功率MOSFET核心參數(shù):漏源極擊穿電壓(\(V_{DSS}\)):100V,適配中壓供電場景;導(dǎo)通電阻(\(R_{DS(on)}\)):\(V_{GS}=10V\
2026-01-04 16:31:56
47 
MOSFET核心參數(shù):漏源極擊穿電壓(\(V_{DSS}\)):60V,適配低壓供電場景;導(dǎo)通電阻(\(R_{DS(on)}\)):\(V_{GS}=10V\)時6
2026-01-04 16:23:09
60 
MOSFET核心參數(shù):漏源極擊穿電壓(\(V_{DSS}\)):60V,適配低壓供電場景;導(dǎo)通電阻(\(R_{DS(on)}\)):\(V_{GS}=10V\)時11m
2025-12-31 17:28:19
1246 
增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù):漏源極擊穿電壓(\(V_{DSS}\)):40V,適配低壓供電場景;導(dǎo)通電阻(\(R_{DS(on)}\)):\(V_{GS}=10V
2025-12-31 17:20:35
1311 
威兆半導(dǎo)體推出的VSI008N10MS是一款面向100V中壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,采用TO-251封裝,適配中壓中功率電源管理、負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型:N溝道增強(qiáng)型
2025-12-30 10:55:52
67 
威兆半導(dǎo)體推出的VSO013N10MS是一款面向100V中壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,采用SOP8封裝,適配中壓小型電源管理、負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型:N溝道增強(qiáng)型功率
2025-12-29 11:52:16
80 
MOSFET核心參數(shù):漏源極擊穿電壓(\(V_{DSS}\)):68V,適配中壓供電場景;導(dǎo)通電阻(\(R_{DS(on)}\)):\(V_{GS}=10V\)時典
2025-12-26 11:58:42
95 
MOSFET核心參數(shù):漏源極擊穿電壓(\(V_{DSS}\)):80V,適配中壓供電場景;導(dǎo)通電阻(\(R_{DS(on)}\)):\(V_{GS}=10V\)時9.0
2025-12-26 11:50:13
93 
MOSFET核心參數(shù):漏源極擊穿電壓(\(V_{DSS}\)):60V,適配低壓供電場景;導(dǎo)通電阻(\(R_{DS(on)}\)):\(V_{GS}=10V\)時8.0
2025-12-25 16:31:17
116 
核心參數(shù):漏源極擊穿電壓(\(V_{DSS}\)):58V,適配中壓供電場景;導(dǎo)通電阻(\(R_{DS(on)}\)):\(V_{GS}=10V\)時5.8mΩ、
2025-12-25 16:27:25
121 
威兆半導(dǎo)體推出的VSD090N10MS是一款面向100V中壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,采用TO-252封裝,適配中壓中功率電源管理、負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型:N溝道增強(qiáng)型
2025-12-25 16:14:53
108 
MOSFET核心參數(shù):漏源極擊穿電壓(\(V_{DSS}\)):60V,適配低壓供電場景;導(dǎo)通電阻(\(R_{DS(on)}\)):\(V_{GS}=10V\)時11mΩ
2025-12-24 13:12:28
112 
MOSFET核心參數(shù):漏源極擊穿電壓(\(V_{DSS}\)):60V,適配低壓供電場景;導(dǎo)通電阻(\(R_{DS(on)}\)):\(V_{GS}=10V\)時典型值44
2025-12-24 13:10:04
100 
功率MOSFET核心參數(shù):漏源極擊穿電壓(\(V_{DSS}\)):60V,適配低壓供電場景;導(dǎo)通電阻(\(R_{DS(on)}\)):\(V_{GS}=10V\
2025-12-24 13:07:24
114 
MOSFET核心參數(shù):漏源極擊穿電壓(\(V_{DSS}\)):650V,適配高壓供電場景;導(dǎo)通電阻(\(R_{DS(on)}\)):\(V_{GS}=10V\)時典
2025-12-24 13:04:05
104 
功率MOSFET核心參數(shù):漏源極擊穿電壓(\(V_{DSS}\)):60V,適配低壓供電場景;導(dǎo)通電阻(\(R_{DS(on)}\)):\(V_{GS}=10V\
2025-12-23 11:26:18
176 
威兆半導(dǎo)體推出的VSE090N10MS是一款面向100V中壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,采用PDFN3x3封裝,適配中壓小型電源管理、負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型:N溝道增強(qiáng)型
2025-12-23 11:22:46
175 
MOSFET核心參數(shù):漏源極擊穿電壓(\(V_{DSS}\)):40V,適配低壓供電場景;導(dǎo)通電阻(\(R_{DS(on)}\)):\(V_{GS}=10V\)時典型值
2025-12-23 11:18:11
195 
增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù):漏源極擊穿電壓(\(V_{DSS}\)):30V,適配低壓供電場景;導(dǎo)通電阻(\(R_{DS(on)}\)):\(V_{GS}=10V
2025-12-18 17:24:48
475 
功率MOSFET核心參數(shù):漏源極擊穿電壓(\(V_{DSS}\)):60V,適配低壓供電場景;導(dǎo)通電阻(\(R_{DS(on)}\)):\(V_{GS}=10V\
2025-12-17 18:11:42
196 
MOSFET核心參數(shù):漏源極擊穿電壓(\(V_{DSS}\)):60V,適配60V低壓供電場景;導(dǎo)通電阻(\(R_{DS(on)}\)):\(V_{GS}=10V\)時典型
2025-12-17 18:09:01
208 
MOSFET核心參數(shù):漏源極擊穿電壓(\(V_{DSS}\)):60V,適配低壓供電場景;導(dǎo)通電阻(\(R_{DS(on)}\)):\(V_{GS}=10V\)時典型值6.
2025-12-15 15:36:24
222 
MOSFET核心參數(shù):漏源極擊穿電壓(\(V_{DSS}\)):60V,適配低壓小信號場景;導(dǎo)通電阻(\(R_{DS(on)}\)):\(V_{GS}=10V、I_
2025-12-12 15:43:13
303 
功率MOSFET核心參數(shù):漏源極擊穿電壓(\(V_{DSS}\)):30V,適配低壓供電場景;導(dǎo)通電阻(\(R_{DS(on)}\)):\(V_{GS}=10V\
2025-12-10 14:53:13
276 
MOSFET核心參數(shù):漏源極擊穿電壓(\(V_{DSS}\)):30V,適配低壓供電場景;導(dǎo)通電阻(\(R_{DS(on)}\)):\(V_{GS}=10V\)時
2025-12-10 11:48:31
227 
極擊穿電壓(\(V_{DSS}\)):-30V,適配低壓負(fù)電源場景;導(dǎo)通電阻(\(R_{DS(on)}\)):\(V_{GS}=-10V\)時典型值10mΩ,\(
2025-12-08 11:16:24
222 
MOSFET核心參數(shù):漏源極擊穿電壓(\(V_{DSS}\)):-30V,適配低壓負(fù)電源場景;導(dǎo)通電阻(\(R_{DS(on)}\)):\(V_{GS}=-10V\)
2025-12-05 09:51:31
284 
MOSFET核心參數(shù):漏源極擊穿電壓(\(V_{DSS}\)):-30V,適配低壓負(fù)電源場景;導(dǎo)通電阻(\(R_{DS(on)}\)):\(V_{GS}=-10V\)
2025-12-05 09:38:27
258 
威兆半導(dǎo)體推出的VSP003N10HS-G是一款面向100V中壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,支持10V邏輯電平控制,基于FastMOSII技術(shù)實(shí)現(xiàn)快速開關(guān)與高效能,適用于DC/DC轉(zhuǎn)換器
2025-11-26 15:13:13
226 
區(qū)別于電液伺服閥先導(dǎo)驅(qū)動的燃油計量滑閥方案,數(shù)字先導(dǎo)燃油計量滑閥新構(gòu)型主要由計量滑閥、兩個數(shù)字閥陣列、兩個節(jié)流孔以及LVDT位移傳感器組成。其中,數(shù)字閥陣列是由三個流量規(guī)格一致的數(shù)字閥并聯(lián)連接而成,這種設(shè)計顯著提高了系統(tǒng)的可靠性與容錯能力。
2025-11-20 14:36:25
482 
色環(huán)電感| 無需π型濾波或安規(guī)電容過EMI | 輸入免高壓電解電容
簡化設(shè)計:集成650V功率管,無需輸入高壓電容和π型濾波電路
精準(zhǔn)輸出:5V/3.3V±3% | 典型應(yīng)用條件輸出電壓紋波<10
2025-11-19 18:07:14
壓電驅(qū)動液阻全橋先導(dǎo)控制閥的核心在于其獨(dú)特的液阻網(wǎng)絡(luò)設(shè)計,該網(wǎng)絡(luò)由固定液阻和可變液阻組合構(gòu)成,形成類似電橋的液壓回路。在控制閥的左側(cè)腔體,進(jìn)出口處均設(shè)置有固定液阻,這使得該腔內(nèi)壓力保持相對穩(wěn)定。
2025-11-17 10:05:38
290 
閾值電壓典型值(V_GS (th)_Typ)1.5V(伏特)漏極電流(@V_GS=10V)270A(安培)導(dǎo)通電阻典型值(@V_GS=10V)1.2mΩ(毫歐)導(dǎo)通
2025-10-22 17:55:44
0 、設(shè)計與應(yīng)用提供全面技術(shù)支撐。漏源擊穿電壓(VDSS) ? ? 30V典型柵極閾值電壓(V GS(th)_Typ) ? ? ?1.5V柵源電壓 10V 時漏極電流(ID)????90A柵源電壓 10V 時典型導(dǎo)通電阻(RDS(
2025-10-16 16:23:01
0 本文將
詳細(xì)討論隔離
型開關(guān)電源(SMPS),并
介紹相關(guān)應(yīng)用中常用的正激
式和反激
式隔離轉(zhuǎn)換拓?fù)?。我們將研究各種SMPS器件的優(yōu)缺點(diǎn),以及它們在不同功率水平下的適用性。本文旨在幫助讀者清楚地了解如何為特定應(yīng)用選擇正確的隔離拓?fù)洹?/div>
2025-10-13 16:56:00
4546 
定制設(shè)計保持競爭優(yōu)勢,另一些則具備獨(dú)特優(yōu)點(diǎn)。本文討論的輸出類型均需至少10VDC供電(0–10V和1–10V輸出需12VDC)。0.5–4.5V比率輸出傳統(tǒng)上由5
2025-09-30 12:05:10
677 
TXG102x 是一款 2 位、固定方向、非電流基電壓和接地電平轉(zhuǎn)換器,可支持 1.71V 至 5.5V 之間的邏輯電平轉(zhuǎn)換和高達(dá) ±10V 的接地電平轉(zhuǎn)換。與傳統(tǒng)的電平轉(zhuǎn)換器相比,TXG102x
2025-09-28 14:58:27
993 
TXG102x 是一款 2 位、固定方向、非電流基電壓和接地電平轉(zhuǎn)換器,可支持 1.71V 至 5.5V 之間的邏輯電平轉(zhuǎn)換和高達(dá) ±10V 的接地電平轉(zhuǎn)換。與傳統(tǒng)的電平轉(zhuǎn)換器相比,TXG102x
2025-09-28 14:54:12
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在航空航天、船舶兵器等尖端工業(yè)領(lǐng)域,流體控制系統(tǒng)的精度與可靠性直接關(guān)系到裝備的安全性和性能極限。作為這一領(lǐng)域的核心元件,防爆型壓力、流量、方向、比例閥(以下簡稱“防爆多型閥”)如同流體管路中的“智能
2025-09-25 11:11:40
282 
在現(xiàn)代航空、航天及高端工業(yè)液壓系統(tǒng)中,組合閥(CombinationValve)是一種高度集成的關(guān)鍵控制元件,它融合了安全閥(溢流閥)和單向閥(止回閥)的功能,并可根據(jù)系統(tǒng)需求集成壓力調(diào)節(jié)、流量
2025-09-25 11:08:13
428 
實(shí)現(xiàn)48V輸入轉(zhuǎn)12V/5V 2A輸出的電源方案,需要綜合考慮效率、成本、體積和可靠性等因素。振邦微電子的AH7691D是一款高性能的降壓型DC-DC轉(zhuǎn)換器芯片,非常適合此類應(yīng)用。下面將詳細(xì)介紹
2025-09-17 17:00:59
1000 ISOC 124P 作為一款專為高精度信號隔離設(shè)計的電容隔離型器件,其 “±10V 輸入” 與 “高精度” 屬性的結(jié)合,使其在眾多工業(yè)與醫(yī)療應(yīng)用場景中具備顯著優(yōu)勢。在輸入特性上,±10V
2025-09-11 16:42:42
,能有效阻斷地環(huán)路噪聲與共模干擾,為工業(yè)自動化、醫(yī)療電子等對信號純凈度要求嚴(yán)苛的場景提供可靠保障。同時,該器件支持 ±10V 寬范圍輸入,完美適配工業(yè)傳感器、數(shù)據(jù)采
2025-09-11 15:05:29
Texas Instruments TPSI3050/TPSI3050-Q1增強(qiáng)型開關(guān)驅(qū)動器是一款完成集成的器件,與外部電源開關(guān)結(jié)合使用時,可構(gòu)成完整的隔離式固態(tài)繼電器 (SSR)。當(dāng)標(biāo)稱柵極驅(qū)動電壓為10V、峰值拉電流和灌電流為1.5/3.0A時,可以選擇多種外部電源開關(guān)來滿足各種應(yīng)用需求。
2025-09-03 10:23:16
734 
華太半導(dǎo)體(Hottek-semi)推出1-12按鍵系列高性能ASIC觸摸芯片:高可靠、超強(qiáng)抗干擾。動態(tài)CS:10V,EFT:4KV,ESD:8KV,全系列可做隔空觸摸(去彈簧應(yīng)用、節(jié)省
2025-08-18 10:32:14
REF102 是一款精密的 10V 基準(zhǔn)電壓源。漂移 激光微調(diào)至工業(yè)級最高 2.5ppm/°C C 級 溫度范圍。REF102 實(shí)現(xiàn)了其精度 沒有加熱器。這導(dǎo)致低功耗、快速預(yù)熱、 穩(wěn)定性好,噪音低
2025-08-15 18:20:54
1344 
你好,在使用非隔離電源開發(fā) 觸控項目,在進(jìn)行10V cs注入電流測試時,發(fā)現(xiàn)在觸控掃描頻點(diǎn)的倍頻上觸摸無法按動的情況,例如觸控掃描頻點(diǎn)2M,即在CS過程中,但測試進(jìn)行到2M/4M/6M/8M等時候
2025-08-08 07:18:20
該LMC7660是一款CMOS電壓轉(zhuǎn)換器,能夠?qū)?1.5V至+10V范圍內(nèi)的正電壓轉(zhuǎn)換為相應(yīng)的負(fù)電壓-1.5V至-10V。該LMC7660是行業(yè)標(biāo)準(zhǔn) 7660 的引腳對引腳替代品。該轉(zhuǎn)換器的特點(diǎn)是:無需外部二極管即可在整個溫度和電壓范圍內(nèi)工作、低靜態(tài)電流和高功率效率。
2025-08-05 14:24:49
1031 
ATE3156AP/ATE3156AS是一款高性能MOSFET,具有VDS=-30V和ID=-10A的特性,典型導(dǎo)通電阻為15mΩ(VGS=-10V,ID=-10A)和19mΩ(VGS=-4.5V
2025-07-28 16:34:37
0 產(chǎn)品端(或sink受電端)使用Type-C接口連接充電器獲取它的9V、10V等電壓給產(chǎn)品供電,可以使用充電器的大電流直接供電,相比于傳統(tǒng)的每個產(chǎn)品搭配一個充電器的方式更加的簡單,相較于使用5V升壓到9V等方式,這種既沒有發(fā)熱,而且電流也可以做到更大。
2025-07-26 09:38:10
728 
低導(dǎo)通電阻 @柵源電壓=-10V?-5V 邏輯電平控制
2025-07-10 14:21:48
0 RDS(導(dǎo)通電阻) ≤17毫歐 @ VGS=10V ID=20A ?高開關(guān)速度 ?增強(qiáng)型dv/dt能力
2025-07-09 16:05:32
0 的降壓型開關(guān)穩(wěn)壓器。它專為寬輸入電壓范圍設(shè)計,能夠在10V至120V的輸入電壓下穩(wěn)定工作,提供高達(dá)1.5A的輸出電流。這種高效的電源轉(zhuǎn)換能力,使其在移動設(shè)備、汽車系統(tǒng)、電池供電系統(tǒng)以及電動車車載設(shè)備等
2025-07-09 14:34:22
= -10aR DS(ON) < 35mΩ @ V GS =-10V(類型:27mΩ)應(yīng)用程序電池保護(hù)負(fù)荷開關(guān)不間斷電源
2025-06-30 09:52:04
0 DS(ON) < 100mΩ@ V GS =10V (Type:80mΩ)應(yīng)用程序有照明負(fù)荷開關(guān)PSE
2025-06-30 09:50:05
0 描述AP3P10MI采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)提供優(yōu)良的rds (ON),低柵極電荷和在低至5V的柵極電壓下工作。這裝置適合作為電池保護(hù)或其他開關(guān)應(yīng)用。一般特征vds = -100v I d = -3aR DS(ON) < 350mΩ @ V GS =-10V應(yīng)用程序電池保護(hù)負(fù)荷開關(guān)不間斷電源
2025-06-30 09:46:49
0 高壓金屬波紋管316一端接指定鋼瓶(不含鋼瓶接頭),另一端接一級減壓閥(1/4NPT),內(nèi)部潔凈,耐壓6000PS 1/4NPT兩備兩用半自動切換器含進(jìn)
2025-06-23 17:03:55
316L不銹鋼無縫管,無擦傷,適于彎曲和擴(kuò)口,表面光潔,管道經(jīng)過光亮退火(BA級),超聲波清洗,內(nèi)外拋光 高壓金屬波紋管:316一端接指定鋼瓶(不含鋼瓶接頭),另一端接一級減壓閥(1
2025-06-20 17:08:41
在光儲充一體化蓬勃發(fā)展的今天,安全始終是行業(yè)發(fā)展的基石。安科瑞 AIM-D 系列直流絕緣監(jiān)測儀,以其 10V 到 1500V 的全覆蓋電壓范圍、高精度的監(jiān)測性能、智能的診斷功能和豐富多樣的產(chǎn)品型號,為光儲充系統(tǒng)的安全運(yùn)行提供了全方位、多層次的保障。
2025-06-20 10:03:03
499 
H4010 是一種同步降壓型 DC - DC 轉(zhuǎn)換器芯片,以下是其詳細(xì)介紹:
主要特性:
電壓范圍:內(nèi)置 30V 耐壓 MOS,輸入范圍為 5V - 24V。通過調(diào)節(jié) FB 端口的分壓電阻,可輸出
2025-06-16 14:20:52
TPS629211-Q1是一款專為汽車應(yīng)用設(shè)計的1A同步降壓DC-DC轉(zhuǎn)換器,支持3V至10V的寬輸入電壓范圍。該器件符合AEC-Q100標(biāo)準(zhǔn),具有高效能、小尺寸和高度靈活性等特點(diǎn),適用于高級駕駛輔助系統(tǒng)(ADAS)、汽車信息娛樂和儀表集群、車身電子和照明系統(tǒng)等應(yīng)用。
2025-06-08 17:03:27
601 
AD3553R高速雙通道16位數(shù)模轉(zhuǎn)換器(DAC),以支持GaN柵極的超快亞微秒電壓穩(wěn)定時間。AD-PAARRAY3552R-SL參考設(shè)計板支持-10V至+10V的寬柵極偏置電壓。該板具有可配置的上電和斷電時序,提高了操作程序的靈活性和控制能力。
2025-06-07 14:09:07
722 
范圍內(nèi)支持 ± 1.5% 的高 V OUT 精度,并通過 DCS-Control 拓?fù)湓鰪?qiáng)了負(fù)載瞬態(tài)性能。3V 至 10V 的寬輸入電壓范圍支持各種標(biāo)稱輸入,如 9V 電源軌、單節(jié)或多節(jié)鋰離子電池以及 5V 或 3.3V 電源軌。
2025-06-06 16:58:58
562 
范圍內(nèi)支持 ± 1.5% 的高 V OUT 精度,并通過 DCS-Control 拓?fù)湓鰪?qiáng)了負(fù)載瞬態(tài)性能。3V 至 10V 的寬輸入電壓范圍支持各種標(biāo)稱輸入,如 9V 電源軌、單節(jié)或多節(jié)鋰離子電池以及 5V 或 3.3V 電源軌。
2025-06-06 16:51:31
628 
在現(xiàn)代工程安全監(jiān)測領(lǐng)域,振弦式應(yīng)變計憑借高精度和穩(wěn)定性,成為橋梁、隧道、水工結(jié)構(gòu)等關(guān)鍵設(shè)施健康監(jiān)測的重要工具。但是很多人對于不同型號的應(yīng)變計不知道如何做出選擇,下面就以南京峟思VWS-10F型表面
2025-05-29 11:10:39
502 
? GP9301B將0V到10V的模擬電壓輸入,線性轉(zhuǎn)換成0%-100%占空比的PWM信號輸出。? GP9301BM將0V到10V的模擬電壓輸入,線性轉(zhuǎn)換成0%-100%占空比的PWM信號,并且將
2025-05-29 10:15:07
0 UCC27712 是一款 620V 高側(cè)和低側(cè)柵極驅(qū)動器,具有 1.8A 拉電流和 2.8A 灌電流,旨在驅(qū)動功率 MOSFET 或 IGBT。
建議的 VDD 工作電壓為 10V 至 20V(IGBT)和 10V 至 17V(功率 MOSFET)。
2025-05-19 11:10:37
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UCC27712-Q1 是一款 620V 高壓側(cè)和低壓側(cè)柵極驅(qū)動器,具有 1.8A 拉電流和 2.8A 灌電流,旨在驅(qū)動功率 MOSFET 或 IGBT。
建議的 VDD 工作電壓為 10V 至 20V(IGBT)和 10V 至 17V(功率 MOSFET)。
2025-05-19 11:00:20
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UCC27710 是一款 620V 高壓側(cè)和低壓側(cè)柵極驅(qū)動器,具有 0.5A 拉電流和 1.0A 灌電流,旨在驅(qū)動功率 MOSFET 或 IGBT。
建議的 VDD 工作電壓為 10V 至 20V(IGBT)和 10V 至 17V(功率 MOSFET)。
2025-05-19 10:21:08
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?國產(chǎn)化預(yù)研驗(yàn)證不僅是技術(shù)替代,更是管理模式與生態(tài)體系的重構(gòu)。中軟國際推出“先導(dǎo)工程”服務(wù),通過分階段驗(yàn)證、生態(tài)協(xié)同與技術(shù)創(chuàng)新,讓國產(chǎn)ERP有望實(shí)現(xiàn)突破,為數(shù)字中國建設(shè)提供堅實(shí)底座。
2025-05-15 17:39:43
793 TPSI3050-Q1 是一款完全集成的隔離式開關(guān)驅(qū)動器,與外部電源開關(guān)結(jié)合使用時,可形成完整的隔離式固態(tài)繼電器 (SSR)。憑借 10V 的標(biāo)稱柵極驅(qū)動電壓和 1.5/3.0A 的峰值拉電流和灌
2025-05-08 09:45:12
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TPSI3050 是一款完全集成的隔離式開關(guān)驅(qū)動器,與外部電源開關(guān)結(jié)合使用時,可形成完整的隔離式固態(tài)繼電器 (SSR)。憑借 10V 的標(biāo)稱柵極驅(qū)動電壓和 1.5/3.0A 的峰值拉電流和灌電流
2025-05-08 09:27:02
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的溫漂:最大值為 3ppm/°C初始精度:±0.05%低噪聲:典型值為 4.7μVrms (0.1Hz~10Hz,5V)支持微調(diào)輸出電壓輸出支持雙向電流:±10mA應(yīng)用A/D和 D/A 轉(zhuǎn)換器精準(zhǔn)型穩(wěn)壓器數(shù)字電壓表慣性導(dǎo)航系統(tǒng)便攜式基準(zhǔn)源
2025-05-07 15:43:41
1. VREF 輸入設(shè)置為10V,
是否可以通過外部電阻的方式設(shè)置增益為,0.01,0.1,1?RFB 引腳不接到外部運(yùn)放的輸出端。 運(yùn)放的輸出端接不同的電阻到DAC IOUT的引腳,通過這種方式設(shè)置不同的增益?
2025-04-28 07:33:16
的失調(diào)電壓和溫漂、10MHz 高帶寬和 10V/μs 壓擺率,且在工作溫度范圍內(nèi)的靜態(tài)電流僅有 2.3mA(最大值)
2025-04-24 09:57:24
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的失調(diào)電壓和溫漂、10MHz 高帶寬和 10V/μs 壓擺率,且在工作溫度范圍內(nèi)的靜態(tài)電流僅有 2.3mA(最大值)
2025-04-24 09:53:20
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電磁閥有兩個主要部分:螺線管和閥門。螺線管將電能轉(zhuǎn)換為機(jī)械能,機(jī)械能又以機(jī)械方式打開或關(guān)閉閥門。直動式閥門只有一個小流量回路,如圖的E部分所示(該部分在下面被稱為先導(dǎo)閥)。在此示例中,隔膜先導(dǎo)閥通過使用它來控制通過更大孔的流量,從而使這個小的先導(dǎo)流量倍增。
2025-04-20 17:47:55
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當(dāng)閥門接收到電信號時,會形成一個磁場,該磁場會吸引覆蓋先導(dǎo)孔的柱塞升起,從而導(dǎo)致系統(tǒng)壓力(保持隔膜/活塞關(guān)閉)下降。
隨著隔膜/活塞頂部的系統(tǒng)壓力降低,隔膜/活塞另一側(cè)的整個系統(tǒng)壓力將隔膜/活塞抬離主孔,從而允許介質(zhì)流過閥門。
2025-04-20 16:22:11
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麒麟操作系統(tǒng) Kylin V10 SP3 是一款基于 Linux 的操作系統(tǒng),廣泛應(yīng)用于政府、企業(yè)和個人用戶。本文將詳細(xì)介紹如何在計算機(jī)上安裝麒麟操作系統(tǒng) Kylin V10 SP3,幫助您順利完成安裝并開始使用。
2025-04-11 15:32:35
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% 占空比之間的任何值。
UCC28220 的 UVLO 導(dǎo)通閾值為
10 V,適用于 12 V 電源,而 UCC28221 的導(dǎo)通閾值為 13 V,適用于需要更寬 UVLO 遲滯的系統(tǒng)。兩者都具有 8V 關(guān)斷閾值。
2025-04-03 14:51:33
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KP1469 是一款適合大功率應(yīng)用的高效率準(zhǔn)諧振式降壓型 LED 控制器。通過內(nèi)置的高精度調(diào)光控制算法,芯片具備高調(diào)光精度和高調(diào)光深度的特點(diǎn)。KP1469 可以通過 VSET 設(shè)置最大電流,并且兼容
2025-03-29 09:31:09
可提供卓越的交流性能,帶寬為 290MHz,壓擺率為 700V/μs,穩(wěn)定時間為 30ns (0.1%),增益為 10V/V。OPAx892 在增益為 10 或更高以及 –9 或更低時保持穩(wěn)定。這些
2025-03-20 11:48:49
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可提供卓越的交流性能,帶寬為 290MHz,壓擺率為 700V/μs,穩(wěn)定時間為 30ns (0.1%),增益為 10V/V。OPAx892 在增益為 10 或更高以及 –9 或更低時保持穩(wěn)定。這些
2025-03-18 14:50:04
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(固定版本)或 1.2V 至 5.5V(可調(diào)版本)。
寬輸入電壓范圍使該器件成為采用穩(wěn)壓電源軌(如 10V 或 12V)工作的不錯選擇。新芯片的電壓范圍高達(dá) 16V。此范圍允許 LDO 為各種應(yīng)用產(chǎn)生偏置電壓。這些應(yīng)用包括功率微控制器 (MCU) 和處理器。
2025-03-14 16:08:08
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(固定版本)或 1.2V 至 5.5V(可調(diào)版本)。
寬輸入電壓范圍使該器件成為采用穩(wěn)壓電源軌(如 10V 或 12V)工作的不錯選擇。新芯片的電壓范圍高達(dá) 16V。此范圍允許 LDO 為各種
2025-03-13 10:24:23
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電壓(10V至100V)可提供最大3A電流的高效率輸出,可在移動環(huán)境輸入的條件下實(shí)現(xiàn)各種降壓型電源變換的應(yīng)用。SL3041 安全保護(hù)機(jī)制包括逐周期峰值限流、軟啟動、輸出短路保護(hù)和過溫保護(hù)。SL3041
2025-02-27 15:39:50
工作在寬
輸入電壓范圍具有優(yōu)良的負(fù)載和線性調(diào)整。寬范圍輸入電壓(10V至100V)可提供最大3A電流的
高效率輸出,可在移動環(huán)境輸入的條件下實(shí)現(xiàn)各種降壓型電源變換的應(yīng)用。
SL3041 安全保護(hù)機(jī)制
2025-02-26 16:46:52
我是用DSP28335外部接口與DAC7724通信,DA芯片的引腳除了數(shù)據(jù)載入LDAC和復(fù)位用普通IO口控制外,其余都和DSP28335外部接口的相應(yīng)引腳相連,程序測試一直不對,輸出的值一直是-10V,而且我只是讓通道A輸出,可是其他的3個通道也是-10V ,這個是怎么回事?
2025-02-06 07:54:22
我是用DSP28335驅(qū)動DAC7724芯片,12根數(shù)據(jù)線和2根地址線我是直接和DSP的外部接口相連,然后LDAC、RESET、CS、RW四個引腳是配置普通的IO口來控制,輸出一直是-10V,請問
2025-02-06 07:32:05
就為大家介紹開啟hyperv的詳細(xì)操作步驟。 ? ?Hyper-V是微軟提供的虛擬化技術(shù),允許用戶在單一物理硬件上運(yùn)行多個操作系統(tǒng)。以下是開啟Hyper-V的詳細(xì)步驟,適用于Windows10專業(yè)版、企業(yè)版以及Windows11專業(yè)版和企業(yè)版。 ? ?一、檢查系統(tǒng)要求
2025-01-23 10:01:07
5835 
日前,在系統(tǒng)能力培養(yǎng)研究專家組的指導(dǎo)下,全國大學(xué)生計算機(jī)系統(tǒng)能力大賽組委會攜手中科曙光,結(jié)合智能計算創(chuàng)新設(shè)計賽(先導(dǎo)杯)共同發(fā)起的“先導(dǎo)智算專項”正式啟動。
2025-01-23 09:29:26
1191
在運(yùn)放和ADC芯片的數(shù)據(jù)手冊中經(jīng)??吹絫rack-and-hold,誰能詳細(xì)介紹一下track-and-hold?
2025-01-20 09:10:12
最近購得ADS1282EVM-PDK開發(fā)套件,兩板組合使用±10V給電后ADS1282EVM板上的其中一顆OPA1632發(fā)熱嚴(yán)重,單獨(dú)給ADS1282EVM板供±10V同樣發(fā)熱,沒有接錯線供電肯定沒問題,大家?guī)蛶兔Α?
2025-01-09 07:24:33
(1)因?yàn)榉ㄒ?guī)要求,需要給ADS1293的各導(dǎo)聯(lián)輸入口加上10V有效值的共模50hz工頻電壓,而ADs1293內(nèi)置最大輸入為VCC,也就是3.3V,如何才能接入10V有效值的共模電壓?
(2)心電各導(dǎo)聯(lián)的參考地是什么?如果接浮地的設(shè)備也應(yīng)該有一個參考的吧
以上請幫忙解答下,急用,謝謝
2025-01-09 06:41:50
TI的大師們,我想把單片機(jī)產(chǎn)生的3.3VPWM信號,通過CD4050B 轉(zhuǎn)成10V的PWM信號,發(fā)現(xiàn)不行。當(dāng)CD4050B的VCC供電為5V的時候是可以把單片機(jī)產(chǎn)生的3.3VPWM信號轉(zhuǎn)成5V的PWM信號,但CD4050B的VCC供電改成10V后就沒有信號輸出了,請問是什么問題?望指教,謝謝!
2025-01-08 06:29:18
請問DAC7724的基準(zhǔn)電壓正負(fù)10V(VREFH、VREFL)有沒有芯片可以直接生成,如果有的話請問是芯片的型號是什么?還有它的模擬供電電壓正負(fù)15V(VCC、VSS)可以用哪種電源芯片直接生成?還有這兩種電源芯片的輸入最好都是5V。謝謝!
2025-01-08 06:04:46
請問在3V量程的ADC單電源供電情況下怎樣的電路適合ADC能采集+ - 10V的信號 最好是直流耦合
2025-01-06 07:24:33
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