Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，推出新款8V N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiA436DJ。
2012-06-28 12:50:44
1436 Vishay具有業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻的新款12V和20V 的N溝道和P溝道TrenchFET?功率MOSFET。采用業(yè)內(nèi)最小0.8mm x 0.8mm x 0.4mm MICRO FOOT?封裝的CSP規(guī)格尺寸
2012-11-29 16:37:312203 Vishay推出新款通過AEC-Q101認(rèn)證的40V N溝道TrenchFET功率MOSFET---SQM200N04-1m1L。
2012-12-07 14:08:383286 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出新款100V N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiB456DK和SiA416DJ，將Vishay的ThunderFET?應(yīng)用到更小的封裝尺寸上。
2013-01-09 11:42:301823 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，發(fā)布新款采用熱增強(qiáng)型PowerPAK? SO-8封裝的新款N溝道TrenchFET?功率
2013-04-23 11:47:112875 Vishay宣布推出新款60 V TrenchFET?第四代n溝道功率MOSFET---SiSS22DN，業(yè)內(nèi)首款適用于標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)電路的器件，10 V條件下最大導(dǎo)通電阻降至4 m?，采用熱增強(qiáng)型3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK? 1212-8S封裝。
2019-10-05 07:04:006418 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出新系列600V和650V n溝道功率MOSFET---E系列器件。新產(chǎn)品在10V下具有64mΩ～190mΩ的超低最大導(dǎo)通電阻，以及22A～47A的額定電流范圍
2011-10-13 09:09:311541 30 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出兩款新型30 V對(duì)稱雙通道n溝道功率MOSFET---SiZF5300DT
2023-01-30 10:09:49986 
`Vishay SQ2361MOSFET 符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn)并經(jīng) 100% Rg 和 UIS 測試。SQ2361 汽車用 P 溝道 60V 功率 MOSFET 的 ESD 保護(hù)典型值達(dá)
2019-07-09 17:30:39
LT1160的典型應(yīng)用 - 半橋/全橋N溝道功率MOSFET驅(qū)動(dòng)器。 LT 1160 / LT1162是經(jīng)濟(jì)高效的半橋/全橋N溝道功率MOSFET驅(qū)動(dòng)器
2019-05-14 09:23:01
型號(hào)：SLN30N03T電壓：30V 電流：30A封裝：DFN3*3-8種類：絕緣柵(MOSFET)SLN30N03T 原裝，SLN30N03T庫存現(xiàn)貨熱銷售后服務(wù)：公司免費(fèi)提供樣品，并提供產(chǎn)品運(yùn)用的技術(shù)支持。阿里店鋪
2021-04-07 14:57:10
LT1336的典型應(yīng)用是具有成本效益的半橋N溝道功率MOSFET驅(qū)動(dòng)器。浮動(dòng)驅(qū)動(dòng)器可以驅(qū)動(dòng)頂部N溝道功率MOSFET工作在高達(dá)60V（絕對(duì)最大值）的高壓（HV）軌道上工作
2019-05-10 06:46:05
30V N溝道增強(qiáng)型MOSFET管
30V N溝道增強(qiáng)型MOSFET管簡介
2010-04-08 17:41:00
20 30V P 溝道增強(qiáng)型MOSFET管
30V P 溝道增強(qiáng)型MOSFET管簡介
2010-04-08 17:42:0929 Vishay推出第三代TrenchFET功率MOSFET，采用TurboFET技術(shù)
日前，Vishay Intertechnology推出兩款 20V 和兩款 30V n 通道器件，從而擴(kuò)展其第三代 TrenchFET 功率MOSFET 系列。這些器件首次采用 T
2008-12-08 11:55:09883 
Vishay Siliconix推出業(yè)界性能最先進(jìn)的P溝道功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出新款20V P溝道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用緊湊的2mm x 2mm占位面積的熱增強(qiáng)Pow
2009-11-23 17:10:23930 Vishay Siliconix推出業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻功率MOSFET
Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出新款20V P溝道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用緊湊的2mm x 2mm占位
2009-11-25 09:51:011361 Vishay推出的P溝道功率MOSFET SiA433EDJ
日前，VishayIntertechnology,Inc.宣布，推出新款20VP溝道功率MOSFET——SiA433EDJ。器件采用緊湊的2mm×2mm占位面積的熱增強(qiáng)PowerPAKSC-70封裝，具
2009-11-25 17:56:521012 Vishay推出500V N溝道功率MOSFET：SiHF8N50L-E3
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款500V N溝道功率MOSFET——SiHF8N50L-E3。與前一代器件相比，該器件的
2010-04-07 10:52:521102 帶集成肖特基二極管的30V N溝道功率MOSFET(ON)
應(yīng)用于綠色電子產(chǎn)品的首要高性能、高能效硅方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)擴(kuò)充N溝道功率MOSFET器件
2010-04-10 10:32:52729 安森美推出帶集成肖特基二極管的30V 擴(kuò)充N溝道功率MOSFET
安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)擴(kuò)充N溝道功率MOSFET器件陣容，新推出帶集成肖特基二極管的30V產(chǎn)品。
NTMFS4897
2010-04-12 10:23:161310 國際整流器公司(International Rectifier，簡稱IR) 推出新系列-30 V器件，采用IR最新的SO-8封裝,P溝道MOSFET硅組件，適用于電池充電和放電開關(guān)，以及直流應(yīng)用的系統(tǒng)/負(fù)載開
2010-09-20 08:59:091458 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款600V、47A N溝道功率MOSFET --- SiHG47N60S，該MOSFET在10V柵極驅(qū)動(dòng)下具有0.07Ω的
2010-11-09 08:59:572028 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款8V P溝道TrenchFET 功率MOSFET---SiA427DJ。新器件采用2mm x 2mm占位面積的熱增強(qiáng)型PowerPAK SC-70封裝，具有迄今為止P溝道器件所能達(dá)到的最低導(dǎo)通電阻。
2011-01-26 09:04:081830 Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款雙芯片20V P溝道第三代TrenchFET功率MOSFET---SiA923EDJ。新器件采用2mm x 2mm占位面積的熱增強(qiáng)型PowerPAK SC-70封裝，
2011-03-02 10:19:301776 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出業(yè)內(nèi)采用最小的0.8mm x 0.8mm芯片級(jí)封裝的N溝道和P溝道功率
2011-10-21 08:53:051058 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布， Vishay Siliconix推出新款n溝道功率MOSFET通過JAN認(rèn)證的，分別是60V 2N6660JANTX/JANTXV和90V 2N6661JANTX/JANTXV
2011-11-01 09:26:351923 Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，推出新器件---SiZ300DT和SiZ910DT---以擴(kuò)充用于低電壓DC/DC轉(zhuǎn)換器應(yīng)用的PowerPAIR?家族雙芯片不對(duì)稱功率MOSFET
2011-11-15 10:34:07889 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，引入兩款在尺寸和導(dǎo)通電阻上設(shè)立了新的行業(yè)基準(zhǔn)的p溝道30V器件---Si8497DB和Si8487DB，擴(kuò)充其MICRO FOOT TrenchFET Gen III功率MOSFET家族。
2012-02-20 08:34:131025 Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出其新一代TrenchFET? Gen IV系列30V n溝道功率MOSFET器件---SiRA00DP、SiRA02DP、SiRA04DP和SiSA04DN
2012-05-08 11:09:191026 Vishay 推出新款8V和20V N溝道和P溝道TrenchFET?功率MOSFET---Si8424CDB、Si8425DB。
2013-01-15 09:05:541791 日前，Vishay宣布，推出具有業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻的新款P溝道MOSFET---Si7157DP，擴(kuò)充其TrenchFET? P溝道Gen III功率MOSFET。Vishay Siliconix
2014-01-22 10:33:221740 MOSFET的首顆器件---SiHP065N60E。Vishay Siliconix N溝道SiHP065N60E的導(dǎo)通電阻比前一代600V E系列MOSFET低30%，為通信、工業(yè)和企業(yè)級(jí)電源提供了
2017-02-10 15:10:112189 賓夕法尼亞、MALVERN — 2017 年 4 月25 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，發(fā)布新的30V N溝道
2017-04-25 15:58:551806 最小的0.8mm x 0.8mm芯片級(jí)封裝的N溝道和P溝道功率MOSFET---Si8802DB和Si8805EDB。8V N溝道Si8802DB和P溝道Si8805EDB TrenchFETreg
2019-01-01 16:29:011015 Vishay/Siliconix SiR186LDP N溝道60V （D-S） MOSFET采用TrenchFET? Gen IV功率MOSFET技術(shù)。
2021-04-21 17:50:211914 
LT1336：帶升壓穩(wěn)壓器的半橋N溝道功率MOSFET驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)表
2021-05-19 16:12:341 LT1158：半橋N溝道功率MOSFET驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)表
2021-05-20 18:32:194 兩款新型 30 V 對(duì)稱雙通道 n 溝道功率 MOSFET，將高邊和低邊 TrenchFET Gen V MOSFET 組合在 3.3 mm x 3.3 mm PowerPAIR 3x3FS 單體封裝
2023-02-04 06:10:041602 
SiZF5300DT和SiZF5302DT利用Vishay的30 V Gen V技術(shù)實(shí)現(xiàn)優(yōu)異導(dǎo)通電阻和柵極電荷。SiZF5300DT 10 V和4.5 V下典型導(dǎo)通電阻分別為2.02 m和2.93 m，SiZF5302DT相同條件下導(dǎo)通電阻分別為2.7 m和4.4 m。
2023-02-06 14:44:22919 30 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMX300UNE
2023-02-09 21:20:220 30 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMCB60XNE
2023-02-10 18:40:310 30 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMPB50ENE
2023-02-14 18:50:530 30 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMV52ENE
2023-02-15 18:45:510 30 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMV28ENE
2023-02-15 18:46:230 30 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PXN5R4-30QL
2023-02-16 20:49:260 30 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PXN4R7-30QL
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2023-02-16 21:23:020 30 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMV50XNEA
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2023-02-17 19:15:340 30 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMV25ENEA
2023-02-17 19:16:270 30 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMXB56EN
2023-02-17 19:16:510 30 V、N 溝道溝槽 MOSFET-山毛櫸4D60-30
2023-02-17 19:56:410 采用 NextPowerS3 技術(shù)的 LFPAK56 中的 N 溝道 30 V、0.82 mΩ、300 A 邏輯電平 MOSFET-PSMNR70-30YLH
2023-02-20 19:23:340 30 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMV15ENEA
2023-02-20 19:51:410 30 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMV28ENEA
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2023-02-20 20:01:040 30 V、N 溝道溝槽 MOSFET-BUK6D22-30E
2023-02-20 20:02:250 30 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMN25ENEA
2023-02-20 20:06:280 30 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMPB29XNEA
2023-02-21 18:52:180 30 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMPB13XNEA
2023-02-21 18:52:320 30 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMPB20ZH
2023-02-21 19:17:400 30 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMPB11EN
2023-02-21 19:17:540 30 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMV20CN
2023-02-21 19:19:000 30 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMPB25ENE
2023-02-21 19:31:440 30 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMN25ENE
2023-02-21 19:34:420 30 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMZB200UNE
2023-02-27 19:01:400 30 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMZ390UNE
2023-02-27 19:02:470 30 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMV90ENE
2023-02-27 19:11:210 30 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMV42ENE
2023-02-27 19:11:440 30 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMN40ENE
2023-02-27 19:13:230 30 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMN30UN
2023-02-27 19:13:540 30 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMZ370UNE
2023-03-02 22:49:330 30 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMV20XNE
2023-03-02 22:54:250 30V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMV50ENEA
2023-03-03 19:33:590 ?Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ("Toshiba")日前推出了“SSM10N961L”。這是一款低導(dǎo)通電阻、30V N溝道共漏MOSFET，適用于帶USB的設(shè)備和電池組保護(hù)。產(chǎn)品發(fā)貨即日起開始。
2023-11-08 16:22:221294 東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）近日宣布，推出“SSM10N961L”低導(dǎo)通電阻30V N溝道共漏極MOSFET，適用于帶有USB的設(shè)備以及電池組保護(hù)。
2023-11-09 17:39:101320 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《30V N溝道溝槽MOSFET PMF250XNE數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf》資料免費(fèi)下載
2024-02-05 09:48:470 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《30V，雙N溝道溝槽MOSFET PMGD175XNE數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf》資料免費(fèi)下載
2024-02-05 09:47:310 Vishay 推出多功能新型 30 V N 溝道 TrenchFET 第五代功率 MOSFET，進(jìn)一步提高工業(yè)、計(jì)算機(jī)、消費(fèi)電子和通信應(yīng)用的功率密度，增強(qiáng)熱性能。
2024-02-22 17:11:081686 
近日，全球知名的半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商Vishay宣布推出新型80V對(duì)稱雙通道N溝道功率MOSFET，型號(hào)為SiZF4800LDT。這款新產(chǎn)品將高邊和低邊TrenchFET? Gen IV
2024-03-12 10:32:021362 全球知名半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商Vishay日前宣布推出其最新型的多功能30V N溝道TrenchFET?第五代功率MOSFET——Vishay Siliconix SiSD5300DN。這款新型功率
2024-03-12 10:38:141480 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《30V N 溝道NexFET? 功率MOSFET CSD17556Q5B數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-22 14:11:230 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《30V N 溝道 FemtoFET? MOSFET CSD17483F4數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-04-02 11:25:410 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PSMN2RO-30YLE n溝道30V 2 mQ邏輯電平MOSFET規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-01-23 16:33:410 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PSMN1RO-30YLC N溝道30V 1.15 mΩ邏輯電平MOSFET規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-02-13 14:16:450 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PMH550UNEA 30V N溝道溝槽MOSFET規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-02-20 16:29:230 這款 30V、3.2mΩ、SON 3.3mm × 3.3mm NexFET? 功率 MOSFET 旨在最大限度地降低功率轉(zhuǎn)換損耗 應(yīng)用。 *附件：CSD17581Q3A 30V N 溝道
2025-04-16 11:25:34775 
圣邦微電子推出 SGMNQ36430，一款 30V 單 N 溝道功率 MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）。該器件可應(yīng)用于 CPU 電源傳輸、DC/DC 轉(zhuǎn)換器、功率負(fù)載開關(guān)以及筆記本電池管理等領(lǐng)域。
2025-05-09 16:57:26971 
圣邦微電子推出 SGMNL12330，一款 30V、TDFN 封裝、單 N 溝道功率 MOSFET。該器件可應(yīng)用于 PWM 應(yīng)用、電源負(fù)載開關(guān)、電池管理和無線充電器。
2025-07-10 17:21:522291 
仁懋電子（MOT）推出的MOT50N03D是一款面向30V低壓大電流開關(guān)場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借超低導(dǎo)通損耗、50A大電流承載能力及快速開關(guān)特性，適用于各類開關(guān)應(yīng)用（如DC-DC
2025-11-11 09:18:36255 
仁懋電子（MOT）推出的MOT20N50HF是一款面向500V高壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借高開關(guān)速度、優(yōu)異的dv/dt能力及500V耐壓，適用于高效開關(guān)電源、半橋式電子鎮(zhèn)流器、LED
2025-11-19 11:15:03277 仁懋電子（MOT）推出的MOT20N50A是一款面向500V高壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借高開關(guān)速度、優(yōu)異的dv/dt能力及500V耐壓，適用于高效開關(guān)電源、半橋式電子鎮(zhèn)流器、LED
2025-11-24 14:45:26185
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