根據(jù)南韓媒體 《Business Korea》 報道，南韓存儲器大廠 SK 海力士旗下為積極爭取未來中國境內(nèi)的晶圓代工需求，在近期 SK 海力士收購英特爾的 NAND Flash 快閃存儲器業(yè)務之后
2020-11-11 10:12:40
3651 ? ? ? ?在最近的IEEE國際可靠性物理研討會上，SK海力士分享了其近期和未來的技術目標愿景。SK海力士認為，通過將層數(shù)增加到600層以上，可以繼續(xù)提高3DNAND的容量。此外，該公司有信心借助
2021-03-29 14:38:437477 據(jù)韓媒報導，SK海力士將向德國汽車零部件巨頭博世（Bosch）提供汽車存儲芯片。知情人士表示，SK海力士目前正在草擬獨家供應合同的草案。 ? 博世公司相關負責人去年曾參觀了SK海力士在韓國的工廠，并
2021-04-06 10:25:017589 電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/黃晶晶）新型存儲HBM隨著AI訓練需求的攀升顯示出越來越重要的地位。從2013年SK海力士推出第一代HBM來看，HBM歷經(jīng)HBM1、HBM2、HBM2E、HBM3、HBM3E共
2023-10-25 18:25:244378 
Stack AI Memory Creator）轉(zhuǎn)型的戰(zhàn)略新愿景，在迎接下一個AI時代之前，SK 海力士能深化其角色。 ? 郭魯正指出，AI的加速應用導致信息流量爆炸性增長，但存儲性能未能與處理器進步保持
2025-11-08 10:49:083187 電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道，據(jù)韓媒報道，存儲行業(yè)巨頭SK海力士正全力攻克一項全新的性能瓶頸技術高帶寬存儲HBS。 ? SK海力士研發(fā)的這項HBS技術采用了創(chuàng)新的芯片堆疊方案。根據(jù)規(guī)劃，該技術將通過一種名為
2025-11-14 09:11:212448 
需求看淡 設備投資恐遞延存儲器價格下滑、資料中心的需求也有減緩的跡象，三星、SK海力士都出現(xiàn)縮小2019年半導體投資的征候。原先計劃進駐平澤的三星第二層DRAM工廠的設備時間延后，SK海力士也將新設
2018-12-24 14:28:00
據(jù)外媒報道，韓國SK海力士周四宣布，將在韓國和中國投資3.16萬億韓元（約合27億美元）以提高存儲芯片產(chǎn)能，抓住行業(yè)內(nèi)需求增長的機遇。作為全球第二大存儲芯片制造商，SK海力士表示，將投資2.2萬億
2016-12-23 09:38:001056 更多客戶，以填滿晶圓代工產(chǎn)能，擴大市占率。韓媒亞洲經(jīng)濟引述業(yè)界消息，指出相較2016年的低迷情況，日前才獨立的SK海力士系統(tǒng)IC，客戶已幅增加2倍以上，這使得SK海力士系統(tǒng)IC的清州8吋晶圓廠M8 ，產(chǎn)能利用率從80%上升至100%。
2018-07-14 08:35:574055 SK海力士完成M15工廠有兩大意義。首先，NAND Flash快閃存儲器因為工業(yè)4.0應用而快速成長，而新工廠將幫助SK海力士更積極因應全球?qū)?D NAND Flash快閃存儲器的需求。
2018-10-12 16:17:005500 SK海力士宣布將在忠清北道清州市新建一個存儲器晶圓廠，滿足NAND Flash市場增加的需求。新工廠將坐落在清州科技園。SK海力士下個月開始設計外部的建設，2017年8月到2019年6月期間完成潔凈室的裝備，總投資達2.2兆韓元（18.4億美金）。
2018-12-03 08:52:561817 韓國存儲器大廠SK海力士25日公布2019年第2季的獲利狀況，因為受到存儲器價格持續(xù)低迷，以及日韓貿(mào)易摩擦等因素的沖擊，凈獲利較2018年同期大降了88%之多，使得SK海力士不得不繼三星傳出要延后平澤P2存儲器產(chǎn)線的投資之后，也宣布該公司的生產(chǎn)調(diào)整計劃。
2019-07-26 16:56:103275 
雖然封裝不易，但 HBM 存儲器依舊會被 AMD 或者是 NVIDIA 導入。SK海力士宣布推出 HBM2E 標準存儲器，而這也是接續(xù) Samsung 之后的第二家。
2019-09-09 16:02:491322 SK海力士在業(yè)界率先開發(fā)出最新高帶寬存儲器（HBM， High Bandwidth Memory）產(chǎn)品HBM31，公司不僅又一次創(chuàng)造歷史，更進一步鞏固了SK海力士在DRAM市場上的領先地位。
2022-09-08 09:28:252219 需要復雜的生產(chǎn)過程和高度先進的技術。人工智能服務的擴展扭轉(zhuǎn)了局面。一位業(yè)內(nèi)人士表示，“與性能最高的DRAM相比，HBM3的價格上漲了五倍?！?? 據(jù)了解，目前SK海力士在HBM市場處于領先地位，約有60%-70%的份額。HBM（高帶寬存儲器）是高價值、高性能存儲器，垂直互連
2023-02-15 15:14:446124 
據(jù)業(yè)界透露，三星電子、sk海力士等存儲半導體企業(yè)正在推進hbm生產(chǎn)線的擴張。兩家公司計劃到明年年底為止投資2萬億韓元以上，將目前hbm生產(chǎn)線的生產(chǎn)能力增加兩倍以上。sk海力士計劃在利川現(xiàn)有的hbm生產(chǎn)基地后，利用清州工廠的閑置空間。
2023-08-01 11:47:021508 sk海力士表示：“以唯一批量生產(chǎn)
hbm3的經(jīng)驗為基礎，成功開發(fā)出了世界最高性能的擴展版
hbm3e?！皩⒁詷I(yè)界最大規(guī)模的
hbm供應經(jīng)驗和量產(chǎn)成熟度為基礎，從明年上半年開始批量生產(chǎn)
hbm3e，鞏固在針對ai的
存儲器市場上的獨一無二的地位?！?/div>
2023-08-21 09:21:491808 隨著ai產(chǎn)業(yè)的增長，hbm需求劇增，sk海力士不得不增加人力和生產(chǎn)。hbm存儲器是將多個dram芯片垂直堆疊起來，因此封裝技術的防熱性能也是重要因素。
2023-09-01 14:27:551039 SK海力士明年計劃的設施投資為10萬億韓元（76.2億美元），超出了市場預期。證券界最初預測“SK海力士明年的投資額將與今年類似，約為6萬億至7萬億韓元”。鑒于經(jīng)濟挑戰(zhàn)，觀察人士預計嚴格的管理措施將延續(xù)到明年。由于存儲半導體價格大幅下跌，SK海力士預計今年赤字將超過8萬億韓元。
2023-11-22 17:28:051540 尤其值得關注的是，HBM3E系目前最具頂級性能的存儲器，由SK海力士于去年8月成功研發(fā)。公司預計自今明兩年起實現(xiàn)此類產(chǎn)品的大量生產(chǎn)，并向廣泛的AI科技企業(yè)供應。
2024-01-03 09:36:311126 2024年1月3日，SK海力士宣布，公司將參加于1月9日至12日在美國拉斯維加斯舉行的世界最大規(guī)模電子、IT展會“國際消費電子產(chǎn)品展覽會（CES 2024）”，屆時展示未來AI基礎設施中最為關鍵的超高性能存儲器技術實力。
2024-01-04 17:12:151445 數(shù)據(jù)顯示，首爾半導體操作 DRAM晶圓及HBM相關設備的定單數(shù)量有所上升。其中三星電子已開始擴大其HBM生產(chǎn)能力，并啟動大規(guī)模HBM設備采購；此外，三星和SK海力士計劃加強DRAM技術轉(zhuǎn)移，進一步加大對DRAM的投資力度。
2024-01-08 10:25:221580 近日，據(jù)報道，三星電子正計劃大規(guī)模擴大其HBM（高帶寬內(nèi)存）產(chǎn)能，以滿足不斷增長的市場需求。這一舉措將進一步加劇與SK海力士的競爭。
2024-01-26 15:33:091210 據(jù)可靠消息來源透露，英偉達與SK海力士已開始就2025年第一季度的高帶寬存儲器（HBM）供應量進行協(xié)調(diào)。這一合作的背后，是雙方對未來技術趨勢的共同預見和市場需求的高度敏感性。
2024-02-01 16:41:431497 韓國存儲芯片巨頭SK海力士計劃在美國印第安納州投資興建一座先進封裝工廠，專注于生產(chǎn)高帶寬內(nèi)存（HBM）芯片。這一舉措旨在與英偉達（NVIDIA）的AI GPU進行深度整合，共同推動美國本土的AI芯片制造能力。
2024-02-06 16:10:291946 去年，鎧俠與西數(shù)的合并談判因韓企 SK 海力士阻撓而被擱置，其顧慮在于合并后的企業(yè)體量過大。為打破僵局爭取 SK 海力士的支持，鎧俠提出借助其實施的日本產(chǎn) 3D NAND 晶圓廠，提供額外產(chǎn)能供 SK 海力士擴大 3D NAND 存儲器產(chǎn)能。
2024-02-18 16:06:59980 在嚴格的9個開發(fā)階段后，當前流程全部完成，步入最終的產(chǎn)能提升階段。此次項目完結(jié)正是達產(chǎn)升能的標志，這預示著自今往后產(chǎn)出的所有HBM3E即刻具備向英偉達交付的條件。SK海力士計劃3月獲取英偉達對終品質(zhì)量的認可，同步啟動大規(guī)模生產(chǎn)及交貨。
2024-02-21 10:17:051429 在全球存儲半導體市場的激烈競爭中，SK海力士已正式結(jié)束了第五代高帶寬存儲器器（HBM3E）的開發(fā)工作，并成功通過了Nvidia長達半年的性能評估。這一里程碑的達成標志著SK海力士即將在今年3月開始量產(chǎn)這款革命性的存儲器產(chǎn)品，并計劃在下個月內(nèi)向其重要合作伙伴Nvidia供應首批產(chǎn)品。
2024-02-21 11:14:081739 SK 海力士副總裁 Kim Ki-Tae 對此表示，作為 HBM 行業(yè)翹楚，海力士洞察到市場對 HBM 存儲的巨大需求，現(xiàn)已提前調(diào)整產(chǎn)量，以期更好地滿足市場需求，保護其市場占有率。
2024-02-23 14:12:001306 長達半年的嚴格性能評估。據(jù)此，SK海力士計劃在今年3月開始量產(chǎn)這款高頻寬記憶體，以供應給英偉達作為他們下一代Blackwell系列AI芯片旗艦產(chǎn)品B100的首選存儲器。
2024-02-25 11:22:211656 SK海力士正積極應對AI開發(fā)中關鍵組件HBM（高帶寬存儲器）日益增長的需求，為此公司正加大在先進芯片封裝方面的投入。SK海力士負責封裝開發(fā)的李康旭副社長明確指出，公司正在韓國投入超過10億美元，以擴大和改進其芯片封裝技術。
2024-03-08 10:53:441798 SK海力士作為HBM3E的首發(fā)玩家，預計這款最新產(chǎn)品的大批量投產(chǎn)及其作為業(yè)內(nèi)首家供應HBM3制造商所累積的經(jīng)驗，將進一步強化公司在AI存儲器市場的領導者地位。
2024-03-19 15:18:211675 SK海力士，作為全球知名的半導體公司，近期在中國業(yè)務方面進行了重大的戰(zhàn)略調(diào)整。據(jù)相關報道，SK海力士正在全面重組其在中國的業(yè)務布局，計劃關閉運營了長達17年的上海銷售公司，并將其業(yè)務重心全面轉(zhuǎn)移到無錫。這一決策的背后，反映了SK海力士對于中國市場發(fā)展的深刻洞察和前瞻布局。
2024-03-20 10:42:252163 HBM3E的推出，標志著SK海力士在高性能存儲器領域取得了重大突破，將現(xiàn)有DRAM技術推向了新的高度。
2024-03-20 15:23:531844 來源：集成電路前沿，謝謝 編輯：感知芯視界 Link 3月25日消息，據(jù)報道，由于SK海力士部分工程出現(xiàn)問題，英偉達所需的12層HBM3E內(nèi)存，將由三星獨家供貨，SK海力士出局！ 據(jù)了解，HBM需要
2024-03-27 09:12:081225 SK海力士表示，憑借其在AI應用領域存儲器發(fā)展的領先地位，以及與臺積電在全球頂尖邏輯代工領域的深厚合作基礎，該公司有信心持續(xù)引領HBM技術創(chuàng)新。通過整合IC設計廠、晶圓代工廠及存儲器廠的技術資源，SK海力士將進一步提升存儲器產(chǎn)品性能，實現(xiàn)新的突破。
2024-04-19 09:28:041153 自 HBM3E（第五代 HBM 產(chǎn)品）起，SK海力士的 HBM 產(chǎn)品基礎裸片均采用自家工藝生產(chǎn)；然而，從 HMB4（第六代 HBM 產(chǎn)品）開始，該公司將轉(zhuǎn)用臺積電的先進邏輯工藝。
2024-04-19 10:32:071374 HBM內(nèi)存基礎裸片即DRAM堆疊基座，兼具與處理器通信的控制功能。SK海力士近期與臺積電簽訂HBM內(nèi)存合作協(xié)議，首要任務便是提升HBM基礎邏輯芯片性能。
2024-04-23 16:41:191392 SK海力士最近透露，預計其HBM銷售額今年將“占其DRAM芯片銷售額的兩位數(shù)百分比”。
2024-04-29 10:50:411195 
SK海力士計劃斥資約20萬億韓元（約146億美元）在韓國新建存儲芯片產(chǎn)能，以滿足快速增長的人工智能開發(fā)需求。
2024-04-29 11:19:071375 SK海力士宣布，計劃于2025年下半年推出首款采用12層DRAM堆疊的HBM4產(chǎn)品，而16層堆疊版本的推出將會稍后。根據(jù)該公司上月與臺積電簽署的HBM基礎裸片合作協(xié)議，原本預計HBM4內(nèi)存要等到2026年才會問世。
2024-05-06 15:10:211338 SK海力士近日宣布，其高帶寬內(nèi)存（HBM）芯片在2025年的產(chǎn)能已經(jīng)基本售罄。這一成績主要歸功于人工智能（AI）技術的蓬勃發(fā)展，極大地推動了市場對HBM芯片的需
2024-05-07 09:48:39927 HBM 制造商 Kim Gwi-wook 宣布，由于市場需求，SK海力士將提速研發(fā)進程，預計最快在 2026 年推出 HBM4E 內(nèi)存在內(nèi)存帶寬上比 HBM4 提升 1.4 倍。
2024-05-14 10:23:09978 全球知名存儲芯片制造巨頭三星及SK海力士預判，今年DRAM和高帶寬存儲器（HBM）價格將持續(xù)攀升，受益于市場對于高端芯片，尤其是人工智能相關芯片的強大需求。
2024-05-15 09:23:52983 據(jù)業(yè)內(nèi)人士預計，HBM4E的堆疊層數(shù)將增加到16~20層，而SK海力士原本計劃在2026年量產(chǎn)16層的HBM4產(chǎn)品。此外，該公司還暗示，有可能從HBM4開始采用“混合鍵合”技術以實現(xiàn)更高的堆疊層數(shù)。
2024-05-15 09:45:351030 SK海力士公司近日在首爾舉辦的IEEE 2024國際存儲研討會上，由先進HBM技術團隊負責人Kim Kwi-wook宣布了一項重要進展。SK海力士計劃從2026年開始，提前一年量產(chǎn)其第七代高帶寬存儲器HBM4E。這一消息表明，SK海力士在HBM技術領域的研發(fā)速度正在加快。
2024-05-15 11:32:131484 近日，SK海力士與臺積電宣布達成合作，計劃量產(chǎn)下一代HBM（高帶寬內(nèi)存）。在這項合作中，臺積電將主導基礎芯片的前端工藝（FEOL）和后續(xù)布線工藝（BEOL），確?；A芯片的質(zhì)量與性能。而SK海力士則負責晶圓測試和HBM的堆疊工作，確保產(chǎn)品的最終品質(zhì)與可靠性。
2024-05-20 09:18:461055 早在今年3月份，韓國媒體DealSite報道中指出，全球HBM存儲器的平均良率約為65%。據(jù)此來看，SK海力士在近期對HBM3E存儲器的生產(chǎn)工藝進行了顯著提升。
2024-05-23 10:22:301079 據(jù)報道，SK海力士宣布第五代高帶寬存儲（HBM）—HBM3E的良率已接近80%。
2024-05-27 14:38:171888 然而，全球HBM產(chǎn)能幾乎被SK海力士、三星和美光壟斷，其中SK海力士占據(jù)AI GPU市場80%份額，是Nvidia HBM3內(nèi)存獨家供應商，且已于今年3月啟動HBM3E量產(chǎn)。
2024-05-28 09:40:311726 SK海力士正全力開發(fā)HBM4E存儲設備，意欲打造集計算、緩存和網(wǎng)絡存儲于一身的新型HBM產(chǎn)品，進而提升性能與數(shù)據(jù)傳輸速率。
2024-05-29 16:41:271061 瑞銀集團最新報告指出，SK海力士的HBM4芯片預計從2026年起，每年將貢獻6至15億美元的營收。作為高帶寬內(nèi)存（HBM）市場的領軍企業(yè)，SK海力士已在今年2月宣布其HBM產(chǎn)能已全部售罄，顯示其產(chǎn)品的強勁需求。
2024-05-30 10:27:221511 韓國SK海力士公司周四透露，該公司正在重新調(diào)整明年的高容量存儲器（HBM）芯片供應計劃。這一調(diào)整源于客戶為抓住人工智能（AI）熱潮而提前發(fā)布產(chǎn)品計劃的趨勢。
2024-06-03 09:35:46944 雄心勃勃的宣言無疑給當前HBM市場的兩大主要競爭對手——SK海力士和三星帶來了不小的競爭壓力，尤其是SK海力士，作為韓國DRAM行業(yè)的領軍企業(yè)，正嚴陣以待，積極調(diào)整策略以應對美光的挑戰(zhàn)。
2024-07-03 09:28:591061 在全球半導體產(chǎn)業(yè)與人工智能（AI）技術日新月異的今天，SK海力士以其前瞻性的戰(zhàn)略眼光和雄厚的資金實力，再次成為業(yè)界的焦點。據(jù)最新報道，SK海力士計劃在2028年前投資高達103兆韓元（約合748億美元），用于存儲器芯片的生產(chǎn)與研發(fā)，這一舉措無疑是對半導體產(chǎn)業(yè)未來前景的堅定押注。
2024-07-04 10:00:511084 的一次公開場合中明確指出，隨著ChatGPT等AI應用的興起，HBM市場需求呈現(xiàn)出爆炸性增長態(tài)勢，預計其復合年增長率（CAGR）將高達70%。這一預測不僅彰顯了SK海力士對HBM市場前景的堅定信心，也預示著半導體行業(yè)即將迎來一場深刻的變革。
2024-07-08 11:54:491125 在全球人工智能（AI）技術持續(xù)升溫的背景下，韓國兩大存儲芯片巨頭——三星電子與SK海力士正積極調(diào)整生產(chǎn)策略，以應對日益增長且多樣化的存儲需求。據(jù)韓國媒體最新報道，這兩家公司正分別在其位于平澤和無錫
2024-07-08 12:54:091248 在半導體技術日新月異的今天，SK海力士再次站在了行業(yè)創(chuàng)新的前沿。據(jù)最新消息，該公司計劃于2026年在其高性能內(nèi)存（High Bandwidth Memory, HBM）的生產(chǎn)過程中引入混合鍵合技術，這一舉措不僅標志著SK海力士在封裝技術上的重大突破，也預示著全球半導體行業(yè)將迎來新一輪的技術革新。
2024-07-17 09:58:191366 在半導體存儲技術的快速發(fā)展浪潮中，SK海力士，作為全球領先的內(nèi)存芯片制造商，正積極探索前沿技術，以推動高帶寬內(nèi)存（HBM）的進一步演進。據(jù)最新業(yè)界消息，SK海力士正著手評估將無助焊劑鍵合工藝引入其下一代HBM4產(chǎn)品的生產(chǎn)中，這一舉措標志著公司在追求更高性能、更小尺寸內(nèi)存解決方案上的又一次大膽嘗試。
2024-07-17 15:17:471889 在半導體行業(yè)日益激烈的競爭中，SK海力士再次展現(xiàn)其前瞻布局與技術創(chuàng)新的決心。近日，有消息稱SK海力士正與全球知名的封裝測試外包服務（OSAT）大廠Amkor就硅中介層（Si Interposer
2024-07-18 09:42:511223 在半導體技術日新月異的今天，SK海力士再次引領行業(yè)潮流，宣布將采用臺積電先進的N5工藝版基礎裸片來構(gòu)建其新一代HBM4內(nèi)存。這一舉措不僅標志著SK海力士在高性能存儲解決方案領域的持續(xù)深耕，也預示著HBM內(nèi)存技術即將邁入一個全新的發(fā)展階段。
2024-07-18 09:47:531328 據(jù)最新消息，SK海力士正醞釀一項重要財務戰(zhàn)略，考慮推動其NAND與SSD業(yè)務子公司Solidigm在美國進行首次公開募股（IPO）。Solidigm作為SK海力士在2021年底通過收購英特爾相應業(yè)務后成立的獨立美國子公司，承載著SK海力士在存儲解決方案領域的重要布局。
2024-07-30 17:35:402332 SK海力士即將在8月6日至8日于美國圣克拉拉舉辦的全球半導體存儲器峰會FMS 2024上大放異彩，向全球業(yè)界展示其在存儲器技術領域的最新進展與對人工智能（AI）未來的深邃洞察。此次參展，SK海力士不僅將全面呈現(xiàn)其存儲器產(chǎn)品的技術革新，更將焦點對準了下一代AI存儲器技術的璀璨前景。
2024-08-05 09:26:391110 韓國存儲芯片巨頭SK海力士近日發(fā)布了其截至2024年6月30日的2024財年第二季度財務報告，這份報告展現(xiàn)出了公司在復雜市場環(huán)境下的強勁韌性與增長潛力。盡管全球股市，尤其是美股科技板塊遭遇劇烈波動，導致SK海力士的股價應聲下跌8.87%，但其財務表現(xiàn)卻創(chuàng)下了多項歷史新高，成為行業(yè)關注的焦點。
2024-08-05 11:25:151313 近日，國際知名評級機構(gòu)標準普爾全球評級（S&P Global Ratings）宣布了一項重要決策，將SK海力士的長期發(fā)行人信用及發(fā)行評級從BBB-提升至BBB，并維持穩(wěn)定的評級展望。此次上調(diào)評級，主要基于SK海力士在高性能內(nèi)存（HBM）領域的顯著“主導地位”以及全球內(nèi)存市場的積極復蘇趨勢。
2024-08-08 09:48:321042 近日，據(jù)外媒報道，SK海力士已宣布將其DDR5 DRAM芯片價格上調(diào)15%至20%，這一舉動在業(yè)界引起了廣泛關注。供應鏈內(nèi)部人士透露，此次漲價的主要原因在于HBM3/3E產(chǎn)能的大幅擴張，對DDR5的生產(chǎn)資源造成了明顯擠占。
2024-08-14 15:40:461516 近日，存儲芯片市場傳來重大消息，SK海力士正式通知市場，其DDR5內(nèi)存產(chǎn)品將漲價15%至20%，這一舉動無疑給市場投下了一枚震撼彈。此次漲價的根源在于，SK海力士、美光、三星等存儲芯片巨頭紛紛調(diào)整
2024-08-15 10:19:212762 據(jù)最新消息，SK海力士正攜手Waymo，為其標志性的自動駕駛汽車項目“谷歌汽車”提供前沿的第三代高帶寬存儲器（HBM2E）技術。這一合作預示著隨著自動駕駛技術的日益普及，HBM不僅將在人工智能（AI）服務器領域大放異彩，更將逐漸滲透至汽車芯片市場，成為未來五年的熱門選擇。
2024-08-15 14:54:392040 SK 海力士，作為全球知名的半導體巨頭，近期宣布了一項重要的擴產(chǎn)計劃，旨在通過擴大M16晶圓廠的生產(chǎn)規(guī)模，顯著提升其DRAM內(nèi)存產(chǎn)能。據(jù)韓媒報道，SK 海力士已積極與上游設備供應商合作，訂購了關鍵生產(chǎn)設備，以加速提升M16晶圓廠在HBM（高帶寬內(nèi)存）及通用DRAM內(nèi)存方面的生產(chǎn)能力。
2024-08-16 17:32:241920 近期，科技界傳來重要消息，三星、SK海力士及美光三大半導體巨頭正全力推進高帶寬內(nèi)存（HBM）的產(chǎn)能擴張計劃。據(jù)預測，至2025年，這一領域的新增產(chǎn)量將激增至27.6萬個單位，推動年度總產(chǎn)量翻番至54萬個單位，實現(xiàn)驚人的105%年增長率，標志著HBM產(chǎn)能的顯著飛躍。
2024-08-29 16:43:251771 9月4日，半導體行業(yè)傳來重要動態(tài)，SK海力士社長金柱善（Kim Ju Seon）在備受矚目的SEMICON 大師論壇上發(fā)表演講，分享了公司在高帶寬內(nèi)存（HBM）領域的最新進展與未來展望。金柱善社長
2024-09-05 16:31:361645 今日，半導體巨頭SK海力士震撼宣布了一項業(yè)界矚目的技術里程碑，該公司已成功在全球范圍內(nèi)率先實現(xiàn)12層HBM3E芯片的規(guī)?；a(chǎn)，此舉不僅將HBM存儲器的最大容量推升至史無前例的36GB新高度，更進一步鞏固了SK海力士在AI應用存儲器市場的領軍地位。
2024-09-26 16:30:311987 在9月25日（當?shù)貢r間）于美國加利福尼亞州圣克拉拉會議中心舉行的一場半導體行業(yè)盛會上，SK海力士發(fā)布的一項關于其高帶寬內(nèi)存（HBM）的驚人數(shù)據(jù)——“TAT 8.8:1”引起了廣泛關注。這一數(shù)據(jù)揭示了SK海力士在HBM生產(chǎn)效率上的巨大優(yōu)勢。
2024-10-08 16:19:321679 韓華精密機械公司正式宣告，已成功向SK海力士提供了高帶寬存儲器（HBM）生產(chǎn)中的核心設備——TC鍵合測試設備。
針對10月16日部分媒體所報道的“韓華精密機械與SK海力士的HBM TC鍵
2024-10-18 15:51:081445 韓國大型財團SK集團的董事長崔泰源在周一的采訪中透露，英偉達的首席執(zhí)行官黃仁勛已向SK集團旗下的存儲芯片制造巨頭SK海力士提出要求，希望其能提前六個月推出下一代高帶寬存儲產(chǎn)品HBM4。SK海力士此前
2024-11-04 16:17:001707 4。 HBM4作為高帶寬內(nèi)存的最新一代產(chǎn)品，具有出色的數(shù)據(jù)傳輸速度和存儲能力，對于提升計算機系統(tǒng)的整體性能具有重要意義。因此，英偉達作為全球領先的圖形處理器(GPU)制造商，對于HBM4的需求自然不言而喻。 對于SK海力士而言，黃仁勛的這一要求無
2024-11-05 10:52:481202 日，英偉達（NVIDIA）的主要高帶寬存儲器（HBM）供應商南韓SK集團會長崔泰源透露，英偉達執(zhí)行長黃仁勛已要求SK海力士提前六個月交付用于英偉達下一代AI芯片平臺Rubin的HBM4存儲芯片。這一消息意味著英偉達下一代AI芯片平臺的問世時間將提前半年。
2024-11-05 14:22:092108 的領先地位，更為未來的高性能計算市場帶來了全新的可能性。 SK海力士CEO郭魯正(Kwak Noh-Jung)表示，盡管業(yè)界普遍認為16層HBM市場將從HBM4時代開始興起，但SK海力士憑借前瞻性的技術布局
2024-11-05 15:01:201231 限的產(chǎn)能轉(zhuǎn)向更高端的產(chǎn)品線，如人工智能用存儲器及先進DRAM產(chǎn)品。 SK海力士的這一決策可能與其重點發(fā)展高端存儲技術研發(fā)和生產(chǎn)有關。近日，該公司對外展示了全球首款48GB 16層HBM3E產(chǎn)品，該產(chǎn)品在容量和層數(shù)上均達到了業(yè)界最高水平。這一成果不僅彰顯了SK海力士
2024-11-07 11:37:181277 在近日舉行的SK AI峰會上，韓國存儲巨頭SK海力士向全球展示了其創(chuàng)新成果——全球首款48GB 16層HBM3E產(chǎn)品。這一產(chǎn)品的推出，標志著SK海力士在高端存儲技術領域的又一次重大突破。
2024-11-13 14:35:051189 在近日舉辦的SK AI Summit 2024活動中，SK hynix（SK海力士）透露了一項令人矚目的新產(chǎn)品計劃。據(jù)悉，該公司正在積極開發(fā)HBM3e 16hi產(chǎn)品，這款產(chǎn)品的每顆HBM芯片容量高達48GB，將為用戶帶來前所未有的存儲體驗。
2024-11-14 18:20:201364 近日，SK海力士和三星電子正在為特斯拉公司開發(fā)第六代高帶寬內(nèi)存(HBM4)芯片樣品。據(jù)悉，特斯拉計劃在測試這兩家公司提供的樣品后，選擇其中一家作為其HBM4芯片的供應商。 與微軟、谷歌、Meta等
2024-11-21 14:22:441524 存儲芯片，并將其應用到一家大型科技公司的 AI 計算芯片上。SK 海力士預計將在明年下半年供應該芯片。 ? 由于需要同時向英偉達和博通供應 HBM，SK 海力士肯定會調(diào)整其 DRAM 產(chǎn)能預測。這家公司計劃
2024-12-21 15:16:46915 
與測試)市場，這將標志著其在AI芯片產(chǎn)業(yè)鏈上的布局進一步向下延伸。此舉不僅有助于SK海力士擴大整體利潤規(guī)模，更能在一定程度上緩解下游外部先進封裝廠產(chǎn)能瓶頸對其HBM(高帶寬存儲器)銷售的限制。 通過提供2.5D后端工藝服務，SK海力士將能夠更靈活地應對
2024-12-25 14:24:56926 SK海力士今年計劃大幅提升其高帶寬內(nèi)存（HBM）的DRAM產(chǎn)能，目標是將每月產(chǎn)能從去年的10萬片增加至17萬片，這一增幅達到了70%。此舉被視為該公司對除最大客戶英偉達外，其他領先人工智能（AI）芯片公司需求激增的積極回應。
2025-01-07 16:39:091310 產(chǎn)品價格。 繼美光和三星宣布減產(chǎn)計劃后，全球第二大NAND Flash廠商SK海力士也宣布了減產(chǎn)決定。據(jù)悉，SK海力士計劃將上半年NAND Flash存儲器的產(chǎn)量削減10%。這一決定無疑將對市場產(chǎn)生深遠影響。 根據(jù)機構(gòu)先前發(fā)布的報告，SK海力士在NAND Flash存儲器領
2025-01-20 14:43:551096 3 月 6 日消息，綜合韓聯(lián)社、ZDNet Korea、MK 等多家韓媒報道，SK 海力士今日在內(nèi)部宣布將關閉其 CIS（CMOS 圖像傳感器）部門， 該團隊的員工將轉(zhuǎn)崗至 AI 存儲器領域 。SK
2025-03-06 18:26:161080 隨著人工智能技術的迅猛發(fā)展，作為其核心支撐技術的高帶寬存儲器（以下簡稱HBM）實現(xiàn)了顯著的增長，為SK海力士在去年實創(chuàng)下歷史最佳業(yè)績做出了不可或缺的重要貢獻。業(yè)內(nèi)普遍認為，SK海力士的成長不僅體現(xiàn)在銷售額的大幅提升上，更彰顯了其在引領AI時代技術變革方面所發(fā)揮的重要作用。
2025-04-18 09:25:59993 近年來，SK海力士屢獲創(chuàng)新成果，這些成就皆得益于“一個團隊”協(xié)作精神（One Team Spirit）”。無論是創(chuàng)下歷史最佳業(yè)績、開發(fā)出全球領先產(chǎn)品，還是躍升成為全球頂級面向AI的存儲器供應商，這些
2025-05-23 13:54:361015 SK海力士在鞏固其面向AI的存儲器領域領導地位方面，HBM1無疑發(fā)揮了決定性作用。無論是率先開發(fā)出全球首款最高性能的HBM，還是確立并保持其在面向AI的存儲器市場的領先地位，這些成就的背后皆源于SK海力士秉持的“一個團隊”協(xié)作精神（One Team Spirit）。
2025-06-18 15:31:021667 在人工智能（AI）技術迅猛發(fā)展的當下，數(shù)據(jù)處理與存儲能力成為制約其進一步飛躍的關鍵因素。2025 年 9 月 12 日，韓國半導體巨頭 SK 海力士宣布，已成功完成面向 AI 的超高性能存儲器新產(chǎn)品
2025-09-16 17:31:141373 AMD、微軟和亞馬遜等。 ? HBM（高帶寬存儲器），是由AMD和SK海力士發(fā)起的基于3D堆棧工藝的高性能DRAM，適用于高存儲器帶寬需求的應用場合。如今HBM已經(jīng)發(fā)展出HBM2、HBM2e以及HBM3。HBM3E是HBM3的下一代產(chǎn)品，SK海力士目前是唯一能量產(chǎn)HBM3的廠商。 ? HBM 成為
2023-07-06 09:06:313695 
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