Vishay推出新款通過AEC-Q101認(rèn)證的40V N溝道TrenchFET功率MOSFET---SQM200N04-1m1L。
2012-12-07 14:08:38
1449 URA/B_YMD-30WR3 系列是MORNSUN為滿足客戶對更高功率密度產(chǎn)品的需求，而最新推出的寬壓高功率密度產(chǎn)品。
2020-08-04 11:13:351227 日前發(fā)布的MOSFET導(dǎo)通電阻比市場上排名第二的產(chǎn)品低43%，降低壓降并減小傳導(dǎo)損耗，從而實現(xiàn)更高功率密度。
2020-08-17 11:53:14846 。英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）近日推出先進(jìn)的全新OptiMOS?功率MOSFET，進(jìn)一步擴(kuò)大其采用PQFN 2x2 mm2封裝的功率MOSFET的產(chǎn)品陣容，此舉旨在提供功率半導(dǎo)體行業(yè)標(biāo)桿解決方案，在更小的封裝尺寸內(nèi)實現(xiàn)更高的效率和更加優(yōu)異的性能。新產(chǎn)品廣
2023-09-06 14:18:431207 
供產(chǎn)品運用的技術(shù)支持。阿里店鋪：阿里 “供應(yīng)商 ”搜索 ，深圳市三佛科技有限公司，咨詢客服購買?！?**賴,0755-85279055】【30V MOS N/P溝道 推薦：】HN3400
2021-03-18 14:21:33
開關(guān)頻率約為 3.5kHz。當(dāng)使能待機(jī)模式時，最小開關(guān)頻率進(jìn)一步減低至 220Hz，這是 16 倍的降幅以實現(xiàn)超低的靜態(tài)電流。在待機(jī)模式中，LT8315 的預(yù)負(fù)載通常小于滿輸出功率的 0.1%，靜態(tài)
2018-10-29 17:04:58
2018年6月1日，德國慕尼黑訊——英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）進(jìn)一步壯大其薄晶圓技術(shù)TRENCHSTOP5 IGBT產(chǎn)品陣容。新的產(chǎn)品家族可提供最高
2018-10-23 16:21:49
：阿里 “供應(yīng)商 ”搜索 ，深圳市三佛科技有限公司，咨詢客服購買?！?**賴,0755-85279055】【30V MOS N/P溝道 推薦：】HN3400：30V5.8ASOT23N溝道 MOS管
2021-03-18 14:16:53
惠海半導(dǎo)體 供應(yīng)30V 30ATO-252MOS管HC020N03L，原裝，庫存現(xiàn)貨熱銷HC020N03L參數(shù)：30V 30A TO-252 N溝道 MOS管/場效應(yīng)管品牌：惠海
2020-11-11 17:32:09
看完你會大有收獲。1、功率MOSFET選型第一步：P管，還是N管？ 功率MOSFET有兩種類型：N溝道和P溝道，在系統(tǒng)設(shè)計的過程中選擇N管還是P管，要針對實際的應(yīng)用具體來選擇，N溝道MOSFET選擇
2017-11-15 08:14:38
N 型 MOSFET。下圖顯示了MOSFET的結(jié)構(gòu)。MOSFET的操作由柵極電壓控制。由于柵極與通道隔離，因此可以對其施加正電壓和負(fù)電壓。當(dāng)柵極偏置電壓為負(fù)時，它充當(dāng)耗盡型MOSFET，當(dāng)柵極偏置電壓
2023-02-02 16:26:45
功率MOSFET有二種類型：N溝通和P溝道，在系統(tǒng)設(shè)計的過程中，選擇N管還是P管，要針對實際的應(yīng)用具體來選擇。下面先討論這二種溝道的功率MOSFET的特征，然后再論述選擇的原則。
2021-03-02 08:40:51
`Vishay SQ2361MOSFET 符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn)并經(jīng) 100% Rg 和 UIS 測試。SQ2361 汽車用 P 溝道 60V 功率 MOSFET 的 ESD 保護(hù)典型值達(dá)
2019-07-09 17:30:39
Si-MOSFET/IGBT不斷改進(jìn)，以及對GaN和SiC工藝技術(shù)的引進(jìn)，現(xiàn)代功率轉(zhuǎn)換器/逆變器的功率密度不斷提高。因此，需要高度集成、耐用的新型隔離式柵極驅(qū)動器。這些驅(qū)動器的電隔離裝置體積小巧，可集成到驅(qū)動器芯片
2021-01-22 06:45:02
隔離式反激開關(guān)電源設(shè)計1、反激開關(guān)電源的設(shè)計思路，拓?fù)?/b>結(jié)構(gòu)及原理框圖講解2、驅(qū)動電路設(shè)計3、經(jīng)典驅(qū)動芯片UC3842 內(nèi)部結(jié)構(gòu)講解4、頻率設(shè)計講解5、吸收電路設(shè)計及作用講解6、功率開關(guān)管MOSFET
2015-09-08 08:43:23
，表明MOSFET溝道導(dǎo)通。當(dāng)Vgs進(jìn)一步增加，Rdson下降比較來緩，因為溝道完全導(dǎo)通，MOSFET導(dǎo)通電阻由其它的電阻組成部分決定。當(dāng)器件縮小到更小的尺寸，RS , RCH也減小，因為更多的單個的單元
2016-10-10 10:58:30
通過對同步交流對交流(DC-DC)轉(zhuǎn)換器的功耗機(jī)制進(jìn)行詳細(xì)分析，可以界定必須要改進(jìn)的關(guān)鍵金屬氧化物半導(dǎo)體場效晶體管(MOSFET)參數(shù)，進(jìn)而確保持續(xù)提升系統(tǒng)效率和功率密度。分析顯示，在研發(fā)功率
2019-07-04 06:22:42
的功率MOSFET的G極、S極加上正向電壓后，在G極的下面的P型體區(qū)，就會形成一個非常薄的反型層N型，這樣D極的N、反型層N、S極的N，就會形成導(dǎo)通的路徑。圖1：N溝道(左）、P溝道MOSFET結(jié)構(gòu)P
2016-12-07 11:36:11
非隔離DC-DC拓?fù)?/b>介紹 Buck型拓?fù)?/b>變換器 Buck型變換器的拓?fù)?/b>結(jié)構(gòu)如圖所示，Buck型變換器也稱降壓型電源拓?fù)?/b>。在開關(guān)管S導(dǎo)通時，二極管VD負(fù)極電壓高于正極反偏截止，此時電流
2023-03-22 15:55:15
概述：MAX5074隔離型PWM電源IC內(nèi)置功率開關(guān)MOSFET，連接成電壓鉗位、雙晶體管電源結(jié)構(gòu)。該器件可以用于正激和反激結(jié)構(gòu)，具有11V至76V的寬輸入電壓范圍和15W的輸出功率。電壓鉗位結(jié)構(gòu)
2021-05-17 06:18:24
到輸出，擊壞恒流檢測環(huán)，或是進(jìn)一步擊壞芯片，造成300v直通，而燒掉整條燈管。對于隔離反激電源，會擊壞MOS，現(xiàn)象就是保管，芯片，MOS管全燒壞。現(xiàn)在LED驅(qū)動電源，在使用過程中壞的，80%以上都是
2023-03-16 15:05:31
驅(qū)動時序和副邊同步整流器控制特性。利用自適應(yīng)停滯時間補(bǔ)償可進(jìn)一步優(yōu)化能效，從而改善負(fù)載范圍內(nèi)及可編程輕載模式下的效率，同時器件具有低功耗（
2018-09-26 16:04:09
員所需要的。飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor簡稱FAI)推出的FDMC8010 30V Power 33 MOSFET（尺寸3.3mm x 3.3mm 外形PQFN）此款
2012-04-28 10:21:32
及實際應(yīng)用 · AN-1059 –DirectFET MOSFET 的熱模型和特性 此外設(shè)計人員還可以訪問IR的DirectFET網(wǎng)上搜索中心，進(jìn)一步了解如何利用DirectFET器件的獨特優(yōu)點及其如何增強(qiáng)電氣和熱性能的信息。 :
2018-11-26 16:09:23
會添加帶有變壓的交流到直流電源轉(zhuǎn)換功能，其中包含了反激、正激及半橋等拓?fù)?/b>結(jié)構(gòu)。如圖1所示，其中反激拓?fù)?/b>結(jié)構(gòu)是功率小于30 W的中低功率應(yīng)用的標(biāo)準(zhǔn)選擇，而半橋結(jié)構(gòu)則最適合于提供更高能效/功率密度。就隔離
2018-10-09 14:28:20
十分敏感，抑制能力差。雷擊浪涌，這種電壓是瞬間高壓，高達(dá)幾千伏，時間很短，能量極強(qiáng)，這個電壓進(jìn)入電源，對于非隔離BUCK電路，會瞬間傳達(dá)到輸出，擊壞恒流檢測環(huán)，或是進(jìn)一步擊壞芯片，造成300v直通，而
2015-11-19 20:47:05
深圳市三佛科技有限公司 供應(yīng)NCE3080K新潔能替代型號100N03 30V貼片MOS，原裝正品，庫存現(xiàn)貨熱銷NCE3080K為新潔能推出的30V，N溝道，大電流 MOS，TO-252封裝
2019-11-27 16:52:24
的設(shè)計而言，它大幅降低了MOSFET導(dǎo)通電阻，并保持了出色的開關(guān)性能。 英飛凌推出的OptiMOS 3系列進(jìn)一步改進(jìn)了設(shè)計，使更高電壓等級的器件能夠受益于這種技術(shù)。在150 V 至250 V的電壓
2018-12-07 10:21:41
AO7400SL3042N溝道DFN5*6-8 EP 30V88ASL2060N溝道TO-252 20V 85ASL8726N溝道TO-252 30V 85ASL484N溝道TO-252 30V 41A可替代
2020-08-01 10:10:37
溝道 TO-252 替代AOD484 功率MOS管SL403-30V-70A5毫歐TO-252封裝 P溝道替代AOD403SL48430V41A14毫歐TO-252封裝 N溝道替代
2020-06-04 13:58:07
型號：SLN30N03T電壓：30V 電流：30A封裝：DFN3*3-8種類：絕緣柵(MOSFET)SLN30N03T 原裝，SLN30N03T庫存現(xiàn)貨熱銷售后服務(wù)：公司免費提供樣品，并提供產(chǎn)品運用的技術(shù)支持。阿里店鋪
2021-04-07 14:57:10
隔離反激式拓?fù)?/b>結(jié)構(gòu)的12 V-1 A電源。該器件的特性包括800 V雪崩耐用功率部分，60 kHz時PWM工作，頻率抖動可降低EMI，可調(diào)節(jié)設(shè)定值限流，板載軟啟動，故障后安全自動重啟和低待機(jī)功率
2019-11-05 08:50:35
有什么方法可以進(jìn)一步降低待機(jī)模式的功耗
2023-10-12 07:23:28
【中低壓MOS供應(yīng)】VS3622DE，30V/35A，雙N溝道高級功率MOSFET 【中低壓MOS供應(yīng)】VS4610AE，40V55A，N溝道高級功率MOSFET VS3622DE
2020-11-04 14:40:31
一、工作原理非隔離開關(guān)電源拓?fù)?/b>結(jié)構(gòu)如上圖，為 BUCK 拓?fù)?/b>結(jié)構(gòu)，與 DCDC 降壓型拓?fù)?/b>不同的是，輸入部分為 AC 交流，需要進(jìn)行半波整流。二、優(yōu)缺點優(yōu)點 ：1、相對于隔離式，體積比較小，價格比
2021-08-18 18:00:05
描述此 PMP5643 采用通用電源準(zhǔn)諧振隔離反向，可提供 51W 峰值功率和 37W 平均功率（ 13.65V 電壓）。此轉(zhuǎn)換器得益于“級聯(lián)”拓?fù)?/b>，可進(jìn)一步減少無負(fù)載損失，實現(xiàn)超快啟動時間。
2018-12-11 11:45:24
什么是功率密度？功率密度的發(fā)展史如何實現(xiàn)高功率密度？
2021-03-11 06:51:37
什么是功率密度？限制功率密度的因素有哪些？
2021-03-11 08:12:17
。由于GaN FET的開關(guān)速度很快，集成FET驅(qū)動能最小化線路面積，進(jìn)一步減小開關(guān)噪聲。LMG3410同時集成了一個5V穩(wěn)壓器，可以給ISO7831隔離芯片的次級供電。LMG3410還帶過流，過溫和欠
2019-03-14 06:45:08
轉(zhuǎn)換器拓?fù)?/b>結(jié)構(gòu)，無論是隔離還是非隔離。 ADP1621通過測量n溝道MOSFET導(dǎo)通電阻上的壓降，無需使用電流檢測功率電阻
2019-05-30 09:08:12
，它們的優(yōu)值系數(shù)（FOM）大為改善，可以實現(xiàn)高頻開關(guān)。CoolGaN? IPS技術(shù)在緊湊型封裝中集成了柵極驅(qū)動器并可支持高工作頻率，特別適用于有源鉗位反激式（ACF）、混合反激式（HFB）和LLC轉(zhuǎn)換器，因而有助于進(jìn)一步提高充電器和適配器設(shè)計的功率密度。
2022-04-12 11:07:51
，它們的優(yōu)值系數(shù)（FOM）大為改善，可以實現(xiàn)高頻開關(guān)。CoolGaN? IPS技術(shù)在緊湊型封裝中集成了柵極驅(qū)動器并可支持高工作頻率，特別適用于有源鉗位反激式（ACF）、混合反激式（HFB）和LLC轉(zhuǎn)換器，因而有助于進(jìn)一步提高充電器和適配器設(shè)計的功率密度。
2022-06-14 10:14:18
新手，問個問題，示波器探頭的隔離與非隔離到底什么意思？有時候測信號說不能同時用兩個非隔離的，容易燒壞器件，隔離的探頭應(yīng)該是同時接幾個通道都沒問題的吧？非隔離什么情況下可以接多個通道，什么情況下只能接一個通道，誰能系統(tǒng)的講講嗎？謝謝了
2017-09-28 11:50:09
輸出、輸出功率1~~~3W的隔離電源。
VPS8504N內(nèi)部集成振蕩器，提供一對高精度互補(bǔ)信號以驅(qū)動兩個N溝道MOSFET。芯片內(nèi)部按照對稱結(jié)構(gòu)設(shè)計，能有效確保兩個功率MOSFET的高度對稱性，避免
2023-10-12 09:38:22
、輸出功率1~~3W的隔離電源。
VPS8505芯片內(nèi)部集成振蕩器，提供一對高精度互補(bǔ)信號以驅(qū)動兩個N溝道MOSFET。芯片內(nèi)部按照對稱結(jié)構(gòu)設(shè)計，能有效確保兩個功率MOSFET的高度對稱性，避免電路在
2023-10-12 09:49:26
VPS8701B是一款專門為小體積、低待機(jī)功耗的微功率隔離電源而設(shè)計的變壓器驅(qū)動器，其外圍只需匹配簡單的輸入輸出濾波電容、隔離變壓器和整流電路，即可實現(xiàn)6~~~30V輸入電壓、多種輸出電壓、輸出功率
2023-10-12 10:04:51
從“磚頭”手機(jī)到笨重的電視機(jī)，電源模塊曾經(jīng)在電子電器產(chǎn)品中占據(jù)相當(dāng)大的空間，而且市場對更高功率密度的需求仍是有增無減。硅電源技術(shù)領(lǐng)域的創(chuàng)新曾一度大幅縮減這些應(yīng)用的尺寸，但卻很難更進(jìn)一步。在現(xiàn)有尺寸
2019-03-01 09:52:45
的FDMF8811是業(yè)界首款100 V橋式功率級模塊，優(yōu)化用于全橋和半橋拓?fù)?/b>。FDMF8811以高能效和高可靠性水平提供更高的功率密度。與分立方案相比，F(xiàn)DMF8811可減少一個典型的全橋方案約三分之一的PCB
2018-10-24 08:59:37
如何進(jìn)一步加強(qiáng)對RFID的安全隱私保護(hù)？
2021-05-26 06:09:27
GN1302 晶振引腳連接 2 個 30pf 電容，每天大約慢 4 秒，如何進(jìn)一步提高精度?時鐘每天慢 4 秒是因為晶振的外部負(fù)載電容過大，即 30pf 電容過大。如果使用的晶振的負(fù)載電容參數(shù)為
2022-12-29 17:36:43
如何用PQFN封裝技術(shù)提高能效和功率密度？
2021-04-25 07:40:14
簡介：這款電源非常簡單，很適合剛剛學(xué)習(xí)開關(guān)電源的人員參考，電源采用常用的反激拓?fù)?/b>，開關(guān)電源一般最重要的設(shè)計變壓器（后面簡介分享下變壓器參數(shù)設(shè)計）。背景： 前段時間因需要所以自制的一款輸出為30V隔離
2021-12-30 06:12:37
如何讓計算機(jī)視覺更進(jìn)一步接近人類視覺？
2021-06-01 06:27:08
TM1363 非隔離5V500mA12V260mATM1361 非隔離5V300mA12V150mA一、功能描述：1、成本最低、元件數(shù)目最少的降壓型(BUCK)轉(zhuǎn)換器方案；2、支持降壓(Buck
2021-12-28 08:23:14
我最近收集了一份開關(guān)電源隔離式與非隔離式（即反激式）的資料，許多應(yīng)用中都需要輸入/輸出隔離。隔離可切斷無用信號的傳播路徑，優(yōu)勢如下：保護(hù)人員、設(shè)備免遭感應(yīng)在隔離另一端的危險瞬態(tài)電壓損害 ；去除隔離
2020-10-27 10:48:44
電路，即可實現(xiàn) 6.5~30V 輸入電壓、多種輸出電壓、輸出功率高達(dá) 15W 的隔離電源。VPS8703 內(nèi)部集成兩個 N 溝道功率 MOSFET 和兩個 P 溝道功率 MOSFET，并組成橋式連接方式。芯片
2022-11-11 14:44:13
網(wǎng)絡(luò)時間協(xié)議NTP是什么意思？NTP授時的原理是什么？怎樣去進(jìn)一步提高NTP的授時精度呢？
2021-11-01 07:12:40
91%以上，而且有更高的功率因素。而隔離一般能效在88%，視功率而定，所以隔離電源發(fā)熱也比較大。 非隔離擁有更少的元器件穩(wěn)定性卻比較差，可是為什么呢？原因是非隔離電路對于浪涌十分敏感，抑制能力差
2016-08-04 13:16:13
0.7. 本文提出了一種新的高功率因數(shù)非隔離LED驅(qū)動電路，組合了逐流式功率因Buck-boost開關(guān)電源電路電路結(jié)構(gòu)簡單，同時滿足LED驅(qū)動電源的高功率因數(shù)，高效率，符合電磁兼容EMC標(biāo)準(zhǔn)，高電流
2018-09-25 10:35:55
整個壽命周期成本時，逐步減少能量轉(zhuǎn)換過程中的小部分損失并不一定會帶來總體成本或環(huán)境效益的大幅提升。另一方面，將更多能量轉(zhuǎn)換設(shè)備集成到更小的封裝中，即提高“功率密度”，可以更有效地利用工廠或數(shù)據(jù)中心
2020-10-27 10:46:12
在高度可靠、高性能的應(yīng)用中，如電動/混合動力汽車，隔離柵級驅(qū)動器需要確保隔離柵在所有情況下完好無損。隨著Si-MOSFET/IGBT不斷改進(jìn)，以及對GaN和SiC工藝技術(shù)的引進(jìn)，現(xiàn)代功率轉(zhuǎn)換器/逆變器的功率密度不斷提高。
2019-08-09 07:03:09
從“磚頭”手機(jī)到笨重的電視機(jī)，電源模塊曾經(jīng)在電子電器產(chǎn)品中占據(jù)相當(dāng)大的空間，而且市場對更高功率密度的需求仍是有增無減。硅電源技術(shù)領(lǐng)域的創(chuàng)新曾一度大幅縮減這些應(yīng)用的尺寸，但卻很難更進(jìn)一步。在現(xiàn)有尺寸
2019-08-06 07:20:51
實際應(yīng)用中的開關(guān)頻率。這些問題都阻礙了高功率密度、小體積電源適配器的進(jìn)一步發(fā)展?！ ∮性淬Q位反激（ACF）是一種新型諧振拓?fù)?/b>，克服了上述問題。不像QR，ACF能夠吸收利用漏感能量實現(xiàn)軟開關(guān)，臨界模式
2023-03-03 16:24:56
檢測環(huán)，或是進(jìn)一步擊壞芯片，造成300v直通，而燒掉整條燈管。事實上就是指非隔離電源，在批量出貨時，返修率高于隔離LED驅(qū)動電源，大都是因為炸壞。而隔離電源炸壞的機(jī)率要小不少，非隔離的一般在2%至3
2015-11-10 00:23:46
概述VPS8701B 是一款適用于全橋拓?fù)?/b>結(jié)構(gòu)的 DCDC 隔離型開關(guān)電源集成控制器，橋式驅(qū)動方式的變壓器繞組少，成本低。滿足6V~30V 的應(yīng)用，兼容性強(qiáng)。電流過大時鉗位限制功率管電流，既保證了
2023-03-21 15:24:12
進(jìn)一步減小，甚至消除。 結(jié)論 如今，新一代的40V和60V MOSFET可使設(shè)計工程師設(shè)計出更高功率密度的產(chǎn)品。開關(guān)性能的優(yōu)化可使許多應(yīng)用選用一個更低電壓等級的MOSFET，從而全面優(yōu)化通態(tài)電阻、成本
2018-12-06 09:46:29
如何進(jìn)一步減小DTC控制系統(tǒng)的轉(zhuǎn)矩脈動？
2023-10-18 06:53:31
的需求是希望將每個機(jī)架的功率密度能提高到100kW，從而減少整體尺寸。其實，完全可以通過使用 48V 背板和配電來實現(xiàn)這一需求，然而這種方法卻存在諸多挑戰(zhàn)，因為它無法依靠傳統(tǒng)同步 Buck 降壓調(diào)節(jié)器將
2021-05-26 19:13:52
不需要FB反饋環(huán)路，進(jìn)一步降低成本。本系列主要應(yīng)用于球泡燈、射燈、吸頂燈、筒燈等LED照明驅(qū)動領(lǐng)域?？赏ㄟ^EFT、雷擊、浪涌等可靠性測試，可通過3C、UL、CE等認(rèn)證。鉦銘科隔離式LED驅(qū)動芯片
2015-12-17 14:34:24
開發(fā)人員來說，功率密度是一個始終存在的挑戰(zhàn)，對各種電壓下更高電流的需求（通常遠(yuǎn)低于系統(tǒng)總線）帶來了對更小的降壓穩(wěn)壓器的需求，這樣的穩(wěn)壓器可通過一個單極里的多個放大器，將電壓從高達(dá)48 V降至1 V，使其
2020-10-28 09:10:17
傳統(tǒng)變壓器介紹高功率密度變壓器的常見繞組結(jié)構(gòu)
2021-03-07 08:47:04
集成來減小系統(tǒng)體積我還將演示如何與TI合作，使用先進(jìn)的技術(shù)能力和產(chǎn)品來實現(xiàn)這四個方面，幫助您改進(jìn)并達(dá)到功率密度值。首先，讓我們來定義功率密度，并著重了解一些根據(jù)功率密度值比較解決方案時的細(xì)節(jié)
2022-11-07 06:45:10
30V N溝道增強(qiáng)型MOSFET管
30V N溝道增強(qiáng)型MOSFET管簡介
2010-04-08 17:41:00
20 30V P 溝道增強(qiáng)型MOSFET管
30V P 溝道增強(qiáng)型MOSFET管簡介
2010-04-08 17:42:0929 Vishay推出第三代TrenchFET功率MOSFET，采用TurboFET技術(shù)
日前，Vishay Intertechnology推出兩款 20V 和兩款 30V n 通道器件，從而擴(kuò)展其第三代 TrenchFET 功率MOSFET 系列。這些器件首次采用 T
2008-12-08 11:55:09635 
Vishay Siliconix推出業(yè)界性能最先進(jìn)的P溝道功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出新款20V P溝道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用緊湊的2mm x 2mm占位面積的熱增強(qiáng)Pow
2009-11-23 17:10:23650 Vishay推出的P溝道功率MOSFET SiA433EDJ
日前，VishayIntertechnology,Inc.宣布，推出新款20VP溝道功率MOSFET——SiA433EDJ。器件采用緊湊的2mm×2mm占位面積的熱增強(qiáng)PowerPAKSC-70封裝，具
2009-11-25 17:56:52711 Vishay推出500V N溝道功率MOSFET：SiHF8N50L-E3
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款500V N溝道功率MOSFET——SiHF8N50L-E3。與前一代器件相比，該器件的
2010-04-07 10:52:52777 帶集成肖特基二極管的30V N溝道功率MOSFET(ON)
應(yīng)用于綠色電子產(chǎn)品的首要高性能、高能效硅方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)擴(kuò)充N溝道功率MOSFET器件
2010-04-10 10:32:52519 安森美推出帶集成肖特基二極管的30V 擴(kuò)充N溝道功率MOSFET
安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)擴(kuò)充N溝道功率MOSFET器件陣容，新推出帶集成肖特基二極管的30V產(chǎn)品。
NTMFS4897
2010-04-12 10:23:161107 提出一種新型正激隔離式高功率密度逆變器，該變換器前級為正激變換器，只是副邊二極管換成了開關(guān)管使其具備能量雙向傳遞的功能。分析了它的工作原理，給出了仿真波形。
2011-05-19 17:28:4371 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出業(yè)內(nèi)采用最小的0.8mm x 0.8mm芯片級封裝的N溝道和P溝道功率
2011-10-21 08:53:05873 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，引入兩款在尺寸和導(dǎo)通電阻上設(shè)立了新的行業(yè)基準(zhǔn)的p溝道30V器件---Si8497DB和Si8487DB，擴(kuò)充其MICRO FOOT TrenchFET Gen III功率MOSFET家族。
2012-02-20 08:34:13630 新的E系列器件采用Vishay Siliconix超級結(jié)技術(shù)，導(dǎo)通電阻低至30m?、電流達(dá)6A～105A，在8種封裝中實現(xiàn)低FOM和高功率密度。
2013-06-04 15:57:241063 ? 1212-8S封裝的-30V---SiSS27DN器件，擴(kuò)充其TrenchFET? Gen III P溝道功率MOSFET。
2013-07-15 11:32:40783 賓夕法尼亞、MALVERN — 2017 年 4 月25 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，發(fā)布新的30V N溝道
2017-04-25 15:58:551514 基于系統(tǒng)效率和功率密度發(fā)展趨勢示意圖，我們可以清晰的看出，在最近的十年間系統(tǒng)的效率和功率密度有了巨大的提升，尤其以服務(wù)器和通信電源為顯著。這一巨大的提升是如何實現(xiàn)的呢？它主要是通過嘗試新的拓?fù)?/b>結(jié)構(gòu)
2021-03-12 09:46:342465 
新型 30 V n 溝道 TrenchFET?第五代功率 MOSFET，提升隔離和非隔離拓?fù)?/b>結(jié)構(gòu)功率密度和能效。 Vishay Siliconix?SiSS52DN?采用熱增強(qiáng)型 3.3 mm
2021-05-28 17:25:572153 適用于標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動電路的MOSFET8月12日，Vishay推出新款60 V TrenchFET?第四代n溝道功率MOSFET——SiSS22DN，業(yè)內(nèi)首款適用于標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動電路的器件，10
2021-12-05 10:21:115 Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出兩款n溝道TrenchFET? MOSFET---60 V SiJH600E和80 V SiJH800E，以提高通信和工業(yè)應(yīng)用功率密度、能效和板級可靠性。
2022-02-07 15:37:08916 
隨著科技的不斷革新發(fā)展，MOSFET產(chǎn)品也經(jīng)過技術(shù)的迭代升級有了更加優(yōu)越的表現(xiàn)。但如何提升器件性能的同時進(jìn)一步降低器件的自身損耗依舊是亟待解決的問題。為此東芝半導(dǎo)體拓展了MOSFET產(chǎn)品線，推出
2022-08-26 11:01:07794 30V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMV50ENEA
2023-03-03 19:33:590 全新的OptiMOS6 40V功率MOSFET以及OptiMOS5 25V和30V 功率MOSFET進(jìn)一步優(yōu)化了用于高性能設(shè)計的成熟OptiMOS技術(shù)。新產(chǎn)品采用超小型PQFN 2x2 mm2封裝，具備先進(jìn)的硅技術(shù)、穩(wěn)定可靠的封裝與極低的熱阻（RthJC最大值為3.2 K/W）。
2023-10-13 16:25:12518 Vishay 推出多功能新型 30 V N 溝道 TrenchFET 第五代功率 MOSFET，進(jìn)一步提高工業(yè)、計算機(jī)、消費電子和通信應(yīng)用的功率密度，增強(qiáng)熱性能。
2024-02-22 17:11:08355 
全球知名半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商Vishay日前宣布推出其最新型的多功能30V N溝道TrenchFET?第五代功率MOSFET——Vishay Siliconix SiSD5300DN。這款新型功率
2024-03-12 10:38:14104
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