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電子發(fā)燒友網(wǎng)>存儲(chǔ)技術(shù)>合肥長(zhǎng)鑫提升19nm DRAM內(nèi)存芯片產(chǎn)能 目標(biāo)是月產(chǎn)4萬(wàn)片晶圓

合肥長(zhǎng)鑫提升19nm DRAM內(nèi)存芯片產(chǎn)能 目標(biāo)是月產(chǎn)4萬(wàn)片晶圓

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DRAM芯片國(guó)產(chǎn)化的兵家必爭(zhēng)之地

LPDDR4,對(duì)于中國(guó)DRAM產(chǎn)業(yè)來(lái)說(shuō),這是艱難的第一步。 投,代表在芯片設(shè)計(jì)上已達(dá)到一定水平,且產(chǎn)品上市指日可待,然而日后產(chǎn)品生產(chǎn)良率和穩(wěn)定度仍有待觀察。 更何況,明年底合肥長(zhǎng)產(chǎn)能最多不過(guò)2萬(wàn)片晶/月,即便不考慮明年國(guó)際主流是LPDDR4的技術(shù)差距
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紫光64層正式亮相,距離世界領(lǐng)先水平該有多遠(yuǎn)?

最高的64層3D NAND芯片。據(jù)techweb的消息顯示,長(zhǎng)江存儲(chǔ)今年年底預(yù)計(jì)正式量產(chǎn)64層堆棧的3D閃存,明年開(kāi)始逐步提升產(chǎn)能,預(yù)計(jì)2020年底有望將產(chǎn)能提升月產(chǎn)6萬(wàn)片晶的規(guī)模。
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長(zhǎng)存儲(chǔ)的野心能否撐起國(guó)產(chǎn)替代芯的一天?

DRAM芯片,中國(guó)存儲(chǔ)廠商進(jìn)軍DRAM行業(yè)的宏偉計(jì)劃可能由此撬動(dòng)。 長(zhǎng)存儲(chǔ)及其野心 據(jù)報(bào)道,長(zhǎng)存儲(chǔ)已為其安徽省合肥市的DRAM項(xiàng)目投資了約1500億元,另外還有約近200億元投入了研發(fā)。該公司最近完成了其Fab 1和R&D工廠的建設(shè),目前每月可生產(chǎn)
2019-12-16 17:28:0026019

AMSL:截止2019年,EUV設(shè)備加工了450萬(wàn)片晶

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2019-12-17 13:58:486078

全球產(chǎn)能排名出爐,TOP5廠商占了53%的產(chǎn)能

全球前五家公司的月產(chǎn)能都超過(guò)了100萬(wàn)片晶,占據(jù)了全球產(chǎn)能的53%。
2020-02-14 12:01:0115619

臺(tái)積電Q4生產(chǎn)15萬(wàn)5nm工藝 蘋果占九成

度營(yíng)收所占的比例僅為8%。 隨著投產(chǎn)時(shí)間延長(zhǎng),臺(tái)積電5nm工業(yè)產(chǎn)能也會(huì)有所提高,有外媒在報(bào)道中表示,臺(tái)積電方面預(yù)計(jì)5nm芯片將在第四季度出貨量超15萬(wàn)片晶。 而在近日三季度的財(cái)報(bào)分析師電話會(huì)議上,分析師也問(wèn)到了5nm工藝在產(chǎn)能方面是否會(huì)超過(guò)
2020-10-18 06:58:003270

片晶到底可以切割出多少晶片?(附30強(qiáng)代工廠)

片晶到底可以切割出多少的晶片數(shù)目?這個(gè)要根據(jù)你的die的大小和wafer的大小以及良率來(lái)決定的。目前業(yè)界所謂的6寸,12寸還是18寸其實(shí)就是直徑的簡(jiǎn)稱,只不過(guò)這個(gè)吋是估算值。
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合肥長(zhǎng)DRAM正式投,國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)跨出重要一步

知情人士告訴半導(dǎo)體行業(yè)觀察記者,國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)三大勢(shì)力之一的合肥長(zhǎng)正式投,產(chǎn)品規(guī)格為8Gb LPDDR4,這是國(guó)產(chǎn)DRAM產(chǎn)業(yè)的一個(gè)里程碑,加上早前宣布在3D NAND Flash取得進(jìn)展的長(zhǎng)江存儲(chǔ),國(guó)內(nèi)企業(yè)在國(guó)際主流存儲(chǔ)器上都取得了重大突破,為推動(dòng)存儲(chǔ)國(guó)產(chǎn)化掀開(kāi)了重要一頁(yè)。
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長(zhǎng)原廠DRAM顆粒的臺(tái)電騰龍G40內(nèi)存詳細(xì)測(cè)評(píng)方案

是來(lái)自于合肥長(zhǎng)的純國(guó)產(chǎn)CXMT DRAM芯片。 合肥長(zhǎng)作為國(guó)產(chǎn)DRAM芯片行業(yè)的代表,曾經(jīng)吸收過(guò)奇夢(mèng)達(dá)(Qimonda)的部分資源,這家德國(guó)DRAM廠商沒(méi)能等到熬過(guò)10年前的內(nèi)存寒冬,在破產(chǎn)后將2.8TB的技術(shù)文件以及16000相專利申請(qǐng)轉(zhuǎn)讓給了合肥長(zhǎng)。 經(jīng)過(guò)了足足
2020-10-30 15:33:148573

SEMI報(bào)告:200毫米Fab廠將在2022年生產(chǎn)70萬(wàn)片晶

對(duì)移動(dòng),物聯(lián)網(wǎng)(IoT),汽車和工業(yè)應(yīng)用的強(qiáng)勁需求將推動(dòng)從2019年到2022年生產(chǎn)700,000200mm,增長(zhǎng)14%。隨著許多設(shè)備對(duì)200mm的需求,這一增長(zhǎng)使得200mm制造廠的總產(chǎn)能達(dá)到每月650萬(wàn)片晶
2019-02-16 10:04:212831

長(zhǎng)已重新設(shè)計(jì)DRAM芯片,盡量避免使用美國(guó)原產(chǎn)技術(shù)

6月12日,日經(jīng)新聞引述未具名消息人士報(bào)導(dǎo),合肥長(zhǎng)已經(jīng)重新設(shè)計(jì)了其DRAM芯片,以盡量減少對(duì)美國(guó)原產(chǎn)技術(shù)的使用。 日經(jīng):長(zhǎng)已重新設(shè)計(jì)DRAM芯片,盡量避免使用美國(guó)原產(chǎn)技術(shù) 據(jù)日經(jīng)新聞亞洲評(píng)論報(bào)導(dǎo)
2019-06-13 18:30:033778

合肥長(zhǎng)集成電路制造基地項(xiàng)目簽約 總投資超2200億

合肥長(zhǎng)集成電路制造基地項(xiàng)目簽約儀式,該項(xiàng)目總投資超過(guò)2200億元(人民幣,下同)。 據(jù)合肥市市長(zhǎng)凌云介紹,合肥長(zhǎng)集成電路制造基地項(xiàng)目位于合肥空港經(jīng)濟(jì)示范區(qū),占地面積約15.2平方公里,由長(zhǎng)12英寸存儲(chǔ)器制造基地、空港集成
2019-09-23 11:11:549701

三星電子加速DRAM產(chǎn)能擴(kuò)張 年度DRAM量增加到7萬(wàn)

三星電子近期調(diào)整了今年的DRAM投資計(jì)劃。據(jù)悉,該公司位于韓國(guó)平澤的P2工廠第一季度12英寸的投量從3萬(wàn)/月提升4萬(wàn)/月,年度DRAM量即將從6萬(wàn)增加到7萬(wàn)。
2021-03-03 09:36:443186

的基本原料是什么?

,然后切割成一薄薄的。會(huì)聽(tīng)到幾寸的晶圓廠,如果硅的直徑越大,代表著這座晶圓廠有較好的技術(shù)。另外還有scaling技術(shù)可以將電晶體與導(dǎo)線的尺寸縮小,這兩種方式都可以在一片晶上,制作出更多
2011-09-07 10:42:07

級(jí)芯片封裝有什么優(yōu)點(diǎn)?

級(jí)芯片封裝技術(shù)是對(duì)整片晶進(jìn)行封裝測(cè)試后再切割得到單個(gè)成品芯片的技術(shù),封裝后的芯片尺寸與裸一致。
2019-09-18 09:02:14

Q4驅(qū)動(dòng)IC、MOSFET芯片將漲10%

,原本約定俗長(zhǎng)的早單、大量等價(jià)格優(yōu)惠措施早已全數(shù)取消,甚至客戶加價(jià)購(gòu)也是一片晶難求。供應(yīng)鏈業(yè)者表示,這波LCD驅(qū)動(dòng)IC及MOSFET芯片價(jià)格漲幅在10%以上,現(xiàn)在形勢(shì)比人強(qiáng),除非客戶不趕著出貨,否則
2020-10-15 16:30:57

中國(guó)備戰(zhàn)未來(lái)!一條內(nèi)存引發(fā)的半導(dǎo)體之爭(zhēng),

為我國(guó)最大的半導(dǎo)體生產(chǎn)基地,月產(chǎn)能為10萬(wàn)片晶,而在去年七月份紫光集團(tuán)還參與了長(zhǎng)江存儲(chǔ)的投資,計(jì)劃投資1600億元,打造國(guó)產(chǎn)3D NAND閃存,研發(fā)DRAM。
2018-03-28 23:42:26

什么是測(cè)試?怎樣進(jìn)行測(cè)試?

4.18)。電測(cè)器在電源的驅(qū)動(dòng)下測(cè)試電路并記錄下結(jié)果。測(cè)試的數(shù)量、順序和類型由計(jì)算機(jī)程序控制。測(cè)試機(jī)是自動(dòng)化的,所以在探針電測(cè)器與第一片晶對(duì)準(zhǔn)后(人工對(duì)準(zhǔn)或使用自動(dòng)視覺(jué)系統(tǒng))的測(cè)試工作無(wú)須操作員
2011-12-01 13:54:00

全球十大代工廠【經(jīng)典收藏】

積,英文簡(jiǎn)寫“TSMC”,為世界上最大的獨(dú)立半導(dǎo)體代工企業(yè),與聯(lián)華電子并稱“雙雄”。本部以及主要營(yíng)業(yè)皆設(shè)于***新竹市新竹科學(xué)工業(yè)園區(qū)。臺(tái)積公司目前總產(chǎn)能已達(dá)全年430萬(wàn)片晶,其營(yíng)收約占全球
2011-12-01 13:50:12

全球進(jìn)入5nm時(shí)代

%,功耗降低了15%。在掩模方面,5nm需要14-15層,而7nm+EUV只需要4 層。據(jù)業(yè)內(nèi)人士透露,目前臺(tái)積電5nm的試產(chǎn)良率已經(jīng)達(dá)到80%,且月產(chǎn)能也從最初的5萬(wàn)片晶增至8萬(wàn)。 制造所需原材料
2020-03-09 10:13:54

深圳本土最頂尖的IC設(shè)計(jì)公司集錦

2017年底投產(chǎn)。屆時(shí)將根據(jù)客戶需求擴(kuò)充產(chǎn)能,預(yù)期目標(biāo)產(chǎn)能將達(dá)每月4萬(wàn)片晶。  在芯片設(shè)計(jì)方面,以海思半導(dǎo)體為例,目前正在加快10nm微縮速度,預(yù)計(jì)明年上半年將會(huì)推出首款采用臺(tái)積電10nm生產(chǎn)的Kirin
2016-12-15 18:27:28

是什么?硅有區(qū)別嗎?

越大,代表著這座晶圓廠有較好的技術(shù)。另外還有scaling技術(shù)可以將電晶體與導(dǎo)線的尺寸縮小,這兩種方式都可以在一片晶上,制作出更多的硅晶粒,提高品質(zhì)與降低成本。所以這代表6寸、8寸、12寸當(dāng)中
2011-12-02 14:30:44

臺(tái)灣產(chǎn)能冠全球 大陸占比10.8%

據(jù)IC Insights最新統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)顯示,截至2016年12月為止,臺(tái)灣是全球產(chǎn)能最多的地區(qū),以約當(dāng)8吋為單位計(jì)算,臺(tái)灣的月產(chǎn)能達(dá)到364.5萬(wàn),以些微之差勝過(guò)韓國(guó)的356.9萬(wàn)
2017-03-06 09:44:001111

華虹半導(dǎo)體功率器件平臺(tái)累計(jì)出貨量突破500萬(wàn)片晶

香港, 2017年3月30日 - (亞太商訊) - 全球領(lǐng)先的200mm純代工廠——華虹半導(dǎo)體有限公司(「華虹半導(dǎo)體」或「公司」,連同其附屬公司,統(tǒng)稱「集團(tuán)」,股份代號(hào):1347.HK)今天宣布,公司功率器件平臺(tái)累計(jì)出貨量已突破500萬(wàn)片晶。
2017-03-30 15:37:431163

DRAM初創(chuàng)企業(yè),睿力集成背景大探秘

合肥睿力集成電路,此前曾名合肥長(zhǎng),這是中國(guó)的一家DRAM初創(chuàng)企業(yè),稱今年年底將完成前端設(shè)備組裝,并在2018年2月實(shí)現(xiàn)19nm DRAM量產(chǎn)。
2018-06-11 16:27:0031789

中國(guó)自主研發(fā)的 DRAM 芯片有希望在合肥誕生

,并開(kāi)始設(shè)備安裝;2018 年底量產(chǎn) 8Gb DDR4 工程樣品;2019 年 3 季度量產(chǎn) 8Gb LPDDR4;2019 年底實(shí)現(xiàn)產(chǎn)能 2 萬(wàn)/月;2020 年開(kāi)始規(guī)劃二廠建設(shè);2021 年完成 17 納米技術(shù)研發(fā)。
2018-04-18 13:50:008123

合肥長(zhǎng)即將試產(chǎn)DRAM 2019年底可單月產(chǎn)能2萬(wàn)

長(zhǎng)存儲(chǔ)技術(shù)有限公司董事長(zhǎng)、睿力集成電路有限公司CEO王寧國(guó)高調(diào)現(xiàn)身合肥集成電路重大項(xiàng)目發(fā)布會(huì)表示,合肥長(zhǎng)作為國(guó)內(nèi)進(jìn)展最快的存儲(chǔ)器生產(chǎn)基地,近日12吋基地約300臺(tái)研發(fā)設(shè)備已基本全部到位,裝機(jī)后今年下半年將全力投試生產(chǎn)。
2018-04-23 11:25:0013560

中芯國(guó)際花19億美元建新廠,將加速研發(fā)14nm工藝

開(kāi)始安裝設(shè)備,落成后月產(chǎn)能將達(dá)到15萬(wàn)片晶,成為全球最大的8英寸晶圓廠。此外,中芯國(guó)際今年的資本開(kāi)支為19億美元,除了擴(kuò)建產(chǎn)能還將繼續(xù)研發(fā)14nm工藝。
2018-07-16 15:03:004988

長(zhǎng)存儲(chǔ)DRAM項(xiàng)目正式首次投,國(guó)產(chǎn)DRAM在大力的突破

據(jù)國(guó)際電子商情,日前,消息稱長(zhǎng)存儲(chǔ)DRAM項(xiàng)目正式首次投,啟動(dòng)試產(chǎn)8Gb DDR4工程樣品
2018-07-23 17:12:0313272

合肥長(zhǎng)DRAM正式投 國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)的一大步

日前,合肥長(zhǎng)DRAM正式投,產(chǎn)品的規(guī)格為為8Gb LPDDR4??梢哉f(shuō),近期國(guó)內(nèi)三大存儲(chǔ)芯片工廠好消息接連不斷
2018-07-24 16:15:509922

國(guó)產(chǎn)12英寸硅圓通過(guò)認(rèn)證 最終產(chǎn)能高達(dá)60萬(wàn)/月

日前上海新昇日前在互動(dòng)平臺(tái)表示生產(chǎn)的12英寸已經(jīng)通過(guò)了華力微電子的認(rèn)證,今年底產(chǎn)能可達(dá)10萬(wàn)/月,而最終的產(chǎn)能高達(dá)60萬(wàn)/月。
2018-07-30 14:28:364870

環(huán)球宣布擴(kuò)產(chǎn)12英寸硅 月產(chǎn)能目標(biāo)量為15萬(wàn)

繼日本勝高、韓國(guó)LG、德國(guó)Silitronic后,全球第三大硅晶圓廠環(huán)球亦宣布擴(kuò)產(chǎn)12英寸硅。
2018-10-08 15:08:004698

環(huán)球斥資29.8億擴(kuò)充12吋晶圓廠

半導(dǎo)體硅晶圓廠環(huán)球董事會(huì)今 (5) 日通過(guò)啟動(dòng)韓國(guó)擴(kuò)廠計(jì)劃,將投資 4.38 億美元 (約人民幣29.78 億元) ,擴(kuò)增 12 吋產(chǎn)線,月產(chǎn)能目標(biāo)為15 萬(wàn),預(yù)計(jì) 2020 年量產(chǎn)。
2018-10-09 08:48:214208

臺(tái)積電南京廠預(yù)計(jì)在2020年實(shí)現(xiàn)月產(chǎn)能2萬(wàn) 雙倍于現(xiàn)在的月產(chǎn)能

據(jù)悉,目前南京廠月產(chǎn)能為1萬(wàn),預(yù)計(jì)2019年年底前將提升到1.5萬(wàn),并在2020年實(shí)現(xiàn)月產(chǎn)能2萬(wàn),雙倍于現(xiàn)在的月產(chǎn)能
2018-11-01 11:18:594821

合肥長(zhǎng)嘗試“從0到1”的突破 推動(dòng)中國(guó)存儲(chǔ)器廠邁出了重要的一步

7月16號(hào),中國(guó)DRAM代表廠商合肥長(zhǎng)召開(kāi)存儲(chǔ)器項(xiàng)目首次投總結(jié)大會(huì),在會(huì)上傳出消息,合肥長(zhǎng)即將進(jìn)行8GB LPDDR4的投,成為中國(guó)第一家邁向高端存儲(chǔ)投階段的存儲(chǔ)器廠商。中國(guó)市場(chǎng)的存儲(chǔ)器
2018-11-29 16:51:0518310

模擬生產(chǎn)線產(chǎn)能需求旺盛,國(guó)內(nèi)現(xiàn)有產(chǎn)能嚴(yán)重不足

未來(lái)5年,國(guó)內(nèi)模擬芯片市場(chǎng)規(guī)模將超過(guò)350億美元,假設(shè)按照未來(lái)模擬芯片國(guó)內(nèi)自主供應(yīng)能達(dá)到50%,那么產(chǎn)能需求為118萬(wàn)/月,未來(lái)五年國(guó)內(nèi)還將新增27萬(wàn)/月的產(chǎn)能,國(guó)內(nèi)既有產(chǎn)能加上確定增加的產(chǎn)能約為50萬(wàn)/月,仍有70萬(wàn)/月缺口,供需不平衡的絕對(duì)值反而越拉越大。
2019-01-23 14:19:048745

臺(tái)積電因使用不合規(guī)原料損失上萬(wàn)片晶

供應(yīng)鏈人士消息稱,臺(tái)積電南科Fab 14B廠質(zhì)量有問(wèn)題,預(yù)估損失上萬(wàn)片晶,影響的是主力營(yíng)收的16/12nm工藝,目前臺(tái)積電正在統(tǒng)計(jì)損失和影響情況。
2019-02-11 09:26:402714

臺(tái)積電南科晶圓廠發(fā)生了污染事件,預(yù)估報(bào)廢上萬(wàn)片晶

問(wèn)題是在生產(chǎn)過(guò)程中檢查不到瑕疵,只能等生產(chǎn)后才能確認(rèn),所以臺(tái)積電目前也不知道到底影響有多大,但傳聞?chuàng)p失數(shù)量有上萬(wàn)之多——2018年臺(tái)積電生產(chǎn)的平均價(jià)格是1382美元,但是這次的晶圓廠是16/12nm工藝,還是目前比較先進(jìn)的工藝,價(jià)格顯然會(huì)更高,如果真要損失上萬(wàn)片晶,那這次的損失也會(huì)很大
2019-02-11 16:02:075572

中國(guó)大陸產(chǎn)能增幅創(chuàng)全球之最!

據(jù)IC Insights最新的調(diào)查報(bào)告顯示,中國(guó)臺(tái)灣IC晶圓廠月產(chǎn)能達(dá)到 412.6 萬(wàn)約當(dāng) 8 吋,全球比重占 21.8%,位居世界第一。
2019-02-16 10:55:005778

臺(tái)積電稱污染事件損失4萬(wàn)片晶 在7nm工藝節(jié)點(diǎn)上依然領(lǐng)先

消息說(shuō)是4萬(wàn)片晶,現(xiàn)在最新說(shuō)法是臺(tái)積電為了展示負(fù)責(zé)任的形象,要報(bào)廢將近10萬(wàn)片晶,差不多是Fab 14B工廠一個(gè)月的產(chǎn)能了,官方預(yù)計(jì)損失高達(dá)5.5億美元,Q1營(yíng)收指引也下調(diào)了3億美元。
2019-02-19 15:23:034078

中國(guó)制造廠現(xiàn)狀跟蹤報(bào)告

根據(jù)芯思想研究院的統(tǒng)計(jì),截止2018年底我國(guó)12英寸制造廠裝機(jī)產(chǎn)能約60萬(wàn);8英寸制造廠裝機(jī)產(chǎn)能約90萬(wàn);6英寸制造廠裝機(jī)產(chǎn)能約200萬(wàn);5英寸制造廠裝機(jī)產(chǎn)能約90萬(wàn);4英寸制造廠裝機(jī)產(chǎn)能約200萬(wàn)
2019-02-21 17:59:0126721

當(dāng)做夾饃,來(lái)好好聊聊良率那些事兒!

我們知道,每一片晶上,都同時(shí)制造數(shù)量很多的芯片。例如下面這張圖,但是,不同的芯片有不同的大小。大的Soc芯片,有可能一片晶上只有幾百個(gè)甚至幾十個(gè)芯片。而小的芯片,一個(gè)可以有成千上萬(wàn)顆。
2019-04-16 11:00:387213

避免被封殺!合肥長(zhǎng)重新設(shè)計(jì)DRAM芯片!

日前,據(jù)消息人士稱,合肥長(zhǎng)存儲(chǔ)為減少美國(guó)制裁威脅,已經(jīng)重新設(shè)計(jì)了DRAM芯片,以盡量減少對(duì)美國(guó)原產(chǎn)技術(shù)的使用。
2019-06-14 10:46:2819830

長(zhǎng)存儲(chǔ)內(nèi)存芯片自主制造項(xiàng)目宣布投產(chǎn) 一期設(shè)計(jì)產(chǎn)能每月12萬(wàn)片晶

20日在安徽合肥召開(kāi)的2019世界制造業(yè)大會(huì)上,總投資約1500億元的長(zhǎng)存儲(chǔ)內(nèi)存芯片自主制造項(xiàng)目宣布投產(chǎn),其與國(guó)際主流DRAM產(chǎn)品同步的10納米級(jí)第一代8Gb DDR4首度亮相,一期設(shè)計(jì)產(chǎn)能每月12萬(wàn)片晶。
2019-09-20 15:57:164487

長(zhǎng)存儲(chǔ)DRAM芯片實(shí)現(xiàn)重大技術(shù)突破

國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體又有一家公司強(qiáng)勢(shì)崛起,這就是長(zhǎng)。就在昨天的世界制造業(yè)大會(huì)上,投資1500億的長(zhǎng)存儲(chǔ)內(nèi)存芯片項(xiàng)目宣布投產(chǎn),一起亮相的還有與國(guó)際主流同步的10nm第一代8Gb DDR4。
2019-09-22 11:16:044280

西安紫光國(guó)芯將展示全系列內(nèi)存產(chǎn)品 包括DDR4

隨著紫光、合肥長(zhǎng)正式進(jìn)軍DRAM內(nèi)存行業(yè),國(guó)產(chǎn)自主的DRAM芯片未來(lái)也會(huì)迎來(lái)一波爆發(fā)。除此之外,紫光旗下的西安國(guó)芯本身也有DDR內(nèi)存芯片研發(fā),他們將在集邦科技的2020存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)趨勢(shì)峰會(huì)上公開(kāi)展示自研的內(nèi)存,包括最新的16GB DDR4內(nèi)存等。
2019-11-19 09:37:095571

長(zhǎng)存儲(chǔ)DRAM芯片投產(chǎn) 力爭(zhēng)未來(lái)成為這個(gè)領(lǐng)域的領(lǐng)先者

最新消息,今天在安徽合肥召開(kāi)的2019世界制造業(yè)大會(huì)上,總投資約1500億元的長(zhǎng)存儲(chǔ)內(nèi)存芯片自主制造項(xiàng)目宣布投產(chǎn),其與國(guó)際主流DRAM產(chǎn)品同步的10nm級(jí)第一代8Gb DDR4首度亮相,一期
2019-11-14 15:31:363283

合肥長(zhǎng)量產(chǎn)DDR4內(nèi)存 暫時(shí)不會(huì)產(chǎn)生什么大影響

9 月份合肥長(zhǎng)宣布量產(chǎn) 8Gb 顆粒的國(guó)產(chǎn) DDR4 內(nèi)存。對(duì)于國(guó)產(chǎn)內(nèi)存,市場(chǎng)預(yù)期不會(huì)對(duì)三星、SK 海力士及美光三大內(nèi)存巨頭帶來(lái)太大影響,但是會(huì)擠壓第四大內(nèi)存廠商南亞科的空間。對(duì)此南亞科予以否認(rèn),表示短時(shí)間內(nèi)沒(méi)什么大影響。
2019-11-19 10:44:313626

國(guó)產(chǎn)紫光DDR4內(nèi)存亮相,年底完成DDR4內(nèi)存研發(fā)并推向市場(chǎng)

隨著紫光、合肥長(zhǎng)正式進(jìn)軍DRAM內(nèi)存行業(yè),國(guó)產(chǎn)自主的DRAM芯片未來(lái)也會(huì)迎來(lái)一波爆發(fā)。除此之外,紫光旗下的西安國(guó)芯本身也有DDR內(nèi)存芯片研發(fā),他們將在集邦科技的2020存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)趨勢(shì)峰會(huì)上公開(kāi)展示自研的內(nèi)存,包括最新的16GB DDR4內(nèi)存等。
2019-11-19 14:54:145108

環(huán)球韓國(guó)子公司MKC第2座工廠竣工 未來(lái)月產(chǎn)能將達(dá)到17.6萬(wàn)片晶

根據(jù)韓國(guó)媒體報(bào)導(dǎo),半導(dǎo)體硅晶圓廠環(huán)球(GlobalWafers)的韓國(guó)子公司MKC,22日舉行第2座工廠的竣工典禮。據(jù)了解,未來(lái)在第2工廠的加入之后,其月產(chǎn)能將可達(dá)到17.6萬(wàn)片晶。
2019-11-25 11:19:233938

長(zhǎng)儲(chǔ)存將生產(chǎn)19nm DDR4內(nèi)存,計(jì)劃再建兩個(gè)晶圓廠

根據(jù)AnandTech的報(bào)道,長(zhǎng)存儲(chǔ)科技有限公司已經(jīng)開(kāi)始使用19納米制造技術(shù)生產(chǎn)DDR4內(nèi)存。目前,該公司已經(jīng)制定了至少兩個(gè)10納米級(jí)制造工藝的路線圖,并計(jì)劃在未來(lái)生產(chǎn)所有類型的DRAM。不僅如此,長(zhǎng)存儲(chǔ)還計(jì)劃再建兩個(gè)晶圓廠來(lái)提高產(chǎn)量。
2019-12-03 10:46:224970

長(zhǎng)儲(chǔ)存19nm DDR4內(nèi)存計(jì)劃于2020年第一季度推出

12月3日消息,根據(jù)消息報(bào)道,長(zhǎng)存儲(chǔ)科技有限公司已經(jīng)開(kāi)始使用19納米制造技術(shù)生產(chǎn)DDR4內(nèi)存。目前,該公司已經(jīng)制定了至少兩個(gè)10納米級(jí)制造工藝的路線圖,并計(jì)劃在未來(lái)生產(chǎn)所有類型的DRAM。不僅如此,長(zhǎng)存儲(chǔ)還計(jì)劃再建兩個(gè)晶圓廠來(lái)提高產(chǎn)量。
2019-12-03 14:22:483838

長(zhǎng)存儲(chǔ)采購(gòu)奇夢(mèng)達(dá)DRAM內(nèi)存專利,數(shù)量相當(dāng)可觀

長(zhǎng)存儲(chǔ)技術(shù)有限公司與加拿大公司Quarterhill Inc.旗下的Wi-LAN Inc.今日聯(lián)合宣布,就原內(nèi)存制造商奇夢(mèng)達(dá)開(kāi)發(fā)的DRAM內(nèi)存專利,長(zhǎng)存儲(chǔ)與WiLAN全資子公司Polaris Innovations Limited達(dá)成專利許可協(xié)議和專利采購(gòu)協(xié)議。
2019-12-06 09:37:453817

長(zhǎng)自主內(nèi)存芯片投產(chǎn) 國(guó)內(nèi)DRAM產(chǎn)業(yè)迎來(lái)重大突破

12 月 5 日訊,在近日召開(kāi)的 2019 世界制造業(yè)大會(huì)上,總投資約 1500 億元的長(zhǎng)存儲(chǔ)內(nèi)存芯片自主制造項(xiàng)目宣布投產(chǎn),其與國(guó)際主流 DRAM 產(chǎn)品同步的 10 納米級(jí)第一代 8Gb DDR4 首度亮相,一期設(shè)計(jì)產(chǎn)能每月 12 萬(wàn)片晶
2019-12-06 10:53:102505

明年Q2產(chǎn)能提高一倍,長(zhǎng)存儲(chǔ)每月4萬(wàn)

該報(bào)道指出,目前長(zhǎng)存儲(chǔ)已經(jīng)完成了合肥Fab 1及研發(fā)設(shè)施建設(shè),每月生產(chǎn)2萬(wàn),并計(jì)劃在2020年第二季度將產(chǎn)能提高一倍,達(dá)到每月4萬(wàn)
2019-12-10 14:23:013421

臺(tái)積電5nm產(chǎn)能提升到7-8萬(wàn)片晶一月

在搶先推出7nm及7nm EUV工藝之后,臺(tái)積電今年又要搶先量產(chǎn)5nm工藝了,上半年的產(chǎn)能將達(dá)到1萬(wàn)片晶/月,不過(guò)出貨的高峰期是Q3季度,產(chǎn)能提升到7-8萬(wàn)片晶/月,主要為蘋果、海思包攬。
2020-01-15 09:18:053229

臺(tái)積電5nm工藝成本水漲船高 芯片研發(fā)成本高達(dá)40億人民幣

在搶先推出7nm及7nm EUV工藝之后,臺(tái)積電今年又要搶先量產(chǎn)5nm工藝了,上半年的產(chǎn)能將達(dá)到1萬(wàn)片晶/月,不過(guò)出貨的高峰期是Q3季度,產(chǎn)能提升到7-8萬(wàn)片晶/月,主要為蘋果、海思包攬。
2020-01-15 09:46:175407

長(zhǎng)國(guó)產(chǎn)DDR4內(nèi)存芯片的外觀和參數(shù)曝光,使用19納米制造技術(shù)

長(zhǎng)存儲(chǔ)正使用其10G1工藝技術(shù)(即19nm工藝)來(lái)制造4GB和8GB的DDR4內(nèi)存芯片,目標(biāo)是在2020年第一季度上市?,F(xiàn)在,一名用戶就曝光了新款內(nèi)存的外觀和參數(shù)。
2020-02-26 15:01:139620

長(zhǎng)成為國(guó)產(chǎn)首個(gè)內(nèi)存供應(yīng)商 一期內(nèi)存芯片產(chǎn)能預(yù)計(jì)將占全球產(chǎn)能的10%

2019年9月20日,合肥長(zhǎng)宣布正式量產(chǎn)DDR4內(nèi)存,他們成為第一個(gè)國(guó)產(chǎn)內(nèi)存供應(yīng)商。目前該公司官網(wǎng)上已經(jīng)開(kāi)始對(duì)外供應(yīng)DDR4芯片、LPDDR4X芯片及DDR4模組。
2020-02-28 09:31:364139

合肥長(zhǎng)DDR4內(nèi)存終于對(duì)外供貨 未來(lái)將有更多產(chǎn)品覆蓋

千呼萬(wàn)喚始出來(lái),前兩天國(guó)內(nèi)DRAM內(nèi)存終于迎來(lái)了歷史性一刻——合肥長(zhǎng)的DDR4內(nèi)存終于開(kāi)始對(duì)外供貨了。
2020-02-29 11:16:036311

合肥長(zhǎng)的DDR4內(nèi)存對(duì)外供貨 進(jìn)軍DDR5/GDDR6/LPDDR5內(nèi)存

嚴(yán)格來(lái)說(shuō),合肥長(zhǎng)內(nèi)存不是第一款國(guó)產(chǎn)DRAM內(nèi)存芯片,紫光旗下的紫光國(guó)微之前也有DDR內(nèi)存研發(fā),也曾少量用于國(guó)產(chǎn)的服務(wù)器等產(chǎn)品中,但是紫光國(guó)微沒(méi)有生產(chǎn)能力,DDR內(nèi)存無(wú)法大量供應(yīng)。
2020-03-01 10:15:113548

長(zhǎng)江存儲(chǔ)月產(chǎn)能年底升至10萬(wàn) 不是最新披露產(chǎn)能計(jì)劃

有媒體報(bào)道稱,今年底,長(zhǎng)江存儲(chǔ)產(chǎn)能將從目前每月約2萬(wàn)(64層),提升至5萬(wàn)-10萬(wàn);與此同時(shí),其128層將于年底取得突破。
2020-03-21 10:50:375068

長(zhǎng)內(nèi)存17nm工藝芯片即將量產(chǎn),19nm芯片產(chǎn)能翻倍

最近幾年時(shí)間,國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)廠商的發(fā)展非常迅速,在國(guó)際上的知名度越來(lái)越強(qiáng),這也讓國(guó)產(chǎn)廠商越來(lái)越有話語(yǔ)權(quán)。
2020-05-07 14:53:346975

內(nèi)存:七彩虹發(fā)布國(guó)創(chuàng)戰(zhàn)戟內(nèi)存條 采用合肥長(zhǎng)DDR4內(nèi)存

除了聯(lián)合江波龍發(fā)布全球最小尺寸的SATA SSD SL500 Mini,七彩虹今天還正式推出了自己的國(guó)產(chǎn)內(nèi)存條產(chǎn)品“國(guó)創(chuàng)·戰(zhàn)戟”系列,采用了合肥長(zhǎng)的DDR4內(nèi)存顆粒,由江波龍代工生產(chǎn)。
2020-06-23 10:01:593311

長(zhǎng)存儲(chǔ)今年年底產(chǎn)能可達(dá)12萬(wàn)

長(zhǎng)存儲(chǔ)今年年底產(chǎn)能可達(dá)12萬(wàn),預(yù)計(jì)將超越南亞科技,屆時(shí)市占率將僅次于三大巨頭。此外,長(zhǎng) 17nm工藝即將出世,明年可實(shí)現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)。 報(bào)道稱,長(zhǎng)存儲(chǔ) 19nm DRAM 工藝已于 2020
2020-09-03 15:08:006616

臺(tái)積電5nm產(chǎn)能提升,單季有望達(dá)20000

DIGITIMES報(bào)道,供應(yīng)鏈傳出,今年進(jìn)入第四季后,蘋果Apple Silicon自研芯片所使用的臺(tái)積電5nm產(chǎn)能提升,預(yù)計(jì)月產(chǎn)能達(dá)5000-6000,后續(xù)單季有望達(dá)20000
2020-09-09 16:37:362341

5nm芯片戰(zhàn)爭(zhēng)即將打響

5nm訂單還在不斷涌入臺(tái)積電,因此,該公司還在不斷擴(kuò)充5nm產(chǎn)能,目前的產(chǎn)能是6萬(wàn)片晶/月,南科工業(yè)園的Fab 18工廠P3工程將于今年第四季度量產(chǎn),明年第二季度P4工程還會(huì)進(jìn)一步增加約1.7萬(wàn)片晶/月。據(jù)悉,隨著這些工廠的擴(kuò)產(chǎn),臺(tái)積電的5nm產(chǎn)能將從目前的6萬(wàn)
2020-09-11 15:15:113011

長(zhǎng)預(yù)計(jì)在2021年完成低功耗高速率17nm工藝內(nèi)存芯片

在2019年,國(guó)內(nèi)的內(nèi)存以及閃存領(lǐng)域分別有一個(gè)重大的突破,長(zhǎng)江存儲(chǔ)量產(chǎn)64層3D閃存,合肥長(zhǎng)則量產(chǎn)了DDR4內(nèi)存,而后者在2020年有望成為全球第四大DRAM內(nèi)存芯片廠。
2020-09-18 14:18:463335

未來(lái)幾年8吋的需求會(huì)更強(qiáng)勁

談到代工產(chǎn)能吃緊,IC設(shè)計(jì)業(yè)者分析,主因半導(dǎo)體的應(yīng)用范圍愈來(lái)愈廣,但代工產(chǎn)能擴(kuò)充速度跟不上,尤其有些芯片的面積大,一片晶甚至做不到1,000顆芯片,需要更多晶量生產(chǎn)。
2020-09-29 14:24:192462

臺(tái)積電預(yù)計(jì)四季度將出貨的15萬(wàn)片晶的5nm芯片中,約90%是蘋果訂單

隨著投產(chǎn)時(shí)間的延長(zhǎng),臺(tái)積電5nm工藝的產(chǎn)能也會(huì)有提升,外媒在報(bào)道中表示,臺(tái)積電方面預(yù)計(jì)他們5nm芯片在四季度的出貨量將超過(guò)15萬(wàn)片晶。 由于在9月14日之后不能繼續(xù)為華為代工芯片,在5月15日之后
2020-10-21 09:25:451858

中芯國(guó)際發(fā)布2020年Q3財(cái)報(bào),創(chuàng)歷史新高

由于中芯國(guó)際沒(méi)有公布14nm及28nm的具體比例,但是今年中中芯國(guó)際重點(diǎn)建設(shè)的就是14nm工藝,預(yù)計(jì)貢獻(xiàn)最多的還是14nm工藝,今年底前目標(biāo)月產(chǎn)能1.5萬(wàn),上海項(xiàng)目建成之后是3.5萬(wàn)片晶/月的產(chǎn)能
2020-11-19 14:28:021904

臺(tái)積電正按計(jì)劃推進(jìn)3nm工藝在2022年下半年量產(chǎn)

最新的報(bào)道顯示,臺(tái)積電正在按計(jì)劃推進(jìn)3nm工藝在2022年下半年大規(guī)模量產(chǎn),消息人士透露,臺(tái)積電為這一工藝在2022年下半年設(shè)定的月產(chǎn)能是5.5萬(wàn)片晶。 隨著量產(chǎn)時(shí)間的延長(zhǎng),3nm工藝的產(chǎn)能也將提升,外媒在報(bào)道中就表示,3nm工藝月產(chǎn)能在2023年將提升至每月10萬(wàn)片晶
2020-11-25 13:52:562274

臺(tái)積電四季度給蘋果出貨 1.8 萬(wàn)片晶的 M1 芯片

三星有望獲得蘋果部分 M1 芯片的代工訂單。 目前還不清楚臺(tái)積電將為蘋果代工多少顆 M1 芯片,但外媒在最新的報(bào)道中表示,蘋果與臺(tái)積電簽訂的協(xié)議,是在四季度出貨 1.8 萬(wàn)片晶的 M1 芯片。 不過(guò),有外媒在報(bào)道中也表示,臺(tái)積電四季度向蘋果出貨 1.8 萬(wàn)片晶
2020-12-10 09:00:591816

合肥長(zhǎng)加速開(kāi)發(fā)17nm工藝內(nèi)存研發(fā)

在量產(chǎn)國(guó)內(nèi)首個(gè)8Gb DDR4芯片之后,合肥長(zhǎng)日前又獲得了156億元的巨額投資,將加速開(kāi)發(fā)17nm工藝的DDR5內(nèi)存研發(fā)及生產(chǎn)。
2020-12-18 09:53:145086

國(guó)產(chǎn)內(nèi)存加速 DRAM廠商長(zhǎng)存儲(chǔ)完成156億元融資

? DRAM廠商長(zhǎng)存儲(chǔ)完成156億元融資,內(nèi)存芯片的國(guó)產(chǎn)替代之路又獲資金助力。12月14日,工商信息顯示,大基金二期、安徽國(guó)資、兆易創(chuàng)新及另一家朱一明實(shí)控企業(yè)、小米長(zhǎng)江產(chǎn)業(yè)基金等機(jī)構(gòu)入股長(zhǎng)存儲(chǔ)
2020-12-25 17:49:106588

內(nèi)存漲價(jià) 三星進(jìn)一步削減產(chǎn)能:每月減少1萬(wàn)片晶產(chǎn)能

多種因素所致,內(nèi)存行業(yè)開(kāi)始加大備貨力度了,然而三星這時(shí)候的動(dòng)作并不一致,他們依然計(jì)劃削減2021年的內(nèi)存投資,減少產(chǎn)能。 韓國(guó)媒體報(bào)道,三星原本計(jì)劃2021年新增內(nèi)存產(chǎn)能4萬(wàn)片晶/月,現(xiàn)在決定將產(chǎn)能投資減少到3萬(wàn)片晶/月,削減了1萬(wàn)片晶
2020-12-29 09:10:002170

三星2021年將新增內(nèi)存產(chǎn)能4萬(wàn)片晶

2020年內(nèi)存價(jià)格雖然總體還在跌,但是年底的2個(gè)月中風(fēng)向已經(jīng)變了,部分內(nèi)存芯片價(jià)格開(kāi)始上漲,甚至1個(gè)月內(nèi)存漲了10%,這給2021年的內(nèi)存市場(chǎng)漲價(jià)發(fā)出了信號(hào)。
2020-12-29 09:12:462427

美光全球首創(chuàng)1αnm DRAM內(nèi)存芯片

美光今天宣布,已經(jīng)開(kāi)始批量出貨基于1αnm工藝的DRAM內(nèi)存芯片,這也是迄今為止最先進(jìn)的DRAM工藝,可明顯提升容量密度、性能并降低功耗。
2021-01-27 16:16:513896

長(zhǎng)江存儲(chǔ)計(jì)劃到2021年下半年將存儲(chǔ)芯片月產(chǎn)量提高一倍

兩名知情人士表示,長(zhǎng)江存儲(chǔ)計(jì)劃到2021年下半年將存儲(chǔ)芯片月產(chǎn)量提高一倍,至10萬(wàn)片晶,約占全球總產(chǎn)量的7%。這將有助于該公司縮小與全球先進(jìn)制造商之間的差距。據(jù)悉,三星電子目前每月約生產(chǎn)48萬(wàn)片晶,而美光的月產(chǎn)能約為18萬(wàn)。
2021-02-01 17:40:3610445

產(chǎn)業(yè)鏈人士:臺(tái)積電計(jì)劃在下半年提升至每月12萬(wàn)片晶

,芯片廠商對(duì)臺(tái)積電5nm工藝的需求也越來(lái)越高,臺(tái)積電也在不斷提高他們5nm工藝的產(chǎn)能。 產(chǎn)業(yè)鏈人士透露,臺(tái)積電5nm制程工藝的月產(chǎn)能,在去年四季度達(dá)到了9萬(wàn)片晶,在今年上半年仍將繼續(xù)提升,將提升到每月10.5萬(wàn)片晶。 這一產(chǎn)業(yè)鏈人士還透
2021-02-27 11:06:382350

臺(tái)積電計(jì)劃在下半年提升至每月12萬(wàn)片晶

產(chǎn)業(yè)鏈人士透露,臺(tái)積電5nm制程工藝的月產(chǎn)能,在去年四季度達(dá)到了9萬(wàn)片晶,在今年上半年仍將繼續(xù)提升,將提升到每月10.5萬(wàn)片晶
2021-03-03 09:55:141455

合肥長(zhǎng)規(guī)劃2021年完成17nm技術(shù)研發(fā)

合肥長(zhǎng)存儲(chǔ)技術(shù)有限公司于 2016 年成立,從事 DRM 內(nèi)存顆粒的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售,目前已建成一座 12 英寸晶圓廠并投產(chǎn),其生產(chǎn)的 DDR4 內(nèi)存顆粒被威剛、江波龍、臺(tái)電廠商等應(yīng)用。
2021-03-05 10:49:037032

合肥長(zhǎng)12英寸存儲(chǔ)器實(shí)現(xiàn)了從投產(chǎn)到量產(chǎn)再到批量銷售的關(guān)鍵跨越

3月5日,合肥產(chǎn)投集團(tuán)官微發(fā)文《潮起正是揚(yáng)帆時(shí)——合肥產(chǎn)投集團(tuán)成立六周年發(fā)展紀(jì)實(shí)》,透露了合肥長(zhǎng)國(guó)產(chǎn)內(nèi)存產(chǎn)能情況。
2021-03-09 14:15:394379

中芯目標(biāo)實(shí)現(xiàn)最終每月約4萬(wàn)12吋產(chǎn)能

并提供技術(shù)服務(wù),旨在實(shí)現(xiàn)最終每月約4萬(wàn)12吋產(chǎn)能。預(yù)期將于2022年開(kāi)始生產(chǎn)。 待最終協(xié)議簽訂后,項(xiàng)目的新投資額估計(jì)為23.5億美元,折合人民幣約為153億元。各方的實(shí)際出資額將根據(jù)第三方專業(yè)公司對(duì)中芯深圳所作評(píng)估而定。中
2021-03-30 11:24:332607

臺(tái)積電P14廠受到停電的影響,大概會(huì)有3萬(wàn)片晶受影響

南科業(yè)者指出,臺(tái)積電P14廠受到今天停電的影響,大概會(huì)有3萬(wàn)片晶受影響,至于會(huì)不會(huì)全部報(bào)廢,還需要等臺(tái)積電進(jìn)一步評(píng)估。3萬(wàn)片晶要看當(dāng)時(shí)制程情況,部分應(yīng)該可搶救回來(lái),另外臺(tái)積電有保險(xiǎn),實(shí)際損失應(yīng)該可進(jìn)一步降低。
2021-04-19 14:30:421739

臺(tái)積電5nm制程工藝產(chǎn)能提升 今年向3nm工藝邁進(jìn)

臺(tái)積電已經(jīng)提升了5nm制程工藝的產(chǎn)能,月出貨量已經(jīng)增至15萬(wàn)片晶,早于產(chǎn)業(yè)鏈此前透露的三季度。
2022-04-02 15:41:193067

三星去年產(chǎn)能超越臺(tái)積電,位居世界第一

據(jù)Knometa Research發(fā)布的《2022年全球產(chǎn)能報(bào)告》顯示,去年全球月產(chǎn)能達(dá)到了2143萬(wàn),排名前五的大廠平均每月的產(chǎn)量達(dá)到了1220萬(wàn),相比2020年增長(zhǎng)了10%,占據(jù)了2021年月產(chǎn)量的57%。
2022-04-12 17:33:202609

Q2展望不佳,傳蘋果再次下修12萬(wàn)片晶量;小米汽車全新諜照曝光,車頭極長(zhǎng)

熱點(diǎn)新聞 1、Q2展望不佳,傳蘋果再次下修12萬(wàn)片晶量 外媒日前引述半導(dǎo)體供應(yīng)鏈業(yè)者“手機(jī)晶片達(dá)人”爆料,稱蘋果公司日前再度下修向臺(tái)積電的數(shù)量,此次下修總數(shù)達(dá)12萬(wàn),影響包含N7
2023-02-20 20:25:041072

片晶可以產(chǎn)出多少芯片?

片晶可以產(chǎn)出多少芯片?第97期芯片的制造過(guò)程可以分為前道工藝和后道工藝。前道是指制造廠的加工過(guò)程,在空白的硅片完成電路加工,出廠后依然是完整的圓形硅片。后道是指封裝和測(cè)試過(guò)程,在封測(cè)廠中將
2023-05-30 17:15:039670

2024年中國(guó)碳化硅產(chǎn)能,或超全球總產(chǎn)能的50%

天岳先進(jìn)、天科合達(dá)、三安光電等公司均斥資提高碳化硅/襯底產(chǎn)能,目前這些中國(guó)企業(yè)每月的總產(chǎn)能約為6萬(wàn)。隨著各公司產(chǎn)能釋放,預(yù)計(jì)2024年月產(chǎn)能將達(dá)到12萬(wàn),年產(chǎn)能150萬(wàn)。
2023-11-24 15:59:233723

爆火!產(chǎn)能激增800%!

,SK海力士的1b DRAM產(chǎn)能預(yù)計(jì)將從第一季度的每月1萬(wàn)片晶增加到年底的每月9萬(wàn),增幅達(dá)800%, 且這一目標(biāo)較去年年末給出的7萬(wàn)片目標(biāo)高出近三成。SK海力士還計(jì)劃到明年上半年將1b DRAM產(chǎn)量增加到14萬(wàn)至15萬(wàn),是今年一季度產(chǎn)能的14-15倍,最高較今年年末產(chǎn)能目標(biāo)增超65%。 “如果S
2024-06-19 09:15:47698

明年全球CoWoS產(chǎn)能需求將增長(zhǎng)113% 臺(tái)積電月產(chǎn)能將增至6.5萬(wàn)片晶

、SPIL)和安靠(Amkor)正在擴(kuò)大產(chǎn)能。根據(jù)DIGITIMES Research最新關(guān)注全球CoWoS封裝技術(shù)和產(chǎn)能的報(bào)告,到2025年第四季度末,臺(tái)積電的月產(chǎn)能預(yù)計(jì)將增至6.5萬(wàn)以上12英寸
2024-11-01 16:57:541187

SK海力士增產(chǎn)HBM DRAM,應(yīng)對(duì)AI芯片市場(chǎng)旺盛需求

SK海力士今年計(jì)劃大幅提升其高帶寬內(nèi)存(HBM)的DRAM產(chǎn)能目標(biāo)是將每月產(chǎn)能從去年的10萬(wàn)增加至17萬(wàn),這一增幅達(dá)到了70%。此舉被視為該公司對(duì)除最大客戶英偉達(dá)外,其他領(lǐng)先人工智能(AI)芯片公司需求激增的積極回應(yīng)。
2025-01-07 16:39:091310

攻克存儲(chǔ)芯片制造瓶頸:高精度切割機(jī)助力DRAM/NAND產(chǎn)能躍升

在存儲(chǔ)芯片DRAM/NAND)制造中,劃片是將整片晶分割成單個(gè)芯片(Die)的關(guān)鍵后道工序。隨著芯片尺寸不斷縮小、密度持續(xù)增加、日益變?。ㄓ绕鋵?duì)于高容量3DNAND),傳統(tǒng)劃片工藝帶來(lái)
2025-08-08 15:38:061028

30萬(wàn)/月晶圓廠投產(chǎn)!國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)如何激活PCB千億配套市場(chǎng)

三星、美光暫停 DDR5 報(bào)價(jià)引發(fā)的供應(yīng)鏈焦慮,正加速國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)芯片產(chǎn)能擴(kuò)張 —— 長(zhǎng)存儲(chǔ)合肥新晶圓廠已進(jìn)入設(shè)備調(diào)試階段,2026 年一季度將實(shí)現(xiàn) 30 萬(wàn) / 月的 DDR5 產(chǎn)能,全球
2025-11-08 16:15:571700

國(guó)產(chǎn)內(nèi)存條量產(chǎn),DRAM芯片產(chǎn)業(yè)發(fā)展提速!

近兩年,國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)發(fā)展迅速,包括NANDFLASH和DRAM。去年,長(zhǎng)江存儲(chǔ)、合肥長(zhǎng)相繼宣布64層3DNAND量產(chǎn)、DDR4內(nèi)存芯片量產(chǎn),實(shí)現(xiàn)從0到1的突破。 今年,基于長(zhǎng)江存儲(chǔ)64層
2020-07-14 09:26:5712533

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