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2.5D IC封裝超越摩爾定律

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FS2115B 5v內(nèi)置電感升壓ic2.5V啟動(dòng)電壓英文資料

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摩爾定律時(shí)代,3D-CIM+RISC-V打造國產(chǎn)存算一體新范式

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文 / 吳子鵬)當(dāng)前,AI 技術(shù)已深度融入生產(chǎn)生活,從 AI 手機(jī)、AI?PC 到云端大模型推理,再到未來的具身智能機(jī)器人,對算力的需求呈指數(shù)級增長。然而,在 AI 飛速發(fā)展的同時(shí),算力、能效與帶寬瓶頸成為行業(yè)前行的關(guān)鍵阻礙,而美西方的技術(shù)禁運(yùn)更讓中國芯片產(chǎn)業(yè)面臨嚴(yán)峻挑戰(zhàn)。 ? 在這一大背景下,存算一體成為國產(chǎn)算力突破的重要手段。近日,在杭州舉辦的 RISC-V 存算一體產(chǎn)業(yè)論壇暨應(yīng)用組啟動(dòng)大會上,微納核芯、浙江省北大信
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【「AI芯片:科技探索與AGI愿景」閱讀體驗(yàn)】+半導(dǎo)體芯片產(chǎn)業(yè)的前沿技術(shù)

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2025-09-15 14:50:58

CMOS 2.0與Chiplet兩種創(chuàng)新技術(shù)的區(qū)別

摩爾定律正在減速。過去我們靠不斷縮小晶體管尺寸提升芯片性能,但如今物理極限越來越近。在這樣的背景下,兩種創(chuàng)新技術(shù)站上舞臺:CMOS 2.0 和 Chiplet(芯粒)。它們都在解決 “如何讓芯片更強(qiáng)” 的問題,但思路卻大相徑庭。
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摩爾定律時(shí)代,國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備的前瞻路徑分析

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文 / 吳子鵬)日前,第十三屆半導(dǎo)體設(shè)備與核心部件及材料展(CSEAC 2025)主論壇暨第十三屆中國電子專用設(shè)備工業(yè)協(xié)會半導(dǎo)體設(shè)備年會在無錫太湖之濱隆重開幕。本次年會以 “強(qiáng)化戰(zhàn)略引領(lǐng),深化創(chuàng)新驅(qū)動(dòng),共筑半導(dǎo)體裝備產(chǎn)業(yè)新高地” 為主題,匯聚了國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域的頂尖專家與企業(yè)領(lǐng)袖。 ? 在大會的主題演講環(huán)節(jié),中國電子專用設(shè)備工業(yè)協(xié)會副秘書長、工信部電子科技委專家委員李晉湘,中電科電子裝備集團(tuán)有限公司黨委
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【「AI芯片:科技探索與AGI愿景」閱讀體驗(yàn)】+工藝創(chuàng)新將繼續(xù)維持著摩爾神話

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2025-09-06 10:37:21

芯片封裝的功能、等級以及分類

摩爾定律趨近物理極限、功率器件制程仍停留在百納米節(jié)點(diǎn)的背景下,芯片“尺寸縮小”與“性能提升”之間的矛盾愈發(fā)尖銳。
2025-08-28 13:50:221770

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超越歐姆定律:全自動(dòng)絕緣電阻率測試儀的高精度采樣與信號處理技術(shù)探秘

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淺談3D封裝與CoWoS封裝

自戈登·摩爾1965年提出晶體管數(shù)量每18-24個(gè)月翻倍的預(yù)言以來,摩爾定律已持續(xù)推動(dòng)半導(dǎo)體技術(shù)跨越半個(gè)世紀(jì),從CPU、GPU到專用加速器均受益于此。
2025-08-21 10:48:321625

借助AMD無頂蓋封裝技術(shù)應(yīng)對散熱挑戰(zhàn)

隨著電子行業(yè)向更小節(jié)點(diǎn)邁進(jìn),現(xiàn)代應(yīng)用要求更高的時(shí)鐘速率和性能。2014 年,斯坦福大學(xué)教授 Mark Horowitz 發(fā)表了一篇開創(chuàng)性的論文,描述半導(dǎo)體行業(yè)面臨相關(guān)登納德縮放及摩爾定律失效的挑戰(zhàn)
2025-08-21 09:07:13810

當(dāng)摩爾定律 “踩剎車” ,三星 、AP、普迪飛共話半導(dǎo)體制造新變革新機(jī)遇

,揭示行業(yè)正處于從“晶體管密度驅(qū)動(dòng)”向“系統(tǒng)級創(chuàng)新”轉(zhuǎn)型的關(guān)鍵節(jié)點(diǎn)。隨著摩爾定律放緩、供應(yīng)鏈分散化政策推進(jìn),一場融合制造技術(shù)革新與供應(yīng)鏈數(shù)字化的產(chǎn)業(yè)變革正在上演。
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突破邊界:先進(jìn)封裝時(shí)代下光學(xué)檢測技術(shù)的創(chuàng)新演進(jìn)

隨著半導(dǎo)體器件向更精密的封裝方案持續(xù)演進(jìn),傳統(tǒng)光學(xué)檢測技術(shù)正逐漸觸及物理與計(jì)算的雙重邊界。對2.5D/3D集成、混合鍵合及晶圓級工藝的依賴日益加深,使得缺陷檢測的一致性與時(shí)效性面臨嚴(yán)峻挑戰(zhàn)——若無
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LM136A-2.5QML集成電路是一款精密的2.5V并聯(lián)穩(wěn)壓二極管。該單片IC基準(zhǔn)電壓源作為低溫度系數(shù)的2.5V齊納管工作,動(dòng)態(tài)阻抗為0.2Ω。LM136A-2.5QML 上的第三個(gè)端子可以輕松
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3D封裝的優(yōu)勢、結(jié)構(gòu)類型與特點(diǎn)

時(shí),摩爾定律的進(jìn)一步發(fā)展遭遇瓶頸。傳統(tǒng) 2D 封裝因互連長度較長,在速度、能耗和體積上難以滿足市場需求。在此情況下,基于轉(zhuǎn)接板技術(shù)的 2.5D 封裝,以及基于引線互連和 TSV 互連的 3D 封裝等應(yīng)運(yùn)而生,并迅速發(fā)展起來。
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摩爾定律說,集成電路上的晶體管數(shù)量大約每兩年翻一番。隨著晶體管尺寸接近物理極限,摩爾定律的原始含義已不再適用,但計(jì)算能力的提升并沒有停止。英偉達(dá)的SOC在過去幾年的發(fā)展中,AI算力大致為每兩年翻一番
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PHEMT GaAs IC SPDT 開關(guān) 300 KHz–2.5 GHz skyworksinc

GHz的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料,PHEMT GaAs IC SPDT 開關(guān) 300 KHz–2.5 GHz真值表,PHEMT GaAs IC SPDT 開關(guān) 300 KHz–2.5 GHz管腳等資料,希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2025-08-05 18:30:03

白光掃描干涉法在先進(jìn)半導(dǎo)體封裝混合鍵合表面測量中的應(yīng)用研究

隨著半導(dǎo)體器件特征尺寸不斷縮小,三維(3D封裝技術(shù)已成為延續(xù)摩爾定律的重要途徑。銅-介質(zhì)混合鍵合(HybridBonding)通過直接連接銅互連與介電層,實(shí)現(xiàn)了高密度、低功耗的異質(zhì)集成。然而
2025-08-05 17:48:53861

TSV技術(shù)的關(guān)鍵工藝和應(yīng)用領(lǐng)域

2.5D/3D封裝技術(shù)作為當(dāng)前前沿的先進(jìn)封裝工藝,實(shí)現(xiàn)方案豐富多樣,會根據(jù)不同應(yīng)用需求和技術(shù)發(fā)展動(dòng)態(tài)調(diào)整,涵蓋芯片減薄、芯片鍵合、引線鍵合、倒裝鍵合、TSV、塑封、基板、引線框架、載帶、晶圓級薄膜
2025-08-05 15:03:082803

先進(jìn)封裝轉(zhuǎn)接板的典型結(jié)構(gòu)和分類

摩爾定律精準(zhǔn)預(yù)言了近幾十年集成電路的發(fā)展。然而,逐漸逼近的物理極限、更高的性能需求和不再經(jīng)濟(jì)的工藝制程,已引發(fā)整個(gè)半導(dǎo)體行業(yè)重新考慮集成工藝方法和系統(tǒng)縮放策略,意味著集成電路產(chǎn)業(yè)已經(jīng)步入后摩爾時(shí)代。
2025-08-05 14:59:112513

摩爾時(shí)代破局者:物元半導(dǎo)體領(lǐng)航中國3D集成制造產(chǎn)業(yè)

在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)邁入“后摩爾時(shí)代”的背景下,傳統(tǒng)制程微縮帶來的性能提升逐漸趨緩,而先進(jìn)封裝技術(shù),尤其是2.5D/3D堆疊封裝,正成為延續(xù)芯片性能增長的關(guān)鍵路徑。 據(jù)Yole數(shù)據(jù)顯示,2022年全球
2025-08-04 15:53:06892

Chiplet與3D封裝技術(shù):后摩爾時(shí)代的芯片革命與屹立芯創(chuàng)的良率保障

摩爾定律逐漸放緩的背景下,Chiplet(小芯片)技術(shù)和3D封裝成為半導(dǎo)體行業(yè)突破性能與集成度瓶頸的關(guān)鍵路徑。然而,隨著芯片集成度的提高,氣泡缺陷成為影響封裝良率的核心挑戰(zhàn)之一。
2025-07-29 14:49:39855

2.5D及3D集成技術(shù)的熱性能對比

在多芯片封裝趨勢下,一個(gè)封裝內(nèi)集成的高性能芯片日益增多,熱管理難題愈發(fā)凸顯??諝饫鋮s應(yīng)對此類系統(tǒng)力不從心,致使眾多硅芯片閑置(停運(yùn)或降頻),而且高、低功率芯片間的熱耦合還會拉低系統(tǒng)整體性能??梢姡录杉軜?gòu)雖具電氣優(yōu)勢,但散熱問題亟待解決。
2025-07-24 16:47:302500

基于板級封裝的異構(gòu)集成詳解

基于板級封裝的異構(gòu)集成作為彌合微電子與應(yīng)用差距的關(guān)鍵方法,結(jié)合“延續(xù)摩爾”與“超越摩爾”理念,通過SiP技術(shù)集成多材料(如Si、GaN、光子器件等)裸片及無源元件,借助扇出晶圓級/板級封裝等技術(shù),實(shí)現(xiàn)更低成本、風(fēng)險(xiǎn)及更高靈活性,推動(dòng)電子系統(tǒng)可靠性向十億分之幾故障率發(fā)展。
2025-07-18 11:43:572495

晶心科技:摩爾定律放緩,RISC-V在高性能計(jì)算的重要性突顯

運(yùn)算還是快速高頻處理計(jì)算數(shù)據(jù),或是超級電腦,只要設(shè)計(jì)或計(jì)算系統(tǒng)符合三項(xiàng)之一即可稱之為HPC。 摩爾定律走過數(shù)十年,從1970年代開始,世界領(lǐng)導(dǎo)廠商建立晶圓廠、提供制程工藝,在28nm之前取得非常大的成功。然而28nm之后摩爾定律在接近物理極限之前遇到大量的困
2025-07-18 11:13:324120

西門子EDA產(chǎn)品組合新增兩大解決方案

西門子數(shù)字化工業(yè)軟件日前宣布為其電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化 (EDA) 產(chǎn)品組合新增兩大解決方案,助力半導(dǎo)體設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)攻克 2.5D/3D 集成電路 (IC) 設(shè)計(jì)與制造的復(fù)雜挑戰(zhàn)。
2025-07-14 16:43:073059

高精度2.5D影像儀

Novator系列高精度2.5D影像儀智能化和自動(dòng)化程度高,使測量變得簡單。它具備多種測量功能,包括表面尺寸、輪廓、角度與位置、形位公差、3D空間形貌與尺寸結(jié)構(gòu)等的精密測量。Novatorr支持頻閃
2025-07-11 11:30:05

適用于先進(jìn)3D IC封裝完整的裸片到系統(tǒng)熱管理解決方案

摘要半導(dǎo)體行業(yè)向復(fù)雜的2.5D和3DIC封裝快速發(fā)展,帶來了極嚴(yán)峻的熱管理挑戰(zhàn),這需要從裸片層級到系統(tǒng)層級分析的復(fù)雜解決方案。西門子通過一套集成工具和方法來應(yīng)對這些多方面的挑戰(zhàn),這些工具和方法結(jié)合了
2025-07-03 10:33:101050

從微米到納米,銅-銅混合鍵合重塑3D封裝技術(shù)格局

動(dòng)力。 ? 據(jù)資料顯示,這項(xiàng)技術(shù)通過將銅金屬鍵合與介電層鍵合工藝結(jié)合,實(shí)現(xiàn)了亞微米級的垂直互連,使芯片堆疊密度提升兩個(gè)數(shù)量級,為突破摩爾定律物理極限提供了可行路徑。 ? 二十年來,錫基焊料凸點(diǎn)(Micro Bump)一直是芯片堆疊的標(biāo)準(zhǔn)導(dǎo)線。但當(dāng)
2025-06-29 22:05:131519

中圖光學(xué)2.5D影像測量儀

Novator中圖光學(xué)2.5D影像測量儀將傳統(tǒng)影像測量與激光測量掃描技術(shù)相結(jié)合,實(shí)現(xiàn)2.5D和3D復(fù)合測量。儀器具備多種測量功能,包括表面尺寸、輪廓、角度與位置、形位公差、3D空間形貌與尺寸結(jié)構(gòu)等
2025-06-26 11:45:04

突破!華為先進(jìn)封裝技術(shù)揭開神秘面紗

在半導(dǎo)體行業(yè),芯片制造工藝的發(fā)展逐漸逼近物理極限,摩爾定律的推進(jìn)愈發(fā)艱難。在此背景下,先進(jìn)封裝技術(shù)成為提升芯片性能、實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)集成的關(guān)鍵路徑,成為全球科技企業(yè)角逐的新戰(zhàn)場。近期,華為的先進(jìn)封裝技術(shù)突破
2025-06-19 11:28:071256

多芯粒2.5D/3D集成技術(shù)研究現(xiàn)狀

面向高性能計(jì)算機(jī)、人工智能、無人系統(tǒng)對電子芯片高性能、高集成度的需求,以 2.5D、3D 集成技術(shù)為代表的先進(jìn)封裝集成技術(shù),不僅打破了當(dāng)前集成芯片良率降低、成本驟升的困境,也是實(shí)現(xiàn)多種類型、多種材質(zhì)、多種功能芯粒集成的重要手段。2.5D/3D 集成技術(shù)正快速發(fā)展,集成方案與集成技術(shù)日新月異。
2025-06-16 15:58:311505

面向HDAP設(shè)計(jì)的LVS/LVL驗(yàn)證

和功能。下圖顯示了兩種流行的 HDAP 技術(shù):2.5D(中介層)和扇出型晶圓級封裝 (FOWLP) 設(shè)計(jì)。
2025-06-05 09:37:451577

鰭式場效應(yīng)晶體管的原理和優(yōu)勢

自半導(dǎo)體晶體管問世以來,集成電路技術(shù)便在摩爾定律的指引下迅猛發(fā)展。摩爾定律預(yù)言,單位面積上的晶體管數(shù)量每兩年翻一番,而這一進(jìn)步在過去幾十年里得到了充分驗(yàn)證。
2025-06-03 18:24:131494

SL3061 DCDC40V耐壓輸入 輸出可調(diào) 2.5A電流降壓恒壓喇叭供電IC

SL3061:40V 耐壓輸入、2.5A 大電流降壓恒壓 IC,專為喇叭供電設(shè)計(jì)的高效解決方案核心優(yōu)勢:高性能與可靠性的完美融合SL3061 是一款專為寬電壓輸入場景設(shè)計(jì)的 DCDC 降壓恒壓 IC
2025-05-28 17:16:59

wafer晶圓厚度(THK)翹曲度(Warp)彎曲度(Bow)等數(shù)據(jù)測量的設(shè)備

晶圓是半導(dǎo)體制造的核心基材,所有集成電路(IC)均構(gòu)建于晶圓之上,其質(zhì)量直接決定芯片性能、功耗和可靠性,是摩爾定律持續(xù)推進(jìn)的物質(zhì)基礎(chǔ)。其中晶圓的厚度(THK)、翹曲度(Warp) 和彎曲度(Bow
2025-05-28 16:12:46

淺談玻璃通孔加工成型方法

TGV技術(shù)是近年來在先進(jìn)封裝(如2.5D/3D IC、射頻器件、MEMS、光電子集成等)領(lǐng)域備受關(guān)注的關(guān)鍵工藝。
2025-05-23 10:47:101419

低功耗熱發(fā)射極晶體管的工作原理與制備方法

集成電路是現(xiàn)代信息技術(shù)的基石,而晶體管則是集成電路的基本單元。沿著摩爾定律發(fā)展,現(xiàn)代集成電路的集成度不斷提升,目前單個(gè)芯片上已經(jīng)可以集成數(shù)百億個(gè)晶體管。
2025-05-22 16:06:191145

分享兩種前沿片上互連技術(shù)

隨著臺積電在 2011年推出第一版 2.5D 封裝平臺 CoWoS、海力士在 2014 年與 AMD 聯(lián)合發(fā)布了首個(gè)使用 3D 堆疊的高帶寬存儲(HBM)芯片,先進(jìn)封裝技術(shù)帶來的片上互連拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的改變和帶來的集成能力的提升,成為當(dāng)前片上互連技術(shù)發(fā)展的主要驅(qū)動(dòng)因素。
2025-05-22 10:17:51974

PPS注塑IC元件封裝中的應(yīng)用優(yōu)勢與工藝

在當(dāng)今數(shù)字化時(shí)代,集成電路(IC)作為現(xiàn)代科技的核心,封裝是電子制造中的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。IC元件封裝不僅是保護(hù)芯片免受外界環(huán)境影響的關(guān)鍵屏障,更是確保電子設(shè)備性能穩(wěn)定、高效運(yùn)行的重要保障。 一、PPS注塑
2025-05-19 08:10:47625

電力電子中的“摩爾定律”(2)

04平面磁集成技術(shù)的發(fā)展在此基礎(chǔ)上,平面磁集成技術(shù)開始廣泛應(yīng)用于高功率密度場景,通過將變壓器的繞組(winding)設(shè)計(jì)在pcb電路板上從而代替利茲線,從而極大降低了變壓器的高度。然而pcb的銅帶厚度并不大,一般不會超過4oz(140μm),因此想要通過pcb傳輸大電流會有極大的損耗。為
2025-05-17 08:33:28572

跨越摩爾定律,新思科技掩膜方案憑何改寫3nm以下芯片游戲規(guī)則

。 然而,隨著摩爾定律逼近物理極限,傳統(tǒng)掩模設(shè)計(jì)方法面臨巨大挑戰(zhàn),以2nm制程為例,掩膜版上的每個(gè)圖形特征尺寸僅為頭發(fā)絲直徑的五萬分之一,任何微小誤差都可能導(dǎo)致芯片失效。對此,新思科技(Synopsys)推出制造解決方案,尤其是
2025-05-16 09:36:475598

單聲道、低功耗、多級 D 類音頻放大器 IC skyworksinc

電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()單聲道、低功耗、多級 D 類音頻放大器 IC相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊,更有單聲道、低功耗、多級 D 類音頻放大器 IC的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料,單聲道
2025-05-13 18:34:31

電力電子中的“摩爾定律”(1)

本文是第二屆電力電子科普征文大賽的獲獎(jiǎng)作品,來自上??萍即髮W(xué)劉賾源的投稿。著名的摩爾定律中指出,集成電路每過一定時(shí)間就會性能翻倍,成本減半。那么電力電子當(dāng)中是否也存在著摩爾定律呢?1965年,英特爾
2025-05-10 08:32:01752

環(huán)旭電子分享微小化系統(tǒng)級封裝解決方案的典型應(yīng)用

近日,NEPCON China 2025 在上海世博展覽館隆重開幕,眾多行業(yè)專家及業(yè)界人士齊聚一堂,共同探討最新行業(yè)趨勢,分享前沿研究成果與創(chuàng)新理念。4月22日,在“ICPF 2.5D和3D及先進(jìn)
2025-05-08 15:45:33867

玻璃基板在芯片封裝中的應(yīng)用

自集成電路誕生以來,摩爾定律一直是其發(fā)展的核心驅(qū)動(dòng)力。根據(jù)摩爾定律,集成電路單位面積上的晶體管數(shù)量每18到24個(gè)月翻一番,性能也隨之提升。然而,隨著晶體管尺寸的不斷縮小,制造工藝的復(fù)雜度和成本急劇
2025-04-23 11:53:452719

芯原推出面向可穿戴設(shè)備的超低功耗OpenGL ES GPU,支持3D/2.5D混合渲染

芯原股份(芯原,股票代碼:688521.SH)今日宣布推出全新超低功耗的圖形處理器(GPU)IP——GCNano3DVG。該IP具備3D2.5D圖形渲染功能,在視覺效果與功耗效率之間實(shí)現(xiàn)了卓越平衡
2025-04-17 10:15:32617

淺談Chiplet與先進(jìn)封裝

隨著半導(dǎo)體行業(yè)的技術(shù)進(jìn)步,尤其是摩爾定律的放緩,芯片設(shè)計(jì)和制造商們逐漸轉(zhuǎn)向了更為靈活的解決方案,其中“Chiplet”和“先進(jìn)封裝”成為了熱門的概念。
2025-04-14 11:35:181169

從焊錫膏到3D堆疊:材料創(chuàng)新如何重塑芯片性能規(guī)則?

摩爾定律逼近物理極限的當(dāng)下,先進(jìn)封裝技術(shù)正成為半導(dǎo)體行業(yè)突破性能瓶頸的關(guān)鍵路徑。以系統(tǒng)級封裝(SiP)、晶圓級封裝(WLP)、3D堆疊、Chiplet異構(gòu)集成為代表的顛覆性方案,正重新定義芯片性能
2025-04-10 14:36:311188

先進(jìn)封裝工藝面臨的挑戰(zhàn)

在先進(jìn)制程遭遇微縮瓶頸的背景下,先進(jìn)封裝朝著 3D 異質(zhì)整合方向發(fā)展,成為延續(xù)摩爾定律的關(guān)鍵路徑。3D 先進(jìn)封裝技術(shù)作為未來的發(fā)展趨勢,使芯片串聯(lián)數(shù)量大幅增加。
2025-04-09 15:29:021021

淺談MOS管封裝技術(shù)的演變

隨著智能設(shè)備的普及,電子設(shè)備也朝著小型化、高性能和可靠性方向發(fā)展。摩爾定律趨緩背景下,封裝技術(shù)成為提升性能的關(guān)鍵路徑。從傳統(tǒng)的TO封裝到先進(jìn)封裝,MOS管的封裝技術(shù)經(jīng)歷了許多變革,從而間接地影響到了智能應(yīng)用的表現(xiàn)。合科泰將帶您深入探討MOS管封裝技術(shù)的演變。
2025-04-08 11:29:531217

AI時(shí)代,封裝材料如何助力實(shí)現(xiàn)更優(yōu)的異構(gòu)集成?

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/吳子鵬)隨著摩爾定律逐漸逼近物理極限,半導(dǎo)體行業(yè)從單純的制程微縮向系統(tǒng)級創(chuàng)新的范式轉(zhuǎn)變愈發(fā)顯著。特別是在 DeepSeek 于全球范圍內(nèi)爆火之后,半導(dǎo)體企業(yè)迫切需要加快先進(jìn)
2025-04-02 01:09:002793

2.5D封裝為何成為AI芯片的“寵兒”?

?多年來,封裝技術(shù)并未受到大眾的廣泛關(guān)注。但是現(xiàn)在,尤其是在AI芯片的發(fā)展過程中,封裝技術(shù)發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。2.5D封裝以其高帶寬、低功耗和高集成度的優(yōu)勢,成為了AI芯片的理想封裝方案。 在
2025-03-27 18:12:46710

IC封裝產(chǎn)線分類詳解:金屬封裝、陶瓷封裝與先進(jìn)封裝

在集成電路(IC)產(chǎn)業(yè)中,封裝是不可或缺的一環(huán)。它不僅保護(hù)著脆弱的芯片,還提供了與外部電路的連接接口。隨著電子技術(shù)的不斷發(fā)展,IC封裝技術(shù)也在不斷創(chuàng)新和進(jìn)步。本文將詳細(xì)探討IC封裝產(chǎn)線的分類,重點(diǎn)介紹金屬封裝、陶瓷封裝以及先進(jìn)封裝等幾種主要類型。
2025-03-26 12:59:582168

3D封裝與系統(tǒng)級封裝的背景體系解析介紹

3D封裝與系統(tǒng)級封裝概述 一、引言:先進(jìn)封裝技術(shù)的演進(jìn)背景 隨著摩爾定律逐漸逼近物理極限,半導(dǎo)體行業(yè)開始從單純依賴制程微縮轉(zhuǎn)向封裝技術(shù)創(chuàng)新。3D封裝和系統(tǒng)級封裝(SiP)作為突破傳統(tǒng)2D平面集成限制
2025-03-22 09:42:561793

震驚!半導(dǎo)體玻璃芯片基板實(shí)現(xiàn)自動(dòng)激光植球突破

在半導(dǎo)體行業(yè)“超越摩爾定律”的探索中,玻璃基板與激光植球技術(shù)的結(jié)合,不僅是材料與工藝的創(chuàng)新,更是整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同突破的縮影。未來,隨著5G、AI、汽車電子等需求的爆發(fā),激光錫球焊接機(jī)這一技術(shù)組合或?qū)⒊蔀橹袊雽?dǎo)體高端制造的重要競爭力。?
2025-03-21 16:50:041547

瑞沃微先進(jìn)封裝:突破摩爾定律枷鎖,助力半導(dǎo)體新飛躍

在半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展歷程中,技術(shù)創(chuàng)新始終是推動(dòng)行業(yè)前進(jìn)的核心動(dòng)力。深圳瑞沃微半導(dǎo)體憑借其先進(jìn)封裝技術(shù),用強(qiáng)大的實(shí)力和創(chuàng)新理念,立志將半導(dǎo)體行業(yè)邁向新的高度。 回溯半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展軌跡,摩爾定律無疑是一個(gè)重要的里程碑
2025-03-17 11:33:30779

Chiplet:芯片良率與可靠性的新保障!

Chiplet技術(shù),也被稱為小芯片或芯粒技術(shù),是一種創(chuàng)新的芯片設(shè)計(jì)理念。它將傳統(tǒng)的大型系統(tǒng)級芯片(SoC)分解成多個(gè)小型、功能化的芯片模塊(Chiplet),然后通過先進(jìn)的封裝技術(shù)將這些模塊連接在一起,形成一個(gè)完整的系統(tǒng)。這一技術(shù)的出現(xiàn),源于對摩爾定律放緩的應(yīng)對以及對芯片設(shè)計(jì)復(fù)雜性和成本控制的追求。
2025-03-12 12:47:462296

全球首臺,獨(dú)立研發(fā)!新一代C2W&W2W混合鍵合設(shè)備即將震撼發(fā)布!

制程工藝逼近1nm物理極限,摩爾定律的延續(xù)面臨巨大挑戰(zhàn)。行業(yè)亟需通過“延續(xù)摩爾”(More Moore)與“超越摩爾”(More than Moore)兩條路徑尋找新突破。無論是3D堆疊技術(shù)提升集成密度,還是異質(zhì)芯片集成拓展功能邊界,混合鍵合技術(shù)已成為不可替代的核心技術(shù)。然而
2025-03-06 14:42:58509

AI正在對硬件互連提出“過分”要求 | Samtec于Keysight開放日深度分享

摘要/前言 硬件加速,可能總會是新的難點(diǎn)和挑戰(zhàn)。面對信息速率和密度不斷提升的AI,技術(shù)進(jìn)步也會遵循摩爾定律,那硬件互連準(zhǔn)備好了嗎? Samtec China Sr. FAE Manager 胡亞捷
2025-02-26 11:09:101013

2.5D/3DIC物理驗(yàn)證提升到更高水平

高密度先進(jìn)封裝 (HDAP) 在各種最終用戶應(yīng)用中的采用率持續(xù)攀升。使用中介層(硅或有機(jī))的 2.5D 集成電路 (IC) 設(shè)計(jì)通常針對高端應(yīng)用,如軍事、航空航天和高性能計(jì)算,而類似臺積電集成扇出
2025-02-20 11:36:561271

先進(jìn)封裝技術(shù):3.5D封裝、AMD、AI訓(xùn)練降本

受限,而芯片級架構(gòu)通過將SoC分解為多個(gè)小芯片(chiplets),利用先進(jìn)封裝技術(shù)實(shí)現(xiàn)高性能和低成本。 芯片級架構(gòu)通過將傳統(tǒng)單片系統(tǒng)芯片(SoC)分解為多個(gè)小芯片(chiplets),利用先進(jìn)封裝技術(shù)實(shí)現(xiàn)高性能和低成本。 3.5D封裝結(jié)合了2.5D和3D封裝技術(shù)的優(yōu)點(diǎn),通
2025-02-14 16:42:431959

納米壓印技術(shù):開創(chuàng)下一代光刻的新篇章

光刻技術(shù)對芯片制造至關(guān)重要,但傳統(tǒng)紫外光刻受衍射限制,摩爾定律面臨挑戰(zhàn)。為突破瓶頸,下一代光刻(NGL)技術(shù)應(yīng)運(yùn)而生。本文將介紹納米壓印技術(shù)(NIL)的原理、發(fā)展、應(yīng)用及設(shè)備,并探討其在半導(dǎo)體制造中
2025-02-13 10:03:503708

2.5D集成電路的Chiplet布局設(shè)計(jì)

隨著摩爾定律接近物理極限,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正在向2.5D和3D集成電路等新型技術(shù)方向發(fā)展。在2.5D集成技術(shù)中,多個(gè)Chiplet通過微凸點(diǎn)、硅通孔和重布線層放置在中介層上。這種架構(gòu)在異構(gòu)集成方面具有優(yōu)勢,但同時(shí)在Chiplet布局優(yōu)化和溫度管理方面帶來了挑戰(zhàn)[1]。
2025-02-12 16:00:062195

混合鍵合中的銅連接:或成摩爾定律救星

混合鍵合3D芯片技術(shù)將拯救摩爾定律。 為了繼續(xù)縮小電路尺寸,芯片制造商正在爭奪每一納米的空間。但在未來5年里,一項(xiàng)涉及幾百乃至幾千納米的更大尺度的技術(shù)可能同樣重要。 這項(xiàng)技術(shù)被稱為“混合鍵合”,可以
2025-02-09 09:21:431230

一文詳解2.5D封裝工藝

2.5D封裝工藝是一種先進(jìn)的半導(dǎo)體封裝技術(shù),它通過中介層(Interposer)將多個(gè)功能芯片在垂直方向上連接起來,從而減小封裝尺寸面積,減少芯片縱向間互連的距離,并提高芯片的電氣性能指標(biāo)。這種工藝
2025-02-08 11:40:356648

先進(jìn)封裝,再度升溫

價(jià)格。原因是AI領(lǐng)域?qū)ο冗M(jìn)制程和封裝產(chǎn)能的強(qiáng)勁需求。日本半導(dǎo)體行業(yè)研究學(xué)者湯之上?。ㄔ温氂谌樟?、爾必達(dá)的一線研發(fā)部門)說道,“迄今為止,摩爾定律通常被理解為每兩年,單個(gè)芯片上集成的晶體管數(shù)量將翻一番。然而,在未來,‘單個(gè)芯片’的概念可
2025-02-07 14:10:43759

全新二次回流焊錫膏,提升:CSP、MIP、SIP封裝良率

摩爾定律的快速發(fā)展確實(shí)推動(dòng)了封裝技術(shù)的不斷革新,從傳統(tǒng)的封裝方式到CSP封裝、MIP封裝、再到系統(tǒng)級SIP封裝,每一次的進(jìn)步都使得元件數(shù)量不斷增加,封裝尺寸越來越小,從而實(shí)現(xiàn)了更高的集成度和性能
2025-02-05 17:07:16792

光電共封裝技術(shù)CPO的演變與優(yōu)勢

光電封裝技術(shù)經(jīng)歷了從傳統(tǒng)銅纜到板上光學(xué),再到2.5D和3D光電共封裝的不斷演進(jìn)。這一發(fā)展歷程展示了封裝技術(shù)在集成度、互連路徑和帶寬設(shè)計(jì)上的持續(xù)突破。未來,光電共封技術(shù)將進(jìn)一步朝著更高集成度、更短互連路徑和更高帶寬方向發(fā)展,為提升數(shù)據(jù)中心和高性能計(jì)算的能效與速度提供雙重動(dòng)力。
2025-01-24 13:29:547018

芯片封裝中的FOPLP工藝介紹

,行業(yè)對載板和晶圓制程金屬化產(chǎn)品的需求進(jìn)一步擴(kuò)大。 由于摩爾定律在7nm以下的微觀科技領(lǐng)域已經(jīng)難以維持之前的發(fā)展速度,優(yōu)異的后端封裝工藝對于滿足低延遲、更高帶寬和具有成本效益的半導(dǎo)體芯片的需求變得越來越重要。 ? 而扇出型封裝因?yàn)槟軌蛱峁┚?/div>
2025-01-20 11:02:302694

2.5D和3D封裝技術(shù)介紹

整合更多功能和提高性能是推動(dòng)先進(jìn)封裝技術(shù)的驅(qū)動(dòng),如2.5D和3D封裝2.5D/3D封裝允許IC垂直集成。傳統(tǒng)的flip-chip要求每個(gè)IC單獨(dú)封裝,并通過傳統(tǒng)PCB技術(shù)與其他IC集成
2025-01-14 10:41:332901

玻璃基芯片先進(jìn)封裝技術(shù)會替代Wafer先進(jìn)封裝技術(shù)嗎

封裝方式的演進(jìn),2.5D/3D、Chiplet等先進(jìn)封裝技術(shù)市場規(guī)模逐漸擴(kuò)大。 傳統(tǒng)有機(jī)基板在先進(jìn)封裝中面臨晶圓翹曲、焊點(diǎn)可靠性問題、封裝散熱等問題,硅基封裝晶體管數(shù)量即將達(dá)技術(shù)極限。 相比于有機(jī)基板,玻璃基板可顯著改善電氣和機(jī)械性能,
2025-01-09 15:07:143193

石墨烯互連技術(shù):延續(xù)摩爾定律的新希望

半導(dǎo)體行業(yè)長期秉持的摩爾定律(該定律規(guī)定芯片上的晶體管密度大約每兩年應(yīng)翻一番)越來越難以維持??s小晶體管及其間互連的能力正遭遇一些基本的物理限制。特別是,當(dāng)銅互連按比例縮小時(shí),其電阻率急劇上升,這會
2025-01-09 11:34:38958

摩爾定律是什么 影響了我們哪些方面

摩爾定律是由英特爾公司創(chuàng)始人戈登·摩爾提出的,它揭示了集成電路上可容納的晶體管數(shù)量大約每18-24個(gè)月增加一倍的趨勢。該定律不僅推動(dòng)了計(jì)算機(jī)硬件的快速發(fā)展,也對多個(gè)領(lǐng)域產(chǎn)生了深遠(yuǎn)影響。
2025-01-07 18:31:103464

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