鍵合玻璃載板（Glass Carrier/Substrate）是一種用于半導(dǎo)體封裝工藝的臨時性硬質(zhì)支撐材料，通過鍵合技術(shù)與硅晶圓或芯片臨時固定在一起，在特定工序（如減薄、RDL布線）完成后通過紫外光
2026-01-05 09:23:37
536 扇出型晶圓級封裝（FOWLP）的概念最早由德國英飛凌提出，自2016 年以來，業(yè)界一直致力于FOWLP 技術(shù)的發(fā)展。
2026-01-04 14:40:30174 
關(guān)鍵詞： 常溫鍵合；第三代半導(dǎo)體；異質(zhì)集成；半導(dǎo)體設(shè)備；青禾晶元；半導(dǎo)體技術(shù)突破；碳化硅(SiC)；氮化鎵(GaN)；超高真空鍵合；先進封裝；摩爾定律 隨著5G/6G通信、新能源汽車與人工智能對芯片
2025-12-29 11:24:17133 
（SiGe BiCMOS）工藝領(lǐng)域，正式推出支持光電共封裝（CPO）的新型代工技術(shù)。 ? 這項技術(shù)依托多年堆疊式背照式（BSI）圖像傳感器量產(chǎn)經(jīng)驗，實現(xiàn)異構(gòu) 3D-IC 集成，并獲得 Cadence
2025-11-21 08:46:004242 在現(xiàn)代微電子封裝領(lǐng)域，集成電路（IC）的可靠性與穩(wěn)定性是決定產(chǎn)品品質(zhì)的關(guān)鍵。其中，鍵合點的機械強度直接影響到芯片在后續(xù)加工、運輸及使用過程中的性能表現(xiàn)。IC鋁帶作為一種重要的內(nèi)引線材料，其與芯片焊盤
2025-11-09 17:41:451162 
摘要：本文研究白光干涉儀在晶圓深腐蝕溝槽 3D 輪廓測量中的應(yīng)用，分析其工作原理及適配深腐蝕溝槽特征的技術(shù)優(yōu)勢，通過實際案例驗證測量精度，為晶圓深腐蝕工藝的質(zhì)量控制與器件性能優(yōu)化提供技術(shù)
2025-10-30 14:22:51225 
電子元器件封裝中的引線鍵合工藝，是實現(xiàn)芯片與外部世界連接的關(guān)鍵技術(shù)。其中，金鋁鍵合因其應(yīng)用廣泛、工藝簡單和成本低廉等優(yōu)勢，成為集成電路產(chǎn)品中常見的鍵合形式。金鋁鍵合失效這種現(xiàn)象雖不為人所熟知，卻是
2025-10-24 12:20:57444 
微電子技術(shù)的演進始終圍繞微型化、高效性、集成度與低成本四大核心驅(qū)動力展開，封裝技術(shù)亦隨之從傳統(tǒng)TSOP、CSP、WLP逐步邁向系統(tǒng)級集成的PoP、SiP及3D IC方向，最終目標是在最小面積內(nèi)實現(xiàn)系統(tǒng)功能的最大化。
2025-10-21 17:38:281749 
在半導(dǎo)體封裝工藝中，芯片鍵合（Die Bonding）是指將晶圓芯片固定到封裝基板上的關(guān)鍵步驟。鍵合工藝可分為傳統(tǒng)方法和先進方法：傳統(tǒng)方法包括芯片鍵合（Die Bonding）和引線鍵合（Wire
2025-10-21 17:36:162052 
在功率半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域，晶圓級芯片規(guī)模封裝技術(shù)正引領(lǐng)著分立功率器件向更高集成度、更低損耗及更優(yōu)熱性能方向演進。
2025-10-21 17:24:133873 
摘要：本文研究白光干涉儀在肖特基二極管晶圓深溝槽 3D 輪廓測量中的應(yīng)用，分析其工作原理及適配深溝槽結(jié)構(gòu)的技術(shù)優(yōu)勢，通過實際案例驗證其測量精度，為肖特基二極管晶圓深溝槽制造的質(zhì)量控制與性能優(yōu)化提供
2025-10-20 11:13:27279 
一、引言
12 英寸及以上的大尺寸玻璃晶圓在半導(dǎo)體制造、顯示面板、微機電系統(tǒng)等領(lǐng)域扮演著關(guān)鍵角色 ?？偤穸绕睿═TV）的均勻性直接影響晶圓后續(xù)光刻、鍵合、封裝等工藝的精度與良率 。然而，隨著晶圓
2025-10-17 13:40:01399 
3D封裝架構(gòu)主要分為芯片對芯片集成、封裝對封裝集成和異構(gòu)集成三大類，分別采用TSV、TCB和混合鍵合等先進工藝實現(xiàn)高密度互連。
2025-10-16 16:23:321548 
一、引言
隨著半導(dǎo)體技術(shù)向小型化、高性能化發(fā)展，3D 集成封裝技術(shù)憑借其能有效提高芯片集成度、縮短信號傳輸距離等優(yōu)勢，成為行業(yè)發(fā)展的重要方向 。玻璃晶圓因其良好的光學(xué)透明性、化學(xué)穩(wěn)定性及機械強度
2025-10-14 15:24:56316 硅通孔（TSV）技術(shù)借助硅晶圓內(nèi)部的垂直金屬通孔，達成芯片間的直接電互連。相較于傳統(tǒng)引線鍵合等互連方案，TSV 技術(shù)的核心優(yōu)勢在于顯著縮短互連路徑（較引線鍵合縮短 60%~90%）與提升互連密度
2025-10-14 08:30:006439 
上市周期，以滿足 AI 和 HPC 客戶的應(yīng)用需求。Cadence 與臺積公司在 AI 驅(qū)動的 EDA、3D-IC、IP 及光子學(xué)等領(lǐng)域展開了緊密合作，推出全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體產(chǎn)品。
2025-10-13 13:37:592087 我將從超薄玻璃晶圓 TTV 厚度測量面臨的問題出發(fā)，結(jié)合其自身特性與測量要求，分析材料、設(shè)備和環(huán)境等方面的技術(shù)瓶頸，并針對性提出突破方向和措施。
超薄玻璃晶圓（
2025-09-28 14:33:22337 
隨著半導(dǎo)體產(chǎn)品高性能、輕薄化發(fā)展，封裝技術(shù)作為連接芯片與外界環(huán)境的橋梁，其重要性日益凸顯。在眾多封裝技術(shù)中，熱壓鍵合（Thermal Compression Bonding）工藝技術(shù)以其獨特的優(yōu)勢
2025-09-25 17:33:09908 
在先進封裝中， Hybrid bonding( 混合鍵合)不僅可以增加I/O密度，提高信號完整性，還可以實現(xiàn)低功耗、高帶寬的異構(gòu)集成。它是主要3D封裝平臺（如臺積電的SoIC、三星的X-Cube
2025-09-17 16:05:361467 
全新EVG?40 D2W套刻精度計量系統(tǒng)實現(xiàn)每顆芯片100%測量，吞吐量達行業(yè)基準15倍 2025年9月8日，奧地利圣弗洛里安 ——全球領(lǐng)先的先進半導(dǎo)體工藝解決方案與技術(shù)提供商EV 集團（EVG
2025-09-11 15:22:57708 。然而，當系統(tǒng)級集成需求把 3D 封裝/3D IC 技術(shù)推向 WLCSP 時，傳統(tǒng)方案——引線鍵合堆疊、PoP、TSV 硅通孔——因工藝窗口、CTE 失配及成本敏感性而顯著受限。
2025-08-28 13:46:342892 
在晶圓加工流程中，早期檢測宏觀缺陷是提升良率與推動工藝改進的核心環(huán)節(jié)，這一需求正驅(qū)動檢測技術(shù)與晶圓測試圖分析領(lǐng)域的創(chuàng)新。宏觀缺陷早期檢測的重要性與挑戰(zhàn)在晶圓層面，一個宏觀缺陷可能影響多個芯片，甚至在
2025-08-19 13:48:231116 
隨著半導(dǎo)體器件向更精密的封裝方案持續(xù)演進，傳統(tǒng)光學(xué)檢測技術(shù)正逐漸觸及物理與計算的雙重邊界。對2.5D/3D集成、混合鍵合及晶圓級工藝的依賴日益加深，使得缺陷檢測的一致性與時效性面臨嚴峻挑戰(zhàn)——若無
2025-08-19 13:47:10816 2.5D/3D封裝技術(shù)作為當前前沿的先進封裝工藝，實現(xiàn)方案豐富多樣，會根據(jù)不同應(yīng)用需求和技術(shù)發(fā)展動態(tài)調(diào)整，涵蓋芯片減薄、芯片鍵合、引線鍵合、倒裝鍵合、TSV、塑封、基板、引線框架、載帶、晶圓級薄膜
2025-08-05 15:03:082805 
摘要
本文圍繞半導(dǎo)體晶圓研磨工藝，深入剖析聚氨酯研磨墊磨損狀態(tài)與晶圓 TTV 均勻性的退化關(guān)系，探究其退化機理，并提出相應(yīng)的預(yù)警方法，為保障晶圓研磨質(zhì)量、優(yōu)化研磨工藝提供理論與技術(shù)支持。
引言
在
2025-08-05 10:16:02685 ?融合）與中間層鍵合（如高分子、金屬）兩類，其溫度控制、對準精度等參數(shù)直接影響芯片堆疊、光電集成等應(yīng)用的性能與可靠性，本質(zhì)是通過突破納米級原子間距實現(xiàn)微觀到宏觀的穩(wěn)固連接。
2025-08-01 09:25:591760 
我將圍繞超薄晶圓切割液性能優(yōu)化與 TTV 均勻性保障技術(shù)展開，從切割液對 TTV 影響、現(xiàn)有問題及優(yōu)化技術(shù)等方面撰寫論文。
超薄晶圓（
2025-07-30 10:29:56326 一萬億晶體管”目標的關(guān)鍵跳板。當前先進封裝雖提高了I/O密度，但愈發(fā)復(fù)雜的異構(gòu)設(shè)計與Chiplet架構(gòu)對I/O數(shù)量、延遲提出了更高要求，以滿足AI、5G和高性能計算等應(yīng)用?；旌?b class="flag-6" style="color: red">鍵合互連技術(shù)正成為關(guān)鍵突破口，它可顯著降低能耗、擴大帶寬、優(yōu)化熱管理，從而助力摩爾定律繼續(xù)前行。 Cou
2025-07-28 16:32:54381 晶圓清洗機中的晶圓夾持是確保晶圓在清洗過程中保持穩(wěn)定、避免污染或損傷的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。以下是晶圓夾持的設(shè)計原理、技術(shù)要點及實現(xiàn)方式： 1. 夾持方式分類 根據(jù)晶圓尺寸（如2英寸到12英寸）和工藝需求，夾持
2025-07-23 14:25:43928 厚度不均勻 。切割深度動態(tài)補償技術(shù)通過實時調(diào)整切割深度，為提升晶圓 TTV 厚度均勻性提供了有效手段，深入研究其提升機制與參數(shù)優(yōu)化方法具有重要的現(xiàn)實意義。
二、
2025-07-17 09:28:18404 超薄晶圓厚度極薄，切割時 TTV 均勻性控制難度大。我將從闡述研究背景入手，分析淺切多道切割在超薄晶圓 TTV 均勻性控制中的優(yōu)勢，再深入探討具體控制技術(shù)，完成文章創(chuàng)作。
超薄晶圓（
2025-07-16 09:31:02469 我將從超薄晶圓淺切多道切割技術(shù)的原理、TTV 均勻性控制的重要性出發(fā)，結(jié)合相關(guān)研究案例，闡述該技術(shù)的關(guān)鍵要點與應(yīng)用前景。
超薄晶圓（
2025-07-15 09:36:03486 電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()Silicon PIN 二極管、封裝和可鍵合芯片相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊，更有Silicon PIN 二極管、封裝和可鍵合芯片的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料
2025-07-14 18:32:06
一、引言
在半導(dǎo)體制造中，晶圓總厚度變化（TTV）均勻性是決定芯片性能與良品率的關(guān)鍵因素，而切割過程產(chǎn)生的應(yīng)力會導(dǎo)致晶圓變形，進一步惡化 TTV 均勻性。淺切多道工藝作為一種先進的晶圓切割技術(shù)，在
2025-07-14 13:57:45465 所謂混合鍵合（hybrid bonding），指的是將兩片以上不相同的Wafer或Die通過金屬互連的混合鍵合工藝，來實現(xiàn)三維集成，在Hybrid Bonding前，2D，2.5D及3D封裝都是采用
2025-07-10 11:12:172714 
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()硅限幅器二極管、封裝和可鍵合芯片相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊，更有硅限幅器二極管、封裝和可鍵合芯片的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，硅限幅器二極管、封裝和可鍵合芯片真值表，硅限幅器二極管、封裝和可鍵合芯片管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2025-07-09 18:32:29
超薄晶圓因其厚度極薄，在切割時對振動更為敏感，易影響厚度均勻性。我將從分析振動對超薄晶圓切割的影響出發(fā)，探討針對性的振動控制技術(shù)和厚度均勻性保障策略。
超薄晶圓（
2025-07-09 09:52:03580 晶圓級封裝中，錫膏是實現(xiàn)電氣連接與機械固定的核心材料，廣泛應(yīng)用于凸點制作、植球工藝及芯片 - 基板互連等關(guān)鍵環(huán)節(jié)。主流采用 SAC 系、Sn-Cu 系、Sn-Bi 系等無鉛錫膏，需滿足高精度印刷、優(yōu)異潤濕性、高可靠性及低殘留等嚴苛要求。
2025-07-02 11:16:521059 
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道 半導(dǎo)體封裝技術(shù)正經(jīng)歷從傳統(tǒng)平面架構(gòu)向三維立體集成的革命性躍遷，其中銅 - 銅混合鍵合技術(shù)以其在互連密度、能效優(yōu)化與異構(gòu)集成方面的突破，成為推動 3D 封裝發(fā)展的核心
2025-06-29 22:05:131519 的工藝參數(shù)?！緫?yīng)用范圍】物理氣相沉積 (PVD)、原子層沉積 (ALD)、化學(xué)氣相沉積 (CVD)、退火爐、去膠設(shè)備、晶圓臨時鍵合、涂膠
2025-06-27 10:16:41
晶圓級扇出封裝（FO-WLP）通過環(huán)氧樹脂模塑料（EMC）擴展芯片有效面積，突破了扇入型封裝的I/O密度限制，但其技術(shù)復(fù)雜度呈指數(shù)級增長。
2025-06-05 16:25:572143 
在微電子行業(yè)飛速發(fā)展的背景下，封裝技術(shù)已成為連接芯片創(chuàng)新與系統(tǒng)應(yīng)用的核心紐帶。其核心價值不僅體現(xiàn)于物理防護與電氣/光學(xué)互聯(lián)等基礎(chǔ)功能，更在于應(yīng)對多元化市場需求的適應(yīng)性突破，本文著力介紹晶圓級扇入封裝，分述如下。
2025-06-03 18:22:201054 
所謂混合鍵合（hybrid bonding），指的是將兩片以上不相同的Wafer或Die通過金屬互連的混合鍵合工藝，來實現(xiàn)三維集成，在Hybrid Bonding前，2D，2.5D及3D封裝都是采用
2025-06-03 11:35:242031 
屬直接鍵合的先進封裝技術(shù)，其核心目標是實現(xiàn)芯片間高密度、低電阻的垂直互聯(lián)。 ? 在工藝過程中，需要經(jīng)過對準和鍵合、后鍵合處理等幾個流程。在對晶圓表面進行化學(xué)機械拋光（CMP）和清洗之后，通過光學(xué)或電子束對準系統(tǒng)實現(xiàn)亞微米級（通常 ?
2025-06-03 09:02:182691 通過退火優(yōu)化和應(yīng)力平衡技術(shù)控制。
3、彎曲度（Bow） 源于材料與工藝的對稱性缺陷，對多層堆疊和封裝尤為敏感，需在晶體生長和鍍膜工藝中嚴格調(diào)控。
在先進制程中，三者共同決定了晶圓的幾何完整性，是良率提升
2025-05-28 16:12:46
鴻合智遠｜興威帆電子：內(nèi)置晶振、小封裝的實時時鐘IC-SD
2025-05-28 10:01:36670 
WD4000系列Wafer晶圓厚度量測系統(tǒng)采用白光光譜共焦多傳感器和白光干涉顯微測量雙向掃描技術(shù)，完成非接觸式掃描并建立表面3D層析圖像，實現(xiàn)Wafer厚度、翹曲度、平面度、線粗糙度、總體厚度變化
2025-05-27 13:54:33
關(guān)鍵詞：鍵合晶圓；TTV 質(zhì)量；晶圓預(yù)處理；鍵合工藝；檢測機制 一、引言 在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，鍵合晶圓技術(shù)廣泛應(yīng)用于三維集成、傳感器制造等領(lǐng)域。然而，鍵合過程中諸多因素會導(dǎo)致晶圓總厚度偏差（TTV
2025-05-26 09:24:36850 
電池的集成。這一里程碑為封裝內(nèi)儲能解決方案鋪平了道路，助力實現(xiàn)更高效、緊湊且可靠的系統(tǒng)級封裝(SiP)設(shè)計。 革新儲能與先進封裝 這一突破性創(chuàng)新標志著SiP技術(shù)的重大飛躍。通過在晶圓層面嵌入ITEN的高性能固態(tài)電池，ITEN與A*STAR IME成功展示了利用先進封裝直接集成非易失
2025-05-22 13:08:59560 使用直接晶圓到晶圓鍵合來垂直堆疊芯片，可以將信號延遲降到可忽略的水平，從而實現(xiàn)更小、更薄的封裝，同時有助于提高內(nèi)存/處理器的速度并降低功耗。目前，晶圓堆疊和芯片到晶圓混合鍵合的實施競爭異常激烈，這被
2025-05-22 11:24:181405 
常規(guī)IC封裝需經(jīng)過將晶圓與IC封裝基板焊接，再將IC基板焊接至普通PCB的復(fù)雜過程。與之不同，WLP基于IC晶圓，借助PCB制造技術(shù)，在晶圓上構(gòu)建類似IC封裝基板的結(jié)構(gòu)，塑封后可直接安裝在普通PCB
2025-05-14 11:08:162420 
多芯片封裝在現(xiàn)代半導(dǎo)體領(lǐng)域至關(guān)重要，主要分為平面多芯片封裝和多芯片堆疊封裝。多芯片堆疊封裝又細分為多芯片3D堆疊引線鍵合封裝、3D堆疊引線鍵合和倒裝異質(zhì)封裝、3DTSV堆疊倒裝封裝等。
2025-05-14 10:39:541846 
我們看下一個先進封裝的關(guān)鍵概念——晶圓級封裝（Wafer Level Package，WLP）。
2025-05-14 10:32:301532 
英寸晶圓厚度約為670微米，8英寸晶圓厚度約為725微米，12英寸晶圓厚度約為775微米。盡管芯片功能層的制備僅涉及晶圓表面幾微米范圍，但完整厚度的晶圓更有利于保障復(fù)雜工藝的順利進行。直至芯片前制程完成后，晶圓才會進入封裝環(huán)節(jié)進行減薄處理。
2025-05-09 13:55:511975 圓片級封裝（WLP），也稱為晶圓級封裝，是一種直接在晶圓上完成大部分或全部封裝測試程序，再進行切割制成單顆組件的先進封裝技術(shù) 。WLP自2000年左右問世以來，已逐漸成為半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域的主流技術(shù)，深刻改變了傳統(tǒng)封裝的流程與模式。
2025-05-08 15:09:362067 
隨著半導(dǎo)體工藝復(fù)雜度提升，可靠性要求與測試成本及時間之間的矛盾日益凸顯。晶圓級可靠性（Wafer Level Reliability, WLR）技術(shù)通過直接在未封裝晶圓上施加加速應(yīng)力，實現(xiàn)快速
2025-05-07 20:34:21
Entegris 先進技術(shù)應(yīng)用資深處長陳柏嘉在SEMICON China 2025期間舉辦的先進材料論壇，發(fā)表了題為《整合式微污染控制在半導(dǎo)體制程中的關(guān)鍵角色》的主題演講。
2025-04-30 16:35:54847 在微組裝工藝中，化學(xué)鍍鎳鈀金（ENEPIG）工藝因其優(yōu)異的抗“金脆”和“黑焊盤”性能，成為高可靠性電子封裝的關(guān)鍵技術(shù)。然而，其鍵合強度的長期可靠性仍需系統(tǒng)驗證。本文科準測控小編將基于Alpha
2025-04-29 10:40:25945 
客戶對HBM的要求為增加帶寬、提高功率效率、提高集成度。混合鍵合就是可以滿足此類需求的技術(shù)。 ? 混合鍵合技術(shù)預(yù)計不僅可應(yīng)用于HBM，還可應(yīng)用于3D DRAM和NAND Flash。SK海力士副總裁姜志浩（音譯）表示，“目前的做法是分別創(chuàng)建DRAM單元區(qū)域和外圍區(qū)域，
2025-04-17 00:05:001060 芯片封裝作為半導(dǎo)體制造的核心環(huán)節(jié)，承擔(dān)著物理保護、電氣互連和散熱等關(guān)鍵功能。其中，鍵合技術(shù)作為連接裸芯片與外部材料的橋梁，直接影響芯片的性能與可靠性。當前，芯片封裝領(lǐng)域存在引線鍵合、倒裝芯片、載帶
2025-04-11 14:02:252627 
在摩爾定律逼近物理極限的當下，先進封裝技術(shù)正成為半導(dǎo)體行業(yè)突破性能瓶頸的關(guān)鍵路徑。以系統(tǒng)級封裝（SiP）、晶圓級封裝（WLP）、3D堆疊、Chiplet異構(gòu)集成為代表的顛覆性方案，正重新定義芯片性能
2025-04-10 14:36:311188 
芯片封裝是半導(dǎo)體制造的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，承擔(dān)著為芯片提供物理保護、電氣互連和散熱的功能，這其中的鍵合技術(shù)（Bonding）就是將晶圓芯片固定于基板上。
2025-04-10 10:15:382838 
近日，NVIDIA 宣布了 NVIDIA RTX 神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)渲染技術(shù)的突破性增強功能。NVIDIA 與微軟合作，將在 4 月的 Microsoft DirectX 預(yù)覽版中增加神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)著色技術(shù)，讓開
2025-04-07 11:33:36971 在芯片裸片制造完成后，芯片制造廠需要把其上不滿了裸片的晶圓送到芯片封測廠進行切割和封裝，并對芯片進行功能、性能和可靠性測試，最后在芯片封裝殼上打印公司商標、芯片型號等。至此，芯片的生產(chǎn)過程才算全部
2025-04-04 16:01:02
此前，2025年3月26日至28日，作為中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的重要參與者，太極半導(dǎo)體(蘇州)有限公司(以下簡稱：太極半導(dǎo)體)攜最新封測技術(shù)亮相SEMICON China 2025，以“聚勢啟新章、共鑄芯紀元”為主題，與全球伙伴共探行業(yè)新機遇。
2025-04-02 17:16:501343 此前，3月26日至28日，全球半導(dǎo)體行業(yè)盛會SEMICON/FPD China 2025在上海隆重舉辦。開幕式上，長電科技董事、首席執(zhí)行長，SEMI全球董事鄭力發(fā)表主題演講《開放協(xié)同，共建半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)新生態(tài)》。
2025-04-02 10:16:421183 近日，為期三天的半導(dǎo)體盛會——SEMICON China 2025在上海新國際博覽中心圓滿落幕。廣立微全面展示了其在EDA軟件、測試設(shè)備及良率提升的綜合創(chuàng)新能力，贏得了業(yè)內(nèi)的高度關(guān)注與贊譽。
2025-04-01 10:46:181302 
集成與電能管理四大技術(shù)板塊精彩亮相。通過全系列封裝設(shè)備矩陣及行業(yè)首發(fā)解決方案，奧芯明向全球展示了在封裝領(lǐng)域的突破性進展和本土化成果，彰顯了公司以創(chuàng)新提質(zhì)、助力中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展的堅定承諾與信心。 四大技術(shù)矩陣驚艷亮相 本屆展
2025-03-31 15:34:53889 
全球規(guī)模最大、規(guī)格最高、最具影響力及最新技術(shù)熱點全覆蓋的半導(dǎo)體“嘉年華”—SEMICON China 2025于近日在上海正式拉開帷幕，同期舉辦20多場會議和活動，匯聚全球芯片設(shè)計、制造、封測、設(shè)備、材料、光伏、顯示等全產(chǎn)業(yè)鏈芯力量。
2025-03-31 11:30:09953 近日，全球矚目的半導(dǎo)體“嘉年華”——SEMICON/FPD China 2025在上海開幕。長電科技董事、首席執(zhí)行長，SEMI全球董事鄭力出席開幕式并發(fā)表主題演講“開放協(xié)同，共建半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)新生態(tài)”。
2025-03-31 10:25:371016 隨著輕型可穿戴設(shè)備和先進數(shù)字終端設(shè)備的需求不斷增長，傳統(tǒng)晶圓逐漸無法滿足多層先進封裝（2.5D/3D堆疊）的需求。它們體積較大、重量重、且在高溫和大功率環(huán)境下表現(xiàn)欠佳，難以適應(yīng)行業(yè)的快速發(fā)展。如今
2025-03-28 20:13:59790 在SEMICON China 2025展會期間，中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司（以下簡稱“中微公司”，股票代碼“688012.SH”）宣布其自主研發(fā)的12英寸晶圓邊緣刻蝕設(shè)備Primo
2025-03-28 09:21:191192 隨著半導(dǎo)體工藝復(fù)雜度提升，可靠性要求與測試成本及時間之間的矛盾日益凸顯。晶圓級可靠性（Wafer Level Reliability, WLR）技術(shù)通過直接在未封裝晶圓上施加加速應(yīng)力，實現(xiàn)快速、低成本的可靠性評估，成為工藝開發(fā)的關(guān)鍵工具。
2025-03-26 09:50:161548 
每年一度的SEMICON China將于2025年3月26-28日在上海新國際博覽中心舉辦。同時，中國規(guī)模最大、最全面的年度半導(dǎo)體技術(shù)盛會——集成電路科學(xué)技術(shù)大會（CSTIC）2025也將于3月24-25日在上海國際會議中心召開。
2025-03-24 09:35:111340 芯片封裝是半導(dǎo)體制造的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，承擔(dān)著為芯片提供物理保護、電氣互連和散熱的功能，這其中的鍵合技術(shù)就是將裸芯片與外部材料連接起來的方法。鍵合可以通俗的理解為接合，對應(yīng)的英語表達是Bonding，音譯
2025-03-22 09:45:315448 
環(huán)球儀器與母公司臺達電子將在3月26-28日于上海舉行的SEMICON China 2025展會上，展示五大半導(dǎo)體自動化解決方案，提高生產(chǎn)效率。
2025-03-21 10:06:13941 全新強力鍵合腔室設(shè)計,賦能更大尺寸晶圓高均勻性鍵合與量產(chǎn)良率提升 2025年3月18日,奧地利圣弗洛里安 —全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體創(chuàng)新工藝解決方案和專業(yè)知識提供商,為前沿和未來的半導(dǎo)體設(shè)計和芯片集成
2025-03-20 09:07:58889 
SEMICON China 2025 將于3月26-28日在 上海新國際博覽中心隆重登場。作為全球半導(dǎo)體行業(yè)的頂尖盛會，展會匯聚超過1000家全球知名企業(yè)，覆蓋芯片設(shè)計、制造、封裝測試、設(shè)備、材料等全產(chǎn)業(yè)鏈，展覽面積達90000平方米，同期舉辦20多場高質(zhì)量論壇和活動。
2025-03-13 11:37:451099 金絲鍵合主要依靠熱超聲鍵合技術(shù)來達成。熱超聲鍵合融合了熱壓鍵合與超聲鍵合兩者的長處。通常情況下，熱壓鍵合所需溫度在300℃以上，而在引入超聲作用后，熱超聲鍵合所需溫度可降至200℃以下。如此一來
2025-03-12 15:28:383656 
2025年3月11日，香港——中國半導(dǎo)體鍵合集成技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先企業(yè)青禾晶元半導(dǎo)體科技（集團）有限責(zé)任公司（簡稱“青禾晶元”）宣布，正式推出全球首臺C2WW2W雙模式混合鍵合設(shè)備SAB8210CWW上
2025-03-12 13:43:561036 
3月26-28日，2025 SEMICON China即將在上海新國際博覽中心隆重開幕。屆時，概倫電子將攜應(yīng)用驅(qū)動的半導(dǎo)體參數(shù)測試平臺和解決方案亮相，現(xiàn)場還將全新發(fā)布先進寬帶噪聲分析儀9812HF，刷新半導(dǎo)體測試標準。誠邀您蒞臨概倫展臺，共同見證半導(dǎo)體量測技術(shù)的突破創(chuàng)新。
2025-03-11 15:58:28821 鍵合技術(shù)主要分為直接鍵合和帶有中間層的鍵合。直接鍵合如硅硅鍵合，陽極鍵合等鍵合條件高，如高溫、高壓等。而帶有中間層的鍵合，所需的溫度更低，壓力也更小。帶金屬的中間層鍵合技術(shù)主要包括共晶鍵合、焊料鍵合、熱壓鍵合和反應(yīng)鍵合等。本文主要對共晶鍵合進行介紹。
2025-03-04 17:10:522627 
金屬共晶鍵合是利用金屬間的化學(xué)反應(yīng)，在較低溫度下通過低溫相變而實現(xiàn)的鍵合，鍵合后的金屬化合物熔點高于鍵合溫度。該定義更側(cè)重于從材料科學(xué)的角度定義。
2025-03-04 14:14:411921 
經(jīng)過半年的測試，普萊信智能和某頂級封裝廠就其巨量轉(zhuǎn)移式板級封裝設(shè)備（FOPLP）設(shè)備XBonder Pro達成戰(zhàn)略合作協(xié)議，這將是巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)在IC封裝領(lǐng)域第一次規(guī)?；膽?yīng)用，將掀起晶圓級封裝和板級
2025-03-04 11:28:051186 
隨著半導(dǎo)體技術(shù)的飛速發(fā)展，晶圓級封裝（WLP）作為先進封裝技術(shù)的重要組成部分，正逐漸成為集成電路封裝的主流趨勢。在晶圓級封裝過程中，Bump工藝扮演著至關(guān)重要的角色。Bump，即凸塊，是晶圓級封裝中
2025-03-04 10:52:574978 
銅引線鍵合由于在價格、電導(dǎo)率和熱導(dǎo)率等方面的優(yōu)勢有望取代傳統(tǒng)的金引線鍵合, 然而 Cu/Al 引線鍵合界面的金屬間化合物 (intermetallic compounds, IMC) 的過量生長將增大接觸電阻和降低鍵合強度, 從而影響器件的性能和可靠性。
2025-03-01 15:00:092398 
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道，據(jù)韓媒報道，三星近日與長江存儲簽署了3D NAND混合鍵合專利許可協(xié)議，從第10代V-NAND開始，將使用長江存儲的專利技術(shù)，特別是在“混合鍵合”技術(shù)方面。 ? W2W技術(shù)是指
2025-02-27 01:56:001037 
3D-IC通過采用TSV（Through-Silicon Via，硅通孔）技術(shù)，實現(xiàn)了不同層芯片之間的垂直互連。這種設(shè)計顯著提升了系統(tǒng)集成度，同時有效地縮短了互連線的長度。這樣的改進不僅降低了信號傳輸?shù)难訒r，還減少了功耗，從而全面提升了系統(tǒng)的整體性能。
2025-02-21 15:57:022460 
(InFO) 封裝這樣的 3D 扇出封裝方法，則更側(cè)重于手機等大規(guī)模消費應(yīng)用。此外，所有主流設(shè)計公司、晶圓代工廠和封測代工廠 (OSAT) 都在投資新一代技術(shù)——使用硅通孔 (TSV) 和混合鍵合的真正裸片堆疊。
2025-02-20 11:36:561271 
的關(guān)鍵技術(shù)之一，它不僅能夠保護MEMS器件免受外部環(huán)境的影響，還能提高器件的性能和可靠性。Au-Sn共晶鍵合技術(shù)作為一種先進的封裝技術(shù)，在MEMS氣密性封裝中展現(xiàn)出
2025-01-23 10:30:522886 
扇出型晶圓級中介層封裝（ FOWLP）以及封裝堆疊（Package-on-Package, PoP）設(shè)計在移動應(yīng)用中具有許多優(yōu)勢，例如低功耗、短信號路徑、小外形尺寸以及多功能的異構(gòu)集成。此外，它還
2025-01-22 14:57:524507 
突破性CPO架構(gòu)為人工智能領(lǐng)域的發(fā)展注入新的活力，也促使我們深入探究CPO技術(shù)給互連產(chǎn)品究竟會帶來怎樣的影響。 1 月 6 日，美國芯片大廠Marvell宣布重大突破，將共封裝光學(xué)架構(gòu)(CPO
2025-01-17 15:00:121348 
。 2.5D封裝將die拉近，并通過硅中介連接。3D封裝實際上采用2.5D封裝，進一步垂直堆疊die，使die之間的連接更短。通過這種方式直接集成IC，IC間通信接口通?？梢詼p少或完全消除。這既可以提高性能，又可以減輕重量和功耗。 這種封裝的復(fù)雜性需要新穎的封裝和測試技術(shù)。 了解2.5D封裝與3
2025-01-14 10:41:332902 
???? 本文主要介紹功率器件晶圓測試及封裝成品測試。?????? ? 晶圓測試（CP）???? 如圖所示為典型的碳化硅晶圓和分立器件電學(xué)測試的系統(tǒng)，主要由三部分組成，左邊為電學(xué)檢測探針臺阿波羅
2025-01-14 09:29:132358 
混合鍵合技術(shù)（下） 先進封裝技術(shù)（Semiconductor Advanced Packaging） - 3 Chiplet 異構(gòu)集成（上） 先進封裝技術(shù)（Semiconductor
2025-01-08 11:17:013031 
隨著半導(dǎo)體技術(shù)的飛速發(fā)展，晶圓級封裝（Wafer Level Packaging, WLP）作為一種先進的封裝技術(shù)，正逐漸在集成電路封裝領(lǐng)域占據(jù)主導(dǎo)地位。晶圓級封裝技術(shù)以其高密度、高可靠性、小尺寸
2025-01-07 11:21:593190 
生電子共享或原子的相互擴散，從而使兩種金屬間實現(xiàn)原子量級上的鍵合。圖1在IC封裝中，芯片和引線框架（基板）的連接為電源和信號的分配提供了電路連接。有三種方式實現(xiàn)內(nèi)部連
2025-01-06 12:24:101964 
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