工的835芯片是使用了三星的10nm工藝。
2017-05-09 08:24:35911 臺(tái)積電和三星一直都是屬于競爭狀態(tài)，近日高通宣布旗下的7nm 5G芯片由三星代工，臺(tái)積電再一次落后三星。比較當(dāng)前的10nm FinFET工藝，7nm會(huì)在某些地方更占優(yōu)勢。
2018-02-24 10:14:531472 較為激進(jìn)的技術(shù)路線，以挽回局面。
4 月 18 日消息，據(jù)韓媒《ChosunBiz》當(dāng)?shù)貢r(shí)間 16 日報(bào)道，三星電子在其 4nm 制程 HBM4 內(nèi)存邏輯芯片的初步測試生產(chǎn)中取得了40% 的良率，這高于
2025-04-18 10:52:53
三星電子近日在國際學(xué)會(huì)“IEDM 2015”上就20nm工藝的DRAM開發(fā)發(fā)表了演講。演講中稱，三星此次試制出了20nm工藝的DRAM，并表示可以“采用同樣的方法，達(dá)到10nm工藝”。 國際電子器件
2015-12-14 13:45:01
三星宣布將開發(fā)手持式裝置用的ＲＦＩＤ（ｒａｄｉｏ ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ ｉｄｅｎｔｉｆｉｃａｔｉｏｎ）讀取芯片，能讓使用者透過手機(jī)得知產(chǎn)品和服務(wù)信息，但三星并未透露產(chǎn)品何時(shí)上市。 三星指出，ＲＦＩＤ
2019-07-04 07:26:16
臺(tái)積電與三星的10nm工藝。智能手機(jī)的普及，大大地改變了現(xiàn)代人們的生活方式，言猶在耳的那句廣告詞——“科技始終來自于人性”依舊適用，人們對于智能手機(jī)的要求一直是朝向更好、更快以及更省電的目標(biāo)。就像
2018-06-14 14:25:19
早有計(jì)劃。 2017年，三星與NXP達(dá)成代工合同，從這一年起，NXP的IoT SoC i.MX系列將通過三星28nm FD-SOI工藝批量生產(chǎn)，并計(jì)劃2018年將三星的eMRAM嵌入式存儲(chǔ)器技術(shù)將用于下一代
2023-03-21 15:03:00
大規(guī)模電動(dòng)汽車生產(chǎn)需要先進(jìn)的電池化成和測試系統(tǒng)
2021-01-27 06:59:50
推向市場的note7來說，8月2日推向市場，至10月11日因爆炸導(dǎo)致全面停產(chǎn)、停售、召回，造成了智能手機(jī)發(fā)展多年以來首次出現(xiàn)的大規(guī)模安全事故，至10月11日，有20多例中國用戶購買的三星note7在正常
2017-06-19 20:59:16
開始生產(chǎn)。此舉也創(chuàng)下二次擊敗勁敵三星、獨(dú)吃蘋果處理器大單的新記錄，2017年?duì)I收持續(xù)增長基本沒什么問題。剛剛失去蘋果訂單的三星，日前宣布Note6將用上基于10nm工藝的6GB LPDDR4內(nèi)存，并將于今年下半年上市。這樣一來，臺(tái)積電和三星以及蘋果的性能之爭，就轉(zhuǎn)移到Note 6和iPhone 7身上。`
2016-07-21 17:07:54
根據(jù)三星的官方描述這個(gè)存儲(chǔ)芯片已經(jīng)從原有的20nm制程進(jìn)入到10nm，并且新的 64GB eMMC Pro Class 2000 比前代產(chǎn)品在外觀上小20%，性能和勞動(dòng)生產(chǎn)效率方面比前代產(chǎn)品提升了30%。
2012-11-15 15:34:531311 ? Analog FastSPICE? 電路驗(yàn)證平臺(tái)已完成了電路級(jí)和器件級(jí)認(rèn)證，Olympus-SoC? 數(shù)字設(shè)計(jì)平臺(tái)正在進(jìn)行提升，以幫助設(shè)計(jì)工程師利用 TSMC 10nm FinFET 技術(shù)更有效地驗(yàn)證和優(yōu)化其設(shè)計(jì)。10nm V1.0 工藝的認(rèn)證預(yù)計(jì)在 2015 年第 4 季度完成。
2015-09-21 15:37:101664 驍龍 820 此前已經(jīng)傳聞將會(huì)由三星代工生產(chǎn)，今天三星官方正式確認(rèn)了這個(gè)消息，并且表示大規(guī)模生產(chǎn)使用的是三星最新的第二代 14nm FinFET 工藝。
2016-01-15 17:24:241377 日前在深圳召開的2016三星移動(dòng)解決方案論壇上，這家韓國OEM廠商宣布了最新的6GB LPDDR4內(nèi)存。和現(xiàn)有芯片和6GB內(nèi)存芯片最大的區(qū)別在于使用了最新的10nm制造生產(chǎn)工藝，承諾帶來更快更高效的內(nèi)存。
2016-05-23 15:20:391455 2016年半導(dǎo)體的主流工藝是14/16nm FinFET工藝，主要有Intel、TSMC及三星/GlobalFoundries（格羅方德）三大陣營，下一個(gè)節(jié)點(diǎn)是10nm，三方都會(huì)在明年量產(chǎn)，不過
2016-05-30 11:53:531179 導(dǎo)語：聯(lián)發(fā)科和華為均已確定下一代處理器將采用10nm工藝制程，高通也緊追其后遞交10nm芯片樣品給客戶，據(jù)悉，高通10nm訂單均交給三星代工生產(chǎn)。
2016-07-28 19:00:27868 近日，三星電子宣布已經(jīng)開始采用10nm FinFET工藝量產(chǎn)邏輯芯片，三星也成為了業(yè)內(nèi)首家大規(guī)模采用10納米工藝的廠商。前段時(shí)間，韓國《電子時(shí)報(bào)》報(bào)道，高通的下一代旗艦處理器高通驍龍830（或835
2016-10-18 14:06:101450 據(jù)報(bào)道，三星超車臺(tái)積電，高通8日宣布全球首顆10nm服務(wù)器芯片已送客戶，搶攻長期由英特爾獨(dú)霸市場；高通10nm手機(jī)芯片也委由三星代工，但7nm訂單重返臺(tái)積電，臺(tái)積電仍是大贏家。
2016-12-09 10:38:52530 上周，關(guān)于10nm工藝良率依舊不夠理想的消息在媒體傳開，據(jù)說影響到高通驍龍835、蘋果A10X（新iPad）等一眾新品。目前外界普遍傳言，三星確定在今年4月發(fā)布Galaxy S8，而不是2月底的MWC甚至1月的CES。
2016-12-26 11:17:25763 三星和臺(tái)積電都在積極完善自家的 10nm 制作工藝，但三星似乎已經(jīng)搶先一步了，不過臺(tái)積電也沒有落后多少。在分析師還在擔(dān)憂臺(tái)積電的 10nm 工藝會(huì)不會(huì)對 iPhone 8 造成影響時(shí)，這家公司發(fā)話了。
2016-12-27 08:14:38816 不知道大家是不是還記得在今年10月份左右的時(shí)候，有韓國媒體稱，三星一位高管因?yàn)橄蛑袊拘孤?4/10nm工藝機(jī)密而被警方逮捕，報(bào)道還稱三星將在Galaxy S8上首次使用10nm Exynos
2016-12-29 11:52:361913 隨著摩爾定律走向極限，半導(dǎo)體工藝的推進(jìn)愈發(fā)困難，不過現(xiàn)在臺(tái)積電和三星的10nm還是量產(chǎn)了。昨天首款10nm工藝芯片高通驍龍835也正式發(fā)布。而曾經(jīng)作為半導(dǎo)體工藝技術(shù)龍頭的英特爾卻動(dòng)作遲緩，被稱為
2017-01-05 16:40:48637 特爾的10nm工藝可是要完全領(lǐng)先臺(tái)積電和三星的10nm工藝。
2017-01-09 11:46:041029 雖然摩爾定律即將走向終結(jié)，但半導(dǎo)體制程工藝推進(jìn)的腳步卻一直沒有停下過。臺(tái)積電和三星作為ARM芯片代工陣營的領(lǐng)軍企業(yè)，雙方你追我趕大打制程戰(zhàn)，已將制程工藝推進(jìn)至10nm，而高通聯(lián)發(fā)科等我們所熟知的IC
2017-01-11 10:49:114294 
%的性能提升。 那么我們不禁要問，Intel的10nm怎么了? 先就本次投資會(huì)議，Intel表示，數(shù)據(jù)中心所用的Xeon高端多核處理器將首批用上下一代制程，也就是10nm。另外在CES上，CEO柯再奇曾證實(shí)，搭載10nm芯片筆記本產(chǎn)品會(huì)在今年底出貨。 這其實(shí)不難理解。由于8代酷睿還是下半年上市，局面很可能是
2017-02-11 02:23:11431 2月23日消息今天三星正式發(fā)布了旗下最新的旗艦9系也就是Exynos8895處理器，采用最新的10nm制程工藝，搭載5載波聚合基帶，最高支持1Gbps的下載速率，GPU方面使用的是Mali-G71 mp20，性能相當(dāng)給力。
2017-02-23 14:24:481248 小米預(yù)告將在2月28日發(fā)表自家研發(fā)的松果移動(dòng)處理器，而根據(jù)最新傳出的消息顯示，小米松果處理器可能將有2款，其中高端款產(chǎn)品將采用三星10nm制程。
2017-02-24 17:28:201001 三星Exynos 8895采用10nm FinFET工藝，和此前的14nm工藝性能相比將提升27％，功耗降低40％
2017-02-25 09:49:511579 三星Galaxy S8和蘋果的iPhone 8都將進(jìn)入10nm時(shí)代，兩者將分別搭載基于10nm工藝的驍龍835和A11芯片，不過現(xiàn)據(jù)臺(tái)媒《電子時(shí)報(bào)》報(bào)道，業(yè)內(nèi)10nm工藝陷入良品率不理想的困境，預(yù)計(jì)Galaxy S8和iPhone 8將出現(xiàn)供不應(yīng)求的情況，而由于三星S8發(fā)布更早，遭受的影響也更大。
2017-03-03 22:39:21679 三星是目前唯一宣布量產(chǎn)10nm芯片的代工廠，涉及驍龍835、Exynos 8895等移動(dòng)SoC。
2017-03-15 08:30:35670 高通驍龍835發(fā)布以來，三星就加班加點(diǎn)開始量產(chǎn)旗艦機(jī)S8了，但該機(jī)和小米6等搭載驍龍835的手機(jī)發(fā)布遲到后，外界就開始猜測由于三星10nm工藝良品率低，造成高通驍龍835芯片難產(chǎn)，各大手機(jī)廠商不得不推遲發(fā)布以便有充足的時(shí)間備貨！
2017-03-19 13:14:572668 三星今天宣布，繼去年10月率先量產(chǎn)10nm工藝移動(dòng)芯片后，日前已經(jīng)完成了第二代10nm的質(zhì)量驗(yàn)證工作，即將量產(chǎn)。
2017-04-22 01:08:12883 三星今天宣布，繼去年10月率先量產(chǎn)10nm工藝移動(dòng)芯片后，日前已經(jīng)完成了第二代10nm的質(zhì)量驗(yàn)證工作，即將量產(chǎn)。下面就隨網(wǎng)絡(luò)通信小編一起來了解一下相關(guān)內(nèi)容吧。下面就隨半導(dǎo)體小編一起來了解一下相關(guān)內(nèi)容吧。
2017-04-23 10:19:411823 三星上周四宣布，第二代10納米FinFET制程已經(jīng)開發(fā)完成，未來爭取10納米產(chǎn)品代工訂單將如虎添翼。 三星第一代10納米制程于去年10月領(lǐng)先同業(yè)導(dǎo)入量產(chǎn)，目前的三星Exynos 9與高通驍龍835處理器均是以第一代10納米制程生產(chǎn)。
2017-04-25 01:08:11746 據(jù)韓媒報(bào)道，高通已經(jīng)與三星攜手，合作開發(fā)下一代手機(jī)處理器。繼去年10月份三星率先量產(chǎn)第一代10nm LPE（low-power early）工藝處理器后，日前已經(jīng)完成第二代10nm LPP
2017-04-25 10:39:02938 近日，有消息指出蘋果全新一代的A11處理器將會(huì)采用三星的10nm制程生產(chǎn)。目前業(yè)內(nèi)的頂端處理器，例如：高通驍龍835處理器和三星Exynos 8895處理器已經(jīng)率先使用10nm的工藝制程，而作為行業(yè)的佼佼者蘋果不可能放棄對10nm工藝制程的追求。
2017-04-26 08:42:103078 近日，有消息指出蘋果全新一代的A11處理器將會(huì)采用三星的10nm制程生產(chǎn)。目前業(yè)內(nèi)的頂端處理器，例如：高通驍龍835處理器和三星Exynos 8895處理器已經(jīng)率先使用10nm的工藝制程，而作為
2017-04-26 14:15:382852 臺(tái)積電的10nm工藝眼下還處于提升良率中，三星則宣布已推出第二代10nm工藝，這是前者繼14/16nmFinFET工藝敗給后者后再次在10nm工藝上落敗，而且這可能會(huì)影響到它在7nm工藝上再次落后。
2017-04-28 14:28:461758 三星10納米工藝技術(shù)公告：全球領(lǐng)先的三星電子先進(jìn)的半導(dǎo)體元器件技術(shù)正式宣布，其第二代10納米(nm)FinFET工藝技術(shù)，10LPP(Low Power Plus)已經(jīng)合格并準(zhǔn)備就緒用于批量生產(chǎn)。
2017-05-03 01:00:11815 今年安卓陣營的旗艦手機(jī)芯片當(dāng)屬高通驍龍835莫屬，驍龍835是首批量產(chǎn)的10nm手機(jī)芯片，并且還集成了下行速率高達(dá)1Gbps的基帶；目前在售搭載驍龍835的手機(jī)還較少，三星S8與小米6是較早采用驍龍
2017-05-16 11:40:481982 Intel表示，10nm芯片的工程樣片已經(jīng)送交伙伴，今年底會(huì)有首批產(chǎn)品，但明年才會(huì)開始大規(guī)模量產(chǎn)。
2017-08-01 15:41:301492 昨天上午，三星官方發(fā)言，宣稱已經(jīng)成功研制開發(fā)出全球第一個(gè)10nm 8-gigabit（Gb）LPDDR5 DRAM，并將在2019年批量生產(chǎn)。眾所周知，三星企業(yè)在批量生產(chǎn)8GB LPDDR4內(nèi)存之后，就已經(jīng)開始著手投入LPDDR5的研究。
2018-07-19 09:47:001824 第二代10nm工藝即LPP（Low Power Plus），比LPE（Low Power Early）的性能提升了10%，功耗降低了15%，首款商用產(chǎn)品將于明年推出。
2017-11-29 17:40:30997 2017年3月，三星和臺(tái)積電分別就其半導(dǎo)體制程工藝的現(xiàn)狀和未來發(fā)展情況發(fā)布了幾份非常重要的公告，三星表示，該公司有超過7萬個(gè)晶圓加工過程都采用了第一代10nmFinFET工藝，未來這一數(shù)量還會(huì)繼續(xù)增加。臺(tái)積電也表示，在未來幾年，臺(tái)積電將會(huì)陸續(xù)推出幾項(xiàng)全新的工藝
2018-01-08 10:56:1417414 作為科技行業(yè)著名的“牙膏廠”，英特爾一直走在所有廠商前面。因?yàn)樗?b class="flag-6" style="color: red">10nm制程已經(jīng)跳票三年之久，每當(dāng)一款新的處理器發(fā)布，眾人翹首以待10nm的到來，可英特爾還是給用戶潑冷水，繼續(xù)跳票10nm工藝。
2018-06-15 15:53:006091 3月22日消息，三星發(fā)布了最新的中端SoCExynos 9610。這顆隸屬于Exynos 7系列的SoC，最核心的重點(diǎn)是，采用了10nm FinFET LPP工藝，強(qiáng)化深度學(xué)習(xí)并支持480幀慢動(dòng)作
2018-03-26 15:10:005805 據(jù)外媒7月10日報(bào)道，頂級(jí)NAND閃存芯片制造商三星宣布已開始大規(guī)模生產(chǎn)其第五代V-NAND閃存芯片。
2018-07-13 14:22:054460 眾所周知，2016年11月份，三星已經(jīng)開始將10LPE制造技術(shù)應(yīng)用到其生產(chǎn)的SOC中。
2018-07-20 16:52:329746 
12月20日，三星宣布已開始量產(chǎn)第二代10nm級(jí)8Gb DDR4 DRAM，并持續(xù)擴(kuò)大整體10nm級(jí)DRAM的生產(chǎn)，有助于滿足全球不斷飆升的DRAM芯片需求，繼續(xù)加強(qiáng)三星市場競爭力。
2018-07-31 14:55:251102 三星宣布推出基于10nm級(jí)（指10~18nm）的DDR4 SO-DIMM內(nèi)存模組，用于高性能筆記本產(chǎn)品。新的內(nèi)存模組容量達(dá)到32GB單條，頻率2666MHz，結(jié)構(gòu)上是由16個(gè)16Gb DDR4
2018-08-06 16:38:015722 三星宣布成功開發(fā)業(yè)界首款10nm級(jí)8Gb LPDDR5 DRAM。自從2014年8Gb LPDRD4投入量產(chǎn)以來，三星就開始向LPDDR5標(biāo)準(zhǔn)過渡。LPDDR5 DRAM芯片主要應(yīng)用于移動(dòng)設(shè)備如手機(jī)、平板、二合一電腦等，5G和AI將是其主要應(yīng)用領(lǐng)域。
2018-08-08 15:22:281625 你以為在小范圍生產(chǎn)后，英特爾的 10nm Cannon Lake 就一定會(huì)如約在 2018 年末開始大規(guī)模量產(chǎn)嗎？對不起，英特爾現(xiàn)在告訴你計(jì)劃有變，10nm 芯片的大批量產(chǎn)日期已經(jīng)再度延后，原本預(yù)期在 2016 年就應(yīng)該出來的產(chǎn)品，現(xiàn)在至少也要等到 2019 年了。
2018-08-13 10:10:003316 4月25日，三星電子宣布已開始批量生產(chǎn)汽車用10nm級(jí)16Gb LPDDR4X DRAM。這款最新的LPDDR4X產(chǎn)品具備高性能，同時(shí)還顯著提高需要在極端環(huán)境下工作的汽車應(yīng)用的耐熱性水平。這款
2018-08-23 15:48:262837 三星電子發(fā)布了其第一款5G基帶處理器Exynos Modem 5100，據(jù)稱這是世界上首款完全兼容3GPP Release 15的5G基帶芯片。這款基于10nm工藝的基帶芯片能夠在單芯片上支持5G及傳統(tǒng)移動(dòng)服務(wù)（全網(wǎng)通）。
2018-08-29 16:27:374671 三星宣布7LPP工藝進(jìn)入量產(chǎn)，并表示基于EUV光刻技術(shù)的7LPP工藝對比現(xiàn)有的10nm FinFET工藝，可以提高20%性能、降低50%功耗、提升40%面積能效。三星電子的代工銷售和營銷團(tuán)隊(duì)執(zhí)行副
2018-10-19 16:10:553194 在Samsung Tech Day上，三星宣布7LPP工藝進(jìn)入量產(chǎn)，并表示基于EUV光刻技術(shù)的7LPP工藝對比現(xiàn)有的10nm FinFET工藝，可以提高20%性能、降低50%功耗、提升40%面積能效。
2018-10-22 10:05:404449 近日，SIA發(fā)了個(gè)聳人聽聞的新聞，說intel放棄了10nm工藝的研發(fā)，當(dāng)然這肯定是假消息就是了，今天intel也出面辟謠。不過相信很多人也會(huì)覺得奇怪，那邊TSMC 7nm都量產(chǎn)了，三星也宣布風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)了還上了EUV，為什么intel的10nm如此舉步維艱？
2018-10-25 09:34:447359 晶圓代工領(lǐng)域10nm已成分水嶺，隨著英特爾的10nm制程久攻不下，聯(lián)電和格芯相繼擱置7nm及以下先進(jìn)制程的研發(fā)后，10nm以下的代工廠中只有三星在繼續(xù)與臺(tái)積電拼刺刀。
2018-11-16 10:37:374463 三星電子今天宣布，開始量產(chǎn)業(yè)界首款、采用第二代10nm工藝（1y-nm）級(jí)別的DRAM芯片。
2018-12-11 09:40:551196 1月4日，三星正式發(fā)布了Exynos 9810頂級(jí)移動(dòng)處理器，基于三星第二代10nm FinFET LPP工藝打造，與高通驍龍845使用相同的制造工藝。僅在制程層面，相較第一代LPE （Low Power Early），新工藝就可讓芯片性能提升10%，功耗降低15%。
2019-01-24 11:19:0410659 據(jù)韓國媒體報(bào)道，近日，三星宣布已在一條基于28納米FD-SOI工藝的生產(chǎn)線上，開始大規(guī)模生產(chǎn)和商業(yè)運(yùn)輸嵌入式MRAM(eMRAM)解決方案。
2019-03-16 10:24:271146 Intel雖然承諾將在今年底大規(guī)模量產(chǎn)10nm工藝產(chǎn)品，但從目前跡象看，初期還是集中在筆記本和低功耗領(lǐng)域，比如針對輕薄本的Ice Lake、首次采用3D Foveros封裝的Lakefield，服務(wù)器平臺(tái)更是要到2021年才會(huì)用上10nm。
2019-03-15 11:18:092973 
3月21日，三星電子宣布開發(fā)出業(yè)內(nèi)首款基于第三代10nm級(jí)工藝的DRAM內(nèi)存芯片，將服務(wù)于高端應(yīng)用場景，這距離三星量產(chǎn)1y nm 8Gb DDR4內(nèi)存芯片僅過去16個(gè)月。
2019-03-21 16:43:083840 ，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）。自開始批量生產(chǎn)第二代10nm級(jí)（1y-nm）8Gb DDR4以來僅僅16個(gè)月，三星不再使用Extreme Ultra-Violet（EUV）處理的情況下開發(fā)1z-nm 8Gb DDR4，說明三星突破了DRAM的擴(kuò)展極限。
2019-03-21 17:30:542123 三星電子宣布開發(fā)出業(yè)內(nèi)首款基于第三代10nm級(jí)工藝的DRAM內(nèi)存芯片，將服務(wù)于高端應(yīng)用場景，這距離三星量產(chǎn)1y nm 8Gb DDR4內(nèi)存芯片僅過去16個(gè)月。
2019-03-24 11:36:164320 據(jù)報(bào)道，近日，三星宣布已在一條基于28納米FD-SOI工藝的生產(chǎn)線上，開始大規(guī)模生產(chǎn)和商業(yè)運(yùn)輸嵌入式MRAM(eMRAM)解決方案。
2019-03-25 14:42:513762 關(guān)鍵詞：DRAM , DDR4 三星電子宣布開發(fā)出業(yè)內(nèi)首款基于第三代10nm級(jí)工藝的DRAM內(nèi)存芯片，將服務(wù)于高端應(yīng)用場景，這距離三星量產(chǎn)1y nm 8Gb DDR4內(nèi)存芯片僅過去16個(gè)月。量產(chǎn)時(shí)間
2019-03-29 07:52:01592 三星宣布已經(jīng)開始大規(guī)模生產(chǎn)首款商用EMRAM產(chǎn)品，該產(chǎn)品基于28nm FD-SOI工藝技術(shù)，并計(jì)劃在今年擴(kuò)大高密度新興的非易失存儲(chǔ)器解決方案，包括1Gb EMRAM芯片。
2019-09-16 16:18:591577 三星電子有限公司（Samsung Electronics）在其官網(wǎng)上發(fā)布消息，該公司正式宣布，首次開發(fā)了第三代 10nm 制程工藝（1z-nm）8GB 超高性能和高功效的 DRAM（Dynamic Random Access Memory，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）。
2019-09-27 17:23:291500 三星于去年4月向全球客戶提供7納米產(chǎn)品，自開始大規(guī)模生產(chǎn)7納米產(chǎn)品以來，三星僅在八個(gè)月內(nèi)就推出了6納米產(chǎn)品。三星的微加工工藝技術(shù)升級(jí)周期正在縮短，特別是向6納米EUV工藝的過渡有望縮小與全球第一大晶圓代工廠臺(tái)積電（TSMC）的差距。
2020-01-06 11:40:033622 根據(jù)三星的計(jì)劃，到2020年底，V1生產(chǎn)線的累計(jì)總投資將達(dá)到60億美元，預(yù)計(jì)7nm及以下工藝節(jié)點(diǎn)的總產(chǎn)能將比2019年增長三倍，目前的計(jì)劃是在第一季度開始交付其基于6nm和7nm的移動(dòng)芯片。
2020-02-21 09:00:352667 三星電子今天宣布已經(jīng)開始大規(guī)模生產(chǎn)業(yè)內(nèi)第一個(gè)16GB 的 LPDDR5移動(dòng) DRAM 封裝，基于三星第二代10nm級(jí)工藝技術(shù)，可提供業(yè)界最高的性能和最大的容量，用于下一代高端智能手機(jī)。繼2019年7
2020-02-25 13:48:202465 根據(jù)外媒WCCFTECH的報(bào)道，爆料消息稱英偉達(dá)的下一代GPU架構(gòu)將基于三星10nm制程，而不是之前報(bào)道的臺(tái)積電7nm工藝，據(jù)稱使用的10nm制程更接近于三星提供的8LPP技術(shù)，另外新的Tegra芯片也將使用相同的制程。
2020-03-12 16:28:463370 據(jù)國外媒體報(bào)道，在5nm工藝即將大規(guī)模量產(chǎn)的情況下，3nm工藝就成了臺(tái)積電和三星這兩大芯片代工商關(guān)注的焦點(diǎn)，三星電子旗下的三星晶圓代工，此前設(shè)定的目標(biāo)是在2021年大規(guī)模量產(chǎn)3nm工藝。
2020-04-07 17:43:512632 4月7日消息，在 5nm 工藝即將大規(guī)模量產(chǎn)的情況下，3nm 工藝就成了臺(tái)積電和三星這兩大芯片代工商關(guān)注的焦點(diǎn)。三星電子旗下的三星晶圓代工，此前設(shè)定的目標(biāo)是在2021年大規(guī)模量產(chǎn) 3nm工藝。
2020-04-08 14:41:143230 據(jù)說三星將從8月開始大規(guī)模生產(chǎn)5nm芯片，預(yù)計(jì)首款SoC將是Exynos 992。DigiTimes的一份報(bào)告指出，該技術(shù)龐然大物在保持令人滿意的良率方面存在問題
2020-07-23 14:53:541877 EUV，依靠現(xiàn)有的DUV（深紫外光刻）是玩不轉(zhuǎn)的。 有意思的是，三星最近竟然將EUV與相對上古的10nm工藝結(jié)合，用于量產(chǎn)旗下首批16Gb容量的LPDDR5內(nèi)存芯片。 據(jù)悉，三星的新一代內(nèi)存芯片是基于第三代10nm級(jí)（1z）工藝打造，請注意16Gb容量的后綴，是Gb而不是GB，16Gb對應(yīng)的其實(shí)是
2020-09-01 14:00:293544 在第三季度財(cái)報(bào)電話會(huì)議中，三星電子向所有人公布了其代工廠和節(jié)點(diǎn)生產(chǎn)開發(fā)的最新信息。在過去一年左右的時(shí)間里，三星的代工廠一直以7nm LPP（低功耗性能）作為其最小節(jié)點(diǎn)。據(jù)外媒TECHPOWERUP消息，三星近日已開始生產(chǎn)5nm LPE（低功耗早期）半導(dǎo)體制造節(jié)點(diǎn)，首批芯片即將面世。
2020-11-02 17:27:583464 在半導(dǎo)體晶圓代工上，臺(tái)積電一家獨(dú)大，從10nm之后開始遙遙領(lǐng)先，然而三星的追趕一刻也沒放松，今年三星也量產(chǎn)了5nm EUV工藝。三星計(jì)劃在2年內(nèi)追上臺(tái)積電，2022年將量產(chǎn)3nm工藝。
2020-11-17 16:03:322058 今天，三星宣布已經(jīng)開始大規(guī)模生產(chǎn)其最先進(jìn)的數(shù)據(jù)中心 SSD 生產(chǎn)線，PM9A3 E1.S。 三星表示，PM9A3 完全符合 OCP NVMe 云 SSD 規(guī)范，滿足企業(yè)工作負(fù)載的嚴(yán)格要求。 IT之家
2021-02-24 16:00:212315 三星3nm芯片量產(chǎn) 2nm芯片還遠(yuǎn)嗎 全球第一款正式量產(chǎn)的3nm芯片即將出自三星半導(dǎo)體了，根據(jù)三星半導(dǎo)體官方的宣布，4D（GAA）架構(gòu)制程技術(shù)芯片正式開始生產(chǎn)。 4D（GAA）架構(gòu)制程是3D
2022-06-30 20:21:522069
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