chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

電子發(fā)燒友App

硬聲App

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

電子發(fā)燒友網(wǎng)>制造/封裝>電子技術(shù)>三星使用Cadence統(tǒng)一數(shù)字流程實(shí)現(xiàn)20nm芯片流片

三星使用Cadence統(tǒng)一數(shù)字流程實(shí)現(xiàn)20nm芯片流片

收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴

評(píng)論

查看更多

相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦

三星使用EUV成功完成5nm FinFET工藝開發(fā)

16日,三星電子宣布在基于EUV的高級(jí)節(jié)點(diǎn)方面取得了重大進(jìn)展,包括7nm批量生產(chǎn)和6nm客戶,以及成功完成5nm FinFET工藝的開發(fā)。 三星電子宣布其5納米(nm)FinFET工藝技術(shù)的開發(fā)
2019-04-18 15:48:477184

明年上半年量產(chǎn)!三星要借3nm節(jié)點(diǎn)超越臺(tái)積電?

基于臺(tái)積電5nm制程的芯片高出20%-30%,因此三星的5nm也被不少人認(rèn)為是“翻車”的代產(chǎn)品。 ? 當(dāng)然,如今各家晶圓代工廠對(duì)于工藝節(jié)點(diǎn)上的命名更像是玩“數(shù)字游戲”。比如三星當(dāng)年的8nm工藝就跟臺(tái)積電10nm的晶體管密度幾乎相同,而英特爾最近也將他們?cè)镜?0nm Enha
2021-10-09 09:17:004872

唱響2013,20nm FPGA背后蘊(yùn)藏的巨大能量

20nm能讓我們超越什么?對(duì)于像賽靈思(Xilinx)這樣剛剛在28nm上花了巨資量產(chǎn)的公司,為什么又要去追20nm呢?20nm FPGA會(huì)帶給我們什么樣的科技進(jìn)步?20nm FPGA背后到底蘊(yùn)藏了哪些巨大能量?
2013-01-22 08:36:341820

蘋果將于2014年采用臺(tái)積電20nm工藝芯片?

 臺(tái)積電(TSMC)的高管對(duì)即將來(lái)臨的20nm芯片生產(chǎn)與銷售信心滿滿,臺(tái)積電CEO張忠謀上周就曾做過(guò)個(gè)預(yù)測(cè),他說(shuō)最新的20nm工藝芯片2014年的成績(jī)會(huì)比先前28nm芯片頭兩年賣得還要好。
2013-01-23 08:57:451495

賽靈思推出多項(xiàng)20nm 繼續(xù)保持領(lǐng)先代優(yōu)勢(shì)

賽靈思公司今天宣布下20nm All Programmable器件推出的大里程碑事件。賽靈思20nm產(chǎn)品系列建立在其業(yè)經(jīng)驗(yàn)證的28nm突破性技術(shù)基礎(chǔ)之上,在系統(tǒng)性能、低功耗和可編程系統(tǒng)集成方面擁有著領(lǐng)先代的優(yōu)勢(shì)。
2013-01-31 15:52:161243

三星:也來(lái)看看我們的14nm晶圓吧

三星14nm同樣引入了FinFET晶體管技術(shù),而且又類似GlobalFoundries、聯(lián)電,三星也使用了14+20nm混合工藝,大致來(lái)說(shuō)就是晶體管是14nm的,其它各部分則都是20nm的。
2013-02-08 15:13:141962

臺(tái)積電本月將安裝20nm制造設(shè)備,2014年量產(chǎn)

臺(tái)積電的20nm芯片生產(chǎn)設(shè)施或?qū)⑴c本月20日開始安裝,有可能在今年第2季度末期拿出20nm SoC產(chǎn)品樣品,正常情況下將在2014年進(jìn)入量產(chǎn)。
2013-04-07 09:41:261214

AMD明年GPU越過(guò)20nm直奔14nm

據(jù)報(bào)道AMD明年代號(hào)“北極群島”的GPU家族將完全跳過(guò)有問(wèn)題的20nm工藝節(jié)點(diǎn),北極群島系列GPU將直接采用14nm FinFE工藝生產(chǎn),希望實(shí)現(xiàn)更高的效率。
2015-04-24 11:15:501352

芯片巨頭技術(shù)升級(jí) 三星投產(chǎn)二代10nm技術(shù)

三星本周宣布,將定于今年晚些時(shí)候投產(chǎn)第二代10nm芯片生產(chǎn)工藝。目前,三星已經(jīng)在美國(guó)硅谷開始向多個(gè)半導(dǎo)體公司推廣自家的14nm工藝。臺(tái)積電計(jì)劃在2017年上半年試產(chǎn)7nm工藝,目前有超過(guò)20家客戶正在洽談7nm工藝代工事宜。
2016-04-22 09:40:41677

三星推出10nm級(jí)8GB LPDDR4芯片

據(jù)三星官網(wǎng)新聞,韓國(guó)巨頭宣布推出業(yè)界首款8GB LPDDR4 DRAM成片。此次的8GB LPDDR4內(nèi)存芯片采用16Gb顆粒,10nm級(jí)(10nm~20nm之間)工藝制造,可實(shí)現(xiàn)20nm級(jí)4GB
2016-10-20 10:55:482245

三星vs臺(tái)積電 7nm工藝誰(shuí)能領(lǐng)先步?

三星與臺(tái)積電工藝之戰(zhàn)從三星跳過(guò)20nm工藝而直接開發(fā)14nmFinFET打響,從10nm到如今的7nm之爭(zhēng),無(wú)論誰(shuí)領(lǐng)先步,都是半導(dǎo)體工藝的重大突破。 在半導(dǎo)體代工市場(chǎng)上,臺(tái)積電直都以領(lǐng)先的工藝
2017-03-02 01:04:492107

三星成功開發(fā)出業(yè)內(nèi)首款LPDDR5-6400內(nèi)存芯片,功耗降低30%

7月17日上午消息,三星今晨宣布,成功開發(fā)出業(yè)內(nèi)首款LPDDR5-6400內(nèi)存芯片,基于10nm級(jí)(10~20nm)工藝。據(jù)悉,該LPDDR5內(nèi)存芯片單顆容8Gb(1GB),8GB容量的模組原型也做出并完成功能驗(yàn)證。
2018-07-17 10:15:015236

ARM成功20nm Cortex-A15多核芯片

此前曾經(jīng)報(bào)道ARM的下代架構(gòu)Cortex A15將提供雙倍于Cortex A9的性能,產(chǎn)品采用TSMC的28nm工藝,不過(guò)就在今天ARM和TSMC聯(lián)合宣布已經(jīng)成功20nm ARM Cortex-A15 MPCore芯片
2011-10-19 09:10:401873

臺(tái)積電再失機(jī)會(huì) 高通7nm 5G芯片三星搶先

臺(tái)積電和三星直都是屬于競(jìng)爭(zhēng)狀態(tài),近日高通宣布旗下的7nm 5G芯片三星代工,臺(tái)積電再次落后三星。比較當(dāng)前的10nm FinFET工藝,7nm會(huì)在某些地方更占優(yōu)勢(shì)。
2018-02-24 10:14:531472

三星宣布已開始7nm LPP工藝芯片量產(chǎn)工作

三星官方宣布,已經(jīng)開始進(jìn)行7nm LPP(Low Power Plus)工藝芯片的量產(chǎn)工作。據(jù)悉,三星的7nm LPP采用EUV光刻,機(jī)器采購(gòu)自荷蘭ASML(阿斯麥),型號(hào)為雙工件臺(tái)NXE:3400B(光源功率280W),日產(chǎn)能1500。
2018-10-18 09:48:281528

三星發(fā)布5nm芯片Exynos 2100

1月12日晚間,三星舉辦了全球線上發(fā)布會(huì),正式發(fā)布了 5nm 芯片 Exynos 2100。Exynos 2100 是三星首款集成 5G 的移動(dòng)芯片組,基于 5nm EUV 工藝。與采用 7nm 工藝的前代產(chǎn)品相比,Exynos 2100 功耗降低 20%,整體性能提高了 10%。
2021-01-13 11:06:103590

三星NC20-KA01 參考售價(jià):4100元

三星NC20-KA01 參考售價(jià):4100元  三星NC20-KA01使用的是NC10的模板,所以在外觀上沒(méi)有什么變化。整機(jī)采用白色設(shè)計(jì)。12.1英寸的LED屏幕最大分辨率為1280*800,在屏幕
2009-07-02 09:09:38

三星galaxy note20 ultra

三星galaxy note20 ultra,近年來(lái),手機(jī)廠商和消費(fèi)者似乎越來(lái)越重視“跑分”對(duì)比。8月8日,三星在紐約發(fā)布了2019年度旗艦三星 Galaxy Note10系列,出眾的設(shè)計(jì)、強(qiáng)悍的性能
2021-07-14 06:58:46

三星i9000不夜城水貨報(bào)價(jià),三星i9000水貨價(jià)格,上海哪里買三星i9000水貨

、耳機(jī)、一數(shù)據(jù)線(十天包換,二年硬件保修,軟件終生維護(hù))性價(jià)比非常不錯(cuò)。三星I9000是款支持3G網(wǎng)絡(luò)的強(qiáng)勁智能拍照手機(jī)。三星I9000采用直板觸屏造型設(shè)計(jì),10.79mm的機(jī)身厚度讓外形顯得非常
2011-05-04 18:51:39

三星在4nm邏輯芯片實(shí)現(xiàn)40%以上的測(cè)試良率

較為激進(jìn)的技術(shù)路線,以挽回局面。 4 月 18 日消息,據(jù)韓媒《ChosunBiz》當(dāng)?shù)貢r(shí)間 16 日?qǐng)?bào)道,三星電子在其 4nm 制程 HBM4 內(nèi)存邏輯芯片的初步測(cè)試生產(chǎn)中取得了40% 的良率,這高于
2025-04-18 10:52:53

三星宣布:DRAM工藝可達(dá)10nm

三星電子近日在國(guó)際學(xué)會(huì)“IEDM 2015”上就20nm工藝的DRAM開發(fā)發(fā)表了演講。演講中稱,三星此次試制出了20nm工藝的DRAM,并表示可以“采用同樣的方法,達(dá)到10nm工藝”。 國(guó)際電子器件
2015-12-14 13:45:01

三星布陣Asian Edge 第島鏈再成科技最前線

,呈現(xiàn)次巨幅的變動(dòng)呢?如今的大規(guī)模投資,未來(lái)會(huì)不會(huì)成為尾大不掉的沈重負(fù)擔(dān)?臺(tái)積電與三星熱戰(zhàn)延伸到封測(cè)封測(cè)是半導(dǎo)體最后段,讓芯片能與PCB聯(lián)結(jié)的生產(chǎn)流程。過(guò)去半導(dǎo)體廠通常將勞力密集度較高的封測(cè)作業(yè)
2018-12-25 14:31:36

三星手機(jī)RFID讀取芯片

三星宣布將開發(fā)手持式裝置用的RFID(radio frequency identification)讀取芯片,能讓使用者透過(guò)手機(jī)得知產(chǎn)品和服務(wù)信息,但三星并未透露產(chǎn)品何時(shí)上市。 三星指出,RFID
2019-07-04 07:26:16

三星電子720萬(wàn)像素CMOS圖像傳感器

普遍將CIS認(rèn)為是電荷耦合器(CCD)的種可行性替代品,而形狀更小、分辨率更高的CIS芯片更是大勢(shì)所趨,特別是應(yīng)用于移動(dòng)數(shù)碼領(lǐng)域,譬如:拍照手機(jī)、數(shù)碼照相機(jī)和數(shù)碼攝像機(jī)?! ?b class="flag-6" style="color: red">三星電子相關(guān)負(fù)責(zé)人表示
2018-11-19 17:12:09

三星電子行業(yè)巨頭成長(zhǎng)史

的半導(dǎo)體封裝。同年,三星電子成為世界第個(gè)擁有4-GB半導(dǎo)體處理生產(chǎn)技術(shù)的廠商 1999年7月三星電子世界第個(gè)1GDDRDRAM芯片實(shí)現(xiàn)商業(yè)化,并引入世界最快的3DGraphics圖形卡專用
2019-04-24 17:17:53

三星的手機(jī)充電器

請(qǐng)教下各位大神,2A的整流橋用快恢復(fù)管來(lái)做,是否EMI會(huì)很好呢?三星的手機(jī)充電器 在用。
2016-12-15 11:14:05

專業(yè)收購(gòu)三星芯片

專業(yè)收購(gòu)三星芯片高價(jià)回收三星芯片,專業(yè)收購(gòu)三星芯片。深圳帝歐專業(yè)電子回收,高價(jià)收購(gòu)ic電子料。帝歐趙生***(同步微信),QQ:1816233102/764029970郵箱
2020-12-01 17:34:19

專業(yè)收購(gòu)三星芯片 高價(jià)回收三星芯片

專業(yè)收購(gòu)三星芯片高價(jià)回收三星芯片,專業(yè)收購(gòu)三星芯片。深圳帝歐專業(yè)電子回收,高價(jià)收購(gòu)ic電子料。帝歐趙生***(同步微信),QQ:1816233102/764029970郵箱
2021-09-03 19:23:00

東莞收購(gòu)三星ic 專業(yè)回收三星ic

。深圳專業(yè)收購(gòu)三星ic,大量求購(gòu)三星ic,帝歐還長(zhǎng)期回收ssd固態(tài)硬盤,回收服務(wù)器內(nèi)存條,回收硬盤,回收cpu,回收芯片,回收傳感器,收購(gòu)連接器,收購(gòu)鉭電容,回收sd卡,收購(gòu)tf卡?;厥展S庫(kù)存ic,大量
2021-04-28 18:52:33

一反三一數(shù)字,***

一反三一數(shù)字,***解釋《六六無(wú)窮打一數(shù)字》加 高 手 解 釋 交 討 論QQ群:288~986~748 每 期 第 時(shí) 間 解釋 機(jī)會(huì)不等人 .O70期 解 釋 高 手 已 經(jīng) 在 QQ 群【288~986~748】講 解。
2017-06-16 13:33:03

借力意法FD-SOI 三星eMRAM進(jìn)駐MCU早有計(jì)劃

為什么說(shuō)三星16nm MCU的關(guān)鍵在于MRAM技術(shù),半是進(jìn)入20nm以下領(lǐng)域,除了eMRAM暫無(wú)他法。另半則在于,三星在MRAM技術(shù)上的布局由來(lái)已久,而以eMRAM搶下MCU代工訂單的圖謀,也有
2023-03-21 15:03:00

華為三星蘋果高通的差異

華為三星蘋果高通的差異買IP做集成不宜包裝為掌握核心科技
2021-01-28 07:21:57

友堅(jiān)官方研發(fā)三星四核安卓4.4系統(tǒng)S5P4418開源硬件三星指定平板產(chǎn)品的IDH產(chǎn)品

是深圳市友堅(jiān)恒興科技有限公司基于三星平板方案設(shè)計(jì)的經(jīng)驗(yàn),結(jié)合廣泛調(diào)開設(shè)計(jì)的款S5P4418處理器開發(fā)板。該方案基于三星代28nm從CortexA9四核CPU的開發(fā)平臺(tái)。整合了目前工業(yè)、消費(fèi)、車載等行業(yè)
2016-07-01 14:04:09

回收三星ic 收購(gòu)三星ic

年收購(gòu)電子芯片,收購(gòu)電子IC,收購(gòu)DDR ,收購(gòu)集成電路芯片,收購(gòu)內(nèi)存芯片,大量回收SDRAM、DRAM、SRAM、DDR內(nèi)存芯片系列,三星,現(xiàn)代,閃迪,金士頓,鎂光,東芝,南亞,爾必達(dá),華邦等各原裝品牌。帝
2021-08-20 19:11:25

大量回收三星高通CPU 回收三星高通CPU

大量回收三星高通CPU回收三星高通CPU,收購(gòu)三星高通CPU,深圳帝歐專業(yè)回收三星高通CPU,趙生:*** QQ:764029970//1816233102歡迎有貨來(lái)電。專業(yè)收購(gòu)三星高通CPU,高價(jià)
2021-04-14 19:04:16

大量回收三星高通CPU 回收三星高通CPU

大量回收三星高通CPU回收三星高通CPU,收購(gòu)三星高通CPU,深圳帝歐專業(yè)回收三星高通CPU,趙生:*** QQ:764029970//1816233102歡迎有貨來(lái)電。專業(yè)收購(gòu)三星高通CPU,高價(jià)
2021-03-10 17:45:41

手機(jī)進(jìn)水了怎么辦?三星手機(jī)

手機(jī)進(jìn)水了怎么辦?三星手機(jī)
2013-05-13 17:34:01

有沒(méi)有人使用過(guò)三星的flash芯片,問(wèn)題請(qǐng)教

ID,但是也沒(méi)說(shuō)針對(duì)這個(gè)OTP怎么操作。所以請(qǐng)教下,有沒(méi)有使用過(guò)的大神幫忙指導(dǎo)下,或者有三星flash芯片相關(guān)的技術(shù)支持的聯(lián)系方式,麻煩告知下。謝謝!
2017-03-21 09:22:02

蘋果芯片供應(yīng)商名單曝光后 三星哭了!

半導(dǎo)體公司Dialog負(fù)責(zé),博通供應(yīng)無(wú)線網(wǎng)路芯片,以及NXP負(fù)責(zé)NFC芯片。關(guān)于最重要的A10芯片,蘋果改此前雙芯片供應(yīng)商的策略,即由三星和臺(tái)積電負(fù)責(zé);以去年A9為例,就是分別采用臺(tái)積電16nm芯片
2016-07-21 17:07:54

請(qǐng)問(wèn)下RK3399芯片啟動(dòng)需要像三星樣的bl1嗎

  請(qǐng)問(wèn)下RK3399芯片啟動(dòng)需要像三星樣的bl1嗎?求大神解答
2022-07-11 09:32:16

請(qǐng)問(wèn)DNW只能用三星的ARM芯片嗎?

DNW軟件只能用于三星的ARM芯片嗎?
2019-08-05 22:52:59

高價(jià)回收三星芯片,專業(yè)收購(gòu)三星芯片

高價(jià)回收三星芯片高價(jià)回收三星芯片,專業(yè)收購(gòu)三星芯片。深圳帝歐專業(yè)電子回收,高價(jià)收購(gòu)ic電子料。帝歐趙生***(同步微信),QQ:1816233102/764029970郵箱
2021-07-06 19:32:41

高價(jià)收購(gòu)三星字庫(kù)

回收三星字庫(kù),全國(guó)回收三星字庫(kù)。帝歐長(zhǎng)期回收ssd固態(tài)硬盤,回收服務(wù)器內(nèi)存條,回收硬盤,回收cpu,回收芯片,回收傳感器,收購(gòu)連接器,收購(gòu)鉭電容,回收sd卡,收購(gòu)tf卡?;厥展S庫(kù)存ic,大量收購(gòu)工廠
2021-02-23 17:54:12

XPD318BP25 三星25w充電器協(xié)議芯片單c口支持三星25w方案

供應(yīng)XPD318BP25 三星25w充電器協(xié)議芯片單c口支持三星25w方案 ,廣泛應(yīng)用于AC-DC 適配器、USB 充電設(shè)備等領(lǐng)域,更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向深圳富滿微代理驪微電子申請(qǐng)。>>
2023-05-29 10:09:46

三星宣布開始量產(chǎn)兩種新型30nm制程N(yùn)AND閃存芯片

三星宣布開始量產(chǎn)兩種新型30nm制程N(yùn)AND閃存芯片 三星近日宣布將開始量產(chǎn)兩款30nm制程N(yùn)AND閃存芯片產(chǎn)品。其中種閃存產(chǎn)品采用類似DDR內(nèi)存的雙倍傳輸技術(shù),據(jù)三星公司
2009-12-02 08:59:23700

GlobalFoundries20nm測(cè)試芯片

GlobalFoundries日前試產(chǎn)了20nm測(cè)試芯片,該芯片采用Cadence,Magma,Mentor Graphics和Synopsys的設(shè)計(jì)工具。此次試制的測(cè)試芯片使用了雙重圖形(Double Patterning),每家EDA合作伙伴都提供了大量的布局
2011-09-01 09:53:111660

Giantec采用Cadence技術(shù)統(tǒng)一數(shù)字流程生產(chǎn)其混合信號(hào)芯片

全球電子設(shè)計(jì)創(chuàng)新領(lǐng)先企業(yè)Cadence設(shè)計(jì)系統(tǒng)公司(NASDAQ: CDNS),宣布Giantec Semiconductor Corp.已采用Cadence? Virtuoso?統(tǒng)一定制/模擬(IC6.1)以及Encounter?統(tǒng)一數(shù)字流程生產(chǎn)其混合信號(hào)芯片
2011-09-27 11:06:261765

三星市值蒸發(fā)100億后續(xù):三星辟謠、20nm芯片提前放出

臺(tái)灣媒體DigiTimes的條報(bào)道讓三星市值蒸發(fā)了100億美元。該報(bào)道稱蘋果將停止使用來(lái)自三星的DRAM內(nèi)存芯片,并準(zhǔn)備讓爾必達(dá)成為DRAM內(nèi)存供應(yīng)商。這條消息在被《路透社》引用之后,三星
2012-05-18 09:17:11999

三星開始量產(chǎn)20nm LPDDR2 Mobile DRAM

南韓媒體朝鮮日?qǐng)?bào)、聯(lián)合新聞通訊社(Yonhap News )日文版18日?qǐng)?bào)導(dǎo),全球DRAM龍頭廠三星電子于17日宣布,已領(lǐng)先全球于前(4)月開始量產(chǎn)采用20nm制程技術(shù)的低耗電力(LP)DDR2 Mobile DRA
2012-05-19 08:19:501305

集成電路里程碑:三星Cadence合推20納米設(shè)計(jì)方法

Cadence三星的合作為移動(dòng)消費(fèi)電子產(chǎn)品帶來(lái)了新的工藝進(jìn)展,使得20納米及未來(lái)工藝節(jié)點(diǎn)設(shè)計(jì)成為可能。
2012-06-10 10:43:541438

臺(tái)積電將于下月試產(chǎn)20nm芯片

據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道,臺(tái)積電(TSMC)預(yù)計(jì)會(huì)在下月試產(chǎn)20nm芯片制程,即將成為全球首家進(jìn)入20nm技術(shù)的半導(dǎo)體公司。若該芯片試產(chǎn)成功,將超越英特爾(Intel)的22nm制程,拉開與三星電子(
2012-07-18 09:44:331159

ARM和Globalfoundries聯(lián)手研發(fā)20nm移動(dòng)芯片

8月14日消息,ARM和芯片工廠Globalfoundries日前宣布,雙方將聯(lián)手研發(fā)20nm工藝節(jié)點(diǎn)和FinFET技術(shù)。 ARM之前和臺(tái)積電進(jìn)行了緊密合作,在最近發(fā)布了若干使用臺(tái)積電28nm工藝節(jié)點(diǎn)制作的硬宏處理
2012-08-14 08:48:11877

Altera:20nm技術(shù)延續(xù)硅片融合承諾

近期,Altera發(fā)布其下20nm產(chǎn)品中規(guī)劃的幾項(xiàng)關(guān)鍵創(chuàng)新技術(shù),延續(xù)在硅片融合上的承諾,克服了20nm設(shè)計(jì)五大挑戰(zhàn),實(shí)現(xiàn)了系統(tǒng)集成、串行帶寬、DSP性能大突破。
2012-10-16 11:29:101517

賽靈思(Xilinx)解讀20nm的價(jià)值:繼續(xù)領(lǐng)先

電子發(fā)燒友網(wǎng)訊:關(guān)于摩爾定律的經(jīng)濟(jì)活力問(wèn)題,有很多的討論。在過(guò)去的年中,20nm節(jié)點(diǎn)進(jìn)入到這個(gè)辯論的前沿和中心。無(wú)論說(shuō)辭如何,包括賽靈思在內(nèi)的行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)在20nm研發(fā)上的積極
2012-11-14 11:19:521661

更小更快更強(qiáng) 三星存儲(chǔ)芯片率先進(jìn)入10nm制程

根據(jù)三星的官方描述這個(gè)存儲(chǔ)芯片已經(jīng)從原有的20nm制程進(jìn)入到10nm,并且新的 64GB eMMC Pro Class 2000 比前代產(chǎn)品在外觀上小20%,性能和勞動(dòng)生產(chǎn)效率方面比前代產(chǎn)品提升了30%。
2012-11-15 15:34:531311

三星芯片工藝突破14nm 何時(shí)量產(chǎn)仍未確定

GlobalFoundries、Intel都在紛紛宣傳各自的14nm新工藝,三星電子今天也宣布,已經(jīng)在14nm FinFET工藝開發(fā)之路上取得又個(gè)里程碑式的突破,與其設(shè)計(jì)、IP合作伙伴成功了多個(gè)開發(fā)載具。
2012-12-24 09:28:241508

三星與Synopsys合作實(shí)現(xiàn)首次14納米FinFET成功

新思科技公司日前宣布:該公司與三星在FinFET技術(shù)上的多年合作已經(jīng)實(shí)現(xiàn)個(gè)關(guān)鍵性的里程碑,即采用三星的14LPE工藝成功實(shí)現(xiàn)了首款測(cè)試芯片
2013-01-09 12:11:311469

搶占20nm制高點(diǎn),Xilinx下代產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)全解析

Xilinx公布其在20nm產(chǎn)品的表現(xiàn)上還將保持領(lǐng)先代的優(yōu)勢(shì),究竟在20 nm制程上,Xilinx的產(chǎn)品有哪些演進(jìn)使其保持領(lǐng)先競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手代的優(yōu)勢(shì)?詳見本文
2013-01-10 09:33:431314

TSMC將為蘋果提供AP/GPU集成的解決方案,并采用20nm SoC工藝

臺(tái)灣半導(dǎo)體制造公司(TSMC)將為蘋果提供AP/ GPU集成的解決方案,并且采用20nm Soc上系統(tǒng)工藝為蘋果代工。
2013-01-17 20:58:171766

Cadence解決方案助力創(chuàng)意電子20納米SoC測(cè)試芯片成功

光刻物理分析器成功完成20納米系統(tǒng)級(jí)芯片(SoC)測(cè)試芯片。雙方工程師通過(guò)緊密合作,運(yùn)用Cadence解決方案克服實(shí)施和可制造性設(shè)計(jì)(DFM)驗(yàn)證挑戰(zhàn),并最終完成設(shè)計(jì)。
2013-07-09 15:53:241053

賽靈思發(fā)布UltraScale架構(gòu),20nm開始投

賽靈思公司今天宣布,延續(xù)28nm工藝系列行業(yè)創(chuàng)新,在20nm工藝節(jié)點(diǎn)再次推出兩大行業(yè)第:投半導(dǎo)體行業(yè)首款20nm器件,也是可編程邏輯器件(PLD)行業(yè)首款20nm All
2013-07-09 20:01:504286

三星18nm工藝的DRAM芯片惹禍了

了,SK Hynix和美光這時(shí)候還掙扎在20nm工藝DRAM芯片量產(chǎn)中呢。不過(guò)昨天紙傳聞稱三星18nm工藝的DRAM芯片惹禍了,可能會(huì)導(dǎo)致系統(tǒng)藍(lán)屏,三星正在召回——不過(guò)三星官方日前回應(yīng)稱這是謠言。
2017-03-03 14:22:572704

Cadence宣布已在三星的7LPP制程技術(shù)上成功GDDR6的IP芯片

根據(jù)國(guó)外媒體《AnandTech》的報(bào)導(dǎo),在人工智能,自駕車需求越來(lái)越大的情況下,顯示卡存儲(chǔ)器的發(fā)展也越來(lái)越積極。日前,Cadence就宣布,已經(jīng)在三星的7LPP制程技術(shù)上成功GDDR6的IP芯片。
2018-11-27 16:08:042755

臺(tái)積電統(tǒng)治7nm、沖擊5nm三星殺價(jià)20%也沒(méi)用

在半導(dǎo)體工藝演進(jìn)上,臺(tái)積電、三星這幾年是你追我趕,至少在數(shù)字上已經(jīng)遠(yuǎn)遠(yuǎn)甩開Intel,臺(tái)積電更是異常激進(jìn)。 目前,臺(tái)積電已經(jīng)在7nm工藝節(jié)點(diǎn)上占據(jù)統(tǒng)治地位,拿下了眾多大客戶的大訂單,比如已經(jīng)開始量產(chǎn)
2018-06-30 09:33:004652

三星10nm級(jí)DDR4 SoDIMM內(nèi)存,容量達(dá)到32GB單條

DRAM芯片組成。三星稱,新品取代的是2014年推出的20nm級(jí)16GB SoDIMM模組,后者的單芯片容量是8Gb。
2018-08-06 16:38:015722

三星宣布完成了7nm EUV工藝的技術(shù)流程開發(fā)以及產(chǎn)線部署進(jìn)入量產(chǎn)階段

目前三星宣布已經(jīng)完成了整套7nm EUV工藝的技術(shù)流程開發(fā)以及產(chǎn)線部署,進(jìn)入了可量產(chǎn)階段。三星表示7nm LPP工藝可以減少20%的光學(xué)掩模流程,整個(gè)制造過(guò)程更加簡(jiǎn)單了,節(jié)省了時(shí)間和金錢,又可以實(shí)現(xiàn)40%面積能效提升、性能增加20%、功耗降低50%目標(biāo)。
2018-10-19 10:51:364517

三星代10nm工藝DDR4內(nèi)存下半年量產(chǎn)

~20nm),整合了EUV極紫外光刻技術(shù),單芯片容量8Gb(1GB)。三星表示,1z nm是業(yè)內(nèi)目前最頂尖的工藝,生產(chǎn)效率
2019-03-29 07:52:01588

三星宣布成功完成基于EUV的5nm制程開發(fā) 彰顯科技引領(lǐng)力

實(shí)現(xiàn)更小面積的芯片和超低功耗,并已準(zhǔn)備好為客戶提供樣品,再次彰顯了其在晶圓代工領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位。此前,三星實(shí)現(xiàn)7nm工藝的批量生產(chǎn)和客戶定制的6nm工藝的產(chǎn)品流(Tape-out),并將于4月份內(nèi)實(shí)現(xiàn)7nm的出貨。 建設(shè)中的華城EUV廠鳥瞰圖(截止2019年3月) 據(jù)悉,與其第
2019-04-18 20:48:54636

Cadence 數(shù)字流程解決方案通過(guò)三星5LPE工藝認(rèn)證

采用極紫外(EUV)光刻技術(shù)的Cadence 數(shù)字流程解決方案已通過(guò)Samsung Foundry 5nm早期低功耗版(5LPE)工藝認(rèn)證。
2019-07-11 16:36:474272

三星3nm工藝明年量產(chǎn)不太可能實(shí)現(xiàn)

據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,在5nm工藝即將大規(guī)模量產(chǎn)的情況下,3nm工藝就成了臺(tái)積電和三星這兩大芯片代工商關(guān)注的焦點(diǎn),三星電子旗下的三星晶圓代工,此前設(shè)定的目標(biāo)是在2021年大規(guī)模量產(chǎn)3nm工藝。
2020-04-07 17:43:512632

告別三星8nm!NVIDIA下代顯卡統(tǒng)一上臺(tái)積電5nm

NVIDIA Ampere安培家族首次使用了兩種制造工藝,面向數(shù)據(jù)中心、深度學(xué)習(xí)的A100是臺(tái)積電7nm,面向游戲的RTX 30系列則是三星8nm。 從目前情況看,三星8nm的表現(xiàn)確實(shí)般,無(wú)論
2020-11-06 15:18:301803

特斯拉準(zhǔn)備自己開發(fā)芯片,與三星合作研發(fā)款全新的5nm芯片

現(xiàn)在據(jù)報(bào)道,特斯拉準(zhǔn)備自己開發(fā)芯片,已經(jīng)與三星合作研發(fā)款全新的5nm芯片,用于自動(dòng)駕駛。事實(shí)上三星已經(jīng)是特斯拉的合作伙伴,在其硬件3.0電腦上供應(yīng)14nm芯片。?
2021-01-26 16:30:552502

三星在5nm到3nm芯片實(shí)現(xiàn)了跳躍式發(fā)展

隨著三星在先進(jìn)制造節(jié)點(diǎn)上繼續(xù)與臺(tái)積電競(jìng)爭(zhēng),這家韓國(guó)巨頭的努力將使其排名達(dá)到第四位。據(jù)報(bào)道,三星從5nm到3nm芯片開發(fā)實(shí)現(xiàn)了跳躍式發(fā)展,但仍被排除在全球前的半導(dǎo)體制造商之外。
2021-02-04 14:55:192654

三星正式宣布3nm成功,性能將完勝臺(tái)積電

據(jù)外媒最新報(bào)道,三星宣布,3nm制程技術(shù)已經(jīng)正式! 據(jù)悉,三星的3nm制程采用的是GAA架構(gòu),性能上完勝臺(tái)積電的3nm FinFET架構(gòu)! 據(jù)報(bào)導(dǎo),三星在3nm制程的進(jìn)度是與新思科技合作完成
2021-07-01 15:27:444638

三星宣布其基于柵極環(huán)繞型晶體管架構(gòu)的3nm工藝技術(shù)已經(jīng)正式

正式(Tape Out)。直以來(lái),三星與臺(tái)積電直在先進(jìn)工藝上競(jìng)爭(zhēng),據(jù)介紹,與5nm制造工藝相比,三星的3nm GAA技術(shù)的邏輯面積效率提高了35%以上,功耗降低了50%,性能提高了約30
2021-07-02 11:21:543387

三星要將借助3nm節(jié)點(diǎn)超越臺(tái)積電?明年上半年量產(chǎn)

要比基于臺(tái)積電5nm制程的芯片高出20%-30%,因此三星的5nm也被不少人認(rèn)為是“翻車”的代產(chǎn)品。 當(dāng)然,如今各家晶圓代工廠對(duì)于工藝節(jié)點(diǎn)上的命名更像是玩“數(shù)字游戲”。比如三星當(dāng)年的8nm工藝就跟臺(tái)積電10nm的晶體管密度幾乎相同,而英特爾最近也將他們?cè)镜?0nm Enh
2021-10-12 11:16:232425

三星已認(rèn)證新思科技PrimeLib統(tǒng)一庫(kù)表征和驗(yàn)證解決方案

基于新思科技PrimeLib統(tǒng)一庫(kù)表征和驗(yàn)證解決方案,雙方共同客戶可將汽車、AI、高性能計(jì)算和5G等應(yīng)用的芯片設(shè)計(jì)時(shí)間縮短5倍。 新思科技(Synopsys)近日宣布,三星晶圓廠(以下簡(jiǎn)稱為“三星
2021-11-09 16:59:262372

三星將中斷12nm DRAM芯片開發(fā),直接跨入11nm

近日,據(jù)韓媒報(bào)道稱,三星的研發(fā)人員收到了中斷1b工藝DRAM芯片開發(fā)的命令,要求直接研發(fā)1c工藝DRAM芯片,也就是跳過(guò)12nm工藝直接研發(fā)11nm工藝。 在此之前,三星也做出過(guò)類似的決定。曾經(jīng)各大
2022-04-18 18:21:582244

三星電子3nm良品率才10%-20%,大大低于預(yù)期

三星基于GAA晶體管的3nm工藝良率遠(yuǎn)低于預(yù)期,三星電子3nm制程工藝的良品率,才到10%-20%,遠(yuǎn)不及公司期望的目標(biāo)。
2022-04-20 10:43:132740

三星3nm芯片開始量產(chǎn),采用GAA晶體管,提升巨大

最先進(jìn)的制程工藝便是三星的3nm工藝,并且這也是全球首次采用GAA晶體管的芯片,三星表示采用了GAA晶體管的3nm芯片將應(yīng)用在高性能低功耗的計(jì)算領(lǐng)域,并且未來(lái)將要運(yùn)用到移動(dòng)端。 目前三星3nm工藝芯片的首位顧客被爆料是家來(lái)自中國(guó)的礦機(jī)芯片公司,隨
2022-06-30 16:36:272953

三星3nm芯片量產(chǎn) 2nm芯片還遠(yuǎn)嗎

三星3nm芯片量產(chǎn) 2nm芯片還遠(yuǎn)嗎 全球第款正式量產(chǎn)的3nm芯片即將出自三星半導(dǎo)體了,根據(jù)三星半導(dǎo)體官方的宣布,4D(GAA)架構(gòu)制程技術(shù)芯片正式開始生產(chǎn)。 4D(GAA)架構(gòu)制程是3D
2022-06-30 20:21:522069

三星2nm量產(chǎn)時(shí)間 三星2nm有自己的光刻機(jī)嗎

隨著臺(tái)積電曝光2nm制程的進(jìn)展后,三星緊追其后也宣布了關(guān)于2nm制程的最新消息,三星2nm的量產(chǎn)時(shí)間也定在了2025年,跟臺(tái)積電的差不多。這次2nm制程是三星這些年來(lái)首次追上了臺(tái)積電,比以往快了不少。
2022-07-01 09:59:085174

三星2nm芯片最新消息

根據(jù)外媒的消息報(bào)道稱,三星電子公司近日正式宣布已開始量產(chǎn)3納米芯片,三星電子正押注于將 GAA 技術(shù)應(yīng)用于3 納米工藝,并且計(jì)劃于2025年量產(chǎn)基于GAA的2nm芯片,以追趕臺(tái)積電。
2022-07-04 09:34:041906

2nm芯片一片多少錢

去年五月份,IBM公司領(lǐng)先全球制造出了首顆2nm制程工藝芯片,直到前幾天三星才開始首次量產(chǎn)3nm芯片,而IBM在去年就已經(jīng)研制出了2nm芯片,如此先進(jìn)的技術(shù)自然就會(huì)有人疑惑2nm芯片一片多少錢了
2022-07-05 09:16:133433

三星即將公布首顆3nm芯片,或?qū)⑴まD(zhuǎn)訂單數(shù)量

在半導(dǎo)體制程工藝領(lǐng)域,三星直都被臺(tái)積電壓了頭,不過(guò)在六月底三星宣布了正式量產(chǎn)3nm芯片,在3nm領(lǐng)域三星算是反超臺(tái)積電了。 本周,三星將正式展示最新研發(fā)的3nm芯片三星表示,這代3nm芯片
2022-07-25 11:46:102256

三星正式宣布3nm芯片出貨,首位客戶為家中國(guó)企業(yè)

今日,三星正式宣布了第批3nm芯片出貨的消息,首位客戶是家中國(guó)企業(yè)。 今天上午,三星在首爾舉辦了發(fā)貨儀式,多位高管出席,儀式上正式宣布了首批3nm芯片出貨,并表示首位客戶是家來(lái)自中國(guó)的礦機(jī)芯片
2022-07-25 16:25:143213

三星宣布首批3nm芯片正式出貨

7月25日上午,三星在韓國(guó)首爾南部的華城舉辦典禮,宣布首批3nm芯片正式出貨。
2022-07-26 10:15:582923

iPhone成為三星與臺(tái)積電的轉(zhuǎn)折 3nm成為三星趕超最大希望

三星確實(shí)也在緊追臺(tái)積電的步伐,去年也量產(chǎn)了4nm芯片,高通驍龍8 Gen1就是基于三星4nm生產(chǎn)。
2022-09-21 11:54:421196

基于20nm工藝制程的FPGA—UltraScale介紹

UltraScale是基于20nm工藝制程的FPGA,而UltraScale+則是基于16nm工藝制程的FPGA。
2023-03-09 14:12:548669

三星2nm,走向背面供電

背面實(shí)施流程已通過(guò)成功的 SF2 測(cè)試芯片得到驗(yàn)證。這是 2nm 設(shè)計(jì)的項(xiàng)關(guān)鍵功能,但可能會(huì)受到三星、英特爾和臺(tái)積電缺乏布線的限制,而是在晶圓背面布線并使用過(guò)孔連接電源線。
2023-07-05 09:51:371217

三星3nm GAA正式商業(yè)量產(chǎn)

篇拆解報(bào)告,稱比特微電子的Whatsminer M56S++礦機(jī)所用的AISC芯片采用的是三星3nm GAA制程工藝。這發(fā)現(xiàn)證實(shí)了三星3nm GAA技術(shù)的商業(yè)化應(yīng)用。
2023-07-21 16:03:572290

芯片是什么意思 芯片流程介紹

芯片是什么意思 芯片流程介紹 芯片芯片制造中的個(gè)重要環(huán)節(jié)。它是指把原來(lái)設(shè)計(jì)好的芯片電路圖轉(zhuǎn)化為實(shí)際的芯片模型。在這個(gè)過(guò)程中,設(shè)計(jì)好的芯片電路需要經(jīng)過(guò)系列的工藝步驟,最終形成個(gè)完整
2023-09-02 17:36:4016792

新思科技3DIC Compiler獲得三星多裸晶芯集成工藝流程的認(rèn)證

Compiler是統(tǒng)一的多裸晶芯片封裝探索、協(xié)同設(shè)計(jì)和分析的平臺(tái),已經(jīng)獲得三星多裸晶芯集成工藝流程的認(rèn)證。 全面和可擴(kuò)展的新思科技多裸晶芯片系統(tǒng)能夠實(shí)現(xiàn)從早期設(shè)計(jì)探索到芯片生命周期管理全流程的快速異構(gòu)集成。 新思科技(Synopsys)近日宣布,與三星晶圓廠(以下簡(jiǎn)稱為“三星”)深化合作,助
2023-09-14 09:38:281999

新思科技設(shè)備在臺(tái)積電流2nm芯片

《半導(dǎo)體芯科技》編譯 來(lái)源:EENEWS EUROPE 新思科技(Synopsys)表示,其客戶已在臺(tái)積電2nm工藝上流了多款芯片,同時(shí)對(duì)模擬和數(shù)字設(shè)計(jì)流程進(jìn)行了認(rèn)證。 新思科技表示,臺(tái)積電2nm
2023-10-08 16:49:24930

三星電子開始量產(chǎn)其首款3nm Gate All Around工藝的上系統(tǒng)

據(jù)外媒報(bào)道,三星電子已開始量產(chǎn)其首款3nm Gate All Around(GAA)工藝的上系統(tǒng)(SoC),預(yù)計(jì)該芯片預(yù)計(jì)將用于Galaxy S25系列。
2024-05-08 15:24:321250

三星3nm移動(dòng)應(yīng)用處理器實(shí)現(xiàn)首次

據(jù)行業(yè)內(nèi)部可靠消息,三星已成功完成了其先進(jìn)的3nm移動(dòng)應(yīng)用處理器(AP)的設(shè)計(jì),并通過(guò)自家代工部門實(shí)現(xiàn)了這重要產(chǎn)品的首次。這里程碑式的進(jìn)展不僅標(biāo)志著三星在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域的持續(xù)突破,也進(jìn)
2024-05-09 09:32:48851

Cadence UCIe IP在Samsung Foundry的5nm汽車工藝上實(shí)現(xiàn)成功

我們很高興能在此宣布,Cadence 基于 UCIe 標(biāo)準(zhǔn)封裝 IP 已在 Samsung Foundry 的 5nm 汽車工藝上實(shí)現(xiàn)首次成功。這里程碑彰顯了我們持續(xù)提供高性能車規(guī)級(jí) IP 解決方案?的承諾,可滿足新代汽車電子和高性能計(jì)算應(yīng)用的嚴(yán)格要求。
2025-04-16 10:17:15843

三星S26拿到全球2nm芯片首發(fā)權(quán) 三星獲特斯拉千億芯片代工大單

我們來(lái)看看三星的最新消息: 曝三星S26拿到全球2nm芯片首發(fā)權(quán) 數(shù)碼博主“剎那數(shù)碼”爆料稱,三星Exynos 2600芯片已進(jìn)入質(zhì)量測(cè)試階段,計(jì)劃在今年10月完成基于HPB(High
2025-07-31 19:47:071596

已全部加載完成