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賽維LDK如何在多晶硅產(chǎn)業(yè)占據(jù)話語權(quán)

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2025-12-24 17:37:21795

多晶 SA5T-200亮點(diǎn)前瞻 國產(chǎn)FPGA顛覆性新品

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2025 RISC-V產(chǎn)業(yè)發(fā)展大會(huì) | 昉科技全景展示規(guī)?;逃贸晒?/a>

航裕電源HY-SMU 3000源測(cè)量單元產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)

在高端源測(cè)量單元(SMU)領(lǐng)域,進(jìn)口設(shè)備曾長(zhǎng)期占據(jù)技術(shù)話語權(quán),讓國內(nèi)科研與工業(yè)領(lǐng)域面臨 “高價(jià)采購、售后滯后、技術(shù)受限” 的三重困境。航裕電源HY-SMU 3000以國產(chǎn)身份+國際級(jí)性能,成為打破壟斷的破局者,為國內(nèi)科研與工業(yè)領(lǐng)域省下巨額成本的同時(shí),更帶來技術(shù)自主可控的安全感。
2025-11-19 14:11:36531

12寸晶圓的制造工藝是什么

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2025-10-22 09:13:23742

紅外傳感器技術(shù):微測(cè)輻射熱計(jì)解析

微測(cè)輻射熱計(jì)(Microbolometer)是一種基于MEMS工藝制造的非制冷型紅外傳感器,通過探測(cè)物體輻射的紅外線實(shí)現(xiàn)溫度測(cè)量與熱成像。其核心原理是利用熱敏材料(如氧化釩、多晶硅)的電阻隨溫度變化的特性,將紅外輻射能轉(zhuǎn)換為電信號(hào),最終形成熱圖像。
2025-10-22 09:11:56791

重塑話語權(quán):新時(shí)達(dá)硬核技術(shù)為中國半導(dǎo)體制造打通自主可控關(guān)鍵鏈路

等關(guān)鍵生產(chǎn)環(huán)節(jié),幾乎完全依賴進(jìn)口設(shè)備。國際廠商憑借數(shù)十年技術(shù)積累與全生態(tài)壟斷優(yōu)勢(shì),牢牢占據(jù)全球90%以上的市場(chǎng)份額,形成了難以突破的技術(shù)壁壘與市場(chǎng)壁壘,成為制約中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)向高端邁進(jìn)的“隱形枷鎖”。 ? 近年來
2025-10-16 17:05:551726

聲智科技多語種AI翻譯耳機(jī)亮相中美產(chǎn)業(yè)交流會(huì)

近日,由商務(wù)部投資促進(jìn)事務(wù)局與北京市海淀區(qū)人民政府聯(lián)合主辦的“共赴新未來——中美地方產(chǎn)業(yè)交流會(huì)”在北京中關(guān)村展示中心成功舉辦。聲智科技作為人工智能與聲學(xué)融合領(lǐng)域的領(lǐng)先企業(yè),應(yīng)邀參會(huì)并展示了其面向全球市場(chǎng)的AI聲學(xué)產(chǎn)品矩陣,彰顯出中國科技企業(yè)在“出?!边^程中日益增強(qiáng)的技術(shù)話語權(quán)與生態(tài)整合能力。
2025-10-14 09:09:30607

工博會(huì)具身智能產(chǎn)業(yè)發(fā)展論壇在滬舉行:RT-Thread睿德以操作系統(tǒng)重構(gòu)機(jī)器人開發(fā)新范式|新聞速遞

9月24日,上海工博會(huì)系列論壇之一的“具身智能產(chǎn)業(yè)發(fā)展論壇”成功舉辦。論壇匯聚了來自中國電信、兆易創(chuàng)新、智元機(jī)器人、RT-Thread睿德等產(chǎn)業(yè)鏈上下游企業(yè)的專家代表,論壇圍繞“AI+機(jī)器人
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面向基產(chǎn)線:二半導(dǎo)體接觸電阻的性能優(yōu)化

隨著基集成電路進(jìn)入后摩爾時(shí)代,二過渡金屬硫化物(TMDCs,如MoS?、WS?)憑借原子級(jí)厚度、優(yōu)異的開關(guān)特性和無懸掛鍵界面,成為下一代晶體管溝道材料的理想選擇。然而,金屬電極與二半導(dǎo)體間
2025-09-29 13:44:311508

谷東智能AR光學(xué)模組的性能突破與商業(yè)化優(yōu)勢(shì)

當(dāng)前,AR行業(yè)正圍繞光波導(dǎo)技術(shù)展開新一輪競(jìng)爭(zhēng)。微軟、Meta、蘋果等國際巨頭持續(xù)加碼,積極布局下一代光學(xué)方案,爭(zhēng)奪話語權(quán)。
2025-09-25 15:34:21594

再生晶圓和普通晶圓的區(qū)別

再生晶圓與普通晶圓在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中扮演著不同角色,二者的核心區(qū)別體現(xiàn)在來源、制造工藝、性能指標(biāo)及應(yīng)用場(chǎng)景等方面。以下是具體分析:定義與來源差異普通晶圓:指全新生產(chǎn)的基材料,由高純度多晶硅經(jīng)拉單晶
2025-09-23 11:14:55771

汽車產(chǎn)業(yè)的“中國時(shí)間”到了!工博會(huì)重磅圓桌即將開啟|活動(dòng)預(yù)告

中國國際工業(yè)博覽會(huì)?國際工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)大會(huì)產(chǎn)業(yè)鏈五大關(guān)鍵環(huán)節(jié)領(lǐng)袖齊聚上海,共探汽車生態(tài)協(xié)同破局之道這是一個(gè)歷史性的時(shí)刻。中國智能電動(dòng)車全球市場(chǎng)占比突破68%,但我們是否真正掌握了產(chǎn)業(yè)的核心話語權(quán)?當(dāng)
2025-09-19 19:24:28743

一文詳解半導(dǎo)體與CMOS工藝

天然沙子里富含二氧化硅(SiO?),人們能夠從沙子中提取高純度單晶,以此制造集成電路。單晶對(duì)純度要求極高,需達(dá)到99.9999999%(即9個(gè)9)以上,且原子需按照金剛石結(jié)構(gòu)排列形成晶核。當(dāng)晶核的晶面取向一致時(shí),就能形成單晶;若晶面取向不同,則會(huì)形成多晶硅(Polysilicon)。
2025-09-17 16:13:57987

《AI芯片:科技探索與AGI愿景》—— 勾勒計(jì)算未來的戰(zhàn)略羅盤

好奇的讀者。它告訴我們,AI芯片的競(jìng)爭(zhēng)不僅是技術(shù)競(jìng)賽,更是一場(chǎng)關(guān)于未來智能社會(huì)話語權(quán)的戰(zhàn)略博弈。這本書是一部能夠激發(fā)深度思考、拓寬認(rèn)知邊界的啟思之作。
2025-09-17 09:32:39

圖新晉級(jí)2025全國智能駕駛測(cè)試總決賽

2025智能網(wǎng)聯(lián)新能源汽車大賽暨全國智能駕駛測(cè)試(重慶站)于2025年9月在重慶機(jī)動(dòng)車強(qiáng)檢試驗(yàn)場(chǎng)舉辦。通過專家評(píng)審和現(xiàn)場(chǎng)測(cè)試等環(huán)節(jié),四圖新SA8620P方案獲評(píng)優(yōu)秀自動(dòng)駕駛量產(chǎn)解決方案獎(jiǎng),成功晉級(jí)總決賽。四圖新已連續(xù)三年在該賽事中斬獲榮譽(yù)。
2025-09-16 17:10:211065

多晶亮相2025中國光博會(huì)

第二十六屆中國國際光電博覽會(huì)(CIOE)在深圳圓滿落幕,匯聚全球光電產(chǎn)業(yè)精英。西安智多晶微電子有限公司積極融入這一行業(yè)盛會(huì),與業(yè)界同仁共話發(fā)展新機(jī)遇。
2025-09-15 10:10:15645

政策賦能產(chǎn)業(yè)升級(jí),視智造攜手高校共育智能制造新人才

政策引領(lǐng)產(chǎn)業(yè)升級(jí),視智造助力,共育智能制造新人才。陜西視智造,以技術(shù)賦能產(chǎn)教融合,填補(bǔ)人才缺口驅(qū)動(dòng)智造升級(jí)。視智造攜手高校,借政策東風(fēng),共筑智能制造全國競(jìng)爭(zhēng)力新賽道。
2025-09-12 10:38:13575

何在多晶FPGA上使用MIPI接口

大家好呀!今天我們來聊聊一個(gè)非常實(shí)用的話題——如何在多晶FPGA上使用MIPI接口。不管是做攝像頭圖像采集還是屏幕顯示控制,MIPI都是非常常見的接口標(biāo)準(zhǔn)。掌握了它,你的視頻項(xiàng)目開發(fā)效率將大大提升!
2025-09-11 09:37:25897

多晶亮相elexcon 2025深圳國際電子展

近日,在深圳(福田)會(huì)展中心舉辦的ELEXCON 2025深圳國際電子展,吸引了全球400多家頂尖技術(shù)企業(yè)齊聚一堂,共同呈現(xiàn)全球電子產(chǎn)業(yè)的最新動(dòng)態(tài)與未來技術(shù)走向。在這場(chǎng)科技盛宴中,智多晶憑借其出色的產(chǎn)品品質(zhì)與創(chuàng)新能力,成為展會(huì)焦點(diǎn),吸引了眾多專業(yè)觀眾駐足交流。
2025-09-02 15:12:25973

ESG等于入場(chǎng)券?連接器大廠布局邏輯何在?

供應(yīng)鏈管理獲評(píng)“中國企業(yè)ESG100指數(shù)”;中航光電被評(píng)為“ESG央企五十強(qiáng)”…… 這些曾被視作“傳統(tǒng)制造”的連接器企業(yè),正以ESG為支點(diǎn),撬動(dòng)全球產(chǎn)業(yè)鏈的話語權(quán)。 ESG(環(huán)境、社會(huì)與治理)并非新鮮概念,從為下游服務(wù)的角度看,所謂ESG實(shí)則是連接器企業(yè)與下游產(chǎn)業(yè)鏈的“協(xié)作
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IPD80R1K4CE-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)MOS管

能力和7A的漏極電流承受能力,采用SJ_Multi-EPI(多晶硅技術(shù))制造,提供可靠的開關(guān)性能。其導(dǎo)通電阻為770mΩ @ VGS=10V,適用于各種需要高電壓
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IPD65R950C6-VB一款TO220封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)MOS管

極耐壓能力和7A的漏極電流能力,適合在嚴(yán)苛的高電壓環(huán)境中使用。其基于SJ_Multi-EPI(多晶硅技術(shù))制造,具有較低的導(dǎo)通電阻(RDS(ON)為750mΩ @
2025-08-27 14:01:53

IPD60R380P6-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)MOS管

和11A的漏極電流能力,專為高電壓、高功率應(yīng)用設(shè)計(jì)。它采用SJ_Multi-EPI(多晶硅技術(shù))制造,具有較低的導(dǎo)通電阻(RDS(ON)為370mΩ @ VGS=10
2025-08-27 11:13:21

IPD50R1K4CE-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)MOS管

的漏極-源極耐壓能力和高達(dá)5A的漏極電流承載能力。其基于SJ_Multi-EPI(多晶硅技術(shù))技術(shù)制造,具有穩(wěn)定的性能和較高的開關(guān)效率。適用于需要高耐壓和可靠性的
2025-08-27 10:44:37

2025 EDA精英挑戰(zhàn)華大九天題發(fā)布

中國研究生創(chuàng)“ 芯 ” 大賽·EDA精英挑戰(zhàn)(以下簡(jiǎn)稱EDA精英挑戰(zhàn))是由教育部學(xué)位管理與研究生教育司指導(dǎo),中國學(xué)位與研究生教育學(xué)會(huì)、中國科協(xié)青少年科技中心主辦的“ 中國研究生創(chuàng)‘芯 ’大賽
2025-08-26 15:00:481452

在TR組件優(yōu)化與存算一體架構(gòu)中構(gòu)建技術(shù)話語權(quán)

一、技術(shù)縱深:從模塊化開發(fā)到架構(gòu)設(shè)計(jì)的能力躍遷 1.1 射頻前端技術(shù)演進(jìn)與能力認(rèn)證 在5G毫米波頻段下,TR組件的性能直接決定了通信系統(tǒng)的靈敏度。當(dāng)前業(yè)界領(lǐng)先的解決方案是通過: 砷化鎵(GaAs)與氮化鎵(GaN)的混合集成技術(shù) 基于機(jī)器學(xué)習(xí)的阻抗匹配算法優(yōu)化 3D封裝帶來的空間利用率提升 某頭部企業(yè)技術(shù)總監(jiān)指出:"能夠獨(dú)立完成28GHz頻段TR模塊設(shè)計(jì)的工程師,必須通過包括電磁兼容性、熱管理在內(nèi)的12項(xiàng)專業(yè)能力評(píng)估。"這種評(píng)估體系,正是行業(yè)對(duì)
2025-08-26 10:41:32659

在TR組件優(yōu)化與存算一體架構(gòu)中構(gòu)建技術(shù)話語權(quán)

需要掌握HBM2e接口協(xié)議 類腦計(jì)算要求理解脈沖神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)(SNN) 光子計(jì)算涉及基光電子集成技術(shù) 參與某國家級(jí)AI芯片項(xiàng)目的團(tuán)隊(duì)透露,核心研發(fā)人員均具備\"處理器架構(gòu)師\"
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2025 EDA精英挑戰(zhàn)紫光同創(chuàng)題發(fā)布

中國研究生創(chuàng)“ 芯 ” 大賽·EDA精英挑戰(zhàn)(以下簡(jiǎn)稱EDA精英挑戰(zhàn))是由教育部學(xué)位管理與研究生教育司指導(dǎo),中國學(xué)位與研究生教育學(xué)會(huì)、中國科協(xié)青少年科技中心主辦的“ 中國研究生創(chuàng)‘芯 ’大賽
2025-08-25 09:40:181434

多晶LLCR技術(shù)的工作原理和應(yīng)用場(chǎng)景

工程師朋友們注意啦!今天要給大家安利一項(xiàng)FPGA領(lǐng)域的黑科技——西安智多晶微電子推出的LLCR(LVDS Local Clock Receiving)技術(shù),使用本地PLL產(chǎn)生高速時(shí)鐘,通過相位跟蹤,對(duì)接收的LVDS信號(hào)進(jìn)行實(shí)時(shí)跟蹤,實(shí)現(xiàn)LVDS數(shù)據(jù)接收。
2025-08-25 09:17:21658

多晶SerDes 2.0 IP介紹

為了滿足用戶對(duì)SerDes日益增漲和多樣化的要求。智多晶SerDes IP推出了2.0版本的升級(jí),本次升級(jí)相比1.0版本主要帶來了以下的變化。
2025-08-16 15:32:401115

圖新榮登2025地理信息產(chǎn)業(yè)百強(qiáng)企業(yè)榜單

日前,由中國地理信息產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)評(píng)定的2025地理信息產(chǎn)業(yè)百強(qiáng)企業(yè)等三大榜單正式揭曉。在公示期內(nèi),憑借在地理信息領(lǐng)域的貢獻(xiàn)以及產(chǎn)業(yè)引領(lǐng)能力,四圖新位列2025地理信息產(chǎn)業(yè)百強(qiáng)企業(yè)第一名。
2025-08-07 17:57:021698

多晶AXI視頻通訊DEMO方案介紹

在圖像與視頻處理領(lǐng)域,靈活、高效、低延遲的解決方案一直是行業(yè)追求的目標(biāo)。西安智多晶微電子有限公司推出的AXI視頻通訊DEMO方案,基于智多晶SA5Z-30-D1-8U213C FPGA器件,通過
2025-08-07 13:57:535648

微電子MEMS晶振通過驗(yàn)證并啟動(dòng)試產(chǎn),半導(dǎo)體領(lǐng)域再添新動(dòng)能

8 月 1 日,微電子發(fā)布公告稱,其控股子公司萊克斯微系統(tǒng)科技(北京)有限公司(以下簡(jiǎn)稱 “萊克斯北京”)代工制造的某款 MEMS 晶振產(chǎn)品已成功通過客戶驗(yàn)證,并正式收到采購訂單,目前已啟動(dòng)
2025-08-06 16:54:34792

液冷超充與800V高壓對(duì)決——2025快充連接器技術(shù)路線之爭(zhēng)

系統(tǒng)能效躍升。技術(shù)路線分化的背后,是企業(yè)對(duì)核心能力、成本控制與標(biāo)準(zhǔn)話語權(quán).的全方位博弈。 一、技術(shù)路線分化與核心能力要求 技術(shù)路線 核心優(yōu)勢(shì) 關(guān)鍵技術(shù)特征 瓶頸與挑戰(zhàn) 典型案例/指標(biāo) 企業(yè)能力門檻 液冷超充 高效熱管理 液冷循環(huán)系統(tǒng)驅(qū)動(dòng)
2025-07-30 10:21:442016

先進(jìn)裝備制造龍頭泉峰科技攜手盤古信息啟動(dòng)EAM&IIoT項(xiàng)目,引領(lǐng)行業(yè)新高度

泉峰科技與盤古信息的攜手,不僅在打造一座更智能的工廠,更在培育一種適應(yīng)未來的制造基因。當(dāng)這種基因在更多企業(yè)生根發(fā)芽,中國制造業(yè)必將在全球產(chǎn)業(yè)鏈中書寫更具話語權(quán)的新篇章。
2025-07-24 16:47:04463

“開源+AI”賦能萬物智聯(lián):RT-Thread睿德亮相“上海巷”暢談國產(chǎn)操作系統(tǒng) | 新聞速遞

7月17日,由上海市長(zhǎng)寧區(qū)科學(xué)技術(shù)委員會(huì)、上海市長(zhǎng)寧區(qū)科學(xué)技術(shù)協(xié)會(huì)聯(lián)合主辦的第三屆上海巷“創(chuàng)新說”系列活動(dòng)成功舉辦?;顒?dòng)中RT-Thread睿德與上海開源信息技術(shù)協(xié)會(huì)、上海新微科技集團(tuán)有限公司等
2025-07-22 19:50:371556

PECVD硼發(fā)射極與poly-Si鈍化接觸共退火,實(shí)現(xiàn)高效TOPCon電池

TOPCon電池憑借背面超薄SiO?/多晶硅疊層的優(yōu)異鈍化性能,成為n型電池主流工藝。然而傳統(tǒng)硼擴(kuò)散工藝成本較高。本研究提出創(chuàng)新解決方案:PECVD單側(cè)沉積+同步退火集成工藝,正面:PECVD沉積
2025-07-14 09:03:211133

聚智姑蘇,共筑基光電子產(chǎn)業(yè)新篇 — “基光電子技術(shù)及應(yīng)用”暑期學(xué)校圓滿落幕!

成功舉辦。本屆活動(dòng)作為國內(nèi)基光電子領(lǐng)域極具影響力的高端人才培育平臺(tái),吸引了來自全國頂尖高校、知名科研院所及產(chǎn)業(yè)界近200位精英學(xué)員參與,聚焦基光電子技術(shù)前沿突
2025-07-11 17:01:271013

再定三項(xiàng)電力儲(chǔ)能國際標(biāo)準(zhǔn),中國開始掌握儲(chǔ)能話語權(quán)

電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 近日,由我國牽頭制定的電力儲(chǔ)能領(lǐng)域《電力儲(chǔ)能系統(tǒng)第2—3部分電力儲(chǔ)能系統(tǒng)運(yùn)行性能測(cè)試》《電力儲(chǔ)能系統(tǒng)第3—200部分電化學(xué)儲(chǔ)能系統(tǒng)設(shè)計(jì)原則》《電力儲(chǔ)能系統(tǒng)第4—2部分電池故障的環(huán)境影響評(píng)估》3項(xiàng)國際標(biāo)準(zhǔn)正式發(fā)布。 ? 三項(xiàng)標(biāo)準(zhǔn)覆蓋了儲(chǔ)能系統(tǒng)運(yùn)行性能測(cè)試(IEC 62640-2-3)、電化學(xué)設(shè)計(jì)原則(IEC 62640-3-200)、電池故障環(huán)境影響評(píng)估(IEC 62640-4-2),首次構(gòu)建了儲(chǔ)能全鏈條國際標(biāo)準(zhǔn)體系。此前國際標(biāo)準(zhǔn)在性能動(dòng)態(tài)評(píng)估、環(huán)境
2025-07-10 00:14:003358

電池亮相2025高工儲(chǔ)能產(chǎn)業(yè)峰會(huì)

高質(zhì)量快速發(fā)展,德電池憑借行業(yè)領(lǐng)先的技術(shù)實(shí)力與全球化項(xiàng)目實(shí)踐,在2025高工儲(chǔ)能產(chǎn)業(yè)TOP50企業(yè)的頒獎(jiǎng)典禮上,榮膺2025高工儲(chǔ)能產(chǎn)業(yè)“儲(chǔ)能電池·系統(tǒng)榜單TOP10”的榮譽(yù)。
2025-07-09 11:27:491344

元彈簧觸摸無反應(yīng)

元彈簧觸摸,調(diào)試的時(shí)候都可以通過,但單獨(dú)運(yùn)行的時(shí)候,一會(huì)有反應(yīng),一會(huì)無反應(yīng),代碼只加了一個(gè)定時(shí)功能
2025-07-08 13:21:19

多晶硅在芯片制造中的作用

在芯片的納米世界中,多晶硅(Polycrystalline Silicon,簡(jiǎn)稱Poly-Si) 。這種由無數(shù)微小晶粒組成的材料,憑借其可調(diào)的電學(xué)性能與卓越的工藝兼容性,成為半導(dǎo)體制造中不可或缺的“多面手”。
2025-07-08 09:48:112965

2025智多晶FPGA技術(shù)研討會(huì)成功舉辦

近日,“2025智多晶FPGA技術(shù)研討會(huì)”在武漢成功舉辦。本次交流會(huì)以“智繪新篇 晶質(zhì)領(lǐng)航”為主題,智多晶專業(yè)技術(shù)團(tuán)隊(duì)在會(huì)上揭曉了公司匠心打造的多款FPGA芯片新產(chǎn)品、多項(xiàng)新應(yīng)用方案。
2025-07-01 18:21:072533

多晶VBO_TX IP產(chǎn)品核心亮點(diǎn)

在當(dāng)今數(shù)字化世界中,視頻數(shù)據(jù)的高速傳輸對(duì)于眾多電子設(shè)備和應(yīng)用場(chǎng)景至關(guān)重要。智多晶微電子有限公司推出的 VBO_TX IP(基于 V-by-One HS Standard_Ver 1.4 版本協(xié)議技術(shù)標(biāo)準(zhǔn))為這一需求提供了一種高性能、低功耗的解決方案。
2025-07-01 09:46:03849

TOPCon電池poly-Si層的沉積摻雜工序提效優(yōu)化

TOPCon技術(shù)通過超薄SiO?和磷摻雜多晶硅(n?-poly-Si)層實(shí)現(xiàn)載流子選擇性傳輸,理論效率可達(dá)28.7%。然而,poly-Si層厚度存在矛盾:過厚層(>100nm)增加寄生吸收損失,過薄層(
2025-06-27 09:02:152880

基于厚度梯度設(shè)計(jì)的TOPCon多晶硅指狀結(jié)構(gòu),實(shí)現(xiàn)25.28%量產(chǎn)效率突破

隧穿氧化層鈍化接觸(TOPCon)技術(shù)作為當(dāng)前太陽能電池領(lǐng)域的核心技術(shù)之一,憑借其優(yōu)異的背面鈍化性能,在工業(yè)生產(chǎn)中實(shí)現(xiàn)了廣泛應(yīng)用。然而,多晶硅薄膜材料固有的窄帶隙和高吸收系數(shù)特性,導(dǎo)致其在
2025-06-23 09:03:08946

新知|中國制裁的美國11家無人機(jī)公司都生產(chǎn)哪些產(chǎn)品

隨著美國總統(tǒng)特朗普的就任,中美兩國在各方面的分歧進(jìn)一步加深,相互制裁已經(jīng)是家常便飯。但是與以往不同的是,在無人機(jī)等科技領(lǐng)域,中國的話語權(quán)正在加大。中國有完善的無人機(jī)產(chǎn)業(yè)鏈,讓美國本土的無人機(jī)制造公司
2025-06-23 07:06:301573

博泰車聯(lián)網(wǎng)亮相2025軒轅汽車藍(lán)皮書論壇

近日,在第十七屆軒轅汽車藍(lán)皮書論壇的圓桌對(duì)話環(huán)節(jié),博泰車聯(lián)網(wǎng)創(chuàng)始人、董事長(zhǎng)應(yīng)宜倫與行業(yè)專家共議“AI+為汽車產(chǎn)品帶來的新場(chǎng)景”。應(yīng)宜倫指出:“AI不是簡(jiǎn)單的功能疊加,而是重構(gòu)汽車價(jià)值鏈的體驗(yàn)革命引擎。唯有將技術(shù)轉(zhuǎn)化為用戶可感知的價(jià)值,才能具備定義下一代汽車的話語權(quán)?!?/div>
2025-06-18 15:52:58743

圓滿收官!科士達(dá)全場(chǎng)景光儲(chǔ)生態(tài)點(diǎn)燃全球追光者盛宴

涌動(dòng),洽談火爆,充分彰顯了科士達(dá)在全球清潔能源市場(chǎng)的品牌影響力與技術(shù)話語權(quán)?,F(xiàn)在,讓我們一起按下“重播鍵”,穿越人海,重溫高光時(shí)刻!硬核產(chǎn)品矩陣:全場(chǎng)景光儲(chǔ)生態(tài)驅(qū)動(dòng)綠色
2025-06-18 09:56:40897

TOPCon電池鋁觸點(diǎn)工藝:接觸電阻率優(yōu)化實(shí)現(xiàn)23.7%效率

隨著TOPCon太陽能電池市占率突破50%,其雙面銀漿消耗量(12–15mg/W)導(dǎo)致生產(chǎn)成本激增。本研究提出以鋁漿替代背面銀觸點(diǎn),通過材料配方革新與工藝優(yōu)化,解決鋁/多晶硅界面過度合金化問題。研究
2025-06-18 09:02:591144

多晶PLL使用注意事項(xiàng)

在FPGA設(shè)計(jì)中,PLL(鎖相環(huán))模塊作為核心時(shí)鐘管理單元,通過靈活的倍頻、分頻和相位調(diào)整功能,為系統(tǒng)提供多路高精度時(shí)鐘信號(hào)。它不僅解決了時(shí)序同步問題,還能有效消除時(shí)鐘偏移,提升系統(tǒng)穩(wěn)定性。本文將深入探討智多晶PLL在實(shí)際應(yīng)用中的關(guān)鍵注意事項(xiàng),幫助工程師規(guī)避常見設(shè)計(jì)風(fēng)險(xiǎn)。
2025-06-13 16:37:441354

世界首臺(tái)非材料計(jì)算機(jī)問世 二材料是什么?二材料的核心特征解讀

據(jù)外媒報(bào)道;美國賓夕法尼亞州立大學(xué)團(tuán)隊(duì)在《自然》雜志發(fā)表研究成果,首次利用原子級(jí)厚度的二材料(非)成功研制出功能完整的計(jì)算機(jī),標(biāo)志著新型電子設(shè)備開發(fā)的重要進(jìn)展。這是一項(xiàng)突破性成果;首次利用二
2025-06-12 15:25:321424

工信部第三屆能源電子產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新大賽|御芯微承辦WIoTa能源物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用專題

各有關(guān)單位:第三屆能源電子產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新大賽暨第四屆先進(jìn)儲(chǔ)能技術(shù)創(chuàng)新挑戰(zhàn)(以下簡(jiǎn)稱“大賽”)定于2025年7月至2025年12月舉行,有關(guān)事項(xiàng)通知如下:大賽背景為貫徹落實(shí)《能源電子產(chǎn)業(yè)發(fā)展指導(dǎo)意見
2025-06-10 11:28:141377

多晶入選西安高新區(qū)2025年首批“硬科技創(chuàng)新人才”名單

近日,西安高新區(qū)正式公示2025年第一批"硬科技創(chuàng)新人才"入選名單。西安智多晶微電子有限公司董事長(zhǎng)賈弘翊、副總經(jīng)理王黎明憑借在國產(chǎn)FPGA芯片領(lǐng)域的技術(shù)突破與產(chǎn)業(yè)化貢獻(xiàn),雙雙榮登榜單。此次兩位人才同時(shí)入選,充分體現(xiàn)了智多晶在硬科技創(chuàng)新領(lǐng)域的深厚積累與領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)。
2025-06-10 10:07:261930

多晶FPGA設(shè)計(jì)工具HqFpga接入DeepSeek大模型

在 AI 賦能工程設(shè)計(jì)的時(shí)代浪潮中,智多晶率先邁出關(guān)鍵一步——智多晶正式宣布旗下 FPGA 設(shè)計(jì)工具 HqFpga 接入 DeepSeek 大模型,并推出 FPGA 設(shè)計(jì)專屬 AI 助手——晶小助!這是 FPGA 領(lǐng)域首次引入大模型 AI 助手,為 FPGA 工程師提供前所未有的智能交互體驗(yàn)。
2025-06-06 17:06:391283

目科技與高德軟件簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議

北京目科技(02571)與高德軟件在港簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議,宣布雙方將圍繞智能裝備、智慧交通、智慧城市三大領(lǐng)域展開深度合作,共同構(gòu)建“數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)─虛擬驗(yàn)證─現(xiàn)實(shí)應(yīng)用”全產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同體系,助力低空經(jīng)濟(jì)、智慧
2025-05-30 15:15:29936

價(jià)值量占人形機(jī)器人超30%,十大國產(chǎn)靈巧手方案匯總

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文 / 吳子鵬)日前,華西證券研報(bào)指出,靈巧手是人形機(jī)器人落地的關(guān)鍵所在,但其后續(xù)的更新迭代仍面臨較高技術(shù)難度。具備靈巧手本體設(shè)計(jì)與生產(chǎn)能力的廠商,有望在產(chǎn)業(yè)鏈中占據(jù)較大話語權(quán)
2025-05-30 00:08:007813

自對(duì)準(zhǔn)硅化物工藝詳解

源漏區(qū)的單晶和柵極上的多晶硅即使在摻雜后仍然具有較高的電阻率,自對(duì)準(zhǔn)硅化物(salicide)工藝能夠同時(shí)減小源/漏電極和柵電極的薄膜電阻,降低接觸電阻,并縮短與柵相關(guān)的RC延遲。另外,它避免了
2025-05-28 17:30:042349

信諾多鏈融合構(gòu)建產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新共同體

近日,信諾產(chǎn)業(yè)生態(tài)伙伴大會(huì)圓滿落幕。當(dāng)前,全球科技產(chǎn)業(yè)正處于復(fù)雜多變的外部環(huán)境,而顯示產(chǎn)業(yè)的朋友圈持續(xù)擴(kuò)大,此次,來自全球的產(chǎn)業(yè)生態(tài)伙伴相聚安徽合肥,并就如何整合好、發(fā)揮好產(chǎn)業(yè)鏈的力量這一重要課題
2025-05-27 11:47:35883

信諾2025產(chǎn)業(yè)生態(tài)伙伴大會(huì)圓滿落幕

近日,信諾在合肥舉行“創(chuàng)新共生 質(zhì)贏未來”2025產(chǎn)業(yè)生態(tài)伙伴大會(huì),政府領(lǐng)導(dǎo)、業(yè)界專家、全球產(chǎn)業(yè)鏈伙伴齊聚一堂,共謀合作共贏新篇章。
2025-05-27 11:45:472959

使用共聚焦拉曼顯微鏡進(jìn)行多晶硅太陽能電池檢測(cè)

)被廣泛使用,因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">硅技術(shù)由于快速降低成本而在市場(chǎng)上占據(jù)主導(dǎo)地位。多晶硅電池比單晶便宜,但效率較低。 多晶電池由大塊熔融和凝固的制成。這種細(xì)胞的顯微鏡光學(xué)圖像顯示在下面的圖1.中??梢栽诖斯鈱W(xué)圖像上觀察到不同類型
2025-05-26 08:28:41601

硅單晶片電阻率均勻性的影響因素

直拉硅單晶生長(zhǎng)的過程是熔融的多晶硅逐漸結(jié)晶生長(zhǎng)為固態(tài)的單晶的過程,沒有雜質(zhì)的本征硅單晶的電阻率很高,幾乎不會(huì)導(dǎo)電,沒有市場(chǎng)應(yīng)用價(jià)值,因此通過人為的摻雜進(jìn)行雜質(zhì)引入,我們可以改變、控制硅單晶的電阻率。
2025-05-09 13:58:541253

多晶eSPI_Slave IP介紹

eSPI總線具有低功耗、管腳數(shù)量少、高效的數(shù)據(jù)傳輸?shù)葍?yōu)點(diǎn),常用于與EC、BMC、SIO等外設(shè)的通信,是PC中CPU與這些外設(shè)通信的主流協(xié)議。智多晶eSPI_Slave IP符合eSPI標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范,支持相關(guān)協(xié)議屬性。
2025-05-08 16:44:561213

向電源行業(yè)的功率器件專家致敬:拆穿海外IGBT模塊廠商失效報(bào)告造假!

中國電力電子逆變器變流器的功率器件專家以使用者身份拆穿國外IGBT模塊失效報(bào)告廠商造假的事件,是中國技術(shù)實(shí)力與產(chǎn)業(yè)話語權(quán)提升的標(biāo)志性案例。通過技術(shù)創(chuàng)新與嚴(yán)謹(jǐn)?shù)目茖W(xué)態(tài)度,成功揭露了國外廠商在IGBT
2025-04-27 16:21:50564

多晶FIFO_Generator IP介紹

FIFO_Generator是智多晶設(shè)計(jì)的一款通用型FIFO IP。當(dāng)前發(fā)布的FIFO_Generator IP是2.0版本,相比之前的1.1版本主要新增了非等比輸入輸出數(shù)據(jù)位寬支持和異步FIFO跨時(shí)鐘級(jí)數(shù)配置功能。
2025-04-25 17:24:241568

智科技亮相2025中國(武漢)數(shù)字經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)博覽會(huì)

在2025中國(武漢)數(shù)字經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)博覽會(huì)上,智科技創(chuàng)始人陶闖博士以《時(shí)空AI+空間大模型,打造數(shù)實(shí)融合的智能空間》為主題發(fā)表重磅演講。
2025-04-24 09:21:49779

多晶LPC_Controller IP介紹

在FPGA設(shè)計(jì)領(lǐng)域,西安智多晶微電子有限公司推出的LPC_Controller IP正逐漸嶄露頭角,為工程師們提供了強(qiáng)大的工具,助力他們?cè)跀?shù)據(jù)傳輸領(lǐng)域大展身手。今天,就讓我們一同揭開LPC_Controller IP的神秘面紗,探尋其獨(dú)特魅力。
2025-04-18 11:52:441667

多晶硅鑄造工藝中碳和氮雜質(zhì)的來源

本文介紹了在多晶硅鑄造工藝中碳和氮雜質(zhì)的來源、分布、存在形式以及降低雜質(zhì)的方法。
2025-04-15 10:27:431311

紫宸激光焊錫機(jī)在通訊領(lǐng)域的應(yīng)用

紫宸激光焊錫機(jī)以±5℃溫控、微米級(jí)定位等突破,重塑5G天線、衛(wèi)星終端等高端器件的制造方式——這不僅是一部裝備創(chuàng)新史,更揭示了中國智造如何通過“工藝突圍”撬動(dòng)全球通訊產(chǎn)業(yè)話語權(quán)重構(gòu)。
2025-04-14 13:43:48674

話語音配線架怎么接線

話語音配線架的接線方法主要根據(jù)線纜類型、配線架規(guī)格及具體應(yīng)用場(chǎng)景選擇直接連接、跳線連接等方式,并需遵循色譜線序規(guī)范進(jìn)行打線操作。以下為具體步驟: 一、接線前的準(zhǔn)備工作 工具與材料準(zhǔn)備 工具:剝線鉗
2025-04-10 10:36:332321

LPCVD方法在多晶硅制備中的優(yōu)勢(shì)與挑戰(zhàn)

本文圍繞單晶、多晶硅與非晶三種形態(tài)的結(jié)構(gòu)特征、沉積技術(shù)及其工藝參數(shù)展開介紹,重點(diǎn)解析LPCVD方法在多晶硅制備中的優(yōu)勢(shì)與挑戰(zhàn),并結(jié)合不同工藝條件對(duì)材料性能的影響,幫助讀者深入理解材料在先進(jìn)微納制造中的應(yīng)用與工藝演進(jìn)路徑。
2025-04-09 16:19:531994

芯片制造中的多晶硅介紹

多晶硅(Polycrystalline Silicon,簡(jiǎn)稱Poly)是由無數(shù)微小晶粒組成的非單晶材料。與單晶(如襯底)不同,多晶硅的晶粒尺寸通常在幾十到幾百納米之間,晶粒間存在晶界。
2025-04-08 15:53:453607

多晶XSTC_8B10B IP介紹

XSTC_8B10B IP(XSTC:XiST Transmission Channel)是智多晶開發(fā)的一個(gè)靈活的,輕量級(jí)的高速串行通信的IP。IP在具備SerDes(單通道或多通道)高速串行收發(fā)器之間構(gòu)建出接口簡(jiǎn)單,低成本,輕量化的高速率數(shù)據(jù)通信通道。
2025-04-03 16:30:011250

晶體管柵極多晶硅摻雜的原理和必要性

本文介紹了多晶硅作為晶體管的柵極摻雜的原理和必要性。
2025-04-02 09:22:242364

天合光能定義水與光伏共生之道

今年,隨著《光伏制造行業(yè)規(guī)范條件(2024年本)》的推行,光伏行業(yè)在水資源管理方面迎來了更加明確且嚴(yán)格的標(biāo)準(zhǔn):多晶硅項(xiàng)目的水重復(fù)利用率需不低于98%,新建和改擴(kuò)建項(xiàng)目的水耗低于360噸/MWp且再生水使用率高于40%。
2025-03-21 11:08:56840

i.MX8M Plus PSPLASH如何在顯示器上設(shè)置不同的行為?

兩個(gè)顯示器之一中是倒置的。我看到兩個(gè)顯示器都與同一個(gè)幀緩沖區(qū)相關(guān)聯(lián),因此圖像只是在它們上復(fù)制。即使分辨率相同,因此圖像占據(jù)了 HDMI 顯示器的一小部分。 如何在顯示器上設(shè)置不同的行為?
2025-03-21 07:31:04

深入解讀智多晶FIR IP

在數(shù)字信號(hào)處理領(lǐng)域,F(xiàn)IR 濾波器憑借其穩(wěn)定性強(qiáng)、線性相位等優(yōu)勢(shì),被廣泛應(yīng)用于各類信號(hào)處理場(chǎng)景。今天,就帶大家深入解讀西安智多晶微電子有限公司推出的FIR IP。
2025-03-20 17:08:011010

LDR6500G:240W+80Gbps雙擎旗艦,重新定義USB-C全能邊界

TI TPS65994的60%)與 ?全場(chǎng)景滲透能力?,標(biāo)志著中國企業(yè)在接口芯片領(lǐng)域的技術(shù)話語權(quán)進(jìn)一步提升。
2025-03-20 11:30:26760

多晶硅錠定向凝固生長(zhǎng)方法

鑄錠澆注法是較早出現(xiàn)的一種技術(shù),該方法先將料置于熔煉坩堝中加熱熔化,隨后利用翻轉(zhuǎn)機(jī)械將其注入模具內(nèi)結(jié)晶凝固,最初主要用于生產(chǎn)等軸多晶硅。近年來,為提升多晶硅電池轉(zhuǎn)換效率,通過控制模具中熔體凝固過程的溫度,創(chuàng)造定向散熱條件,從而獲得定向柱狀晶組織。
2025-03-13 14:41:121126

如何使用MATLAB實(shí)現(xiàn)一時(shí)間卷積網(wǎng)絡(luò)

本文對(duì)一卷積操作進(jìn)行介紹,包括一擴(kuò)展卷積和一因果卷積,以及 MATLAB 對(duì)一卷積的支持情況。在最后通過一個(gè)實(shí)例演示如何在 MATLAB 中將一卷積和 LSTM 結(jié)合構(gòu)建分類網(wǎng)絡(luò),實(shí)現(xiàn)基于傳感器數(shù)據(jù)的故障診斷。
2025-03-07 09:15:481838

22.0%效率的突破:前多晶硅選擇性發(fā)射極雙面TOPCon電池的制備與優(yōu)化

隨著全球能源需求的增長(zhǎng),開發(fā)高效率太陽能電池變得尤為重要。本文旨在開發(fā)一種成本效益高且可擴(kuò)展的制備工藝,用于制造具有前側(cè)SiOx/多晶硅選擇性發(fā)射極的雙面TOPCon太陽能電池,并通過優(yōu)化工藝實(shí)現(xiàn)
2025-03-03 09:02:291205

晶圓的標(biāo)準(zhǔn)清洗工藝流程

硅片,作為制造半導(dǎo)體電路的基礎(chǔ),源自高純度的材料。這一過程中,多晶硅被熔融并摻入特定的晶體種子,隨后緩緩拉制成圓柱狀的單晶棒。經(jīng)過精細(xì)的研磨、拋光及切片步驟,這些棒被轉(zhuǎn)化為硅片,業(yè)界通常稱之為晶圓,其中8英寸和12英寸規(guī)格在國內(nèi)生產(chǎn)線中占據(jù)主導(dǎo)地位。
2025-03-01 14:34:511239

智慧光伏運(yùn)分析系統(tǒng)三大核心優(yōu)勢(shì)賦能光伏電站智慧運(yùn)

?????? 智慧光伏運(yùn)分析系統(tǒng)三大核心優(yōu)勢(shì)賦能光伏電站智慧運(yùn) ?????? 光伏電站的規(guī)?;l(fā)展對(duì)運(yùn)管理提出了更高要求,如何在降低人力成本的同時(shí)提升發(fā)電效率?如何從海量數(shù)據(jù)中挖掘價(jià)值,實(shí)現(xiàn)
2025-02-13 18:05:58965

第九屆集創(chuàng)“紫光同創(chuàng)杯”題發(fā)布

2025年“第九屆全國大學(xué)生集成電路創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)大賽”(簡(jiǎn)稱:集創(chuàng))已戰(zhàn)鼓奏響!作為中國高等教育學(xué)會(huì)全國高校競(jìng)賽榜單唯一入榜集成電路專業(yè)賽事,集創(chuàng)以服務(wù)產(chǎn)業(yè)發(fā)展需求為導(dǎo)向,以提升集成電路產(chǎn)業(yè)人才培養(yǎng)
2025-02-12 11:22:3612665

單晶圓系統(tǒng):多晶硅與氮化硅的沉積

本文介紹了單晶圓系統(tǒng):多晶硅與氮化硅的沉積。 在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域,單晶圓系統(tǒng)展現(xiàn)出獨(dú)特的工藝優(yōu)勢(shì),它具備進(jìn)行多晶硅沉積的能力。這種沉積方式所帶來的顯著益處之一,便是能夠?qū)崿F(xiàn)臨場(chǎng)的多晶硅和鎢硅化物沉積
2025-02-11 09:19:051132

中國在人形機(jī)器人產(chǎn)業(yè)鏈中占據(jù)主導(dǎo)地位

%的企業(yè)位于亞洲,彰顯出亞洲在人形機(jī)器人產(chǎn)業(yè)鏈中的重要地位。 其中,中國更是表現(xiàn)突出,占據(jù)了這些公司中的56%比例,成為人形機(jī)器人領(lǐng)域的重要力量。在全球人形機(jī)器人產(chǎn)業(yè)鏈中,中國的份額更是高達(dá)63%,特別是在“身體”環(huán)節(jié),即機(jī)器人
2025-02-10 10:55:35966

為什么采用多晶硅作為柵極材料

本文解釋了為什么采用多晶硅作為柵極材料 ? 柵極材料的變化 ? 如上圖,gate就是柵極,柵極由最開始的鋁柵,到多晶硅柵,再到HKMG工藝中的金屬柵極。 ? 柵極的作用 ? 柵極的主要作用是控制
2025-02-08 11:22:461299

革新突破:高性能多晶金剛石散熱片引領(lǐng)科技新潮流

,如何實(shí)現(xiàn)高效又經(jīng)濟(jì)的生產(chǎn)? 多晶金剛石散熱片的制備工藝 哈爾濱工業(yè)大學(xué)團(tuán)隊(duì)采用 MPCVD技術(shù),在真空環(huán)境中通過微波激發(fā)氣體(氫氣、甲烷、氮?dú)猓?,讓碳原子?b class="flag-6" style="color: red">硅襯底上“生長(zhǎng)”成金剛石。 關(guān)鍵突破: 甲烷濃度:降低甲烷比例(從
2025-02-07 10:47:441892

Poly-SE選擇性多晶硅鈍化觸點(diǎn)在n-TOPCon電池中的應(yīng)用

Poly-SEs技術(shù)通過在電池的正面和背面形成具有選擇性的多晶硅層,有效降低了電池的寄生吸收和接觸電阻,同時(shí)提供了優(yōu)異的電流收集能力。在n型TOPCon太陽能電池中,Poly-SEs的應(yīng)用尤為重要
2025-02-06 13:59:421200

多晶DDR Controller使用注意事項(xiàng)

最后一期我們主要介紹智多晶DDR Controller使用時(shí)的注意事項(xiàng)。
2025-01-24 11:14:141479

光伏技術(shù):開啟清潔能源新時(shí)代

上時(shí),光子與半導(dǎo)體材料中的電子相互作用,產(chǎn)生電子-空穴對(duì),這些電子和空穴在電場(chǎng)的作用下定向移動(dòng),從而形成電流。 ? ?光伏電池的主要材料是,根據(jù)材料的不同,可分為單晶、多晶硅和非晶光伏電池。單晶光伏電池具有
2025-01-23 14:22:001141

多晶DDR Controller介紹

本期主要介紹智多晶DDR Controller的常見應(yīng)用領(lǐng)域、內(nèi)部結(jié)構(gòu)、各模塊功能、配置界面、配置參數(shù)等內(nèi)容。
2025-01-23 10:29:541268

多晶2024年度大事記回顧

過去一年中,智多晶人攜手拼搏、攻堅(jiān)克難,共同促進(jìn)產(chǎn)品升級(jí)推廣。在合作伙伴和業(yè)界同仁們的關(guān)注與支持中,我們?cè)诟鼜V闊的舞臺(tái)上展示智多晶的FPGA技術(shù)。這一年,智多晶的業(yè)務(wù)實(shí)現(xiàn)了良好增長(zhǎng),
2025-01-21 17:15:431152

英諾科登陸港交所,氮化鎵功率半導(dǎo)體領(lǐng)域明星企業(yè)閃耀登場(chǎng)

氮化鎵功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的技術(shù)實(shí)力和市場(chǎng)份額均處于領(lǐng)先地位。此外,英諾科還是目前市場(chǎng)上唯一具備產(chǎn)業(yè)規(guī)模,能夠提供全電壓譜系的基氮化鎵半導(dǎo)體產(chǎn)品的公司,這一獨(dú)特優(yōu)勢(shì)使其在市場(chǎng)上獨(dú)樹一幟。 此次IPO,英諾科集資凈額達(dá)到了13.02億港元
2025-01-06 11:29:141123

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